專利名稱：Ips/ffs型液晶顯示裝置的陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)是一種采用液晶材料制作的顯示器，具有輕薄、功耗小、顯示信息量大等優(yōu)點，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子計算機、電子記事本、移動電話、攝像機、高清電視機等電子設(shè)備的顯示裝置。由于液晶自身不發(fā)光，也無法依賴自然光采光，因此必須采用背光源以獲得穩(wěn)定、清晰地顯示。液晶顯示裝置的原理是，在電場作用下，液晶分子的排列會發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而影響通過其的光線變化，這種光線的變化通過偏光片的作用可以表現(xiàn)為明暗的變化。因此，人們通過對電場的控制最終控制了光線的明暗變化，從而達到顯示圖像的目的。根據(jù)液晶分子轉(zhuǎn)向后的排列方式分類，常見的液晶顯示器可以分為:窄視角的扭曲向列(Twisted Nematic-LCD, TN-LCD)、超扭曲向列(Super Twisted Nematic-LCD,STN-LCD)、雙層超扭曲向列(Double Layer STN-LCD，DSTN-LCD);寬視角的橫向電場切換方式(In-Plane Switching, IPS)、邊界電場切換技術(shù)(Fringe Field Switching, FFS)和多域垂直配向技術(shù)(Mult1-Domain Vertical Alignment, MVA)等。其中，目前市場上最主流的液晶顯示器采用的模式是TN型，但TN型液晶顯示器在視角方面有天然痼疾，即使增加一層廣視角補償膜，仍無法滿足廣視角的要求。為此，許多公司都研發(fā)相關(guān)的廣視角技術(shù)，IPS就是其中頗具優(yōu)勢的一種。橫向電場切換(IPS)技術(shù)利用空間厚度、摩擦強度并有效利用橫向電場驅(qū)動的改變讓液晶分子做最大的平面旋轉(zhuǎn)角度來增加視角。換句話說，傳統(tǒng)LCD顯示器的液晶分子一般都在垂直-平行狀態(tài)間切換，多域垂直配向技術(shù)(MVA)和PVA將其改良成垂直-雙向傾斜的切換方式，而橫向電場切換(IPS)則將液晶分子改為水平旋轉(zhuǎn)切換作為背光通過方式，即不管在何種狀態(tài)下液晶分子始終都與屏幕平行，只是在加電/常規(guī)狀態(tài)下分子的旋轉(zhuǎn)方向有所不同。為了配合這種結(jié)構(gòu)，橫向電場切換(IPS)對電極進行改良，電極做到了同偵牝形成平面電場，從而避免了液晶在豎直方向上的偏轉(zhuǎn)，可以達到較大的視角。橫向電場切換(IPS)技術(shù)像素電極與公共電極位于同一層條狀排列，由于位于電極上方的液晶無法進行面內(nèi)偏轉(zhuǎn)，導(dǎo)致橫向電場切換(IPS)模式面板的有效開口率和透過率較低，為改善橫向電場切換(IPS)模式的開口率，出現(xiàn)了邊界電場切換(FFS)顯示模式。如圖1所示，現(xiàn)有的邊界電場切換(FFS)顯示模式液晶顯示裝置，包括彩膜基板
12、與彩膜基板12相對設(shè)置的陣列基板10，以及夾合于彩膜基板12和陣列基板10之間的液晶層11。所述陣列基板10的內(nèi)側(cè)設(shè)置有多個像素電極(pixel ΙΤ0)、公共電極和薄膜晶體管(Thin film transistor, TFT)。其中每一個薄膜晶體管(TFT)的漏極與像素電極連接，而公共電極設(shè)置于像素電極上方。公共電極與像素電極之間形成邊緣場效應(yīng)，驅(qū)動液晶層11內(nèi)的液晶分子轉(zhuǎn)向。在陣列基板10的表面上，設(shè)置有多條分別平行的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線相互垂直相交，將液晶顯示面板分成了若干像素單元。圖2為一個像素單元30的結(jié)構(gòu)示意圖，包括:水平設(shè)置的柵線31和垂直設(shè)置的數(shù)據(jù)線32，所述柵線31和數(shù)據(jù)線32限定像素區(qū)；位于像素區(qū)的公共電極33，所述公共電極33為不連續(xù)的梳狀結(jié)構(gòu)，位于公共電極33下方的像素電極34，公共電極33和像素電極34之間具有絕緣層(圖中未示出)；位于所述柵線31和所述數(shù)據(jù)線32的交叉處作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT) 35，所述薄膜晶體管35包含有柵極、漏極和源極，所述柵極和所述柵線31相連，所述源極與所述數(shù)據(jù)線32相連，所述漏極和所述像素電極34相連。