專(zhuān)利名稱(chēng)：曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法及測(cè)試圖形的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法及測(cè)試圖形。
背景技術(shù)：
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶體管液晶顯示器)因其體積小，功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD器件是由陣列玻璃基板和彩膜玻璃基板對(duì)合而形成的。在陣列基板中相互交叉地配置定義像素區(qū)域的柵極線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)，在各像素區(qū)域中配置像素電極和薄膜晶體管。將驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加到柵極線(xiàn)上，圖像數(shù)據(jù)通過(guò)信號(hào)線(xiàn)施加到像素電極。在彩膜基板上配置黑底，使光不能透過(guò)除了像素電極以外的區(qū)域，在各像素區(qū)域配置濾色層，在此基礎(chǔ)上在配置公共電極。在陣列基板和彩膜基板中充入液晶，通過(guò)上述的加載驅(qū)動(dòng)和信號(hào)的像素電極的電壓來(lái)控制液晶的偏轉(zhuǎn)來(lái)控制光線(xiàn)的強(qiáng)弱，配合彩膜基板的功能，在基板上顯示出所要表達(dá)的圖像。目前的TFT-LCD生產(chǎn)流程中，在各個(gè)工程結(jié)束的時(shí)候，都需要對(duì)同一層的各個(gè)曝光區(qū)域之間圖形的偏移量進(jìn)行檢測(cè)，以保證同一層各個(gè)曝光區(qū)域之間的圖形能夠?qū)崿F(xiàn)均勻的排列。其測(cè)試過(guò)程，如圖1所示，在對(duì)第一區(qū)域進(jìn)行曝光的時(shí)候，除了形成TFT-LCD圖形區(qū)域1之外，在圖形區(qū)域1周邊同時(shí)形成了一系列測(cè)試光刻膠圖形2，其圖形可以是矩形，圓形等圖形(如圖1 (a)所示)。然后對(duì)下一區(qū)域進(jìn)行曝光的時(shí)候，除了形成圖形區(qū)域3之外， 也會(huì)在上一次曝光形成的圖形區(qū)域1上再完成一次曝光，形成一個(gè)比圖形2略小的沒(méi)有光刻膠的區(qū)域4(如圖1(b)所示)。當(dāng)前后兩次曝光之間的偏移量在規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)之內(nèi)時(shí)，圖形4 會(huì)位于圖形2的區(qū)域之內(nèi)，二者形成完整的環(huán)形結(jié)構(gòu)。通過(guò)顯微鏡、照相機(jī)、圖像處理裝置等檢測(cè)該環(huán)形結(jié)構(gòu)上下左右的偏移量，判斷出工程偏移量的大小。但發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)對(duì)各曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)需要耗費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間，進(jìn)而無(wú)法實(shí)現(xiàn)玻璃基板的全檢，很容易發(fā)生漏檢而使不良品流入后續(xù)工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法及測(cè)試圖形，能夠快速和實(shí)時(shí)地對(duì)曝光區(qū)域之間圖形偏移量進(jìn)行檢測(cè)，提高不良檢出率與良率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案一種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法，包括通過(guò)兩次曝光和其他構(gòu)圖工藝得到至少一對(duì)具有特定位置關(guān)系的導(dǎo)電測(cè)試圖形；對(duì)至少一對(duì)導(dǎo)電測(cè)試圖形進(jìn)行電學(xué)特性檢測(cè)，若電學(xué)特性不符合所述特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若電學(xué)特性符合所述特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法，通過(guò)兩次曝光和其他構(gòu)圖工藝得到至少一對(duì)具有特定位置關(guān)系的導(dǎo)電測(cè)試圖形；對(duì)至少一對(duì)導(dǎo)電測(cè)試圖形進(jìn)行電學(xué)特性檢測(cè)，若電學(xué)特性不符合特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若電學(xué)特性符合特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格。利用電學(xué)特性檢測(cè)多次曝光的圖形的偏移量，能夠?qū)崿F(xiàn)快速與實(shí)時(shí)，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)針對(duì)基板的全檢，從而提高不良檢出率與良率。