專(zhuān)利名稱(chēng)：電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電光裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為上述電光裝置，公知有按每個(gè)像素設(shè)置薄膜晶體管等開(kāi)關(guān)元件的有源驅(qū)動(dòng)型液晶裝置。有源驅(qū)動(dòng)型液晶裝置在一對(duì)電極之間具有液晶層，按每個(gè)像素寫(xiě)入的圖像信號(hào)被暫時(shí)保持在由該一對(duì)電極和液晶層構(gòu)成的電容中。除此之外，按每個(gè)像素設(shè)置將該圖像信號(hào)以電氣方式保持預(yù)定期間的電容元件。例如在專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)了如下內(nèi)容將與像素電極連接的中繼布線(xiàn)和隔著電介質(zhì)層設(shè)于其上層的屏蔽層(shield layer)層疊配置，由此設(shè)置電容元件。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2010 - 39212號(hào)公報(bào)但是，由于經(jīng)由接觸孔與像素電極連接的中繼布線(xiàn)配置在屏蔽層的下層，因此不能用屏蔽層將中繼布線(xiàn)完全覆蓋。換言之，將中繼布線(xiàn)用作電容布線(xiàn)時(shí)，存在不能有效利用電容布線(xiàn)的面積的問(wèn)題?！?br>
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題的至少一部分而做出的，能夠作為以下的實(shí)施方式或應(yīng)用例而實(shí)現(xiàn)。[應(yīng)用例I]本應(yīng)用例的電光裝置，其特征在于，包括晶體管，具有柵電極、第I源極漏極區(qū)域和第2源極漏極區(qū)域；電連接于所述柵電極的掃描線(xiàn)；電連接于所述第I源極漏極區(qū)域的數(shù)據(jù)線(xiàn)；電連接于所述第2源極漏極區(qū)域的像素電極；和電容元件，包括與電容線(xiàn)電連接的第I電容電極、與所述第I電容電極相對(duì)向設(shè)置的第2電容電極、以及被所述第I電容電極和所述第2電容電極夾持的電介質(zhì)層，在設(shè)有所述晶體管、所述掃描線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的層與設(shè)有所述像素電極的層之間，所述第I電容電極被所述電介質(zhì)層及所述第2電容電極覆蓋地配置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于第I電容電極被電介質(zhì)層及第2電容電極覆蓋地配置，因此與以往那樣僅在第I電容電極的上方配置電介質(zhì)層及第2電容電極的情況相比，可以增大第I電容電極與電介質(zhì)層及第2電容電極的重疊面積。即，能夠利用第I電容電極的側(cè)壁來(lái)增大面積。因此，能夠比以往增大電容元件的電容。而且，能夠有效利用電容電極的面積。[應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例的電光裝置中，在方案I記載的電光裝置中，優(yōu)選在所述第2電容電極與所述像素電極之間形成有第I絕緣膜，經(jīng)由設(shè)于所述第I絕緣膜的第I接觸孔，所述第2電容電極和所述像素電極電連接，所述第I接觸孔配置在俯視下與所述電容元件重疊的位置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在連接于第2源極漏極電極的像素電極與第2電容電極之間配置第I絕緣膜，因此即使將像素電極和第2電容電極經(jīng)由第I接觸孔連接，也能用第2電容電極覆蓋第I電容電極地配置。因此，電容元件的電容面積不會(huì)變少，能夠有效利用電容電極的面積，并且能夠增大電容元件的電容。進(jìn)而，能夠防止第I接觸孔的配置造成其他惡劣影響。[應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例的電光裝置中，優(yōu)選在所述第I電容電極與所述電容線(xiàn)之間設(shè)有第2絕緣膜，經(jīng)由設(shè)于所述第2絕緣膜的第2接觸孔，所述第I電容電極和所述電容線(xiàn)被連接，所述第2接觸孔形成為俯視下與所述第I電容電極的大小大致重疊的大小。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過(guò)使第2接觸孔的大小為與第I電容電極大致相同的大小(換言之，比其他的接觸孔大)，由此可以增大電容電極的面積、厚度，可以增大電容元件的電容。[應(yīng)用例4]在上述應(yīng)用例的電光裝置中，優(yōu)選所述第I接觸孔配置在俯視下不與所述第2接觸孔重疊的位置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于將第I接觸孔的位置設(shè)置在俯視下不與第2接觸孔重疊的位置，因此能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行第2電容電極和像素電極的連接。[應(yīng)用例5]在上述應(yīng)用例的電光裝置中，優(yōu)選所述電容元件設(shè)于俯視下所述掃描線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在掃描線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉部設(shè)置電容元件，因此可以利用非開(kāi)口區(qū)域的區(qū)域設(shè)置遮光性的電容元件，可以抑制開(kāi)口率降低。[應(yīng)用例6]在上述應(yīng)用例的電光裝 置中，優(yōu)選所述電容元件設(shè)于俯視下與所述晶
體管重疊的位置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在俯視下與晶體管重疊的區(qū)域設(shè)置電容元件，因此可以利用非開(kāi)口區(qū)域的區(qū)域設(shè)置遮光性的電容元件，能夠抑制開(kāi)口率降低。[應(yīng)用例7]本應(yīng)用例的電子設(shè)備，其特征在于，具有上述的電光裝置。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于具有上述的電光裝置，因此可提供能夠提高顯示品質(zhì)的電子設(shè)備。


