專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，尤其涉及一種對(duì)伴隨高精細(xì)化的 輔助電容的不足進(jìn)行了改善的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
對(duì)于用于便攜電話、數(shù)字照相機(jī)等的小型液晶顯示裝置存在高精細(xì)化的要求。使用橫向電場的所謂IPS方式的液晶顯示裝置具有大視角這樣的優(yōu)點(diǎn)。特別是具有由梳齒形狀的像素電極和平面形狀的共用電極構(gòu)成的像素結(jié)構(gòu)這種形式的液晶顯示裝置，在能夠?qū)⑼该飨袼仉?極和共同電極的重疊部分用作液晶電容的輔助電容這方面是優(yōu)異的。但是，隨著進(jìn)一步的高精細(xì)化，像素電極面積比率變小，從而產(chǎn)生輔 助電容不足的問題。如上所述，IPS方式的液晶顯示裝置采用把共用電極取為平面形狀，并隔著絕緣膜配置梳齒狀的像素電極的方法，其特點(diǎn)之一是在像素電極和共用線之間制作了透明的輔助電容。在保持IPS方式的大視角這樣的特征的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)更清晰顯示的方法記載在專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2和專利文獻(xiàn)3中。[專利文獻(xiàn)l]日本特開2003-207795號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)2]日本特開2005-338256號(hào)公報(bào) [專利文獻(xiàn)3]日本特開2006-126602號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容在小型顯示器中，伴隨高精細(xì)化，梳齒像素電極的面積比率變小， 導(dǎo)致輔助電容不足。圖16是薄膜晶體管陣列襯底(以下稱為TFT村 底)的整體概念圖。驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O信號(hào)線GSL、共用信號(hào)線CSL等的驅(qū)動(dòng)器部GDR和驅(qū)動(dòng)漏極信號(hào)線DSL等的漏極驅(qū)動(dòng)器部DDR,由n 溝道型薄膜晶體管TFTn和p溝道型晶體管TFTp構(gòu)成。柵極信號(hào)線 GSL和漏極信號(hào)線DSL橫縱交叉，由各自相鄰的兩條信號(hào)線形成像 素PXL。共用信號(hào)線CSL與柵極信號(hào)線GSL平行配置。在各像素PXL上 配置有薄膜晶體管TFT、液晶電容LC以及輔助電容Cst。漏極線DSL 的電位即影像信號(hào)通過由柵極信號(hào)所導(dǎo)通/截止的薄膜晶體管TFT而 傳輸?shù)较袼仉姌O。位于像素電極和共用信號(hào)電極之間的液晶電容LC 和輔助電容Cst的并聯(lián)電容保持上述漏極線DSL的電位。由于液晶和 薄膜晶體管具有漏泄成分，因此輔助電容Cst對(duì)于電位保持起到重要 作用。下面，用圖17至圖19以制造工序說明TFT襯底的結(jié)構(gòu)。圖17 是說明p溝道型薄膜晶體管和像素部構(gòu)造的示意俯視圖。圖18是沿 著圖17的A-A，線、B-B，線、C-C，線的示意剖視圖。圖19是液 晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。以下，依照制造工序的流程來加以說明。 在圖17中，p溝道型薄膜晶體管由位于多晶硅的島SI上的柵電極 GSL、漏極信號(hào)線DSL、源電極ST構(gòu)成。首先，在形成基底膜BF的支持襯底SUB上形成多晶硅的島SI， 其中基底膜BF優(yōu)選用氧化硅(Si02)和氮化硅(SiN)形成(光刻工 序1)。在形成了柵極絕緣膜GINS之后形成柵電極GSL (光刻工序 2)。在多晶硅的島SI上利用柵電極圖案進(jìn)行n型源-漏區(qū)域的摻雜。 在成為P溝道型晶體管的區(qū)域之外用光刻蝕劑覆蓋，進(jìn)行p型源 - 漏 區(qū)域的摻雜(光刻工序3)。形成第一層的層間絕緣膜IL1，在這個(gè)層間絕緣膜IL1上加工用 于連接位于多晶硅的島SI上的漏極信號(hào)線DSL和源電極ST的接觸 孔(光刻程序4)。