專利名稱：表面改性劑、疊層結(jié)構(gòu)體和其制法及包括其的晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例性實(shí)施方式涉及表面改性劑、疊層結(jié)構(gòu)體和包括該疊層結(jié)構(gòu)體的晶體管、以及制造該疊層結(jié)構(gòu)體的方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，已通過(guò)根據(jù)蒸發(fā)、濺射在基板上提供具有功能材料的薄膜和根據(jù)光刻法將 所述薄膜圖案化來(lái)實(shí)行制造微器件例如半導(dǎo)體器件、集成電路、或有機(jī)電致發(fā)光顯示器件 的方法。光刻法通常可通過(guò)如下實(shí)行在基板上形成用于圖案化的材料的薄膜；在所述薄 膜上形成光刻膠層；在用具有預(yù)定或給定圖案的光掩模覆蓋所述光刻膠層的同時(shí)將所述光 刻膠層曝光；用顯影溶液將所述光刻膠層顯影以提供光刻膠圖案；利用所述光刻膠圖案掩 模蝕刻所述薄膜；以及除去不合需要的區(qū)域以提供具有所需圖案的薄膜。然而，由于光刻法 是復(fù)雜的方法并且需要在潔凈室中實(shí)施，因此存在成本較高以及在能量和材料方面效率較 低的問(wèn)題。作為可供選擇的方法，已提出溶液方法例如印刷、滴落、卷對(duì)卷(roll-to-roll) 方法、或噴墨印刷作為圖案化方法，因?yàn)樗鋈芤悍椒梢韵鄬?duì)低的成本和使用相對(duì)少量 的能量實(shí)施。然而，所述溶液方法可為復(fù)雜的方法且難以提供精細(xì)的圖案。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實(shí)施方式提供表面改性劑、疊層結(jié)構(gòu)體和包括該疊層結(jié)構(gòu)體的晶體管、以 及制造該疊層結(jié)構(gòu)體的方法。示例性實(shí)施方式提供表面改性劑，通過(guò)該表面改性劑可不同 地控制其表面特性。示例性實(shí)施方式提供可使用所述表面改性劑不同地控制其表面特性的 疊層結(jié)構(gòu)體。示例性實(shí)施方式提供包括所述疊層結(jié)構(gòu)體的晶體管。示例性實(shí)施方式提供制 造疊層結(jié)構(gòu)體的方法，該疊層結(jié)構(gòu)體的表面特性可通過(guò)使用所述表面改性劑不同地控制。根據(jù)示例性實(shí)施方式，表面改性劑可包括由下面化學(xué)式1表示的化合物[化學(xué)式1]
<formula>formula see original document page 9</formula>其中，在上面化學(xué)式1中，L選自C1 C3tl亞烷基、C1 C3tl全氟亞烷基、由下面化學(xué)式Ia表示的連接體、芳 族基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合，[化學(xué)式la]<formula>formula see original document page 10</formula>其中，在上面化學(xué)式la中，A選自0、S、NR1, NHCO, SO2, C00、以及⑶，其中R1為氫或者C1 C3直鏈或支鏈烷 基，m為1 3的整數(shù)，和η為1 30的整數(shù)，X選自由下面化學(xué)式Ib 化學(xué)式Id表示的官能團(tuán)、SH、C0NH0H、C00H、OH、C0SH、 COSeH, SeH、SO3H, CN、氨基、以及氧膦基，[化學(xué)式lb]<formula>formula see original document page 10</formula>其中，在上面化學(xué)式Ib中，D1和D2彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及 0H,[化學(xué)式Ic]
<formula>formula see original document page 10</formula>
其中，在上面化學(xué)式Ic中，D3和D4彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OHX1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以 及NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且獨(dú)立地為C1 C3直鏈或支鏈烷基，和[化學(xué)式Id]
<formula>formula see original document page 10</formula>其中，在上面化學(xué)式Id中，D5 D7彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OHX1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以 及C1 C3直鏈或支鏈烷基，條件是D5 D7不同時(shí)為烷基。根據(jù)示例性實(shí)施方式，疊層結(jié)構(gòu)體可包括至少一個(gè)薄膜，所述薄膜包括選自由化 學(xué)式2 化學(xué)式5之一表示的基團(tuán)及其組合的基團(tuán)[化學(xué)式2]
<formula>formula see original document page 11</formula>其中，在上面化學(xué)式2中，L選自C1 C3tl亞烷基、C1 C3tl全氟亞烷基、由下面化學(xué)式Ia表示的連接體、芳 族基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合，[化學(xué)式la]
<formula>formula see original document page 11</formula>其中，在上面化學(xué)式Ia中，A選自0、S、NRnNHCO, SO2, C00、以及⑶，其中R1為氫或C1 C3直鏈或支鏈烷基， m為1 3的整數(shù)，和η為1 30的整數(shù)，V為通過(guò)將其上形成所述至少一個(gè)薄膜的表面的官能團(tuán)與選自以下的基團(tuán)結(jié)合 而形成的連接體由下面化學(xué)式Ib 化學(xué)式Id表示的官能團(tuán)、SH、C0NH0H、C00H、0H、C0SH、 COSeH, SeH、SO3H, CN、氨基、以及氧膦基，[化學(xué)式lb]
<formula>formula see original document page 11</formula>
其中，在上面化學(xué)式Ib中，D1和D2彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及 0H,[化學(xué)式Ic]
<formula>formula see original document page 11</formula>
其中，在上面化學(xué)式Ic中，D3和D4彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OHX1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以 及NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且獨(dú)立地為C1 C3直鏈或支鏈烷基，和
[化學(xué)式Id]<formula>formula see original document page 12</formula>其中，在上面化學(xué)式Id中，D5 D7彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OHXi C3直鏈或支鏈烷氧基、以 及Ci c3直鏈或支鏈烷基，條件是d5 D7不同時(shí)為烷基，[化學(xué)式3]
<formula>formula see original document page 12</formula>
其中，在上面化學(xué)式3中，L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和T為乙基或乙烯基，[化學(xué)式4]<formula>formula see original document page 12</formula>其中，在上面化學(xué)式4中，L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，[化學(xué)式5]<formula>formula see original document page 12</formula>其中，在上面化學(xué)式5中，L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和Z選自三唑基團(tuán)、苯并三唑基 團(tuán)、咪唑基團(tuán)、苯并咪唑基團(tuán)、四唑基團(tuán)、吡啶基團(tuán)、吡唑基團(tuán)、異噁唑基團(tuán)、以及吲嗪酮 (indolizinone)基團(tuán)。
