專利名稱：一種集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置。
背景技術(shù)：
由于半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)集成電路(IC, Integrated Circuits)的集成度要求越來(lái)越高，傳統(tǒng)的可見光或者近紫外光刻機(jī)已無(wú)法滿足行業(yè)發(fā)展需求，市場(chǎng)需求性能更為優(yōu)良的光刻設(shè)備來(lái)維持整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展勢(shì)頭。眾所周知，光刻分辨率與投影物鏡的數(shù)值孔徑成反t匕，與曝光波長(zhǎng)成正比。因此，為了提高光刻分辨率，下一代光刻機(jī)將采用波長(zhǎng)更短的EUV光(有時(shí)也稱為軟X射線，其中包括波長(zhǎng)在13.5nm附近的光)來(lái)取代現(xiàn)有的可見光及紫外光，以進(jìn)一步提高光刻分辨率和IC的集成度。產(chǎn)生EUV (Extreme ultraviolet,極紫外)光的主要途徑是將材料轉(zhuǎn)換為含有至少一種元素的等離子態(tài)，同時(shí)獲得EUV光。目前的轉(zhuǎn)換方法主要有兩種，“激光產(chǎn)生等離子體”(LPP, Laser Produced Plasma)和“放電產(chǎn)生等離子體”(DPP, Discharge ProducedPlasma)。LPP技術(shù)主要通過(guò)高功率的激光器轟擊靶材產(chǎn)生EUV光，該技術(shù)已較為成熟，最為人們所看好。但本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例中發(fā)明技術(shù)方案的過(guò)程中，發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問(wèn)題:LPP光源采用大功率激光脈沖轟擊靶材，將其等離子化，同時(shí)產(chǎn)生EUV光。一般采用二氧化碳激光器作為驅(qū)動(dòng)激光光源。其功率高，可以呈現(xiàn)出某些好的特性。靶材采用金屬材料，如錫靶、銻靶、鋰靶等。通常靶材為金屬錫或錫合金時(shí)，EUV光的轉(zhuǎn)化效率最高。激光脈沖轟擊錫靶的同時(shí)產(chǎn)生污染物，如:中性原子、離子、微粒及團(tuán)簇等，這些污染物吸收EUV光，污染光學(xué)鏡面，減少光學(xué)鏡面的壽命，因此激光等離子EUV光源中的污染物控制成為了重要的問(wèn)題。為了解決激光等離子EUV光源中的污染物對(duì)于光學(xué)鏡面的污染，現(xiàn)有技術(shù)中采用了如下技術(shù)方案:在集光鏡和EUV等離子體之間設(shè)置多個(gè)箔片以及用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的磁源部件，通過(guò)磁場(chǎng)作用將EUV等離子體中的離子污染物偏轉(zhuǎn)到箔片表面；進(jìn)一步在集光鏡和EUV等離子體之間提供氣體分子，氣體分子與EUV等離子體中的污染物粒子碰撞，將污染物粒子偏轉(zhuǎn)到箔片表面。該種技術(shù)方案的不足是:( I)此結(jié)構(gòu)復(fù)雜，成本高；(2)對(duì)中性粒子或碎片幾乎沒有作用。(3)此方法通過(guò)磁場(chǎng)作用將EUV等離子體中的離子污染物偏轉(zhuǎn)到箔片表面，隨著離子污染物附著在箔片上越來(lái)越多，箔片的收集效果會(huì)變差，也會(huì)有二次污染集光鏡的可能性發(fā)生。(4)在EUV輻射經(jīng)過(guò)的地方設(shè)置很多的薄片及磁源部件，必然會(huì)吸收相當(dāng)部分EUV光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，可以對(duì)所有污染物(離子，中性粒子或碎片，金屬蒸汽等)產(chǎn)生作用，解決了現(xiàn)有技術(shù)中污染物對(duì)于光學(xué)鏡面污染的技術(shù)問(wèn)題，有效的阻止污染物附著在集光鏡上，可以實(shí)現(xiàn)減少集光鏡污染和延長(zhǎng)集光鏡使用壽命的目的。