通過接觸孔形成與多晶硅的島SI連接的漏極信號(hào) 線DSL和源電極ST (光刻工序5 )。通過利用涂敷法形成的有機(jī)膜形成第二層的層間絕緣膜IL2，加 工接觸孔(光刻工序6)。在所形成的第二層的層間絕緣膜IL2上利用透明導(dǎo)電膜形成平面狀的共用信號(hào)線CSL (光刻工序7)。形成第 三層的層間絕緣膜IL3，加工接觸孔(光刻工序8)。由透明導(dǎo)電膜 形成像素電極PSL (光刻工序9)。有時(shí)也在共用信號(hào)線、像素電極 的端部的上端或下端層疊低電阻金屬。在以上說明的現(xiàn)有液晶像素的制造中，列數(shù)了由光刻蝕劑涂敷、 曝光、顯像、烘烤、加工后的光刻蝕劑除去等多個(gè)作業(yè)組成的光刻工 序，表明光刻工序數(shù)是9個(gè)。并且，如圖17至圖19所示，在共用信 號(hào)線CSL和像素電極PSL之間，除了由液晶形成的電容(液晶電容) 之外，還存在一個(gè)在隔著第三層的層間絕緣膜IL3而重合的區(qū)域內(nèi)所 形成的輔助電容CST。如上所述，隨著液晶顯示裝置的高精細(xì)化，像素電極的面積比率 變小，無法得到足夠的輔助電容。即使擴(kuò)大梳齒狀像素電極的總面積 使輔助電容增加，也會(huì)帶來透射率的降低和成本的增加。本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置即使由高精細(xì)化 帶來像素電極的面積比率的變小，也能夠形成足夠的輔助電容，而不 會(huì)帶來透射率的降低和制造成本的增加。本發(fā)明是把透明電極和絕緣膜各追加 一 層來形成透明的兩個(gè)輔 助電容。包含使柵電極與上述輔助電容的一個(gè)電極為同一層的透明導(dǎo) 電膜來進(jìn)行層疊。利用這個(gè)透明導(dǎo)電膜和p溝道TFT的源_漏摻雜時(shí) 的離子注入用掩膜來形成第二透明輔助電容，從而抑制工序數(shù)的增 加。通過在襯底上層疊電容構(gòu)造，能夠增加輔助電容而與像素電極的 面積無關(guān)。由此，能夠補(bǔ)充由高精細(xì)化帶來的像素電極的面積比率變 小所導(dǎo)致的輔助電容不足，保持作為像素信息的像素電極的電位。進(jìn) 而，能夠抑制工序負(fù)荷大的光刻工序數(shù)大幅增加而增加輔助電容，能 以低成本得到高精細(xì)且明亮的大視野的液晶顯示元件。并且，本發(fā)明不僅適用于采用了 CMOS低溫多晶硅TFT的中小 型透射型液晶裝置，也適用于其它形式的圖像顯示裝置的電容形成。


圖1是表示說明本發(fā)明實(shí)施例1的P溝道型薄膜晶體管的構(gòu)造的 示意俯—見圖。圖2是沿著圖1的D-D，線、E-E，線、F-F，線的示意剖視圖。 圖3是本發(fā)明實(shí)施例1的液晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。 圖4是表示說明本發(fā)明實(shí)施例2的P溝道型薄膜晶體管的構(gòu)造的 示意俯視圖。圖5是沿著圖1的D-D，線、E-E，線、F-F，線的示意剖視圖。 圖6是本發(fā)明實(shí)施例2的液晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。 圖7是表示說明本發(fā)明實(shí)施例3的P溝道型薄膜晶體管的構(gòu)造的 示意俯視圖。圖8是在形成了柵電極的時(shí)刻的沿著圖7的J-J，線、K-K，線的示意剖視圖。圖9是在形成了像素電極(第3透明電極PSL2)之后的沿著圖7 的J-J，線、K-K，線、L-L，線的示意剖視圖。圖IO是本發(fā)明實(shí)施例3的液晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。圖11是表示用于說明本發(fā)明實(shí)施例4的P溝道型薄膜晶體管的 構(gòu)造的示意俯視圖。圖12是在形成了柵電極時(shí)刻的沿著圖11的M-M'線、N-N'線、 的示意剖視圖。圖13是在形成了像素電極(第3透明電極PSL2)之后的沿著圖 ll的M-M，線、N-N，線、0-0，線的示意剖視圖。圖14是本發(fā)明實(shí)施例4的液晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。1 ; 、 ， 、、， 一 、 、圖16是薄膜晶體管陣列襯底的整體概念圖。 圖17是說明p溝道型薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。 圖18是沿著圖17的A-A，線、B-B'線、C-C，線的示意剖視圖。結(jié)構(gòu)的概念圖。
