專利名稱：一種用于半導(dǎo)體工藝中的掩膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，特別涉及用于半導(dǎo)體工藝中的掩膜。
背景技術(shù)：
在集成電路的制作過程中，光刻工藝早已成為一種不可或缺的技術(shù)。光刻工藝主 要是先將設(shè)計好的圖案，例如電路圖案、接觸孔圖案等形成于一個或多個掩膜上，然后再通 過曝光程序?qū)⒀谀ど系膱D案利用步進掃描光刻機轉(zhuǎn)移至晶圓上的光刻膠層上。只有精良的 光刻工藝，才能順利地將布局圖案精確且清晰地轉(zhuǎn)移至晶圓上的光刻膠層上。由于半導(dǎo)體元器件的尺寸日益縮小，因此如何提高光刻工藝的分辨率成為關(guān)鍵課 題。在目前許多現(xiàn)行的分辨率強化技術(shù)(RIE)中，相位移掩膜(PSM) —直是用來提高分辨 率的重要工具之一。一般來說，當(dāng)曝光光源通過傳統(tǒng)掩膜后，由于曝光光源的相位并沒有被 偏移，因此，部分光線到達晶片表面時產(chǎn)生了相長干涉，造成了晶圓表面上不應(yīng)該照射到光 線的位置由于干涉作用而被曝光，造成圖案的分辨率下降。相位移掩膜則是在圖案本身上選擇性多加了一相位偏移層。當(dāng)曝光光源通過相位 移掩膜的相位偏移層后，曝光光源電場的相位會被位移了一預(yù)定角度，使得位移后的光源 相位與先前入射的光源相位產(chǎn)生相位差，造成光源到達晶圓表面時，產(chǎn)生了相消干涉。經(jīng)由 相消干涉效應(yīng)來消除干涉效應(yīng)，于是大幅度提升了圖案邊界的分辨率。傳統(tǒng)的制作相位移掩膜的方法如圖IA至ID所示，如圖IA所示，掩膜101可以是一種運用來制備半導(dǎo)體晶圓的掩膜層的一部分。掩 膜101包括基材102，基材102可以是透明基材，例如相對無缺陷的二氧化硅、氟化鈣或其他 適合的材質(zhì)。掩膜101還包括沉積在基材102上面的相位偏移層103，相位偏移層103具有一定 的厚度和透光率，可以使穿過相位偏移層103的輻射光束具有相對于穿過空氣的輻射光束 的相位偏移。其中輻射光束在光刻工藝中用來在半導(dǎo)體晶圓上形成圖案。輻射光束可以是 紫外光及/或其他輻射光束，例如離子束、X射線、超紫外光、砷紫外光以及其他合適的輻射 能量。相位偏移層103的材料包括金屬硅化物。形成相位偏移層103的方法包括CVD(化 物氣相沉積)、PVD (物理氣相沉積)、原子層沉積、電鍍以及/或其他合適的工藝。掩膜101還包括沉積在相位偏移層103上面的遮蔽層104。遮蔽層104所用的材 料可以是但不限于鉻。形成方式可以是但不限于CVD、PVD、原子層沉積、電鍍以及/或其他 合適的工藝。如圖IB所示，遮蔽層104的表面涂敷一層光刻膠層，通過曝光顯影等工藝形成具 有圖案的光刻膠層105。如圖IC所示，采用刻蝕方式，以光刻膠層105為掩膜刻蝕遮蔽層104，形成具有圖 案的遮蔽層104’。接著以灰化的方式去除光刻膠層105。如圖ID所示，在相位偏移層103以及遮蔽層104’上形成一層光刻膠層(未示出)， 通過曝光顯影等方式形成具有圖案的光刻膠層(未示出)，此時所定義出的圖案面積大于
4遮蔽層104’且完全包覆住遮蔽層104’。對相位偏移層103進行刻蝕。以灰化方式去除光 刻膠層。接著可以選擇性地去除部分遮蔽層104’或者將遮蔽層104全部保留，依據(jù)所需圖 案來進行選擇。相位移掩膜中所采用的掩膜受到污染一直是個問題。高精密掩膜，如使用于具有 等于或小于248nm的波長的光刻工藝中，特別容易受污染缺陷的影響。一種掩膜污染的形 式稱為霧狀污染，如圖2的201區(qū)域所示。霧狀污染是一種沉淀在掩膜層表面的沉淀物，該 沉淀物是由掩膜清洗曝光中晶圓廠或機臺環(huán)境的化學(xué)殘留物或雜質(zhì)產(chǎn)生的。例如，當(dāng)使用 含有銨鹽(NH4)與硫酸鹽(SO4)的溶液清洗掩膜，污染會在此掩膜被暴露于短波長的紫外光 (例如MSnm或193nm)時變得明顯。