所述至少一個(gè)薄膜可包括第一和第二薄膜，所述第二薄膜在所述第一薄膜的表面上。所述第二薄膜可包括至少兩個(gè)具有彼此不同的表面特性的區(qū)域。所述第一薄膜可包括 無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料、或者無(wú)機(jī)材料與有機(jī)材料的復(fù)合材料。所述有機(jī)材料可包括塑料，和 所述無(wú)機(jī)材料可包括玻璃和金屬的至少一種。所述第一薄膜可包括選自以下的一種硅(Si)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、鋯 (Zr)、鉿(Hf)、鑭(La)、釓(Gd)、釔⑴、鈦(Ti)、其組合、以及其氧化物。所述第一和第二薄 膜可在基板上，所述基板由與所述第一薄膜相同的材料形成。所述至少兩個(gè)區(qū)域可包括第一和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域具有由化學(xué)式3表示的基團(tuán)和第二區(qū)域具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)。所述第一區(qū)域的表面可用H2等離子體處理， 和所述第二區(qū)域的表面可不用H2等離子體處理。所述至少兩個(gè)區(qū)域可包括第一和第二區(qū) 域，所述第一區(qū)域具有由化學(xué)式3表示的基團(tuán)和第二區(qū)域具有由化學(xué)式5表示的基團(tuán)。所述第二區(qū)域的表面可包括雜環(huán)化的表面，和所述第一區(qū)域包括非雜環(huán)化的表 面。所述疊層結(jié)構(gòu)體可進(jìn)一步包括在所述雜環(huán)化的第二區(qū)域上的金屬層，所述金屬層包括 選自以下的至少一種金屬銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫 (Sn)、銦(In)、鈷(Co)、鋁(Al)、鉬(Pt)、以及鈮(Nb)。所述疊層結(jié)構(gòu)體可進(jìn)一步包括與所述 非雜環(huán)化的第一區(qū)域結(jié)合的有機(jī)材料，所述有機(jī)材料包括并五苯、雜并苯(heteroacene)、 低聚噻吩、聚噻吩、聚亞苯基亞乙烯基和亞芳基碳二亞胺的至少一種。所述至少兩個(gè)區(qū)域可包括第一和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域具有由化學(xué)式4表示的 基團(tuán)和第二區(qū)域具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)。所述第一區(qū)域可包括經(jīng)UV光處理的表面和 所述第二區(qū)域包括非經(jīng)UV光處理的表面。所述至少兩個(gè)區(qū)域可包括第一和第二區(qū)域，所述 第一區(qū)域具有由化學(xué)式4表示的基團(tuán)和第二區(qū)域具有由化學(xué)式5表示的基團(tuán)。所述第二區(qū) 域的表面可包括雜環(huán)化的表面和所述第一區(qū)域可包括非雜環(huán)化的表面。根據(jù)示例性實(shí)施方式，晶體管可包括至少一個(gè)薄膜，所述薄膜具有包括由下面化 學(xué)式3和下面化學(xué)式4之一表示的基團(tuán)的第一區(qū)域和包括由下面化學(xué)式5表示的基團(tuán)的第 二區(qū)域；在所述第二區(qū)域上的金屬層；和在所述第一區(qū)域上的有機(jī)半導(dǎo)體。[化學(xué)式3]<formula>formula see original document page 13</formula>其中，在上面化學(xué)式3中，L選自C1 C3tl亞烷基、C1 C3tl全氟亞烷基、由下面化學(xué)式Ia表示的連接體、芳 族基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合，[化學(xué)式la]<formula>formula see original document page 13</formula>
其中，在上面化學(xué)式Ia中，A選自0、S、NR1, NHCO, SO2, C00、以及⑶，其中R1為氫或者C1 C3直鏈或支鏈烷基，m為1 3的整數(shù)，和η為1 30的整數(shù)，V為通過(guò)將其上形成所述至少一個(gè)薄膜的表面的官能團(tuán)與選自以下的基團(tuán)結(jié)合而形成的連接體下面化學(xué)式Ib 化學(xué)式Id表示的官能團(tuán)、SH、C0NH0H、C00H、OH、C0SH、 COSeH, SeH、SO3H, CN、氨基、以及氧膦基，[化學(xué)式lb]<formula>formula see original document page 14</formula>
其中，在上面化學(xué)式Ib中，D1和D2彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及0H,[化學(xué)式Ic]<formula>formula see original document page 14</formula>
其中，在上面化學(xué)式Ic中，D3和D4彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OHX1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且獨(dú)立地為C1 C3直鏈或支鏈烷基，和[化學(xué)式Id]<formula>formula see original document page 14</formula>
其中，在上面化學(xué)式Id中，D5 D7彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OHX1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及C1 C3直鏈或支鏈烷基，條件是D5 D7不同時(shí)為烷基，和T為乙基或乙烯基，[化學(xué)式4]<formula>formula see original document page 15</formula>
其中，在上面化學(xué)式4中，L和V與在上面化學(xué)式3中所定義的相同，[化學(xué)式δ]<formula>formula see original document page 15</formula>
其中，在上面化學(xué)式5中，L和X’與在上面化學(xué)式3中所定義的相同，和Z選自三唑基團(tuán)、苯并三唑基團(tuán)、咪唑基團(tuán)、苯并咪唑基團(tuán)、四唑基團(tuán)、吡啶基團(tuán)、吡唑基團(tuán)、異噁唑基團(tuán)、以及吲嗪酮基團(tuán)。所述至少一個(gè)薄膜可包括第一和第二薄膜，所述第二薄膜在所述第一薄膜的表面上。所述第一和第二區(qū)域可具有彼此不同的表面特性。所述第一薄膜可包括無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料、或者無(wú)機(jī)材料與有機(jī)材料的復(fù)合材料。所述有機(jī)材料可包括塑料，和所述無(wú)機(jī)材料包括玻璃和金屬的至少一種。所述第一薄膜可包括選自以下的一種硅(Si)、鋁(Al)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鑭(La)、釓(Gd)、釔⑴、鈦(Ti)、其組合、以及其氧化物。所述第一和第二薄膜可在基板上，所述基板由與所述第一薄膜相同的材料形成。所述第一區(qū)域可具有由化學(xué)式3表示的基團(tuán)和所述第二區(qū)域可具有由化學(xué)式5表示的基團(tuán)。所述第二區(qū)域的表面可包括雜環(huán)化的表面和所述第一區(qū)域可包括非雜環(huán)化的表面。所述晶體管可進(jìn)一步包括在所述雜環(huán)化的第二區(qū)域上的金屬層，所述金屬層包括選自以下的至少一種金屬銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、鈷(Co)、鋁(Al)、鉬(Pt)、以及鈮(Nb)。所述晶體管可進(jìn)一步包括與所述非雜環(huán)化的第一區(qū)域結(jié)合的有機(jī)材料，所述有機(jī)材料包括并五苯、雜并苯、低聚噻吩、聚噻吩、聚亞苯基亞乙烯基和亞芳基碳二亞胺的至少一種。所述第一區(qū)域可具有由化學(xué)式4表示的基團(tuán)和所述第二區(qū)域可具有由化學(xué)式5表示的基團(tuán)。所述第二區(qū)域的表面可包括雜環(huán)化的表面和所述第一區(qū)域可包括非雜環(huán)化的表面。所述有機(jī)半導(dǎo)體可在柵電極上和柵絕緣層可在所述有機(jī)半導(dǎo)體與所述柵電極之間。所述晶體管可進(jìn)一步包括在所述有機(jī)半導(dǎo)體上的柵電極、以及在所述有機(jī)半導(dǎo)體與所述柵電極之間的柵絕緣層。所述金屬層可包括選自以下的至少一種金屬銅(Cu)、金(Au)、 銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、鈷(Co)、鋁(Al)、鉬(Pt)、以及鈮(Nb)。根據(jù)示例性實(shí)施方式，制造疊層結(jié)構(gòu)體的方法可包括形成具有選自由下面化學(xué) 式2 化學(xué)式5表示的基團(tuán)及其組合的基團(tuán)的至少一個(gè)薄膜，以及在所述至少一個(gè)薄膜的 第一區(qū)域上進(jìn)行表面處理，[化學(xué)式2]
<formula>formula see original document page 16</formula>
其中，在上面化學(xué)式2中，L選自C1 C3tl亞烷基、C1 C3tl全氟亞烷基、由下面化學(xué)式Ia表示的連接體、芳 族基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合，[化學(xué)式la]
(CH2)m-A士 *其中，在上面化學(xué)式Ia中，A選自0、5、殿1、朋0)、502、0)0、以及0)，其中R1為氫或C1 C3直鏈或支鏈烷基， m為1 3的整數(shù)，和η為1 30的整數(shù)，V為通過(guò)將其上形成所述至少一個(gè)薄膜的表面的官能團(tuán)與選自以下的基團(tuán)結(jié)合 而形成的連接體由下面化學(xué)式Ib 化學(xué)式Id表示的官能團(tuán)、SH、C0NH0H、C00H、0H、C0SH、 COSeH, SeH、SO3H, CN、氨基、以及氧膦基，[化學(xué)式lb]<formula>formula see original document page 16</formula>
