專利名稱：液晶顯示器件用基板檢查裝置和利用其的基板檢查方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器件用基板檢查裝置，更具體地說，涉及一種 能夠通過縮短基板檢查時間而提高生產(chǎn)效率的液晶顯示器件用基板檢查 裝置和利用其的液晶顯示器件用基板檢查方法。
背景技術(shù)：
常規(guī)上，液晶顯示(LCD)器件被設(shè)計為根據(jù)視頻信號來調(diào)節(jié)液晶 單元的透光率，由此在以矩陣形式排列有多個液晶單元的液晶基板上形 成與該視頻信號相對應(yīng)的圖像。
液晶顯示器件包括通過密封材料彼此接合的兩個基板，和形成在這 兩個基板之間的液晶層。在這兩個基板當(dāng)中，下基板形成有薄膜晶體管、 像素電極等，而上基板形成有濾色器、公共電極等。即，下基板被稱為 TFT陣列基板，而上基板被稱為濾色器陣列基板。
TFT陣列基板和濾色器陣列基板是經(jīng)由獨(dú)立的制造工藝單獨(dú)完成 的，然后經(jīng)由接合工藝彼此接合。
同時，在接合工藝之前，要進(jìn)行確定設(shè)置在TFT陣列基板上的每一 個像素的薄膜晶體管是否正常工作的檢査工藝。該檢查工藝需要檢查裝 置。該檢查裝置被設(shè)計成，在TFT陣列基板上方水平和垂直移動的同時對 形成在TFT陣列基板的整個表面上的所有像素電極進(jìn)行檢查。
上述檢查裝置包括調(diào)制器和相機(jī)。調(diào)制器包括用于和形成在TFT陣 列基板上的像素電極一起生成電場的公共電極，以及其中透光率經(jīng)由公 共電極和像素電極所生成的電場而改變的液晶層。
圖1例示了利用上述常規(guī)檢查裝置來檢查TFT陣列基板的缺陷的方 法。如圖1所示，單個母板上排列有多個TFT陣列基板。
為了單獨(dú)地檢査這些TFT陣列基板，由標(biāo)號22表示的檢查裝置在檢查了第一 TFT陣列基板1之后沿水平方向移動，以檢查第二 TFT陣列 基板2。檢查裝置22又沿對角方向移動，以檢查第三TFT陣列基板3。 按這種方式，檢查裝置22可以順序地檢查第一 TFT陣列基板1到第六 TFT陣列基板6的所有TFT陣列基板。
檢查裝置22中包括的調(diào)制器沒有足夠的尺寸來覆蓋單個TFT陣列 基板的整個面積。因此，為了檢查形成在單個TFT陣列基板的整個表面 上的所有像素，必須預(yù)先執(zhí)行將TFT陣列基板分割成多個部分并且將調(diào) 制器定位在每個部分上方的操作。
為此，檢查形成在單個基板上的全部像素需要將調(diào)制器移至每個部 分并且使調(diào)制器準(zhǔn)確地對準(zhǔn)該部分的對準(zhǔn)操作。無論何時要檢查任何像 素部分都必須預(yù)先執(zhí)行這種對準(zhǔn)操作。因?yàn)檫@種部分的數(shù)量越大，對準(zhǔn) 操作的次數(shù)就越大，所以常規(guī)檢査裝置存在過度增加了整體工藝時間的 問題。
為了解決上述問題，盡管可以嘗試將調(diào)制器尺寸增大到至少一個 TFT陣列基板的尺寸，但仍存在以下問題。
圖2例示了增大調(diào)制器尺寸時可能造成的問題。如圖2所示，如果 調(diào)制器30的面積增大，則調(diào)制器30的中央可能因重力而下垂。調(diào)制器 30的面積越大，調(diào)制器30下垂的程度就越大。
調(diào)制器30的這種下垂可能不利地造成調(diào)制器30的中央接觸到TFT 陣列基板1。考慮到TFT陣列基板1的像素電極暴露在外的事實(shí)，如果 將像素電極定位在TFT陣列基板1與調(diào)制器30之間的接觸區(qū)域處，則不 可避免地會破壞像素電極。
當(dāng)然，即使調(diào)制器30的中央下垂，也有防止調(diào)制器30接觸到TFT 陣列基板l的解決方案。具體來說，可以考慮下垂程度來增大調(diào)制器30 與TFT陣列基板1之間的間隙。然而，由于TFT陣列基板1的中央仍然 比TFT陣列基板1的邊緣更靠近調(diào)制器30的事實(shí)，存在這樣一個問題， 即，經(jīng)過TFT陣列基板1中央的光的透光率與經(jīng)過TFT陣列基板1邊緣 的光的透光率之間有較大的偏差。這種透光率偏差造成無法在TFT陣列 基板1的整個表面上進(jìn)行圖像質(zhì)量的準(zhǔn)確檢查。因此，上述常規(guī)檢查裝置22中包括的調(diào)制器30的尺寸受到了限制，從而，存在如先前所示的
工藝時間增加的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于提供一種基本上消除了因現(xiàn)有技術(shù)的局限性和 缺點(diǎn)而造成的一個或更多個問題的液晶顯示器件用基板檢查裝置和利用 其的基板檢查方法。
本發(fā)明的一個目的是提供一種液晶顯示器件用基板檢查裝置和利用