霧狀污染尤其是在圖案密集的區(qū)域容易發(fā)生。由于掩 膜污染的存在，使得掩膜上圖案轉(zhuǎn)移變得不精確，很有可能造成所制作的半導(dǎo)體器件的報 廢，降低半導(dǎo)體器件的良品率。傳統(tǒng)的檢測掩膜污染的方法是采用專用的掩膜檢測系統(tǒng)，例如KLA-Tencor公司 的STAmight-2 掩膜檢測系統(tǒng)等。但是采用這種專用的掩膜檢測系統(tǒng)來進行掩膜污染的 檢測是十分昂貴的，并且時間較長，每片掩膜需要2 4小時)，這不僅影響半導(dǎo)體器件的生 產(chǎn)效率，同時增加了生產(chǎn)成本，這對對于中小型企業(yè)來說難以負擔(dān)。因此，需要一種方法和裝置，既能夠有效地進行掩膜污染檢測，以便提高半導(dǎo)體器 件的良品率，又不會因為檢測掩膜污染而增加生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式
部分中進 一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的 關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。為了有效地進行掩膜污染檢測，本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體工藝中的掩膜，其 特征在于，所述掩膜具有在所述掩膜上不具有目標(biāo)圖案的位置處形成的至少一處具有重復(fù) 圖形的掩膜檢測圖案。優(yōu)選地，所述掩膜檢測圖案具有多個間隔相同且大小相同的平行線條。優(yōu)選地，所述平行線條至少為100個。優(yōu)選地，所述掩膜檢測圖案設(shè)置為當(dāng)所述平行線條為透光區(qū)域時，所述平行線條 之間的間隔區(qū)域為不透光區(qū)域；或者當(dāng)所述平行線條為不透光區(qū)域時，所述間隔區(qū)域為透 光區(qū)域。優(yōu)選地，所述平行線條較短邊長的長度與所述間隔區(qū)域較短一邊的長度之和等于 所述掩膜上所述目標(biāo)圖案所具有的最小間距。優(yōu)選地，所述平行線條的所述較短邊長的數(shù)值等于所述掩膜的最小關(guān)鍵尺寸。優(yōu)選地，所述平行線條較長的一邊的長度為5 10微米。優(yōu)選地，所述掩膜檢測圖案具有多個間隔相同、大小相同且相互平行的第一線條， 和多個間隔相同、大小相同且相互平行的與所述第一線條垂直相交的第二線條。優(yōu)選地，所述第一線條和第二線條均至少為100個。優(yōu)選地，所述掩膜檢測圖案設(shè)置為當(dāng)所述第一線條和所述第二線條為透光區(qū)域 時，所述第一線條和所述第二線條之間的間隔區(qū)域為不透光區(qū)域；或者當(dāng)所述第一線條和所述第二線條為不透光區(qū)域時，所述間隔區(qū)域為透光區(qū)域。優(yōu)選地，所述第一線條較短一邊的長度與所述間隔區(qū)域同一方向上的一邊的長度 之和等于所述掩膜目標(biāo)圖案所具有的最小間距；所述第二線條較短一邊的長度與所述間隔 區(qū)域同一方向上的一邊的長度之和等于所述掩膜目標(biāo)圖案所具有的最小間距。優(yōu)選地，所述第一線條的所述較短一邊等于該方向上的所述掩膜的最小關(guān)鍵尺 寸；所述第二線條的所述較短一邊等于該方向上的所述掩膜的最小關(guān)鍵尺寸。優(yōu)選地，所述第一線條和所述第二線條的較長的一邊的長度均為5 10微米。優(yōu)選地，所述掩膜是相位移掩膜。本發(fā)明還提供了一種制作用于半導(dǎo)體工藝中掩膜的方法，其特征在于，在所述掩 膜上不具有目標(biāo)圖案的位置處形成至少一處具有重復(fù)圖形的掩膜檢測圖案。優(yōu)選地，所述掩膜檢測圖案具有多個間隔相同且大小相同的平行線條。優(yōu)選地，所述平行線條至少為100個。優(yōu)選地，所述掩膜檢測圖案設(shè)置為當(dāng)所述平行線條為透光區(qū)域時，所述平行線條 之間的間隔區(qū)域為不透光區(qū)域；或者當(dāng)所述平行線條為不透光區(qū)域時，所述間隔區(qū)域為透 光區(qū)域。