專利名稱：一種陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示裝置領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD,Liquid Crystal Display)具有體積小、重量輕、功耗低、福射低及制造成本低等特點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如顯示器、電視、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等數(shù)字電子設(shè)備。其中，TFT-LCD (Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)是一種主要的平板顯示裝置(FPD, Flat Panel Display)。根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場方向，TFT-1XD分為垂直電場型、水平電場型和多維電場型。其中，垂直電場型TFT-LCD需要在陣列基板上形成像素電極，在彩膜基板上形成公共電極；水平電場型和多維電場型TFT-LCD需要在陣列基板上同時(shí)形成像素電極和公共電極。垂直電場型TFT-LCD包括:扭曲向列TN (Twist Nematic)型TFT-LCD ;水平電場型TFT-LCD包括:共平面切換IPS (In-Plane Switching)型TFT-LCD ;多維電場型TFT-LCD包括:高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(ADvanced Super Dimension Switch,簡稱 ADS)型 TFT-LCD。以ADS結(jié)構(gòu)為例，ADS技術(shù)主要通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。然而，現(xiàn)有的基于ADS結(jié)構(gòu)的TFT-1XD陣列基板通常都需要經(jīng)過4次或5次mask工藝(掩模曝光工藝)；由于制作工藝比較復(fù)雜，生產(chǎn)效率也會(huì)受到影響。綜上所述，現(xiàn)有基于ADS結(jié)構(gòu)的TFT-1XD陣列基板通常都需要經(jīng)過4次或5次掩膜工藝，制作工藝復(fù)雜，效率低。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中基于ADS結(jié)構(gòu)的TFT-1XD通常都需要經(jīng)過4次或5次掩膜工藝，制作工藝復(fù)雜，效率低的問題。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括多個(gè)像素區(qū)域，其中，每個(gè)所述像素區(qū)域包括:位于襯底基板上的漏電極、源電極以及與所述漏電極搭接的像素電極，其中，所述像素電極采用單壁碳納米管材料；位于所述漏電極、所述源電極及所述像素電極上的有源層；位于所述有源層上的柵絕緣層；以及位于所述柵絕緣層上的柵極和公共電極，該公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述公共電極采用單壁碳納米管材料。優(yōu)選的，所述有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料；且所述有源層中未與所述柵絕緣層接觸的部分經(jīng)氧化處理后具有絕緣特性。優(yōu)選的，所述漏電極和所述源電極與所述像素電極采用相同的材料，且所述漏電極與所述像素電極為一體結(jié)構(gòu)；或，所述漏電極和所述源電極均采用金屬材料，且所述源電極與所述襯底基板之間形成有輔助電極，所述輔助電極與所述像素電極同層設(shè)置且采用相同的材料。優(yōu)選的，所述柵極與所述公共電極同層設(shè)置，且所述柵極與所述公共電極采用相同的材料；或所述柵極采用金屬材料；且所述柵極和所述柵絕緣層之間形成有透明電極，所述透明電極與所述公共電極同層設(shè)置且采用相同的材料。優(yōu)選的，所述柵絕緣層和所述有源層上與所述源電極對(duì)應(yīng)的位置具有貫穿所述柵絕緣層和所述有源層的過孔。本實(shí)用新型實(shí)施例采用三次構(gòu)圖工藝即可制備而成陣列基板，簡化了制造工藝，提高了制造效率，且降低了制造成本，由于本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板省略了鈍化層的制備，進(jìn)一步簡化了制造工藝，降低了制造成本。

