光源模組的制作方法
【專利摘要】一種光源模組，包括多個(gè)發(fā)光單元，每一發(fā)光單元包括反射板、光萃取板、側(cè)墻結(jié)構(gòu)、光源以及擴(kuò)散板。光萃取板與反射板相對(duì)設(shè)置，且光萃取板具有多個(gè)第一孔洞。側(cè)墻結(jié)構(gòu)配置于反射板與光萃取板之間，反射板、光萃取板以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)形成第一導(dǎo)光腔體，其中側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第二孔洞。光源配置于第一導(dǎo)光腔體中并緊鄰側(cè)墻結(jié)構(gòu)設(shè)置。擴(kuò)散板配置于光萃取板的上方，其中光萃取板以及擴(kuò)散板之間形成第二導(dǎo)光腔體。本發(fā)明可達(dá)到厚度比傳統(tǒng)的側(cè)光式光源模組的厚度更薄的設(shè)計(jì)。并且，可改善位于亮區(qū)域之間的暗帶的發(fā)生。
【專利說(shuō)明】光源模組
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種光源模組，且特別是有關(guān)于一種具有雙層導(dǎo)光腔體的光源模組。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步，體積龐大的陰極射線管(Cathode Ray Tube, CRT)顯示器已經(jīng)漸漸地走入歷史。因此，液晶顯示器(Liquid Crystal Display, IXD)、有機(jī)發(fā)光二極體顯不器(Organic Light Emitting Diode display, OLED display)、電泳顯不器(Electro-Phoretic Display,EF1D)、電衆(zhòng)顯不器(Plasma Display Panel,PDP)等顯不面板則逐漸地成為未來(lái)平面顯示器之主流。
[0003]在傳統(tǒng)的平面顯示器的背光模組中，直下式背光模組具有二維區(qū)域背光調(diào)控(2Dlocal dimming)的優(yōu)勢(shì)可增加顯示器的對(duì)比度以及節(jié)省電能，但由于直下式背光模組需要較長(zhǎng)的混光距離而導(dǎo)致厚度較厚。再者，側(cè)邊入光式背光模組雖然具有厚度較薄的優(yōu)勢(shì)，但其不具有二維區(qū)域背光調(diào)控的功能。因此，傳統(tǒng)的平面顯示器的背光模組往往需要犧牲背光模組的厚度、二維區(qū)域背光調(diào)控的功能或者上述兩者。然而，即使利用拼接式導(dǎo)光板使直下式背光模組進(jìn)行薄型化，但由于各個(gè)拼接式導(dǎo)光板之間的輝度不同，容易在顯示畫(huà)面上出現(xiàn)導(dǎo)光板之間的拼接邊界(亦即，在非點(diǎn)亮區(qū)產(chǎn)生蜂窩狀或棋盤(pán)狀的亮暗帶)，而造成不良的顯示畫(huà)面的品味。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種光源模組，其具有較薄的厚度并可提升顯示畫(huà)面的品味。
[0005]本發(fā)明提出一種光源模組，包括多個(gè)發(fā)光單兀，每一發(fā)光單兀包括反射板、光萃取板、側(cè)墻結(jié)構(gòu)、光源以及擴(kuò)散板。光萃取板與反射板相對(duì)設(shè)置，且光萃取板具有多個(gè)第一孔洞。側(cè)墻結(jié)構(gòu)配置于反射板與光萃取板之間，反射板、光萃取板以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)形成第一導(dǎo)光腔體，其中側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第二孔洞。光源配置于第一導(dǎo)光腔體中并緊鄰側(cè)墻結(jié)構(gòu)設(shè)置。擴(kuò)散板配置于光萃取板的上方，其中光萃取板以及擴(kuò)散板之間形成第二導(dǎo)光腔體。
[0006]本發(fā)明另提出一種光源模組，包括多個(gè)發(fā)光單兀，每一發(fā)光單兀包括反射板、光萃取板、側(cè)墻結(jié)構(gòu)、光源、擴(kuò)散板以及支撐結(jié)構(gòu)。光萃取板與反射板相對(duì)設(shè)置，且光萃取板具有多個(gè)第一孔洞。側(cè)墻結(jié)構(gòu)配置于反射板與光萃取板之間，反射板、光萃取板以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)形成第一導(dǎo)光腔體。光源配置于第一導(dǎo)光腔體中并緊鄰側(cè)墻結(jié)構(gòu)設(shè)置。擴(kuò)散板配置于光萃取板的上方，其中光萃取板以及擴(kuò)散板之間形成第二導(dǎo)光腔體。支撐結(jié)構(gòu)配置于光萃取板與擴(kuò)散板之間。
[0007]基于上述，本發(fā)明的發(fā)光單元的雙層導(dǎo)光腔體的設(shè)計(jì)以及光源的配置角度可以有效地減少光線碰撞上下反射層的次數(shù)、具有較小的腔體的總厚度、以及具有較佳的系統(tǒng)出光效率等優(yōu)點(diǎn)，進(jìn)而可達(dá)到厚度比傳統(tǒng)的側(cè)光式光源模組的厚度更薄的設(shè)計(jì)。并且，可使每一發(fā)光單元點(diǎn)亮?xí)r與鄰近的非點(diǎn)亮的區(qū)域之間形成緩沖銜接，進(jìn)而可改善位于亮區(qū)域之間的暗帶的發(fā)生。
[0008]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為依照本發(fā)明的光源模組的立體展開(kāi)圖。
[0010]圖2為依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖。
[0011]圖3為圖2的發(fā)光單元沿線1-1’的剖面示意圖。
[0012]圖4為圖2的發(fā)光單元沿線11-11’的剖面示意圖。
[0013]圖5與圖6分別為具有不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的發(fā)光單元的剖面示意圖。
[0014]圖7為依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的發(fā)光單元的剖面示意圖。