本發(fā)明還提供一種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形；所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形位于同一層，且所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形之間間隔規(guī)定距離相互絕緣。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形；該第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形位于同一層，且第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形之間間隔規(guī)定距離相互絕緣。這樣，可以通過(guò)向第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形加載電流來(lái)檢測(cè)曝光區(qū)域之間圖形偏移量，如果原來(lái)絕緣的兩個(gè)測(cè)試圖形仍然絕緣，說(shuō)明曝光區(qū)域之間圖形偏移量合格，如果兩個(gè)測(cè)試圖形導(dǎo)通，則說(shuō)明曝光區(qū)域之間圖形偏移量不合格。這種利用電學(xué)特性檢測(cè)多次曝光的圖形的偏移量， 能夠?qū)崿F(xiàn)快速與實(shí)時(shí)，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)針對(duì)基板的全檢，從而提高不良檢出率與良率。本發(fā)明還提供一種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形；所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形以規(guī)定的相對(duì)位置位于不同層，且所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形之間有絕緣層。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形；該第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形以規(guī)定的相對(duì)位置位于不同層，且第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形之間有絕緣層。這樣，可以通過(guò)向第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形加載電壓判斷兩測(cè)試圖形之間的電容變化來(lái)檢測(cè)曝光區(qū)域之間圖形偏移量，如果電容值與規(guī)定值之間的差值在規(guī)定范圍內(nèi)，則確定兩層的曝光圖形偏移量合格，若電容值與規(guī)定值之間的差值在規(guī)定范圍外，則確定兩層的曝光圖形偏移量不合格。這種利用電學(xué)特性檢測(cè)多次曝光的圖形的偏移量，能夠?qū)崿F(xiàn)快速與實(shí)時(shí)，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)針對(duì)基板的全檢，從而提高不良檢出率與良率。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)的示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法的流程框圖；圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法的流程框圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一測(cè)試圖形的形成示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二測(cè)試圖形的形成示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)試圖形的示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的基板的測(cè)試圖形的示意圖；圖8(a) (b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的測(cè)試圖形的示意圖；圖9為本發(fā)明又一實(shí)施例提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法的流程框圖；圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一、第二測(cè)試圖形的對(duì)應(yīng)關(guān)系示意圖一；圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一、第二測(cè)試圖形的對(duì)應(yīng)關(guān)系示意圖二。符號(hào)說(shuō)明1、第一區(qū)域 2、第一測(cè)試圖形 3、第二區(qū)域 4、第二測(cè)試圖形 6、第一測(cè)試圖形7、第二測(cè)試圖形8、連接端a、縱向間距b、橫向間距9、引腳10、引腳11、測(cè)試圖形12、基板101、第一區(qū)域201、第一區(qū)域1001、第一測(cè)試圖形 1002、第二測(cè)試圖形1101、第一測(cè)試圖形1102、第二測(cè)試圖形