優(yōu)選地，所述平行線條較短邊長的長度與所述間隔區(qū)域較短一邊的長度之和等于 所述掩膜上所述目標(biāo)圖案所具有的最小間距。優(yōu)選地，所述平行線條的所述較短邊長的數(shù)值等于所述掩膜的最小關(guān)鍵尺寸。優(yōu)選地，所述平行線條較長的一邊的長度為5 10微米。優(yōu)選地，所述掩膜檢測圖案具有多個間隔相同、大小相同且相互平行的第一線條， 和多個間隔相同、大小相同且相互平行的與所述第一線條垂直相交的第二線條。優(yōu)選地，所述第一線條和所述第二線條均至少為100個。優(yōu)選地，所述掩膜檢測圖案設(shè)置為當(dāng)所述第一線條和所述第二線條為透光區(qū)域 時，所述第一線條和所述第二線條之間的間隔區(qū)域為不透光區(qū)域；或者當(dāng)所述第一線條和 所述第二線條為不透光區(qū)域時，所述間隔區(qū)域為透光區(qū)域。優(yōu)選地，所述第一線條較短一邊的長度與所述間隔區(qū)域同一方向上的一邊的長度 之和等于所述掩膜目標(biāo)圖案所具有的最小間距；所述第二線條較短一邊的長度與所述間隔 區(qū)域同一方向上的一邊的長度之和等于所述掩膜目標(biāo)圖案所具有的最小間距。優(yōu)選地，所述第一線條的所述較短一邊等于該方向上的所述掩膜的最小關(guān)鍵尺 寸；所述第二線條的所述較短一邊等于該方向上的所述掩膜的最小關(guān)鍵尺寸。優(yōu)選地，所述第一線條和所述第二線條的較長的一邊的長度均為5 10微米。優(yōu)選地，所述掩膜是相位移掩膜。本發(fā)明還提出了一種采用上述掩膜來檢測掩膜污染的方法，其特征在于，將所述 掩膜檢測圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上，比較所述晶圓上的所述掩膜檢測圖案，所述晶圓上的所述掩 膜檢測圖案的有圖形不同情況，則可判定所述掩膜受到污染；或者所述晶圓上的所述掩膜 檢測圖案不是所述重復(fù)圖形時，則可判定所述掩膜受到污染。根據(jù)本發(fā)明，既能夠有效地進行掩膜污染檢測，以便提高半導(dǎo)體器件的良品率，又 不會因為檢測掩膜污染而增加生產(chǎn)成本。


本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā) 明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，圖IA至圖ID是傳統(tǒng)的制作相位移掩膜的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是具有掩膜污染缺陷的示意圖；圖3傳統(tǒng)的制做掩膜的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A是根據(jù)本發(fā)明一個方面的一實施例的局部放大示意圖；圖4B是根據(jù)本發(fā)明一個方面的又一實施例的局部放大示意圖；圖5A至5C示出了根據(jù)本發(fā)明制作的掩膜檢測圖案在掩膜上的分布示意圖；圖6A是根據(jù)4A示出的掩膜在晶圓上形成的圖案；圖6B是根據(jù)具有污染的掩膜在晶圓上形成的圖案。
具體實施例方式在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然 而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以 實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進 行描述。為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟，以便說明本發(fā)明是如 何采用掩膜檢測圖案來檢測掩膜污染的。