其中，在上面化學(xué)式Ib中，D1和D2彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及 0H,[化學(xué)式Ic]<formula>formula see original document page 17</formula>其中，在上面化學(xué)式Ic中，D3和D4彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OHX1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以 及NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且獨(dú)立地為C1 C3直鏈或支鏈烷基，和[化學(xué)式Id]
<formula>formula see original document page 17</formula>
其中，在上面化學(xué)式Id中，D5 D7彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OHX1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以 及C1 C3直鏈或支鏈烷基，條件是D5 D7不同時(shí)為烷基，[化學(xué)式3]
<formula>formula see original document page 17</formula>
其中，在上面化學(xué)式3中，L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和T為乙基或乙烯基，[化學(xué)式4]
<formula>formula see original document page 17</formula>其中，在上面化學(xué)式4中，L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，[化學(xué)式5]
其中，在上面化學(xué)式5中，L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和Z選自三唑基團(tuán)、苯并三唑基團(tuán)、咪唑基團(tuán)、苯并咪唑基團(tuán)、四唑基團(tuán)、吡啶基團(tuán)、吡唑基團(tuán)、異噁唑基團(tuán)、以及吲嗪酮基團(tuán)。形成所述至少一個(gè)薄膜可包括在所述第一薄膜的表面上形成第二薄膜和可在所 述第二薄膜的第一區(qū)域上進(jìn)行所述表面處理。進(jìn)行所述表面處理可包括使所述第二薄膜的 第一區(qū)域暴露于氏等離子體或紫外(UV)光。所述方法可進(jìn)一步包括在進(jìn)行所述表面處理 之后將所述第二薄膜的未進(jìn)行所述表面處理的第二區(qū)域雜環(huán)化。將所述第二薄膜的第二區(qū) 域雜環(huán)化可包括Huisgen 1,3-偶極環(huán)加成。所述方法可進(jìn)一步包括在基板上形成所述第一薄膜，所述基板由與所述第一薄膜 相同的材料形成?？墒褂醚谀⑺龅诙∧さ牡谝粎^(qū)域的表面暴露于H2等離子體，和所 述第二區(qū)域的表面可不暴露于H2等離子體，所述第一區(qū)域具有由化學(xué)式3表示的基團(tuán)和所 述第二區(qū)域具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)。所述方法可進(jìn)一步包括在所述雜環(huán)化的第二區(qū)域上形成金屬層，所述金屬層包括 選自以下的至少一種金屬銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫 (Sn)、銦(In)、鈷(Co)、鋁(A1)、鉬(Pt)、以及鈮(Nb)。可使用掩模將所述第一區(qū)域的表面 暴露于紫外(UV)光和所述第二區(qū)域的表面可不暴露于UV光，所述第一區(qū)域具有由化學(xué)式4 表示的基團(tuán)和所述第二區(qū)域具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)。在下文中，詳細(xì)地描述示例性實(shí) 施方式的進(jìn)一步的方面。


從結(jié)合附圖考慮的下面的詳細(xì)描述，將更清楚地理解示例性實(shí)施方式。圖1 11C 表示本文中所描述的非限制性的示例性實(shí)施方式。圖1 4是根據(jù)示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu)體的橫截面圖。圖5 (a) 5(c)以及圖6(a) 6 (c)是顯示根據(jù)示例性實(shí)施方式的制造疊層結(jié)構(gòu) 體的方法的示意性橫截面圖。圖7 8是根據(jù)示例性實(shí)施方式的晶體管的示意性橫截面圖。圖9顯示實(shí)施例1中在H2等離子體處理之前和之后的拉曼光譜。圖10A是顯示由實(shí)施例2獲得的疊層結(jié)構(gòu)體中的銅(Cu)沉積特性的結(jié)果的光學(xué) 照片。圖10B是顯示由對(duì)比例1獲得的疊層結(jié)構(gòu)體中的銅(Cu)沉積特性的結(jié)果的光學(xué) 照片。圖11A是顯示由實(shí)施例4獲得的晶體管的IDS V^曲線的圖。圖11B是顯示由實(shí)施例3獲得的晶體管的IDS V^曲線的圖。
圖IlC是顯示由實(shí)施例5獲得的晶體管的Ids Ves曲線的圖。應(yīng)注意，這些圖意在說(shuō)明一些示例性實(shí)施方式中所利用的方法、結(jié)構(gòu)體和/或材 料的大致特性和對(duì)下面提供的書面描述進(jìn)行補(bǔ)充。然而，這些圖不是按比例的和可未精確 反映任何給定實(shí)施方式的精確的結(jié)構(gòu)或性能特性，并且不應(yīng)被解釋為是在限定或限制由示 例性實(shí)施方式所涵蓋的值或性質(zhì)的范圍。例如，為了清楚起見，可減小或夸大分子、層、區(qū)域 和/或結(jié)構(gòu)元件的相對(duì)厚度或定位。各個(gè)圖中類似或相同附圖標(biāo)記的使用意在說(shuō)明類似或 相同的元件或特征的存在。
具體實(shí)施例方式在下文中，在下面的示例性實(shí)施方式的詳細(xì)描述中更全面地描述示例性實(shí)施方 式，其中描述了一些但并非所有的示例性實(shí)施方式。示例性實(shí)施方式可以許多不同的形式 體現(xiàn)，并且不應(yīng)解釋為限于本文中所闡述的示例性實(shí)施方式；相反，提供示例性實(shí)施方式， 使得該公開內(nèi)容滿足可適用的法律要求。應(yīng)理解，當(dāng)一元件被稱為與另一元件“連接”或“結(jié)合”時(shí)，該元件可直接與所述另 一元件連接或結(jié)合，或者可存在中間元件。相反，當(dāng)一元件被稱為與另一元件“直接連接”或 “直接結(jié)合”時(shí)，則不存在中間元件。相同的標(biāo)記始終是指相同的元件。本文中所使用的術(shù) 語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)關(guān)聯(lián)的列舉項(xiàng)的任何和全部組合。應(yīng)理解，盡管術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等可在本文中用來(lái)描述不同的元件、組分、區(qū)域、 層和/或部分，但這些元件、組分、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)被這些術(shù)語(yǔ)所限制。這些術(shù)語(yǔ)僅 用來(lái)使一個(gè)元件、組分、區(qū)域、層或部分區(qū)別于另一元件、組分、區(qū)域、層或部分。因此，在不 背離示例性實(shí)施方式的教導(dǎo)的情況下，可將下面討論的第一元件、組分、區(qū)域、層或部分稱 為第二元件、組分、區(qū)域、層或部分。為了便于描述，在本文中可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)如“在……下方”、“在……下面”、 “下部”、“在……上面”、“上部”等來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與另外的元件或特征 的關(guān)系。應(yīng)理解，除圖中所示的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)還意在包括在使用或工作中的器件 的不同方位。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖中的器件，則描述為“在”其它元件或特征“下面”或“下方” 的元件將定向在其它元件或特征的“上面”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在……下面”可包括在…… 上面和在……下面兩種方位。器件可以其它方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位上)，并且 本文中所使用的空間相關(guān)的描述詞應(yīng)相應(yīng)的解釋。本文中所用的術(shù)語(yǔ)僅出于描述具體實(shí)施方式