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:一種集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，用于一種集光系統(tǒng)中，所述集光系統(tǒng)包括:一激光源，所述激光源用于發(fā)生激光束；一真空腔，所述真空腔用于保持真空環(huán)境，提供光的存在環(huán)境；一集光鏡，所述集光鏡位于所述真空腔內(nèi)，用于聚集光；其中，所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置包括:至少一供氣管路，位于所述真空腔中，且，所述供氣管路用于傳輸壓力氣體；至少一通氣孔，位于所述真空腔中，且所述至少一通氣孔位于所述供氣管路上，用于噴射所述壓力氣體；至少一氣源，所述氣源與所述供氣管路連接，用于給所述供氣管路提供壓力氣體；其中，所述壓力氣體通過(guò)所述通氣孔將所述真空腔中的污染物吹離所述集光鏡。進(jìn)一步的，所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置還包括:一支架，所述支架位于所述真空腔內(nèi)，且所述支架與所述供氣管路連接，用于固定所述供氣管路。進(jìn)一步的，所述供氣管路通過(guò)所述通氣孔噴射的氣流為第一方向，所述集光鏡的軸線方向?yàn)榈诙较?，其中，所述第一方向平行于所述第二方向，或者所述第一方向聚焦于所述第二方向上的一點(diǎn)。進(jìn)一步的，所述供氣管路的通氣孔上設(shè)有導(dǎo)流管，所述導(dǎo)流管用于將所述壓力氣體導(dǎo)流入真空腔以便于通過(guò)所述壓力氣體將污染物吹離所述集光鏡。進(jìn)一步的，所述集光鏡上設(shè)有第一圈噴氣嘴、第二圈噴氣嘴，其中，所述第一圈噴氣嘴包括第一噴氣嘴和第二噴氣嘴，所述第一噴氣嘴與第二噴氣嘴之間的距離為第一距離；所述第二圈噴氣嘴包括第三噴氣嘴和第四噴氣嘴，所述第三噴氣嘴與所述第四噴氣嘴之間的距離為第二距離；其中，第一距離等于或者不等于第二距離；也就是說(shuō)，集光鏡上的任一圈上的兩個(gè)噴氣嘴之間的距離與其他任一圈上的兩個(gè)噴氣嘴之間的距離可以是相同的，也可以是不相同的。進(jìn)一步的，所述集光鏡還包括第三圈噴氣嘴，其中，所述第三圈噴氣嘴孔與所述第二圈噴氣嘴之間的距離為第三距離，第二圈噴氣嘴與所述第一圈噴氣嘴之間的距離為第四距離，其中，所述第三距離等于或者不等于第四距離；也就是說(shuō)，集光鏡上的任何兩圈之間的距離可以相同也可以不相同。進(jìn)一步的，所述第一噴氣嘴具有第一面積，所述第二噴氣嘴具有第二面積，其中，所述第一面積等于或者不等于第二面積；也就是說(shuō)，集光鏡上的任一圈上的兩個(gè)噴氣嘴的面積可以相同也可以不相同。進(jìn)一步的，所述第一噴氣嘴具有第三面積，所述第三噴氣嘴具有第四面積，其中，第三面積等于或者不等于第四面積；也就是說(shuō)，集光鏡上的任何兩圈上的噴氣嘴的面積可以相同也可以不相同。進(jìn)一步的，所述供氣管路為方形結(jié)構(gòu)或者圓環(huán)結(jié)構(gòu)或者圓形結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步的，所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置還包括:一抽氣設(shè)備，所述抽氣設(shè)備與所述真空腔連接，且所述抽氣設(shè)備在所述真空腔中形成壓力差，用于抽走所述壓力氣體和/或污染物。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置能夠在集光系統(tǒng)中通入背離集光鏡的壓力氣流，該壓力氣流可以覆蓋集光鏡片的整個(gè)內(nèi)表面，該壓力氣流通過(guò)與污染物碰撞，使污染物偏離原來(lái)的運(yùn)動(dòng)方向，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通過(guò)壓力氣流將光源中的污染物吹離集光鏡，該發(fā)明可以預(yù)防絕大部分的污染物，從而實(shí)現(xiàn)集光鏡被污染的目的。