其的基板檢查方法，在該基板檢查裝置中，調(diào)制器在其與TFT陣列基板 的除了像素區(qū)以外的局部區(qū)域相對應(yīng)的表面上設(shè)置有多個支承桿 (supporting pole)，由此防止調(diào)制器接觸到TFT陣列基板同時還防止調(diào) 制器的中央下垂，從而使得能夠使用與現(xiàn)有技術(shù)相比更大的調(diào)制器。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的以及特征將在下面的描述中加以闡述，并 且對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言在研究下面的內(nèi)容后將部分變得明了， 或者可以通過對本發(fā)明的具體實(shí)踐而獲知。通過在文字說明及其權(quán)利要 求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的這些目的和其它 優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)在此具體實(shí)施和廣泛描述 的本發(fā)明的目的，提供了一種液晶顯示器用基板檢查裝置，該液晶顯示 器用基板檢査裝置包括其上放置有基板的基座(seating base);位于該 基座上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢查形成在該基板上的各個像 素是否存在缺陷；以及形成在該基板與該調(diào)制器的相面對的表面中的一 個表面上的多個支承桿。
本發(fā)明的另一方面提供了一種液晶顯示器件用基板檢查裝置，該液 晶顯示器件用基板檢查裝置包括其上放置有基板的基座；位于該基座 上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢查形成在該基板上的像素是否存 在缺陷；以及形成在該基板與該調(diào)制器的相面對的表面中的一個表面上 的保護(hù)層。
本發(fā)明的又一方面提供了一種利用液晶顯示器用基板檢查裝置的液晶顯示器用基板檢查方法，該基板檢查裝置包括其上放置有基板的基 座；位于該基座上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢查形成在該基板 上的像素是否存在缺陷；以及形成在該調(diào)制器的與該基板相面對的一個 表面上的多個支承桿，該方法包括以下步驟將該基板座裝在該基座上; 使該調(diào)制器與該基板對準(zhǔn)；以及使該調(diào)制器朝向該基板移動，以使那些 支承桿與該基板相接觸。
本發(fā)明的又一方面提供了一種利用液晶顯示器件用基板檢查裝置的 液晶顯示器用基板檢查方法，該基板檢查裝置包括其上放置有基板的 基座；位于該基座上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢査形成在該基 板上的像素是否存在缺陷；以及形成在該調(diào)制器的面對該基板的一個表 面上的保護(hù)層，該方法包括以下步驟將該基板座裝在該基座上；使該 調(diào)制器與該基板對準(zhǔn)；以及使該調(diào)制器朝向該基板移動，以使該保護(hù)層 與該基板相接觸。
應(yīng)當(dāng)明白，本發(fā)明的前述一般描述和下面的詳細(xì)描述都是示范性和 解釋性的，并且旨在提供對要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步闡釋。


所包括的提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解且被并入而構(gòu)成本申請一部分 的附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式并與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原 理。在圖中
圖1例示了利用常規(guī)檢查裝置來檢查TFT陣列基板的缺陷的方法； 圖2例示了增大調(diào)制器尺寸時可能造成的問題；
圖3是例示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢査裝 置的截面圖4例示了 TFT陣列基板的排布結(jié)構(gòu)； 圖5是沿圖4的I-I線截取的截面圖6例示了利用圖3的檢查裝置來檢查TFT陣列基板的方法； 圖7例示了利用圖3的調(diào)制器來順序地檢查形成在母板上的多個 TFT陣列基板的方法；圖8是例示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢査裝置的截面圖；圖9是例示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢查裝 置的截面圖；而圖10是例示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢查裝置的截面圖。
