專利名稱：移位寄存器的級(jí)、柵線驅(qū)動(dòng)器、陣列基板和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種移位寄存器的級(jí)、柵線驅(qū)動(dòng)器、陣列基板和液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
移位寄存器是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，經(jīng)常使用在各種電子產(chǎn)品中，如
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,以下簡(jiǎn)稱為L(zhǎng)CD)等。液晶顯示裝置 中的移位寄存器是n級(jí)(n-stage)移位寄存器。
在液晶顯示裝置中，每一個(gè)柵線與移位寄存器的一個(gè)級(jí)電連接。液晶顯 示裝置在工作時(shí)，與每一個(gè)柵線對(duì)應(yīng)連接的級(jí)依次向面板輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
圖1為現(xiàn)有的移位寄存器的級(jí)的示意圖。如圖1所示，移位寄存器的級(jí) 包括上拉模塊110、下拉模塊120、上拉驅(qū)動(dòng)模塊130、下拉驅(qū)動(dòng)模塊140 和轉(zhuǎn)換(inverter)模塊150。
上拉模塊110才艮據(jù)從時(shí)鐘信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)向輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)， 該上扭漠塊110包括第十五薄膜晶體管(Thin Firm Transistor,簡(jiǎn)稱為TFT) T15。第十五薄膜晶體管T15的柵極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接，其源極與時(shí)鐘信號(hào)輸 入端電連接，其漏極與輸出端電連接。
上拉驅(qū)動(dòng)模塊130用于驅(qū)動(dòng)上拉模塊110,該上拉驅(qū)動(dòng)模塊130包括第 一薄膜晶體管Tl和電容C。其中，第一薄膜晶體管Tl的柵極和源極分別與 輸入端電連接，其漏極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接；電容C的一端與所述上拉節(jié)點(diǎn)電 連接，其另一端與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
下拉模塊120用于向輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)，該下拉模塊120包括第十三 薄膜晶體管T13和第十四薄膜晶體管T14。其中，第十三薄膜晶體管T13的柵極與轉(zhuǎn)換模塊150電連接，其源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與輸 出節(jié)點(diǎn)電連接；第十四薄膜晶體管T14的柵極與復(fù)位信號(hào)輸入端電連接，其 源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
下拉驅(qū)動(dòng)模塊140用于驅(qū)動(dòng)下拉模塊120，該下拉驅(qū)動(dòng)模塊140包括第六 薄膜晶體管T6、第七薄膜晶體管T7、第八薄膜晶體管T8和第十薄膜晶體管 TIO。其中，第六薄膜晶體管T6的柵極與時(shí)鐘阻礙信號(hào)輸入端電連接，其源 極與輸入端電連接，其漏極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接；第七薄膜晶體管T7的柵極與 時(shí)鐘信號(hào)輸入端電連接，其源極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連 接；第八薄膜晶體管T8的柵極與時(shí)鐘阻礙信號(hào)輸入端電連接，其源極與關(guān)斷 信號(hào)輸入端電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接；第十薄膜晶體管T10的柵極 復(fù)位信號(hào)輸入端電連接，其源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接,其漏極與上拉節(jié) 點(diǎn)電連接。
轉(zhuǎn)換模塊150用于驅(qū)動(dòng)第十三薄膜晶體管T13,該轉(zhuǎn)換模塊150包括第二 薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第十一薄膜晶體管Tll和第十二薄膜晶 體管T12。其中，第二薄膜晶體管T2的柵極和源極分別與時(shí)鐘信號(hào)輸入端電 連接，其漏極第三薄膜晶體管T3的柵極電連接；第三薄膜晶體管T3的柵極 與第二薄膜晶體管T2的漏極電連接，其源極與時(shí)鐘信號(hào)輸入端電連接，其漏 極與第十三薄膜晶體管T13的柵極電連接；第十一薄膜晶體管Tll的柵極與 輸出節(jié)點(diǎn)電連接，其源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與第二薄膜晶體 管T2的漏極電連接；第十二薄膜晶體管T12的柵極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接，其源 極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與第十三薄膜晶體管T13的柵極電連接。
圖2為現(xiàn)有的移位寄存器的級(jí)的時(shí)序圖。如圖2所示，上述級(jí)的工作原 理如下
第一階段，輸入端為高電平信號(hào)、時(shí)鐘阻礙信號(hào)輸入端為高電平信號(hào)。 其中，向輸入端輸入的信號(hào)為STV信號(hào)，或者前端級(jí)的輸出端信號(hào)；向時(shí)鐘 阻礙信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為時(shí)鐘阻礙信號(hào)。此時(shí)，輸入端的高電平信號(hào)導(dǎo)通第一薄膜晶體管Tl,時(shí)鐘阻礙信號(hào)輸入端的高電平信號(hào)分別導(dǎo)通第六薄膜 晶體管T6和第八薄膜晶體管T8;通過(guò)第一薄膜晶體管Tl和第六薄膜晶體管 T6高電平信號(hào)傳輸?shù)缴侠?jié)點(diǎn)，通過(guò)第八薄膜晶體管T8關(guān)斷信號(hào)輸入端的 關(guān)斷信號(hào)傳輸?shù)捷敵龉?jié)點(diǎn)。此時(shí)，電容C被充電。