圖1是表示作為第I實(shí)施方式所涉及的電光裝置的液晶裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖，(a)是表示液晶裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖，(b)是沿著(a)所示的液晶裝置的H — H’線(xiàn)的示意首1J視圖。圖2是表示液晶裝置的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖3是表示液晶裝置中的像素的配置的示意俯視圖。圖4是表示液晶裝置中的像素的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。圖5是表示液晶裝置中的像素的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。圖6是表示液晶裝置中的像素的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。圖7是沿著圖4 圖6所示的像素的A — A’線(xiàn)的示意剖視圖。圖8是表示具有液晶裝置的電子設(shè)備的(投影機(jī))的結(jié)構(gòu)的示意圖。圖9是表示作為第2實(shí)施方式的電光裝置的液晶裝置的構(gòu)造的示意俯視圖。圖10是沿著圖9的液晶裝置的A — A’線(xiàn)的示意剖視圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明3a…掃描線(xiàn),3b…電容線(xiàn)，3c…中繼電極,6a…數(shù)據(jù)線(xiàn),6b…中繼電極，10…兀件基板，11…第I基板，Ila…基底絕緣膜，Ilb…第I絕緣膜，Ilc…第2絕緣膜，Ild…層間絕緣膜，lie…作為第2絕緣膜的層間絕緣膜，Ilf…作為第I絕緣膜的層間絕緣膜，12…第2基板，14…密封材料，15…液晶層，16…電容兀件，16a…第I電容電極，16b…電介質(zhì)層，16c…第2電容電極，18…遮光膜,20…對(duì)向基板,22…數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路,24…掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路，25…檢查電路,26…上下導(dǎo)通部，27…像素電極，28…取向膜,30…TFT (晶體管),30a…半導(dǎo)體層，30c…溝道區(qū)域，30d…作為第2源極漏極區(qū)域的像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域，30e、30f…接合區(qū)域，30g…柵電極，30s…作為第I源極漏極區(qū)域的數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域，31…共用電極，32…取向膜，41…外部連接端子，51…數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極電極，52…像素電極側(cè)源極漏極電極，100、200…液晶裝置,116…電容兀件，116a…第I電容電極，116b…電介質(zhì)層，116c…第2電容電極，1000…投影型顯示裝置，1100…偏振照明裝置，1101…燈單元，1102…積分透鏡，1103…偏振轉(zhuǎn)換元件，1104、1105…分色鏡，1106、1107、1108…反射鏡，1201、1202、1203、1204、1205…中繼透鏡，1206…十字分色棱鏡，1207…投影透鏡，1210、1220、1230…液晶光閥，1300...屏幕。
具體實(shí)施例方式以下，按照

將本發(fā)明具體化的實(shí)施方式。另外，為了使要說(shuō)明的部分成為可認(rèn)識(shí)的狀態(tài)，將所使用的附圖適當(dāng)放大或縮小來(lái)顯示。另外，在以下的方式中，例如記作“在基板上”時(shí)，是表示與基板之上接觸地配置的情況，或隔著其他結(jié)構(gòu)物而配置在基板之上的情況，或在基板之上一部分接觸地配置、一部分隔著其他結(jié)構(gòu)物配置的情況。在本實(shí)施方式，作為具有薄膜晶體管(TFT Thin Film Transistor)作為像素的開(kāi)關(guān)元件的電光裝置，以有源矩陣型的液晶裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。該液晶裝置例如可以?xún)?yōu)選用作后述的投影型顯示裝置(液晶投影機(jī))的光調(diào)制元件(液晶光閥)。

第I實(shí)施方式電光裝置的結(jié)構(gòu)圖1 (a)是表示作為電光裝置的液晶裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。圖1 (b)是沿著圖1 (a)所示的液晶裝置的H — H’線(xiàn)的示意剖視圖。圖2是表示液晶裝置的電氣結(jié)構(gòu)的等效電路圖。以下，參照?qǐng)D1及圖2說(shuō)明液晶裝置的構(gòu)造。如圖1 (a)及(b)所示，本實(shí)施方式的液晶裝置100具有相對(duì)向配置的元件基板10及對(duì)向基板20、被這些一對(duì)基板夾持的液晶層15。構(gòu)成元件基板10的第I基板11、及構(gòu)成對(duì)向基板20的第2基板12使用透明的、例如石英等玻璃基板。元件基板10比對(duì)向基板20大一圈，兩基板夾著配置成框狀的密封材料14而接合，在其間隙中封入具有正或負(fù)的電介質(zhì)各向異性的液晶而構(gòu)成液晶層15。密封材料14例如采用熱固性或紫外線(xiàn)固化性的環(huán)氧樹(shù)脂等粘結(jié)劑。在密封材料14混入有用于將一對(duì)基板的間隔保持恒定的間隔件(圖示省略)。在配置成框狀的密封材料14的內(nèi)側(cè)設(shè)有同樣呈框狀的遮光膜18。遮光膜18例如由遮光性的金屬或金屬氧化物等構(gòu)成，遮光膜18的內(nèi)側(cè)成為具有多個(gè)像素P的顯示區(qū)域E。另外，在圖1中雖然省略圖示，但在顯示區(qū)域E中也設(shè)有俯視下劃分多個(gè)像素P的遮光部。在與沿著第I基板11的一邊部的密封材料14之間設(shè)有數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路22。此夕卜，在沿著與該一邊部相對(duì)向的另一邊部的密封材料14的內(nèi)側(cè)設(shè)有檢查電路25。而且，在沿著與該一邊部正交且彼此相對(duì)向的其他兩個(gè)邊部的密封材料14的內(nèi)側(cè)設(shè)有掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24。在與該一邊部相對(duì)向的另一邊部的密封材料14的內(nèi)側(cè)設(shè)有連接兩個(gè)掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24的多個(gè)布線(xiàn)(未圖示)。與這些數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路22、掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24相連的布線(xiàn)，與沿著該一邊部排列的多個(gè)外部連接端子41連接。此后，將沿著該一邊部的方向作為X方向，將沿著與該一邊部正交且彼此相對(duì)向的其他兩邊部的方向作為Y方向來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。另外，檢查電路25的配置不限于此，也可以設(shè)置在沿著數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路22與顯示區(qū)域E之間的密封材料14的內(nèi)側(cè)的位置。如圖1 (b)所示，在第I基板11的液晶層15側(cè)的表面形成有按每個(gè)像素P設(shè)置的具有光透射性的像素電極27及作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管30 (此后稱(chēng)之為“TFT30”)、信號(hào)布線(xiàn)、和覆蓋它們的取向膜28。此外，采用防止光入射到TFT30中的半導(dǎo)體層而使開(kāi)關(guān)工作不穩(wěn)定的遮光構(gòu)造。在第2基板12的液晶層15側(cè)的表面設(shè)有遮光膜18、覆蓋遮光膜18地成膜的層間膜層(未圖示)、覆蓋層間膜層地設(shè)置的共用電極31、和覆蓋共用電極31的取向膜32。如圖1 (a)所示，遮光膜18俯視下在與掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24、檢查電路25重疊的位置設(shè)置成框狀。