專利名稱：一種曝光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻工藝，特別是涉及一種曝光方法。
背景技術(shù)：
光刻工藝是集成電路制造工藝中不可或缺的重要技術(shù)。所述光刻工藝通常包括如 下步驟，先在晶圓表面涂布光阻等感光材料，在感光材料干燥后，通過曝光裝置將掩模上的 電路設(shè)計(jì)圖形以特定光源曝在所述的感光材料上，再以顯影劑將感光材料顯影，并利用顯 影出來的圖形作為屏蔽，進(jìn)行蝕刻等工藝，并最終完成掩模圖形的轉(zhuǎn)移。 隨著集成電路制造工藝中器件的尺寸的越來越小，對(duì)于光刻工藝的要求也越來越 高。目前，一般都是通過縮小曝光光源的曝光波長(zhǎng)來達(dá)到曝出更小尺寸圖形的目的。然而， 這種僅僅借由縮小曝光波長(zhǎng)的方式，通常會(huì)出現(xiàn)光刻分辨率不足的問題。為了增加光刻分 辨率，如今的集成電路制造工藝已發(fā)展出光學(xué)鄰近修正以及相位移掩膜等分辨率增強(qiáng)技 術(shù)。最近，還出現(xiàn)了另一種提高分辨率的技術(shù)-"兩次曝光技術(shù)(Double E鄧osure)"，所述 "兩次曝光技術(shù)"是將需要進(jìn)行曝光的電路圖形分解成兩部分，首先曝光一部分電路圖形， 然后將已曝光圖形移到鄰近地方，再對(duì)剩下的一部分電路圖形進(jìn)行曝光。采用這一技術(shù)能 夠提高光刻分辨率。在例如申請(qǐng)?zhí)枮?3128638. 0的中國專利申請(qǐng)中還能發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于利 用雙極照明來得到具有較小特征尺寸的電路圖形的方法。 以極型(Dipole)兩次曝光技術(shù)為例，其是先把布局圖形分解成X極和Y極兩套， 并分別寫入兩張掩模版，利用兩張掩模版對(duì)同一片晶圓進(jìn)行兩次曝光，曝光后圖形在晶圓 上疊加從而得到實(shí)際的器件圖形。 為使掩模上的圖形正確轉(zhuǎn)移到晶圓上，關(guān)鍵的步驟是將掩模與晶圓對(duì)準(zhǔn)，由于在 雙極曝光中，對(duì)應(yīng)于X極和Y極的布局圖形是寫在兩張掩模版上的，因而在兩次曝光之間需 要轉(zhuǎn)換掩模版，在每次曝光前，需要先對(duì)掩模版的位置作出校準(zhǔn)，再將掩模版和晶圓對(duì)準(zhǔn)， 這樣的曝光過程如下所述 請(qǐng)結(jié)合參考圖1和圖2，步驟S11，將具有X極布局圖形XG的第一掩模版MA定位 在曝光裝置的掩模臺(tái)MS上。通過與掩模臺(tái)MS連接的第一定位系統(tǒng)(圖中未顯示)可以調(diào) 整放置在掩模臺(tái)MS上的第一掩模版MA的位置，以將第一掩模版MA精確定位在掩模臺(tái)MS 上。 步驟S12，將待曝光的晶圓W定位在曝光裝置的晶圓臺(tái)WS上。通過與晶圓臺(tái)WS連 接的第二定位系統(tǒng)(圖中未顯示)可以將晶圓W精確定位在晶圓臺(tái)WS上。
步驟S13，將第一掩模版MA和晶圓W對(duì)準(zhǔn)。第一定位系統(tǒng)和第二定位系統(tǒng)可以根 據(jù)第一掩模版MA的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MA1、MA2和晶圓W的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記W1、W2，精確地移動(dòng)掩 模臺(tái)MS和晶圓臺(tái)WS，以對(duì)準(zhǔn)第一掩模版MA和晶圓W。 步驟S14，對(duì)晶圓W進(jìn)行X極曝光。調(diào)整光圈AP以獲得X極(第一方向DX)曝光 光源XL， X極曝光光源XL經(jīng)過照射系統(tǒng)(Condenser Lens) CL被配置成調(diào)節(jié)輻射光束，照射 到第一掩模版MA上，再經(jīng)過投影系統(tǒng)(Projection Lens) PL將第一掩模版MA上的X極布局圖形XG按比例縮小投影到晶圓W的高分子聚合物層上。 請(qǐng)結(jié)合參考圖1和圖3，步驟S15，取出第一掩模版MA，將具有Y極布局圖形YG的 第二掩模版MB定位在曝光裝置的掩模臺(tái)MS上。通過與掩模臺(tái)MS連接的第一定位系統(tǒng)(圖 中未顯示)可以調(diào)整放置在掩模臺(tái)MS上的第二掩模版MB的位置，以將第二掩模版MB精確 定位在掩模臺(tái)MS上。 步驟S16，將第二掩模版MB和晶圓W對(duì)準(zhǔn)。第一定位系統(tǒng)和第二定位系統(tǒng)可以根 據(jù)第二掩模版MB的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MB1、MB2和晶圓W的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記W1、W2，精確地移動(dòng)掩 模臺(tái)MS和晶圓臺(tái)WS，以對(duì)準(zhǔn)第二掩模版MB和晶圓W。 步驟S17，轉(zhuǎn)換曝光光源，對(duì)晶圓W進(jìn)行Y極曝光。調(diào)整光圈AP以獲得Y極(第二 方向DY)曝光光源YL，Y極曝光光源YL經(jīng)過照射系統(tǒng)CL被配置成調(diào)節(jié)輻射光束，照射到第 二掩模版MB上，再經(jīng)過投影系統(tǒng)PL將第二掩模版MB上的Y極布局圖形YG按比例縮小投 影到晶圓W的高分子聚合物層上。 上述雙極曝光過程由于需要兩張掩模版，增加了成本費(fèi)用；需要轉(zhuǎn)換掩模版，并分 別對(duì)兩張掩模版的位置作出校準(zhǔn)，因而會(huì)增加曝光過程所需的時(shí)間，因此降低了生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是，提供一種曝光方法，降低了成本費(fèi)用并且提高了生產(chǎn)效率。