圖1為現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的第一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的第二種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板制造方法流程圖；圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例的第一種陣列基板制造方法流程圖；圖6A 圖61為本實(shí)用新型實(shí)施例的第一種陣列基板制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的第二種陣列基板制造方法流程圖；圖8A 圖SG為本實(shí)用新型實(shí)施例的第二種陣列基板制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種陣列基板，不僅提高了 TFT-LCD陣列基板的特性，還降低了制造成本。下面結(jié)合說明書附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。本實(shí)用新型實(shí)施例的陣列基板，包括多個(gè)像素區(qū)域，每個(gè)像素區(qū)域包括:位于襯底基板上的漏電極、源電極以及與該漏電極搭接的像素電極，其中該像素電極采用單壁碳納米管材料；位于漏電極、源電極及像素電極上的有源層；位于有源層上的柵絕緣層；以及位于柵絕緣層上的柵極和用于驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)的公共電極，該公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型實(shí)施例中，絕緣柵層采用氧化鋁Al2O3、氮化鋁AlN或氮化硅SiNx ；[0037]本實(shí)用新型實(shí)施例中，公共電極采用氧化銦錫ITO或碳納米管CNTs等材料；優(yōu)選的，公共電極米用單壁碳納米管SWCNT (single-walled carbonnanotube)材料。本實(shí)用新型實(shí)施例中，有源層采用非晶氧化物材料，具體可以為銦鎵鋅氧化物IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide)、氧化鋒 ZnO 或銦鋒氧化物 IZO (IndiumZinc Oxide)等;為了降低制造成本，優(yōu)選的，本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板中的像素電極與公共電極采用相同材料。在具體制造過程中，像素電極與漏電極、源電極可以采用不同材料，如像素電極采用ITO或CNTs材料，而漏電極、源電極采用金屬薄膜。在具體制造過程中，公共電極與柵極可以采用不同材料，如公共電極采用ITO或CNTs材料制作，而柵極采用金屬薄膜(如銅Cu、招Al、鑰Mo或鈦Ti等金屬中的一種或合金)。下面以像素電極與公共電極均采用SWCNT材料，柵極、漏電極、源電極采用金屬薄膜為例，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的第一種陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明，其剖面結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括:襯底基板20，位于襯底基板20上的像素電極21，位于該像素電極21上且與該像素電極21搭接的漏電極23以及與該漏電極23位于同一層的源電極22，位于像素電極21、源電極22和漏電極23上的有源層24，位于該有源層24上的柵絕緣層25，位于該柵絕緣層25上且用于驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)的公共電極26，位于該公共電極26上的柵極27及與柵極27位于同一層且采用相同材料的存儲(chǔ)電容28;其中，源電極22與漏電極23的位置可以互換，不會(huì)影響TFT的性能。本實(shí)施例中，襯底基板20與源電極23之間還形成有輔助電極29，該輔助電極29與像素電極21同層設(shè)置且采用相同的材料；該輔助電極能夠減少源電極和數(shù)據(jù)線的電阻值。本實(shí)施例中，柵絕緣層25和有源層24上與源電極23對(duì)應(yīng)的位置具有貫穿該柵絕緣層25和有源層24的過孔M。