具體實(shí)施方式
下面對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明，附圖中例示了其實(shí)例。 盡可能在所有圖中使用相同標(biāo)號來指代相同或相似的部件。 第一實(shí)施方式圖3是例示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢査裝置的截面圖。如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢査 裝置包括其上放置有TFT陣列基板104的基座103;位于基座103上 方面對TFT陣列基板104的調(diào)制器105，調(diào)制器105被用于檢查形成在 TFT陣列基板104上的像素是否存在缺陷；形成在調(diào)制器105的面對TFT 陣列基板104的表面上的多個支承桿450;位于基座103下方的光源101; 以及相機(jī)106，該相機(jī)106用于對從光源101發(fā)出并順序地經(jīng)過第一偏振 片102a、基座103、 TFT陣列基板104、調(diào)制器105以及第二偏振片102b 的光束進(jìn)行分析，以確定像素是否存在缺陷。第一偏振片102a位于光源101與基座103之間。第二偏振片102b 位于相機(jī)106與調(diào)制器105之間。第一偏振片102a和第二偏振片102b 具有交叉的透光軸。TFT陣列基板104包括按一個方向排列的多條選通線、與這些選通 線相交地排列的多條數(shù)據(jù)線，以及形成在選通線與數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)附近 的薄膜晶體管TFT。在選通線和數(shù)據(jù)線所限定的多個像素中分別形成有像素電極PE。相機(jī)106可以是電荷耦合器件(CCD)相機(jī)106。調(diào)制器105包括上基板lllb、下基板llla、液晶層510、第一定向 層222a、第二定向?qū)?22b以及公共電極244。
第一定向?qū)?22a形成在下基板llla的上表面上。下基板llla的下 表面上形成有多個支承桿450。支承桿450的高度可以為3 20 pm。
下基板llla和上基板111b彼此接合以使第一定向?qū)?22a和第二定 向?qū)?22b彼此面對。液晶層510形成在下基板111 a與上基板111 b之間。 液晶層510包含扭曲向列液晶，并且液晶內(nèi)部的液晶分子被有機(jī)物制成 的囊(capsule)所包圍。
公共電極244和第二定向?qū)?22b依次形成在上基板lllb的下表面 上。第一定向?qū)?22a和第二定向?qū)?22b用于將液晶層510的液晶分子 定向在一個方向上。
上基板lllb與下基板llla之間形成有多個柱狀間隔體654。柱狀間 隔體654用于在上基板111 b與下基板111 a之間維持恒定的間隙。柱狀間 隔體654和支承桿450可以由樹脂制成。
如圖3所示，各個柱狀間隔體654和各個支承桿450可以位于彼此 對應(yīng)的位置。
在上基板lllb的公共電極244與TFT陣列基板104的相應(yīng)像素電極 PE之間生成了電場。該電場對位于像素電極PE與公共電極244之間的 液晶層510的透光率產(chǎn)生了影響。
支承桿450形成在下基板llla的下表面上。更具體地說，按照與TFT 陣列基板104的除像素以外的局部區(qū)域相對應(yīng)的方式將支承桿450形成 在下基板llla的下表面上。更具體地說，為了防止在彼此對準(zhǔn)TFT陣列 基板104和調(diào)制器105時支承桿450接觸到像素電極PE，按照不與像素 電極PE對應(yīng)的方式將支承桿450形成在下基板1 lla的下表面上。
為此，將支承桿450形成在下基板llla的下表面上與選通線或數(shù)據(jù) 線相對應(yīng)的位置處，或者與選通線和數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)相對應(yīng)的位置處。
圖4例示了 TFT陣列基板的排布結(jié)構(gòu)，而圖5是沿圖4的I-I線截 取的截面圖。
如圖4和圖5所示，支承桿450位于除像素以外的位置處，從而不與像素電極PE接觸。在圖4和5中，支承桿450位于選通線GL與數(shù)據(jù) 線DL的交叉點(diǎn)處。當(dāng)然，另選的是，支承桿450可以形成在與選通線 GL相同的位置處或者與數(shù)據(jù)線DL相同的位置處。
同時，如圖5所示，薄膜晶體管TFT包括形成在TFT陣列基板 104上的柵極GE;形成在包括柵極GE的TFT陣列基板104的整個表面 上的柵極絕緣層GI;形成在柵極絕緣層上與柵極GE相交疊的半導(dǎo)體層 740;形成在半導(dǎo)體層740的兩側(cè)與柵極GE的兩邊緣相交疊的歐姆接觸 層741;以及形成在歐姆接觸層741上的源極SE/漏極DE。這里，標(biāo)號 770表示保護(hù)層。