[0015]圖8與圖9分別為具有不同支撐結(jié)構(gòu)的發(fā)光單元的剖面示意圖。
[0016]圖10為依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖。
[0017]圖11為依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖。
[0018]圖12為依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖。
[0019]圖13為依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖。
[0020]圖14為圖13的發(fā)光單元沿線1-1’的剖面示意圖。
[0021]圖15為圖13的發(fā)光單元的開(kāi)口率與孔洞位置的關(guān)系曲線圖。
[0022]其中，附圖標(biāo)記
[0023]100:光源模組
[0024]102、102，、102，，、202、202，、202，，、402、502、602、702:發(fā)光單元
[0025]104、204、204’、204”、304:第一導(dǎo)光腔體
[0026]106、206、206’、206”、306:第二導(dǎo)光腔體
[0027]110:反射板
[0028]120、420、520、620、720:光萃取板
[0029]122、422、522、622、722:第一孔洞
[0030]130、130，、130，，、230、330:側(cè)墻結(jié)構(gòu)
[0031]132、132’、132”、332:第二孔洞
[0032]140:光源
[0033]150:擴(kuò)散板
[0034]160:光學(xué)膜片組
[0035]180:均勻度調(diào)整區(qū)
[0036]190:亮度補(bǔ)償區(qū)
[0037]270、270’、270”、370:支撐結(jié)構(gòu)
[0038]542、742:孔洞
[0039]801:曲線
[0040]Al、Al，、Al”:第一面積
[0041]A2:第二面積
[0042]BL:交界線
[0043]。廣(；、(；、(；、(；+1:行[0044]D、P:最短距離
[0045]Hl:第一高度
[0046]H2:第二高度
[0047]H3、H4:高度
[0048]L:具有最大發(fā)光強(qiáng)度的光線
[0049]I-I'、II-II':線
[0050]W:寬度
[0051]X:間距 [0052]Θ:夾角
【具體實(shí)施方式】
[0053]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述，以更進(jìn)一步了解本發(fā)明的目的、方案及功效，但并非作為本發(fā)明所附權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制。
[0054]圖1為依照本發(fā)明的光源模組的立體展開(kāi)圖，圖2為依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖，而圖3與圖4分別為圖2的發(fā)光單元沿線1-1’以及線11-11’的剖面示意圖。
[0055]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1至圖4，光源模組100包括多個(gè)發(fā)光單元102。光源模組100例如是液晶顯示器的背光模組或其他合適的平面顯示器的光源模組。為了清楚地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例，圖1的光源模組100僅示意性繪示了由四個(gè)發(fā)光單元102所拼接而成的組成，且圖2至圖4僅繪示出圖1的光源模組100的其中一個(gè)發(fā)光單元102。此領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可以理解，圖1的光源模組100實(shí)際上即是由多個(gè)圖2至圖4所示的發(fā)光單元102所拼接而成的組成，并可利用分區(qū)控制來(lái)呈現(xiàn)高動(dòng)態(tài)對(duì)比的效果。
[0056]每一發(fā)光單元102包括反射板110、光萃取板120、側(cè)墻結(jié)構(gòu)130、光源140、擴(kuò)散板150以及光學(xué)膜片組160。
[0057]反射板110的霧度(haze)值為20%~98%，且其反射率為90%~98%。
[0058]光萃取板120與反射板110相對(duì)設(shè)置,且光萃取板120具有多個(gè)第一孔洞122。光萃取板120的材料例如為反射率大于90%的材料，包括白反射片、銀反射片、微發(fā)泡反射板(Micro Cellular PET，MCPET)或高反射金屬等雙面高反射材料。在本實(shí)施例中，光萃取板120的多個(gè)第一孔洞122的尺寸例如是彼此相同。
[0059]側(cè)墻結(jié)構(gòu)130配置于反射板110與光萃取板120之間。再者，在一實(shí)施例中，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130例如是位于相鄰的發(fā)光單兀102之間以定義出每一發(fā)光單兀102。亦即，每一發(fā)光單元102的四個(gè)側(cè)墻皆具有側(cè)墻結(jié)構(gòu)130。然而，本發(fā)明不限于此，只要每一發(fā)光單元102的至少一個(gè)側(cè)墻具有側(cè)墻結(jié)構(gòu)130即可。舉例來(lái)說(shuō)，在其他實(shí)施例中，每一發(fā)光單元102亦可以是僅一個(gè)側(cè)墻具有側(cè)墻結(jié)構(gòu)130或者多個(gè)側(cè)墻具有側(cè)墻結(jié)構(gòu)130。側(cè)墻結(jié)構(gòu)130的材料例如為反射率大于90%的材料，包括白反射片、銀反射片、微發(fā)泡反射板或高反射金屬等高反射材料。