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線可以是與源電極23 —體制作，也可以是在源電極23完成之后另行制作并通過過孔M與源電極23連接。本實(shí)施例陣列基板的源電極、漏電極及柵極均為金屬材質(zhì)，因此，在工作時(shí)不會(huì)產(chǎn)生延遲。由于陣列基板包括多個(gè)像素區(qū)域，有源層24的部分區(qū)域會(huì)與除該有源層24所在的像素區(qū)域之外的其他像素區(qū)域接觸，如圖2所示的有源層24的裸露部分a，從而影響陣列基板的性能，因此，對(duì)有源層24的裸露部分a進(jìn)行氧化處理，使有源層24中與其他像素區(qū)域接觸的部分具有絕緣特性。在具體制造過程中，為了簡化制造工藝，降低制造成本，漏電極、源電極可以與像素電極同層設(shè)置，且與像素電極采用相同的材料。在具體制造過程中，為了簡化制造工藝，降低成本，柵極可以與公共電極同層設(shè)置，且與公共電極采用相同的材料。下面以像素電極與漏電極、源電極位于同一層且均采用SWCNT材料，且公共電極與柵極同層設(shè)置且均采用SWCNT材料為例，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的第二種陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明，其剖面結(jié)構(gòu)如圖3所示，包括:襯底基板30，位于襯底基板30上且同層設(shè)置的像素電極31、漏電極33和源電極32，位于像素電極31、漏電極33和源電極32上的有源層34，位于該有源層34上的柵絕緣層35，位于該柵絕緣層35上且用于驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)的公共電極36，位于該公共電極36上的柵極37及與該柵極37同層設(shè)置且采用相同材料的存儲(chǔ)電容38 ;其中，漏電極33與源電極32的位置可以互換，不會(huì)影響TFT的性能。本實(shí)施例的頂柵型TFT-LCD陣列基板的像素電極、源電極、漏電極、柵極及公共電極均為透明材質(zhì)，從而能夠提高開口率；但是，在工作過程中會(huì)產(chǎn)生延時(shí)，因此，本實(shí)施例陣列基板只適用于小尺寸的液晶顯示面板。由于陣列基板包括多個(gè)像素區(qū)域，有源層34的部分區(qū)域會(huì)與除該有源層34所在的像素區(qū)域之外的其他像素區(qū)域接觸，如圖3所示的有源層34的裸露部分b，從而影響陣列基板的性能，因此，對(duì)有源層34的裸露部分進(jìn)行氧化處理，使有源層34中與其他像素區(qū)域接觸的部分具有絕緣特性。本實(shí)用新型實(shí)施例提供了陣列基板的制造方法，如圖4所示，該方法包括以下步驟:S401、通過一次構(gòu)圖工藝，在襯底基板上形成像素電極、漏電極和源電極，其中，像素電極采用的材料為單壁碳納米管材料；S402、通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有像素電極、漏電極和源電極的襯底基板上，形成有源層和柵絕緣層；S403、通過一次構(gòu)圖工藝，在形成有柵絕緣層和有源層的襯底基板上，形成柵極和用于驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)的公共電極。在具體制造過程中，S401中形成像素電極、漏電極和源電極可根據(jù)以下兩種方式實(shí)現(xiàn):方式一:在襯底基板上依次沉積第一單壁碳納米管薄膜和第一金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝在沉積有第一單壁碳納米管薄膜和第一金屬薄膜的襯底基板上形成像素電極、漏電極和源電極；方式二:在襯底基板上沉積第一單壁碳納米管，并通過一次構(gòu)圖工藝在沉積有第一單壁碳納米管薄膜的襯底基板上形成像素電極、漏電極和源電極。采用方式一形成的像素電極與漏電極、源電極的材質(zhì)不同，即像素電極采用單壁碳納米管材料，漏電極和源電極采用金屬材料；采用方式二形成的像素電極、漏電極和源電極的材質(zhì)相同，即均為單壁碳納米管材料，因此能夠提高開口率，但僅適用小尺寸液晶顯示面板。