由此，起到將從對(duì)向基板20側(cè)入射的光遮擋以防止包括這些驅(qū)動(dòng)電路的周邊電路由于光而引起誤工作的作用。此外，進(jìn)行遮擋以使不需要的雜散光不會(huì)入射到顯示區(qū)域E，確保顯示區(qū)域E的顯示的高對(duì)比度。層間膜層由例如氧化硅等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，具有光透射性且覆蓋遮光膜18地設(shè)置。作為這樣的層間膜層的形成方法，例如可舉出使用等離子CVD法等進(jìn)行成膜的方法。共用電極31由例如ITO (Indium Tin Oxide,銦錫氧化物)等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成,覆蓋層間膜層，并且通過(guò)如圖1 (a)所示設(shè)于對(duì)向基板20的四角的上下導(dǎo)通部26而與元件基板10側(cè)的布線(xiàn)電連接。覆蓋像素電極27的 取向膜28及覆蓋共用電極31的取向膜32是基于液晶裝置100的光學(xué)設(shè)計(jì)而選定。例如可舉出將聚酰亞胺等有機(jī)材料成膜，將其表面研磨，由此對(duì)液晶分子實(shí)施了大致水平取向處理而成的取向膜；使用氣相生長(zhǎng)法將SiOx (氧化硅)等無(wú)機(jī)材料成膜，對(duì)液晶分子進(jìn)行大致垂直取向而成的取向膜。如圖2所示，液晶裝置100包括至少在顯示區(qū)域E彼此絕緣地正交的多個(gè)掃描線(xiàn)3a及多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a、以及沿著數(shù)據(jù)線(xiàn)6a平行配置的電容線(xiàn)3b。掃描線(xiàn)3a延伸的方向?yàn)閄方向，數(shù)據(jù)線(xiàn)6a延伸的方向?yàn)閅方向。在由掃描線(xiàn)3a、數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和電容線(xiàn)3b這些信號(hào)線(xiàn)類(lèi)劃分出的區(qū)域，設(shè)有像素電極27、TFT30和電容元件16，它們構(gòu)成像素P的像素電路。掃描線(xiàn)3a與TFT30的柵極電連接，數(shù)據(jù)線(xiàn)6a與作為T(mén)FT30的第I源極漏極區(qū)域的數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域電連接。像素電極27與作為T(mén)FT30的第2源極漏極區(qū)域的像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域電連接。數(shù)據(jù)線(xiàn)6a與數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路22 (參照?qǐng)D1)連接。與多個(gè)外部連接端子41連接的半導(dǎo)體集成電路或控制部向多個(gè)外部連接端子41中的一部分端子提供圖像信號(hào)D1、D2、…、Dn。提供給該一部分端子的圖像信號(hào)D1、D2、…、Dn經(jīng)由數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路22被提供給數(shù)據(jù)線(xiàn)6a。掃描線(xiàn)3a與掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24(參照?qǐng)D1)連接，從掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24提供的掃描信號(hào)SC1、SC2、…、SCm被提供給各像素P。被提供給數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的圖像信號(hào)Dl、D2、…、Dn與從掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24提供的掃描信號(hào)SC1、SC2、…、SCm相應(yīng)地被提供給像素P。從數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路22提供給數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的圖像信號(hào)Dl Dn可以以該順序按線(xiàn)順序依次提供，也可以對(duì)彼此相鄰的多個(gè)數(shù)據(jù)線(xiàn)6a按每個(gè)組提供。數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路22控制將圖像信號(hào)Dl Dn提供給數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的定時(shí)。掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路24對(duì)掃描線(xiàn)3a以預(yù)定的定時(shí)以脈沖方式按線(xiàn)順序提供掃描信號(hào)SCl SCm。液晶裝置100是如下結(jié)構(gòu)作為開(kāi)關(guān)元件的TFT30由于掃描信號(hào)SCl SCm的輸入而在一定期間為導(dǎo)通狀態(tài)，由此在預(yù)定的定時(shí)將從數(shù)據(jù)線(xiàn)6a提供的圖像信號(hào)Dl Dn寫(xiě)入像素電極27。并且，經(jīng)由像素電極27寫(xiě)入液晶層15的預(yù)定電平的圖像信號(hào)Dl Dn在像素電極27與隔著液晶層15相對(duì)向配置的共用電極31之間被保持一定期間。為了防止所保持的圖像信號(hào)Dl Dn泄漏，與在像素電極27與共用電極31之間形成的液晶電容并聯(lián)連接有電容元件16。電容元件16電連接在TFT30的漏極與電容線(xiàn)3b之間。電容元件16是在遮光性的第I電容電極16a和第2電容電極16c之間具有電介質(zhì)層16b的元件。這樣的液晶裝置100是透射型，采用像素P在非驅(qū)動(dòng)時(shí)成為明顯示的常白模式、或在非驅(qū)動(dòng)時(shí)成為暗顯示的常黑模式的光學(xué)設(shè)計(jì)。根據(jù)光學(xué)設(shè)計(jì)，在光的入射側(cè)和射出側(cè)分別配置偏振元件而使用。圖3是表示液晶裝置中的像素的配置的示意俯視圖。圖4 圖6是表示液晶裝置中的像素的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。圖7是沿著圖4 圖6所示的像素的A — A’線(xiàn)的示意剖視圖。以下，對(duì)像素的俯視構(gòu)造和剖面構(gòu)造，參照?qǐng)D3 圖7進(jìn)行說(shuō)明。如圖3所示，液晶裝置100中的像素P具有例如俯視下為大致四邊形的開(kāi)口區(qū)域。開(kāi)口區(qū)域由沿著X方向和Y方向延伸、設(shè)置為格子狀的遮光性的非開(kāi)口區(qū)域包圍。在沿X方向延伸的非開(kāi)口區(qū)域設(shè)有圖2所示的掃描線(xiàn)3a。掃描線(xiàn)3a使用遮光性的導(dǎo)電部件，由掃描線(xiàn)3a構(gòu)成非開(kāi)口區(qū)域的至少一部分。同樣，在沿Y方向延伸的非開(kāi)口區(qū)域設(shè)有圖2所示的數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和電容線(xiàn)3b。