的目的，而非意在限制示例性實(shí)施方 式。如本文中所使用的單數(shù)形式的“一個(gè)”、“一種”和“該”也意在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下 文清楚地另作說(shuō)明。還應(yīng)理解，當(dāng)用在本申請(qǐng)中時(shí)，術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”表示存在所 述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組分，但不排除存在或添加一種或多種其它的特征、 整體、步驟、操作、元件、組分和/或其集合。在本文中參照作為示例性實(shí)施方式的理想化實(shí)施方式(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的 橫截面圖描述示例性實(shí)施方式。照此，將預(yù)計(jì)到由于例如制造技術(shù)和/或公差而引起的所 述圖的形狀變化。因而，示例性實(shí)施方式不應(yīng)解釋為限于所圖示的區(qū)域的具體形狀，而是包 括由例如制造所造成的形狀上的偏差。例如，圖示為長(zhǎng)方形的植入?yún)^(qū)域通常具有圓形或曲 線特征和/或具有在其邊緣處的植入濃度梯度，而不是從植入?yún)^(qū)域到非植入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，由植入形成的掩埋區(qū)可在介于掩埋區(qū)和穿過(guò)其發(fā)生植入的表面之間的區(qū)域中造 成一些植入。因而，圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，并且它們的形狀不意在圖示器件 區(qū)域的實(shí)際形狀，且不意在限制示例性實(shí)施方式的范圍。除非另外定義，在本文中所使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))的含義與示 例性實(shí)施方式所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同。還應(yīng)理解，術(shù)語(yǔ)例如在常用 字典中定義的那些，應(yīng)被理解為其含義與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域背景中的含義一致，并且不進(jìn)行 理想化或過(guò)于形式的解釋，除非在本文中明確這樣定義。當(dāng)未提供定義時(shí)，本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“芳族基團(tuán)”是指C6 C3tl芳族官能團(tuán)，和 所述芳族基團(tuán)可任選地被C1 C7烷基取代；和術(shù)語(yǔ)“雜環(huán)基團(tuán)”是指C3 C3tl雜芳基、c3 C30雜環(huán)烷基、C3 C3tl雜環(huán)烯基、或C3 C3tl雜環(huán)炔基，其中術(shù)語(yǔ)“雜”是指在一個(gè)環(huán)中包括 1 3個(gè)選自N、0、S、Si和P的雜原子的化合物。術(shù)語(yǔ)“胺基團(tuán)”是指包括C1 C7烷基的 胺基團(tuán)，和術(shù)語(yǔ)“酰胺基團(tuán)”是指包括C1-C7烷基的酰胺基團(tuán)。另外，“*”是指連接相同或 不同原子或化學(xué)式的部分。根據(jù)示例性實(shí)施方式，可提供可包括由下面化學(xué)式1表示的化合物的表面改性 劑。[化學(xué)式1]
<formula>formula see original document page 20</formula>在上面化學(xué)式1中，L可選自C1 C3tl亞烷基、C1 C3tl全氟亞烷基、由下面化學(xué)式Ia表示的連接體、 芳族基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合。取決于L的鍵數(shù)，乙炔基可為復(fù) 數(shù)的。[化學(xué)式la]
<formula>formula see original document page 20</formula>在上面化學(xué)式la中，A可選自0、S、NR1、NHCO、SO2、C00、以及⑶，其中R1可為氫或C1 C3直鏈或支鏈 烷基，m可為1 3的整數(shù)，和η可為1 30的整數(shù)，和X可選自由下面化學(xué)式Ib 化學(xué)式1(1表示的官能團(tuán)、5!1、0^!10!1、0)0!1、0!1、0)5!1、 COSeH, SeH, SO3H, CN、氨基、以及氧膦基。[化學(xué)式lb]<formula>formula see original document page 21</formula>
在上面化學(xué)式Ib中，D1和D2可彼此相同或不同，并且可獨(dú)立地選自鹵素、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、 以及0H。[化學(xué)式Ic]
<formula>formula see original document page 21</formula>
在上面化學(xué)式Ic中，D3和D4可彼此相同或不同，并且可獨(dú)立地選自鹵素、OH、C1 (3直鏈或支鏈烷氧 基、以及NR2R3，其中R2和R3可彼此相同或不同，并且可獨(dú)立地為C1 C3直鏈或支鏈烷基。[化學(xué)式Id]
<formula>formula see original document page 21</formula>
在上面化學(xué)式Id中，D5 D7可彼此相同或不同，并且可獨(dú)立地選自鹵素、OH、C1 C3直鏈或支鏈烷氧 基、以及C1 C3直鏈或支鏈烷基，條件是D5 D7不可全部獨(dú)立地為烷基。在其中可施加外部刺激例如H2等離子體暴露的區(qū)域中，在由化學(xué)式1表示的化合 物的一個(gè)末端的乙炔基可選擇性地還原成乙基或乙烯基。另外，在可施加有外部刺激例如紫外光曝光的區(qū)域中，在由化學(xué)式1表示的化合 物的一個(gè)末端的乙炔基可選擇性地聚合，以變成由下面的化學(xué)式4a表示的官能團(tuán)。因此， 所述疊層結(jié)構(gòu)體的表面特性可選擇性地控制為不同的。[化學(xué)式4a]在上面化學(xué)式1中，L可為連接體并且起到將一個(gè)末端的乙炔基與另一末端的官 能團(tuán)X連接的作用。L的非限制性實(shí)例可如上所述。
在上面化學(xué)式1中，X起到將所述表面改性劑與基板或形成于該基板上的薄膜的 表面連接的作用。當(dāng)可在基板或形成于該基板上的薄膜上形成氧化物層時(shí)，X將所述表面 改性劑與所述氧化物層的表面連接。X可為可與金屬或金屬氧化物相容的官能團(tuán)，并且X的非限制性實(shí)例可如上所述。根據(jù)示例性實(shí)施方式，可提供薄膜，其可包括選自由化學(xué)式2 化學(xué)式5表示的基 團(tuán)和其組合的基團(tuán)。位于所述薄膜下面的表面可包括任何材料，例如，由玻璃、塑料、或有機(jī) 化合物制成的基板的表面，或者形成于所述基板上的另一薄膜的表面。所述薄膜的非限制 性實(shí)例可包括自組裝單分子層(單層，monolayer) (SAM)，但可不限于此。[化學(xué)式2]<formula>formula see original document page 22</formula>
在上面化學(xué)式5中，L和X’可與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和Z可選自三 唑基團(tuán)、苯并三唑基團(tuán)、咪唑基團(tuán)、苯并咪唑基團(tuán)、四唑基團(tuán)、吡啶基團(tuán)、吡唑基團(tuán)、異噁唑基 團(tuán)、以及吲嗪酮基團(tuán)。三唑基團(tuán)的非限制性實(shí)例可包括由下面化學(xué)式6表示的官能團(tuán)。<formula>formula see original document page 23</formula>在上面化學(xué)式6中，R可選自氫、Q C3(l烷基、芳族基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺 基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合。另外，R可通過(guò)進(jìn)一步包括如下的取代基而提高親水性羧酸基 團(tuán)、磷酸基團(tuán)、磺酸基團(tuán)、胺基團(tuán)、吖丙啶鐺基團(tuán)、或冠醚基團(tuán)。在下文中，參照?qǐng)D1 圖4描述疊層結(jié)構(gòu)體。圖1是顯示根據(jù)示例性實(shí)施方式的 疊層結(jié)構(gòu)體的橫截面圖。如圖1中所示，根據(jù)示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu)體可包括基板10、位于基板10上 的下層12、以及位于下層12上的上層14?；?0可包括無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料、或者無(wú)機(jī)材料與有機(jī)材料的復(fù)合材料。所述 有機(jī)材料可包括塑料，和所述無(wú)機(jī)材料可包括玻璃、硅(Si)或金屬。所述金屬的非限制性 實(shí)例可選自鋁(A1)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鑭(La)、釓(Gd)、釔(Y)、鈦(Ti)、和
其組合。下層12可包括選自以下的一種硅(Si)、鋁(A1)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(&)、鉿 (Hf)、鑭(La)、釓(Gd)、釔(Y)、鈦(Ti)、其組合、以及其氧化物。上層14可包括具有由化學(xué)式3表示的基團(tuán)的第一區(qū)域A1、以及具有由化學(xué)式2表 示的基團(tuán)的第二區(qū)域B。第一區(qū)域A1可為其中表面可通過(guò)將由化學(xué)式2表示的基團(tuán)暴露于 H2等離子體而處理的區(qū)域，和第二區(qū)域B可為其中表面可不處理的區(qū)域。由化學(xué)式2表示的基團(tuán)可包括在一個(gè)末端的乙炔基，和由化學(xué)式3表示的基團(tuán)可 包括在一個(gè)末端的乙基或乙烯基。乙炔基具有不同于乙基和乙烯基的特性。乙炔基在雜環(huán)化中具有改善的反應(yīng)性， 而乙基和乙烯基不參與雜環(huán)化。隨后，乙炔基可通過(guò)雜環(huán)化選擇性地轉(zhuǎn)變?yōu)殡s環(huán)基團(tuán)。因 此，所述疊層結(jié)構(gòu)體可具有至少兩個(gè)區(qū)域，其中表面特性可彼此不相同。圖2是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu)體的橫截面圖。省略與圖1中所示疊 層結(jié)構(gòu)體中相同的部分的描述。