圖3是圖2中沿切割線AB方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括:基板30 ;位于基板30上的像素電極34和數(shù)據(jù)線32，所述像素電極34為連續(xù)的結(jié)構(gòu)，像素電極34、數(shù)據(jù)線32和基板30之間具有絕緣層36 ;所述公共電極33位于像素電極34的上方且為不連續(xù)的梳狀結(jié)構(gòu)，兩者中間有絕緣層36相隔開；薄膜晶體管(TFT)的源極、漏極(圖中未示出)與所述像素電極34位于同一層，薄膜晶體管(TFT)的漏極與像素電極34相連接?，F(xiàn)有的邊界電場切換(FFS)顯示模式液晶顯示裝置的可視角度有限。更多關(guān)于液晶顯示裝置的介紹請參考公開號為CN101174052A的中國專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，增大了液晶顯示裝置的可視角度。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，包括:基板；所述基板上設(shè)置有多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵線和數(shù)據(jù)線交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括第二電極和多條間隔設(shè)置的第一電極，所述第一電極呈彎折的條狀；每行像素單元中，每個像素單元的第一電極向同一方向彎折；兩相鄰行像素單元中，所述兩相鄰行的像素單元的第一電極彎折的方向相反?？蛇x的，所述第一電極彎折的夾角范圍為45 135度?？蛇x的，所述像素單元中第一電極的數(shù)量為2 10條。可選的，所述多條第一電極之間的間隔為2 15微米?？蛇x的，所述像素單元還包括位于所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處的薄膜晶體管，像素單元內(nèi)多條第一電極的一端連接在一起，并與薄膜晶體管的漏極電連接?？蛇x的，所述多條第一電極的另一端也連接在一起?？蛇x的，所述像素單元的第二電極呈板狀，位于第一電極的下層，所述第一電極和第二電極之間設(shè)置有絕緣層?？蛇x的，所述像素單元的第二電極呈彎折的板狀，在每個像素單元內(nèi)，所述第二電極的彎折方向和角度與第一電極相同?？蛇x的，所述像素單元的第二電極為間隔設(shè)置的多條彎折的條狀，第二電極的間隙區(qū)對應(yīng)第一電極的條狀區(qū)，在每個像素單元內(nèi)，所述第二電極的彎折方向和角度與第一電極相同?？蛇x的，所述第一電極和第二電極之間設(shè)置有絕緣層，所述第二電極位于第一電極的上層，或者所述第二電極位于第一電極的下層。可選的，所述多條第二電極之間的間隔為2 15微米?？蛇x的，所述像素單元中第二電極的數(shù)量為2 10條?？蛇x的，所述第二電極的一端連接在一起?？蛇x的，所述第二電極連接至公共電壓?？蛇x的，所述數(shù)據(jù)線與像素單元相鄰的部分為彎折狀，其彎折方向和角度與相鄰的第一電極或第二電極彎折方向和角度都相同。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:第一行像素單元的第一電極和相鄰的第二行像素單元中第一電極彎折的方向相反，第一行像素單元中的像素單元從第一電極的彎折處分為上半部分和下半部分，第二行像素單元的像素單元從第一電極的彎折處分為上半部分和下半部分，第一行像素單元中的像素單元的第一電極的下半部分與第二行像素單元中的像素單元的第一電極的上半部分的方向相同，將第一行像素單元和第二行像素單元作為一個整體的像素看待時，所述整體的像素包括第一行像素單元的上半部分構(gòu)成的第一區(qū)域、第一行像素單元的下半部分與第二行像素單元的上半部分構(gòu)成的第二區(qū)域、第二行像素單元下半部分構(gòu)成的第三區(qū)域，第二區(qū)域中第一行像素單元中像素單元的第一電極的下半部分與第二行像素單元中像素單元的第一電極的上半部分的方向相同，使得第二區(qū)域的電場方向一致，相對于一定的觀察方向，旋轉(zhuǎn)方向一致的液晶分子所在的區(qū)域會相對更大一些，會減小相鄰兩行像素由于液晶轉(zhuǎn)動方向不一致導(dǎo)致的差異而增加可視角度；進一步，所述第二電極呈彎折的板狀，每個像素單元中，第二電極的彎折方向和角度與第一電極的彎折角度和方向相同，所述數(shù)據(jù)線與像素單元相鄰的部分為彎折狀，所述數(shù)據(jù)線的彎折方向和角度與相鄰的第一電極或第二電極彎折方向和角度都相同，提高了液晶顯示裝置的開口率。


