專利名稱:薄膜晶體管陣列基板及其維修方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其維修方法,屬于液晶顯示面板技術(shù)。
背景技術(shù):
現(xiàn)有薄膜晶體管-液晶顯示器(簡稱TFT-LCD)的液晶顯示面板主要是 由薄膜晶體管陣列基板和彩膜基板對盒而形成的,在薄膜晶體管陣列基板和 彩膜基板之間充有液晶。薄膜晶體管陣列基板包括多個像素單元,每個像素 單元由分別具有紅、綠、藍(lán)三種顏色顯示的三個亞像素單元組成。圖1A所示 為現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖,圖1B所示為圖1A中沿X-X 方向的截面圖。圖中的虛線表示相應(yīng)的部分位于下層。
其中,在基板00上形成有相互交叉配置的柵線12和信號線11;柵線l2 和信號線11限定的像素區(qū)域中設(shè)置有亞像素單元;每個亞像素單元包括像素 電極13和薄膜晶體管(簡稱TFT) 14;柵線12和信號線11的上層設(shè)置有 柵絕緣層15和信號絕緣層16,起到與像素電極13絕緣的作用。其中的信號 絕緣層16具體可以為鈍化層。
在彩膜基板上配置有黑矩陣,使光不能透過除了像素電極13以外的區(qū)域, 在各像素區(qū)域配置彩色樹脂層。當(dāng)處于工作狀態(tài)時,驅(qū)動信號被施加于柵線 12上,使得圖像數(shù)據(jù)通過信號線11施加到像素電極13上,通過控制像素電 極13的電壓來控制液晶的偏轉(zhuǎn)進(jìn)而控制光線的強(qiáng)弱,配合彩膜基板的功能, 在液晶顯示面板上顯示出所要表達(dá)的圖像。
在現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板的制造過程中會產(chǎn)生不良缺陷?,F(xiàn)有維修方法是通過切割維修工藝(cut repair )將發(fā)生短路的地方進(jìn)行切斷;或 者通過化學(xué)蒸汽沉積(Chemical Vapor Deposition,以下簡稱CVD)維 修工藝將發(fā)生斷路的地方接通,從而將不良亞像素單元修復(fù)為正常點(diǎn)。另 外,對于一些缺陷比較嚴(yán)重或者難以修復(fù)的不良亞像素單元則可以根據(jù)不 同的顯示模式,在常黑模式下將不良亞像素單元修正成為暗點(diǎn);或者在常 白模式下將不良亞像素單元修正成為亮點(diǎn)。
現(xiàn)有技術(shù)的缺陷在于暗點(diǎn)或亮點(diǎn)的灰度和周圍像素的灰度不能銜接 過渡,從而會對整體的顯示效果產(chǎn)生影響;并且,較多的暗點(diǎn)或亮點(diǎn)對于 薄膜晶體管陣列基板的整體良品率以及組件(module)成品的品質(zhì)會產(chǎn)生 很大影響,從而在很大程度上降低了產(chǎn)品的產(chǎn)出率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種薄膜晶體管陣列基板及其維修方法,使得當(dāng)不 良亞像素被修正為暗點(diǎn)或亮點(diǎn)時,不會對液晶顯示面板的整體顯示效果產(chǎn)生 影響。
為了解決上述問題,本發(fā)明的一個實(shí)施例是提供了一種薄膜晶體管陣 列基板,包括柵線、信號線和多個亞像素單元,每個亞像素單元包括像素電 極和薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的源極與所述像素電極電連接,其特征在
于還包括導(dǎo)電物,用于維修時連接相同顏色的相鄰亞像素的像素電極,所 述導(dǎo)電物設(shè)置于所述亞像素單元的柵絕緣層與信號絕緣層之間。
為了解決上述問題,本發(fā)明的另 一 個實(shí)施例是提供了 一種薄膜晶體管 陣列基板維修方法,其中包括
切斷不良亞像素單元的像素電極與薄膜晶體管之間的電連接; 將相鄰的具有相同顏色的不良亞像素單元和正常亞像素單元的像素電 極,在與導(dǎo)電物相重疊的位置進(jìn)行擊穿融化,進(jìn)行所述擊穿融化之后還包 括在擊穿點(diǎn)處沉積導(dǎo)電物質(zhì),其中,所述導(dǎo)電物設(shè)置于所述薄膜晶體管陣列基板上的亞像素單元的柵絕緣層與信號絕緣層之間。
通過本發(fā)明,使不良的亞像素單元和正常的亞像素單元進(jìn)行了電連接,從 而具有相同的電壓。由于進(jìn)行電連接的相鄰亞像素單元具有相同的顏色顯示 和灰度,因此可以將不良的亞像素單元維修成與周圍相鄰亞像素單元具有相 同的灰度,從而實(shí)現(xiàn)同樣的顯示灰度效果,減小了暗點(diǎn)或亮點(diǎn)對顯示效果的 影響,提高了顯示質(zhì)量。另外,導(dǎo)電物不會對正常像素的顯示產(chǎn)生額外的影 響,并且維修工藝簡便,為不良像素點(diǎn)的維修提供了便利。
下面通過附圖和實(shí)施例,對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖1A為現(xiàn)有薄膜晶體管陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖; 圖1B為圖1A中沿X-X方向的截面圖2A為本發(fā)明具體實(shí)施方式
