專利名稱：電泳顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及一種電泳顯示(EPD)設(shè)備及其制造方法，更具體地，涉及一種適用于防止密封劑進(jìn)入非有源區(qū)的電泳顯示設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
本申請(qǐng)要求2008年12月23日提交的韓國專利申請(qǐng)No. 10-2008-132730的優(yōu)先權(quán)，此處以引證的方式并入其全部內(nèi)容。 總體而言，電泳顯示(EPD)設(shè)備是一種反射型顯示設(shè)備，其能夠利用電泳現(xiàn)象重復(fù)地寫入和擦除圖像和字母。換句話說，EPD使分散在流體物質(zhì)中的帶電顆粒按照施加的電場來移動(dòng)，以顯示圖像或字母。 EPD可被制造得很輕薄，并通常在例如紙張的彎曲狀態(tài)下仍保持顯示屬性。另外，
與紙張相比，EPD提供優(yōu)良的視覺效果和便攜性。考慮到這些因素，作為紙張的替代的介質(zhì)，
EPD已經(jīng)受到逐年增長的重視，而且已被積極地開發(fā)為一種柔性顯示設(shè)備。 圖1A是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的EPD的截面圖。參照?qǐng)DIA，相關(guān)技術(shù)的EPD包括具有
下電極(未示出)的下基板10、具有上電極(未示出)的上基板12、以及夾在上和下基板
12和10之間的電泳膜14。電泳膜14包括被在上、下電極之間感應(yīng)的垂直電場所驅(qū)動(dòng)的電
泳懸浮顆粒。上、下基板12、10可以是柔性板型的基礎(chǔ)基板。 EPD還包括夾在上、下基板12、 10之間的密封劑16。形成密封劑16以防止?jié)駳馇秩隕PD。密封劑16通過這樣的工序來形成，S卩，該工序利用圖1B所示的分配器18在下基板10上分配流體密封劑，并使流體密封劑16a由于電泳膜14和上基板12之間的張力而沿方向Dl流動(dòng)。 然而，在柔性下基板10上分配的流體密封劑16a可能不僅沿著正方向Dl，而且可能沿著負(fù)方向D2流動(dòng)。沿著負(fù)方向D2流動(dòng)的流體密封劑16a可到達(dá)超出密封劑形成區(qū)的不同區(qū)域，例如包括驅(qū)動(dòng)電路加載區(qū)的非有源區(qū)。在此情況下，流體密封劑16a造成要形成或安裝在驅(qū)動(dòng)電路加載區(qū)上的驅(qū)動(dòng)電路的故障或損壞。 為了解決驅(qū)動(dòng)電路的故障或損壞，提出了一種向面板的邊緣轉(zhuǎn)移(shift)驅(qū)動(dòng)電路的方法。驅(qū)動(dòng)電路的轉(zhuǎn)移迫使面板被擴(kuò)大。由于密封劑形成在不必要的區(qū)域，所以密封劑的量也增加。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本實(shí)施方式涉及一種EPD及其制造方法，其能夠基本上克服因相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)帶來的一個(gè)或更多個(gè)問題。 本實(shí)施方式的目的是提供一種能夠防止分配的流體密封劑向非有源區(qū)移動(dòng)的EPD及其制造方法。 實(shí)施方式的附加特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中描述且將從描述中部分地顯現(xiàn)，或者可以通過實(shí)施方式的實(shí)踐來了解。通過書面的說明書及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)。 根據(jù)本實(shí)施方式的一個(gè)總的方面，一種電泳顯示設(shè)備包括第一基板，其包括有源區(qū)、密封劑形成區(qū)以及非有源區(qū)；形成在所述有源區(qū)中的薄膜晶體管陣列；與所述第一基板相對(duì)的第二基板；位于所述第一基板和第二基板之間的電泳膜；形成在所述密封劑形成區(qū)中的密封劑；形成在所述密封劑形成區(qū)中的密封劑阻擋塊，其中所述密封劑阻擋塊包括至少兩個(gè)壩狀物以及壩狀物之間的溝。 