數(shù)據(jù)線(xiàn)6a及電容線(xiàn)3b也使用遮光性的導(dǎo)電部件，由數(shù)據(jù)線(xiàn)6a和電容線(xiàn)3b構(gòu)成非開(kāi)口區(qū)域的至少一部分。非開(kāi)口區(qū)域不僅可以由設(shè)于元件基板10側(cè)的上述信號(hào)線(xiàn)類(lèi)構(gòu)成，也可以由在對(duì)向基板20側(cè)圖案形成為格子狀的遮光膜18 (參照?qǐng)D1)構(gòu)成。在非開(kāi)口區(qū)域的交叉部附近設(shè)有圖2所示的TFT30、電容元件16。通過(guò)在具有遮光性的非開(kāi)口區(qū)域的交叉部附近設(shè)置TFT30，由此防止TFT30的光誤工作，并且確保開(kāi)口區(qū)域的開(kāi)口率。關(guān)于像素P的詳細(xì)構(gòu)造將后述，由于在交叉部附近設(shè)置TFT30、電容元件16，交叉部附近的非開(kāi)口區(qū)域的寬度大于其他部分。圖4表示第I基板11上的從設(shè)有掃描線(xiàn)3a的層到設(shè)有數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的層的俯視構(gòu)造。圖5表示從設(shè)有數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的層到設(shè)有電容線(xiàn)3b的層的俯視構(gòu)造。圖6表示從設(shè)有電容線(xiàn)3b的層到設(shè)有像素電極27的層的俯視構(gòu)造。如圖4所示，像素P具有設(shè)于掃描線(xiàn)3a與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的交叉部的TFT30。TFT30具有如下LDD (Lightly Doped Drain,輕摻雜漏極)構(gòu)造的半導(dǎo)體層30a :具有數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域30s、像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d、溝道區(qū)域30c、設(shè)于數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域30s與溝道區(qū)域30c之間的接合區(qū)域30e、和設(shè)于溝道區(qū)域30c與像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d之間的接合區(qū)域30f。半導(dǎo)體層30a通過(guò)上述交叉部、與掃描線(xiàn)3a重疊地配置。此外，如圖4所示，半導(dǎo)體層30a沿X方向延伸。掃描線(xiàn)3a在與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的交叉部具有在X、Y方向擴(kuò)張了的擴(kuò)張部，在該擴(kuò)張部，與其他部位相比，掃描線(xiàn)3a的寬度變寬。換言之，該擴(kuò)張部的俯視形狀成為四邊形。設(shè)有與該擴(kuò)張部俯視下重疊、且具有不與接合區(qū)域30f及像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d重疊的開(kāi)口部的彎折形狀的柵電極30g。柵電極30g的沿著Y方向延伸的部分在俯視下與溝道區(qū)域30c重疊。此外，從與溝道區(qū)域30c重疊的部分起彎折而沿X方向延伸、彼此相對(duì)向的部分分別借助在與掃描線(xiàn)3a的擴(kuò)張部之間設(shè)置的接觸孔CNT5、CNT6，而與掃描線(xiàn)3a電連接。此外，如圖4所示，柵電極30g的與溝道區(qū)域30c相對(duì)向的部位相對(duì)于接觸孔CNT5、CNT6的X方向上的位置偏向左側(cè)地配置。接觸孔CNT5、CNT6是俯視下X方向較長(zhǎng)的矩形狀(長(zhǎng)方形)，沿著半導(dǎo)體層30a的溝道區(qū)域30c和接合區(qū)域30f夾著接合區(qū)域30f地設(shè)于兩側(cè)。數(shù)據(jù)線(xiàn)6a沿著Y方向延伸，并在與掃描線(xiàn)3a交叉的交叉部同樣具有擴(kuò)張部，在該擴(kuò)張部，與其他部位相比，數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的寬度變寬。借助在從該擴(kuò)張部沿X方向突出的部分設(shè)置的接觸孔CNTl而與數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域30s電連接。包括接觸孔CNTl在內(nèi)的部分成為數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極電極51。掃描線(xiàn)3a以與該數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的沿X方向突出的部分及接觸孔CNTl俯視重疊的方式設(shè)置。另一方面，在像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d的一部(端部)也設(shè)有接觸孔CNT2，包括接觸孔CNT2在內(nèi)的部分成為像素電極側(cè)源極漏極電極52 (參照?qǐng)D4及圖5)。接觸孔CNT2經(jīng)由中繼電極6b與接觸孔CNT3電連接(參照?qǐng)D4及圖5)。在此，數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的X方向上的向左右突出的部分與像素電極側(cè)源極漏極電極52隔開(kāi)間隙地配置，并且設(shè)置成覆蓋半導(dǎo)體層30a。 如圖5所示，電容線(xiàn)3b沿Y方向延伸，以俯視下與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的一部分及掃描線(xiàn)3a的一部分重疊的方式設(shè)置電容線(xiàn)3b。電容線(xiàn)3b在與掃描線(xiàn)3a交叉的交叉部具有擴(kuò)張部，在該擴(kuò)張部，與其他部位相比，電容線(xiàn)3b的寬度變寬。電容線(xiàn)3b和第I電容電極16a經(jīng)由作為第2接觸孔的接觸孔CNT4而電連接。此外，接觸孔CNT4設(shè)置在電容線(xiàn)3b的擴(kuò)張部。進(jìn)而，電容線(xiàn)3b具有從該擴(kuò)張部沿X方向突出的部分，配置成與半導(dǎo)體層30a重疊。此外，電容線(xiàn)3b的突出的部分優(yōu)選是與接觸孔CNTl或接觸孔CNT2重疊地設(shè)置。電容元件16配置在非開(kāi)口區(qū)域(參照?qǐng)D3)，如上所述，從第I基板11側(cè)起依次層疊島狀的第I電容電極16a、電介質(zhì)層16b和第2電容電極16c。電介質(zhì)層16b形成為覆蓋第I電容電極16a。而且,第2電容電極16c形成為覆蓋第I電容電極16a及電介質(zhì)層16b。進(jìn)而如圖6所示，以俯視下與電容線(xiàn)3b的一部分重疊的方式，構(gòu)成電容元件16的第I電容電極16a設(shè)置成島狀。第I電容電極16a以與電容線(xiàn)3b的擴(kuò)張部重疊的方式具有擴(kuò)張部。并且，第I電容電極16a具有從該擴(kuò)張部向X方向左側(cè)突出的第I部分、向X方向右側(cè)突出的第2部分及向Y方向上側(cè)突出的第3部分。第I電容電極16a的第I部分優(yōu)選是設(shè)置成在俯視下與半導(dǎo)體層30a的接合區(qū)域30e重疊。