為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種曝光方法，包括，提供布局圖；利用布局圖的 圖形生成第一曝光條件和第二曝光條件；針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述 第二曝光條件形成第二模型；對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和 第二曝光劑量；根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型；利用所述與前 述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型制備得到掩膜版；對(duì)待曝光的晶圓按照第一曝光條件和第一曝光劑 量進(jìn)行曝光；對(duì)所述曝光后的晶圓按第二曝光條件和第二曝光劑量進(jìn)行曝光。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)曝光方法只需要一張掩膜版，從而節(jié)省了 掩膜版的費(fèi)用；并且不需要轉(zhuǎn)換掩模版，只需要對(duì)一張掩模版的位置作出校準(zhǔn)，因而減少了 曝光過程所需的時(shí)間，因此提高了生產(chǎn)效率。具體的說現(xiàn)有技術(shù)中需要制備兩張掩膜版來 實(shí)現(xiàn)曝光，提高了掩膜版的制備費(fèi)用，而本發(fā)明只需要一張掩膜版，從而節(jié)省了掩膜版的費(fèi) 用；并且現(xiàn)有技術(shù)中在曝光制程中需要轉(zhuǎn)換掩模版步驟，并分別對(duì)兩張掩模版的位置作出 校準(zhǔn)，因而會(huì)增加曝光過程所需的時(shí)間，因此降低了生產(chǎn)效率，而本發(fā)明只需要對(duì)一張掩模 版的位置作出校準(zhǔn)，因而減少了曝光過程所需的時(shí)間，因此提高了生產(chǎn)效率。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的雙極曝光過程的流程圖；
圖2和圖3是現(xiàn)有技術(shù)的雙極曝光過程示意圖；
圖4是本發(fā)明第一實(shí)施方式的曝光方法的流程圖；
圖5和圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式的曝光方法示意圖；
圖7是本發(fā)明第二實(shí)施方式的流程圖。
具體實(shí)施例方式
第一實(shí)施方式 本發(fā)明提供一種曝光方法，包括，提供布局圖；利用布局圖的圖形信息生成第一曝 光條件和第二曝光條件；針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述第二曝光條件形 成第二模型；對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和第二曝光劑量； 根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型；根據(jù)所述生成的相對(duì)應(yīng)的模型 和第一曝光劑量生成第三曝光劑量；根據(jù)所述生成的相對(duì)應(yīng)的模型和第二曝光劑量生成第 四曝光劑量；利用所述與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型制備得到掩膜版；對(duì)待曝光的晶圓按照 第一曝光條件和第三曝光劑量進(jìn)行曝光；對(duì)所述曝光后的晶圓按第二曝光條件和第四曝光 劑量進(jìn)行曝光。 應(yīng)用上述的曝光方法的流程如圖4所示
步驟S401，提供布局圖； 步驟S402，利用布局圖的圖形信息生成第一曝光條件和第二曝光條件； 步驟S403，針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述第二曝光條件形成第
二模型； 步驟S404，對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和第二曝光 劑量； 步驟S405，根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型，并根據(jù)所 述生成的模型和第一曝光劑量生成第三曝光劑量，根據(jù)所述生成的模型和第二曝光劑量生 成第四曝光劑量； 步驟S406，利用所述與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型制備得到掩膜版；
步驟S407，對(duì)待曝光的晶圓按照第一曝光條件和第三曝光劑量進(jìn)行曝光；