[0060]再者，反射板110、光萃取板120以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)130形成第一導(dǎo)光腔體104。第一導(dǎo)光腔體104的高度H3為1mm~10mm。在本實(shí)施例中是以反射板110、光萃取板120以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)130分別為不同的構(gòu)件為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中亦可以是反射板110以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)130為一體成形的構(gòu)件、或者光萃取板120以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)130為一體成形的構(gòu)件、或者反射板110、光萃取板120以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)130為一體成形的構(gòu)件。
[0061]值得一提的是，在本實(shí)施例中，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130具有多個(gè)第二孔洞132。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，如圖4所示，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130的第二孔洞132具有第一面積Al，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130具有第二面積A2，且A1/(A1+A2)=0.03?0.95。再者，第二孔洞132具有周期性分布，但本發(fā)明不以此為限，亦可不具有周期性。在本實(shí)施例中，第二孔洞132的形狀例如是矩形，且側(cè)墻結(jié)構(gòu)130的第二孔洞132具有第一高度H1、寬度W以及間距X。側(cè)墻結(jié)構(gòu)130具有第二高度H2。在此，第一高度H1、第二高度H2、寬度W以及間距X分別是指最大的高度、最大的寬度以及最大的間距。在本實(shí)施例中，Η1/Η2=0.I?0.99，W/X=0.1?0.99，且X-W=0.1mm?25mm。當(dāng)滿足X-W=0.1mm?25mm的條件時(shí),可避免光強(qiáng)度分布不均勻所產(chǎn)生的熱點(diǎn)(hot spot)現(xiàn)象以及不均勻漏光的問(wèn)題。
[0062]請(qǐng)?jiān)偻瑫r(shí)參照?qǐng)D1至圖4，光源140配置于第一導(dǎo)光腔體104中并緊鄰側(cè)墻結(jié)構(gòu)130設(shè)置。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，光源140例如是配置于第一導(dǎo)光腔體104的側(cè)邊或角落，且數(shù)量可以是一個(gè)或多個(gè)。再者，光源140的具有最大發(fā)光強(qiáng)度的光線L與光萃取板120的出光面的法向夾角Θ為大于45度。
[0063]擴(kuò)散板150配置于光萃取板120的上方，其中光萃取板120以及擴(kuò)散板150之間形成第二導(dǎo)光腔體106。第二導(dǎo)光腔體106的高度H4為0.5mm?5mm，且H3+H4小于15mm。在本實(shí)施例中，第二導(dǎo)光腔體106的高度H4可根據(jù)光萃取板120的第一孔洞122的尺寸進(jìn)行調(diào)整，以使通過(guò)擴(kuò)散板150的光線可形成均勻的發(fā)光面。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)光萃取板120的第一孔洞122的尺寸較大時(shí),可使高度H4較大以使擴(kuò)散板150的距離較遠(yuǎn)。
[0064]光學(xué)膜片組160配置于擴(kuò)散板150的上方，其中擴(kuò)散板150位于光學(xué)膜片組160與光萃取板120之間。光學(xué)膜片組160包括棱鏡片、擴(kuò)散片、集光片、增光片、保護(hù)片或上述的組合。
[0065]值得一提的是，如上所述，本發(fā)明的發(fā)光單元102為雙層導(dǎo)光腔體的設(shè)計(jì)，其包括下層的第一導(dǎo)光腔體104以及上層的第二導(dǎo)光腔體106。再者，光源140配置于下層的第一導(dǎo)光腔體104中，并緊鄰具有第二孔洞132的側(cè)墻結(jié)構(gòu)130設(shè)置。光源140從下層的第一導(dǎo)光腔體104發(fā)射出光線,且最大發(fā)光強(qiáng)度的光線L與光萃取板120的出光面的法向夾角Θ為大于45度，以使得光源140所發(fā)射出的光線通過(guò)光萃取板120的第一孔洞122至上層的第二導(dǎo)光腔體106，再經(jīng)由擴(kuò)散板150以及光學(xué)膜片組160而形成均勻的發(fā)光面。因此，本發(fā)明的發(fā)光單元102的雙層導(dǎo)光腔體的設(shè)計(jì)以及光源140的配置角度可以有效地減少光線碰撞上下反射層的次數(shù)、可將腔體的總厚度(或總高度)降低至小于15mm且甚至是3?10mm、以及具有較佳的系統(tǒng)出光效率等優(yōu)點(diǎn)，進(jìn)而可達(dá)到厚度比傳統(tǒng)的側(cè)光式光源模組的厚度更薄的設(shè)計(jì)。
[0066]還值得一提的是，由于側(cè)墻結(jié)構(gòu)130具有第二孔洞132，且第二孔洞132與側(cè)墻結(jié)構(gòu)130的面積比A1/(A1+A2)=0.03?0.95，因此可使每一發(fā)光單元102點(diǎn)亮?xí)r與鄰近的非點(diǎn)亮的區(qū)域之間形成緩沖銜接，進(jìn)而可改善位于亮區(qū)域之間的暗帶的發(fā)生。亦即，可將發(fā)光單元102之間的拼接邊界模糊化，以提供出光輝度均勻的光源模組100，進(jìn)而可提升顯示畫(huà)面的品味。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，藉由上述方式，可避免光源模組100因拼接發(fā)光單元102的全亮或全暗而在拼接處造成輝度的急遽變化，進(jìn)而避免在拼接處產(chǎn)生銳利的輝度差，以解決畫(huà)面在拼接邊界出現(xiàn)顯示不良的問(wèn)題。