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法，如圖2所示，包括S201、通過(guò)兩次曝光和其他構(gòu)圖工藝得到至少一對(duì)具有特定位置關(guān)系的導(dǎo)電測(cè)試圖形。S202、對(duì)至少一對(duì)導(dǎo)電測(cè)試圖形進(jìn)行電學(xué)特性檢測(cè)，若電學(xué)特性不符合該特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若電學(xué)特性符合該特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法，通過(guò)兩次曝光和其他構(gòu)圖工藝得到至少一對(duì)具有特定位置關(guān)系的導(dǎo)電測(cè)試圖形；對(duì)至少一對(duì)導(dǎo)電測(cè)試圖形進(jìn)行電學(xué)特性檢測(cè)，若電學(xué)特性不符合特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若電學(xué)特性符合特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格。利用電學(xué)特性檢測(cè)多次曝光的圖形的偏移量，能夠?qū)崿F(xiàn)快速與實(shí)時(shí)，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)針對(duì)基板的全檢，從而提高不良檢出率與良率。構(gòu)圖工藝通常包括薄膜沉積、光刻膠涂覆、曝光、顯影、薄膜刻蝕、光刻膠剝離等步馬聚ο本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法，以同層多次曝光的曝光偏移量檢測(cè)為例進(jìn)行說(shuō)明，如圖3所示，該方法步驟包括S301、在基板上形成導(dǎo)電薄膜和光刻膠層。S302、對(duì)光刻膠層的第一區(qū)域和其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，在該第一區(qū)域的周邊區(qū)域未被曝光的光刻膠圖案對(duì)應(yīng)至少一個(gè)第一測(cè)試圖形的圖案。具體的，如圖4所示，對(duì)第一區(qū)域1進(jìn)行曝光時(shí)，在該區(qū)域周邊(本實(shí)施例只舉例為右側(cè)邊)的上中、下、三處分別未被曝光的光刻膠圖案對(duì)應(yīng)三個(gè)鋸齒狀的第一測(cè)試圖形6 的圖案，其中，該測(cè)試圖形6的圖案還可以具有用于加載電流進(jìn)行檢測(cè)的連接端8。S303、對(duì)該光刻膠層的第二區(qū)域和其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，對(duì)應(yīng)第一測(cè)試圖形的圖案，間隔規(guī)定距離，在該第二區(qū)域的周邊區(qū)域未被曝光的光刻膠圖案對(duì)應(yīng)第二測(cè)試圖形的圖案，其中，第一測(cè)試圖形的圖案和第二測(cè)試圖形的圖案成對(duì)設(shè)置，并且，第二測(cè)試圖形的圖案與第一圖形的圖案不相接。具體的，在圖4的基礎(chǔ)上，如圖5所示，對(duì)同一光刻膠層的第二區(qū)域3進(jìn)行曝光時(shí)， 對(duì)應(yīng)第一測(cè)試圖形6的圖案，間隔規(guī)定距離，在該第二區(qū)域的周邊區(qū)域未被曝光的光刻膠圖案對(duì)應(yīng)“豐”字型的第二測(cè)試圖形7的圖案。同樣分為上、中、下三個(gè)，第二測(cè)試圖形7的圖案與第一測(cè)試圖形6的圖案組成一對(duì)。該第二測(cè)試圖形7的圖案也可以具有用于加載電流進(jìn)行檢測(cè)的連接端8。在此，第二測(cè)試圖形7的圖案與第一測(cè)試圖形6的圖案不相接，且二者橫向和縱向的間隔a、b均根據(jù)工藝標(biāo)準(zhǔn)制定。S304、對(duì)該基板進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離處理后，得到導(dǎo)電薄膜形成的相互絕緣的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形。針對(duì)測(cè)試圖形這部分區(qū)域，具體的，首先對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，去除掉被曝光的光刻膠部分，只剩下未被曝光的測(cè)試圖形圖案部分光刻膠；然后進(jìn)行刻蝕處理， 將未被光刻膠覆蓋的導(dǎo)電薄膜刻蝕掉，只剩下被光刻膠覆蓋的測(cè)試圖形圖案的導(dǎo)電薄膜部分；再進(jìn)行剝離處理，將導(dǎo)電薄膜部分測(cè)試圖形圖案上覆蓋的光刻膠剝離掉，從而得到相互絕緣的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形。S305、對(duì)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形加載電流進(jìn)行檢測(cè)，若第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形之間導(dǎo)通電流，則確定該第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形之間絕緣，則確定該第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格。