專(zhuān)利名稱(chēng)：雙面ips藍(lán)相液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高透過(guò)率和低電壓藍(lán)相液晶顯示模式，具體為一種雙面IPS藍(lán)相 液晶!！不器(Double-side In-Plane Switching Blue Phase Liquid Crystal Display)， 簡(jiǎn)稱(chēng)為 DS-IPSBP-LCD。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)IPS 藍(lán)相液晶顯示器(In-Plane Switching Blue Phase LCD)，簡(jiǎn)稱(chēng)(IPS BP-LCD)，是利用下玻璃基板內(nèi)表面的條狀I(lǐng)TO電極間隙的產(chǎn)生的水平電場(chǎng)使藍(lán)相液晶分 子由各向同性相轉(zhuǎn)變?yōu)楦飨虍愋韵?，由于雙折射效應(yīng)而實(shí)現(xiàn)亮態(tài)的液晶顯示器。它具有快 速響應(yīng)、寬視角、高對(duì)比度特性，可以廣泛應(yīng)用于臺(tái)式機(jī)顯示器，液晶電視等大屏液晶顯示
ο傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(IPS BP-IXD)都是采用在下玻璃基板內(nèi)表面蝕刻條狀 ITO電極，這樣一來(lái)在條狀I(lǐng)TO電極上方區(qū)域的水平電場(chǎng)很弱，造成了這種顯示器的透過(guò) 率較低，一般只有 60% ；采用梯形 ITO 電極(L. Rao, etal，Appl. Phys. Lett.，V95，231101， 2009)和 Wall-shaped ITO 電極(M. Kim, etal, J. Phys. D :Appl. Phys.，V42, 235502, 2009) 雖然可以得到一個(gè)較大的透過(guò)率，但是其制作工藝比較復(fù)雜，在工藝上要做成2μπι以上厚 度的ITO電極是很困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器透過(guò)率低、驅(qū)動(dòng)電壓高的問(wèn)題， 提供一種雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器。本發(fā)明采用在上玻璃基板內(nèi)表面與下玻璃基板內(nèi)表 面兩條相鄰條狀I(lǐng)TO電極間隙中心對(duì)應(yīng)位置放置條狀I(lǐng)TO電極，利用上玻璃基板內(nèi)表面條 狀I(lǐng)TO電極間隙產(chǎn)生的水平電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極上方區(qū)域的藍(lán)相 液晶分子，達(dá)到了使驅(qū)動(dòng)電壓較低的藍(lán)相液晶顯示器的透過(guò)率增大，使透過(guò)率較高的藍(lán)相 液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓降低的目的。對(duì)于相同的液晶材料參數(shù)和液晶層厚度，實(shí)現(xiàn)了雙面 IPS藍(lán)相液晶顯示器比驅(qū)動(dòng)電壓較低的傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器透過(guò)率提高25%以上(> 85%),比透過(guò)率較高的傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器驅(qū)動(dòng)電壓下降25%以上的目的，且保持了 傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器的快速響應(yīng)、寬視角、高對(duì)比度特性。本發(fā)明的技術(shù)解決方案如下一種雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器(DS-IPS BP IXD)，該液晶顯示器包括起偏器、檢 偏器、雙面IPS藍(lán)相液晶盒；其位置關(guān)系依次為起偏器、雙面IPS藍(lán)相液晶盒、檢偏器；光 線依次通過(guò)起偏器、雙面IPS藍(lán)相液晶盒、檢偏器。所述的雙面IPS藍(lán)相液晶盒，在其上、下玻璃基板的內(nèi)表面有條狀氧化銦錫(ITO) 電極。雙面IPS藍(lán)相液晶盒包括上玻璃基板、下玻璃基板、上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電 極、下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極、上絕緣層、下絕緣層、藍(lán)相液晶層、封邊框膠；其位置 關(guān)系為上玻璃基板、上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極、上絕緣層、藍(lán)相液晶層、封邊框膠、下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極、下絕緣層、下玻璃基板。所述的雙面IPS藍(lán)相液晶盒，上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極的電極寬度、電極間 距與下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極的電極寬度、電極間距是相同的，電極寬度可選范圍 W= 1 4μπι;電極間距可選范圍G= 1 6μπι。且上玻璃基板內(nèi)表面的條狀I(lǐng)TO電極位 于下玻璃基板內(nèi)表面兩條相鄰條狀I(lǐng)TO電極間隙中心位置上方。所述的雙面IPS藍(lán)相液晶盒，上、下玻璃基板內(nèi)表面的條狀I(lǐng)TO電極分別鑲嵌在 上、下絕緣層中。所述的藍(lán)相液晶層厚度的可選范圍d = 5 20 μ m。藍(lán)相液晶層包括藍(lán)相液晶 材料和間隔物。所述的藍(lán)相液晶層中藍(lán)相液晶材料為藍(lán)相液晶聚合物。所述的藍(lán)相液晶層中間隔物為球形樹(shù)脂粉，直徑可選范圍Φ = 5 20μπι。所述的上、下玻璃基板依靠封邊框膠粘結(jié)在一起。所述的雙面IPS模式的藍(lán)相液晶顯示器所采用的起偏器和檢偏器均為相同型號(hào) 偏光片。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比有如下的有益效果；本發(fā)明設(shè)計(jì)的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器的特點(diǎn)是使用新設(shè)計(jì)的DS-IPS電極結(jié)構(gòu)， 利用上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極間隙的水平電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電 極上方區(qū)域的藍(lán)相液晶分子，使其實(shí)現(xiàn)了雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器比驅(qū)動(dòng)電壓較低的傳統(tǒng) IPS藍(lán)相液晶顯示器透過(guò)率提高25%以上(> 85% )，比透過(guò)率較高的傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯 示器驅(qū)動(dòng)電壓下降25%以上的目的，同時(shí)雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器的響應(yīng)速度與傳統(tǒng)IPS 藍(lán)相液晶顯示器的響應(yīng)速度相同。