第二階段，時(shí)鐘信號(hào)輸入端為高電平。向時(shí)鐘信號(hào)輸入端輸入時(shí)鐘信號(hào)。 此時(shí)，在上拉節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生自舉(bootstrapping)效應(yīng)并放大上拉節(jié)點(diǎn)的電壓，最 終向輸出端傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
第三階段，時(shí)鐘阻礙信號(hào)輸入端為高電平，復(fù)位信號(hào)輸入端為高電平。 其中，向復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為后端級(jí)的輸出端信號(hào)。此時(shí)，時(shí)鐘阻 礙信號(hào)端的高電平信號(hào)導(dǎo)通第六薄膜晶體管T6和第八薄膜晶體管T8;復(fù)位 信號(hào)輸入端的高電平信號(hào)導(dǎo)通第十薄膜晶體管T10和第十四薄膜晶體管T14。 此時(shí)，通過(guò)第十薄膜晶體管T10和第十四薄膜晶體管T14分別向上拉節(jié)點(diǎn)和 輸出節(jié)點(diǎn)傳輸關(guān)斷信號(hào)。
第四階段，時(shí)鐘信號(hào)輸入端為高電平。此時(shí)，時(shí)鐘信號(hào)通過(guò)第二薄膜晶 體管T2和第三薄膜晶體管T3，導(dǎo)通第十三薄膜晶體管T13,并且通過(guò)第十三 薄膜晶體管T13將關(guān)斷信號(hào)傳輸?shù)捷敵龉?jié)點(diǎn)。
第五階段，時(shí)鐘阻礙信號(hào)輸入端為高電平。此時(shí)，時(shí)鐘阻礙信號(hào)端的高 電平信號(hào)導(dǎo)通第六薄膜晶體管T6和第八薄膜晶體管T8，并且通過(guò)第八薄膜 晶體管T8將關(guān)斷信號(hào)傳輸?shù)捷敵龉?jié)點(diǎn)。
然后，第一階段重新開(kāi)始前，第四階段和第五階段一次重復(fù)。
在現(xiàn)有技術(shù)中，時(shí)鐘信號(hào)和時(shí)鐘阻礙信號(hào)都是30v左右的高電壓。因此 通過(guò)上述的工作原理可知，第二薄膜晶體管T2、第六薄膜晶體管T6和第八 薄膜晶體管T8長(zhǎng)時(shí)間被輸入高電壓，從而第二薄膜晶體管T2、第六薄膜晶 體管T6和第八薄膜晶體管T8容易引起柵極門限電壓(threshold voltage)的 上升。因此在正常的情況下，時(shí)鐘信號(hào)和時(shí)鐘阻礙信號(hào)無(wú)法導(dǎo)通第二薄膜晶 體管T2、第六薄膜晶體管T6和第八薄膜晶體管T8，從而有可能引發(fā)電路錯(cuò)誤。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種移位寄存器的級(jí)、柵線驅(qū)動(dòng)器、陣列基板和液 晶顯示裝置，以防止移位寄存器在高壓信號(hào)下工作時(shí)產(chǎn)生薄膜晶體管的柵極 門限電壓上升的缺陷。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種移位寄存器的級(jí)，包括 上拉模塊，根據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低壓信號(hào)輸入端 和高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 下拉^t塊，向所述輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)；
上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上4i^莫塊； 下拉驅(qū)動(dòng)模塊,根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下拉 模塊；
從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述第二低壓信號(hào)輸入端輸 入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所 述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。
其中，所述上拉模塊包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與上拉節(jié) 點(diǎn)電連接，其源極與所述高壓信號(hào)電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
其中，所述第二控制信號(hào)為前端級(jí)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種柵線驅(qū)動(dòng)器，包括由多個(gè)級(jí) 構(gòu)成的移位寄存器、第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)、第二高 壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第奇數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二低壓信 號(hào)、第一高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第偶數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、 第二低壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，每一個(gè)所述級(jí)包括上拉模塊， 根據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低壓信號(hào)輸入端和高壓信號(hào)輸入 端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)；下拉模塊，向所述輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)；上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上拉模 塊；下拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下拉 模塊；從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述第二低壓信號(hào)輸入端 輸入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從 所述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。