步驟S408，對(duì)所述曝光后的晶圓按第二曝光條件和第四曝光劑量進(jìn)行曝光。
下面按照?qǐng)D4所述的曝光方法的各步驟作詳細(xì)的說明 如步驟S401所述，提供布局圖。所述布局圖可以包含多個(gè)圖形組合，具體可以為 多個(gè)線寬的圖形組合。下面以多個(gè)線寬的圖形組合為例做示范性說明。
如步驟S402所述，利用布局圖的圖形信息生成第一曝光條件和第二曝光條件。具 體包括，對(duì)所述布局圖進(jìn)行解析，根據(jù)布局圖的線寬參數(shù)，分解得到基于節(jié)距(pitch)參數(shù) 布局圖組合。將上述基于節(jié)距(Pitch)參數(shù)布局圖依次進(jìn)行模擬，得到基于節(jié)距(pitch) 參數(shù)布局圖的曝光條件，將所述曝光條件依次對(duì)上述其他節(jié)距參數(shù)布局圖進(jìn)行曝光模擬， 根據(jù)模擬結(jié)果，選擇優(yōu)選的兩種曝光條件組合，為第一曝光條件和第二曝光條件。
如步驟S403所述，針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述第二曝光條件 形成第二模型。具體包括，隨著集成電路設(shè)計(jì)和制造的迅猛發(fā)展，特征尺寸已經(jīng)接近甚至小 于光刻工藝中所使用的光波波長(zhǎng)，因此在光刻工藝制程中，由于光電衍射和干涉現(xiàn)象，待曝 光晶圓上得到的圖形與設(shè)計(jì)圖形之間存在一定的偏差。具體的說，在O. 13微米工藝節(jié)點(diǎn)以 前，設(shè)計(jì)和制造工藝往往是獨(dú)立的，也就是說，集成電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)工程師考慮的重點(diǎn)是在 于所要實(shí)現(xiàn)的電路功能，而不是所設(shè)計(jì)的電路在后續(xù)工藝制程中的可制造性。而在O. 13微 米工藝以及更低節(jié)點(diǎn)，這樣往往會(huì)造成最后形成在半導(dǎo)體芯片上的圖形與根據(jù)集成電路設(shè) 計(jì)圖形所作出的布局圖形有很大程度的不一致。而這些在制造工藝中實(shí)際條件限制，尤其是光刻工藝的曝光條件限制產(chǎn)生的設(shè)計(jì)圖形與實(shí)際圖形的偏差的缺陷可以對(duì)布局圖形進(jìn) 行修正，使得半導(dǎo)體芯片上的圖形盡可能接近設(shè)計(jì)圖形?；谒鲂拚到y(tǒng)和第一曝光條 件形成了第一模型；基于所述修正系統(tǒng)和第二曝光條件形成了第二模型。
如步驟S404所述，對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和第二 曝光劑量；具體包括，將第一模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量，將第二模型進(jìn)行曝光實(shí) 驗(yàn)，獲得第二曝光劑量。所述曝光實(shí)驗(yàn)可以為在曝光機(jī)上實(shí)際曝光也可以為計(jì)算機(jī)模擬曝光。
如步驟S405所述，根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型，并 根據(jù)所述生成的模型和第一曝光劑量生成第三曝光劑量，根據(jù)所述生成的模型和第二曝光 劑量生成第四曝光劑量。具體包括，將第一模型和第二模型利用光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)生成與 前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型。并將所述生成的模型和第一曝光劑量代入光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)生 成第三曝光劑量，將所述生成的模型和第二曝光劑量代入光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)生成第四曝光 劑量。所述第三曝光劑量=nX第一曝光劑量；所述第四曝光劑量=mX第二曝光劑量。 所述n+m = 1 。 如步驟S406所述，利用所述與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型制備得到掩膜版。具體包 括，將所述與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型輸出為版圖，將所述版圖制備成為掩膜版，所述掩膜 版的制備技術(shù)可以為公知的制備技術(shù)，具體可以為，將所述版圖繪制為套刻圖，具體可以為 將版圖放大100倍至1000倍，繪制在坐標(biāo)紙上；將所述套刻圖利用刻圖機(jī)刻在底版上；利 用制版技術(shù)依次經(jīng)過初縮、對(duì)焦、縮小倍率調(diào)整、曝光和化學(xué)處理等制程，得到所述版圖的 初縮版圖。將所述初縮版圖經(jīng)過圖形方位對(duì)準(zhǔn)、步進(jìn)間距選擇等精縮技術(shù)，利用精縮機(jī)制備 得到所述掩膜版M。 如圖5所示，如步驟S407所述，對(duì)待曝光的晶圓按照第一曝光條件和第三曝光劑 量進(jìn)行曝光。