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技 術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外， 本發(fā)明還可以具有其他實施方式。如圖3所示，提供一已經(jīng)具有所需圖案的條狀柵極型掩膜301。條狀柵極型掩膜 301可以是任何類型的掩膜，并不局限于相位移掩膜，在此僅以相位移掩膜為例來具體描述 本發(fā)明。條狀柵極型掩膜301上包含有基材302，基材302可以是透明基材，例如相對無缺 陷的二氧化硅、氟化鈣或其他適合的材質(zhì)。條狀柵極型掩膜301還包含有沉積在基材302上面的相位偏移層303，相位偏移層 303具有一厚度，可以使穿過相位偏移層303的輻射光束，具有相對于穿過空氣的輻射光束 的相位偏移。其中輻射光束在光刻工藝中用來在半導(dǎo)體晶圓上形成圖案。輻射光束可以是 紫外光及/或擴充包括其他輻射光束，例如離子束、X射線、超紫外光、砷紫外光以及其他合 適的輻射能量。相位偏移層103的材料刻蝕包括金屬硅化物，例如MoSi、TaSi2或TiSi2、金 屬氮化物、氧化鐵、無機材料，其他材料如Mo、Nb2O5, Ti、Ta、CrN,MoO3> MoN, Cr2O3> TiN, ZrN, TiO2, TaN, Ta2O5, SiO2, NbN, Si3N4, Al2O3N, Al2O3R 或上述的任意組合。形成相位偏移層 103 的方法包括CVD (化物氣相沉積)、PVD (物理氣相沉積)、原子層沉積、電鍍以及/或其他合 適的工藝。條狀柵極型掩膜301還包括沉積在相位偏移層303上面的遮蔽層304。遮蔽層304 所用的材料包括鉻、氮化鉻、鉬、氧化鈮、鈦、鉭、氧化鉬、氮化鉬、氧化鉻、氮化鈦、氮化鋯、二 氧化鈦、氮化鉭、氧化鉭、二氧化硅、氮化鈮、氮化硅、氮氧化鋁、烷基氧化鋁或上述的任意組 合。形成方式可以是但不限于CVD、PVD、原子層沉積、電鍍以及/或其他合適的工藝。通過傳統(tǒng)的工藝方法在條狀柵極型掩膜301上形成所需轉(zhuǎn)移到晶圓上的圖案(未示出)，即目標(biāo)圖案。在條狀柵極型掩膜301上形成所需轉(zhuǎn)移到晶圓上的目標(biāo)圖案時同時生 成掩膜檢測圖案，掩膜檢測圖案在沒有所需轉(zhuǎn)移到晶圓上的目標(biāo)圖案處形成，即在不與原 有的目標(biāo)圖案相沖突的位置處形成掩膜檢測圖案。形成方式可以采用傳統(tǒng)的方法。設(shè)計掩 膜檢測圖案的基本原則是掩膜檢測圖案具有重復(fù)的圖形。圖4A示出了本發(fā)明的一個方面的一個實施例，為條狀柵極型掩膜301上具有的一 個掩膜檢測圖案的局部放大圖。從圖中可以看到遮蔽層304被實現(xiàn)為平行線條401。平行 線條401為不透光區(qū)域。平行線條401彼此孤立且彼此平行，間距相同，由透光區(qū)域402分 隔開。平行線條401與掩膜下邊界可以成任意角度，例如0度、30度、60度或90度等等。一 個掩膜檢測圖案包含至少100個平行線條401。平行線條401較長的一邊的長度a為5 10微米，優(yōu)選為7微米。平行線條401較短一邊的長度b與透光區(qū)域402較短邊長的長度 c之和d等于掩膜401的最小設(shè)計尺寸，即等于條狀柵極型掩膜301原有目標(biāo)圖案所具有 的最小間距。例如，在65nm節(jié)點的工藝中，條狀柵極型掩膜301的最小圖案間距的最小值 為180nm，則d的值應(yīng)選擇為等于180nm，其中d = b+c。同時平行線條401的較短邊長b， 其數(shù)值等于條狀柵極型掩膜301的最小關(guān)鍵尺寸(CD)。例如，條狀柵極型掩膜301的最小 關(guān)鍵尺寸為80nm時，則b等于80nm。對于條狀導(dǎo)線型掩膜，其與條狀柵極型掩膜相反，即平行線條401為透光區(qū)域，彼 此孤立且彼此平行，間距相同，由不透光區(qū)域402分隔開。其它設(shè)計原則與上面所述的相 同。如圖4B所示，為根據(jù)本發(fā)明一個方面的又一實施例，為孔狀柵極型掩膜301上具 有的一個掩膜檢測圖案的局部放大圖。