具體實(shí)施方式
以下，參照實(shí)施例的附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。實(shí)施例1圖1是表示說明本發(fā)明實(shí)施例1的P溝道型薄膜晶體管的構(gòu)造的示意俯視圖。圖2是沿著圖1的D-D，線、E-E，線、F-F，線的示意 剖視圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施例1的液晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。以 下，依照制造工序的流程說明實(shí)施例1。如圖1所示，p溝道型薄膜 晶體管由位于多晶硅的島SI上的柵電極GSL、漏極信號(hào)線DSL以及 源電極ST構(gòu)成。首先，在作為支持襯底的玻璃襯底SUB上，用等離子體CVD法 形成400nm的SiOJ莫作為基底膜BF。在基底膜BF之上以硅烷氣體 為原料用等離子體CVD法制成厚50nm的非晶體硅膜，再用準(zhǔn)分子 激光退火方法使非晶體硅膜結(jié)晶，形成多晶硅的島SI(光刻工序1)。然后，以丁EOS氣體為原料用等離子體CVD法形成厚100nm的 Si02膜，作為柵極絕緣膜GINS。用濺射法制成厚120nm的鎢膜，形 成柵電極和信號(hào)線GSL。利用柵電極圖案用磷離子注入來進(jìn)行n型源 -漏區(qū)域的摻雜(光刻工序2)。在成為P溝道晶體管的區(qū)域以外用光刻蝕劑覆蓋，用硼離子注入 進(jìn)行p型源-漏區(qū)域的摻雜。通過這個(gè)工序，p型源-漏區(qū)域從n型 變成了 p型(光刻工序3 )。用等離子體CVD法制成厚300nm的SiN 膜作為第一層的層間絕緣膜IL1，加工接觸孔(光刻工序4)。用濺射法制成上下被厚20nm的鈦薄膜所挾持的厚150nm的鋁 膜，從而形成用于連接漏極信號(hào)線DSL、源極和像素電極的源電極 ST。上下的屏蔽膜也可以采用鉬和鎢的合金薄膜(光刻工序5)。用涂敷法制成厚900nm的樹脂膜作為第二層的層間絕緣膜IL2, 加工接觸孔(光刻工序6)。用濺射法制成厚50nm的ITO膜，形成 第二輔助電容用的電極PSL1。對(duì)這個(gè)透明電極PSL1提供與像素電極8相同的電位(光刻工序7)。用等離子體CVD法制成厚300nm的SiN膜，作為第三層的層間 絕緣膜IL3。用濺射法制成厚50nm的ITO膜，從而形成共用信號(hào)線 CSL (光刻工序8 )。用等離子體CVD法制成厚300nm的SiN膜作 為第四層的層間絕緣膜IL4，加工接觸孔(光刻工序9)。用賊射法 制成厚50nm的ITO膜，作為像素電極PSL2 (光刻工序10)。如圖2的(b)所示，上下重合存在的三個(gè)透明電極，從上層開 始分別為第三透明電極PSL2、第二透明電極CSL、第一透明電極 PSL1，上層是作為像素電極的第三透明電極，下層是與這個(gè)像素電極 具有相同電位的第一透明電極，在中央是作為第二透明電極的共用信 號(hào)線。如圖2的(b)和圖2的(c)所示，除由液晶形成的電容(LC) 外，還存在兩個(gè)輔助電容，分別是隔著層間絕緣層IL4重疊的共用信 號(hào)線CSL與像素電極PSL2之間的第二輔助電容CST2、和隔著IL3 重疊的共用信號(hào)線C S L與像素電極P S L1之間的第 一 輔助電容C S T1 。 實(shí)施例1的圖像電路示于圖3。圖15中示出了用本方法得到的輔助電容與以往例進(jìn)行比較的圖。 圖15中的虛線是所需的電容值。根據(jù)實(shí)施例1,能夠通過第二輔助電 容CST2增加輔助電容，能夠滿足虛線所示的規(guī)格，得到高精細(xì)、明 亮的大視野的液晶顯示元件。實(shí)施例2圖4是表示說明本發(fā)明實(shí)施例2的P溝道型薄膜晶體管的構(gòu)造的 示意俯視圖。圖5是沿著圖1的D-D，線、E-E，線、F-F，線的示意剖視 圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施例2的液晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。