圖1為現(xiàn)有的邊界電場切換(FFS)顯示模式液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有一個像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圖2沿切割線AB方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4 圖5為本發(fā)明第一實施例1PS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6 圖7為圖4沿切割線A-B方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8 圖9為本發(fā)明第二實施例1PS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10 圖11為圖8沿切割線A-B方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明第三實施例1PS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為圖12沿切割線A-B方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。現(xiàn)有的邊界電場切換顯示模式液晶顯示裝置的像素單元中由于其公共電極和像素電極均為方形的結(jié)構(gòu)，使得液晶顯示面板的可視角度有限。為解決上述問題，發(fā)明人提出一種新的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板結(jié)構(gòu)。參考圖4，圖4為本發(fā)明第一實施例1PS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，包括:基板(圖中未示出)；所述基板上設(shè)置有多條柵線100和多條數(shù)據(jù)線101，所述多條柵線100和數(shù)據(jù)線101交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括第二電極103和多條間隔設(shè)置的第一電極102，所述第一電極102呈多條彎折的條狀，所述第二電極103呈板狀，所述第二電極103位于第一電極102的上層或下層，第二電極103與第一電極102之間具有絕緣層(圖中未示出)；每行像素單元中，每個像素單元的第一電極102向同一方向彎折，兩相鄰行像素單元中，所述兩相鄰行的像素單元的第一電極102彎折的方向相反；每個像素單元還包括位于柵線100和數(shù)據(jù)線101交叉處的薄膜晶體管(TFT) 104，薄膜晶體管(TFT) 104包括柵極、漏極和源極，薄膜晶體管(TFT) 104的源極與數(shù)據(jù)線101相連，薄膜晶體管(TFT) 104的柵極與柵線100相連，薄膜晶體管(TFT) 104的漏極與第一電極102的相連。每個像素單元中，多條間隔設(shè)置的條狀第一電極102的一端連接在一起，第一電極102相連的一端與薄膜晶體管(TFT) 104的漏極電連接。參考圖5為另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在圖5中，所述多條間隔設(shè)置的條狀第一電極102與漏極連接相對的另外一端也可以連接在一起，構(gòu)成整塊的電極，所述電極上具有多條刻縫。繼續(xù)參考圖4，為了更清楚和簡便的描述本發(fā)明的優(yōu)點和目的，本實施例中僅以兩條柵線100和兩條數(shù)據(jù)線101交叉限定的四個像素單元為例，其中上面兩個像素單元屬于第一行像素單元200，下面兩個像素單元屬于相鄰的第二行像素單元201，第一行像素單元200的第一電極102和第二行像素單元201中第一電極102彎折的方向相反。第一行像素單元200中的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分20和下半部分21 ;第二行像素單元201的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分22和下半部分23。所述第一電極102呈彎折的條狀，彎折的第一電極102將像素單元分成上下兩個疇區(qū)，第一電極102和第二電極103產(chǎn)生電場驅(qū)動液晶分子旋轉(zhuǎn)，液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不一樣，使得液晶顯示裝置的可視角度更大；第一行像素單元200的第一電極102和相鄰的第二行像素單元201中第一電極102彎折的方向相反，第一行像素單元200中的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分20和下半部分21，第二行像素單元201的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分22和下半部分23，第一行像素單元200中的像素單元的第一電極102的下半部分與第二行像素