具體包括，將所述掩膜版M定位在掩膜臺(tái)MS上；將待曝光的晶圓W定位在晶 圓臺(tái)WS上；將所述的掩膜版與所述的晶圓對(duì)準(zhǔn)；對(duì)所述的晶圓按第一曝光條件和第三曝光 劑量進(jìn)行曝光。 將所述掩膜版M定位在掩膜臺(tái)MS上。具體地說，將所述掩膜版M放置于掩膜臺(tái)MS 上，探測(cè)放置于掩膜臺(tái)MS上的掩膜版M的位置，并在所述掩膜版M的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的掩 膜版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)，調(diào)整放置在掩膜臺(tái)MS上的所述掩膜版M的 位置，直至所述掩膜版M的位置符合預(yù)設(shè)掩膜版位置的要求。 本實(shí)施例中，可以借助與掩膜臺(tái)MS連接的第一定位系統(tǒng)將所述掩膜版M精確定位 在掩膜臺(tái)MS上。具體包括，將所述掩膜版M放置于掩膜臺(tái)MS上，與掩膜臺(tái)MS連接的第一 定位系統(tǒng)計(jì)算第一位置傳感器探測(cè)到的所述掩膜版M的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的掩膜版位置的 偏移，并與預(yù)設(shè)的位置誤差范圍進(jìn)行比較若位置的偏移在預(yù)設(shè)的誤差范圍內(nèi)，則可以認(rèn)為 所述掩膜版M與掩膜臺(tái)MS已經(jīng)對(duì)準(zhǔn)；若位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的誤差范圍，調(diào)整放置在掩 膜臺(tái)MS上的所述掩膜版M的位置，直至所述掩模版M的位置的偏移在位置誤差范圍內(nèi)。
將待曝光的晶圓W定位在晶圓臺(tái)WS上。具體包括，探測(cè)放置在晶圓臺(tái)WS上的晶 圓W的位置，并在晶圓W的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍 時(shí)，調(diào)整晶圓W的位置。本實(shí)施例中，借助與晶圓臺(tái)WS連接的第二定位系統(tǒng)可以將晶圓W 精確定位在晶圓臺(tái)WS上。 與晶圓臺(tái)WS連接的第二定位系統(tǒng)計(jì)算第二位置傳感器探測(cè)到的晶圓W的位置相
6對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移，并與預(yù)設(shè)的位置誤差范圍進(jìn)行比較若位置的偏移在預(yù)設(shè)的 誤差范圍內(nèi)，則可以認(rèn)為晶圓W與晶圓臺(tái)WS已經(jīng)對(duì)準(zhǔn)；若位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的誤差范 圍，調(diào)整放置在晶圓臺(tái)WS上的晶圓W的位置，直至晶圓W的位置的偏移在位置誤差范圍內(nèi)。
將所述的掩膜版與所述的晶圓對(duì)準(zhǔn)。第一定位系統(tǒng)和第二定位系統(tǒng)可以根據(jù)掩膜 版M的掩膜對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MC1、MC2和晶圓W的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記W1、W2，精確地移動(dòng)掩膜臺(tái)MS和晶 圓臺(tái)WS或者精確地移動(dòng)掩膜臺(tái)MS或晶圓臺(tái)WS，以對(duì)準(zhǔn)掩膜版M和晶圓W。
對(duì)所述的晶圓按第一曝光條件和第三曝光劑量進(jìn)行曝光。具體包括，按第一曝光 條件和第三曝光劑量，使得曝光光源穿過光圈的孔徑AP，得到第一曝光光源ZL，第一曝光 光源ZL經(jīng)過照射系統(tǒng)CL被配置成調(diào)節(jié)輻射光束，照射到掩膜版M上，穿過掩膜版M后形成 聚焦調(diào)節(jié)輻射光束，再經(jīng)過投影系統(tǒng)PL的投影透鏡形成曝光光束聚焦在晶圓W上的高分子 聚合物層上，即將掩膜版M上的布局圖形按模型A的曝光劑量按比例縮小投影到晶圓W的 高分子聚合物層上。 如圖6所示，如步驟S408所述，對(duì)所述曝光后的晶圓按第二曝光條件和第四曝光 劑量進(jìn)行曝光。具體包括，按第二曝光條件和第四曝光劑量，使得曝光光源穿過光圈的孔徑 AP，得到第二曝光光源Z'，第二曝光光源經(jīng)過照射系統(tǒng)CL被配置成調(diào)節(jié)輻射光束，照射到 掩膜版M上，穿過掩膜版M后形成聚焦調(diào)節(jié)輻射光束，再經(jīng)過投影系統(tǒng)PL的投影透鏡形成 曝光光束聚焦在晶圓W上的高分子聚合物層上，即將掩膜版M上的布局圖形按模型B的曝 光劑量按比例縮小投影到晶圓W的高分子聚合物層上。 利用一張掩模版M對(duì)同一片晶圓W進(jìn)行兩次曝光，兩次曝光后的圖形在晶圓W上 疊加從而得到了實(shí)際的器件圖形。上述圖4的曝光方法只需要一張掩膜版W，從而節(jié)省了 掩膜版的費(fèi)用；并且不需要轉(zhuǎn)換掩模版，只需要對(duì)一張掩模版的位置作出校準(zhǔn)，因而減少了 曝光過程所需的時(shí)間，因此提高了生產(chǎn)效率。具體地說，現(xiàn)有技術(shù)中需要制備兩張掩膜版 來實(shí)現(xiàn)曝光，掩膜版的制備費(fèi)用大，而本發(fā)明只需要一張掩膜版M，從而節(jié)省了掩膜版的費(fèi) 用；并且現(xiàn)有技術(shù)中在曝光制程中需要轉(zhuǎn)換掩模版步驟，并分別對(duì)兩張掩模版的位置作出 校準(zhǔn)，因而會(huì)增加曝光過程所需的時(shí)間，因此降低了生產(chǎn)效率，而本發(fā)明只需要對(duì)一張掩模 版的位置作出校準(zhǔn)，因而減少了曝光過程所需的時(shí)間，因此提高了生產(chǎn)效率。