具體的，當(dāng)前后兩次曝光工藝的偏移量在標(biāo)準(zhǔn)范圍之內(nèi)時(shí)，第一測(cè)試圖形6和第二測(cè)試圖形7之間相互絕緣，此時(shí)若在第一測(cè)試圖形6的連接端8上加載電流，則在第二測(cè)試圖形7的連接端8上應(yīng)該檢測(cè)不到電流，反之，若在第二測(cè)試圖形7的連接端8上加載電流，則在第一測(cè)試圖形6的連接端8上也應(yīng)該檢測(cè)不到電流。但如果兩次曝光工藝的偏移量不合格，超出標(biāo)準(zhǔn)范圍時(shí)，則得到的第一測(cè)試圖形6 和第二測(cè)試圖形7就會(huì)有某一部分發(fā)生重疊，導(dǎo)致第一測(cè)試圖形6和第二測(cè)試圖形7電連通。此時(shí)若在第一測(cè)試圖形6的連接端8上加載電流，則會(huì)在第二測(cè)試圖形7的連接端8上檢測(cè)到電流，反之，若在第二測(cè)試圖形7的連接端8上加載電流，則會(huì)在第一測(cè)試圖形6的連接端8上也檢測(cè)到電流。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法，在基板上通過(guò)兩次曝光，以及顯影、刻蝕、剝離處理得到特定的導(dǎo)電但相互絕緣的測(cè)試圖形，對(duì)該測(cè)試圖形加載電流進(jìn)行檢測(cè)，若原來(lái)絕緣的測(cè)試圖形相互導(dǎo)通，說(shuō)明兩曝光區(qū)域之間圖形偏移量不合格；若原來(lái)絕緣測(cè)試圖形仍然絕緣，則說(shuō)明兩曝光區(qū)域之間圖形偏移量合格。利用電流檢測(cè)同一層上各個(gè)曝光區(qū)域曝光圖形的偏移量，能夠快速和實(shí)時(shí)進(jìn)行檢測(cè)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)針對(duì)基板的全檢，從而提高不良檢出率與良率。另外，如圖6所示，還可以將第一區(qū)域1和第二區(qū)域3之間(本實(shí)施例只舉例為右側(cè)邊)的各個(gè)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形6電連接，同時(shí)對(duì)應(yīng)地將各個(gè)導(dǎo)電的第二測(cè)試圖形7也電連接。這樣，通過(guò)對(duì)任意一對(duì)第一測(cè)試圖形6和第二測(cè)試圖形7進(jìn)行電流檢測(cè)就能夠得知該第一區(qū)域1和第二區(qū)域3之間的曝光圖形偏移量情況，比上一實(shí)施例中分別檢測(cè)更加省時(shí)快捷。進(jìn)一步地，對(duì)于整個(gè)玻璃基板，還可以將其上的全部或部分第一測(cè)試圖形電連接， 并通過(guò)引線(xiàn)引到該基板的邊緣；同時(shí)對(duì)應(yīng)地將第二測(cè)試圖形電連接，并通過(guò)引線(xiàn)引到該基板邊緣。如圖7所示，分別將玻璃基板12上的橫向和縱向的各個(gè)測(cè)試圖形11的連接端電連接，并引出到該玻璃基板12的邊緣。其中，第一測(cè)試圖形可以全部電連接并引到玻璃基板12的邊緣引腳9處，也可以分別獨(dú)立引到玻璃基板12的邊緣引腳10處，其所實(shí)現(xiàn)的檢測(cè)功能是相同的。在玻璃基板12的邊緣處輸入電流，可以很方便地檢測(cè)出橫向和縱向曝光區(qū)域之間圖形偏移量情況，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了快速檢測(cè)，且更加方便。當(dāng)然，本實(shí)施例是將玻璃基板的部分測(cè)試圖形進(jìn)行連接為例進(jìn)行的說(shuō)明，也可以將所有測(cè)試圖形進(jìn)行連接，即將所有第一測(cè)試圖形6連接到一起并引到基板的邊緣，同時(shí)將所有第二測(cè)試圖形7也連接到一起并引到基板邊緣，利用電流進(jìn)行檢測(cè)。需要說(shuō)明的是，本實(shí)例所舉例的測(cè)試圖形6、7的圖案只是一個(gè)例子，本發(fā)明所指的測(cè)試圖形圖案并不限于此，可以在符合本發(fā)明主旨的前提下有很多變形。例如，如圖8 (a) 所示的間隔規(guī)定距離的凹凸互補(bǔ)圖形，或如圖8(b)所示的圓環(huán)套圓環(huán)圖形等。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法，以不同層多次曝光的曝光偏移量檢測(cè)為例進(jìn)行說(shuō)明。如圖9所示，該方法包括S901、在基板上形成第一導(dǎo)電薄膜和第一光刻膠層。S902、對(duì)第一光刻膠層的第一區(qū)域和其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，之后對(duì)該基板進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離處理后，在該第一區(qū)域的周邊區(qū)域得到至少一個(gè)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形。