圖1是本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2 (a)是傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器亮態(tài)時(shí)電場(chǎng)線分布；(b)是本發(fā)明雙面IPS藍(lán) 相液晶顯示器亮態(tài)時(shí)電場(chǎng)線分布。圖3是實(shí)施例1中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶 顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為ι μ m，電極間距均為1 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參 數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖4是實(shí)施例1中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(a)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示 器(b)在電極寬度均為Iy m，電極間距均為1 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參數(shù)和液晶 層厚度，兩者的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖5是實(shí)施例2中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶 顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為ι μ m，電極間距均為2 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參 數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖6是實(shí)施例2中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(a)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示 器(b)在電極寬度均為Iy m，電極間距均為2 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參數(shù)和液晶 層厚度，兩者的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖7是實(shí)施例3中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為2 μ m，電極間距均為lym，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參 數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖8是實(shí)施例3中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(a)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示 器(b)在電極寬度均為2 μ m，電極間距均為1 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參數(shù)和液晶 層厚度，兩者的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖9是實(shí)施例4中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶 顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為2 μ m，電極間距均為2 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參 數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖10是實(shí)施例4中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(a)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯 示器(b)在電極寬度均為2 μ m,電極間距均為2 μ m,且具有相同的藍(lán)相液晶材料參數(shù)和液 晶層厚度，兩者的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖11是實(shí)施例5中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為3 μ m，電極間距均為2 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖12是實(shí)施例5中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(a)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯 示器(b)在電極寬度均為3 μ m,電極間距均為2 μ m,且具有相同的藍(lán)相液晶材料參數(shù)和液 晶層厚度，兩者的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖13是實(shí)施例6中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為3 μ m，電極間距均為3 