單元201中的像素單元的第一電極102的上半部分的方向相同，將第一行像素單元200和第二行像素單元201作為一個整體的像素看待時，所述整體的像素包括第一行像素單元200的上半部分20構(gòu)成的第一區(qū)域、第一行像素單元200的下半部分21與第二行像素單元201的上半部分22構(gòu)成的第二區(qū)域、第二行像素單元201下半部分23構(gòu)成的第三區(qū)域，第二區(qū)域中第一行像素單元200中像素單元的第一電極102的下半部分與第二行像素單元201中像素單元的第一電極102的上半部分的方向相同，使得第二區(qū)域的電場方向一致，相對于一定的觀察方向，旋轉(zhuǎn)方向一致的液晶分子所在的區(qū)域會相對更大一些，會減小相鄰兩行像素由于液晶轉(zhuǎn)動方向不一致導(dǎo)致的差異而增加可視角度。第一電極102彎折的夾角范圍為45 135度，彎折的角度太小的話會影響像素單元的長度和寬度；彎折的角度太大的話，使得可視角度的提高有限。本發(fā)明所述夾角為第一電極102的折邊的上半部分的邊線與下半部分邊線之間的夾角。每個像素單元中第一電極102的數(shù)量為2 10條，第一電極102的數(shù)量太少的話，不能形成有效的斜向電場；第一電極102的數(shù)量太多的話，將使得像素單元的第一電極102彎折處的亂疇區(qū)增加，影響液晶顯示裝置的顯示效果。相鄰第一電極102之間的間隔e為2 15微米。所述間距e為相鄰的第一電極102的兩相鄰側(cè)邊的垂直距離。參考圖6，圖6為本發(fā)明第一實施例的結(jié)構(gòu)中圖4沿切割線A-B方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括:基板105 ;位于基板上105上的第一絕緣層107 ;位于第一絕緣層107上的第二電極103、數(shù)據(jù)線101、薄膜晶體管的漏極和源極(圖中未示出)，薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線101相連；覆蓋所述第二電極103、數(shù)據(jù)線101和薄膜晶體管的漏極和源極的第二絕緣層106 ;位于第二絕緣層106上的間隔的第一電極102,第一電極102位于第二電極103的上方，第一電極102通過位于第二絕緣層106中的過孔(圖中未示出)與薄膜晶體管的漏極相連。第二電極103與公共電壓相連。參考圖7，圖7為本發(fā)明的又一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，在圖7中的結(jié)構(gòu)中包括:基板105 ;位于基板上105上的第一絕緣層107 ;位于第一絕緣層107上的間隔的條狀第一電極102、數(shù)據(jù)線101、薄膜晶體管的漏極和源極(圖中未示出)，薄膜晶體管的漏極與第一電極102相連，薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線101相連；覆蓋所述第一電極102、數(shù)據(jù)線101和薄膜晶體管的漏極和源極的第二絕緣層106 ;位于第二絕緣層106上的第二電極103，第二電極103位于第一電極102的上方。第二電極103與公共電壓相連。第二電極103位于第一電極102的上方的像素單元結(jié)構(gòu)形成工藝比第二電極103位于第一電極102的下方的形成工藝簡單。參考圖8，圖8為本發(fā)明第二實施例1PS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，包括:基板(圖中未示出)；所述基板上設(shè)置有多條柵線100和多條數(shù)據(jù)線101，所述多條柵線100和數(shù)據(jù)線101交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括第二電極103和多條間隔設(shè)置的第一電極102，所述第一電極102呈彎折的條狀，所述第二電極103呈彎折的板狀，所述第二電極103位于第一電極102的上層或下層，第二電極103與第一電極102之間具有絕緣層(圖中未示出)；每行像素單元中，每個像素單元的第一電極102向同一方向彎折，兩相鄰行像素單元中，所述兩相鄰行的像素單元的第一電極102彎折的方向相反；每個像素單元還包括位于柵線100和數(shù)據(jù)線101交叉處的薄膜晶體管(TFT) 104，薄膜晶體管(TFT) 104包括柵極、漏極和源極，薄膜晶體管(TFT) 104的源極與數(shù)據(jù)線101相連，薄膜晶體管(TFT) 104的柵極與柵線100相連，薄膜晶體管(TFT) 104的漏極與第一電極102的相連。每個像素單元中，多條間隔設(shè)置的第一電極102的一端連接在一起，第一電極102相連的一端與薄膜晶體管(TFT) 104的漏極電連接。