在具體制造過程中，S402中形成有源層和柵絕緣層，進(jìn)一步包括:形成有像素電極、漏電極和源電極的襯底基板上，沉積金屬氧化物薄膜，作為有源層；在有源層上沉積絕緣薄膜，作為柵絕緣層，通過一次構(gòu)圖工藝刻除位于顯示區(qū)域的柵絕緣層，并形成貫穿該柵絕緣層及有源層的過孔以露出源電極；對(duì)有源層中未與柵絕緣層接觸的部分進(jìn)行氧化處理，使其具有絕緣特性，以免由于有源層與其他像素區(qū)域接觸而影響陣列基板的性能。[0066]在具體制造過程中，S403中形成柵極和公共電極可根據(jù)以下兩種方式實(shí)現(xiàn):方式A:在形成柵絕緣層和有源層的襯底基板上，依次沉積第二單壁碳納米管薄膜和第二金屬薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝在沉積有第二單壁碳納米管薄膜和第二金屬薄膜的襯底基板上形成柵極和公共電極；方式B:在形成柵絕緣層和有源層的襯底基板上，沉積第二單壁碳納米管薄膜，并通過一次構(gòu)圖工藝在沉積有第二單壁碳納米管薄膜的襯底基板上形成柵極和公共電極。采用方式A形成的柵極和公共電極的材質(zhì)不同，即柵極采用金屬材料，公共電極采用單壁碳納米管材料；采用方式B形成的柵極和公共電極的材質(zhì)相同，即都是單壁碳納米管材料，因此能提高開口率，但只適用小尺寸液晶顯示面板。下面以圖2所示的第一種陣列基板的結(jié)構(gòu)為例，對(duì)陣列基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明，本實(shí)施例中S401采用方式一制作，且S403采用方式A制作，如圖5所示，包括以下步驟:S501、在襯底基板上沉積第一單壁碳納米管薄膜(即第一 SWCNT薄膜)和第一金屬薄膜，通過第一次構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極和第一單壁碳納米管薄膜層(即與漏電極搭接的像素電極及位于源電極與襯底基板之間的輔助電極);首先，利用roll to roll工藝在襯底基板20上沉積厚度為200nnT600nm的第一SffCNT薄膜50，優(yōu)選的，沉積厚度為200nm的第一 SWCNT薄膜；利用磁控濺射工藝在第一SffCNT薄膜50之上沉積厚度為200nnT400nm的第一金屬薄膜51，如圖6A所示；然后，在第一金屬薄膜51之上涂覆第一光刻膠層52，并采用灰色或半色調(diào)掩模板對(duì)該光刻膠進(jìn)行曝光，顯影得到如圖6B所示的圖形，其中，圖中的WP為無光刻膠區(qū)域，HP為部分保留光刻膠區(qū)域 ，NP為完全保留光刻膠區(qū)域；并對(duì)沉積有第一 SWCNT薄膜50、第一金屬薄膜51和第一光刻膠層52的襯底基板20進(jìn)行第一次刻蝕，形成源電極22和漏電極23，并進(jìn)行灰化處理；最后，對(duì)形成了源電極22和漏電極23的襯底基板20進(jìn)行第二次刻蝕，將像素電極區(qū)域的第一 SWCNT薄膜50刻蝕掉150nm，形成第一 SWCNT薄膜層21 (即與漏電極搭接的像素電極及位于源電極與襯底基板之間的輔助電極，其厚度均為50nm)，如圖6C所示。S502、在形成有源電極、漏電極和第一 SWCNT薄膜層的襯底基板上沉積有源層薄膜，及控制氧氣流量在原位(即有源層)上沉積具有氧化物特性的柵絕緣層薄膜，并通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層和柵絕緣層；在具體制造過程中，先利用磁控濺射在形成有源電極、漏電極和第一 SWCNT薄膜層的襯底基板上沉積厚度為30nnT70nm的非晶氧化物薄膜53 (如IGZO薄膜、ZnO薄膜或IZO薄膜)作為有源層，優(yōu)選的，沉積厚度為50nm的非晶氧化物薄膜作為有源層；然后控制氧氣流量為50°/Γ70%在原位(即有源層)上沉積厚度為300nnT500nm具有氧化物特性的薄膜54作為柵絕緣層，優(yōu)選地，在有源層上沉積厚度為400nm的具有氧化物特性的薄膜作為柵絕緣層，如圖6D所示；通過本次構(gòu)圖工藝形成，其中，第一次干刻將數(shù)據(jù)線接口上方的柵絕緣層25刻去，第二次濕刻刻去數(shù)據(jù)線接口上方的有源層24，將數(shù)據(jù)線露出，形成如圖6E所示的VIAHole過孔55 ;當(dāng)然，VIAHole也可以在像素區(qū)域中的PAD區(qū)域形成；最后，對(duì)有源層24中與其他像素區(qū)域接觸的部分a (即有源層中未與柵絕緣層接觸的部分)進(jìn)行氧氣O2的離子注入，使其具有絕緣特性，如圖6F所示。