[0067]在上述圖4的實(shí)施例中，第二孔洞132的形狀為矩形。然而，本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例(如圖5與圖6的實(shí)施例所示)中，側(cè)墻結(jié)構(gòu)的第二孔洞的形狀亦可以有其他合適的形狀，包括矩形、正方形、三角形、圓形、橢圓形、梯形、多邊形或不規(guī)則形狀。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，第二孔洞可以是周期性排列，或可以是非周期性排列。
[0068]圖5與圖6分別為具有不同側(cè)墻結(jié)構(gòu)的發(fā)光單元的剖面示意圖。圖5與圖6的實(shí)施例與上述圖4的實(shí)施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。
[0069]請(qǐng)參照?qǐng)D5，圖5的實(shí)施例與上述圖4的實(shí)施例的不同之處在于，在發(fā)光單元102’中，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130’的第二孔洞132’的形狀為三角形。再者，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130’的第二孔洞132’具有第一面積Al’，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130，具有第二面積A2，且Al’ / (Al，+A2) =0.03?0.95。
[0070]請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6的實(shí)施例與上述圖4的實(shí)施例的不同之處在于，在發(fā)光單元102”中，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130”的第二孔洞132”的形狀為圓形。再者，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130”的第二孔洞132”具有第一面積Al”，側(cè)墻結(jié)構(gòu)130”具有第二面積A2，且Al” / (Al” +A2) =0.03?0.95。
[0071]在上述圖3至圖6的實(shí)施例中，側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有第二孔洞。然而，本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例，側(cè)墻結(jié)構(gòu)亦可以是不具有孔洞。
[0072]圖7為依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的發(fā)光單元的剖面示意圖，而圖8與圖9分別為具有不同支撐結(jié)構(gòu)的發(fā)光單元的剖面示意圖。圖7至圖9的實(shí)施例與上述圖3的實(shí)施例相似，且其側(cè)墻結(jié)構(gòu)可以具有孔洞或不具有孔洞，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。圖7至圖9的實(shí)施例與上述圖3的實(shí)施例的不同之處在于，在上層的第二導(dǎo)光腔體中具有支撐結(jié)構(gòu)，詳細(xì)說(shuō)明如下。
[0073]請(qǐng)參照?qǐng)D7，在發(fā)光單元202中，反射板110、光萃取板120以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)230形成第一導(dǎo)光腔體204。第一導(dǎo)光腔體104的高度H3為Imm?10mm。再者，光萃取板120以及擴(kuò)散板150之間形成第二導(dǎo)光腔體206。在本實(shí)施例中,支撐結(jié)構(gòu)270配置于光萃取板120與擴(kuò)散板150之間，且數(shù)量可以是一個(gè)或多個(gè)。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，支撐結(jié)構(gòu)270配置于側(cè)墻結(jié)構(gòu)230上，且位于上層的第二導(dǎo)光腔體206中，以使第二導(dǎo)光腔體206的高度H4為0.5mm?5臟，且H3+H4小于1 5mmη
[0074]值得一提的是，如上所述，由于第二導(dǎo)光腔體206具有支撐結(jié)構(gòu)270以使第二導(dǎo)光腔體206的高度Η4為0.5mm?5mm,且部分光線可通過(guò)第二導(dǎo)光腔體206形成的空間以及支撐結(jié)構(gòu)270之間的孔洞(未繪示)傳送至相鄰的發(fā)光單元202中，因此可使每一發(fā)光單元202點(diǎn)亮?xí)r與鄰近的非點(diǎn)亮的區(qū)域之間形成緩沖銜接，進(jìn)而可改善位于亮區(qū)域之間的暗帶的發(fā)生。亦即，可將發(fā)光單元202之間的拼接邊界模糊化，以提供出光輝度均勻的光源模組100，進(jìn)而可提升顯示畫(huà)面的品味。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，藉由上述方式，可避免光源模組100因拼接發(fā)光單元202的全亮或全暗而在拼接處造成輝度的急遽變化，進(jìn)而避免在拼接處產(chǎn)生銳利的輝度差，以解決畫(huà)面在拼接邊界出現(xiàn)顯示不良的問(wèn)題。
[0075]在上述圖7的實(shí)施例中，支撐結(jié)構(gòu)270配置于側(cè)墻結(jié)構(gòu)230上。然而，本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例(如圖8與圖9的實(shí)施例所示)中，支撐結(jié)構(gòu)亦可以是配置于其他位置。[0076]請(qǐng)參照?qǐng)D8，在發(fā)光單元202’中，反射板110、光萃取板120以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)230形成第一導(dǎo)光腔體204’。再者,光萃取板120以及擴(kuò)散板150之間形成第二導(dǎo)光腔體206’。在本實(shí)施例中，支撐結(jié)構(gòu)270’配置于光萃取板120與擴(kuò)散板150之間，且數(shù)量可以是一個(gè)或多個(gè)。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，支撐結(jié)構(gòu)270’配置于光萃取板120上，且位于上層的第二導(dǎo)光腔體206，中。