其中，所述上拉;f莫塊包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵4l與上拉節(jié) 點(diǎn)電連接，其源極與所述高壓信號(hào)電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
其中，所述第二控制信號(hào)為前端級(jí)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括基板，形成在 所述基板的顯示區(qū)域的有源陣列和形成在所述基板的一側(cè)的柵線驅(qū)動(dòng)器，所 述^f冊(cè)線驅(qū)動(dòng)器包括由多個(gè)級(jí)構(gòu)成的移位寄存器、第一低壓信號(hào)、第二低壓 信號(hào)、第一高壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第奇數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入 有第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第偶數(shù)個(gè)所述 級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，每 一個(gè)所述級(jí)包括上拉模塊，根據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低 壓信號(hào)輸入端和高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 下拉模塊，向所述輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)；上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述輸入端 輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上拉模塊；下拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入 端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下拉模塊；從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào) 和從所述第二低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從所述第一低 壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的 信號(hào)。 其中，所述上拉^t塊包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與上拉節(jié) 點(diǎn)電連接，其源極與所述高壓信號(hào)電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。 其中，所述第二控制信號(hào)為前端級(jí)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括基板，在所述基板的顯示區(qū)域形成的有源陣
列和在所述基板的一側(cè)形成的柵線驅(qū)動(dòng)器，所述柵線驅(qū)動(dòng)器包括由多個(gè)級(jí) 構(gòu)成的移位寄存器、第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)、第二高 壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第奇數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二低壓信 號(hào)、第一高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第偶數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、 第二低壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，每一個(gè)所述級(jí)包括上拉模塊， 根據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低壓信號(hào)輸入端和高壓信號(hào)輸入 端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)；下拉模塊，向所述輸出端輸出 關(guān)斷信號(hào)；上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上拉模 塊；下拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下拉 模塊；從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述第二低壓信號(hào)輸入端 輸入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從 所述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。
在本發(fā)明中，向移位寄存器內(nèi)輸入低壓信號(hào)，并且使移位寄存器輸出驅(qū) 動(dòng)信號(hào)，從而可以使移位寄存器在低壓信號(hào)的控制下工作，從而可以防止移 位寄存器的薄膜晶體管的柵極門限電壓上升的缺陷，從而可以在比較寬泛的 溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定的工作。