CN 101799628 A
說(shuō) 明 書15/20頁(yè)
如圖2中所示，上層14可具有包括由化學(xué)式3表示的基團(tuán)的第一區(qū)域A1、以及包 括由化學(xué)式5表示的基團(tuán)的第二區(qū)域B。第二區(qū)域B可為雜環(huán)化的區(qū)域，和第一區(qū)域A1可 為未雜環(huán)化的區(qū)域。所述疊層結(jié)構(gòu)體可包括在由化學(xué)式5表示的基團(tuán)的一個(gè)末端的雜環(huán)基團(tuán)，和所述 疊層結(jié)構(gòu)體可包括在由化學(xué)式3表示的基團(tuán)的一個(gè)末端的乙基或乙烯基。所述雜環(huán)基團(tuán)具有不同于乙基和乙烯基的特性。所述雜環(huán)基團(tuán)可與金屬相容，從 而在其上選擇性地形成金屬層。由此，取決于表面特性的差異，所述疊層結(jié)構(gòu)體僅在預(yù)定或 給定區(qū)域上選擇性地形成金屬層。用于金屬層的金屬的非限制性實(shí)例可為選自以下的至少 一種金屬銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、 鈷(Co)、鋁(A1)、鉬(Pt)、以及鈮(Nb)。另一方面，乙基和乙烯基可與金屬較小的相容且與有機(jī)材料較大的相容，因此將 有機(jī)材料選擇性地結(jié)合到其上可為可能的。由此，所述疊層結(jié)構(gòu)體可利用表面特性的差異 僅在預(yù)定或給定區(qū)域上選擇性地形成有機(jī)材料。所述有機(jī)材料可包括任何有機(jī)低分子材料 或有機(jī)高分子材料，只要該材料具有半導(dǎo)體特性，并且其非限制性實(shí)例可包括并五苯、雜并 苯、低聚噻吩、聚噻吩、聚亞苯基亞乙烯基、以及亞芳基碳二亞胺。由此，給雜環(huán)基團(tuán)選擇性地提供親水材料和給乙基或乙烯基選擇性地提供疏水材 料可為可能的。另外，通過(guò)將雜環(huán)基團(tuán)的取代基變成強(qiáng)親水基團(tuán)來(lái)提高雜環(huán)基團(tuán)的親水性 可為可能的。圖3為說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu)體的橫截面圖。省略與圖1和圖2中 所示的疊層結(jié)構(gòu)體中相同的部分的描述。如圖3中所示，上層24可具有包括由化學(xué)式4表示的基團(tuán)的第一區(qū)域A2、以及包 括由化學(xué)式2表示的基團(tuán)的第二區(qū)域B。第一區(qū)域A2可為其中表面可通過(guò)將由化學(xué)式2表 示的基團(tuán)暴露于紫外(UV)光而處理的區(qū)域，和第二區(qū)域B可為其中表面可不處理的區(qū)域。 所述疊層結(jié)構(gòu)體可包括在由化學(xué)式2表示的基團(tuán)的一個(gè)末端的乙炔基、以及在由化學(xué)式4 表示的基團(tuán)的一個(gè)末端的由化學(xué)式4a表示的基團(tuán)。乙炔基具有不同于由化學(xué)式4a表示的 基團(tuán)的特性。因此，所述疊層結(jié)構(gòu)體具有不同的表面特性。由化學(xué)式4a表示的基團(tuán)具有與乙基或乙烯基類似的化學(xué)特性，和省略其描述。圖4是說(shuō)明根據(jù)示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu)體的橫截面圖。省略對(duì)與圖1 圖3 中所示疊層結(jié)構(gòu)體中相同的部分的描述。如圖4中所示，上層24可具有包括由化學(xué)式4表示的基團(tuán)的第一區(qū)域A2、以及包 括由化學(xué)式5表示的基團(tuán)的第二區(qū)域B。第二區(qū)域B可為雜環(huán)化的區(qū)域，和第一區(qū)域A2可 為可未雜環(huán)化的區(qū)域。因此，所述疊層結(jié)構(gòu)體具有不同的表面特性?？尚纬蓤D1 圖4中所示的疊層結(jié)構(gòu)體而沒有下層12。在示例性實(shí)施方式中，上 層14或24可直接形成于基板10上。由化學(xué)式1表示的化合物的官能團(tuán)X可包括于表面 改性劑中，并且可與存在于基板10表面中的官能團(tuán)結(jié)合以提供化學(xué)式2 5的X’。由于所述疊層結(jié)構(gòu)體具有不同的表面特性，因此同時(shí)或者在不同的時(shí)間在一個(gè)上 層上形成兩種不同的材料層可為可能的。形成不同的材料層的過(guò)程可以溶液方法實(shí)施。在 示例性實(shí)施方式中，所述疊層結(jié)構(gòu)體不需要提(bank)或額外的過(guò)程。由此，所述疊層結(jié)構(gòu) 體可應(yīng)用于要求利用半導(dǎo)體器件、電器件、生物芯片和生物傳感器領(lǐng)域中的薄膜的表面特性的差異進(jìn)行圖案化的各種領(lǐng)域中。在下文中，描述根據(jù)示例性實(shí)施方式制造疊層結(jié)構(gòu)體的方法。根據(jù)示例性實(shí)施方 式，制造疊層結(jié)構(gòu)體的方法可包括形成在其表面上包括由化學(xué)式2表示的基團(tuán)的薄膜，和 對(duì)所述薄膜的預(yù)定或給定區(qū)域進(jìn)行表面處理。所述表面和所述薄膜的描述可與上面的相 同，只要在下文中它們沒有不同地描述。在表面處理之后，所述方法可進(jìn)一步包括將所述薄膜中可不進(jìn)行表面處理的區(qū)域 雜環(huán)化。所述雜環(huán)化可為Huisgen 1，3_偶極環(huán)加成。在下文中，參照?qǐng)D5(a) 5 (c)和圖 6(a) 6(c)描述制造疊層結(jié)構(gòu)體的方法。圖5(a) 5 (c)是顯示根據(jù)示例性實(shí)施方式制造疊層結(jié)構(gòu)體的方法的橫截面圖。 參照?qǐng)D5(a)，可在基板10上形成下層12，和可在下層12上形成包括由化學(xué)式2表示的基 團(tuán)的上層14(S11)。在示例性實(shí)施方式中，可將形成有下層12的基板10浸入包括由化學(xué) 式1表示的化合物的表面改性劑中。當(dāng)在沒有下層的基板10上直接形成上層14時(shí)，可將 基板10浸入包括由化學(xué)式1表示的化合物的表面改性劑中?？赏ㄟ^(guò)使由化學(xué)式1表示的化合物中的官能團(tuán)X與下層12結(jié)合而提供上層14。 當(dāng)基板10上未形成下層12時(shí)，官能團(tuán)X可與基板10結(jié)合。隨后，在圖5(b)中，可使用掩模16將上層14的預(yù)定或給定區(qū)域暴露于H2等離子 體1 (S12)。當(dāng)將所述預(yù)定或給定區(qū)域暴露于H2等離子體1時(shí)，上層14可分為未進(jìn)行表面 處理的第二區(qū)域B和已進(jìn)行表面處理的第一區(qū)域A1。在第一區(qū)域A1上，由化學(xué)式2表示的基團(tuán)可轉(zhuǎn)變?yōu)橛苫瘜W(xué)式3表示的基團(tuán)。由此， 在圖5(c)中，提供包括由化學(xué)式2表示的基團(tuán)和由化學(xué)式3表示的基團(tuán)的上層14可為可 能的(S13)。當(dāng)對(duì)第二區(qū)域B進(jìn)行雜環(huán)化時(shí)，存在于由化學(xué)式2表示的基團(tuán)的一個(gè)末端中的乙 炔基參與反應(yīng)。當(dāng)將由化學(xué)式2表示的基團(tuán)雜環(huán)化時(shí)，由化學(xué)式2表示的基團(tuán)可轉(zhuǎn)變?yōu)橛?化學(xué)式5表示的基團(tuán)。由于所獲得的上層14具有不同的表面特性，因此在預(yù)定或給定區(qū)域上實(shí)施選 擇性的雜環(huán)化可為可能的?？捎萌芤悍椒ㄟM(jìn)行所述雜環(huán)化。例如，可使第二區(qū)域B經(jīng)歷 Huisgen 1，3-偶極環(huán)加成?？赏ㄟ^(guò)用如下的混合溶液處理第二區(qū)域B進(jìn)行Huisgen 1，3_偶 極環(huán)加成N3R(其中，R可選自氫、(^ (3(|烷基、芳族基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯 基團(tuán)、和其組合，或者R可進(jìn)一步包括如下取代基以提高親水性羧酸基團(tuán)、磷酸基團(tuán)、磺酸 基團(tuán)、胺基團(tuán)、吖丙啶鐺基團(tuán)、或者冠醚基團(tuán))和Cul的混合溶液；或者N3R(其中，R可與上 述的相同)、CuBr2或CuS04、和抗壞血酸鈉的混合溶液。當(dāng)?shù)诙^(qū)域B經(jīng)歷Huisgen 1,3-偶極環(huán)加成時(shí)，由化學(xué)式2表示的基團(tuán)可轉(zhuǎn)變?yōu)?由化學(xué)式5表示的基團(tuán)。由化學(xué)式5表示的基團(tuán)的末端具有由化學(xué)式6表示的官能團(tuán)。由此，提供包括分別具有由化學(xué)式3表示的基團(tuán)和由化學(xué)式5表示的基團(tuán)的預(yù)定 或給定區(qū)域的上層14可為可能的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可熟知Huisgen 1，3_偶極環(huán)加成， 因此省略其詳細(xì)描述。圖6(a) 6 (c)是顯示根據(jù)示例性實(shí)施方式制造疊層結(jié)構(gòu)體的方法的橫截面圖。 圖6 (a) 6(c)中所示制造疊層結(jié)構(gòu)體的方法可與圖5(a) 5 (c)中所示制造疊層結(jié)構(gòu)體 的方法類似，但表面處理步驟可不同。