[0077]請(qǐng)參照?qǐng)D9，在發(fā)光單元202”中，反射板110、光萃取板120以及側(cè)墻結(jié)構(gòu)230形成第一導(dǎo)光腔體204”。再者,光萃取板120以及擴(kuò)散板150之間形成第二導(dǎo)光腔體206”。在本實(shí)施例中，支撐結(jié)構(gòu)270”配置于光萃取板120與擴(kuò)散板150之間，且數(shù)量可以是一個(gè)或多個(gè)。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，支撐結(jié)構(gòu)270”配置于反射板110上，且穿過(guò)光萃取板120的第一孔洞122中的其中之一以延伸至擴(kuò)散板150。
[0078]上述圖3至圖9的實(shí)施例是以光萃取板120的多個(gè)第一孔洞122的尺寸彼此相同為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的其他實(shí)施例(如圖10至圖15的實(shí)施例所示)中，光萃取板的多個(gè)第一孔洞的尺寸亦可以是彼此不同、逐漸改變尺寸大小或是其他合適的尺寸變化。
[0079]圖10為依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖。圖10的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。
[0080]請(qǐng)參照?qǐng)D10，圖10的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例的不同之處在于光萃取板420的多個(gè)第一孔洞422的尺寸以及分布不同。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，在發(fā)光單元402中，光萃取板420的第一孔洞422的尺寸隨著與光源140的距離增加而增加。更具體來(lái)說(shuō)，由鄰近于光源140朝向遠(yuǎn)離于光源140的方向上，第一孔洞422依序排列為多行C1?Cn，且第一孔洞422的尺寸由第一行C1至第η行Cn逐漸增加，其中行C1?Cn中的任一行的第一孔洞422的尺寸相同。再者，光源140配置于導(dǎo)光腔體的側(cè)邊或角落，且位于光萃取板420下方，由于第一孔洞422的尺寸被設(shè)計(jì)成隨著與光源140的距離增加而逐漸增加，因此可使得與光源140距離近以及距離遠(yuǎn)的孔洞皆具有相同的出光量，進(jìn)而可形成均勻的發(fā)光面。此外，在本實(shí)施例中，亦可以是具有上述圖3至圖9的實(shí)施例的各種側(cè)墻結(jié)構(gòu)、各種支撐結(jié)構(gòu)或其組合，本發(fā)明不特別限定。
[0081]圖11為依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖。圖11的實(shí)施例與上述圖10的實(shí)施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。
[0082]請(qǐng)參照?qǐng)D11，圖11的實(shí)施例與上述圖10的實(shí)施例的不同之處在于光萃取板520更包括多個(gè)孔洞542。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，在發(fā)光單元502中，光萃取板520的第一孔洞522的尺寸隨著與光源140的距離增加而增加。更具體來(lái)說(shuō)，由鄰近于光源140朝向遠(yuǎn)離于光源140的方向上，第一孔洞522依序排列為多行C1?Cn，且第一孔洞522的尺寸由第一行C1至第η行Cn逐漸增加，其中行C1?Cn中的任一行的第一孔洞522的尺寸相同。再者，每一發(fā)光單元502中第η行Cn(例如左邊的發(fā)光單元502中第η行Cn)的第一孔洞522與鄰接的另一發(fā)光單元502中第一行C1 (例如右邊的發(fā)光單元502中第一行C1)的第一孔洞522之間具有多個(gè)孔洞542。孔洞542排列成兩行Ca，所述兩行Ca (例如左行及右行)的孔洞542彼此之間的幾何中心線(未繪示)不重疊，且其中一行Ca的孔洞542的一部分與側(cè)墻結(jié)構(gòu)130重疊。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，只要孔洞542排列成至少一行Ca且孔洞542的一部分與側(cè)墻結(jié)構(gòu)130重疊即可。
[0083]兩行Ca的孔洞542的尺寸及形狀例如是與鄰接的第一行C1的第一孔洞522的尺寸及形狀相同，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，孔洞542的尺寸或形狀亦可以是與鄰接的第一行C1的第一孔洞522的尺寸或形狀不同，或者是任兩行Ca的孔洞542的尺寸或形狀亦可以是相同或不同?？锥?42的形狀亦可以有其他合適的形狀，包括矩形、正方形、三角形、圓形、橢圓形、梯形、多邊形或不規(guī)則形狀。
[0084]值得一提的是，光源140配置于導(dǎo)光腔體的側(cè)邊或角落，且位于光萃取板520下方，由于第一孔洞522的尺寸被設(shè)計(jì)成隨著與光源140的距離增加而逐漸增加，因此可使得與光源140距離近以及距離遠(yuǎn)的孔洞皆具有相同的出光量，進(jìn)而可形成均勻的發(fā)光面。此夕卜，在本實(shí)施例中，亦可以是具有上述圖3至圖9的實(shí)施例的各種側(cè)墻結(jié)構(gòu)、各種支撐結(jié)構(gòu)或其組合，本發(fā)明不特別限定。
[0085]還值得一提的是，在兩相鄰的發(fā)光單元502之間排列成至少一行Ca的孔洞542不僅可降低光萃取板520在組裝時(shí)的開(kāi)口率變化，而且還可用以提高光萃取板520的對(duì)位誤差的容許值。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，由于至少一行Ca的孔洞542被設(shè)置成一部分與側(cè)墻結(jié)構(gòu)130重疊，因此孔洞542的一部分位于側(cè)墻結(jié)構(gòu)130上方。如此一來(lái)，當(dāng)光萃取板520在組裝時(shí)有對(duì)位誤差時(shí)(例如可能導(dǎo)致部分第一孔洞522被側(cè)墻結(jié)構(gòu)130遮蔽而影響開(kāi)口率并產(chǎn)生亮暗帶的問(wèn)題)，則孔洞542可用以補(bǔ)償(或降低)第一孔洞522的開(kāi)口率變化，進(jìn)而可改善亮暗帶的問(wèn)題并提升顯示畫(huà)面的品味。換句話說(shuō)，由于孔洞542的設(shè)計(jì)可降低光萃取板520在組裝時(shí)的開(kāi)口率變化，因此亦可提高光萃取板520的對(duì)位誤差的容許值。舉例來(lái)說(shuō)，相較于無(wú)孔洞542的設(shè)計(jì)(如圖10的發(fā)光單元402所示)，具有兩行Ca的孔洞542的發(fā)光單元502的設(shè)計(jì)可使得第一孔洞522的開(kāi)口率變化由8%降低至2%，且對(duì)位誤差的容許值亦由0.4毫米提高至0.8毫米。