第I電容電極16a的第I部分進(jìn)一步優(yōu)選是設(shè)置成在俯視下與數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域30s及接觸孔CNTl重疊。第I電容電極16a的第2部分優(yōu)選是設(shè)置成在俯視下與半導(dǎo)體層30a的接合區(qū)域30f重疊。第I電容電極16a的第2部分進(jìn)一步優(yōu)選是設(shè)置成在俯視下與像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d及接觸孔CNT2重疊。第I電容電極16a的第2部分可以設(shè)置成在俯視下與接觸孔CNT3重疊。第I電容電極16a的第3部分優(yōu)選是在圖6中向上側(cè)突出，不向下側(cè)突出。即，第I電容電極16a的第3部分優(yōu)選是在電連接于TFT30的像素電極27、和在X方向相鄰的像素電極27之間，沿Y方向突出。并且，在第I電容電極16a的擴(kuò)張部，與上述第I部分及第2部分相比在Y方向上的寬度變寬。此外，在第I電容電極16a的擴(kuò)張部，與上述第3部分相比，在X方向上的寬度變寬。此外，在預(yù)定的恒定電位提供于電容線(xiàn)3b的情況下，電容線(xiàn)3b及第I電容電極16a起到減少第2電容電極16c或數(shù)據(jù)線(xiàn)6a與像素電極27之間的串?dāng)_的作用。 第2電容電極16c按每個(gè)像素P而獨(dú)立設(shè)置成島狀。第2電容電極16c具有俯視下與第I電容電極16a相同的形狀。第2電容電極16c以與電容線(xiàn)3b的擴(kuò)張部重疊的方式具有擴(kuò)張部。并且，第2電容電極16c具有從該擴(kuò)張部向X方向左側(cè)突出的第I部分、向X方向右側(cè)突出的第2部分及向Y方向上側(cè)突出的第3部分。第2電容電極16c的第I部分優(yōu)選是設(shè)置成在俯視下與半導(dǎo)體層30a的接合區(qū)域30e重疊。第2電容電極16c的第I部分進(jìn)一步優(yōu)選是設(shè)置成在俯視下與數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域30s及接觸孔CNTl重疊。第2電容電極16c的第2部分優(yōu)選是設(shè)置成在俯視下與半導(dǎo)體層30a的接合區(qū)域30f重疊。第2電容電極16c的第2部分進(jìn)一步優(yōu)選是設(shè)置成在俯視下與像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d及接觸孔CNT2重疊。第2電容電極16c的第3部分優(yōu)選是在圖6中向上側(cè)突出，不向下側(cè)突出。S卩，第2電容電極16c的第3部分優(yōu)選是在電連接于TFT30的像素電極27和在X方向上相鄰的像素電極27之間，沿Y方向突出。尤其是，由于第2電容電極16c與像素電極27電連接，因此第2電容電極16c的第3部分優(yōu)選成為與提供給像素電極27的圖像信號(hào)對(duì)應(yīng)的電位。并且，在第2電容電極16c的擴(kuò)張部，與上述第I部分及第2部分相比，在Y方向上的寬度變寬。此外，在第2電容電極16c的擴(kuò)張部，與上述第3部分相比在X方向上的寬度變寬。如上所述，電容兀件16設(shè)置在第I電容電極16a和第2電容電極16c隔著電介質(zhì)層16b而相對(duì)向的區(qū)域。于是，電容兀件16與第I電容電極16a及第2電容電極16c同樣，具有擴(kuò)張部、從該擴(kuò)張部向X方向左側(cè)突出的第I部分、向X方向右側(cè)突出的第2部分及向Y方向上側(cè)突出的第3部分。包圍I個(gè)像素P地配置該像素P的第2電容電極16c和相鄰的像素P的第2電容電極16c，構(gòu)成遮光性的非開(kāi)口區(qū)域(參照?qǐng)D3)。通過(guò)如上述地構(gòu)成，能夠?qū)㈦娙菰?6形成在盡可能寬大的區(qū)域，因此能夠提高電容元件的保持性能。此外，電容線(xiàn)3b、第I電容電極16a、第2電容電極16c由具有遮光性的材料構(gòu)成，形成為俯視下與半導(dǎo)體層30a重疊，從而能夠提高對(duì)半導(dǎo)體層30a的遮光性。此外，作為第2接觸孔的接觸孔CNT4優(yōu)選設(shè)置在俯視下與第I電容電極16a、電介質(zhì)層16b及第2電容電極16c重疊、即俯視下與電容元件16重疊的位置，尤其是俯視下與第I電容電極16a重疊的位置。由此，能夠確保電容元件16的俯視下的面積。此外，由于能夠確保接觸孔CNT4較寬大，因此能夠可靠地進(jìn)行電容線(xiàn)3b與第I電容電極16a的電連接。此外換言之，由此能夠提高像素P的開(kāi)口率。接觸孔CNT3經(jīng)由島狀的中繼電極3c與接觸孔CNT7電連接。接觸孔CNT7與第2電容電極16c的端部電連接。而且，在第2電容電極16c設(shè)有作為第I接觸孔的接觸孔CNT8，經(jīng)由接觸孔CNT8與像素電極27 (P)電連接。換言之，第2電容電極16c的一部分突出到與接觸孔CNT8重疊的位置為止，還作為使接觸孔CNT7和接觸孔CNT8電連接的中繼層發(fā)揮作用。像素電極27 (P)被設(shè)置成外緣部與掃描線(xiàn)3a、數(shù)據(jù)線(xiàn)6a重疊，在本實(shí)施方式中經(jīng)由設(shè)置在與掃描線(xiàn)3a重疊的位置的接觸孔CNT2、CNT3、CNT7、CNT8而與像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d電連接。此外，接觸孔CNT8設(shè)置在圖3的非開(kāi)口區(qū)域的交叉部附近、且是與其他部分相比非開(kāi)口區(qū)域的寬度變寬的區(qū)域與像素電極27重疊的區(qū)域。并且，接觸孔CNT8被設(shè)置成與設(shè)于掃描線(xiàn)3a、數(shù)據(jù)線(xiàn)6a、電容線(xiàn)3b的擴(kuò)張部重疊。在圖6中，接觸孔CNT8設(shè)于從開(kāi)口區(qū)域觀察與左下對(duì)應(yīng)的非開(kāi)口區(qū)域。接觸孔CNT8優(yōu)選是設(shè)置在俯視下與第I電容電極16a、電介質(zhì)層16b及第2電容電極16c重疊，即俯視下與電容元件16重疊的位置。由此，能夠確保電容元件16的俯視下的面積。此外，由于能夠確保接觸孔CNT8寬大，因此能夠更可靠地進(jìn)行第I電容電極16a與像素電極27的電連接。此外換言之，由此，能夠提高像素P的開(kāi)口率。此外，優(yōu)選是接觸孔CNT8形成為與掃描線(xiàn)3a、柵電極30g、數(shù)據(jù)線(xiàn)6a、電容線(xiàn)3b中的至少任一方的一部分重疊。此外，優(yōu)選是接觸孔CNT8設(shè)置在不與接觸孔CNT4重疊的位置。由于不會(huì)受到由接觸孔CNT4引起的臺(tái)階差的影響，因此能夠更可靠地進(jìn)行第I電容電極16a與像素電極27之間的電連接。接著，參照?qǐng)D7，進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明像素P的構(gòu)造。如圖7所示，在第I基板11上首先形成掃描線(xiàn)3a。掃描線(xiàn)3a可以使用例如含有Al (鋁)、Ti (鈦)、Cr (鉻)、W (鎢)、Ta (鉭)、Mo (鑰)等金屬中的至少一種的金屬單體、合金、金屬娃化物、多晶娃化物(polysilicide)、氮化物、或者它們層疊而成的構(gòu)造，具有遮光性。覆蓋掃描線(xiàn)3a地形成例如由氧化硅等構(gòu)成的基底絕緣膜11a，在基底絕緣膜Ila上島狀地形成半導(dǎo)體層30a。