第二實(shí)施方式 —種形成與布局圖相對(duì)應(yīng)的模型的方法，包括，提供布局圖；利用布局圖的圖形生 成第一曝光條件和第二曝光條件；針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述第二曝 光條件形成第二模型；對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和第二曝 光劑量；根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型。
應(yīng)用于曝光方法實(shí)施例的模型的流程圖如圖7所示
步驟S501，提供布局圖； 步驟S502，利用布局圖的圖形信息生成第一曝光條件和第二曝光條件； 步驟S503，針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述第二曝光條件形成第
二模型； 步驟S504，對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和第二曝光 劑量； 步驟S505，根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型。
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如步驟S501所述，包括提供布局圖，所述布局圖可以包含多個(gè)圖形組合，具體可
以為多個(gè)線寬的圖形組合。下面以多個(gè)線寬的圖形組合為例做示范性說明。 如步驟S502所述，利用布局圖的圖形信息生成第一曝光條件和第二曝光條件，將
所述布局圖分解成多個(gè)線寬圖形組合，將上述線寬輸入模擬軟件，所述模擬軟件可以為公
知的PROLITH軟件或者為S-Litho軟件。得到對(duì)應(yīng)線寬的曝光條件。將所述曝光條件經(jīng)過
模擬軟件處理，得到曝光條件組合。優(yōu)選所述曝光條件組合，得到第一曝光條件和第二曝光條件。 如步驟S503所述，針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述第二曝光條件 形成第二模型。具體包括，利用光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)，輸入第一曝光條件，形成第一模型；輸 入第二曝光條件，形成第二模型。所述光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)包含基于模型技術(shù)的模塊，所述基 于模型技術(shù)需要事先選擇適當(dāng)?shù)拇鎯?chǔ)在光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)模型庫內(nèi)的光學(xué)模型，實(shí)際處理 中，輸入曝光條件，利用光學(xué)模型模擬光刻成像的過程，得到數(shù)據(jù)來對(duì)版圖進(jìn)行修正。
步驟S504，對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和第二曝光 劑量。將所述第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，所述實(shí)驗(yàn)可以為在曝光機(jī)上實(shí)際曝光也 可以為計(jì)算機(jī)模擬曝光。所述計(jì)算機(jī)模擬曝光可以為Calibre Mentor軟件或者為Progen Sy,sys軟件或者為Tychyan Brion軟件。 步驟S505，根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型。具體包括， 利用光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)擬合功能，將所述第一模型和第二模型進(jìn)行擬合，生成與前述布局 圖相對(duì)應(yīng)的模型。 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種曝光方法，其特征在于，包括，提供布局圖；利用布局圖的圖形信息生成第一曝光條件和第二曝光條件；針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述第二曝光條件形成第二模型；對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和第二曝光劑量；根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型，并根據(jù)所述生成的模型和第一曝光劑量生成第三曝光劑量，根據(jù)所述生成的模型和第二曝光劑量生成第四曝光劑量；利用所述與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型制備得到掩膜版；對(duì)待曝光的晶圓按照第一曝光條件和第三曝光劑量進(jìn)行曝光；對(duì)所述曝光后的晶圓按第二曝光條件和第四曝光劑量進(jìn)行曝光。