參考圖9，在其他實施方式中，所述多條間隔設(shè)置的第一電極102與漏極連接相對的另外一端也可以連接在一起，構(gòu)成整塊的電極，所述電極上具有多條刻縫。繼續(xù)參考圖8，為了更清楚和簡便的描述本發(fā)明的優(yōu)點和目的，本實施例中僅以兩條柵線100和兩條數(shù)據(jù)線101交叉限定的四個像素單元為例，其中上面兩個像素單元屬于第一行像素單元200，下面兩個像素單元屬于相鄰的第二行像素單元201，第一行像素單元200的第一電極102和第二行像素單元201中第一電極102彎折的方向相反。第一行像素單元200中的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分20和下半部分21 ;第二行像素單元201的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分22和下半部分23。所述第一電極102呈彎折的條狀，彎折的第一電極102將像素單元分成上下兩個疇區(qū)，第一電極102和第二電極103產(chǎn)生電場驅(qū)動液晶分子旋轉(zhuǎn)，液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不一樣，使得液晶顯示裝置的可視角度更大；第一行像素單元200的第一電極102和相鄰的第二行像素單元201中第一電極102彎折的方向相反，第一行像素單元200中的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分20和下半部分21，第二行像素單元201的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分22和下半部分23，第一行像素單元200中的像素單元的第一電極102的下半部分與第二行像素單元201中的像素單元的第一電極102的上半部分的方向相同，將第一行像素單元200和第二行像素單元201作為一個整體的像素看待時，所述整體的像素包括第一行像素單元200的上半部分20構(gòu)成的第一區(qū)域、第一行像素單元200的下半部分21與第二行像素單元201的上半部分22構(gòu)成的第二區(qū)域、第二行像素單元201下半部分23構(gòu)成的第三區(qū)域，第二區(qū)域中第一行像素單元200中像素單元的第一電極102的下半部分與第二行像素單元201中像素單元的第一電極102的上半部分的方向相同，使得第二區(qū)域的電場方向一致，相對于一定的觀察方向，旋轉(zhuǎn)方向一致的液晶分子所在的區(qū)域會相對更大一些，會減小相鄰兩行像素由于液晶轉(zhuǎn)動方向不一致導(dǎo)致的差異而增加可視角度。第一電極102彎折的夾角范圍為45 135度，彎折的角度太小的話會影響像素單元的長度和寬度；彎折的角度太大的話，使得可視角度的提高有限。本發(fā)明所述夾角為第一電極102的折邊的上半部分的邊線與下半部分邊線之間的夾角。每個像素單元中第一電極102的數(shù)量為2 10條，第一電極102的數(shù)量太少的話，不能形成有效的斜向電場；第一電極102的數(shù)量太多的話，將使得像素單元的第一電極102彎折處的亂疇區(qū)增加，影響液晶顯示裝置的顯示效果。相鄰第一電極102之間的間隔e為2 15微米。所述間距e為相鄰的第一電極102的兩相鄰側(cè)邊的垂直距離。所述第二電極103呈彎折的板狀，每個像素單元中，第二電極103的彎折方向和角度與第一電極102的彎折角度和方向相同，所述數(shù)據(jù)線101與像素單元相鄰的部分為彎折狀，所述數(shù)據(jù)線101的彎折方向和角度與相鄰的第一電極102或第二電極103彎折方向和角度都相同，提高了液晶顯示裝置的開口率。參考圖10，圖10為圖8沿切割線A-B方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括:基板105 ;位于基板上105上的第一絕緣層107 ;位于第一絕緣層107上的第二電極103、數(shù)據(jù)線101、薄膜晶體管的漏極和源極(圖中未示出)，薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線101相連；覆蓋所述第二電極103、數(shù)據(jù)線101和薄膜晶體管的漏極和源極的第二絕緣層106 ;位于第二絕緣層106上的間隔的第一電極102,第一電極102位于第二電極103的上方,第一電極102通過位于第二絕緣層106中的過孔(圖中未示出)與薄膜晶體管的漏極相連。第二電極103與公共電壓相連。參考圖11，在其他實施例中，所述陣列基板的結(jié)構(gòu)還可以與所述第二實施例不同，所述陣列基板包括:基板105 ;位于基板上105上的第一絕緣層107 ;位于第一絕緣層107上的間隔的第一電極102、數(shù)據(jù)線101、薄膜晶體管的漏極和源極(圖中未示出)，薄膜晶體管的漏極與第一電極102相連，薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線101相連；覆蓋所述第一電極102、數(shù)據(jù)線101和薄膜晶體管的漏極和源極的第二絕緣層106 ;位于第二絕緣層106上的第二電極103，第二電極103位于第一電極102的上方。