進(jìn)一步的，通過(guò)減少集光鏡和激光源之間不必要的部件，避免了這些部件對(duì)EUV光的吸收，提高EUV光的轉(zhuǎn)換率。進(jìn)一步的，在EUV集光鏡上直接布置噴氣嘴，增加壓力氣流的分布范圍和壓力，直接將污染物吹離集光鏡，有效的清除污染物。進(jìn)一步的，該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，減少了后續(xù)的維修和更換問(wèn)題。進(jìn)一步的，該裝置在污染物產(chǎn)生之前就通入了壓力氣體，將EUV光源產(chǎn)生的污染物直接吹離集光鏡，有效避免了在集光鏡產(chǎn)生污染之后再清除污染的問(wèn)題，是一種主動(dòng)式的污染物預(yù)防保護(hù)方法。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例中集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置的又一結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中的集光鏡的一結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例中的集光鏡的又一結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例中的集光鏡的再一結(jié)構(gòu)示意6為本發(fā)明實(shí)施例中的供氣管路的一結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例中的供氣管路的又一結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例中的供氣管路的再一結(jié)構(gòu)示意具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)提供一種集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中污染物對(duì)于光學(xué)鏡面污染的部分技術(shù)問(wèn)題，有效的阻止污染物附著在集光鏡上，實(shí)現(xiàn)了減少集光鏡片污染和延長(zhǎng)集光系統(tǒng)使用壽命的目的。為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說(shuō)明書附圖以及具體的實(shí)施方式對(duì)上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，用于一種集光系統(tǒng)中，尤其是用在用于EUV輻射和/或X射線的輻射單元中的系統(tǒng)，所述集光系統(tǒng)包括:激光源1、真空腔2、集光鏡3，其中，激光源I用于發(fā)生激光束，其中，激光器I采用二氧化碳激光器，當(dāng)然本發(fā)明并不限定為二氧化碳激光器，也可以選用YAG激光器或者一氧化碳激光器，功率選擇在使EUV轉(zhuǎn)化效率最高即可。激光器的數(shù)量也不限定，可以是一個(gè)，也可以是兩個(gè)以上。
真空腔2用于保持集光系統(tǒng)的內(nèi)部為真空環(huán)境，提供光尤其是EUV光的存在環(huán)境。集光鏡3位于所述真空腔2內(nèi)，用于收集所述光，尤其是EUV光，并將該EUV的光導(dǎo)入光刻機(jī)的照明光學(xué)系統(tǒng)。進(jìn)一步的，本發(fā)明實(shí)施例提供的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置包括供氣管路4、通氣孔5、氣源6、其中:供氣管路4位于所述真空腔2中，用于傳輸壓力氣體，所述壓力氣體可以是單一氣體也可以是混合氣體，所述壓力氣體不能影響EUV光。通氣孔5位于所述真空腔2中，且所述至少一通氣孔5位于所述供氣管路上，用于噴射所述壓力氣體。氣源6與供氣管路4連接，用于給供氣管路4提供壓力氣體。其他，所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置還包括抽氣設(shè)備12與真空腔2連接，在真空腔中產(chǎn)生壓力差，用于抽走污染物和壓力氣體。其中，通氣孔5通過(guò)氣路連通實(shí)現(xiàn)通過(guò)壓力氣體將所述真空腔2中的污染物吹離集光鏡3。