省略與圖5(a) 5(c)中所示制造疊層結(jié)構(gòu)體相同的過(guò)程的描述，和所述兩種方法之間的不同過(guò)程可描述如下。如上所述，在圖6 (a)中，可在基板10上形成下層12，和可在下層12上形成包括由 化學(xué)式2表示的基團(tuán)的上層24(S21)。在圖6(b)中，用掩模16將上層24的預(yù)定或給定區(qū)域暴露于紫外(UV)光2。當(dāng)將 所述預(yù)定或給定區(qū)域暴露于紫外(UV)光2時(shí)，所述預(yù)定或給定區(qū)域可分成可進(jìn)行表面處理 的第一區(qū)域A2和可不進(jìn)行表面處理的第二區(qū)域B。當(dāng)在由化學(xué)式2表示的基團(tuán)的一個(gè)末端的乙炔基暴露于紫外(UV)光2時(shí)，乙炔基 可通過(guò)自由基反應(yīng)而聚合以使第一區(qū)域A2的由化學(xué)式2表示的基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橛苫瘜W(xué)式4表 示的基團(tuán)。由此，在圖6(c)中，提供包括分別具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)和由化學(xué)式4表示 的基團(tuán)的預(yù)定或給定區(qū)域的上層24可為可能的(S23)。隨后，可將第二區(qū)域B雜環(huán)化。由于可存在于由化學(xué)式4表示的基團(tuán)的末端中的 由化學(xué)式4a表示的官能團(tuán)對(duì)于雜環(huán)化不具有反應(yīng)性，因此可用溶液方法進(jìn)行該雜環(huán)化。由此，提供包括分別具有由化學(xué)式4表示的基團(tuán)和由化學(xué)式5表示的基團(tuán)的預(yù)定 或給定區(qū)域的上層24可為可能的。結(jié)果，在所述疊層結(jié)構(gòu)體上選擇性地設(shè)置不同的材料可 為可能的。在下文中，描述根據(jù)示例性實(shí)施方式的晶體管。根據(jù)示例性實(shí)施方式的晶體管可 包括表面；位于該表面上并且具有包括由化學(xué)式3表示的基團(tuán)或由下面的化學(xué)式4表示 的基團(tuán)的第一區(qū)域、以及包括由下面的化學(xué)式5表示的基團(tuán)的第二區(qū)域的薄膜；位于所述 第二區(qū)域上的金屬層；以及位于所述第一區(qū)域上的有機(jī)半導(dǎo)體。所述表面和所述薄膜的描 述可與上面的相同，如果在下文中它們沒有不同地描述。所述金屬層可包括選自以下的至少一種金屬銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Mo)、 鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、鈷(Co)、鋁(A1)、鉬(Pt)、以及鈮(Nb)，但可不 限于此。根據(jù)示例性實(shí)施方式，所述晶體管可包括位于所述有機(jī)半導(dǎo)體下面的柵電極、以 及位于所述有機(jī)半導(dǎo)體與所述柵電極之間的柵絕緣層。圖7是顯示晶體管的示意性橫截面圖。參照?qǐng)D7，晶體管可具有形成于基板30上 的柵電極31?？尚纬上聦?2以覆蓋柵電極31。下層32可為氧化物層。另外，下層32可 為柵絕緣層?？稍谙聦?2上形成上層34。上層34可為自組裝單分子層?？稍谏蠈?4上 的一些區(qū)域上形成源電極33和漏電極35，和可在剩余區(qū)域上形成有機(jī)半導(dǎo)體37。上層34可具有對(duì)于金屬的選擇性結(jié)合特性。因此，可在上層34上形成各種金屬， 例如金(Au)、銀(Ag)和銅(Cu)，和所述金屬可用于源電極33和漏電極35。當(dāng)金(Au)、銀 (Ag)和銅(Cu)用于源電極33和漏電極35時(shí)，其功函值可與有機(jī)半導(dǎo)體的功函值類似，由 此改善電荷轉(zhuǎn)移特性。根據(jù)示例性實(shí)施方式，晶體管可包括位于有機(jī)半導(dǎo)體上的柵電極、以位于有機(jī)半 導(dǎo)體和柵電極之間的柵絕緣層。圖8是顯示所述晶體管的示意性橫截面圖。參照?qǐng)D8，可在基板40上設(shè)置晶體管的下層42。下層42可為氧化物層。可在下 層42上形成上層44。上層44可為自組裝單分子層?？稍谏蠈?4的一些區(qū)域上形成源電 極43和漏電極45，和可在剩余區(qū)域上形成有機(jī)半導(dǎo)體47?？稍诎ㄔ措姌O43、有機(jī)半導(dǎo)體47和漏電極45的整個(gè)表面上形成柵絕緣層49。可在柵絕緣層49上形成柵電極41。根據(jù)示例性實(shí)施方式的晶體管可為薄膜晶體管。在薄膜晶體管的情況下，所述薄 膜可具有幾納米至幾微米的厚度。在使用根據(jù)示例性實(shí)施方式的上層作為自組裝單分子層 的情況下，其效果可與上面的相同。在下文中，可參照實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明示例性實(shí)施方 式。然而，它們是示例性實(shí)施方式并且不是限制性的。實(shí)施例實(shí)施例1制造疊層結(jié)構(gòu)體可根據(jù)熱處理在硅晶片(Si晶片)的表面上形成氧化硅層。該氧化硅層具有300人 的厚度。可將形成有氧化硅層的硅晶片浸入其中400iU7-辛炔基三氯硅烷可溶解在 200mL己烷中的溶液中20分鐘。結(jié)果，可在硅晶片的氧化硅層上形成7-辛炔基三氯甲硅烷 基的自組裝單分子層?？墒褂醚谀?duì)形成有所述自組裝單分子層的硅晶片進(jìn)行吐等離子體處理。在用 吐等離子體處理暴露區(qū)域上，端乙炔基可大部分地轉(zhuǎn)變?yōu)橐一筒糠值剞D(zhuǎn)變?yōu)橐蚁┗D9顯示在H2等離子體處理之前和之后的拉曼光譜。在圖9中，A是指在等離子 體處理之前的拉曼光譜，和B是指在等離子體處理之后的拉曼光譜。如圖9中所示，代表在H2等離子體處理之前發(fā)現(xiàn)的三鍵的約2150cm—1的C_C伸縮 峰在H2等離子體處理之后可減弱。而約2900CHT1的C-H伸縮峰可增強(qiáng)。因此，曝光部分的 乙炔基可轉(zhuǎn)變?yōu)橐一蛞蚁┗??？沙パ谀?，和可將硅晶片浸入其中可混?50mg NaN3、40 u g CuBr2和2. 4g抗壞 血酸鈉的200mL 二甲基甲酰胺溶液中24小時(shí)。由此，未暴露區(qū)域的端乙炔基可通過(guò)Huisgen 1，3_偶極環(huán)加成轉(zhuǎn)變?yōu)?，2，3_三唑基團(tuán)。由此，可提供根據(jù)示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu) 體。實(shí)施例2制造沉積銅(Cu)的疊層結(jié)構(gòu)體可根據(jù)熱蒸發(fā)方法以1. 0人/秒的沉積速率在由實(shí)施例1獲得的硅晶片的包括1， 2，3_三唑基團(tuán)的自組裝單分子層上沉積銅(Cu)。所述銅(Cu)具有700 A的沉積厚度。由 此，可提供沉積了銅(Cu)的疊層結(jié)構(gòu)體。對(duì)比例1制造沉積銅(Cu)的基板可根據(jù)熱處理方法在硅晶片的表面上形成氧化硅層。所獲得的氧化硅層具有 300 A的厚度?？筛鶕?jù)熱蒸發(fā)方法以1. 0人/秒的沉積速率在所述氧化硅層上沉積銅(Cu)。所述 銅(Cu)具有700 A的厚度。由此，提供沉積銅(Cu)的硅晶片。實(shí)施例3使用銅(Cu)制造薄膜晶體管可根據(jù)與實(shí)施例1和2中相同的方法制造沉積銅(Cu)的疊層結(jié)構(gòu)體，除了在可于 硅晶片(Si晶片)的表面上形成氧化硅層之前可在硅晶片的一部分上沉積摻雜有磷(P)的硅之外?？赏ㄟ^(guò)將并五苯蒸發(fā)在疊層結(jié)構(gòu)體中沒有沉積的銅(Cu)的區(qū)域上而制造具有圖 7中所示的結(jié)構(gòu)的晶體管。實(shí)施例4使用金(Au)制造晶體管可根據(jù)與實(shí)施例3中相同的方法制造具有圖7中所示結(jié)構(gòu)的晶體管，除了可使用 金(Au)代替銅(Cu)之外。實(shí)施例5使用銀(Ag)制造晶體管可根據(jù)與實(shí)施例3中相同的方法制造具有圖7中所示結(jié)構(gòu)的晶體管，除了可使用 銀(Ag)代替銅(Cu)之外。實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1比較銅(Cu)在基板上的沉積特件可將由實(shí)施例2獲得的硅晶片和由對(duì)比例1獲得的硅晶片各自浸入其中40mL己 烷可與200 u L 0TS混合的辛基三氯硅烷(0TS)溶液中20分鐘，并可將其取出以進(jìn)行干燥。 圖10A和10B顯示在干燥后拍攝的照片。圖10A可為實(shí)施例2的光學(xué)照片，和圖10B可為 對(duì)比例1的光學(xué)照片。如圖10A中所示，由實(shí)施例2獲得的疊層結(jié)構(gòu)體在0TS溶液處理期 間可不剝落，并且保持穩(wěn)定的銅(Cu)沉積狀態(tài)。由此，根據(jù)示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu)體 具有改善的銅(Cu)沉積特性。實(shí)驗(yàn)實(shí)施例2比較晶體管的特件使用由KEITHLEY制造的半導(dǎo)體表征系統(tǒng)(4200-SCS)測(cè)量裝置，可向由實(shí)施例3 和實(shí)施例4獲得的各晶體管施加-10V偏壓和-40V偏壓以測(cè)定所述晶體管的電流傳輸特 性。結(jié)果可示于圖11A、11B和11C中。圖11A、11B和11C可為顯示IDS_Vfe曲線的圖， 其中圖11A可為顯示分析由實(shí)施例4獲得的晶體管的特性的結(jié)果的圖，圖11B可為顯示分 析由實(shí)施例3獲得的晶體管的特性的結(jié)果的圖，和圖11C可為顯示分析由實(shí)施例5獲得的 晶體管的特性的結(jié)果的圖。在圖11A、11B和11C中，A表示其中可施加-40V偏壓的情況， 和B表示其中可施加-10V偏壓的情況。如圖11A、11B和11C中所示，具有銅(Cu)或銀(Ag)源電極和漏電極的晶體管的 特性可沒有顯著不同于具有金(Au)源電極和漏電極的晶體管的特性。因此，通過(guò)使用根據(jù)示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu)體在所述疊層結(jié)構(gòu)體上容易地沉 積銀(Ag)和銅(Cu)以及金(Au)可為可能的，和在使用它們作為晶體管的電極的兩者情況 下，特性均可改善。示例性實(shí)施方式的疊層結(jié)構(gòu)體可用在其中可利用表面圖案化技術(shù)將許多不同的 模板材料分開布置的有機(jī)薄膜電子器件，例如，薄膜晶體管(TFT)、光伏(PV)電池和/或傳 感器和/或生物芯片應(yīng)用中。盡管已關(guān)于目前可被認(rèn)為是實(shí)際的示例性實(shí)施方式的內(nèi)容描述了示例性實(shí)施方 式，但可理解，示例性實(shí)施方式可不限于所公開的示例性實(shí)施方式，而是相反，可意圖涵蓋 所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)所包括的各種變型和等價(jià)方案。