密封劑形成區(qū)設(shè)置在有源區(qū)和非有源區(qū)之間的邊界部分中，并且流體密封劑被分配在與有源區(qū)鄰近的密封劑形成區(qū)上。 密封劑阻擋塊形成在與非有源區(qū)鄰近的密封劑形成區(qū)上。 根據(jù)本實(shí)施方式的另一方面的一種EPD的制造方法包括以下步驟制備第一基板以及第二基板，其中所述第一基板包括有源區(qū)、密封劑形成區(qū)和非有源區(qū)；在所述第一基板的所述有源區(qū)中形成柵極和選通線；在所述第一基板的包括所述密封劑形成區(qū)和所述有源區(qū)的一部分上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案和源極/漏極；在具有所述源極/漏極和所述密封劑形成區(qū)的所述第一基板上形成鈍化膜；形成與所述漏極相連的像素電極；在所述第一基板和第二基板之間形成電泳膜；以及在所述密封劑形成區(qū)中分配密封劑，其中對(duì)所述密封劑形成區(qū)中的所述柵絕緣膜和鈍化膜被進(jìn)行構(gòu)圖以提供至少兩個(gè)壩狀物以及壩狀物之間的溝。 第一和第二壩狀物設(shè)置在鈍化膜和柵絕緣膜的構(gòu)圖步驟之后鈍化膜和柵絕緣膜被保留的區(qū)域上，而所述溝設(shè)置在鈍化膜和柵絕緣膜的構(gòu)圖步驟之后鈍化膜和柵絕緣膜被去除的區(qū)域上。 第一和第二壩狀物以柵絕緣膜和鈍化膜的堆疊層來形成。 在對(duì)下面的附圖和詳細(xì)描述的研究之后，其他系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說將是或?qū)⒆兊妹黠@。意欲將所有這種附加的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)包括在本描述中，使其落入在本發(fā)明的范圍之內(nèi)，并且得到下面的權(quán)利要求的保護(hù)。本部分中任何內(nèi)容不應(yīng)作為對(duì)那些權(quán)利要求的限制。結(jié)合本實(shí)施方式，下面討論其他的方面和優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)當(dāng)理解，本公開的上述一般描述和下述詳細(xì)描述是示例性和說明性的，且旨在提供所要求保護(hù)的本公開的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括在本申請(qǐng)中以提供對(duì)實(shí)施方式的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到本申請(qǐng)中且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式，且與說明書一起用于解釋本公開的原理。附圖中 圖1A和1B是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的EPD的截面 圖2A是示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的EPD的平面 圖2B是沿圖2A所示的線I-I'的提取的截面圖； 圖3是示出在根據(jù)本公開的實(shí)施方式的分散在EPD上的流體密封劑的狀態(tài)的截面圖；以及 圖4A到4C是示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的EPD中所包括的流體密封劑的流動(dòng)狀態(tài)的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)描述本公開的實(shí)施方式，在附圖中例示出了其示例。在下文中介紹的 這些實(shí)施方式被提供作為示例，以向本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員傳達(dá)其精神。