其中，供氣管路4的通氣孔5上設(shè)有導(dǎo)流管13，導(dǎo)流管13用于將所述壓力氣體導(dǎo)流入真空腔2以便于通過(guò)所述壓力氣體將污染物11吹離所述集光鏡3。為了更清楚的介紹本發(fā)明實(shí)施例中的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)，下面將介紹本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過(guò)程。從圖1所示的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置的實(shí)現(xiàn)過(guò)程如下:從EUV裝置的噴嘴7中噴出的靶材8被來(lái)自激光源I的激光擊中后，產(chǎn)生EUV光和污染物11，其中污染物11可包括灰塵、微粒、中性原子、離子和團(tuán)簇等污染物，本發(fā)明只是舉例污染物的構(gòu)成，但并不限定污染物的具體構(gòu)成。當(dāng)具有一定能量的污染物11向各個(gè)不同方向運(yùn)動(dòng)時(shí)，其中的一部分會(huì)飛向集光鏡3進(jìn)而造成集光鏡3的污染。這個(gè)時(shí)候，通過(guò)氣源6向供氣管路4充入一定量的壓力氣體，該壓力氣體具體可以為對(duì)EUV光吸收和影響性小的單一或混合氣體(如氫氣、氬氣等)，需要說(shuō)明的是，本發(fā)明只是介紹該壓力氣體的可能性，并不限定具體的壓力氣體類型。該壓力氣體通過(guò)通氣孔5進(jìn)入集光鏡3上的噴氣嘴9或通過(guò)管路連接至噴氣嘴9，該噴氣嘴9與通氣孔5之間的位置為:供氣管路4通過(guò)所述通氣孔5噴射的氣流方向?yàn)榈谝环较?，所述集光鏡3的對(duì)稱軸線方向?yàn)榈诙较颍渲?，所述第一方向可以平行于所述第二方向，或者所述第一方向聚焦于所述第二方向上的一點(diǎn)。也就是說(shuō)，噴氣嘴9的開口方向可以是平行于集光鏡3的對(duì)稱軸線方向，或者聚焦于集光鏡3軸線的一個(gè)焦點(diǎn)或者其他可以實(shí)現(xiàn)吹離碎片11遠(yuǎn)離集光鏡3的任一方向。也就是說(shuō)，所述噴氣嘴9噴出的壓力氣體的方向是背離集光鏡3內(nèi)表面的任何方向，所述這樣一定壓力的壓力氣體就可以吹向污染物11，而將污染物11吹離集光鏡3，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)集光鏡3的保護(hù)。其中，導(dǎo)流管13與噴氣嘴9相配合，通過(guò)導(dǎo)流管13的不同角度、不同壓力、不同長(zhǎng)度、不同寬度等條件設(shè)計(jì)有目的的實(shí)現(xiàn)將不同位置、不同濃度、不同能量的污染物11吹離集光鏡3。具體來(lái)說(shuō)，如圖1所示，導(dǎo)流管13 —端與供氣管路4的通氣孔5連通，另一端穿過(guò)集光鏡3的噴氣嘴9，并且導(dǎo)流管13在穿過(guò)噴氣嘴9后的方向設(shè)置成平行方向、聚焦集光鏡3的焦點(diǎn)方向或者其他方向，以實(shí)現(xiàn)將污染物11吹離集光鏡3的目的。從圖2所示的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置的實(shí)現(xiàn)過(guò)程來(lái)看，圖2所示的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置將供氣管路4置于集光鏡3與等離子體之間。在這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)下，可以在污染物流向集光鏡的過(guò)程中，通過(guò)供氣管路4的通氣孔5直接將污染物吹向遠(yuǎn)離集光鏡的方向。同上所述，圖2中的供氣管路4的通氣孔5上也連通了導(dǎo)流管13，其中導(dǎo)流管13也可以具有不同角度、不同壓力、不同長(zhǎng)度、不同寬度等條件設(shè)計(jì)有目的的實(shí)現(xiàn)將不同位置、不同濃度、不同能量的污染物11吹離集光鏡3。