以下， 依照制造工序的流程說明實(shí)施例2。實(shí)施例2和實(shí)施例l主要的不同點(diǎn)在于，在上下重合存在的三個(gè) 透明電極內(nèi)，上層和下層是共用信號(hào)線，中央的透明電極是像素電極。 到漏極線的形成為止(到光刻工序5為止)與實(shí)施例1相同。形成實(shí)施例1中的漏極線后，用涂敷方法制成厚900nm的樹脂膜作為第二層的層間絕緣膜IL2,加工接觸孔(光刻程序6)。用賊射 法制成厚50nm的ITO膜，形成共用信號(hào)線CSL1 (光刻工序7)。用 等離子體CVD法制成厚300nm的SiN膜作為第三層的層間絕緣膜 IL3,加工接觸孔(光刻工序7)。用濺射法制成厚50nm的ITO膜，從而形成像素電極PSL (光刻 工序8)。用等離子體CVD法制成厚300nm的SiN膜作為第四層的 層間絕緣膜IL4，加工接觸孔(光刻工序9)。用賊射法制成厚50nm 的ITO膜，從而形成像素電極CSL2 (光刻工序10)。如圖5的(b)和圖6所示，除由液晶形成的電容LC之外，還形 成了 2個(gè)輔助電容，分別是隔著絕緣膜IL4重疊的共用信號(hào)線CSL2 與像素電極PSL之間的輔助電容CST2，隔著絕緣層IL3重疊的像素 電極PSL與共用信號(hào)線CSL1之間的輔助電容CST1。圖15示出了實(shí)施例2的輔助電容與以往例進(jìn)行了比較的圖。通 過實(shí)施例2能夠增加輔助電容，能夠滿足虛線所示的規(guī)格。通過實(shí)施 例2能夠得到高精細(xì)、明亮的大視野的液晶顯示元件。在實(shí)施例1、實(shí)施例2中工序數(shù)為10,與以往例相比工序數(shù)增加， 但在以下說明抑制工序數(shù)增加而得到同樣效果的方法。實(shí)施例3圖7是表示說明本發(fā)明實(shí)施例3的P溝道型薄膜晶體管的構(gòu)造的 示意俯視圖。圖8是在形成了柵電極時(shí)刻的沿著圖7的J-J'線、K-K' 線的示意剖視圖。圖9是在形成了像素電極(第3透明電極PSL2) 之后的沿著圖7的J-J，線、K-K，線、L-L，線的示意剖視圖。圖10 是本發(fā)明實(shí)施例3的液晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。以下，依照制造 工序的流程-沈明實(shí)施例3。在作為支持襯底SUB的玻璃襯底上用等離子體CVD法制成厚 400nm的Si02膜，作為基底膜BF。在基底膜BF之上以硅烷氣體為 原料用等離子體CVD法制成厚50nm的非晶體硅膜，再用準(zhǔn)分子激 光退火法使非晶體硅膜結(jié)晶，形成多晶硅的島SI (光刻工序1)。以TEOS氣體為原料用等離子體CVD法形成厚lOOnm的Si02膜，作為柵極絕緣膜GINS。在這里進(jìn)行調(diào)整n溝道晶體管閾值的離 子注入。用濺射法制成下層厚50nm的ITO膜，上層厚100nm的鉬鴒 合金膜而進(jìn)行層疊，從而加工為柵電極。將柵電極取為掩膜用磷離子 注入來進(jìn)行n型源-漏區(qū)域的摻雜(光刻工序2)。在成為P溝道晶體管的區(qū)域以外用光刻蝕劑覆蓋，用硼離子注入 進(jìn)行p型源-漏區(qū)域的摻雜。這時(shí)如圖8所示，對(duì)成為第二輔助電容 用電極PSL1的區(qū)域的光刻蝕劑進(jìn)行開口 ，只除去上層金屬GSLa。由 此，輔助電容用電極PSL1將變得透明。同時(shí)，p溝道晶體管的柵電 極也變成僅是下層透明導(dǎo)電膜GLb。在這里進(jìn)行調(diào)整p溝道晶體管閾 值的離子注入(光刻工序3)。用通過等離子體CVD法得到的厚300nm的SiN膜制成第 一層的 層間絕緣膜IL1,加工接觸孔(光刻工序4)。采用通過濺射法制成 的上下被厚20nm的鈦薄膜所挾持的厚150nm的鋁硅合金膜來形成漏 電極DSL(光刻工序5)。用通過等離子體CVD法得到的厚300nm 的SiN膜制成第二層的層間絕緣膜IL2,用通過濺射法制成的厚50nm 的ITO膜形成由透明導(dǎo)電膜得到的共用信號(hào)線GSL (光刻工序6)。用通過等離子體CVD法得到的厚300nm的SiN膜制成第三層的 層間絕緣膜IL3,加工接觸孔(光刻工序7)。