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述利用布局圖的圖形信息生成第 一曝光條件和第二曝光條件包括，對(duì)布局圖的圖形進(jìn)行解析；根據(jù)解析獲得的圖形信息進(jìn) 行曝光分析；對(duì)所述曝光分析中形成的各種曝光條件組合進(jìn)行比較，選擇第一曝光條件和 第二曝光條件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述布局圖的圖形包括多個(gè)圖形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述圖形信息為所述布局圖中的節(jié)距。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光方法，其特征在于，所述的曝光分析包括實(shí)際曝光或者 模擬曝光。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述針對(duì)所述第一曝光條件形成第 一模型，針對(duì)所述第二曝光條件形成第二模型的過程包括，光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)接收第一曝 光條件，形成第一曝光模型；光學(xué)鄰近修正系統(tǒng)接收第二曝光條件，形成第二曝光模型。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的曝光方法，其特征在于，所述第三曝光劑量二nX第一曝光劑 量；所述第四曝光劑量=mX第二曝光劑量。所述n+m = 1。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，所述對(duì)所述待曝光的晶圓按照第一 曝光條件和第一曝光劑量進(jìn)行曝光包括將所述掩膜版定位在掩膜臺(tái)上； 將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上； 將所述的掩膜版與所述的晶圓對(duì)準(zhǔn)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述將所述掩膜版定位在掩膜臺(tái)上 包括探測(cè)放置在掩膜臺(tái)上的掩膜版位置，并在所述掩膜版的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的掩膜版位 置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩膜臺(tái)上的掩膜版的位置。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái) 上包括探測(cè)放置在晶圓臺(tái)上的晶圓的位置，并在所述晶圓的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置 的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述晶圓的位置。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光方法，其特征在于，所述將所述的掩膜版與所述的晶圓 對(duì)準(zhǔn)包括根據(jù)掩膜版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，移動(dòng)掩膜臺(tái)和晶圓臺(tái)或者精確地移 動(dòng)掩膜臺(tái)或晶圓臺(tái)。
全文摘要
一種曝光方法，所述曝光方法包括提供布局圖；利用布局圖的圖形信息生成第一曝光條件和第二曝光條件；針對(duì)所述第一曝光條件形成第一模型，針對(duì)所述第二曝光條件形成第二模型；對(duì)第一模型和第二模型進(jìn)行曝光實(shí)驗(yàn)，獲得第一曝光劑量和第二曝光劑量；根據(jù)第一模型和第二模型生成與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型，并根據(jù)所述生成的模型和第一曝光劑量生成第三曝光劑量，根據(jù)所述生成的模型和第二曝光劑量生成第四曝光劑量；利用所述與前述布局圖相對(duì)應(yīng)的模型制備得到掩膜版；對(duì)待曝光的晶圓按照第一曝光條件和第三曝光劑量進(jìn)行曝光；對(duì)所述曝光后的晶圓按第二曝光條件和第四曝光劑量進(jìn)行曝光。所述曝光方法降低了成本費(fèi)用并且提高了生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)G03F1/42GK101788768SQ20091004570
公開日2010年7月28日 申請(qǐng)日期2009年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月23日
發(fā)明者李承赫 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司