第二電極103與公共電壓相連。第二電極103位于第一電極102的上方的像素單元結(jié)構(gòu)形成工藝比第二電極103位于第一電極102的下方的形成工藝簡單。參考圖12，圖12為本發(fā)明第三實施例1PS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，包括:基板(圖中未示出)；所述基板上設(shè)置有多條柵線100和多條數(shù)據(jù)線101，所述多條柵線100和數(shù)據(jù)線101交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括多條間隔設(shè)置第二電極103和多條間隔設(shè)置的第一電極102，所述第一電極102呈彎折的條狀，所述第二電極103呈彎折的條狀，所述第二電極103位于第一電極102的上層或下層，第二電極103的間隙區(qū)對應(yīng)第一電極102的條狀區(qū)，第二電極103與第一電極102之間具有絕緣層(圖中未示出)，第二電極103的彎折方向和角度與第一電極102彎折方向和角度相同；每行像素單元中，每個像素單元的第一電極102向同一方向彎折，兩相鄰行像素單元中，所述兩相鄰行的像素單元的第一電極102彎折的方向相反；每個像素單元還包括位于柵線100和數(shù)據(jù)線101交叉處的薄膜晶體管(TFT) 104，薄膜晶體管(TFT) 104包括柵極、漏極和源極，薄膜晶體管(TFT) 104的源極與數(shù)據(jù)線101相連，薄膜晶體管(TFT) 104的柵極與柵線100相連，薄膜晶體管(TFT) 104的漏極與第一電極102的相連。每個像素單元中，多條間隔設(shè)置的第一電極102的一端連接在一起，第一電極102相連的一端與薄膜晶體管(TFT) 104的漏極電連接。繼續(xù)參考圖12，為了更清楚和簡便的描述本發(fā)明的優(yōu)點和目的，本實施例中僅以兩條柵線100和兩條數(shù)據(jù)線101交叉限定的四個像素單元為例，其中上面兩個像素單元屬于第一行像素單元200，下面兩個像素單元屬于相鄰的第二行像素單元201，第一行像素單元200的第一電極102和第二行像素單元201中第一電極102彎折的方向相反。第一行像素單元200中的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分20和下半部分21 ;第二行像素單元201的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分22和下半部分23。所述第一電極102呈彎折的條狀，彎折的第一電極102將像素單元分成上下兩個疇區(qū)，第一電極102和第二電極103產(chǎn)生電場時驅(qū)動液晶分子旋轉(zhuǎn)時,液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不一樣，使得液晶顯示裝置的可視角度更大；第一行像素單元200的第一電極102和相鄰的第二行像素單元201中第一電極102彎折的方向相反，第一行像素單元200中的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分20和下半部分21，第二行像素單元201的像素單元從第一電極102的彎折處分為上半部分22和下半部分23，第一行像素單元200中的像素單元的第一電極102的下半部分與第二行像素單元201中的像素單元的第一電極102的上半部分的方向相同，將第一行像素單元200和第二行像素單元201作為一個整體的像素看待時，所述整體的像素包括第一行像素單元200的上半部分20構(gòu)成的第一區(qū)域、第一行像素單元200的下半部分21與第二行像素單元201的上半部分22構(gòu)成的第二區(qū)域、第二行像素單元201下半部分23構(gòu)成的第三區(qū)域，第二區(qū)域中第一行像素單元200中像素單元的第一電極102的下半部分與第二行像素單元201中像素單元的第一電極102的上半部分的方向相同，使得第二區(qū)域的電場方向一致，相對于一定的觀察方向，旋轉(zhuǎn)方向一致的液晶分子所在的區(qū)域會相對更大一些，會減小相鄰兩行像素由于液晶轉(zhuǎn)動方向不一致導(dǎo)致的差異而增加可視角度。第一電極102彎折的夾角范圍為45 135度，彎折的角度太小的話會影響像素單元的長度和寬度；彎折的角度太大的話，使得可視角度的提高有限。本發(fā)明所述夾角為第一電極102的折邊的上半部分的邊線與下半部分邊線之間的夾角。