權(quán)利要求
表面改性劑，包括由下面的化學(xué)式1表示的化合物[化學(xué)式1]其中，在上面化學(xué)式1中，L選自C1～C30亞烷基、C1～C30全氟亞烷基、由下面化學(xué)式1a表示的連接體、芳族基團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合，[化學(xué)式1a]其中，在上面化學(xué)式1a中，A選自O(shè)、S、NR1、NHCO、SO2、COO、以及CO，其中R1為氫或者C1～C3直鏈或支鏈烷基，m為1～3的整數(shù)，和n為1～30的整數(shù)，X選自由下面化學(xué)式1b～化學(xué)式1d表示的官能團(tuán)、SH、CONHOH、COOH、OH、COSH、COSeH、SeH、SO3H、CN、氨基、以及氧膦基，[化學(xué)式1b]其中，在上面化學(xué)式1b中，D1和D2彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、C1～C3直鏈或支鏈烷氧基、以及OH，[化學(xué)式1c]其中，在上面化學(xué)式1c中，D3和D4彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OH、C1～C3直鏈或支鏈烷氧基、以及NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且獨(dú)立地為C1～C3直鏈或支鏈烷基，和[化學(xué)式1d]其中，在上面化學(xué)式1d中，D5～D7彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OH、C1～C3直鏈或支鏈烷氧基、以及C1～C3直鏈或支鏈烷基，條件是D5～D7不同時(shí)為烷基。FSA00000029922400011.tif,FSA00000029922400012.tif,FSA00000029922400013.tif,FSA00000029922400021.tif,FSA00000029922400022.tif
2.疊層結(jié)構(gòu)體，包括至少一個(gè)薄膜，其包括選自由化學(xué)式2 化學(xué)式5之一表示的基團(tuán)和其組合的基團(tuán) [化學(xué)式2]<formula>formula see original document page 3</formula>其中，在上面化學(xué)式2中，L選自C1 C3tl亞烷基、C1 C3tl全氟亞烷基、由下面化學(xué)式Ia表示的連接體、芳族基 團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合， [化學(xué)式la]<formula>formula see original document page 3</formula>其中，在上面化學(xué)式Ia中，A選自O(shè)、S、NR1. NHCO、S02、C00、以及⑶，其中R1為氫或者C1 C3直鏈或支鏈烷基，m 為1 3的整數(shù)，和η為1 30的整數(shù)，X’為通過(guò)將其上形成所述至少一個(gè)薄膜的表面的官能團(tuán)與選自以下的基團(tuán)結(jié)合而 形成的連接體由下面化學(xué)式Ib 化學(xué)式Id表示的官能團(tuán)、SH、C0NH0H、C00H、OH、C0SH、 COSeH, SeH、SO3H, CN、氨基、以及氧膦基， [化學(xué)式lb]<formula>formula see original document page 3</formula>其中，在上面化學(xué)式Ib中，D1和D2彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及0H， [化學(xué)式Ic]<formula>formula see original document page 4</formula>其中，在上面化學(xué)式Ic中，D3和D4彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OH、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及 NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且獨(dú)立地為C1 C3直鏈或支鏈烷基，和 [化學(xué)式Id]<formula>formula see original document page 4</formula>其中，在上面化學(xué)式id中，D5 D7彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OH、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及 C1 C3直鏈或支鏈烷基，條件是D5 D7不同時(shí)為烷基， [化學(xué)式3]<formula>formula see original document page 4</formula>其中，在上面化學(xué)式3中，L和V與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和T為乙基或乙烯基， [化學(xué)式4]<formula>formula see original document page 4</formula>其中，在上面化學(xué)式4中， L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同， [化學(xué)式5]<formula>formula see original document page 5</formula>其中，在上面化學(xué)式5中，L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和Z選自三唑基團(tuán)、苯并三唑基團(tuán)、咪唑基 團(tuán)、苯并咪唑基團(tuán)、四唑基團(tuán)、吡啶基團(tuán)、吡唑基團(tuán)、異噁唑基團(tuán)、以及吲嗪酮基團(tuán)。
3.權(quán)利要求2的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述至少一個(gè)薄膜包括第一和第二薄膜，所述第二 薄膜在所述第一薄膜的表面上。
4.權(quán)利要求3的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述第二薄膜包括至少兩個(gè)區(qū)域，所述區(qū)域具有彼 此不同的表面特性。
5.權(quán)利要求3的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述第一薄膜包括無(wú)機(jī)材料、有機(jī)材料、或者無(wú)機(jī)材 料與有機(jī)材料的復(fù)合材料。
6.權(quán)利要求5的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述有機(jī)材料包括塑料，和所述無(wú)機(jī)材料包括玻璃 和金屬的至少一種。
7.權(quán)利要求5的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述第一薄膜包括選自以下的一種硅(Si)、鋁 (Al)、銦(In)、錫(Sn)、鋯(&)、鉿(Hf)、鑭(La)、釓(Gd)、釔(Y)、鈦(Ti)、其組合、以及其 氧化物。
8.權(quán)利要求5的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述第一和第二薄膜在基板上，所述基板由與所述 第一薄膜相同的材料形成。
9.權(quán)利要求4的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述至少兩個(gè)區(qū)域包括第一和第二區(qū)域，所述第一 區(qū)域具有由化學(xué)式3表示的基團(tuán)和第二區(qū)域具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)。
10.權(quán)利要求9的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述第一區(qū)域的表面用H2等離子體處理，和所述第 二區(qū)域的表面不用H2等離子體處理。
11.權(quán)利要求4的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述至少兩個(gè)區(qū)域包括第一和第二區(qū)域，所述第一 區(qū)域具有由化學(xué)式3表示的基團(tuán)和第二區(qū)域具有由化學(xué)式5表示的基團(tuán)。