掩膜檢測圖案包括多個第一線條403與多個第二線 條404，均為不透光區(qū)域，第一線條403彼此平行且間距相同，同樣第二線條404彼此平行且 間距相同，且第一線條403與第二線條404彼此垂直相交，形成數(shù)個透光區(qū)域405，透光區(qū) 域405將第一線條403彼此分隔開，同時也將第二線條404彼此分隔開。第一線條403與 第二線條404重疊的部分在圖中以第一線條403部分表示出來。第一線條403與掩膜下邊 界可以成任意角度，例如0度、30度、60度以及90度等等。其中，第一線條403的數(shù)目至少 是100個，第二線條404的數(shù)目至少是100個。第一線條403較長的一邊的長度u為5 10微米，優(yōu)選為7微米。同樣，第一線條403較長的一邊的長度ν為5 10微米，優(yōu)選為7 微米。第一線條403較短一邊的長度i與透光區(qū)域405同一方向上的一邊的長度j之和k 等于孔狀柵極型掩膜301的最小設(shè)計尺寸，即等于孔狀柵極型掩膜301原有目標(biāo)圖案所具 有的最小間距。例如，在65nm節(jié)點的工藝中，孔狀柵極型掩膜301的圖案間距的最小值為 180nm，則k的值應(yīng)選擇為等于180nm，其中k = i+j。同樣，第二線條404也遵照此設(shè)計規(guī) 則，即第二線條404較短一邊的長度χ與透光區(qū)域405同一方向上的一邊的長度y之和ζ 等于孔狀柵極型掩膜301的最小設(shè)計尺寸，即等于孔狀柵極型掩膜301原有目標(biāo)圖案所具 有的最小間距。同時，j與y應(yīng)分別等于該方向上的最小關(guān)鍵尺寸。例如，孔狀柵極型掩膜301的 豎直與水平的最小關(guān)鍵尺寸均為80nm時，則j與y的大小應(yīng)均為80nm。對于孔狀導(dǎo)線型掩 膜，其與孔狀柵極型掩膜相反，即多個第一線條403與多個第二線條404為透光區(qū)域。以上設(shè)計可以保證掩膜檢測圖案能夠在曝光過程中被正確成像出來，并且具有最 高的圖形密度。這樣其發(fā)生霧狀污染的機率就要高于其他圖形，因此可以在霧狀污染發(fā)生
8的早期將其發(fā)現(xiàn)。掩膜上面具有至少一個掩膜檢測圖案，優(yōu)選為至少5個。掩膜檢測圖案分布在掩 膜上沒有在實際工業(yè)生產(chǎn)中需要轉(zhuǎn)移到晶圓上的圖案的空白處，即不具有目標(biāo)圖案的位置 上。其分布原則是在不與原有的目標(biāo)圖案沖突的前提下，應(yīng)盡量使掩膜檢測圖案均勻分布 在整個掩膜的各個區(qū)域。圖5A至5C示出了掩膜檢測圖案在掩膜501上面分布的三個實施 例，這里僅以框圖502表示掩膜檢測圖案。如5A所示，掩膜501上具有9個掩膜檢測圖案502，以3*3陣列的形式排列于掩 膜501上。如圖5B所示，掩膜501上具有5個掩膜檢測圖案，分布于掩膜501的4個角落 以及中心位置。如圖5C所示，掩膜501上具有5個掩膜檢測圖案，分布于靠近掩膜501每 一個邊緣的中心位置以及掩膜501的中心位置。需要指出的是，每個掩膜檢測圖案的位置 是不固定的，只要遵循上述的設(shè)計原則，分布于原有的在實際工業(yè)生產(chǎn)中需要轉(zhuǎn)移到晶圓 上面的圖案之外就可以。但是在一個掩膜上所具有的N個掩膜檢測圖案應(yīng)該是一致的，這 樣以便于后續(xù)的檢測。當(dāng)需要對掩膜上的進行污染檢測時，可將掩膜檢測圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上，通過對比 晶圓上的圖案來判斷掩膜是否已經(jīng)有污染缺陷?？赏ㄟ^轉(zhuǎn)移一個掩膜上所有的掩膜檢測圖 案，然后對比晶圓上這幾處的圖案，如果發(fā)現(xiàn)這幾處的圖案中有不同的，即可判斷掩膜已經(jīng) 遭受到了污染。