具體的，針對(duì)測(cè)試圖形這部分區(qū)域，與上述實(shí)施例相同，首先對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，去除掉被曝光的光刻膠部分，只剩下未被曝光的測(cè)試圖形圖案部分光刻膠; 然后進(jìn)行刻蝕處理，將未被光刻膠覆蓋的導(dǎo)電薄膜刻蝕掉，只剩下被光刻膠覆蓋的測(cè)試圖形圖案的導(dǎo)電薄膜部分；再進(jìn)行剝離處理，將導(dǎo)電薄膜部分測(cè)試圖形圖案上覆蓋的光刻膠剝離掉，從而得到至少一個(gè)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形。S903、在基板上形成第二導(dǎo)電薄膜和第二光刻膠層。S904、對(duì)第二光刻膠層的第一區(qū)域和其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，之后對(duì)該基板進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離處理后，在該第一區(qū)域的周邊得到對(duì)應(yīng)第一測(cè)試圖形的，與第一測(cè)試圖形成對(duì)的導(dǎo)電的第二測(cè)試圖形，其中，第二測(cè)試圖形與第一測(cè)試圖形之間有絕緣層。在此，該第二測(cè)試圖形的具體形成過(guò)程與第一測(cè)試圖形形成過(guò)程相同，不再贅述。具體的，此處第二測(cè)試圖形與第一測(cè)試圖形可以有兩種對(duì)應(yīng)關(guān)系第一種對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖10所示，第二層第一區(qū)域201的第二測(cè)試圖形1002與第一層第一區(qū)域101的第一測(cè)試圖形1001完全重疊，即初始時(shí)兩測(cè)試圖形重疊面積最大。
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第二種對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖11所示，第二層第一區(qū)域201的第二測(cè)試圖形1102與第一層第一區(qū)101域第一測(cè)試圖形1101完全不重疊，即初始時(shí)兩測(cè)試圖形重疊面積為0。需要說(shuō)明的是，在圖10和圖11中，省略了兩測(cè)試圖形之間的絕緣層。S905、檢測(cè)第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形之間的電容，若電容值與規(guī)定值之間的差值在規(guī)定范圍內(nèi)，則確定兩層的第一區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格，若電容值與規(guī)定值之間的差值在規(guī)定范圍外，則確定兩層的第一區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格。在此，針對(duì)不同層之間的多次曝光的偏移量檢測(cè)，由于各個(gè)導(dǎo)電薄膜之間都有絕緣層相互隔離，所以不能按照上述實(shí)施例中的方式進(jìn)行電流檢測(cè)。但是，當(dāng)各層之間的曝光區(qū)域圖形位置出現(xiàn)對(duì)位偏差的時(shí)候，第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形的相對(duì)位置就會(huì)發(fā)生變化，或相應(yīng)增大或減小兩測(cè)試圖形的重疊面積。由此可以利用電容來(lái)檢測(cè)兩光刻膠層曝光區(qū)域之間圖形偏移量。具體的，電容的計(jì)算公式為C = AS/d。其中，A為與介質(zhì)特性有關(guān)的參數(shù)，S為交疊面積，d為導(dǎo)電薄膜之間的距離。當(dāng)各層導(dǎo)電薄膜之間沒(méi)有交疊的時(shí)候，電容值是非常小的，基本上可以忽略。當(dāng)層間對(duì)位出現(xiàn)偏差，產(chǎn)生面積為S的交疊的時(shí)候，就可以測(cè)出這個(gè)時(shí)候的電容變化，從而判斷出是否產(chǎn)生對(duì)位偏差以及偏差的嚴(yán)重程度。例如，如圖10所示的第一種對(duì)應(yīng)關(guān)系，初始時(shí)第一測(cè)試圖形1001和第二測(cè)試圖形 1002重疊面積最大，即公式中S最大，初始能夠產(chǎn)生的電容最大(設(shè)規(guī)定值為A)。當(dāng)兩層曝光區(qū)域之間圖形偏移量沒(méi)有或微小時(shí)，兩測(cè)試圖形的重疊面積變化沒(méi)有或不大，則測(cè)量得到的電容值與規(guī)定值A(chǔ)很接近，即測(cè)量電容值與規(guī)定值A(chǔ)之間的差值在規(guī)定范圍內(nèi)，由此確定兩層曝光區(qū)域之間圖形偏移量合格。當(dāng)兩層曝光區(qū)域之間圖形偏移量較大時(shí)，兩測(cè)試圖形的重疊面積變化較大，則測(cè)量得到的電容值與規(guī)定值A(chǔ)之間的差值較大，超過(guò)規(guī)定范圍， 由此確定兩層曝光區(qū)域之間圖形偏移量不合格。圖11所示的第二種對(duì)應(yīng)關(guān)系，只是初始兩測(cè)試圖形重疊面積最小，其原理與第一種對(duì)應(yīng)關(guān)系相同，在此不再贅述。其中，各層之間的測(cè)試圖形是通過(guò)過(guò)孔圖形來(lái)連接的。