因此，這些實(shí)施方 式以不同的形式來實(shí)施，由此不限于在此所描述的這些實(shí)施方式。另外，為了便于說明附 圖，設(shè)備的尺寸和厚度可能被夸大地表示。在可能的情況下，相同的標(biāo)號(hào)在包括附圖的本公 開中使用以代表相同或類似部件。 下面將參照附圖詳細(xì)說明根據(jù)本公開的實(shí)施方式的EPD及其制造方法。 圖2A是示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的EPD的平面圖。圖2B是沿圖2A的I-I'線
提取的截面圖。參照?qǐng)D2A和2B，本實(shí)施方式的EPD包括下基板20、上基板30、以及夾在基
板20和30之間的電泳膜90。 EPD被劃分為與下基板20的與電泳膜90交疊的部分相對(duì)應(yīng)
的有源區(qū)AA、以及包括下基板20的其余部分(除了密封劑形成區(qū)A之外)的非有源區(qū)NAA。 上基板30包括形成在上板82上的公共電極84。上板82可由柔性材料形成，例如
柔性塑料、易彎曲的基膜、柔性金屬等。 電泳膜90被構(gòu)造為包括多個(gè)囊92，其每個(gè)包含帶電顏料顆粒、設(shè)置在囊92下方的 下保護(hù)層94、以及位于囊92上方的上保護(hù)層96。各個(gè)囊92被構(gòu)造為包含與正極性電壓起 反應(yīng)的黑顏料顆粒92a、與負(fù)極性電壓起反應(yīng)的白顏料顆粒92b、以及溶劑92c。上、下保護(hù) 層96、94保護(hù)囊92，防止其移動(dòng)。上、下保護(hù)層96、94可由柔性塑料、易彎曲的基膜、或其他 類似材料形成。 下基板20包括在下板42的有源區(qū)上的柵絕緣膜44的中心彼此交叉而形成的選 通線和數(shù)據(jù)線(未示出)、在選通線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成的薄膜晶體管(TFT)6、以及在通 過交叉的選通線和數(shù)據(jù)線而限定的各個(gè)像素區(qū)域上形成的像素電極18。下板42可由柔性 材料形成，例如柔性塑料、易彎曲的基膜、柔性金屬等。 TFT 6包括接收柵極電壓的柵極8、連接于數(shù)據(jù)線的源極10、連接于像素電極18的 漏極12、以及與柵極8交疊并在源極10和漏極12之間形成溝道的有源層14。有源層14 被形成為與源極10和漏極12部分地交疊，以形成溝道。TFT 6還包括形成在有源層14上 的歐姆接觸層48。歐姆接觸層48與源極10和漏極12進(jìn)行歐姆接觸。歐姆接觸層48與有 源層14 一起可構(gòu)成半導(dǎo)體圖案45。 像素電極18通過接觸孔17與漏極12電接觸。接觸孔17穿過鈍化(或保護(hù))膜 50，并將漏極12露出。鈍化膜50保護(hù)TFT 6。 以這種結(jié)構(gòu)形成的下基板20通過粘合劑與電泳膜90結(jié)合。 EPD還包括夾在上和下基板30和20之間的密封劑100、以及設(shè)置在密封劑形成區(qū) 上的密封劑阻擋塊，該密封劑形成區(qū)位于有源區(qū)和非有源區(qū)AA和NAA之間的邊界部分。密 封劑100防止?jié)駳膺M(jìn)入EPD內(nèi)部。密封劑阻擋塊在密封劑形成過程中控制密封劑100的流 動(dòng)。 密封劑100通過分配工序和使流體密封劑100a固化的硬化工序來形成，其中該分 配工序使用圖3所示的分配器28在下基板20的密封劑形成區(qū)A上的指定位置分配流體密 封劑100a。密封劑形成區(qū)A上的指定位置被設(shè)計(jì)為更接近有源區(qū)AA，而控制流體密封劑 100a的流動(dòng)的密封劑阻擋塊被形成為接近非有源區(qū)NAA。