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖14是實(shí)施例6中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(a)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯 示器(b)在電極寬度均為3μπι，電極間距均為3μπι，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參數(shù)和液 晶層厚度，兩者的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖15是實(shí)施例7中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為4 μ m，電極間距均為3 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖16是實(shí)施例7中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(a)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯 示器(b)在電極寬度均為4 μ m，電極間距均為3 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參數(shù)和液 晶層厚度，兩者的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖17是實(shí)施例8中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為4 μ m，電極間距均為4 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖18是實(shí)施例8中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(a)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯 示器(b)在電極寬度均為4 μ m，電極間距均為4 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料參數(shù)和液 晶層厚度，兩者的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖19是實(shí)施例9中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為1 μ m，電極間距均為4 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖20是實(shí)施例10中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為1 μ m，電極間距均為5 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖21是實(shí)施例11中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為2 μ m，電極間距均為5 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖22是實(shí)施例12中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為1 μ m，電極間距均為6 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。圖23是實(shí)施例13中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器(虛線)和本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器(實(shí)線)在電極寬度均為2 μ m，電極間距均為6 μ m，且具有相同的藍(lán)相液晶材料 參數(shù)和液晶層厚度，兩者的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例1本發(fā)明的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器的結(jié)構(gòu)為(如圖1)本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器包括(從下到上的順序)起偏器1、下玻璃基板 2、下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極3和4、下絕緣層5、封邊框膠6、間隔物7、藍(lán)相液晶層8、 上絕緣層9、上玻璃基本內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極10和11、上玻璃基板12、檢偏器13。本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器中要求上玻璃基板內(nèi)表面的條狀I(lǐng)TO電極10和 11分別位于下玻璃基板內(nèi)表面兩條相鄰條狀I(lǐng)TO電極3和4間隙中心位置上方。上玻璃基 板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極11和12與下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極3和4的電極寬度、電 極間距是相同的。本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器中下絕緣層5和上絕緣層9之間充滿藍(lán)相液晶層 8，并在藍(lán)相液晶層8內(nèi)放置直徑為10 μ m的間隔物7來(lái)控制液晶層的厚度。絕緣層為二氧 化硅絕緣層，厚度比條狀I(lǐng)TO電極的厚度要大。本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器中的下玻璃基板2和上玻璃基板12依靠封邊框 膠6粘結(jié)在一起。本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器樣品盒制作方法，按照以下步驟制作步驟1，分別在上、下玻璃基板刻蝕出條狀I(lǐng)TO電極圖形。先分別在上、下ITO導(dǎo)電玻璃上涂覆感光膠，再覆蓋光刻掩膜版(光刻掩膜版是在 膠片上制成與電極圖形對(duì)應(yīng)的黑白圖案，曝光時(shí)使透明區(qū)光刻膠在光的作用下起反應(yīng))。光 刻掩膜版時(shí)，先在下掩膜版光刻出寬度1 μ m、間距1 μ m的區(qū)域，然后在上掩膜版對(duì)應(yīng)下掩 膜版光刻出的電極間距中心位置光刻出寬度ι μ m的圖案。然后再通過(guò)紫外光進(jìn)行照射，對(duì) ITO電極層進(jìn)行選擇性化學(xué)腐蝕，從而在上、下ITO導(dǎo)電玻璃上得到與上、下掩膜版完全對(duì) 應(yīng)的圖形。