專(zhuān)利名稱(chēng)：Tft-lcd陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶面板技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種TFT-LCD陣列基板、液晶面板及顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay，簡(jiǎn)稱(chēng) TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。隨著技術(shù)的進(jìn)步，消費(fèi)者對(duì)移動(dòng)性產(chǎn)品的顯示效果提出更高要求，普通的TN型液晶顯示器顯示效果已經(jīng)不能滿(mǎn)足市場(chǎng)的需求。目前，各大廠(chǎng)商正逐漸將顯示效果更優(yōu)良的各種廣視角技術(shù)應(yīng)用移動(dòng)性產(chǎn)品，如IPS、VA、AD-SDS等廣視角技術(shù)。在眾多的廣視角技術(shù)中，高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)(Advanced-SuperDimensional Switching ；簡(jiǎn)稱(chēng)=AD-SDQ通過(guò)同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場(chǎng)以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)可以提高TFT-IXD畫(huà)面品質(zhì)，具有高透過(guò)率、寬視角、高開(kāi)口率、 低色差、低響應(yīng)時(shí)間、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)波紋等優(yōu)點(diǎn)。AD-SDS通過(guò)在透明電極間產(chǎn)生邊緣電場(chǎng)，使透明電極間以及電極正上方的取向液晶分子都能在平行于基板和傾斜于基板的平面方向產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，在增大視角的同時(shí)提高液晶層的透光效率。為了進(jìn)一步增大視角，改善顯示效果，AD-SDS技術(shù)將第二層透明電極Qnd ΙΤ0，像素電極)的斜紋狀圖案改為多疇模式，如圖1所示，包括公共電極(第一層透明電極)1、柵極線(xiàn)2、與所述柵極線(xiàn)2垂直的數(shù)據(jù)線(xiàn)3、半導(dǎo)體層4、過(guò)孔層5、像素電極6。一般像素電極6與柵極線(xiàn)2或數(shù)據(jù)線(xiàn)3所呈的角度在7° 15°之間。當(dāng)然，也可以第一層透明電極為像素電極，第二層透明電極為公共電極，公共電極為多疇模式的斜紋狀圖案。艮口， 本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)需要對(duì)像素電極的位置進(jìn)行設(shè)置。在A(yíng)D-SDS陣列基板的制造過(guò)程中，像素電極的曝光和刻蝕后關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension，簡(jiǎn)稱(chēng)⑶)是一個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)，直接影響到最終面板的顯示效果。關(guān)鍵尺寸， 一般是指像素電極的斜紋狀圖案的寬度以及相鄰兩個(gè)斜紋狀圖案之間的距離。如果面板內(nèi)部的CD不均勻，會(huì)導(dǎo)致像素電極與公共電極之間的電場(chǎng)不均勻，從而導(dǎo)致面板在顯示出現(xiàn)亮度不均勻，影響顯示品質(zhì)。但是，這樣具有一定角度的像素電極增加了曝光和刻蝕后測(cè)量光刻膠關(guān)鍵尺寸時(shí)的測(cè)量難度，測(cè)量結(jié)果與實(shí)際值偏差較大，并且容易產(chǎn)生測(cè)量錯(cuò)誤，使得自動(dòng)測(cè)量常常難以進(jìn)行，只能采取手動(dòng)測(cè)量的方式進(jìn)行。手動(dòng)測(cè)量耗費(fèi)時(shí)間，并且人為因素干擾過(guò)大，使得產(chǎn)品的生產(chǎn)節(jié)拍受到嚴(yán)重影響。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問(wèn)題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何自動(dòng)、準(zhǔn)確地測(cè)量像素電極在曝光和顯影后的關(guān)鍵尺寸。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種TFT-LCD陣列基板，包括公共電極 (第一層透明電極)、柵極線(xiàn)、與所述柵極線(xiàn)垂直的數(shù)據(jù)線(xiàn)、半導(dǎo)體層、過(guò)孔層、像素電極(第二透明電極)，在所述TFT-IXD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)中增加至少一個(gè)用于測(cè)量像素電極的關(guān)鍵尺寸的圖案層，所述圖案層和所述像素電極處于同一層，所述圖案層中的圖案像素電極與所述柵極線(xiàn)垂直或平行，并與所述TFT-LCD陣列基板中所有電極絕緣。其中，所述圖案層位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上方，且所述圖案像素電極與所述柵極線(xiàn)垂直。其中，所述圖案層位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上方，且所述圖案像素電極與所述柵極線(xiàn)平行。其中，所述圖案層位于所述柵極線(xiàn)上方，且所述圖案像素電極與所述柵極線(xiàn)垂直。其中，所述圖案層位于所述柵極線(xiàn)上方，且所述圖案像素電極與所述柵極線(xiàn)平行。其中，在TFT-LCD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)中若有N個(gè)所述圖案層，其中M個(gè)圖案層的圖案像素電極與所述柵極線(xiàn)垂直，其余的圖案層的圖案像素電極與所述柵極線(xiàn)平行，N彡2，且] < N。