半導(dǎo)體層30a例如由多晶硅膜構(gòu)成，注入有雜質(zhì)離子，形成有上述的具有數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域30s、接合區(qū)域30e、溝道區(qū)域30c、接合區(qū)域30f、像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d的LDD構(gòu)造。覆蓋半導(dǎo)體層30a地形成第I絕緣膜(柵極絕緣膜)lib。在與掃描線(xiàn)3a重疊的位置形成貫穿基底絕緣膜11a、第I絕緣膜Ilb的2個(gè)接觸孔CNT5、CNT6。進(jìn)而在夾著第I絕緣膜Ilb與溝道區(qū)域30c相對(duì)向的位置形成柵電極30g，并且柵電極30g將2個(gè)接觸孔CNT5、CNT6填埋，柵電極30g經(jīng)由2個(gè)接觸孔CNT5、CNT6與掃描線(xiàn)3a電連接。覆蓋柵電極30g和第I絕緣膜I Ib地形成第2絕緣膜11c，在與半導(dǎo)體層30a的各個(gè)端部重疊的位置形成貫穿第I絕緣膜I lb、第2絕緣膜Ilc的2個(gè)接觸孔CNT1、CNT2。并且，以填埋2個(gè)接觸孔CNTl、CNT2并覆蓋第2絕緣膜Ilc的方式，使用Al (招)等遮光性導(dǎo)電部材料形成導(dǎo)電膜，對(duì)其進(jìn)行圖案形成，由此形成經(jīng)由接觸孔CNTl與數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域30s相連的數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極電極51及數(shù)據(jù)線(xiàn)6a。同時(shí)形成經(jīng)由接觸孔CNT2與像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d相連的像素電極側(cè)源極漏極電極52 (中繼電極6b)。接著，覆蓋數(shù)據(jù)線(xiàn)6a及中繼電極6b和第2絕緣膜Ilc地形成層間絕緣膜lid。層間絕緣膜Ild例如由硅的氧化物、氮化物構(gòu)成，被實(shí)施了用于將因覆蓋設(shè)有TFT30的區(qū)域而產(chǎn)生的表面的凹凸平坦化的平坦化處理。作為平坦化處理的方法，可舉出例如化學(xué)機(jī)械研磨處理(Chemical Mechanical Polishing :CMP處理)、旋涂處理等。其后，形成貫穿層間絕緣膜Ild的CNT3。在被平坦化了的層間絕緣膜Ild上以填埋CNT3并覆蓋層間絕緣膜Ild的方式，使用Al (鋁)等遮光性導(dǎo)電部材料形成導(dǎo)電膜，對(duì)其進(jìn)行圖案形成，由此形成經(jīng)由接觸孔CNT3與像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d相連的中繼電極3c及電容線(xiàn)3b。電容線(xiàn)3b是下層配置有鋁(Al)膜、上層配置有氮化鈦(TiN)膜的層疊構(gòu)造。鋁膜的厚度例如是150nm 200nm。氮化鈦膜的厚度例如是IOOnm 150nm。接著，覆蓋電容線(xiàn)3b及中繼電極6b地形成作為第2絕緣膜的層間絕緣膜lie。層間絕緣膜Ile例如由硅的氧化物、氮化物構(gòu)成。其后，形成貫穿層間絕緣膜lie的CNT4。層間絕緣膜Ile的厚度例如是400nm。在層間絕緣膜lie上以填埋CNT4、并覆蓋層間絕緣膜lie的方式，使用Al (招)等遮光性導(dǎo)電部材料形成導(dǎo)電膜，對(duì)其進(jìn)行圖案形成，由此形成經(jīng)由接觸孔CNT4與電容線(xiàn)3b相連、且構(gòu)成電容元件16的第I電容電極16a。第I電容電極16a例如是氮化鈦。第I電容電極16a的厚度例如是IOOnm 200nm。在層間絕緣膜lie上覆蓋第I電容電極16a地成膜電介質(zhì)層16b。作為電介質(zhì)層16b,可以使用娃氮化膜、氧化鉿(HfO2)、氧化招(Al2O3)、氧化鉭(Ta2O5)等單層膜、或?qū)⑦@些單層膜中的至少兩種單層膜層疊而成的多層膜。此外，電介質(zhì)層16b可以圖案形成為覆蓋第I電容電極16a的形狀。其后，形成貫穿層間絕緣膜lie的CNT7。在層間絕緣膜lie上以填埋CNT7、且覆蓋層間絕緣膜lie的方式，使用Al (鋁)等遮光性導(dǎo)電部材料形成導(dǎo)電膜，對(duì)其進(jìn)行圖案形成，由此形成經(jīng)由接觸孔CNI7與中繼電極3c (像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d)相連、且構(gòu)成電容元件16的第2電容電極16c。第2電容電極16c例如由鋁(Al)和氮化鈦(TiN)的層疊構(gòu)造構(gòu)成。第2電容電極16c的厚度例如是 300nm 500nm。在此，第2電容電極16c形成為覆蓋第I電容電極16a，因此能夠防止在對(duì)第2電容電極16c圖案形成時(shí)，第I電容電極16a被一起圖案形成。如上所述，電容線(xiàn)3b優(yōu)選是設(shè)于被平坦化了的層間絕緣膜Ild上。由此，能夠防止電容線(xiàn)3b的高電阻化。此外，能夠更可靠地進(jìn)行其后形成的第I電容電極16a、電介質(zhì)層16b、第2電容電極16c及層間絕緣膜Ile的成膜/加工。接著，形成覆蓋第2電容電極16c等的作為第I絕緣膜的層間絕緣膜Hf。層間絕緣膜Ilf也例如由硅的氧化物、氮化物構(gòu)成，可以與層間絕緣膜Ile同樣地實(shí)施平坦化處理。貫穿層間絕緣膜Ilf的接觸孔CNT8形成在與第2電容電極16c的端部重疊的位置，填埋該接觸孔CNT8地形成ITO等透明導(dǎo)電膜。對(duì)該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案形成而形成經(jīng)由接觸孔CNT8與第2電容電極16c相連的像素電極27。
如上所述，第2電容電極16c經(jīng)由接觸孔CNT7、中繼電極3c、接觸孔CNT3、中繼電極6b、接觸孔CNT2與TFT30的像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d電連接，并且經(jīng)由接觸孔CNT8與像素電極27電連接。此外，優(yōu)選是將接觸孔CNT8的位置設(shè)置在俯視下不與接觸孔CNT4重疊的位置。如此，則能夠更可靠地用接觸孔CNT8將第2電容電極16c與像素電極27電連接。由此，能夠抑制在像素電極27處的由于接觸孔CNT4的臺(tái)階差引起的影響。此外，由于沒(méi)有由接觸孔CNT4產(chǎn)生的臺(tái)階差，因此能夠可靠地進(jìn)行接觸孔CNT8的加工。此外，在掃描線(xiàn)3a與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的交叉部設(shè)置電容元件16，另外在俯視下與晶體管30重疊的區(qū)域設(shè)置電容元件16，因此可以利用非開(kāi)口區(qū)域設(shè)置遮光性的電容元件16，能夠抑制開(kāi)口率降低。電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖8是表示作為具有上述液晶裝置的電子設(shè)備的投影型顯示裝置的結(jié)構(gòu)的概略圖。以下，參照?qǐng)D8說(shuō)明具有液晶裝置的投影型顯示裝置的結(jié)構(gòu)。如圖8所示，作為本實(shí)施方式的電子設(shè)備的投影型顯示裝置1000包括沿著系統(tǒng)光軸L配置的偏振照明裝置1100、作為光分離元件的2個(gè)分色鏡1104、1105、3個(gè)反射鏡1106、1107、1108、5個(gè)中繼透鏡1201、1202、1203、1204、1205、3個(gè)作為光調(diào)制機(jī)構(gòu)的透射型液晶光閥1210、1220、1230、作為光合成元件的十字分色棱鏡(cross dichroic prism)1206、和投影透鏡1207。