另外，還可以將第一層的第一區(qū)域周邊的各個(gè)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形電連接；同時(shí)對(duì)應(yīng)地將第二層的第一區(qū)域周邊的各個(gè)導(dǎo)電的第二測(cè)試圖形電連接。這樣，通過(guò)對(duì)任意一對(duì)測(cè)試圖形進(jìn)行電容檢測(cè)就能夠得知該第一層和第二層之間圖形偏移量情況，比分別檢測(cè)更加省時(shí)快捷進(jìn)一步地，，對(duì)于整個(gè)玻璃基板，可以將第一層的全部或部分第一測(cè)試圖形電連接，并通過(guò)引線(xiàn)引到基板的邊緣；同時(shí)對(duì)應(yīng)地將第二層的全部或部分第二測(cè)試圖形電連接， 并通過(guò)引線(xiàn)引到基板的邊緣。這樣可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了快速檢測(cè)，且更加方便。需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中所舉的測(cè)試圖形1001、1002，1101、1102只是一個(gè)例子，本發(fā)明所指的測(cè)試圖形并不限于此，可以在符合本發(fā)明主旨的前提下有很多變形。例如，上下兩個(gè)測(cè)試圖形可以是凹凸互補(bǔ)的圖形或是圓環(huán)對(duì)應(yīng)相套圖形等。另外，本實(shí)施例提供的針對(duì)兩層多次曝光的偏移量檢測(cè)，可以單獨(dú)進(jìn)行，S卩，專(zhuān)門(mén)為本檢測(cè)特別設(shè)計(jì)測(cè)試圖形，測(cè)試圖形之間間既可以選擇上述第一種對(duì)應(yīng)關(guān)系也可以選擇第二種對(duì)應(yīng)關(guān)系?；蛘?，也可以重復(fù)利用以電流檢測(cè)偏移量時(shí)的測(cè)試圖形，即每一層都形成相同的用于電流檢測(cè)的測(cè)試圖形，在針對(duì)同層檢測(cè)之后，再進(jìn)行不同層之間的檢測(cè)，此時(shí)兩層之間的測(cè)試圖形為上述第一種對(duì)應(yīng)關(guān)系。相關(guān)的檢測(cè)圖形可以與上述的檢測(cè)圖形8相似，也可以是具有同樣原理的類(lèi)似圖6的圖形本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，如圖5所示，該測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域1、3周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形6和第二測(cè)試圖形7 ；該第一測(cè)試圖形6與第二測(cè)試圖形7位于同一層，且第一測(cè)試圖形6與第二測(cè)試圖形7之間間隔規(guī)定距離a、b相互絕緣。進(jìn)一步地，該第一測(cè)試圖形6和第二測(cè)試圖形7還可以分別包括用于加載電流的連接端8。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形；該第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形位于同一層，且第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形之間間隔規(guī)定距離相互絕緣。這樣，可以通過(guò)向第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形加載電流來(lái)檢測(cè)曝光區(qū)域之間圖形偏移量，如果原來(lái)絕緣的兩個(gè)測(cè)試圖形仍然絕緣，說(shuō)明曝光區(qū)域之間圖形偏移量合格，如果兩個(gè)測(cè)試圖形導(dǎo)通，則說(shuō)明曝光區(qū)域之間圖形偏移量不合格。這種利用電學(xué)特性檢測(cè)多次曝光的圖形的偏移量， 能夠?qū)崿F(xiàn)快速與實(shí)時(shí)，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)針對(duì)基板的全檢，從而提高不良檢出率與良率。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，如圖10所示，該測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域101、201周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形1001和第二測(cè)試圖形1002 ；該第一測(cè)試圖形1001與第二測(cè)試圖形1002以規(guī)定的相對(duì)位置位于不同層， 且第一測(cè)試圖形1001與第二測(cè)試圖形1002之間有絕緣層(圖中未表示)。進(jìn)一步度，該第一測(cè)試圖形1001和第二測(cè)試圖形1002還可以分別包括用于加載電壓的連接端(圖中未表示)。本發(fā)明提供的曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形；該第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形以規(guī)定的相對(duì)位置位于不同層，且第一測(cè)試圖形與第二測(cè)試圖形之間有絕緣層。