如上所述，在本發(fā)明中，通過提供多個支承桿450來支承調(diào)制器105， 即使調(diào)制器105的面積增大，也可以防止調(diào)制器105的中央下垂。
同時，考慮到調(diào)制器105的中央下垂，位于調(diào)制器105的中央處的 支承桿450高于位于調(diào)制器105的邊緣處的支承桿450。
下面，對利用上述液晶顯示器件用基板檢查裝置來檢査TFT陣列基 板104的方法進(jìn)行說明。
圖6例示了利用圖3的檢查裝置來檢查TFT陣列基板的方法。
首先，制備其上形成有薄膜晶體管TFT和像素電極PE的TFT陣列 基板104。將制備好的TFT陣列基板104座裝在基座103上。
隨后，將調(diào)制器105定位在TFT陣列基板104上方，并且與TFT陣 列基板104對準(zhǔn)。這里，假定調(diào)制器105與單個TFT陣列基板104的尺 寸相同。
通過上述對準(zhǔn)操作，將安裝在調(diào)制器105上的支承桿450定位在TFT 陣列基板104的除像素以外的區(qū)域處。
接下來，朝向TFT陣列基板104降低調(diào)制器105，直到支承桿450 接觸到TFT陣列基板104為止。在這種情況下，當(dāng)支承桿450接觸到TFT 陣列基板104時，停止降低調(diào)制器105。
這里，由于存在用于支承調(diào)制器105的支承桿450，因而調(diào)制器105 的中央沒有下垂。
此后，向TFT陣列基板104的選通線GL順序地施加掃描脈沖(即，用于測試的掃描脈沖)，使得一次一條選通線GL地使連接至相應(yīng)選通線
GL的薄膜晶體管TFT順序地導(dǎo)通。只要向相應(yīng)選通線GL施加了掃描脈 沖，就額外地向數(shù)據(jù)線DL施加數(shù)據(jù)電壓(即，用于測試的數(shù)據(jù)電壓)， 以向所有像素施加數(shù)據(jù)電壓。同時，向調(diào)制器105的公共電極244施加 公共電壓(即，用于測試的公共電壓)。
由此，在相應(yīng)像素電極PE與公共電極244之間生成了電場。該電場 改變了位于像素電極PE與公共電極244之間的液晶層510的透光率。
來自位于基座103下方的光源101的光束順序地經(jīng)過第一偏振片 102a、基座103、 TFT陣列基板104、第二偏振片102b以及調(diào)制器106， 從而被引入到相機(jī)106中。相機(jī)106分析該光束，以確定像素是否存在 缺陷。
在這種情況下，在TFT陣列基板104和調(diào)制器105的整個表面上將 它們都分割成多個拍照部分Dl到D9。相機(jī)106通過在從拍照部分Dl 向拍照部分D9移動的同時對每個部分拍照若干次來捕獲TFT陣列基板 104的整個表面的圖像。
作為一個實(shí)例，圖6例示了均被分割成九個拍照部分Dl到D9的調(diào) 制器105和TFT陣列基板104。
當(dāng)然，相機(jī)106可以被制成為具有與TFT陣列基板104的面積相對 應(yīng)的更寬的透鏡，并且可以一次對TFT陣列基板104的整個面積進(jìn)行拍 照，而無需分割成拍照部分D1到D9。然而，大尺寸透鏡可能存在需要 特高分辨率的缺點(diǎn)。
因此，在本發(fā)明中，嘗試增大調(diào)制器105的尺寸，使其對應(yīng)于單個 TFT陣列基板104的尺寸，由此允許調(diào)制器105和TFT陣列基板104通 過對每個TFT陣列基板104進(jìn)行一次對準(zhǔn)操作即可彼此對準(zhǔn)。
圖7例示了利用圖3的調(diào)制器來檢查形成在母板上的多個TFT陣列 基板的方法。
如圖7所示，為了使用本發(fā)明的檢查裝置來檢查其上形成有多個TFT 陣列基板104的單個母基板(mother substrate) 800內(nèi)的所有像素，必須 預(yù)先執(zhí)行使相應(yīng)TFT陣列基板801到806與調(diào)制器105對準(zhǔn)的操作。在此，單個母基板800上形成有總共六片TFT陣列基板801到806，需要 總共六次對準(zhǔn)操作來檢査形成在六片TFT陣列基板801到806上的全部 像素。
同時，調(diào)制器105可以具有與母基板800 (更具體地說，與其上形 成有多個TFT陣列基板801到806的母基板800)的尺寸相對應(yīng)的尺寸。 在這種情況下，可以通過單個對準(zhǔn)操作而將調(diào)制器105與全部六片TFT 陣列基板801到806對準(zhǔn)。
為了檢査相應(yīng)TFT陣列基板801到806，相機(jī)106在檢查了第一 TFT 陣列基板801之后沿水平方向移動，以檢查第二 TFT陣列基板802。接 著，相機(jī)106又沿對角方向移動，以檢查第三TFT陣列基板803。這樣， 相機(jī)106可以順序地檢查所有第一到第六TFT陣列基板801到806。