下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖1為現(xiàn)有的移位寄存器的級(jí)的示意圖2為現(xiàn)有的移位寄存器的級(jí)的時(shí)序圖3為本發(fā)明的移位寄存器的級(jí)的結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明的移位寄存器的級(jí)的時(shí)序圖5為本發(fā)明的柵極驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)示意圖6為本發(fā)明的信號(hào)生成器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖3為本發(fā)明的移位寄存器的級(jí)的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示，移位寄存器的級(jí)包括上拉模塊210、下拉模塊220、上拉驅(qū)動(dòng)模塊230、下拉驅(qū)動(dòng)模塊240和轉(zhuǎn)換模塊250。
上拉才莫塊210，才艮據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低壓信號(hào)輸入端和高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。該上拉模塊210包括第十五薄膜晶體管(ThinFirm Transistor,簡(jiǎn)稱為TFT)T15。第十五薄膜晶體管T15的柵極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接，其源極與高壓信號(hào)輸入端電連接，其漏極與輸出端電連接。
上拉驅(qū)動(dòng)模塊230,根據(jù)從所述輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上拉模塊210。從所述輸入端輸入的信號(hào)為STV信號(hào)或者前端級(jí)的輸出端信號(hào)。該上拉驅(qū)動(dòng)模塊230包括第一薄膜晶體管Tl和電容C。其中，第一薄膜晶體管Tl的柵-極和源極分別與輸入端電連接，其漏極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接；電容C的一端與所述上拉節(jié)點(diǎn)電連接，其另一端與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
下拉;f莫塊220,向所述輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)。該下4i^莫塊220包括第十三薄膜晶體管T13和第十四薄膜晶體管T14。其中，第十三薄膜晶體管T13的柵極與轉(zhuǎn)換模塊150電連接，其源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接；第十四薄膜晶體管T14的柵極與復(fù)位信號(hào)輸入端電連接，其源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
下拉驅(qū)動(dòng)模塊240,根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下才i^莫塊220。該下拉驅(qū)動(dòng)模塊240包括第六薄膜晶體管T6、第七薄膜晶體管T7、第八薄膜晶體管T8和第十薄膜晶體管TIO。其中，第六薄膜晶體管T6的柵極與第二低壓信號(hào)輸入端電連接，其源極與輸入端電連接，其漏極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接；第七薄膜晶體管T7的柵極與第一低壓信號(hào)輸入端電連接，其
源極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接；第八薄膜晶體管T8的柵極與第二j氐壓信號(hào)輸入端電連接，其源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極
與輸出節(jié)點(diǎn)電連接；第十薄膜晶體管T10的柵極復(fù)位信號(hào)輸入端電連接，其源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接。
轉(zhuǎn)換模塊250用于驅(qū)動(dòng)第十三薄膜晶體管T13，該轉(zhuǎn)換模塊250包括第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第十一薄膜晶體管Tll和第十二薄膜晶體管T12。其中，第二薄膜晶體管T2的柵極和源極分別與第一低壓信號(hào)輸入端電連接，其漏極第三薄膜晶體管T3的柵極電連接；第三薄膜晶體管T3的柵極與第二薄膜晶體管T2的漏極電連接，其源極與第一低壓信號(hào)輸入端電連接，其漏極與第十三薄膜晶體管T13的柵極電連接；第十一薄膜晶體管Tll的柵極與4t出節(jié)點(diǎn)電連接，其源極與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與第二薄膜晶體管T2的漏極電連接；第十二薄膜晶體管T12的柵極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接，其源才及與關(guān)斷信號(hào)輸入端電連接，其漏極與第十三薄膜晶體管T13的柵極電連接。
從所迷第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述第二低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)。從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。
圖4為本發(fā)明的移位寄存器的級(jí)的時(shí)序圖。如圖4所示，上述級(jí)的工作原理如下
第一階段，輸入端為高電平信號(hào)、第二低壓信號(hào)輸入端為高電平信號(hào)。其中，向輸入端輸入的信號(hào)為STV信號(hào)，或者前端級(jí)的輸出端信號(hào)；向第二低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為第二低壓信號(hào)。此時(shí)，輸入端的高電平信號(hào)導(dǎo)通第一薄膜晶體管Tl,第二低壓信號(hào)輸入端的高電平信號(hào)分別導(dǎo)通第六薄膜晶體管T6和第八薄膜晶體管T8;通過(guò)第一薄膜晶體管Tl和第六薄膜晶體管T6高電平信號(hào)傳輸?shù)缴侠?jié)點(diǎn)，通過(guò)第八薄膜晶體管T8關(guān)斷信號(hào)輸入端的關(guān)斷信號(hào)傳輸?shù)捷敵龉?jié)點(diǎn)。此時(shí)，電容C被充電。