用通過濺射法得到的 厚50nm的ITO膜形成由透明導(dǎo)電膜得到的像素電極PSL作為像素電 極(光刻工序8)。如圖9和圖IO所示，除由液晶形成的電容LC之外，還形成了 2 個(gè)輔助電容，分別是隔著絕緣膜IL3重疊的像素電極PSL2與共用信 號(hào)線CSL之間的第二輔助電容CST2，以及隔著絕緣層IL1和絕緣膜 IL2重疊的共用信號(hào)線CSL與像素電極PSL1之間的第一輔助電容 CST1。圖15示出了用實(shí)施例3得到的輔助電容與以往例進(jìn)行了比較的 圖。實(shí)施例3中因?yàn)椴捎昧擞蓪娱g絕緣膜1和2形成的厚絕緣膜作為 電容的絕緣膜，所以電容值比實(shí)施例1、實(shí)施例2小，但能得到充分 滿足圖15中虛線所示規(guī)格的電容。在實(shí)施例3的情況下，光刻工序數(shù)為8個(gè)，能夠用少于以往例的 光刻工序添加第二輔助電容，能以低成本得到高精細(xì)、明亮的大視野 的液晶顯示元件。實(shí)施例4圖11是表示說明本發(fā)明實(shí)施例4的P溝道型薄膜晶體管的構(gòu)造 的示意俯視圖。圖12是在形成了柵電極時(shí)刻的沿著圖11的M-M， 線、N-N，線的示意剖視圖。圖13是在形成了像素電極(第3透明電 極PSL2)之后的沿著圖11的M-M，線、N-N，線、0-0，線的示意 剖視圖。圖14是本發(fā)明實(shí)施例4的液晶像素的電路結(jié)構(gòu)的概念圖。 以下，依照制造工序的流程-沈明實(shí)施例4。實(shí)施例4和實(shí)施例3的不同點(diǎn)在于，在上下重合存在的三個(gè)透明 電極內(nèi)，上層和下層的透明電極是共用電極線，中央的透明電極是像 素電極。由于層間絕緣膜3的接觸孔的加工，與實(shí)施例3相比，光刻 工序數(shù)增加了 1道變成了 9道。如圖13和圖14所示，除由液晶形成的電容LC之外，還形成了 2個(gè)輔助電容，分別是隔著絕緣膜IL3重疊的共用信號(hào)線CSL2與像 素電極PSL之間的第二輔助電容CST2、以及隔著絕緣層IL1和絕緣 膜IL2重疊的像素電極PSL與共用信號(hào)線CSL1之間的第 一輔助電容 CST1。圖15示出了用實(shí)施例4得到的輔助電容與以往例進(jìn)行比較的圖。 因?yàn)榕c實(shí)施例3同樣使用了由第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜構(gòu)成 的厚絕緣膜作為電容的絕緣膜，所以與實(shí)施例l、實(shí)施例2相比電容 值小，但能得到充分滿足虛線所示規(guī)格的電容。在實(shí)施例4的情況下，光刻工序數(shù)為9道，與以往例相同，且能 添加第二輔助電容，能以低成本得到高精細(xì)、明亮的大視野的液晶顯 示元件。以下，說明使用從實(shí)施例1至4中任一個(gè)記栽的TFT襯底的液 晶顯示裝置的制造方法。在含有上述實(shí)施例中任意一個(gè)的構(gòu)成的TFT 襯底上形成液晶取向膜層，在其上用研磨等方法賦予取向規(guī)定力。在像素電極區(qū)域的周邊形成密封劑后，把同樣形成取向膜層的對(duì)置襯底 以預(yù)定的間隙相對(duì)配置，在這個(gè)間隙內(nèi)封入液晶，密封劑的封入口用 密封材料封住。這種狀態(tài)的器件稱為液晶單元。在上述構(gòu)成的液晶單元的表面和背面層疊偏振片，隔著由漫射片、棱鏡片組成的光學(xué)補(bǔ)償部件安裝由導(dǎo)光片、LED燈等組成的背光 等，用模制外殼和屏蔽框包住整體而制造液晶顯示裝置。并且，通過 撓性印刷基板將數(shù)據(jù)和定時(shí)信號(hào)提供給在液晶單元周邊所具有的驅(qū) 動(dòng)電路。襯底或者其他的絕緣材料。在為樹脂襯底的情況下能夠增加耐沖擊 性。另外，按各像素設(shè)置的晶體管也可以不只一個(gè)而為多個(gè)。因泄漏 電流而產(chǎn)生的不良將會(huì)減少。進(jìn)行n型源-漏區(qū)域的摻雜時(shí)，也可以用公知的辦法設(shè)置LDD (Lightly D叩ed Drain )區(qū)域。采用LDD構(gòu)造能夠降低泄漏電流。作為層間絕緣膜除SiN膜外也可以采用Si02膜、SiON膜以及 Si02、 SiN的層疊膜。另外，也可以使用其他的無機(jī)膜、有機(jī)膜、以 及無機(jī)膜和有機(jī)膜的層疊膜。