相機(jī)106對經(jīng)過了 TFT陣列基板801到806的光束進(jìn)行分析，由此 確定形成在TFT陣列基板801到806上的所有相應(yīng)像素是否存在缺陷。
更具體地說，相機(jī)106利用預(yù)定的透光率-電壓(T-V)特性曲線來 判斷每個像素的透光率是否處于允許范圍內(nèi)，由此確定每個像素是存在 缺陷還是正常。具體來說，如果經(jīng)過了任意像素的光束的透光率處于在 上述特性曲線中限定的透光率的允許范圍內(nèi)，則相機(jī)106判定該像素正 常。與此相反，如果透光率偏離該允許范圍，則相機(jī)106判定該像素存 在缺陷。
第二實(shí)施方式
圖8是例示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢查裝 置的截面圖。
如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢查 裝置包括其上放置有TTT陣列基板104的基座103;位于基座103上 方面對TFT陣列基板104的調(diào)制器105，該調(diào)制器105被用于檢査形成 在TFT陣列基板104上的像素是否存在缺陷；形成在調(diào)制器105的面對 TFT陣列基板104的表面上的多個支承桿450;用于發(fā)出光束的光源101; 用于使來自光源101的光束偏振的第一偏振片102a;用于改變來自第一 偏振片102a的光的光路的反射器199;用于使來自反射器199的光路變
14向基座103同時使從基座103反射來的光束透過的分束器188;用于改變 來自分束器188的光束的相位的相襯(phase-contmst)片177;用于使來 自相襯片177的光束偏振的第二偏振片102b;以及相機(jī)106，用于對來 自第二偏振片102b的光束進(jìn)行分析，以確定形成在TFT陣列基板104 上的所有各個像素是存在缺陷還是正常。
調(diào)制器105、第一偏振片102a、第二偏振片102b以及相機(jī)106和上 述第一實(shí)施方式的調(diào)制器105、第一偏振片102a、第二偏振片102b以及 相機(jī)106相同，因此省略了對它們的說明。
基座103的表面涂覆有反射材料。如果從分束器188向基座103傳 播光束，則該光束被反射材料反射，由此，再次傳播到分束器188。在從 基座103反射而經(jīng)過分束器188之后，該光束順序地經(jīng)過相襯片177和 第二偏振片102b。
第二實(shí)施方式中采用的調(diào)制器105具有和第一實(shí)施方式的調(diào)制器 105相同的構(gòu)造和效果。
第三實(shí)施方式圖9是例示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢查裝 置的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢查裝置和上述第 一實(shí)施方式的幾乎相同。它們之間的唯一差別在于保護(hù)層123替換了支 承桿450，如圖9所示。
保護(hù)層123形成在調(diào)制器105中所包括的下基板llla的整個下表面上。
不同于上述支承桿450，保護(hù)層123與像素電極PE物理地接觸。保 護(hù)層123根據(jù)其尺寸可以接觸到形成在TFT陣列基板104上的所有像素 電極PE，或者可以僅接觸到形成在TFT陣列基板104上的某些像素電極 PE。
保護(hù)層123可以由選自由以下材料構(gòu)成的組中的任意一種材料來制 成聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene-terephthalate) (PET)、聚丙烯 (polypropylene ) ( PP )、低密度聚乙烯(low-density-poly ethylene) (LDPE )、高密度聚乙烯(high-density-polyethylene ) (HDPE )、聚苯乙烯(polystyrene ) (PS)、聚氯乙烯(polyvinyl chloride) (PVC)以及納米纖維，或上列材 料中的任意兩種或更多種材料的組合。
由于保護(hù)層123與像素電極PE接觸，因而，即使調(diào)制器105的尺寸 增大，也可以防止調(diào)制器105的中央下垂。 第四實(shí)施方式
圖10是例示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢査 裝置的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施方式的液晶顯示器件用基板檢查裝置和上述第 二實(shí)施方式的幾乎相同。唯一差別在于保護(hù)層123替換了支承桿450，如
圖io所示。