第二階段，第一低壓信號(hào)輸入端為高電平，高壓信號(hào)輸入端為高電平。向第一^f氐壓信號(hào)輸入端輸入第 一低壓信號(hào)，向高壓信號(hào)輸入端輸入第 一 高壓
信號(hào)。此時(shí)，在第一階段中被充電的電容c，在自舉效應(yīng)的作用下，維持上
拉節(jié)點(diǎn)的電壓，使得第十五薄膜晶體管T15維持導(dǎo)通狀態(tài)。并且，第一高壓信號(hào)通過(guò)第十五薄膜晶體管T15傳輸?shù)捷敵龆?。此時(shí)，第一低壓信號(hào)導(dǎo)通第七薄膜晶體管T7，使得上拉節(jié)點(diǎn)的電壓傳輸?shù)降谑∧ぞw管T12的柵極，并導(dǎo)通第十二薄膜晶體管T12。此時(shí)，從關(guān)斷信號(hào)輸入端輸入的關(guān)斷信號(hào)通過(guò)第十二薄膜晶體管T12傳輸?shù)降谑∧ぞw管T13的柵極，并關(guān)斷第十三薄膜晶體管T13，從而有助于第一高壓信號(hào)傳輸?shù)捷敵龆恕?br> 第三階段，第二低壓信號(hào)輸入端為高電平，復(fù)位信號(hào)輸入端為高電平。其中，向復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為后端級(jí)的輸出端信號(hào)。此時(shí)，第二低壓信號(hào)端的高電平信號(hào)導(dǎo)通笫六薄膜晶體管T6和第八薄膜晶體管T8;復(fù)位信號(hào)輸入端的高電平信號(hào)導(dǎo)通第十薄膜晶體管T10和第十四薄膜晶體管T14。此時(shí)，通過(guò)第十薄膜晶體管T10和第十四薄膜晶體管T14分別向上拉節(jié)點(diǎn)和輸出節(jié)點(diǎn)傳輸關(guān)浙信號(hào)。
第四階段，第一低壓信號(hào)輸入端為高電平。此時(shí)，第一低壓信號(hào)通過(guò)第二薄膜晶體管T2和第三薄膜晶體管T3,導(dǎo)通第十三薄膜晶體管T13,并且通過(guò)第十三薄膜晶體管T13將關(guān)斷信號(hào)傳輸?shù)捷敵龉?jié)點(diǎn)。
第五階段，第二低壓信號(hào)輸入端為高電平。此時(shí)，第二低壓信號(hào)端的高電平信號(hào)導(dǎo)通第六薄膜晶體管T6和第八薄膜晶體管T8，并且通過(guò)第八薄膜晶體管T8將關(guān)斷信號(hào)傳輸?shù)捷敵龉?jié)點(diǎn)。
然后，第一階段重新開(kāi)始前，第四階^:和第五階4殳依次重復(fù)。
在本實(shí)施例中，向移位寄存器內(nèi)輸入低壓信號(hào)，并且使移位寄存器輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，具體為向第七薄膜晶體管T7的柵極輸入的第一低壓信號(hào)，以及分別向第六薄膜晶體管T6的柵極和第八薄膜晶體管T8的柵極輸入的第二低壓信號(hào)都是低電壓信號(hào)，并且向上拉模塊輸入高電壓(30V左右)，使得移位寄存器輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而可以防止移位寄存器長(zhǎng)期在高電壓下工作時(shí)產(chǎn)生的薄膜晶體管的柵極門限電壓上升的缺陷，從而可以在比較寬泛的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定的工作。
圖5為本發(fā)明的柵極驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)示意圖。如圖5所示，本發(fā)明的柵極驅(qū)動(dòng)器包括由多個(gè)級(jí)構(gòu)成的移位寄存器，用于向多個(gè)柵線輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。另外，本發(fā)明的柵極驅(qū)動(dòng)器還包括第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)。
其中，第一低壓信號(hào)和第二低壓信號(hào)是兩個(gè)相位相反的信號(hào)；第一高壓信號(hào)和第二高壓信號(hào)是兩個(gè)相位相反的信號(hào)。并且第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)和第二高壓信號(hào)的頻率相同。
其中，與奇數(shù)行^^線電連接的級(jí)的第一低壓信號(hào)輸入端CLK—L輸入第一低壓信號(hào)，第二低壓信號(hào)輸入端CLKB—L輸入第二低壓信號(hào)，高壓信號(hào)輸入端CLK—H輸入第一高壓信號(hào)，關(guān)斷信號(hào)輸入端VSS輸入關(guān)斷信號(hào)，輸入端輸入前端級(jí)的輸出信號(hào)。
其中，與偶數(shù)行柵線點(diǎn)連接的級(jí)的第一低壓信號(hào)輸入端CLK—L輸入第二低壓信號(hào)，第二低壓信號(hào)輸入端CLKB—L輸入第一低壓信號(hào)，高壓信號(hào)輸入端CLK—H輸入第二高壓信號(hào)，關(guān)斷信號(hào)輸入端VSS輸入關(guān)斷信號(hào)，輸入端輸入前端級(jí)的輸出信號(hào)。
并且與第一行柵線電連接的級(jí)的輸入端輸入STV信號(hào)。
原理也相同，因此在這里不再贅述。
本實(shí)施例，通過(guò)使用性能穩(wěn)定的級(jí)提高了移位寄存器整體的性能，從而也提高了柵極驅(qū)動(dòng)器的穩(wěn)定性。
在本實(shí)施例中所說(shuō)的柵極驅(qū)動(dòng)器可以用于液晶顯示裝置。當(dāng)該柵極驅(qū)動(dòng)器用于液晶顯示裝置時(shí)，可以將該柵線驅(qū)動(dòng)器直接形成在陣列基板的一側(cè)，也可以形成在電路板上，并將該電路板與陣列基板連接。
本發(fā)明的液晶顯示裝置包括陣列基板(array substrate )和彩膜基板(colorfilter substrate)，所述陣列基板包括14反，在所述_^敗的顯示區(qū)域形成的有源陣列和在所述基板的一側(cè)形成的柵線驅(qū)動(dòng)器。其中，陣列基板和彩膜基板構(gòu)成面板，并且柵線驅(qū)動(dòng)器與上面所說(shuō)的柵線驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)相同，因此在這里不再贅述。