步驟2，下玻璃基板噴灑間隔物(球形樹(shù)脂粉)，上玻璃基板印刷封邊框膠和導(dǎo)電 膠。在下玻璃基板上用噴粉機(jī)噴灑直徑為10 μ m的球形樹(shù)脂粉，形成較均勻分布，來(lái) 控制上、下玻璃基板的間距，上玻璃基板采用絲網(wǎng)印刷方法來(lái)絲印邊框膠和導(dǎo)電膠，用來(lái)控制所制作藍(lán)相液晶顯示器件的大小和導(dǎo)通上下基板之間的公共電極。步驟3，上、下玻璃基板貼合并將邊框膠固化。在對(duì)位貼合機(jī)上將上、下玻璃基板進(jìn)行對(duì)位貼合，使用熱固化方法在200°C左右將 邊框膠固化，形成藍(lán)相液晶空盒。步驟4，配制所需要的藍(lán)相液晶材料(J.Yan，etal，Appl. Phys. Lett.，V. 96， 071105,2010)。將向列相液晶(49wt%Mreck BL038)，手性劑(21% Merck CB15 和 6% ZLI-4572) 和預(yù)聚物(9% EHA和15% RM257)混合均勻，然后在紫外光下照射，逐漸地在藍(lán)相缺陷位置 形成聚合物，該聚合物具有跟藍(lán)相液晶類(lèi)似的空間結(jié)構(gòu)，聚合物可以使藍(lán)相液晶處于一個(gè) 穩(wěn)定的狀態(tài)。步驟5，灌注配制好的藍(lán)相液晶材料并封口。將空盒放置在抽真空的液晶灌注密閉室內(nèi)，盒中的氣體由封口處抽出，然后使注 入孔(密封邊框的缺口)接觸配置好的藍(lán)相液晶，藍(lán)相液晶材料參數(shù)ε 〃 = 37，ε ±= 4， η0 = 1. 4744，ne = 1. 7744，K = 1. 268nm/V2 ( λ = 550nm)。利用毛細(xì)現(xiàn)象，就可將空盒的大 部分容積注入藍(lán)相液晶材料，再向液晶灌注室內(nèi)充入經(jīng)過(guò)充分干燥的氬氣和氮?dú)獾榷栊詺?體，利用惰性氣體的壓力使藍(lán)相液晶材料完全充滿液晶盒。采用密封膠粘接封口，通過(guò)冷凍 的方法，讓封口膠恰當(dāng)?shù)厥湛s帶入封口內(nèi)，再用紫外光照射固化。步驟6，紫外光照射藍(lán)相液晶，使藍(lán)相液晶層中的聚合物單體聚合?？刂谱贤夤庹丈鋸?qiáng)度和角度，對(duì)藍(lán)相液晶層中的聚合物單體進(jìn)行聚合，形成藍(lán)相 液晶中的聚合物疇線，對(duì)藍(lán)相液晶的螺旋結(jié)構(gòu)進(jìn)行固定，從而獲得寬溫度范圍的藍(lán)相狀態(tài)。步驟7，清洗玻璃表面并在藍(lán)相液晶盒上、下玻璃基板上貼上上、下偏光片(即起 偏器和檢偏器)。將藍(lán)相液晶盒表面殘留的一些封口膠、藍(lán)相液晶材料和其他污物清除掉。然后就 可以貼上上、下偏光片了。起偏器和檢偏器均采用G1220DU型號(hào)偏光片，起偏器的方位角為 45°，檢偏器的方位角為135°，厚度為230 μ m。最后得到這種雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器。以上制作方法未述內(nèi)容為公知技術(shù)，具體可以參照由北京郵電大學(xué)出版社出版、 范志新編著的《液晶器件工藝基礎(chǔ)》。所得的藍(lán)相液晶顯示器的上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極與下玻璃基板內(nèi)表面 條狀I(lǐng)TO電極的電極寬度均為1 μ m,電極間距均為1 μ m ；藍(lán)相液晶層厚度為10 μ m，藍(lán)相液 晶材料參數(shù)為 ε " = 37，ε 丄=4，η。= 1· 4744，ne = 1· 7744，K = 1. 268nm/V2 ( λ = 550nm)。 起偏器和檢偏器均采用G1220DU型號(hào)偏光片。起偏器的方位角為45°，檢偏器的方位角為 135°。圖2 圖4是通過(guò)模擬軟件(TechWiz IXD三維模擬軟件)計(jì)算得到實(shí)施例1中 傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器與本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器的電場(chǎng)線分布圖、透過(guò)率與電 壓關(guān)系圖對(duì)比、透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。模擬中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器，在下玻璃基板內(nèi)表面兩條相鄰條狀I(lǐng)TO電極上 施加不同電壓(其中一條施加工作電壓，另外一條不施加電壓)；本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶 顯示器，分別在上、下玻璃基板內(nèi)表面兩條相鄰條狀I(lǐng)TO電極上施加不同電壓(其中一條施加工作電壓，另外一條不施加電壓)。圖2是通過(guò)模擬軟件計(jì)算得到傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器與本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器的電場(chǎng)線分布。圖2(a)是傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器，在下玻璃基板內(nèi)表面兩條相 鄰條狀I(lǐng)TO電極之間有電場(chǎng)線分布；圖2 (b)是本發(fā)明中的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器，在上、 下玻璃基板內(nèi)表面兩條相鄰條狀I(lǐng)TO電極之間都有電場(chǎng)線分布。圖3是通過(guò)模擬軟件計(jì)算得到傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器與本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器的透過(guò)率與電壓關(guān)系圖對(duì)比。傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器驅(qū)動(dòng)電壓為84V，透過(guò)率為 45. 6%;本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓為66V，透過(guò)率為92. 0%。本發(fā)明雙面 IPS藍(lán)相液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓比傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓降低了 21.4%，透 過(guò)率增加46.4%。