專利名稱：Tft-lcd液晶面板、彩膜基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及TFT-IXD液晶面板、彩膜基板及其制造方法，尤其是涉及能夠提高畫 質(zhì)的TFT-IXD液晶面板、彩膜基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示裝置(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay，簡稱 TFT-LCD)是一種主要的平板顯示裝置(Flat Panel Display，簡稱為FPD)。TFT-IXD由液晶面板、背光模組以及印刷電路板等組件構(gòu)成。其中，背光模組向液 晶面板提供平面光。液晶面板由陣列基板、彩膜基板及陣列基板和彩膜基板之間的液晶層 構(gòu)成。彩膜基板由黑矩陣和彩色樹脂等構(gòu)成，彩色樹脂是指紅(R)、綠(G)、藍(B)三色的 樹脂。每個彩色樹脂皆對應(yīng)陣列基板的一個像素電極，而黑矩陣則對應(yīng)陣列基板的信號線 和薄膜晶體管等。以下將液晶面板的R樹脂區(qū)域稱之為R像素，G樹脂區(qū)域稱之為G像素， B樹脂區(qū)域稱之為B像素。液晶的透過率受到2 And/λ影響，其中Δη為液晶的雙折射率，d為液晶層的厚 度(不包括彩色樹脂的厚度)，λ為光的波長?，F(xiàn)有的液晶顯示器，液晶層的厚度均勻，由 于R、G、B三色的λ不同，因此R、G、B像素的透過率皆不同。請參閱圖1，圖1為現(xiàn)有的液晶顯示器RGB像素的透過曲線圖。圖1中，縱坐標為 透過率，橫坐標為液晶層的厚度，單位為ym。圖1中，RBG透過率最大的點為透過率為0之處，可見R、G、B光的透過率達到最大 時，所需的液晶層厚度為B < G < R。實際生產(chǎn)中，一般液晶層選擇小于0. 48 μ m的厚度，原 因在于，在小于0. 48 μ m的范圍內(nèi)，透過率一直滿足B > G > R。由于R、G、B像素的透過率不一致，經(jīng)相同驅(qū)動電壓驅(qū)動時，顯示的伽馬曲線(驅(qū)動 電壓與透過率的關(guān)系曲線)也不相同。通常，伽馬曲線是按照G像素的標準來設(shè)定的，因此 相同的驅(qū)動電壓，實際上只能在G像素得到所需的透過率，即灰度；而R和B像素，得到的透 過率比所需的值略低和略高。這種現(xiàn)象，會導(dǎo)致三種像素混合后的表現(xiàn)出來的顏色與所需 顏色有差別，視覺上品質(zhì)降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-IXD液晶面板、彩膜基板及其制造方法，能夠?qū)像 素和B像素的透過率向B像素盡可能的接近，使得色彩擬真度提高，提高畫質(zhì)。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT-IXD彩膜基板，包括透明基板和R、G、B樹 脂，所述R、G、B樹脂的厚度依次遞增。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-IXD液晶面板，包括R、G、B像素，所述 R像素包括R樹脂、第一像素電極及位于R樹脂和第一像素電極之間的第一液晶層；所述G 像素包括G樹脂、第二像素電極及位于G樹脂和第二像素電極之間的第二液晶層；所述B像素包括B樹脂、第三像素電極及位于B樹脂和第三像素電極之間的第三液晶層；所述R、G、 B樹脂的厚度依次遞增，使得所述第一液晶層、第二液晶層、第三液晶層的厚度依次遞減。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種TFT-IXD彩膜基板的制造方法，其包括在絕緣的透明基板上，沉積一層非透明物質(zhì)，通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣的圖形；沉積第一厚度的R樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成R樹脂的圖形；沉積第二厚度的G樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成G樹脂的圖形；沉積第三厚度的B樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成B樹脂的圖形；其中，第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于第三厚度。由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明TFT-LCD液晶面板、彩膜基板及其制造方法，通過調(diào) 節(jié)R、G、B樹脂的厚度，改變了 R、G、B像素中液晶層厚度，由此使R、G、B像素的透過率盡可 能接近，當用程序中預(yù)設(shè)的驅(qū)動電壓驅(qū)動液晶時，就能通過R、G、B像素得到最接近于理論 灰度值的顏色，提高色彩擬真度，提高液晶顯示器的畫質(zhì)。


圖1為現(xiàn)有的液晶顯示器RGB像素的透過曲線圖；圖2為本發(fā)明TFT-IXD液晶面板的剖面圖。
具體實施例方式下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細描述。圖2為本發(fā)明TFT-IXD液晶面板的剖面圖。如圖2所示，本發(fā)明的液晶面板包括 彩膜基板和陣列基板。其中彩膜基板包括透明基板10、R樹脂11、G樹脂12、B樹脂13以及黑矩陣(Black matrix) 14。其中，透明基板10可以是玻璃基板或石英基板等；R樹脂11、G樹脂12、B樹脂 13以及黑矩陣14設(shè)置在透明基板10上；黑矩陣14設(shè)置在R樹脂11、G樹脂12以及B樹 脂13之間，當然，根據(jù)需要也可以不設(shè)置黑矩陣14 ；R樹脂11、G樹脂12、B樹脂13的厚度 依次遞增。另外，彩膜基板還可以包括板狀的公共電極，公共電極可覆蓋在彩色樹脂和黑矩 陣上。其中，陣列基板包括透明基板20、第一像素電極21、第二像素電極22、第三像素 電極23及多個信號線24。其中，透明基板20可以是玻璃基板或石英基板等；信號線24為 柵線、數(shù)據(jù)線以及公共電極線等，用于向陣列基板提供信號，信號線24的位置，與黑矩陣14 的位置相對應(yīng)，黑矩陣14用于遮擋信號線24周圍的不良光線，黑矩陣14與現(xiàn)有技術(shù)相同， 故不詳述；第一像素電極21與R樹脂11相對應(yīng)，之間液晶層為具有第一厚度dK的第一液 晶層；第二像素電極22與G樹脂12相對應(yīng)，之間液晶層為具有第二厚度de的第二液晶層； 第三像素電極23與B樹脂13相對應(yīng)，之間液晶層為具有第三厚度dB的第三液晶層。