例如，掩膜檢測圖案如圖4A所示，掩膜檢測圖案在掩膜上的分布如圖5A所 示，可分別對比這9處的已經(jīng)轉(zhuǎn)移到晶圓上的圖案，如果發(fā)現(xiàn)晶圓上形成的圖案有不同之 處，即可判斷該掩膜已經(jīng)遭受了污染。也可只轉(zhuǎn)移掩膜上的一個掩膜檢測圖案到晶圓上，因 為掩膜檢測圖案是由重復(fù)的圖形構(gòu)成的，例如采用圖4A示出的掩膜檢測圖案，轉(zhuǎn)移到晶圓 上應(yīng)該都是如6A所示的密集線條，如果有一處線條出現(xiàn)了類似于6B所示601區(qū)域的突出 部分，即可證明該掩膜已經(jīng)遭受到了污染?？赏ㄟ^轉(zhuǎn)移到晶圓上的掩膜檢測圖案來判斷掩 膜檢測圖案處是否已經(jīng)出現(xiàn)了掩膜污染的原因是，如果掩膜檢測圖案處已經(jīng)出現(xiàn)了掩膜污 染引起的缺陷，則幾乎可判定整個掩膜均出現(xiàn)了掩膜污染情況，這個時候就需要對掩膜進 行清洗。根據(jù)本發(fā)明進行檢測掩膜污染的方法，方便可行，幾乎是可以隨時進行掩膜污染 檢測，因為可在工業(yè)生產(chǎn)中使用掩膜進行圖案轉(zhuǎn)移的時候就可以進行掩膜污染的檢測。根 據(jù)本發(fā)明進行檢測掩膜污染的手段，價格低廉，因為不需要使用傳統(tǒng)的昂貴的掩膜檢測系 統(tǒng)，并且晶圓的價格大大低于掩膜檢測系統(tǒng)的價格，使得生產(chǎn)成本下降，產(chǎn)品更具有競爭 力。而且充分利用了掩膜的空白部分，可以在制作掩膜時同時制作出根據(jù)本發(fā)明的掩膜檢 測圖案，沒有增加多余的制作步驟，也沒有使用多余的材料，即沒有為生產(chǎn)制作過程帶來額 外的負擔(dān)。根據(jù)如上所述的實施例制造的具有檢測掩膜圖案的掩膜制作的半導(dǎo)體器件可應(yīng) 用于多種集成電路(IC)中。根據(jù)本發(fā)明的IC例如是存儲器電路，如隨機存取存儲器(RAM)、 動態(tài)RAM(DRAM)、同步DRAM (SDRAM)、靜態(tài)RAM(SRAM)、或只讀存儲器(ROM)等等。根據(jù)本發(fā) 明的IC還可以是邏輯器件，如可編程邏輯陣列(PLA)、專用集成電路(ASIC)、合并式DRAM 邏輯集成電路(掩埋式DRAM)或任意其他電路器件。根據(jù)本發(fā)明的IC芯片可用于例如用 戶電子產(chǎn)品，如個人計算機、便攜式計算機、游戲機、蜂窩式電話、個人數(shù)字助理、攝像機、數(shù) 碼相機、手機等各種電子產(chǎn)品中，尤其是射頻產(chǎn)品中。
本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于 舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人 員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的 變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由 附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體工藝中的掩膜，其特征在于，所述掩膜具有在所述掩膜上不具有目 標(biāo)圖案的位置處形成的至少一處具有重復(fù)圖形的掩膜檢測圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述掩膜檢測圖案具有多個間隔相同且 大小相同的平行線條。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜，其特征在于，所述平行線條至少為100個。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜，其特征在于，所述掩膜檢測圖案設(shè)置為當(dāng)所述平行線 條為透光區(qū)域時，所述平行線條之間的間隔區(qū)域為不透光區(qū)域；或者當(dāng)所述平行線條為不 透光區(qū)域時，所述間隔區(qū)域為透光區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜，其特征在于，所述平行線條較短邊長的長度與所述間 隔區(qū)域較短一邊的長度之和等于所述掩膜上所述目標(biāo)圖案所具有的最小間距。