S503、在形成有源層和柵絕緣層的襯底基板上沉積第二 SWCNT薄膜和第二金屬薄膜，并通過第三次構(gòu)圖工藝形成柵極，柵線和第二 SWCNT薄膜層(即公共電極)；在具體制造過程中，首先，利用roll to roll工藝在形成有源層和柵絕緣層的襯底基板上沉積厚度為3(T60nm的第二 SWCNT薄膜56，優(yōu)選的，沉積厚度為40nm的第二 SWCNT薄膜；利用磁控濺射沉積厚度為200nnT400nm的第二金屬薄膜57，如圖6G所示；然后，在第二金屬薄膜上涂覆第二光刻膠層58，并采用灰色或半色調(diào)掩模板對(duì)該第二光刻膠層58進(jìn)行曝光，顯影得到如圖6H所示的圖形，其中圖中WP為無光刻膠區(qū)域，HP為部分保留光刻膠區(qū)域，NP為完全保留光刻膠區(qū)域；最后，對(duì)沉積有第二 SWCNT薄膜56、第二金屬薄膜57和第二光刻膠層58的襯底基板20進(jìn)行第一次刻蝕，形成柵極27和柵線(圖中未示)圖形及存儲(chǔ)電容28，并進(jìn)行灰化處理；再進(jìn)行第二次刻蝕，形成第二 SWCNT薄膜層26，如圖61所示。下面以圖3所示的第二種陣列基板的結(jié)構(gòu)為例，對(duì)陣列基板的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明，本實(shí)施例中S401采用方式二制作，且S403采用方式B制作，如圖7所示，包括以下步驟:S701、在襯底基板上沉積第一 SWCNT薄膜，通過第一次構(gòu)圖工藝形成源電極、漏電極和第一 SWCNT薄膜層(即像素電極)，其中，漏電極與像素電極為一體結(jié)構(gòu)；在具體制造過程中，首先利用roll to roll工藝在襯底基板30上沉積厚度為200nm的第一 SWCNT薄膜80，如圖8A所示；然后，在第一 SWCNT薄膜80上涂覆第一光刻膠層81，并采用灰色或半色調(diào)掩模板對(duì)該第一光刻膠層81進(jìn)行曝光，顯影得到如圖SB所示的圖形，其中，圖中的WP為無光刻膠區(qū)域，HP為部分保留光刻膠區(qū)域，NP為完全保留光刻膠區(qū)域；最后，對(duì)沉積有第一 SWCNT薄膜80和第一光刻膠層81的襯底基板30進(jìn)行第一次刻蝕，形成源電極32和漏電極33，并進(jìn)行灰化處理；再進(jìn)行第二次刻蝕，將像素電極區(qū)域的第一 SWCNT薄膜80刻蝕掉150nm，形成第一 SWCNT薄膜層31(即像素電極，其厚度為50nm)，如圖8C所示。S702、在形成有源電極、漏電極和第一 SWCNT薄膜層的襯底基板上，沉積有源層薄膜和柵絕緣層薄膜，通過第二次構(gòu)圖工藝形成有源層和柵絕緣層，并經(jīng)過刻蝕在PAD區(qū)域形成 VIAHole ；在具體制造過程中，首先利用磁控濺射沉積厚度為50nm非晶氧化物薄膜(如IGZO薄膜、ZnO薄膜或IZO薄膜)作為有源層34 ；然后利用磁控濺射在有源層上沉積厚度為400nm的柵絕緣層35，柵絕緣層可以為Al2O3, AlN或采用PECVD沉積厚度為400nm的SiNx ；本實(shí)施例中通過本次構(gòu)圖工藝在PAD區(qū)域形成VIA Hole (圖中未示)；當(dāng)然，也可以通過第一次干刻將數(shù)據(jù)線接口上方的柵絕緣層刻去，第二次濕刻刻去數(shù)據(jù)線接口上方的有源層，將數(shù)據(jù)線露出，形成VIA Hole ；最后，對(duì)有源層與其他像素區(qū)域接觸的部分b(即有源層中未與柵絕緣層接觸的部分)進(jìn)行O2的離子注入，使其具有絕緣特性，如圖8D所示。S703、在形成有源層和柵絕緣層的襯底基板上沉積第二 SWCNT薄膜，并通過第三次構(gòu)圖工藝形成柵極、柵線和第二 SWCNT薄膜層(即公共電極)；在具體制造過程中，首先，利用roll to roll工藝沉積厚度為200nm的第二 SWCNT薄膜82，如圖8E所示；然后，在第二 SWCNT薄膜82上涂覆第二光刻膠層83，并采用灰色或半色調(diào)掩模板對(duì)該第二光刻膠層83進(jìn)行曝光，顯影得到圖形，如圖8F所示，其中WP為無光刻膠區(qū)域，HP為部分保留光刻膠區(qū)域，NP為完全保留光刻膠區(qū)域；最后，對(duì)沉積有第二 SWCNT薄膜82和第二光刻膠層83的襯底基板30進(jìn)行一次刻蝕，形成柵極37和柵線(圖中未示)圖形、存儲(chǔ)電容38和第二 SWCNT薄膜層36，如圖SG所