12.權(quán)利要求11的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述第二區(qū)域的表面包括雜環(huán)化的表面，和所述 第一區(qū)域包括非雜環(huán)化的表面。
13.權(quán)利要求12的疊層結(jié)構(gòu)體，進(jìn)一步包括在所述雜環(huán)化的第二區(qū)域上的金屬層，所述金屬層包括選自以下的至少一種金屬銅 (Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、鈷(Co)、鋁 (Al)、鉬(Pt)、以及鈮(Nb)。
14.權(quán)利要求12的疊層結(jié)構(gòu)體，進(jìn)一步包括與所述非雜環(huán)化的第一區(qū)域結(jié)合的有機(jī)材料，所述有機(jī)材料包括并五苯、雜并苯、低聚 噻吩、聚噻吩、聚亞苯基亞乙烯基和亞芳基碳二亞胺的至少一種。
15.權(quán)利要求4的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述至少兩個(gè)區(qū)域包括第一和第二區(qū)域，所述第一 區(qū)域具有由化學(xué)式4表示的基團(tuán)和第二區(qū)域具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)。
16.權(quán)利要求15的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述第一區(qū)域包括經(jīng)UV光處理的表面，和所述第 二區(qū)域包括非經(jīng)UV光處理的表面。
17.權(quán)利要求4的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述至少兩個(gè)區(qū)域包括第一和第二區(qū)域，所述第一 區(qū)域具有由化學(xué)式4表示的基團(tuán)和第二區(qū)域具有由化學(xué)式5表示的基團(tuán)。
18.權(quán)利要求17的疊層結(jié)構(gòu)體，其中所述第二區(qū)域的表面包括雜環(huán)化的表面，和所述 第一區(qū)域包括非雜環(huán)化的表面。
19.晶體管，包括權(quán)利要求2-18任一項(xiàng)的疊層結(jié)構(gòu)體；在所述第二區(qū)域上的金屬層；和在所述第一區(qū)域上的有機(jī)半導(dǎo)體
20.權(quán)利要求19的晶體管，其中所述有機(jī)半導(dǎo)體在柵電極上，和柵絕緣層在所述有機(jī) 半導(dǎo)體與所述柵電極之間。
21.權(quán)利要求19的晶體管，進(jìn)一步包括在所述有機(jī)半導(dǎo)體上的柵電極；和在所述有機(jī)半導(dǎo)體與所述柵電極之間的柵絕緣層。
22.權(quán)利要求19的晶體管，其中所述金屬層包括選自以下的至少一種金屬銅(Cu)、 金(Au)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、鈷(Co)、鋁(Al)、鉬 (Pt)、以及鈮(Nb)。
23.制造疊層結(jié)構(gòu)體的方法，包括形成具有選自由下面化學(xué)式2 化學(xué)式5表示的基團(tuán)及其組合的基團(tuán)的至少一個(gè)薄 膜；和在所述至少一個(gè)薄膜的第一區(qū)域上進(jìn)行表面處理，[化學(xué)式2]<formula>formula see original document page 6</formula>其中，在上面化學(xué)式2中，L選自C1 C3tl亞烷基、C1 C3tl全氟亞烷基、由下面化學(xué)式Ia表示的連接體、芳族基 團(tuán)、雜環(huán)基團(tuán)、胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)、酯基團(tuán)、和其組合，[化學(xué)式la]<formula>formula see original document page 6</formula>其中，在上面化學(xué)式Ia中，A選自0、5、殿1、冊(cè)0)、502、0)0、以及0)，其中R1為氫或C1 C3直鏈或支鏈烷基，m為 1 3的整數(shù)，和η為1 30的整數(shù)，X’為通過(guò)將其上形成所述至少一個(gè)薄膜的表面的官能團(tuán)與選自以下的基團(tuán)結(jié)合而 形成的連接體由下面化學(xué)式Ib 化學(xué)式Id表示的官能團(tuán)、SH、CONHOH、COOH、OH、COSH、COSeH、SeH、SO3H, CN、氨基、以及氧膦基， [化學(xué)式lb]<formula>formula see original document page 7</formula>其中，在上面化學(xué)式lb中，D1和D2彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及0H， [化學(xué)式Ic]<formula>formula see original document page 7</formula>其中，在上面化學(xué)式Ic中，D3和D4彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OH、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及 NR2R3，其中R2和R3彼此相同或不同并且獨(dú)立地為C1 C3直鏈或支鏈烷基，和 [化學(xué)式Id]<formula>formula see original document page 7</formula>其中，在上面化學(xué)式id中，D5 D7彼此相同或不同，并且獨(dú)立地選自鹵素、OH、C1 C3直鏈或支鏈烷氧基、以及 C1 C3直鏈或支鏈烷基，條件是D5 D7不同時(shí)為烷基， [化學(xué)式3]<formula>formula see original document page 7</formula>其中，在上面化學(xué)式3中，L和V與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和T為乙基或乙烯基， [化學(xué)式4]<formula>formula see original document page 8</formula>其中，在上面化學(xué)式4中， L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同， [化學(xué)式5]<formula>formula see original document page 8</formula>其中，在上面化學(xué)式5中，L和X’與在上面化學(xué)式2中所定義的相同，和Z選自三唑基團(tuán)、苯并三唑基團(tuán)、咪唑基 團(tuán)、苯并咪唑基團(tuán)、四唑基團(tuán)、吡啶基團(tuán)、吡唑基團(tuán)、異噁唑基團(tuán)、以及吲嗪酮基團(tuán)。
24.權(quán)利要求23的方法，其中形成所述至少一個(gè)薄膜包括在第一薄膜的表面上形成第 二薄膜，和在所述第二薄膜的第一區(qū)域上進(jìn)行所述表面處理。
25.權(quán)利要求24的方法，其中進(jìn)行所述表面處理包括使所述第二薄膜的第一區(qū)域暴露 于H2等離子體或紫外(UV)光。
26.權(quán)利要求25的方法，進(jìn)一步包括在進(jìn)行所述表面處理之后，將所述第二薄膜的未進(jìn)行所述表面處理的第二區(qū)域雜環(huán)化。
27.權(quán)利要求26的方法，其中將所述第二薄膜的第二區(qū)域雜環(huán)化包括Huisgen1，3_偶 極環(huán)加成。
28.權(quán)利要求24的方法，進(jìn)一步包括在基板上形成所述第一薄膜，所述基板由與所述第一薄膜相同的材料形成。
29.權(quán)利要求26的方法，其中使用掩模將所述第二薄膜的第一區(qū)域的表面暴露于H2等 離子體，和所述第二區(qū)域的表面不暴露于H2等離子體，所述第一區(qū)域具有由化學(xué)式3表示 的基團(tuán)和所述第二區(qū)域具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)。
30.權(quán)利要求26的方法，進(jìn)一步包括在所述雜環(huán)化的第二區(qū)域上形成金屬層，所述金屬層包括選自以下的至少一種金屬 銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、錫(Sn)、銦(In)、鈷(Co)、鋁 (Al)、鉬(Pt)、以及鈮(Nb)。
31.權(quán)利要求26的方法，其中使用掩模將所述第一區(qū)域的表面暴露于紫外(UV)光，和 所述第二區(qū)域的表面不暴露于UV光，所述第一區(qū)域具有由化學(xué)式4表示的基團(tuán)和所述第二 區(qū)域具有由化學(xué)式2表示的基團(tuán)。
全文摘要
本發(fā)明公開表面改性劑、疊層結(jié)構(gòu)體和其制法及包括其的晶體管。具體而言，本發(fā)明公開包括在一個(gè)末端具有乙炔基的化合物的表面改性劑、使用該表面改性劑制造的疊層結(jié)構(gòu)體、制造該疊層結(jié)構(gòu)體的方法、以及包括該疊層結(jié)構(gòu)體的晶體管。
文檔編號(hào)G03F7/075GK101799628SQ20101012144
公開日2010年8月11日 申請(qǐng)日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月11日
發(fā)明者俞炳旭, 樸正一, 李相潤(rùn), 李芳璘, 鄭銀貞, 金渡桓 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社