圖4是通過(guò)模擬軟件計(jì)算得到傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器與本發(fā)明雙面IPS藍(lán)相液 晶顯示器的透光區(qū)域與不透光區(qū)域平面圖對(duì)比。圖4(b)中本發(fā)明藍(lán)相液晶顯示器的透光 區(qū)域占整體區(qū)域的比例比圖4(a)中傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器的透光區(qū)域占整體區(qū)域的比 例要大很多。實(shí)施例2-13雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器與傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器在不同電極寬度和電極間距 下的實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果見(jiàn)圖5 圖23和表1，其它同實(shí)施例1。圖5 圖18是對(duì)于驅(qū)動(dòng)電壓較 低的藍(lán)相液晶顯示器如實(shí)施例1-8所述，雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器的透過(guò)率比傳統(tǒng)IPS藍(lán) 相液晶顯示器的透過(guò)率增大30%以上(> 85% )；圖19 圖23是對(duì)于透過(guò)率較大的藍(lán)相 液晶顯示器如實(shí)施例9-13所述，雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓比傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶 顯示器的驅(qū)動(dòng)電壓降低25%以上。 本發(fā)明未述及之處適用于現(xiàn)有技術(shù)。表1
權(quán)利要求
一種雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器，其特征為該液晶顯示器包括起偏器、檢偏器、雙面IPS藍(lán)相液晶盒；其位置關(guān)系依次為起偏器、雙面IPS藍(lán)相液晶盒、檢偏器；光線依次通過(guò)起偏器、雙面IPS藍(lán)相液晶盒、檢偏器；所述的雙面IPS藍(lán)相液晶盒，在其上、下玻璃基板的內(nèi)表面有條狀氧化銦錫(ITO)電極，雙面IPS藍(lán)相液晶盒包括上玻璃基板、下玻璃基板、上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極、下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極、上絕緣層、下絕緣層、藍(lán)相液晶層、封邊框膠；其位置關(guān)系為上玻璃基板、上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極、上絕緣層、藍(lán)相液晶層、封邊框膠、下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極、下絕緣層、下玻璃基板；所述的雙面IPS藍(lán)相液晶盒，上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極的電極寬度、電極間距與下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極的電極寬度、電極間距是相同的；電極寬度可選范圍W＝1～4μm；電極間距可選范圍G＝1～6μm；上玻璃基板內(nèi)表面的條狀I(lǐng)TO電極位于下玻璃基板內(nèi)表面兩條相鄰條狀I(lǐng)TO電極間隙中心位置上方。
2.如權(quán)利要求1所述的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器，其特征為所述的雙面IPS藍(lán)相液晶 盒，上、下玻璃基板內(nèi)表面的條狀I(lǐng)TO電極分別鑲嵌在上、下絕緣層中。
3.如權(quán)利要求1所述的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器，其特征所述的藍(lán)相液晶層厚度的可 選范圍d = 5 20 μ m。藍(lán)相液晶層包括藍(lán)相液晶材料和間隔物。
4.如權(quán)利要求1所述的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器，其特征為所述的藍(lán)相液晶層中藍(lán)相 液晶材料為藍(lán)相液晶聚合物。
5.如權(quán)利要求1所述的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器，其特征為所述的藍(lán)相液晶層中間隔 物為球形樹(shù)脂粉，直徑范圍φ = 5 20 μ m。
6.如權(quán)利要求1所述的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器，其特征為所述的上、下玻璃基板依靠 封邊框膠粘結(jié)在一起。
7.如權(quán)利要求1所述的雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器，其特征為所述的雙面IPS模式的藍(lán) 相液晶顯示器所采用的起偏器和檢偏器均為相同型號(hào)偏光片。
全文摘要
本發(fā)明為一種雙面IPS藍(lán)相液晶顯示器。該液晶顯示器包括起偏器、檢偏器、雙面IPS藍(lán)相液晶盒；所述的雙面IPS藍(lán)相液晶盒，在其上、下玻璃基板的內(nèi)表面有條狀I(lǐng)TO電極。其中上玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極的電極寬度、電極間距與下玻璃基板內(nèi)表面條狀I(lǐng)TO電極的電極寬度、電極間距是相同的，上玻璃基板內(nèi)表面的條狀I(lǐng)TO電極位于下玻璃基板內(nèi)表面兩條相鄰條狀I(lǐng)TO電極間隙中心位置上方。本發(fā)明的DS-IPS電極結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了比驅(qū)動(dòng)電壓較低的傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器透過(guò)率提高25％以上(＞85％)，比透過(guò)率較高的傳統(tǒng)IPS藍(lán)相液晶顯示器驅(qū)動(dòng)電壓下降25％以上。
文檔編號(hào)G02F1/1339GK101976005SQ201010560578
公開(kāi)日2011年2月16日 申請(qǐng)日期2010年11月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月25日
發(fā)明者孫玉寶, 陳延青 申請(qǐng)人:河北工業(yè)大學(xué)