所述薄膜晶體管陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2B為圖2A中沿Y-Y方向的截面圖3為本發(fā)明具體實(shí)施方式
所述薄膜晶體管陣列基板維修方法的流程圖; 圖4A為圖2A所示薄膜晶體管陣列基板被維修后的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖4B為圖4A中沿Z-Z方向的截面圖4C為圖2A所示薄膜晶體管陣列基板被維修后的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
本實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管陣列基板及其維修方法,如圖2A所示, 該薄膜晶體管陣列基板包括相互交叉配置的信號線21和柵線22,形成有多 個亞像素單元,每個亞像素單元包括像素電極及TFT。作I設(shè),具有相同顏色顯 示的兩個相鄰亞像素單元分別為上亞像素單元和下亞像素單元,其中,上亞 像素單元包括像素電極23A和薄膜晶體管24A;下亞像素單元包括像素電極 23B和薄膜晶體管24B。在像素電極23A和23B之間,通過導(dǎo)電物27進(jìn)行非電性連接。
具體地,如圖2B所示,導(dǎo)電物27設(shè)置于亞像素單元的柵絕緣層25與信 號絕緣層26之間,將像素電極23A和23B進(jìn)行非電性連接。當(dāng)亞像素單元處 于正常狀態(tài)下時,由于導(dǎo)電物27位于兩層絕緣層之間,因此不與像素電極 進(jìn)行電接觸,也就不會對其正常工作產(chǎn)生影響。另外,為了便于制造,導(dǎo)電 物27可以與信號線21具有相同的材料并與信號線21同時形成,具體地, 可以同時在掩膜工藝過程中形成。
當(dāng)薄膜晶體管陣列基板中的某個亞像素單元出現(xiàn)不良缺陷時,可以采
用如下薄膜晶體管陣列基板維修方法進(jìn)行維修。假設(shè)在該薄膜晶體管陣列基 板中出現(xiàn)不良缺陷的不良亞像素單元為上亞像素單元;與上亞像素單元相 鄰的未出現(xiàn)不良缺陷的正常亞像素單元為下亞像素單元;上述上亞像素單 元和下亞像素單元具有相同的著色顯示。如圖3所示,薄膜晶體管陣列基 板維修方法包括
步驟IOI,通過切斷像素電極23A與薄膜晶體管24A之間的電連接, 使上亞像素單元的像素電極23A上沒有電壓。
具體地,在常白模式下,通過上述操作將上亞像素單元修正為亮點(diǎn); 在常黑模式下,通過上述操作將上亞像素單元修正為暗點(diǎn)。
步驟102,將像素電極23A和23B在與導(dǎo)電物27相重疊的位置擊穿并 融化,使導(dǎo)電物27與像素電極23A和23B電連接,進(jìn)而使像素電極23A和 2 3B具有相同的電壓。
具體地,可以通過陣列工序中的激光維修(laser repair)工藝對像 素電極進(jìn)行擊穿。如圖4A、 4B所示,像素電極23A上的擊穿位置位于擊穿 點(diǎn)271A處;像素電極23B上的擊穿位置位于擊穿點(diǎn)271B處。在擊穿點(diǎn)271A 處,像素電極23A被擊穿融化,使像素電極23A與導(dǎo)電物27電連接;在擊 穿點(diǎn)271B處,像素電極23B被擊穿融化,使像素電極23B與導(dǎo)電物"電 連接,從而形成了從像素電極23A經(jīng)導(dǎo)電物27再到像素電極23B的電通路。步驟103,如果〗象素電極的融化效果不好,則^象素電極23A和23B與 導(dǎo)電物27可能無法實(shí)現(xiàn)電通路,則無法達(dá)到維修的目的。在這種情況下, 還可以通過CVD維修工藝,在擊穿點(diǎn)271A或271B處沉積導(dǎo)電物質(zhì),使融 化效果不好的像素電極23A或23B與導(dǎo)電物27實(shí)現(xiàn)電連接。
步驟104,另外,還可以將被維修的亞像素單元進(jìn)行標(biāo)記,在組件工序完 成后,通過施加額外的控制對被維修的亞像素單元的像素電極進(jìn)行電壓調(diào)整, 以實(shí)現(xiàn)與周圍區(qū)域的顯示一致化。
此處需要說明的是,雖然本實(shí)施例僅對相鄰兩個亞像素單元進(jìn)行電連接 的情況進(jìn)行了說明,但也可以根據(jù)顯示效果的需要,將不良亞像素單元通 過上述方式與多個正常亞像素單元進(jìn)行電連接形成互聯(lián)的像素網(wǎng)絡(luò)。例如, 如圖4C所示,還可以通過擊穿點(diǎn)272A和272B及擊穿點(diǎn)27 3A和273B與更 多的正常亞像素單元進(jìn)行電連接,形成互聯(lián)的像素網(wǎng)絡(luò)。通過多個正常亞 像素單元與不良亞像素單元之間的電壓分配,以實(shí)現(xiàn)更佳的顯示效果。