圖6為本發(fā)明的信號(hào)生成器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，本發(fā)明的信號(hào)生成器包括時(shí)序控制器(timing controller)、第一高壓邏輯驅(qū)動(dòng)器(HighVoltage TFT-LCD Logic Driver)、第二高壓邏輯驅(qū)動(dòng)器。其中，時(shí)序控制器生成STV信號(hào)、CPV信號(hào)和OE信號(hào)。此時(shí)，在第一高壓邏輯驅(qū)動(dòng)器中根據(jù)第一DCDC模塊生成的信號(hào)，將STV信號(hào)、CPV信號(hào)和OE信號(hào)轉(zhuǎn)換為第一低壓信號(hào)和第二低壓信號(hào)；在第二高壓邏輯驅(qū)動(dòng)器中根據(jù)第二 DCDC模塊生成的信號(hào)，將STV信號(hào)、CPV信號(hào)和OE信號(hào)轉(zhuǎn)換為第一高壓信號(hào)和第二高壓信號(hào)。
由于生成的各個(gè)信號(hào)與柵極驅(qū)動(dòng)器的連接關(guān)系，已將在上面的實(shí)施例中充分公開(kāi)，因此在這里對(duì)該連接關(guān)系不進(jìn)行贅述。
最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技
術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種移位寄存器的級(jí)，其特征在于，包括上拉模塊，根據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低壓信號(hào)輸入端和高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)；下拉模塊，向所述輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)；上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上拉模塊；下拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下拉模塊；從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述第二低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存器的級(jí)，其特征在于，所述上拉模塊 包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的斥冊(cè)極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接，其源極與所述 高壓信號(hào)電連4婁，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的移位寄存器的級(jí)，其特征在于，所述高壓信號(hào) 為前端級(jí)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
4、 一種柵線驅(qū)動(dòng)器，包括由多個(gè)級(jí)構(gòu)成的移位寄存器、第一低壓信號(hào)、 第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第奇數(shù)個(gè)所述級(jí) 分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第偶 數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷 信號(hào)，其特征在于，每一個(gè)所述級(jí)包括上拉模塊，根據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低壓信號(hào)輸入端 和高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 下拉才莫塊，向所述輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)；上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上拉模塊； 下拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下拉模塊；從所述第 一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述第二低壓信號(hào)輸入端輸 入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所 述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的柵線驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述上拉模塊包括 薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接，其源極與所述高壓 信號(hào)電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的柵線驅(qū)動(dòng)器，其特征在于，所述高壓信號(hào)為前 端級(jí)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