本發(fā)明第四實(shí)施方式中采用的保護(hù)層123和以上第三實(shí)施方式的上 述保護(hù)層123相同。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下， 可以對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和變型。因而，本發(fā)明將覆蓋落入所附權(quán)利 要求及其等同形式的范圍內(nèi)的對本發(fā)明的各種修改和變型。
根據(jù)上述描述可以清楚，上述根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件用基板檢 查裝置具有以下效果。
根據(jù)本發(fā)明，在調(diào)制器的下側(cè)形成有保護(hù)層或支承桿，以防止調(diào)制 器的中央下垂。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，調(diào)制器可以被制成為具有更大 的面積，并且本發(fā)明具有縮短使調(diào)制器與TFT陣列基板對準(zhǔn)所需時間的 效果。
另外，通過減小調(diào)制器與TFT陣列基板之間的氣隙，本發(fā)明具有改 進(jìn)調(diào)制器的感測能力的效果。
本申請要求2008年6月1日提交的韓國專利申請10-2007-0053890
號的優(yōu)先權(quán)，將其并入作為參考，如同在此進(jìn)行了充分地闡述。
1權(quán)利要求
1、一種液晶顯示器件用基板檢查裝置，該液晶顯示器件用基板檢查裝置包括其上放置有基板的基座；位于該基座上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢查形成在該基板上的各個像素是否存在缺陷；以及形成在該基板與該調(diào)制器的相面對的表面中的一個表面上的多個支承桿。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示器件用基板檢査裝置，其中， 該基板包括形成在相應(yīng)像素上的像素電極，以及相交叉的多條選通線和多條數(shù)據(jù)線，并且這些支承桿按照位于除像素以外的區(qū)域處的方式形成在該基板與該 調(diào)制器的相面對的表面中的一個表面上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，其中，這 些支承桿按照位于那些選通線和那些數(shù)據(jù)線處的方式形成在該基板與該 調(diào)制器的相面對的表面中的一個表面上。
4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示器件用基板檢査裝置，其中，這 些支承桿形成在該調(diào)制器的一個表面上。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，其中，該 調(diào)制器包括形成有公共電極的上基板；位于該上基板與該基板之間并且接合至該上基板的下基板；以及 形成在該上基板與該下基板之間的液晶層，該液晶層的透光率根據(jù) 該基板的像素電極與公共電極之間生成的電場而改變。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，其中，這些支承桿形成在該下基板的面對該上基板的表面的表面上。
7、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，其中，該調(diào)制器還包括形成該上基板與該下基板之間，用于在該上基板與該下基板之間維持一間隙的多個間隔體；禾口用于彼此接合該上基板和該下基板的密封材料，其中，這些支承桿是由與這些間隔體或該密封材料相同的材料制成的。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，該液晶顯示器件用基板檢查裝置還包括用于發(fā)出光束的光源；用于使來自該光源的光束偏振的第一偏振片；第二偏振片，用于接收從該光源發(fā)出并依次經(jīng)過第一偏振片、基座、 基板以及調(diào)制器的光束并使之偏振；以及相機(jī)，用于對來自第二偏振片的光束進(jìn)行分析，以確定形成在該TFT 陣列基板上的像素是否存在缺陷。
9、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，該液晶顯 示器件用基板檢查裝置還包括用于發(fā)出光束的光源；用于使來自該光源的光束偏振的第一偏振片；用于改變來自第一偏振片的光束的路徑的反射器；分束器，用于將來自該反射器的光束的路徑變?yōu)槌蛟摶?，同時使從該基座反射來的光束透過；用于改變來自該分束器的光束的相位的相襯片；用于使來自該相襯片的光束偏振的第二偏振片；以及相機(jī)，用于對來自第二偏振片的光束進(jìn)行分析，以確定形成在該TFT陣列基板上的像素是否存在缺陷。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，其中檢查單元的面對該基板的表面具有覆蓋該基板的整體面積的尺寸； 該基板的要由該相機(jī)拍照一次的面積小于該基板的整體面積；以及 該檢查單元保持在固定位置，而該相機(jī)進(jìn)行移動來拍照整個基板。