更具體地，由于下基板20中所包括的下板42的彎曲屬性，硬化之前的流體密封 劑100可以不僅向有源區(qū)AA流動(dòng)，而且還可以向非有源區(qū)NAA流動(dòng)。為了防止流體密封劑 100a流進(jìn)非有源區(qū)NAA，密封劑阻擋塊形成在接近非有源區(qū)NAA的邊界部分的密封劑形成 區(qū)A上。該密封劑阻擋塊包括可如圖3所示按順序設(shè)置的第一壩狀物(dam) 102a、溝104、 和第二壩狀物102b 。 下面將詳細(xì)描述通過密封劑阻擋塊防止流體密封劑100a流進(jìn)非有源區(qū)NAA。
如圖3所示的在下基板20上分配的流體密封劑100a如圖4A至4C所示向有源區(qū) AA和非有源區(qū)NAA流動(dòng)。向有源區(qū)AA流動(dòng)的流體密封劑100a填充被下基板20、上基板30 以及電泳膜90包圍的開口。 同時(shí)，如圖4A所示，由于在第一壩狀物102a的一個(gè)邊緣產(chǎn)生的張力，向非有源區(qū) NAA流動(dòng)的流體密封劑100a首先被防止流入溝104。如圖4B所示，未被第一壩狀物102a 防止而向非有源區(qū)溢出的流體密封劑100a由于在第一壩狀物102a的另一邊緣產(chǎn)生的張力 而其次被阻止向第二壩狀物102b移動(dòng)。另外，如圖4C所示，盡管有第一壩狀物102a和溝 104的作用而仍向非有源區(qū)NAA移動(dòng)的流體密封劑100a由于在第二壩狀物102b的一個(gè)邊 緣處產(chǎn)生的張力而再次被阻止流入非有源區(qū)NAA。因此，通過在密封劑形成過程中在密封劑 形成區(qū)A上形成的第一和第二壩狀物102a和102b以及溝104，可以基本防止流體密封劑 lOOa流入非有源區(qū)NAA。 第一和第二壩狀物102a和102b以及溝104不僅防止流體密封劑100a向非有源 區(qū)NAA移動(dòng)，而且防止?jié)駳馇秩胗性磪^(qū)AA。這是因?yàn)闈駳馔ㄟ^第二壩狀物102b、溝104以及 第一壩狀物102a進(jìn)入有源區(qū)AA的侵入路徑比濕氣不通過第一和第二壩狀物102a和102b 以及溝104侵入有源區(qū)AA的侵入路徑長。換句話說，濕氣的侵入路徑的長度越長，濕氣侵 入的可能性越低，因?yàn)橥獠繚駳庠谇秩肫陂g會(huì)蒸發(fā)。因此，第一壩狀物102a、溝104以及第 二壩狀物102b與不具有這些障礙的設(shè)備相比能夠極大地防止外部濕氣侵入有源區(qū)AA。
下面將說明其中形成有壩狀物和溝的EPD的上和下基板30和20的制造方法。以 下將參照?qǐng)D2B描述該方法。 首先，如圖2B所示，下基板20包括柵極8和選通線(未示出)，其通過在下板42 上形成和構(gòu)圖用于柵極和選通線的金屬膜來提供。在下板42的包括柵極8和選通線的整 個(gè)表面上形成柵絕緣膜44。柵絕緣膜44由例如硅氮化物的絕緣材料形成。此時(shí)，柵絕緣膜 44不僅在有源區(qū)AA上形成，而且在密封劑形成區(qū)A上形成。 通過在下板42上形成和構(gòu)圖非晶硅膜、非晶摻雜硅膜、以及用于數(shù)據(jù)線的金屬 膜，在具有柵絕緣膜44的下板42上提供包括堆疊的有源層14和歐姆接觸層48的半導(dǎo)體 層圖案45、源極/漏極10和12以及數(shù)據(jù)線(未示出)。在此情況下，半導(dǎo)體層圖案45和 源極/漏極的形成可通過在對(duì)非晶硅/摻雜硅膜構(gòu)圖之后形成和構(gòu)圖金屬膜來完成，或通 過對(duì)非晶硅/摻雜硅膜以及金屬膜進(jìn)行一次構(gòu)圖的統(tǒng)一處理來完成。 順序地，在包括源極/漏極10和12以及數(shù)據(jù)線的下板42上形成鈍化(或保護(hù)) 膜50。對(duì)鈍化膜50構(gòu)圖以形成露出漏極12的接觸孔17。該鈍化膜50由有機(jī)絕緣材料形 成，該有機(jī)絕緣材料包括例如感光亞克力或BCB的材料。 另外，當(dāng)在有源區(qū)AA上形成鈍化膜50時(shí)，同時(shí)也在密封劑形成區(qū)A上形成鈍化膜 50。在此情況下，密封劑形成區(qū)A上的鈍化膜50形成在柵絕緣膜44上。當(dāng)通過對(duì)有源區(qū)AA上的鈍化膜50進(jìn)行構(gòu)圖來形成接觸孔17時(shí)，對(duì)密封劑形成區(qū)A上的鈍化膜50和柵絕 緣膜44進(jìn)行一次構(gòu)圖，由此形成第一和第二壩狀物102a和102b以及溝104。在鈍化膜50 的構(gòu)圖工序之后，由柵絕緣膜44和鈍化膜50構(gòu)成的剩余的雙膜(或堆疊層)圖案變?yōu)榈?一和第二壩狀物102a和102b。雙膜圖案之間，即鈍化膜44和柵絕緣膜50未保留的區(qū)域成 為溝104。第一和第二壩狀物102a和102b的高度對(duì)應(yīng)于柵絕緣膜44和鈍化膜50的總高 度，因?yàn)樗鼈兪峭ㄟ^對(duì)堆疊的柵絕緣膜44和鈍化膜50進(jìn)行構(gòu)圖而形成的。
