專利名稱：用于切斷芯片內(nèi)部線路的激光顯微鏡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于切斷芯片內(nèi)部線路的設(shè)備，尤指一種用于切斷芯片內(nèi)部
線路的激光顯微鏡。
背景技術(shù)：
目前，集成電路芯片在各個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用，與分立元件電路相比，集成電路芯片電路的修改相對困難，現(xiàn)有的集成電路芯片內(nèi)部線路的修改采用FIB (聚焦離子束)系統(tǒng)，它的實(shí)現(xiàn)方式是用離子束反應(yīng)集成電路的保護(hù)層和金屬來達(dá)到線路切斷的目的。[0003] 但是，現(xiàn)有的FIB系統(tǒng)處理集成電路芯片的內(nèi)部線路切斷前需對集成電路芯片做一系列處理，首先將集成電路芯片用導(dǎo)電膠固定于支座，進(jìn)入反應(yīng)倉后需要保證反應(yīng)倉的真空度和高壓電場，需要較長的時(shí)間達(dá)到合適的真空效果，耗時(shí)久，成本高。對于一些粗糙工藝的集成電路芯片做高精度的FIB是成本的浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種快速、低成本的可設(shè)用于粗糙工藝的集成電路芯片的切斷芯片內(nèi)部線路的設(shè)備。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供一種用于切斷芯片內(nèi)部線路的激光顯微鏡，其在一顯微鏡上組裝有一激光發(fā)射裝置；其中，該顯微鏡具有一放置芯片的工作平臺；激光發(fā)射裝置安裝于顯微鏡的上方，其發(fā)射的激光可沿顯微鏡的內(nèi)側(cè)射至工作平臺上；[0006] 所述激光發(fā)射裝置發(fā)射激光的能量強(qiáng)度與轟擊時(shí)間是可調(diào)整的；[0007] 所述激光發(fā)射裝置為一激光槍。 本實(shí)用新型利用顯微鏡確定目標(biāo)線路位置，方便快捷；且不需要FIB的高真空，高電壓場環(huán)境，操作簡易，節(jié)約成本，尤其適用于芯片內(nèi)部線路的大面積處理。[0009]
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步地詳細(xì)說明

圖1為一集成電路芯片的上視圖；[0011] 圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；以及[0012] 圖3為本實(shí)用新型的工作狀態(tài)示意圖。
具體實(shí)施方式圖1所示為一集成電路芯片40，若對其內(nèi)部線路的修改不當(dāng)，則可能要重新制版，重新流片，而制作模板，重新流片的費(fèi)用昂貴，增加產(chǎn)品研發(fā)成本；而使用FIB技術(shù)對工作環(huán)境要求過高，高真空、高電壓場環(huán)境操作復(fù)雜，耗費(fèi)時(shí)間，對于粗糙工藝或大面積修改的集成電路芯片而言是成本的浪費(fèi)。 本實(shí)用新型采用了顯微鏡與低能量的激光結(jié)合的設(shè)備切斷芯片內(nèi)部線路，如圖2所示，其包含有顯微鏡10以及激光發(fā)射裝置20 ;其中，該顯微鏡10具有一工作平臺30，可供放置待監(jiān)測的集成電路芯片40 ;激光發(fā)射裝置20安裝于顯微鏡10的上方，其激光發(fā)射口可沿顯微鏡的內(nèi)側(cè)對準(zhǔn)工作平臺上的集成電路芯片40 ;本實(shí)施例的激光發(fā)射裝置為一激光槍。 如圖3所示，通過使用顯微鏡10監(jiān)測芯片40確定目標(biāo)線路位置，調(diào)整激光發(fā)射裝置20對準(zhǔn)目標(biāo)位置發(fā)射激光，其發(fā)射的激光22沿顯微鏡的內(nèi)側(cè)射至工作平臺上的芯片40，達(dá)到快速切斷顯微鏡確定的需切斷的芯片內(nèi)部線路的目的；激光發(fā)射裝置20發(fā)射的激光22的能量強(qiáng)度與轟擊時(shí)間是可調(diào)整的，用不同能量的激光可造成不同范圍的創(chuàng)傷，即可控制芯片內(nèi)部線路的切斷面積，而通過控制激光轟擊的時(shí)間可控制創(chuàng)傷的深度，因集成電路可以是多層次的，即通過激光不同的轟擊時(shí)間可控制芯片切斷線路的層次數(shù)量。
權(quán)利要求一種用于切斷芯片內(nèi)部線路的激光顯微鏡，其特征在于在一顯微鏡上組裝有一激光發(fā)射裝置；其中，該顯微鏡具有一放置芯片的工作平臺；激光發(fā)射裝置安裝于顯微鏡的上方，其發(fā)射的激光可沿顯微鏡的內(nèi)側(cè)射至工作平臺上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于切斷芯片內(nèi)部線路的激光顯微鏡，其特征在于，所述激 光發(fā)射裝置發(fā)射激光的能量強(qiáng)度與轟擊時(shí)間是可調(diào)整的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于切斷芯片內(nèi)部線路的激光顯微鏡，其特征在于，所述 激光發(fā)射裝置為一激光槍。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種用于切斷芯片內(nèi)部線路的激光顯微鏡，其包含有顯微鏡以及激光發(fā)射裝置；其中，該顯微鏡具有一工作平臺，可供放置待監(jiān)測的集成電路芯片；激光發(fā)射裝置安裝于顯微鏡的上方，其發(fā)射的激光可沿顯微鏡的內(nèi)側(cè)射至工作平臺上的芯片，達(dá)到切斷顯微鏡確定的需切斷的芯片內(nèi)部線路的目的；本實(shí)用新型利用顯微鏡確定目標(biāo)線路位置，方便快捷；且不需要高真空，高電壓場環(huán)境，操作簡易，節(jié)約成本，尤其適用于芯片內(nèi)部線路的大面積處理。
文檔編號G02B21/00GK201523007SQ20092021371
公開日2010年7月7日 申請日期2009年11月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月17日
發(fā)明者夏宇 申請人:宜碩科技(上海)有限公司