進(jìn)而，作為透明電極除采用ITO膜外也 可以采用ZnO、 IZO、 IZTO以及其他透明導(dǎo)電膜。在共用信號(hào)線端部 的上部或下部也可以層疊低電阻金屬。從電位供給部到分離的像素的 電壓降將會(huì)變小。共用信號(hào)線在像素部采用平面形狀即可，即使存在 切口也沒有關(guān)系。梳尺狀的前端部也可以是相連的切口形狀。從電位 供給部到分離的像素的電壓降將會(huì)變'J、。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，具有形成了薄膜晶體管陣列的襯底，其特征在于上述襯底具有與該襯底的表面平行層疊的第一透明電極、第二透明電極和第三透明電極這三個(gè)層。在上述第一透明電極和上述第二透明電極之間以及在上述第二透明電極和上述第三透明電極之間形成有液晶電容的輔助電容。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述第三透明電極是上述三個(gè)透明電極的最上層，并且是在與上述襯底的表面平行的面內(nèi)被分割成的梳齒狀或者切口狀的電極。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述第三透明電極是上述三個(gè)透明電極的最上層，上述第一透明電極是上述三個(gè)透明電極的最下層，上述第三透明電極與上述第一透 明電極電連接。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述第三透明電極是上述三個(gè)透明電極的最上層且構(gòu)成像素電極，上述第一透明電極構(gòu)成上述三個(gè)透明電極的最下層，位于上述第 三透明電極和上述第 一透明電極之間的中層即第二透明電極是共用 電極。
5. —種液晶顯示裝置，具有形成了薄膜晶體管陣列的襯底，其 特征在于構(gòu)成上述薄膜晶體管陣列的薄膜晶體管的柵電極是由多個(gè)金屬 層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)，上述襯底具有與該襯底的表面平行層疊的第一透明電極、第二透 明電極和第三透明電極這三個(gè)層，在上述第一透明電極和上述第二透明電極之間以及在上述第二 透明電極和上述第三透明電極之間形成有液晶電容的輔助電容，上述透明電極中的一個(gè)透明電極與上述層疊柵電極中的 一層為同層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述第三透明電極是上述三個(gè)透明電極的最上層，并且是在與上述襯底的表面平行的面內(nèi)被分割成的梳齒狀或者切口狀的電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述第三透明電極是上述三個(gè)透明電極的最上層，上述第一透明電極是上述三個(gè)透明電極的最下層，上述第三透明電極與上述第一透 明電極電連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于 上述第三透明電極是上述三個(gè)透明電極的最上層且構(gòu)成像素電極，上述第一透明電極構(gòu)成上述三個(gè)透明電極的最下層，位于上述第 三透明電極和上述第一透明電極之間的中層即第二透明電極是共用 電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置。在TFT襯底SUB上形成與該襯底的表面平行層疊的第一透明電極(PSL1)、第二透明電極(PSL2)和第三透明電極(PSL3)這三個(gè)層，在第一透明電極(PSL1)與第二透明電極(PSL2)之間、第二透明電極(PSL2)與第三透明電極(PSL3)之間，形成2個(gè)液晶電容的輔助電容。該液晶顯示裝置能夠針對(duì)由高精細(xì)化導(dǎo)致的像素電極的面積降低而形成充分的輔助電容。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101329485SQ20081010819
公開日2008年12月24日 申請日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月21日
發(fā)明者豐田善章, 佐藤健史, 宮澤敏夫, 松村三江子 申請人:株式會(huì)社日立顯示器