每個像素單元中第一電極102的數(shù)量為2 10條，第一電極102的數(shù)量太少的話，不能形成有效的斜向電場；第一電極102的數(shù)量太多的話，將使得像素單元的第一電極102彎折處的亂疇區(qū)增加，影響液晶顯示裝置的顯示效果。相鄰第一電極102之間的間隔e為2 15微米。所述間距e為相鄰的第一電極102的兩相鄰側(cè)邊的垂直距離。第一電極102彎折的夾角范圍為45 135度，彎折的角度太小的話會影響像素單元的長度和寬度；彎折的角度太大的話，使得可視角度的提高有限。本發(fā)明所述夾角為第一電極102的折邊的上半部分·的邊線與下半部分邊線之間的夾角。每個像素單元中第一電極102的數(shù)量為2 10條，第一電極102的數(shù)量太少的話，不能形成有效的斜向電場；第一電極102的數(shù)量太多的話，將使得像素單元的第一電極102彎折處的亂疇區(qū)增加，影響液晶顯示裝置的顯示效果。相鄰第一電極102之間的間隔e為2 15微米。所述間距e為相鄰的第一電極102的兩相鄰側(cè)邊的垂直距離。所述第二電極103呈彎折的條狀，每個像素單元中第二電極103的彎折方向和角度與第一電極102彎折方向和角度相同，第二電極103的間隙區(qū)對應(yīng)第一電極102的條狀區(qū)，以形成斜向電場，每個像素單元中第二電極103的數(shù)量為2 10條，第二電極103的數(shù)量可以大于、等于或小于第一電極102的數(shù)量。相鄰第二電極103之間的間隔f 為2 15微米。所述間距f為相鄰的第二電極103的兩相鄰側(cè)邊的垂直距離。所述數(shù)據(jù)線101與像素單元相鄰的部分為彎折狀，所述數(shù)據(jù)線101的彎折方向和角度與相鄰的第一電極102或第二電極103彎折方向和角度都相同，相比與第一實施例，提高了液晶顯示裝置的開口率。參考圖12，圖12為圖13沿切割線A-B方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括:基板105 ;位于基板上105上的第一絕緣層107 ;位于第一絕緣層107上的間隔設(shè)置的第二電極103、數(shù)據(jù)線101、薄膜晶體管的漏極和源極(圖中未示出)；覆蓋所述第二電極103、數(shù)據(jù)線101和薄膜晶體管的漏極和源極的第二絕緣層106 ;位于第二絕緣層106上的間隔的第一電極102,第一電極102位于第二電極103的上方,第一電極102的條狀區(qū)對應(yīng)第二電極103的間隙區(qū)，第一電極102通過位于第二絕緣層106中的過孔(圖中未示出)與薄膜晶體管的漏極相連。
在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一電極102位于第二電極103的下層。在本發(fā)明的其他實施例中，所述間隔的第一電極102和第二電極103位于同一層，第一電極102的條狀區(qū)位于第二電極103的間隙區(qū)，構(gòu)成叉指狀的第一電極102和第二電極103排布,第一電極102和第二電極103之間形成平面電場。綜上，本發(fā)明實施例提供的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，第一行像素單元的第一電極和相鄰的第二行像素單元中第一電極彎折的方向相反，第一行像素單元中的像素單元從第一電極的彎折處分為上半部分和下半部分，第二行像素單元的像素單元從第一電極的彎折處分為上半部分和下半部分，第一行像素單元中的像素單元的第一電極的下半部分與第二行像素單元中的像素單元的第一電極的上半部分的方向相同，將第一行像素單元和第二行像素單元作為一個整體的像素看待時，所述整體的像素包括第一行像素單元的上半部分構(gòu)成的第一區(qū)域、第一行像素單元的下半部分與第二行像素單元的上半部分構(gòu)成的第二區(qū)域、第二行像素單元下半部分構(gòu)成的第三區(qū)域，第二區(qū)域中第一行像素單元中像素單元的第一電極的下半部分與第二行像素單元中像素單元的第一電極的上半部分的方向相同，使得第二區(qū)域的電場方向一致，相對于一定的觀察方向，旋轉(zhuǎn)方向一致的液晶分子所在的區(qū)域會相對更大一些，會減小相鄰兩行像素由于液晶轉(zhuǎn)動方向不一致導(dǎo)致的差異而增加可視角度。進一步，所述第二電極呈彎折的板狀，每個像素單元中，第二電極的彎折方向和角度與第一電極的彎折角度和方向相同，所述數(shù)據(jù)線與像素單元相鄰的部分為彎折狀，所述數(shù)據(jù)線的彎折方向和角度與相鄰的第一電極或第二電極彎折方向和角度都相同，提高了液晶顯示裝置的開口率。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，包括: 基板； 所述基板上設(shè)置有多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵線和數(shù)據(jù)線交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括第二電極和多條間隔設(shè)置的第一電極，所述第一電極呈彎折的條狀； 每行像素單元中，每個像素單元的第一電極向同一方向彎折；兩相鄰行像素單元中，所述兩相鄰行的像素單元的第一電極彎折的方向相反。