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明并不限定集光鏡3與供氣管路4的位置關(guān)系，集光鏡3與供氣管路4的位置關(guān)系可以如圖1所示，也可以如圖2所示將供氣管路置于集光鏡3的右側(cè)，直接將污染物吹離集光鏡3。進(jìn)一步的，只要通過(guò)通氣孔5的氣路連通實(shí)現(xiàn)通過(guò)壓力氣體將所述真空腔2中的污染物吹離集光鏡3的結(jié)構(gòu)均是本發(fā)明的保護(hù)范圍。進(jìn)一步的，為了支撐所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，設(shè)置支架10于真空腔2內(nèi)，且支架10與所述供氣管路4連接，用于固定所述供氣管路4。為了更好的實(shí)現(xiàn)供氣管路4的壓力氣體與集光鏡3之間的氣流傳輸，供氣管路4上的通氣孔5與集光鏡3上的噴氣嘴9具有空間氣路對(duì)應(yīng)性，也就是說(shuō)，壓力氣體從通氣孔5噴出后，直接進(jìn)入對(duì)應(yīng)的噴氣嘴9中實(shí)現(xiàn)氣流的流暢傳輸，以便于更好的吹離碎片，減少對(duì)集光鏡3的污染。以集光鏡上的噴氣嘴9為例說(shuō)明具體的布局方案。具體來(lái)說(shuō)，集光鏡3上設(shè)有第一圈噴氣嘴、第二圈噴氣嘴，其中，第一圈噴氣嘴包括第一噴氣嘴和第二噴氣嘴，第一噴氣嘴與第二通噴氣嘴之間的距離為第一距離；第二圈噴氣嘴包括第三噴氣嘴和第四噴氣嘴，第三噴氣嘴與第四噴氣嘴之間的距離為第二距離；其中，第一距離可以等于或者不等于第二距離；也就是說(shuō)，集光鏡上的任一圈上的兩個(gè)噴氣嘴之間的距離與其他任一圈上的兩個(gè)噴氣嘴之間的距離可以是相同的，也可以是不相同的。進(jìn)一步的，所述集光鏡還可以包括第三圈噴氣嘴，其中，第三圈噴氣嘴與第二圈噴氣嘴之間的距離為第三距離，第二圈噴氣嘴與第一圈噴氣嘴之間的距離為第四距離，其中，第三距離等于或者不等于第四距離；也就是說(shuō)，集光鏡上的任何兩圈之間的距離可以相同也可以不相同。進(jìn)一步的，第一噴氣嘴具有第一面積，第二噴氣嘴具有第二面積，其中，第一面積等于或者不等于第二面積；也就是說(shuō)，集光鏡上的任一圈上的兩個(gè)噴氣嘴的面積可以相同也可以不相同。進(jìn)一步的，第一噴氣嘴具有第三面積，所述第三噴氣嘴具有第四面積，其中，第三面積等于或者不等于第四面積；也就是說(shuō)，集光鏡上的任何兩圈上的噴氣嘴的面積可以相同也可以不相同。進(jìn)一步的，供氣管路4可以為方形結(jié)構(gòu)或者圓環(huán)結(jié)構(gòu)或者圓形結(jié)構(gòu)，需要注意的是，本發(fā)明實(shí)施例并不限定具體的結(jié)構(gòu)，只要適用于該集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)均是本發(fā)明的保護(hù)范圍。下面進(jìn)一步的結(jié)合附圖介紹本發(fā)明實(shí)施例的集光鏡和/或供氣管路的實(shí)現(xiàn)方案。實(shí)施例一:如圖3所不,實(shí)施例一公開了本發(fā)明實(shí)施例中的集光鏡的一布局結(jié)構(gòu)。在集光鏡3上設(shè)置的噴氣嘴9的開孔方向平行于集光鏡3的軸線，在集光鏡3上設(shè)置有3圈噴氣嘴，當(dāng)然并不設(shè)定為3圈，也可以是I圈或者多圈噴氣嘴。這種結(jié)構(gòu)，可以使壓力氣體以平行于集光鏡3的軸向方向通過(guò)噴氣嘴9,從而將碎片吹離集光鏡3。實(shí)施例二:如圖4所示，實(shí)施例二公開了本發(fā)明實(shí)施例中的集光鏡的又一布局結(jié)構(gòu)。在集光鏡3上設(shè)置的噴氣嘴9的開孔方向聚焦于集光鏡3的一個(gè)焦點(diǎn)，或靶材附近。在集光鏡3上設(shè)置有3圈噴氣嘴，當(dāng)然并不設(shè)定為3圈，也可以是I圈或者多圈噴氣嘴。這種結(jié)構(gòu)可以使壓力氣體以聚焦于集光鏡3焦點(diǎn)的方向通過(guò)噴氣嘴9,從而將碎片吹離集光鏡3。實(shí)施例三:如圖5所不,實(shí)施例三公開了本發(fā)明實(shí)施例中的集光鏡的再一布局結(jié)構(gòu)。在集光鏡3上設(shè)置的噴氣嘴9的開孔方向不同，有一些聚焦于集光鏡3的一個(gè)焦點(diǎn)，有一些平行于集光鏡3的軸線。