偏振照明裝置1100大致由超高壓水銀燈、鹵素?zé)舻劝咨庠此鶚?gòu)成的作為光源的燈單元1101、積分透鏡(integrator lens) 1102、和偏振轉(zhuǎn)換元件1103構(gòu)成。分色鏡1104使從偏振照明裝置1100射出的偏振光束中的紅色光(R)反射，使綠色光(G)和藍(lán)色光(B)透射。另一個(gè)分色鏡1105使透射了分色鏡1104的綠色光(G)反射，藍(lán)色光(B)透射。在分色鏡1104反射的紅色光(R)在反射鏡1106反射后經(jīng)由中繼透鏡1205入射到液晶光閥1210。在分色鏡1105反射的綠色光(G)經(jīng)由中繼透鏡1204入射到液晶光閥1220。透射了分色鏡1105的藍(lán)色光(B)經(jīng)由由3個(gè)中繼透鏡1201、1202、1203和2個(gè)反射鏡1107、1108構(gòu)成的導(dǎo)光系統(tǒng)而入射到液晶光閥1230。液晶光閥1210、1220、1230分別與十字分色棱鏡1206的每個(gè)顏色光的入射面相對(duì)向配置。入射到液晶光閥1210、1220、1230的顏色光被基于影像信息(影像信號(hào))而調(diào)制，被向十字分色棱鏡1206射出。該棱鏡中，4個(gè)直角棱鏡貼合，在其內(nèi)面呈十字狀地形成有反射紅色光的電介質(zhì)多層膜和反射藍(lán)色光的電介質(zhì)多層膜。通過(guò)這些電介質(zhì)多層膜將3個(gè)顏色的光合成，合成表示彩色圖像的光。所合成的光通過(guò)作為投影光學(xué)系統(tǒng)的投影透鏡1207被投影到屏幕1300上，圖像被放大顯示。液晶光閥1210應(yīng)用了上述的液晶裝置100。液晶裝置100隔開(kāi)間隙地配置在一對(duì)偏振兀件之間，該一對(duì)偏振兀件在顏色光的入射側(cè)和射出側(cè)配置成正交尼科爾鏡(cro s sNicoD0其他的液晶光閥1220、1230也同樣。根據(jù)這樣的投影型顯示裝置1000，通過(guò)介有采用了上述液晶裝置100的液晶組件，可充分確保保持電容，能夠提供提高了顯示品質(zhì)的電子設(shè)備。如以上所詳述，根據(jù)作為本實(shí)施方式的電光裝置的液晶裝置100及電子設(shè)備，可得到以下所示的效果。(I)根據(jù)本實(shí)施方式的液晶裝置100，第I電容電極16a被電介質(zhì)層16b及第2電容電極16c覆蓋(重疊)配置，因此與以往那樣僅在第I電容電極的上方配置電介質(zhì)層及第2電容電極的情況相比，可以增大第I電容電極16a與電介質(zhì)層16b及第2電容電極16c的重疊面積。換言之，在第I電容電極16a的側(cè)壁也能制作電容。即，能夠利用第I電容電極16a的厚度。因此，能夠比以往增大電容元件16的電容。而且，能夠有效利用電容電極16a、16c的面積。(2)根據(jù)本實(shí)施方式的液晶裝置100，僅是在與像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域30d連接的像素電極27與第2電容電極16c之間配置層間絕緣膜llf，因此即使經(jīng)由接觸孔CNT8將像素電極27和第2電容電極16c連接，也能用第2電容電極16c覆蓋第I電容電極16a地配置。因此，能夠防止因避開(kāi)接觸孔CNT8而導(dǎo)致的電容素子16的電容面積變少，能夠有效利用電容電極16c的面積，并能增大電容元件16的電容。(3)根據(jù)本實(shí)施方式的電子設(shè)備，由于具有上述的液晶裝置100，因此能夠充分確保保持電容，能夠提供提聞了顯不品質(zhì)的電子設(shè)備。第2實(shí)施方式電光裝置的結(jié)構(gòu)圖9是表示作為第2實(shí)施方式的電光裝置的液晶裝置的構(gòu)造的示意俯視圖。圖10是沿著圖9的液晶裝置的像素的A — A’線(xiàn)的示意剖視圖。以下，參照?qǐng)D9及圖10說(shuō)明像素的俯視構(gòu)造和剖視構(gòu)造。第2實(shí)施方式的液晶裝置200與上述的第I實(shí)施方式相比，電容元件116的構(gòu)造不同，關(guān)于其他結(jié)構(gòu)大致相同。因此，在第2實(shí)施方式中，詳細(xì)說(shuō)明與第I實(shí)施方式不同的部分，對(duì)于其他重復(fù)的部分，適當(dāng)省略說(shuō)明。如圖9及圖10所示，第2實(shí)施方式的液晶裝置200中，以俯視下與數(shù)據(jù)線(xiàn)6a的一部分及掃描線(xiàn)3a的一部分重疊的方式設(shè)置電容線(xiàn)3b，電容元件116配置在非開(kāi)口區(qū)域(參照?qǐng)D3)，從第I基板11側(cè)開(kāi)始依次層疊有第I電容電極116a、電介質(zhì)層116b、和第2電容電極116c。電介質(zhì)層116b覆蓋第I電容電極116a地形成。進(jìn)而，第2電容電極116c覆蓋第I電容電極116a及電介質(zhì)層116b地形成。而且，以俯視下與電容線(xiàn)3b的一部分重疊的方式，將連接第I電容電極116a和電容線(xiàn)3b的接觸孔CNT4設(shè)置成L字狀。此外，換言之，接觸孔CNT4具有缺口以使得不與接觸孔CNT8重疊，設(shè)于第I電容電極116a的擴(kuò)張部。由于設(shè)置在擴(kuò)張部，因此能夠形成更寬大面積的接觸孔CNT4。如此電容元件16具有溝(槽)狀的形狀。此外，換言之，電容元件16具有沿著接觸孔CNT4的側(cè)壁的部分。此外，在圖9中，接觸孔CNT4的X方向的寬度大于第I電容電極116a的第3部分，接觸孔CNT4的Y方向的寬度大于第I電容電極116a的第I部分或第2部分。此外，如圖10所示，第I電容電極116a、電介質(zhì)層116b、第2電容電極116c以仿照接觸孔CNT4的形狀形成，電容元件16形成為立體形狀。并且，在第I電容電極116a的接觸孔CNT4內(nèi)的底面，第I電容電極116a和電容線(xiàn)3b電連接(參照?qǐng)D10)。在此，接觸孔CNT4的俯視寬度優(yōu)選是層間絕緣膜lie的厚度以上。假設(shè)若接觸孔CNT4在不同的方向具有不同的寬度，則優(yōu)選是較短一方的寬度為層間絕緣膜lie的厚度以上。若層間絕緣膜lie的厚度例如為400nm，則較短一方的寬度優(yōu)選是400nm以上。接觸孔CNT4的較短一方的寬度優(yōu)選是第I電容電極116a的厚度的3倍以上。例如,若第I電容電極116a的厚度是200nm，則接觸孔CNT4的較短一方的寬度優(yōu)選是600nm以上。如此，則第I電容電極116a以仿照接觸孔CNT4的形狀形成，在接觸孔CNT4的側(cè)壁也形成電容元件16，能夠增大電容元件16的電容。更具體而言，如圖10所示，在層間絕緣膜lie形成貫穿到電容線(xiàn)3b的大致L字狀的槽部(凹部)。在層間絕緣膜lie上以填埋該槽部、并覆蓋層間絕緣膜Ile的方式，使用Al(鋁)等遮光性導(dǎo)電部材料形成導(dǎo)電膜，對(duì)其進(jìn)行圖案形成，從而形成與電容線(xiàn)3b相連的第I電容電極116a。此外，與第I實(shí)施方式同樣，貫穿層間絕緣膜Ilf的接觸孔CNT8形成在與第2電容電極116c的端部重疊的位置，填埋該接觸孔CNT8地形成ITO等透明導(dǎo)電膜。對(duì)該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行圖案形成而形成經(jīng)由接觸孔CNT8與第2電容電極116c相連的像素電極27。這樣，將第I電容電極116a做成溝構(gòu)造從而直接連接第I電容電極116a和電容線(xiàn)3b，因此與第I實(shí)施方式相比，能夠增長(zhǎng)接觸部分的周長(zhǎng)。