接著，通過在包括接觸孔17的下板42上形成和構(gòu)圖透明導(dǎo)電膜來提供像素電極 18。像素電極18經(jīng)由接觸孔17電連接到漏極12。 下面將參照?qǐng)D2A說明EPD的上基板以及與上基板結(jié)合的電泳膜的制造方法。
上基板30包括位于上板82下方的公共電極84。通過在上板82下方形成透明導(dǎo) 電膜來提供公共電極84。上板82的公共電極84與電泳膜90粘接。 通過在多個(gè)囊92的下面和上面分別定位下保護(hù)層94和上保護(hù)層96來提供電泳 膜90。各個(gè)囊92包含帶電顏料顆粒。 以此方式，雖然以第一壩狀物102a、溝104、以及第二壩狀物102b的設(shè)置方式實(shí)現(xiàn) 密封劑阻擋塊，但是本實(shí)施方式的EPD不限于此。密封劑阻擋塊可由多于2個(gè)壩狀物以及每 兩個(gè)壩狀物之間的溝組成。例如，本實(shí)施方式的EPD可包括具有其他設(shè)置方式的密封劑阻 擋塊，在該其他設(shè)置方式中第一壩狀物102a、溝104、以及第二壩狀物102b至少重復(fù)兩次。
如上所述，EPD及其制造方法在密封劑形成區(qū)上形成密封劑阻擋塊，并防止下板上 所分配的流體密封劑流入非有源區(qū)。由此，流體密封劑不形成在非期望區(qū)域(或范圍)上， 使得處理效率提高。另外，由于流體密封劑不流進(jìn)驅(qū)動(dòng)電路加載區(qū)域，所以能夠基本上防止 將要在隨后的工序中形成或安裝的驅(qū)動(dòng)電路中的缺陷和/或故障。此外，不需要將驅(qū)動(dòng)電 路向面板的邊緣轉(zhuǎn)移，由此能夠避免面板的尺寸增大。另外，還能夠更加有效地阻擋外部濕 氣侵入有源區(qū)。 盡管僅針對(duì)于上述實(shí)施方式而對(duì)本公開進(jìn)行了有限的說明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解，本公開不限于這些實(shí)施方式，而可以在不偏離本公開的精神的情況下做出 各種變化或修改。因此，本公開的范圍應(yīng)僅由所附的權(quán)利要求及其等同物來確定。
權(quán)利要求
一種電泳顯示設(shè)備，該電泳顯示設(shè)備包括第一基板，其包括有源區(qū)、密封劑形成區(qū)以及非有源區(qū)；形成在所述有源區(qū)中的薄膜晶體管陣列；與所述第一基板相對(duì)的第二基板；位于所述第一基板和第二基板之間的電泳膜；形成在所述密封劑形成區(qū)中的密封劑；形成在所述密封劑形成區(qū)中的密封劑阻擋塊，其中所述密封劑阻擋塊包括至少兩個(gè)壩狀物以及壩狀物之間的溝。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述密封劑形成區(qū)設(shè)置在所述有源區(qū)和非有源區(qū)之間的邊界部分中。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述密封劑在被硬化之前被分配在所述密封劑形成區(qū)的與所述有源區(qū)鄰近的一部分中。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述密封劑阻擋塊形成在所述密封劑形成區(qū)的與所述非有源區(qū)鄰近的一部分中。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述第一基板和第二基板各包括柔性材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電泳顯示設(shè)備，其中所述第一基板還包括柵絕緣膜和鈍化膜，并且其中所述壩狀物由與所述柵絕緣膜和鈍化膜相同的材料形成。