如圖4所示，在集光鏡3上設(shè)置有3圈噴氣嘴，當(dāng)然并不設(shè)定為3圈，也可以是I圈或者多圈噴氣嘴。這種結(jié)構(gòu)，使壓力氣體一部分是以聚焦于集光鏡3焦點(diǎn)的方向通過(guò)噴氣嘴9，另一部分是以平行于集光鏡3的方向通過(guò)噴氣嘴9，從而將碎片吹離集光鏡3。當(dāng)然并不設(shè)定集光鏡3上的噴氣嘴9的開孔方向只有平行于軸線和聚焦于焦點(diǎn)這兩種方向，也可以是任何角度的開孔方向。實(shí)施例四:如圖6所示，實(shí)施例四公開了本發(fā)明實(shí)施例中的供氣管路的一結(jié)構(gòu)示意。供氣管路4可以為密封扁平、圓形結(jié)構(gòu)。在供氣管路4上設(shè)有3圈通氣孔5，當(dāng)然并不設(shè)定為3圈，也可以是I圈或者多圈通氣孔。每圈通氣孔的數(shù)量、形狀和大小可以相同或不同。實(shí)施例五:如圖7所示，實(shí)施例五公開了本發(fā)明實(shí)施例中的供氣管路的又一結(jié)構(gòu)示意。供氣管路4可以為密封扁平、方形結(jié)構(gòu)。在供氣管路4上設(shè)有3圈通氣孔5，當(dāng)然并不設(shè)定為3圈，也可以是I圈或者多圈通氣孔。每圈通氣孔的數(shù)量、形狀和大小可以相同或不同。實(shí)施例六:如圖8所示，實(shí)施例六公開了本發(fā)明實(shí)施例中的供氣管路的再一結(jié)構(gòu)示意。供氣管路4可以由供氣管路41、供氣管路42和供氣管路43組成，當(dāng)然并不設(shè)定為3個(gè)，也可以是I個(gè)或多個(gè)。供氣管路為密封圓截面、圓環(huán)結(jié)構(gòu)，各個(gè)供氣管路上通氣孔的數(shù)量、形狀和大小可以相同或不同。上述本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，至少具有如下的技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置能夠在激光源和集光鏡之間通入背離集光鏡內(nèi)表面的氣流，該氣流通過(guò)與污染物碰撞，使污染物偏離原來(lái)的運(yùn)動(dòng)方向，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通過(guò)氣流將光源中的污染物吹離集光鏡，從而達(dá)到減少集光鏡污染和延長(zhǎng)集光鏡使用壽命的作用。進(jìn)一步的，通過(guò)減少集光鏡和激光源之間不必要的部件，避免了這些部件對(duì)EUV光的吸收，提高EUV光的轉(zhuǎn)換率。進(jìn)一步的，在集光鏡上直接布置噴氣孔，增加氣流的分布范圍和壓力，直接將污染物吹離集光鏡，有效的清除污染物。進(jìn)一步的，該裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，減少了后續(xù)的維修和更換問(wèn)題。進(jìn)一步的，該裝置在集光鏡被污染之前就通入了壓力氣體，將光源產(chǎn)生的污染物直接吹離集光鏡，有效避免了在集光鏡產(chǎn)生污染之后再清除污染的問(wèn)題，是一種主動(dòng)式的防污染保護(hù)裝置。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，用于一種集光系統(tǒng)中，其特征在于，所述集光系統(tǒng)包括: 一激光源，所述激 光源用于發(fā)生激光束； 一真空腔，所述真空腔用于保持真空環(huán)境，提供光的存在環(huán)境； 一集光鏡，所述集光鏡位于所述真空腔內(nèi)，用于聚集光； 其中，所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置包括: 一供氣管路，位于所述真空腔中，且所述供氣管路用于傳輸壓力氣體； 至少一通氣孔，位于所述真空腔中，且所述至少一通氣孔位于所述供氣管路上，用于噴射所述壓力氣體； 至少一氣源，所述氣源與所述供氣管路連接，用于給所述供氣管路提供壓力氣體； 其中，所述壓力氣體通過(guò)所述通氣孔將所述真空腔中的污染物吹離所述集光鏡。
2.如權(quán)利要求1所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置還包括: 一支架，所述支架位于所述真空腔內(nèi)，且所述支架與所述供氣管路連接，用于固定所述供氣管路。