7、 一種陣列基板，包括基板，形成在所述基板的顯示區(qū)域的有源陣列和 形成在所述基板的一側(cè)的柵線驅(qū)動(dòng)器，所述柵線驅(qū)動(dòng)器包括由多個(gè)級(jí)構(gòu)成 的移位寄存器、第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)、第二高壓信 號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第奇數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、 第一高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第偶數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二 低壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，其特征在于，每一個(gè)所述級(jí)包括上拉;漠塊，根據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低壓信號(hào)輸入端 和高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 下拉模塊，向所述輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)；上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上拉模塊； 下拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下拉 模塊；從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述第二低壓信號(hào)輸入端輸 入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所 述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述上拉模塊包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與上拉節(jié)點(diǎn)電連接，其源極與所述高壓信 號(hào)電連接，其漏極與輸出節(jié)點(diǎn)電連接。
9、 才艮據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述高壓信號(hào)為前端 級(jí)輸出的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
10、 一種液晶顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板包括 基板，在所述基板的顯示區(qū)域形成的有源陣列和在所述基板的一側(cè)形成的柵 線驅(qū)動(dòng)器，所述柵線驅(qū)動(dòng)器包括由多個(gè)級(jí)構(gòu)成的移位寄存器、第一低壓信 號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)，第奇數(shù)個(gè)所 述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第一高壓信號(hào)和關(guān)斷信號(hào)， 第偶數(shù)個(gè)所述級(jí)分別輸入有第一低壓信號(hào)、第二低壓信號(hào)、第二高壓信號(hào)和 關(guān)斷信號(hào)，其特征在于，每一個(gè)所述級(jí)包括上拉模塊，根據(jù)從所述第一低壓信號(hào)輸入端、所述第二低壓信號(hào)輸入端 和高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，向所述輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)； 下^t塊，向所述輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)；上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述上拉模塊； 下拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從所述復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)所述下拉模塊；從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所述第二低壓信號(hào)輸入端輸 入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從所述第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從所 述高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種移位寄存器的級(jí)、柵線驅(qū)動(dòng)器、陣列基板和液晶顯示裝置，該移位寄存器的級(jí)包括上拉模塊，根據(jù)從第一低壓信號(hào)輸入端、第二低壓信號(hào)輸入端和高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，向輸出端輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)；下拉模塊，向輸出端輸出關(guān)斷信號(hào)；上拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)上拉模塊；下拉驅(qū)動(dòng)模塊，根據(jù)從復(fù)位信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)，驅(qū)動(dòng)下拉模塊；從第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從第二低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相反的信號(hào)，從第一低壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)和從高壓信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為相位相同的信號(hào)。本發(fā)明向移位寄存器內(nèi)輸入低壓信號(hào)的方法防止薄膜晶體管的柵極門限電壓上升的缺陷。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101677021SQ20081022255
公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2008年9月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月19日
發(fā)明者韓承佑 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司