R樹脂11、第一像素電極21及第一液晶層形成了 R像素；G樹脂12、第二像素電極 22及第二液晶層形成了 G像素；B樹脂13、第三像素電極23及第三液晶層形成了 B像素。其中，由于陣列基板和彩膜基板之間的厚度是均一的，因此，R、G、B像素中，R、G、B 樹脂的厚度依次遞增時，第一液晶層的厚度dK、第二液晶層的厚度de、第三液晶層的厚度dB 依次遞減。如此，控制液晶層的厚度，調(diào)節(jié)了 R、G、B像素中透過率。優(yōu)選，以G像素為基準，將R像素的R樹脂比現(xiàn)有技術(shù)中做的薄一些，將B像素的B樹脂比現(xiàn)有技術(shù)中做的厚一些， 達到RGB像素的透過率盡可能接近的目的。優(yōu)選，所述R、G、B樹脂的厚度差為0.1-0. 5 μ m。由于彩膜基板制造工藝中，工藝 誤差為0. 1 μ m，因此，厚度差小于0. 1 μ m時，會有因誤差將不同顏色樹脂的厚度抹平或得 到與所需相反的厚度的問題。當樹脂差高于0. 5 μ m時，會發(fā)生摩擦工藝不良，使得彩膜基 板和陣列基板上的液晶排布出現(xiàn)不均勻的問題，出現(xiàn)漏光等不良。本發(fā)明通過調(diào)節(jié)R、G、B樹脂的厚度，改變了 R、G、B像素中液晶層厚度，由此使R、 G、B像素的透過率盡可能接近，當用程序中預(yù)設(shè)的驅(qū)動電壓驅(qū)動液晶時，就能通過R、G、B像 素得到最接近于理論灰度值的顏色，提高色彩擬真度，提高液晶顯示器的畫質(zhì)。下面說明本發(fā)明TFT-IXD彩膜基板的制造方法。包括如下步驟步驟1 在絕緣的透明基板上，沉積一層非透明物質(zhì)，通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣的 圖形；步驟2 沉積第一厚度的R樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成R樹脂的圖形；步驟3 沉積第二厚度的G樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成G樹脂的圖形；步驟4 沉積第三厚度的B樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成B樹脂的圖形；其中，第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于第三厚度。上述步驟2、3、4可以任何順序進行，且通過沉積薄膜的厚度來控制形成的彩色樹 脂的厚度。另外，還可以按照需要形成公共電極于上述經(jīng)過步驟1-4得到的彩膜基板的結(jié)構(gòu) 之上。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其進行限制， 盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解其依 然可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修 改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-IXD彩膜基板，包括透明基板和R、G、B樹脂，其特征在于，所述R、G、B樹脂 的厚度依次遞增。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD彩膜基板，其特征在于，所述R、G、B樹脂的厚度差 為 0. 1-0. 5 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-IXD彩膜基板，其特征在于還包括黑矩陣，設(shè)置于所述 R、G、B樹脂之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-IXD彩膜基板，其特征在于還包括公共電極，覆蓋于所 述R、G、B樹脂上。
5.一種TFT-IXD液晶面板，包括R、G、B像素，其特征在于，所述R像素包括R樹脂、第一像素電極及位于R樹脂和第一像素電極之間的第一液晶層；所述G像素包括G樹脂、第二像素電極及位于G樹脂和第二像素電極之間的第二液晶層；所述B像素包括B樹脂、第三像素電極及位于B樹脂和第三像素電極之間的第三液晶層；所述R、G、B樹脂的厚度依次遞增，使得所述第一液晶層、第二液晶層、第三液晶層的厚 度依次遞減。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD液晶面板，其特征在于，所述R、G、B樹脂的厚度差 為 0. 1-0. 5 μ m。
7.—種TFT-IXD彩膜基板的制造方法，其特征在于包括在絕緣的透明基板上，沉積一層非透明物質(zhì)，通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣的圖形； 沉積第一厚度的R樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成R樹脂的圖形； 沉積第二厚度的G樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成G樹脂的圖形； 沉積第三厚度的B樹脂薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成B樹脂的圖形； 其中，第一厚度小于第二厚度，第二厚度小于第三厚度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT-LCD液晶面板、彩膜基板及其制造方法，該彩膜基板，包括透明基板和R、G、B樹脂，所述R、G、B樹脂的厚度依次遞增。本發(fā)明通過調(diào)節(jié)R、G、B樹脂的厚度，改變了R、G、B像素中液晶層厚度，由此使R、G、B像素的透過率盡可能接近，當用程序中預(yù)設(shè)的驅(qū)動電壓驅(qū)動液晶時，就能通過R、G、B像素得到最接近于理論灰度值的顏色，提高色彩擬真度，提高液晶顯示器的畫質(zhì)。
文檔編號G02F1/1335GK101995687SQ200910091148
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月10日
發(fā)明者林炳仟, 王丹 申請人:北京京東方光電科技有限公司