其中，在TFT-LCD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)中若有N個(gè)所述圖案層，其中P個(gè)圖案層的在所述數(shù)據(jù)線(xiàn)上方，其余的圖案層在所述柵極線(xiàn)上方，N > 2，且P < N。其中，所述圖案像素電極的關(guān)鍵尺寸值和所述像素電極的關(guān)鍵尺寸值大小相同。本發(fā)明還提供了一種液晶面板，所述液晶面板中的陣列基板為上述的TFT-LCD陣列基板。本發(fā)明還提供了一種顯示設(shè)備，所述顯示設(shè)備中的液晶面板為上述的液晶面板。(三)有益效果本實(shí)用新型通過(guò)在FFS型面板的內(nèi)部像素電極部分增加用于測(cè)量像素電極CD的圖案層，使得FFS型面板內(nèi)部的像素電極CD能夠自動(dòng)、更準(zhǔn)確地測(cè)量，從而縮短產(chǎn)品的生產(chǎn)節(jié)拍，提高產(chǎn)品品質(zhì)。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中AD-SDS型TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種AD-SDS型TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種AD-SDS型TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種AD-SDS型TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種AD-SDS型TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種AD-SDS型TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種AD-SDS型TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例的另一種AD-SDS型TFT-IXD陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1 公共電極(第一層透明電極)，2 柵極線(xiàn)，3 數(shù)據(jù)線(xiàn)，4 半導(dǎo)體層，5 過(guò)孔層，6 像素電極(第二層透明電極)，7 圖案層，71 圖案像素電極。
具體實(shí)施方式
[0031]
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型，但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。實(shí)施例1如圖2所示，本實(shí)用新型的AD-SDS型TFT-IXD陣列基板包括公共電極1，以及形成在公共電極1上的柵極線(xiàn)2，形成在柵極線(xiàn)2上的半導(dǎo)體層4，形成在半導(dǎo)體層4上的數(shù)據(jù)線(xiàn)3，形成在數(shù)據(jù)線(xiàn)3上的過(guò)孔層5，以及通過(guò)過(guò)孔層5與數(shù)據(jù)線(xiàn)3連接的像素電極6。其中，像素電極為斜紋狀圖案。在A(yíng)D-SDS型TFT-LCD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)(圖中只示出了 AD-SDS型TFT-LCD陣列基板中的兩個(gè)像素單元結(jié)構(gòu))中增加了一個(gè)用于測(cè)量像素電極6的關(guān)鍵尺寸的圖案層7，圖案層7和像素電極6處于同一層，并與AD-SDS型TFT-IXD 陣列基板中所有電極絕緣。圖案層7位于數(shù)據(jù)線(xiàn)3上方，且圖案層7中的圖案像素電極71 與柵極線(xiàn)2平行。優(yōu)選地，每個(gè)圖案像素電極71的關(guān)鍵尺寸和像素電極6的關(guān)鍵尺寸值相同，以便于更好地測(cè)量。其中，圖案像素電極71的關(guān)鍵尺寸，是指像素電極的條紋狀圖案的寬度以及相鄰兩個(gè)條紋狀圖案之間的距離。實(shí)施例2如圖3所示，與實(shí)施例1不同的是位于數(shù)據(jù)線(xiàn)3上方的圖案層7中的圖案像素電極71與柵極線(xiàn)2垂直。其余和實(shí)施例1相同。實(shí)施例3如圖4所示，由于數(shù)據(jù)線(xiàn)3比較窄，圖案像素電極71與柵極線(xiàn)2垂直時(shí)，圖案層7 中只能包括數(shù)量較少的圖案像素電極71 (例如圖中只示出了 1個(gè)，圖案層7上的兩個(gè)間隔間只有一個(gè)圖案像素電極71)，為了更準(zhǔn)確地測(cè)量，每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線(xiàn)3上的設(shè)置了兩個(gè)圖案層7，每個(gè)圖案層7中的圖案像素電極71與柵極線(xiàn)2垂直。其余和實(shí)施例2相同。實(shí)施例4如圖5所示，由于數(shù)據(jù)線(xiàn)3比較窄，與實(shí)施例1不同的是在本實(shí)施例中將圖案層7 設(shè)置在了柵極線(xiàn)2上方，而且圖案層7中的圖案像素電極71與柵極線(xiàn)2垂直。由于圖案層 7和像素電極6在同一層，在柵極線(xiàn)2和圖案層7之間有柵絕緣層和過(guò)孔層5，因此，圖案層 7不會(huì)和柵極線(xiàn)2接觸。其余和實(shí)施例1相同。實(shí)施例5如圖6所示，與實(shí)施例4不同的是位于柵極線(xiàn)2上方的圖案層7中的圖案像素電極71與柵極線(xiàn)2平行。其余和實(shí)施例4相同。實(shí)施例6如圖7所示，在實(shí)施例5中，圖案像素電極71與柵極線(xiàn)2平行時(shí)，圖案層7中只能包括數(shù)量較少的圖案像素電極71 (例如圖中只示出了 2個(gè))。為了更準(zhǔn)確地測(cè)量，每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)的柵極線(xiàn)2上的設(shè)置了兩個(gè)圖案層7，每個(gè)圖案層7中的圖案像素電極71與柵極線(xiàn)2平行。其余和實(shí)施例5相同。