[0086]圖12為依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖。圖12的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。
[0087]請(qǐng)參照?qǐng)D12，圖12的實(shí)施例與上述圖2的實(shí)施例的不同之處在于光萃取板620的多個(gè)第一孔洞622的尺寸以及分布不同。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，在發(fā)光單元602中，光萃取板620的第一孔洞622的尺寸隨著與光源140的距離增加而增加。更具體來(lái)說(shuō)，由鄰近于光源140朝向遠(yuǎn)離于光源140的方向上,第一孔洞622依序排列為多行C1?Cn,且第一孔洞622的尺寸由第I行C1至第η行Cn逐漸增加。再者，每一發(fā)光單元602分成兩個(gè)部分，其中所述兩個(gè)部分為行C1?Cm以及行Cm+1?Cn。第m行Cm位于第一行C1與第η行Cn之間，其中第m行Cm與光源140的最短距離為D，第一導(dǎo)光腔體104 (如圖3所示)的高度為H3，且H3/D例如是大于0.176。在鄰近于光源140的行C1?Cm中，任一行的第一孔洞622的尺寸隨著與光源140的距離增加而增加。換句話說(shuō)，在行C1?Cm中的任一行的第一孔洞622的尺寸有變化，其中鄰近于光源140的第一孔洞622的尺寸較小，而遠(yuǎn)離于光源140的第一孔洞622的尺寸較大。亦即，在行C1?Cni中的任一行中，在每一光源140正前方的第一孔洞622的尺寸較小，而在兩相鄰的光源140中間(例如在上下兩發(fā)光單元602的交界處)的第一孔洞622的尺寸較大。在遠(yuǎn)離于光源140的行Cm+1?Cn中，任一行的第一孔洞622的尺寸相同。
[0088]值得一提的是，光源140配置于導(dǎo)光腔體的側(cè)邊或角落，且位于光萃取板620下方，由于第一孔洞622的尺寸被設(shè)計(jì)成隨著與光源140的距離增加而逐漸增加，因此可使得與光源140距離近以及距離遠(yuǎn)的孔洞皆具有相同的出光量，進(jìn)而可形成均勻的發(fā)光面。此夕卜，在本實(shí)施例中，亦可以是具有上述圖3至圖9的實(shí)施例的各種側(cè)墻結(jié)構(gòu)、各種支撐結(jié)構(gòu)或其組合，本發(fā)明不特別限定。
[0089]還值得一提的是，本實(shí)施例在鄰近于光源140的行C1?Cm中針對(duì)了任一行的第一孔洞622設(shè)計(jì)優(yōu)化的尺寸變化。由于行C1-Cn的任一行中的第一孔洞622的尺寸變化(亦即，最大尺寸與最小尺寸的差值)逐漸減小至0(亦即，任一行中的第一孔洞622的尺寸相同)，因此可進(jìn)一步避免光強(qiáng)度分布不均勻所產(chǎn)生的熱點(diǎn)現(xiàn)象以及不均勻漏光的問(wèn)題。
[0090]圖13為依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的發(fā)光單元的上視示意圖，而圖14為圖13的發(fā)光單元沿線1-1’的剖面示意圖。圖13至圖14的實(shí)施例與上述圖3及圖10的實(shí)施例相似，因此相同或相似的元件以相同或相似的符號(hào)表示，且不再重復(fù)說(shuō)明。
[0091]請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D13至圖14，圖13至圖14的實(shí)施例與上述圖3及圖10的實(shí)施例的不同之處在于光萃取板720更包括多個(gè)孔洞742。再者，每一發(fā)光單元702包括均勻度調(diào)整區(qū)180以及亮度補(bǔ)償區(qū)190。均勻度調(diào)整區(qū)180與亮度補(bǔ)償區(qū)190之間具有一交界線BL，其中交界線BL與側(cè)墻結(jié)構(gòu)130的最短距離為P，且0.2XH3〈P〈5XH3。亦即，最短距離P為第一導(dǎo)光腔體104的高度H3的0.2倍至5倍。
[0092]光萃取板720的第一孔洞722位于均勻度調(diào)整區(qū)180中。光萃取板720的第一孔洞722的尺寸隨著與光源140的距離增加而增加。更具體來(lái)說(shuō)，由鄰近于光源140朝向遠(yuǎn)離于光源140的方向上，第一孔洞722依序排列為多行C1?Cn，且第一孔洞722的尺寸由第一行C1至第η行Cn逐漸增加，其中行C1?Cn中的任一行的第一孔洞722的尺寸相同。也就是說(shuō)，第一行C1至第η行Cn位于均勻度調(diào)整區(qū)180中。
[0093]每一發(fā)光單元702中第η行Cn(例如左邊的發(fā)光單元702中第η行Cn)的第一孔洞722與鄰接的另一發(fā)光單元702中第一行C1 (例如右邊的發(fā)光單元702中第一行C1)的第一孔洞722之間具有多個(gè)孔洞742。孔洞742位于亮度補(bǔ)償區(qū)190中?？锥?42排列成至少一行Ca，且行Ca的孔洞742可與側(cè)墻結(jié)構(gòu)130不重疊或重疊設(shè)置，本發(fā)明不特別限定。也就是說(shuō)，至少一行Ca位于亮度補(bǔ)償區(qū)190中。行Ca的孔洞742的尺寸例如是介于第一行C1的第一孔洞722的尺寸與第η行Cn的第一孔洞722的尺寸之間，且至少一行Ca的孔洞742在亮度補(bǔ)償區(qū)190中的開(kāi)口率例如是5%?43%?？锥?42的形狀例如是包括矩形、正方形、三角形、圓形、橢圓形、梯形、多邊形、不規(guī)則形狀或其他合適的形狀。