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜，其特征在于，所述平行線條的所述較短邊長的數(shù)值等 于所述掩膜的最小關(guān)鍵尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜，其特征在于，所述平行線條較長的一邊的長度為5 10微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述掩膜檢測圖案具有多個間隔相同、大 小相同且相互平行的第一線條，和多個間隔相同、大小相同且相互平行的與所述第一線條 垂直相交的第二線條。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜，其特征在于，所述第一線條和第二線條均至少為100個。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜，其特征在于，所述掩膜檢測圖案設(shè)置為當(dāng)所述第一線 條和所述第二線條為透光區(qū)域時，所述第一線條和所述第二線條之間的間隔區(qū)域為不透光 區(qū)域；或者當(dāng)所述第一線條和所述第二線條為不透光區(qū)域時，所述間隔區(qū)域為透光區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩膜，其特征在于，所述第一線條較短一邊的長度與所述 間隔區(qū)域同一方向上的一邊的長度之和等于所述掩膜目標(biāo)圖案所具有的最小間距；所述第 二線條較短一邊的長度與所述間隔區(qū)域同一方向上的一邊的長度之和等于所述掩膜目標(biāo) 圖案所具有的最小間距。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜，其特征在于，所述第一線條的所述較短一邊等于該方 向上的所述掩膜的最小關(guān)鍵尺寸；所述第二線條的所述較短一邊等于該方向上的所述掩膜 的最小關(guān)鍵尺寸。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩膜，其特征在于，所述第一線條和所述第二線條的較長的 一邊的長度均為5 10微米。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜，其特征在于，所述掩膜是相位移掩膜。
15.一種制作用于半導(dǎo)體工藝中掩膜的方法，其特征在于，在所述掩膜上不具有目標(biāo)圖 案的位置處形成至少一處具有重復(fù)圖形的掩膜檢測圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述掩膜檢測圖案具有多個間隔相同 且大小相同的平行線條。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述平行線條至少為100個。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述掩膜檢測圖案設(shè)置為當(dāng)所述平行 線條為透光區(qū)域時，所述平行線條之間的間隔區(qū)域為不透光區(qū)域；或者當(dāng)所述平行線條為不透光區(qū)域時，所述間隔區(qū)域為透光區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述平行線條較短邊長的長度與所述 間隔區(qū)域較短一邊的長度之和等于所述掩膜上所述目標(biāo)圖案所具有的最小間距。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述平行線條的所述較短邊長的數(shù)值 等于所述掩膜的最小關(guān)鍵尺寸。