2.如權(quán)利要求1所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述第一電極彎折的夾角范圍為45 135度。
3.如權(quán)利要求1所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述像素單元中第一電極的數(shù)量為2 10條。
4.如權(quán)利要求1所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述多條第一電極之間的間隔為2 15微米。
5.如權(quán)利要求1所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述像素單元還包括位于所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處的薄膜晶體管，像素單元內(nèi)多條第一電極的一端連接在一起，并與薄膜晶體管的漏極電連接。
6.如權(quán)利要求5所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述多條第一電極的另一端也連接在一起。
7.如權(quán)利要求1所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述像素單元的第二電極呈板狀，位于第一電極的下層，所述第一電極和第二電極之間設(shè)置有絕緣層。
8.如權(quán)利要求7所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述像素單元的第二電極呈彎折的板狀，在每個像素單元內(nèi)，所述第二電極的彎折方向和角度與第一電極相同。
9.如權(quán)利要求1所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述像素單元的第二電極為間隔設(shè)置的多條彎折的條狀，第二電極的間隙區(qū)對應(yīng)第一電極的條狀區(qū)，在每個像素單元內(nèi)，所述第二電極的彎折方向和角度與第一電極相同。
10.如權(quán)利要求9所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述第一電極和第二電極之間設(shè)置有絕緣層，所述第二電極位于第一電極的上層，或者所述第二電極位于第一電極的下層。
11.如權(quán)利要求9所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述多條第二電極之間的間隔為2 15微米。
12.如權(quán)利要求9所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述像素單元中第二電極的數(shù)量為2 10條。
13.如權(quán)利要求9所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述第二電極的一端連接在一起。
14.如權(quán)利要求7或9所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述第二電極連接至公共電壓。
15.如權(quán)利要求7或 9所述的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與像素單元相鄰的部分為彎折狀，其彎折方向和角度與相鄰的第一電極或第二電極彎折方向和角度都相 同。
全文摘要
一種IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，包括基板；所述基板上設(shè)置有多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵線和數(shù)據(jù)線交叉限定多個像素單元，每個像素單元包括第二電極和多條間隔設(shè)置的第一電極，所述第一電極呈彎折的條狀；每行像素單元中，每個像素單元的第一電極向同一方向彎折；兩相鄰行像素單元中，所述兩相鄰行的像素單元的第一電極彎折的方向相反。本發(fā)明實施例的IPS/FFS型液晶顯示裝置的陣列基板，增大了可視角度。
文檔編號G02F1/1343GK103185993SQ201110453550
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者柴慧平, 馬駿, 陳浩 申請人:上海天馬微電子有限公司