而且，還能增大第I電容電極116a的厚度。因此，能夠增加電容元件116的電容。由此，即使液晶裝置200微細(xì)化，也能確保電容元件116的電容。如以上詳細(xì)記述那樣，根據(jù)第2實(shí)施方式的液晶裝置200，可取得以下所示的效果。(4)根據(jù)第2實(shí)施方式的液晶裝置200，通過(guò)使電連接第I電容電極116a和電容線(xiàn)3b的接觸孔的大小與第I電容電極116a的大小大致相同(換言之，比其他的接觸孔CNT8等大,此外,通過(guò)溝構(gòu)造將第I電容電極116a和電容線(xiàn)3b直接連接)，可增加電容電極116a、116c的面積(周長(zhǎng))、厚度，能夠增大電容。換言之，通過(guò)使第I電容電極116a為溝構(gòu)造，在溝的側(cè)壁也能形成電容，能夠增大電容。另外，本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式，在不違反從權(quán)利要求書(shū)及說(shuō)明書(shū)整體讀出的發(fā)明要旨或思想的范圍內(nèi)可適當(dāng)變更，包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍。此外，也能夠以如下的方式實(shí)施。變形例I不限于如上所述，構(gòu)成電容元件16的2個(gè)電容電極16a、16c用金屬層(招、氮化鈦等)構(gòu)成，也可以用例如ITO等透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。變形例2不限于如上述的第2實(shí)施方式所示，第I電容電極116a的形狀為L(zhǎng)字狀，例如只要是第I電容電極116a的面積不極端減少的形狀，也可以是其他的形狀。此外，為了增長(zhǎng)接觸孔CNT4的周長(zhǎng)，也可以使接觸孔CNT4的周部為波狀。變形例3在上述實(shí)施方式中，將接觸孔CNT8的位置設(shè)置在俯視下不與接觸孔CNT4重疊的位置，但也可以將接觸孔CNT8的位置設(shè)置在俯視下與接觸孔CNT4重疊的位置。由此，能夠擴(kuò)大接觸孔CNT8及接觸孔CNT4的接觸面積。變形例4如上所述，上述液晶裝置100等電光裝置例如是具有晶體管的有源驅(qū)動(dòng)型電光裝置，也可以應(yīng)用于有機(jī)EL (Electro Luminescence,電致發(fā)光)裝置、電泳裝置等顯不裝置。此外，也可以應(yīng)用于反射型液晶裝置(LC0S)、等離子顯示器(PDP)、場(chǎng)致發(fā)射型顯示器(FED、SED )、數(shù)字微鏡器件(DMD )。變形例5如上所述，作為電子設(shè)備以投影型顯示裝置1000 (投影機(jī))為例進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，也可以應(yīng)用于例如觀測(cè)儀(viewer)、取景器、頭戴式顯示器(head mounteddisplay)等。此外，也可以應(yīng)用于液晶電視、便攜電話(huà)、電子筆記本、文字處理機(jī)、取景器型或監(jiān)視器直視型的磁帶錄像機(jī)、工作站、可移動(dòng)式的個(gè)人計(jì)算機(jī)、可視電話(huà)、POS終端、尋呼機(jī)、計(jì)算器、觸摸面板等各種電子設(shè)備，此外也可以應(yīng)用于電子紙等電泳裝置、汽車(chē)導(dǎo)航裝置等。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置,其特征在于,包括 晶體管，具有柵電極、第I源極漏極區(qū)域和第2源極漏極區(qū)域； 電連接于所述柵電極的掃描線(xiàn)； 電連接于所述第I源極漏極區(qū)域的數(shù)據(jù)線(xiàn)； 電連接于所述第2源極漏極區(qū)域的像素電極；和 電容元件，包括與電容線(xiàn)電連接的第I電容電極、與所述第I電容電極相對(duì)向設(shè)置的第2電容電極、以及被所述第I電容電極和所述第2電容電極夾持的電介質(zhì)層， 在設(shè)有所述晶體管、所述掃描線(xiàn)和所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的層與設(shè)有所述像素電極的層之間，所述第I電容電極被所述電介質(zhì)層及所述第2電容電極覆蓋地配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于， 在所述第2電容電極與所述像素電極之間形成有第I絕緣膜， 經(jīng)由設(shè)于所述第I絕緣膜的第I接觸孔，所述第2電容電極和所述像素電極電連接， 所述第I接觸孔配置在俯視下與所述電容元件重疊的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電光裝置，其特征在于， 在所述第I電容電極與所述電容線(xiàn)之間設(shè)有第2絕緣膜， 經(jīng)由設(shè)于所述第2絕緣膜的第2接觸孔，所述第I電容電極和所述電容線(xiàn)連接， 所述第2接觸孔形成為俯視下與所述第I電容電極大致重疊的大小。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電光裝置，其特征在于， 所述第I接觸孔配置在俯視下不與所述第2接觸孔重疊的位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求廣4中的任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于， 所述電容元件設(shè)于俯視下所述掃描線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉部。
6.根據(jù)權(quán)利要求廣4中的任一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于， 所述電容元件設(shè)于俯視下與所述晶體管重疊的位置。
7.—種電子設(shè)備,其特征在于,具有權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及電光裝置及電子設(shè)備。在液晶裝置等電光裝置中能夠充分確保保持電容、可顯示高品質(zhì)的圖像。包括電連接于柵電極(30g)的掃描線(xiàn)(3a)；電連接于數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)源極漏極區(qū)域(30s)的數(shù)據(jù)線(xiàn)(6a)；電連接于像素電極側(cè)源極漏極區(qū)域(30d)的像素電極(27)；和電容元件(16)，具有與電容線(xiàn)(3b)電連接的第1電容電極(16a)、與第1電容電極(16a)相對(duì)向設(shè)置的第2電容電極(16c)、被第1電容電極(16a)和第2電容電極(16c)夾持的電介質(zhì)層(16b)，在設(shè)有晶體管(30)、掃描線(xiàn)(3a)和數(shù)據(jù)線(xiàn)(6a)的層與設(shè)有像素電極(27)的層之間，第1電容電極(16a被電介質(zhì)層(16b)及第2電容電極(16c)覆蓋地配置。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK103034001SQ20121036367
公開(kāi)日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日
發(fā)明者小山田晉 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社