實(shí)施例7AD-SDS型TFT-IXD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)可設(shè)置多個(gè)用于測(cè)量像素電極6 的關(guān)鍵尺寸的圖案層7。若有N個(gè)圖案層，其中M個(gè)圖案層7的圖案像素電極71與柵極線(xiàn) 2垂直，其余的圖案層7的圖案像素電極71與柵極線(xiàn)2平行，N彡2，且M < N，如圖8所示，圖中示出了，N = 2，M = 1的情況。進(jìn)一步地，N個(gè)中的P個(gè)圖案層7的在數(shù)據(jù)線(xiàn)3上方， 其余的圖案層7在柵極線(xiàn)2上方，P < N，如圖8所示，圖中示出了，N= 2，P = 1的情況。實(shí)施例8本實(shí)施例中提供了一種液晶面板，該液晶面板中的陣列基板為實(shí)施例1 7中任一項(xiàng)所述的TFT-IXD陣列基板。實(shí)施例9本實(shí)施例中提供了一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備中的液晶面板為實(shí)施例8所述的液晶面板。以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型，而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.一種TFT-LCD陣列基板，包括公共電極(1)、柵極線(xiàn)O)、與所述柵極線(xiàn)(2)垂直的數(shù)據(jù)線(xiàn)(3)、半導(dǎo)體層G)、過(guò)孔層(5)、像素電極(6)，其特征在于，在所述TFT-LCD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)中增加至少一個(gè)用于測(cè)量像素電極(6)的關(guān)鍵尺寸的圖案層(7)， 所述圖案層(7)和所述像素電極(6)處于同一層，所述圖案層(7)中的圖案像素電極(71) 與所述柵極線(xiàn)( 垂直或平行，并與所述TFT-LCD陣列基板中所有電極絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述圖案層(7)位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(3)上方，且所述圖案像素電極(71)與所述柵極線(xiàn)(2)垂直。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述圖案層(7)位于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(3)上方，且所述圖案像素電極(71)與所述柵極線(xiàn)(2)平行。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述圖案層(7)位于所述柵極線(xiàn)(2)上方，且所述圖案像素電極(71)與所述柵極線(xiàn)(2)垂直。
5.如權(quán)利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述圖案層(7)位于所述柵極線(xiàn)(2)上方，且所述圖案像素電極(71)與所述柵極線(xiàn)(2)平行。
6.如權(quán)利要求1所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，在TFT-IXD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)中若有N個(gè)所述圖案層(7)，其中M個(gè)圖案層(7)的圖案像素電極(71)與所述柵極線(xiàn)⑵垂直，其余的圖案層(7)的圖案像素電極(71)與所述柵極線(xiàn)(2)平行，N ^ 2, 且] < N。
7.如權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，在TFT-IXD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)中若有N個(gè)所述圖案層(7)，其中P個(gè)圖案層(7)的在所述數(shù)據(jù)線(xiàn) ⑶上方，其余的圖案層⑵在所述柵極線(xiàn)(2)上方，N彡2，且卩<1
8.如權(quán)利要求7所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述圖案像素電極(71)的關(guān)鍵尺寸值和所述像素電極(6)的關(guān)鍵尺寸值大小相同。
9.一種液晶面板，其特征在于，所述液晶面板中的陣列基板為權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的TFT-IXD陣列基板。
10.一種顯示設(shè)備，其特征在于，所述顯示設(shè)備中的液晶面板為權(quán)利要求9所述的液晶面板。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種TFT-LCD陣列基板，涉及液晶面板技術(shù)領(lǐng)域，包括公共電極(1)、柵極線(xiàn)(2)、與所述柵極線(xiàn)(2)垂直的數(shù)據(jù)線(xiàn)(3)、半導(dǎo)體層(4)、過(guò)孔層(5)、像素電極(6)，在TFT-LCD陣列基板的每個(gè)像素單元結(jié)構(gòu)中增加至少一個(gè)用于測(cè)量像素電極(6)的關(guān)鍵尺寸的圖案層(7)，圖案層(7)和像素電極(6)處于同一層，所述圖案層(7)中的圖案像素電極(71)與柵極線(xiàn)(2)或數(shù)據(jù)線(xiàn)(3)垂直或平行，并與TFT-LCD陣列基板中所有電極絕緣。本實(shí)用新型使得面板內(nèi)部的像素電極的關(guān)鍵尺寸能夠自動(dòng)、更準(zhǔn)確地測(cè)量，從而縮短產(chǎn)品的生產(chǎn)節(jié)拍，提高產(chǎn)品品質(zhì)。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK202110358SQ20112014406
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2011年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月9日
發(fā)明者宋泳錫, 張峰, 惠官寶 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司