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述平行線條較長的一邊的長度為5 10微米。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述掩膜檢測圖案具有多個間隔相同、 大小相同且相互平行的第一線條，和多個間隔相同、大小相同且相互平行的與所述第一線 條垂直相交的第二線條。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述第一線條和所述第二線條均至少 為100個。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述掩膜檢測圖案設(shè)置為當(dāng)所述第一 線條和所述第二線條為透光區(qū)域時，所述第一線條和所述第二線條之間的間隔區(qū)域為不透 光區(qū)域；或者當(dāng)所述第一線條和所述第二線條為不透光區(qū)域時，所述間隔區(qū)域為透光區(qū)域。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的方法，其特征在于，所述第一線條較短一邊的長度與所述 間隔區(qū)域同一方向上的一邊的長度之和等于所述掩膜目標(biāo)圖案所具有的最小間距；所述第 二線條較短一邊的長度與所述間隔區(qū)域同一方向上的一邊的長度之和等于所述掩膜目標(biāo) 圖案所具有的最小間距。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述第一線條的所述較短一邊等于該 方向上的所述掩膜的最小關(guān)鍵尺寸；所述第二線條的所述較短一邊等于該方向上的所述掩 膜的最小關(guān)鍵尺寸。
27.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述第一線條和所述第二線條的較長 的一邊的長度均為5 10微米。
28.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述掩膜是相位移掩膜。
29.一種采用如權(quán)利要求1所述的掩膜檢測掩膜污染的方法，其特征在于，將所述掩膜 檢測圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上，比較所述晶圓上的所述掩膜檢測圖案，所述晶圓上的所述掩膜檢 測圖案的有圖形不同情況，則可判定所述掩膜受到污染；或者所述晶圓上的所述掩膜檢測 圖案不是所述重復(fù)圖形時，則可判定所述掩膜受到污染。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于半導(dǎo)體工藝中的掩膜，所述掩膜具有在所述掩膜上不具有目標(biāo)圖案的位置處形成的至少一處具有重復(fù)圖形的掩膜檢測圖案。本發(fā)明還提供了一種一種制作用于半導(dǎo)體工藝中掩膜的方法，在所述掩膜上不具有目標(biāo)圖案的位置處形成至少一處具有重復(fù)圖形的掩膜檢測圖案。本發(fā)明還提供了一種采用上述掩膜來檢測掩膜污染的方法，將所述掩膜檢測圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上，比較所述晶圓上的所述掩膜檢測圖案，所述晶圓上的所述掩膜檢測圖案的有圖形不同情況，則可判定所述掩膜受到污染；或者所述晶圓上的所述掩膜檢測圖案不是所述重復(fù)圖形時，則可判定所述掩膜受到污染。
文檔編號G03F1/14GK102135724SQ20101010243
公開日2011年7月27日 申請日期2010年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月27日
發(fā)明者田彬 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司