[0094]值得一提的是，光源140配置于導(dǎo)光腔體的側(cè)邊或角落，且位于光萃取板720下方。如圖15的發(fā)光單元702的開(kāi)口率與孔洞位置的關(guān)系曲線圖所示，曲線801在均勻度調(diào)整區(qū)180中的開(kāi)口率會(huì)隨著孔洞位置的右移(亦即，孔洞與光源140的距離增加)而逐漸增加，其中所述孔洞位置的右移是指在每一發(fā)光單元702中由行Ca至第η行Cn依序排列的位置。相反地，曲線801在亮度補(bǔ)償區(qū)190中的開(kāi)口率會(huì)隨著孔洞位置的右移而逐漸減少，且亮度補(bǔ)償區(qū)190的開(kāi)口率介于均勻度調(diào)整區(qū)180的開(kāi)口率的最低值與最高值之間。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，本實(shí)施例的每一發(fā)光單元702包括均勻度調(diào)整區(qū)180以及亮度補(bǔ)償區(qū)190。在均勻度調(diào)整區(qū)180中，由于第一行C1至第η行Cn的第一孔洞722的尺寸被設(shè)計(jì)成隨著與光源140的距離增加而逐漸增加，因此可使得與光源140距離近以及距離遠(yuǎn)的孔洞皆具有相同的出光量，進(jìn)而可使每一發(fā)光單元702形成均勻的發(fā)光面。再者，在亮度補(bǔ)償區(qū)190中，由于行Ca的孔洞742的尺寸被設(shè)計(jì)成介于第一行C1的第一孔洞722的尺寸與第η行Cn的第一孔洞722的尺寸之間，因此孔洞742可用以補(bǔ)償(或降低)兩相鄰的發(fā)光單元702之間的第一孔洞722的開(kāi)口率變化，進(jìn)而可改善亮暗帶的問(wèn)題并提升顯示畫(huà)面的品味。
[0095]此外，在本實(shí)施例中，亦可以是具有上述圖3至圖9的實(shí)施例的各種側(cè)墻結(jié)構(gòu)、各種支撐結(jié)構(gòu)或其組合，本發(fā)明不特別限定。另外，圖2與圖10至圖13中的第一孔洞122、422、522、622、722以及孔洞542、742亦可以任意組合使用，本發(fā)明不特別限定。
[0096]綜上所述，在本發(fā)明的光源模組中，每一發(fā)光單元包括第一導(dǎo)光腔體以及第二導(dǎo)光腔體，其中光源配置于第一導(dǎo)光腔體中并緊鄰側(cè)墻結(jié)構(gòu)設(shè)置，且側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第二孔洞或者是更包括支撐結(jié)構(gòu)配置于光萃取板與擴(kuò)散板之間。因此，本發(fā)明的發(fā)光單元的雙層導(dǎo)光腔體的設(shè)計(jì)以及光源的配置角度可以有效地減少光線碰撞上下反射層的次數(shù)、具有較小的腔體的總厚度、以及具有較佳的系統(tǒng)出光效率等優(yōu)點(diǎn)，進(jìn)而可達(dá)到厚度比傳統(tǒng)的側(cè)光式光源模組的厚度更薄之設(shè)計(jì)。并且，可使每一發(fā)光單元點(diǎn)亮?xí)r與鄰近的非點(diǎn)亮的區(qū)域之間形成緩沖銜接，進(jìn)而可改善位于亮區(qū)域之間的暗帶的發(fā)生。亦即，可將發(fā)光單元之間的拼接邊界模糊化，以提供出光輝度均勻的光源模組，進(jìn)而可提升顯示畫(huà)面的品味。
[0097]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種光源模組，其特征在于，包括多個(gè)發(fā)光單兀，每一發(fā)光單兀包括: 一反射板； 一光萃取板，與該反射板相對(duì)設(shè)置，且該光萃取板具有多個(gè)第一孔洞； 一側(cè)墻結(jié)構(gòu)，配置于該反射板與該光萃取板之間，該反射板、該光萃取板以及該側(cè)墻結(jié)構(gòu)形成一第一導(dǎo)光腔體，其中該側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第二孔洞； 一光源，配置于該第一導(dǎo)光腔體中并緊鄰該側(cè)墻結(jié)構(gòu)設(shè)置；以及 一擴(kuò)散板，配置于該光萃取板的上方，其中該光萃取板以及該擴(kuò)散板之間形成一第二導(dǎo)光腔體。
2.如權(quán)利要求1所述的光源模組，其特征在于，該側(cè)墻結(jié)構(gòu)的該些第二孔洞具有一第一面積Al，且該側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有一第二面積A2，且A1/(A1+A2)=0.03~0.95。
3.如權(quán)利要求1所述的光源模組，其特征在于，該側(cè)墻結(jié)構(gòu)的該些第二孔洞的形狀包括矩形、正方形、三角形、圓形、橢圓形、梯形、多邊形或不規(guī)則形狀。
4.如權(quán)利要求1所述的光源模組，其特征在于，該些第二孔洞具有周期性分布或非周期性分布。
5.如權(quán)利要 求1所述的光源模組，其特征在于，該側(cè)墻結(jié)構(gòu)的該些第二孔洞具有一第一高度H1、一寬度W以及一間距X，且該側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有一第二高度H2，其中Hl/H2=0.1~0.99, ff/X=0.1 ~0.99。
6.如權(quán)利要求5所述的光源模組,其特征在于，X-W=0.1mm~25mm。
7.如權(quán)利要求1所述的光源模組，其特征在于，該第一導(dǎo)光腔體與該第二導(dǎo)光腔體的高度分別為H3以及H4,其中H3為I臟~ICtam, H4為0.5臟~5mm,目H3+H4小于1 5mmη
8.如權(quán)利要求1所述的光源模組，其特征在于，由鄰近于該光源朝向遠(yuǎn)離于該光源的方向上該些第一孔洞依序排列為多行C1~Cn，且該些第一孔洞的尺寸由該第一行C1至該第η行Cn逐漸增加。
9.如權(quán)利要求8所述的光源模組，其特征在于，每一發(fā)光單元中該第η行Cn的該些第一孔洞與鄰接的另一發(fā)光單元中該第一行C1的該些第一孔洞之間具有多個(gè)孔洞，且該些孔洞排列成至少一行Ca。
10.如權(quán)利要求9所述的光源模組，其特征在于，該些孔洞的一部分與該側(cè)墻結(jié)構(gòu)重疊。
11.如權(quán)利要求9所述的光源模組，其特征在于，該第一導(dǎo)光腔體的高度為H3，該第一行C1至該第η行Cn位于一均勻度調(diào)整區(qū)，該至少一行Ca位于一亮度補(bǔ)償區(qū)，該均勻度調(diào)整區(qū)與該亮度補(bǔ)償區(qū)之間具有一交界線，該交界線與該側(cè)墻結(jié)構(gòu)的最短距離為P，且0.2ΧΗ3〈Ρ〈5ΧΗ3。