另外需要說明的是,雖然本實(shí)施例各附圖中所示的像素電極均位于亞像 素單元結(jié)構(gòu)的最上層,但對于其它類型的TFT-LCD,例如像素電極位于亞 像素單元結(jié)構(gòu)的最下層的情況,本實(shí)施例所述結(jié)構(gòu)和方法可以同樣適用。
通過本實(shí)施例,使不良的亞像素單元和正常的亞像素單元進(jìn)行了電連接, 從而具有相同的電壓。由于進(jìn)行電連接的相鄰亞像素單元具有相同的顏色顯 示和灰度,因此可以將不良的亞像素單元維修成與周圍相鄰亞像素單元具有 相同的灰度,從而實(shí)現(xiàn)同樣的顯示灰度效果,減小了暗點(diǎn)或亮點(diǎn)對顯示效果 的影響,提高了顯示質(zhì)量。另外,導(dǎo)電物不會對正常像素的顯示產(chǎn)生額外的 影響,并且維修工藝簡便,為不良像素點(diǎn)的維修提供了便利。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案,而非對其 限制;盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明,本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改,或 者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換,并不使相應(yīng)技
術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管陣列基板,包括柵線、信號線和多個亞像素單元,每個亞像素單元包括像素電極和薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的源極與所述像素電極電連接,其特征在于還包括導(dǎo)電物,用于維修時連接相同顏色的相鄰亞像素的像素電極,所述導(dǎo)電物設(shè)置于所述亞像素單元的柵絕緣層與信號絕緣層之間。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述薄膜晶體管陣列基板,其特征在于所述導(dǎo)電物 與所述信號線具有相同的材料并同時形成。
3、 一種薄膜晶體管陣列基板維修方法,其特征在于包括 切斷不良亞像素單元的像素電極與薄膜晶體管之間的電連接; 將相鄰的具有相同顏色的不良亞像素單元和正常亞像素單元的像素電極,在與導(dǎo)電物相重疊的位置進(jìn)行擊穿融化,其中,所述導(dǎo)電物設(shè)置于所述 薄膜晶體管陣列基板上的亞像素單元的柵絕緣層與信號絕緣層之間。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述薄膜晶體管陣列基板維修方法,其特征在于進(jìn)行 所述擊穿融化包括通過陣列工序中的激光維修工藝進(jìn)行所述擊穿融化。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述薄膜晶體管陣列基板維修方法,其特征在于 進(jìn)行所述擊穿融化之后還包括在擊穿點(diǎn)處沉積導(dǎo)電物質(zhì)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3-5任一所述薄膜晶體管陣列基板維修方法,其特征 在于進(jìn)行所述擊穿融化之后還包括對所述相鄰的具有相同顏色的不良亞像素單元及正常亞像素單元進(jìn)行 標(biāo)記;對帶有標(biāo)記的亞像素單元的像素電極進(jìn)行電壓調(diào)整,使帶有標(biāo)記的所 述亞像素單元與相鄰的具有相同顏色的亞像素單元達(dá)到顯示一致化。
7、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板維修方法,其特征在于所 述導(dǎo)電物與所述薄膜晶體管陣列基板上的信號線具有相同的材料并同時形 成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其維修方法,其中包括柵線、信號線和多個亞像素單元,每個亞像素單元包括像素電極和薄膜晶體管,所述薄膜晶體管的源極與所述像素電極電連接,其中還包括導(dǎo)電物,用于維修時連接相同顏色的相鄰亞像素的像素電極,所述導(dǎo)電物設(shè)置于所述亞像素單元的柵絕緣層與信號絕緣層之間。方法其中包括切斷不良亞像素單元的像素電極與薄膜晶體管之間的電連接;將相鄰的不良亞像素單元和正常亞像素單元的像素電極,在與導(dǎo)電物相重疊的位置進(jìn)行擊穿融化。通過本發(fā)明,可以使不良的亞像素單元維修成與周圍相鄰亞像素單元具有相同的灰度,從而實(shí)現(xiàn)同樣的顯示灰度效果,減小了暗點(diǎn)或亮點(diǎn)對顯示效果的影響,提高了顯示質(zhì)量。
文檔編號G02F1/1362GK101533844SQ20081010199
公開日2009年9月16日 申請日期2008年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月14日
發(fā)明者周偉峰, 星 明, 建 郭 申請人:北京京東方光電科技有限公司