/Jn ο需要說明的是，圖5給出了 S401采用方式一且S403采用方式A進(jìn)行制造的實(shí)施例，圖7給出了 S401采用方式二且S403采用方式B進(jìn)行制造的實(shí)施例，當(dāng)然，還可以采用其他的組合方式進(jìn)行制造，如S401采用方式一且S403采用方式B進(jìn)行制造，或S401采用方式二且S403采用方式A進(jìn)行制造，或者本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的其他制造方式，此處不再 舉例。本實(shí)用新型實(shí)施例采用三次構(gòu)圖工藝即可制備而成陣列基板，簡化了制造工藝，提高了制造效率，由于每一次構(gòu)圖工藝中分別包括掩膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，其中刻蝕工藝又包括干法刻蝕和濕法刻蝕，所以構(gòu)圖工藝的次數(shù)可以衡量制造TFT-LCD陣列基板的繁簡程度，減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)就意味著制造成本的降低；本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板的制造方法采用三次構(gòu)圖工藝，從而能有效降低制造成本；另外，由于本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板省略了鈍化層的制備，進(jìn)一步簡化了制造工藝，降低了制造成本。盡管已描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本實(shí)用新型范圍的所有變更和修改。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括多個(gè)像素區(qū)域，其特征在于，每個(gè)所述像素區(qū)域包括: 位于襯底基板上的漏電極、源電極以及與所述漏電極搭接的像素電極，其中，所述像素電極采用單壁碳納米管材料； 位于所述漏電極、所述源電極及所述像素電極上的有源層； 位于所述有源層上的柵絕緣層；以及 位于所述柵絕緣層上的柵極和公共電極，該公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極采用單壁碳納米管材料。
3.如權(quán)利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層采用金屬氧化物半導(dǎo)體材料；且所述有源層中未與所述柵絕緣層接觸的部分經(jīng)氧化處理后具有絕緣特性。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述漏電極和所述源電極與所述像素電極為同層設(shè)置，且采用相同的材料；或， 所述漏電極和所述源電極均采用金屬材料，且所述源電極與所述襯底基板之間形成有輔助電極，所述輔助電極與所述像素電極同層設(shè)置且采用相同的材料。
5.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極與所述公共電極同層設(shè)置，且采用相同的材料；或 所述柵極采用金屬材料；且所述柵極和所述柵絕緣層之間形成有透明電極，所述透明電極與所述公共電極同層設(shè)置且采用相同的材料。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層和所述有源層上與所述源電極對(duì)應(yīng)的位置具有貫穿所述柵絕緣層和所述有源層的過孔。
專利摘要本實(shí)用新型涉及液晶顯示裝置領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板，用于解決現(xiàn)有基于ADS結(jié)構(gòu)的TFT-LCD制作工藝復(fù)雜且效率低的問題。本實(shí)用新型實(shí)施例陣列基板的每個(gè)像素區(qū)域包括位于襯底基板上的漏電極、源電極以及與該漏電極搭接的像素電極，其中像素電極采用單壁碳納米管材料；位于漏電極、源電極及像素電極上的有源層；位于有源層上的柵絕緣層；以及位于柵絕緣層上的柵極和公共電極，該公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型實(shí)施例采用三次構(gòu)圖工藝即可制備而成陣列基板，簡化了制造工藝，提高了制造效率，且降低了制造成本。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK202975547SQ201220696219
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月14日
發(fā)明者楊靜, 寧策 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司