7. —種制造電泳顯示設(shè)備的方法，該方法包括以下步驟制備第一基板以及第二基板，其中所述第一基板包括有源區(qū)、密封劑形成區(qū)和非有源區(qū)；在所述第一基板的所述有源區(qū)中形成柵極和選通線；在所述第一基板的包括所述密封劑形成區(qū)和所述有源區(qū)的一部分上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成半導(dǎo)體圖案和源極/漏極；在具有所述源極/漏極和所述密封劑形成區(qū)的所述第一基板上形成鈍化膜；形成與所述漏極相連的像素電極；在所述第一基板和第二基板之間形成電泳膜；以及在所述密封劑形成區(qū)中分配密封劑，其中對(duì)所述密封劑形成區(qū)中的所述柵絕緣膜和鈍化膜被進(jìn)行構(gòu)圖以提供至少兩個(gè)壩狀物以及壩狀物之間的溝。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述壩狀物設(shè)置在所述鈍化膜和柵絕緣膜的構(gòu)圖步驟之后所述鈍化膜和柵絕緣膜被保留的區(qū)域上，而所述溝設(shè)置在所述鈍化膜和柵絕緣膜的構(gòu)圖步驟之后所述鈍化膜和柵絕緣膜被去除的區(qū)域上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述壩狀物以所述柵絕緣膜和鈍化膜的堆疊層來形成。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述鈍化膜具有露出所述漏極的接觸孔。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中在對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行構(gòu)圖以提供所述接觸孔的期間對(duì)位于所述密封劑形成區(qū)中的所述鈍化膜和柵絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述密封劑形成區(qū)設(shè)置在所述有源區(qū)和非有源區(qū)之間的邊界部分中。
13. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述密封劑被分配在所述密封劑形成區(qū)的與所述有源區(qū)鄰近的一部分中。
14. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述壩狀物和溝形成在所述密封劑形成區(qū)的與所述非有源區(qū)域鄰近的一部分中。
15. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第一基板和第二基板各包括柔性材料。
全文摘要
電泳顯示設(shè)備及其制造方法。本發(fā)明公開了一種適用于防止分配的流體密封劑向非有源區(qū)移動(dòng)的EPD。該EPD包括第一基板，其包括有源區(qū)、密封劑形成區(qū)以及非有源區(qū)；形成在所述有源區(qū)中的薄膜晶體管陣列；與所述第一基板相對(duì)的第二基板；位于所述第一基板和第二基板之間的電泳膜；形成在所述密封劑形成區(qū)中的密封劑；形成在所述密封劑形成區(qū)中的密封劑阻擋塊，其中所述密封劑阻擋塊包括至少兩個(gè)壩狀物以及壩狀物之間的溝。
文檔編號(hào)G02F1/167GK101762925SQ20091015178
公開日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2009年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月23日
發(fā)明者樸宰秀, 李裁求 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司