11、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件用基板檢査裝置，其中，該相機(jī)是電荷耦合器件(CCD)相機(jī)。
12、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件用基板檢査裝置，其中， 這些支承桿的高度彼此不同。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，其中， 位于該調(diào)制器的中央處的支承桿比位于該調(diào)制器的邊緣的支承桿要高。
14、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件用基板檢査裝置，其中， 這些支承桿的高度為3 20 |im。
15、 一種液晶顯示器件用基板檢查裝置，該液晶顯示器件用基板檢査裝置包括其上放置有基板的基座；位于該基座上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢查形成在該基板 上的像素是否存在缺陷；以及形成在該基板與該調(diào)制器的相面對的表面中的一個表面上的保護(hù)層。
16、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，其中， 該保護(hù)層是由選自由以下材料構(gòu)成的組中的任意一種材料制成的聚對 苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、低密度聚乙烯(LDPE)、高 密度聚乙烯(HDPE)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)以及納米纖維， 或上列材料中的任意兩種或更多種的組合。
17、 根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示器件用基板檢查裝置，其中，該保護(hù)層形成在該調(diào)制器的面對該基板的一個表面上。
18、 一種利用液晶顯示器件用基板檢查裝置的液晶顯示器件用基板 檢查方法，該液晶顯示器件用基板檢查裝置包括其上放置有基板的基 座；位于該基座上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢查形成在該基板 上的像素是否存在缺陷；以及形成在該調(diào)制器的面對該基板的一個表面 上的多個支承桿，該液晶顯示器件用基板檢查方法包括以下步驟將該基板座裝在該基座上； 使該調(diào)制器與該基板對準(zhǔn)；以及使該調(diào)制器朝向該基板移動，以使那些支承桿與該基板相接觸。
19、 一種利用液晶顯示器件用基板檢查裝置的液晶顯示器件用基板 檢查方法，該液晶顯示器件用基板檢査裝置包括其上放置有基板的基 座；位于該基座上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢查形成在該基板 上的像素是否存在缺陷；以及形成在該調(diào)制器的面對該基板的一個表面上的保護(hù)層，該液晶顯示器件用基板檢查方法包括以下步驟將該基板座裝在該基座上； 使該調(diào)制器與該基板對準(zhǔn)；以及使該調(diào)制器朝向該基板移動，以使該保護(hù)層與該基板相接觸。
20、 根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示器件用基板檢查方法，該液晶 顯示器件用基板檢査方法還包括以下步驟將該調(diào)制器保持在固定位置，以及在使相機(jī)在該調(diào)制器上移動的同時對經(jīng)過了該基板和該調(diào)制器的光 束進(jìn)行拍照。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示器件用基板檢查裝置和利用其的基板檢查方法。公開了一種能夠通過縮短基板檢查時間而改進(jìn)生產(chǎn)效率的液晶顯示器件用基板檢查裝置和利用其的基板檢查方法。該基板檢查裝置包括其上放置有基板的基座；位于該基座上方面對該基板的調(diào)制器，其被用于檢查形成在該基板上的各個像素是否存在缺陷；以及形成在該基板與該調(diào)制器的相面對的表面中的一個表面上的多個支承桿。
文檔編號G02F1/13GK101315471SQ20081010816
公開日2008年12月3日 申請日期2008年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月1日
發(fā)明者申東秀 申請人:樂金顯示有限公司