這樣，可以通過(guò)向第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形加載電壓判斷兩測(cè)試圖形之間的電容變化來(lái)檢測(cè)曝光區(qū)域之間圖形偏移量，如果電容值與規(guī)定值之間的差值在規(guī)定范圍內(nèi)，則確定兩層的曝光圖形偏移量合格，若電容值與規(guī)定值之間的差值在規(guī)定范圍外，則確定兩層的曝光圖形偏移量不合格。這種利用電學(xué)特性檢測(cè)多次曝光的圖形的偏移量，能夠?qū)崿F(xiàn)快速與實(shí)時(shí)，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)針對(duì)基板的全檢，從而提高不良檢出率與良率。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法，其特征在于，包括通過(guò)兩次曝光和其他構(gòu)圖工藝得到至少一對(duì)具有特定位置關(guān)系的導(dǎo)電測(cè)試圖形；對(duì)至少一對(duì)導(dǎo)電測(cè)試圖形進(jìn)行電學(xué)特性檢測(cè)，若電學(xué)特性不符合所述特定位置關(guān)系， 則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若電學(xué)特性符合所述特定位置關(guān)系， 則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過(guò)兩次曝光和其他構(gòu)圖工藝得到至少一對(duì)具有特定位置關(guān)系的導(dǎo)電測(cè)試圖形，包括在基板上形成導(dǎo)電薄膜和光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層的第一區(qū)域和其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，在所述第一區(qū)域的周邊區(qū)域未被曝光的光刻膠圖案對(duì)應(yīng)至少一個(gè)第一測(cè)試圖形的圖案；對(duì)所述光刻膠層的第二區(qū)域和其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，對(duì)應(yīng)所述第一測(cè)試圖形的圖案， 間隔規(guī)定距離，在所述第二區(qū)域的周邊區(qū)域未被曝光的光刻膠圖案對(duì)應(yīng)第二測(cè)試圖形的圖案，其中，所述第一測(cè)試圖形的圖案和第二測(cè)試圖形的圖案成對(duì)設(shè)置，并且，所述第二測(cè)試圖形的圖案與所述第一圖形的圖案不相接；對(duì)所述基板進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離處理后，得到導(dǎo)電薄膜形成的相互絕緣的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對(duì)至少一對(duì)導(dǎo)電測(cè)試圖形進(jìn)行電學(xué)特性檢測(cè)，若電學(xué)特性不符合所述特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若電學(xué)特性符合所述特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格，包括對(duì)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形加載電流進(jìn)行檢測(cè)，若所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形之間導(dǎo)通電流，則確定所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形之間絕緣，則確定所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間的各個(gè)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形電連接，同時(shí)對(duì)應(yīng)地將各個(gè)導(dǎo)電的第二測(cè)試圖形電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的方法，其特征在于，將所述基板上的全部或部分第一測(cè)試圖形電連接，并通過(guò)引線(xiàn)引到所述基板的邊緣；同時(shí)對(duì)應(yīng)地將第二測(cè)試圖形電連接，并通過(guò)引線(xiàn)引到所述基板邊緣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過(guò)兩次曝光和其他構(gòu)圖工藝得到至少一對(duì)具有特定位置關(guān)系的導(dǎo)電測(cè)試圖形，包括在基板上形成第一導(dǎo)電薄膜和第一光刻膠層；對(duì)所述第一光刻膠層的第一區(qū)域和其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，之后對(duì)該基板進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離處理后，在所述第一區(qū)域的周邊區(qū)域得到至少一個(gè)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形；在基板上形成第二導