3.如權(quán)利要求1所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述供氣管路通過(guò)所述通氣孔噴射的氣流為第一方向，所述集光鏡的軸線方向?yàn)榈诙较?，其中，所述第一方向平行于所述第二方向，或者所述第一方向聚焦于所述第二方向上的一點(diǎn)。
4.如權(quán)利要求1所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述供氣管路的通氣孔上設(shè)有導(dǎo)流管，所述導(dǎo)流管用于將所述壓力氣體導(dǎo)流入真空腔以便于通過(guò)所述壓力氣體將污染物吹離所述集光鏡。
5.如權(quán)利要求1所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述集光鏡上設(shè)有第一圈噴氣嘴、第二圈噴氣嘴，其中， 所述第一圈噴氣嘴包括第一噴氣嘴和第二噴氣嘴，所述第一噴氣嘴與第二噴氣嘴之間的距離為第一距離； 所述第二圈噴氣嘴包括第三噴氣嘴和第四噴氣嘴，所述第三噴氣嘴與所述第四噴氣嘴之間的距離為第二距離； 其中，第一距離等于或者不等于第二距離。
6.如權(quán)利要求5所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述集光鏡還包括第三圈噴氣嘴，其中， 所述第三圈噴氣嘴與所述第二圈噴氣嘴之間的距離為第三距離，第二圈噴氣嘴與所述第一圈噴氣嘴之間的距離為第四距離，其中，所述第三距離等于或者不等于第四距離。
7.如權(quán)利要求5所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一噴氣嘴具有第一面積，所述第二噴氣嘴具有第二面積，其中，所述第一面積等于或者不等于第二面積。
8.如權(quán)利要求5所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述第一噴氣嘴具有第三面積，所述第三噴氣嘴具有第四面積，其中，第三面積等于或者不等于第四面積。
9.如權(quán)利要求1所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述供氣管路為方形結(jié)構(gòu)或者圓環(huán)結(jié)構(gòu)或者圓形結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，其特征在于，所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置還包括: 一抽氣設(shè)備，所述抽氣設(shè)備與所述真空腔連接，且所述抽氣設(shè)備在所述真空腔中形成壓力差，用于抽走所述壓力氣體 和/或污染物。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置，用于一種集光系統(tǒng)中，所述集光系統(tǒng)包括一激光源，一真空腔，一集光鏡，所述集光系統(tǒng)防污染保護(hù)裝置包括一供氣管路，用于傳輸壓力氣體；至少一通氣孔，位于所述供氣管路上，用于噴射所述壓力氣體；至少一氣源，與所述供氣管路連接，用于給所述供氣管路提供壓力氣體；其中，所述通氣孔與所述通過(guò)氣路連通，實(shí)現(xiàn)通過(guò)所述壓力氣體將所述真空腔中的污染物吹離所述集光鏡。本發(fā)明能夠在激光源和集光鏡之間通入背離集光鏡內(nèi)表面的氣流，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)通過(guò)氣流將光源中的污染物吹離集光鏡，從而防止集光鏡被污染物污染，達(dá)到延長(zhǎng)集光鏡使用壽命的目的。
文檔編號(hào)G03F7/20GK103108481SQ20121050534
公開日2013年5月15日 申請(qǐng)日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者宗明成, 魏志國(guó), 徐天偉, 孫裕文, 黃有為 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所