12.如權(quán)利要求11所述的光源模組，其特征在于，該至少一行Ca的該些孔洞在該亮度補(bǔ)償區(qū)中的開(kāi)口率為5%~43%。
13.如權(quán)利要求11所述的光源模組，其特征在于，該至少一行Ca的該些孔洞的尺寸介于該第一行C1的該些第一孔洞的尺寸與該第η行Cn的該些第一孔洞的尺寸之間。
14.如權(quán)利要求8所述的光源模組，其特征在于，該些行C1~Cn中的任一行的該些第一孔洞的尺寸相同。
15.如權(quán)利要求8所述的光源模組,其特征在于,該第一導(dǎo)光腔體的高度為Η3,該第一行C1與該第η行Cn之間的第m行Cm與該光源的最短距離為D，且H3/D大于0.176，其中該些行C1~Cm中的任一行的該些第一孔洞的尺寸隨著與該光源的距離增加而增加，該些行Cm+1~Cn中的任一行的該些第一孔洞的尺寸相同。
16.如權(quán)利要求1所述的光源模組，其特征在于，更包括一支撐結(jié)構(gòu)，配置于該光萃取板與該擴(kuò)散板之間。
17.如權(quán)利要求16所述的光源模組，其特征在于，該支撐結(jié)構(gòu)配置于該側(cè)墻結(jié)構(gòu)上。
18.如權(quán)利要求16所述的光源模組，其特征在于，該支撐結(jié)構(gòu)配置于該反射板上，且穿過(guò)該光萃取板的該些第一孔洞中的其中之一以延伸至該擴(kuò)散板。
19.一種光源模組,其特征在于,包括多個(gè)發(fā)光單兀,每一發(fā)光單兀包括: 一反射板； 一光萃取板，與該反射板相對(duì)設(shè)置，且該光萃取板具有多個(gè)第一孔洞； 一側(cè)墻結(jié)構(gòu)，配置于該反射板與該光萃取板之間，該反射板、該光萃取板以及該側(cè)墻結(jié)構(gòu)形成一第一導(dǎo)光腔體； 一光源，配置于該第一導(dǎo)光腔體中并緊鄰該側(cè)墻結(jié)構(gòu)設(shè)置； 一擴(kuò)散板，配置于該 光萃取板的上方，其中該光萃取板以及該擴(kuò)散板之間形成一第二導(dǎo)光腔體；以及 一支撐結(jié)構(gòu)，配置于該光萃取板與該擴(kuò)散板之間。
20.如權(quán)利要求19所述的光源模組，其特征在于，該支撐結(jié)構(gòu)配置于該側(cè)墻結(jié)構(gòu)上。
21.如權(quán)利要求19所述的光源模組，其特征在于，該支撐結(jié)構(gòu)配置于該反射板上，且穿過(guò)該光萃取板的該些第一孔洞中的其中之一以延伸至該擴(kuò)散板。
22.如權(quán)利要求19所述的光源模組，其特征在于，該側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第二孔洞，該側(cè)墻結(jié)構(gòu)的該些第二孔洞具有一第一面積Al，且該側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有一第二面積A2，且Al/(Α1+Α2)=0.03 ~0.95。
23.如權(quán)利要求22所述的光源模組，其特征在于，該側(cè)墻結(jié)構(gòu)的該些第二孔洞的形狀包括矩形、正方形、三角形、圓形、橢圓形、梯形、多邊形或不規(guī)則形狀。
24.如權(quán)利要求22所述的光源模組，其特征在于，該些第二孔洞具有周期性分布或非周期性分布。
25.如權(quán)利要求22所述的光源模組，其特征在于，該側(cè)墻結(jié)構(gòu)的該些第二孔洞具有一第一高度Η1、一寬度W以及一間距X，且該側(cè)墻結(jié)構(gòu)具有一第二高度Η2，其中Hl/H2=0.1~0.99, ff/X=0.1 ~0.99。
26.如權(quán)利要求25所述的光源模組，其特征在于，X-W=0.1mm~25mm。
27.如權(quán)利要求22所述的光源模組,其特征在于,該第一導(dǎo)光腔體與該第二導(dǎo)光腔體的高度分別為H3以及H4,其中H3為I臟~ICtam, H4為0.5臟~5臟,且H3+H4小于1 5mmη
28.如權(quán)利要求19所述的光源模組，其特征在于，由鄰近于該光源朝向遠(yuǎn)離于該光源的方向上該些第一孔洞依序排列為多行C1~Cn，且該些第一孔洞的尺寸由該第一行C1至該第11行(；逐漸增加。
29.如權(quán)利要求28所述的光源模組，其特征在于，每一發(fā)光單元中該第η行Cn的該些第一孔洞與鄰接的另一發(fā)光單元中該第一行C1的該些第一孔洞之間具有多個(gè)孔洞，且該些孔洞排列成至少一行Ca。
30.如權(quán)利要求29所述的光源模組，其特征在于，該些孔洞的一部分與該側(cè)墻結(jié)構(gòu)重疊。
31.如權(quán)利要求29所述的光源模組，其特征在于，該第一導(dǎo)光腔體的高度為H3，該第一行C1至該第η行Cn位于一均勻度調(diào)整區(qū)，該至少一行Ca位于一亮度補(bǔ)償區(qū)，該均勻度調(diào)整區(qū)與該亮度補(bǔ)償區(qū)之間具有一交界線，該交界線與該側(cè)墻結(jié)構(gòu)的最短距離為P，且0.2ΧΗ3〈Ρ〈5ΧΗ3。
32.如權(quán)利要求31所述的光源模組，其特征在于，該至少一行Ca的該些孔洞在該亮度補(bǔ)償區(qū)中的開(kāi)口率為5%~43%。
33.如權(quán)利要求31所述的光源模組，其特征在于，該至少一行Ca的該些孔洞的尺寸介于該第一行C1的該些第一孔洞的尺寸與該第η行Cn的該些第一孔洞的尺寸之間。
34.如權(quán)利要求28所述的光源模組，其特征在于，該些行C1~Cn中的任一行的該些第一孔洞的尺寸相同。
35.如權(quán)利要求28所述的光源模組,其特征在于，該第一導(dǎo)光腔體的高度為Η3,該第一行C1與該第η行Cn之間的第m行Cm與該光源的最短距離為D，且H3/D大于0.176，其中該些行C1~Cm中的任一行的該些第一孔洞的尺寸隨著與該光源的距離增加而增加，該些行Cm+1~Cn中的任一行 的該些第一孔洞的尺寸相同。
【文檔編號(hào)】G02F1/13357GK103982815SQ201410095177
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月3日
【發(fā)明者】簡(jiǎn)智偉, 蔡宗輝 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司