(dǎo)電薄膜和第二光刻膠層；對(duì)所述第二光刻膠層的第一區(qū)域和其周邊區(qū)域進(jìn)行曝光，之后對(duì)該基板進(jìn)行顯影、刻蝕、剝離處理后，在所述第一區(qū)域的周邊區(qū)域得到對(duì)應(yīng)所述第一測(cè)試圖形的，與所述第一測(cè)試圖形成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第二測(cè)試圖形，其中，所述第二測(cè)試圖形與所述第一測(cè)試圖形之間有絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述對(duì)至少一對(duì)導(dǎo)電測(cè)試圖形進(jìn)行電學(xué)特性檢測(cè)，若電學(xué)特性不符合所述特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若電學(xué)特性符合所述特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格，包括檢測(cè)所述第一測(cè)試圖形和所述第二測(cè)試圖形之間的電容，若該電容值與規(guī)定值之間的差值在規(guī)定范圍內(nèi)，則確定兩層的第一區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格，若所述電容值與規(guī)定值之間的差值在規(guī)定范圍外，則確定兩層的第一區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，將各個(gè)導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形電連接；同時(shí)對(duì)應(yīng)地將各個(gè)導(dǎo)電的第二測(cè)試圖形電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，將全部或部分導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形電連接，并通過(guò)引線(xiàn)引到所述基板的邊緣；同時(shí)對(duì)應(yīng)地將全部或部分導(dǎo)電的第二測(cè)試圖形電連接，并通過(guò)引線(xiàn)引到所述基板的邊緣。
10.一種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，其特征在于，所述測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形；所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形位于同一層，且所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形之間間隔規(guī)定距離相互絕緣。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測(cè)試圖形，其特征在于，所述第一測(cè)試圖形和所述第二測(cè)試圖形分別包括用于加載電流的連接端。
12.—種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)測(cè)試圖形，其特征在于，所述測(cè)試圖形，包括位于曝光區(qū)域周邊區(qū)域的成對(duì)設(shè)置的導(dǎo)電的第一測(cè)試圖形和第二測(cè)試圖形；所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形以規(guī)定的相對(duì)位置位于不同層，且所述第一測(cè)試圖形與所述第二測(cè)試圖形之間有絕緣層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的測(cè)試圖形，其特征在于，所述第一測(cè)試圖形和所述第二測(cè)試圖形分別包括用于加載電壓的連接端。
全文摘要
本發(fā)明提供一種曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)方法及測(cè)試圖形，能夠快速和實(shí)時(shí)地對(duì)曝光區(qū)域之間圖形偏移量進(jìn)行檢測(cè)，提高不良檢出率與良率。包括通過(guò)兩次曝光和其他構(gòu)圖工藝得到至少一對(duì)具有特定位置關(guān)系的導(dǎo)電測(cè)試圖形；對(duì)至少一對(duì)導(dǎo)電測(cè)試圖形進(jìn)行電學(xué)特性檢測(cè)，若電學(xué)特性不符合所述特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量不合格；若電學(xué)特性符合所述特定位置關(guān)系，則確定兩次曝光區(qū)域之間的曝光圖形偏移量合格。本發(fā)明用于曝光區(qū)域之間圖形偏移量的檢測(cè)。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102243443SQ20101017593
公開(kāi)日2011年11月16日 申請(qǐng)日期2010年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月14日
發(fā)明者周偉峰, 明星, 郭建 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司