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液晶顯示裝置的制作方法

文檔序號(hào):2736758閱讀:224來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置,特別是涉及在每個(gè)像素上設(shè)置了輔助電容 的有源矩陣型的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)
液晶顯示裝置具有薄型、低耗電的特征,在各種領(lǐng)域中被廣泛應(yīng)用。特別是在每個(gè)像素上配備了薄膜晶體管(稱為「TFT」)的有源矩陣型的 液晶顯示裝置,由于其具有高對(duì)比度及優(yōu)良響應(yīng)特性且性能高,所以被使 用于電視機(jī)或監(jiān)視器、筆記本型計(jì)算機(jī),近年來(lái),其市場(chǎng)規(guī)模正在擴(kuò)大。 在普通的有源矩陣型液晶顯示裝置中,為了將施加在液晶層的電壓以 規(guī)定的時(shí)間適當(dāng)?shù)乇3郑诿總€(gè)像素上設(shè)置了輔助電容(例如,參照專利 文獻(xiàn)1)。在圖6中,表示具有輔助電容的現(xiàn)有的有源矩陣型液晶顯示裝 置的一個(gè)示例。圖6中表示的液晶顯示裝置500,具有按矩陣狀排列的多個(gè)像素。在 各像素中設(shè)置有液晶電容Clc、和與液晶電容Clc并聯(lián)電連接的輔助電容 Cs。液晶電容Clc,由采用薄膜晶體管511來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)的像素電極512、 與像素電極512對(duì)置的對(duì)置電極513、和在像素電極512與對(duì)置電極513 之間配置的液晶層514所形成。薄膜晶體管511,從掃描布線515供給掃 描信號(hào),從信號(hào)布線516供給顯示信號(hào)。輔助電容Cs,由與像素電極512電連接的輔助電容電極517、與輔助 電容電極517對(duì)置的輔助電容對(duì)置電極518、和在輔助電容電極517與輔 助電容對(duì)置電極518之間配置的電介質(zhì)層519所形成。輔助電容對(duì)置電極 518,與輔助電容布線529電連接,從輔助電容布線529供給規(guī)定的電壓。在圖7以及圖8中,表示配置有源矩陣基板500a的液晶顯示裝置500 的構(gòu)造。圖7是表示有源矩陣基板500a的示意俯視圖。圖8是圖7中沿 8A-8A'線的剖面圖。并且,在圖7以及圖8中,示例了頂柵(top gate) 型的薄膜晶體管511。有源矩陣基板500a,具有在透明絕緣性基板(例如玻璃基板)510上 層疊多個(gè)導(dǎo)電層或絕緣層的構(gòu)造。具體而言,在絕緣性基板510上,設(shè)置 有薄膜晶體管511的半導(dǎo)體層522或輔助電容電極517,并以覆蓋它們的 方式設(shè)置有柵極絕緣膜519。位于柵極絕緣膜519的輔助電容電極517上 的部分作為輔助電容Cs用的電介質(zhì)層來(lái)發(fā)揮功能。在柵極絕緣膜519上,設(shè)置有掃描布線515、從掃描布線515被延長(zhǎng) 設(shè)置的柵極電極515a、輔助電容布線529以及輔助電容對(duì)置電極518。如 圖7所知,在輔助電容布線529之中,位于像素內(nèi)的部分作為輔助電容對(duì) 置電極518來(lái)發(fā)揮功能。以覆蓋上述掃描布線515、柵極電極515a、輔助電容布線529以及輔 助電容對(duì)置電極518的方式形成了層間絕緣膜523,并在層間絕緣膜523 上設(shè)置有信號(hào)布線516。信號(hào)布線516,在層間絕緣膜523以及柵極絕緣 膜519中形成的接觸孔524上,與半導(dǎo)體層522連接。以覆蓋信號(hào)布線516的方式形成了透明的樹(shù)脂膜526,在此樹(shù)脂膜526 上設(shè)置有像素電極512。像素電極512,經(jīng)由與信號(hào)布線516相同的導(dǎo)電 膜形成的連接電極530,與半導(dǎo)體層522電連接。連接電極530,在層間 絕緣膜523以及柵極絕緣膜519中形成的接觸孔上,與半導(dǎo)體層522連接, 在層間絕緣膜523上形成的接觸孔527上,與像素電極512連接。液晶顯示裝置500,如上所述,由于具有與液晶電容Clc并聯(lián)電連接 的輔助電容Cs,所以能以規(guī)定的時(shí)間保持施加在液晶層514上的電壓, 并能夠進(jìn)行高質(zhì)量的顯示。為了長(zhǎng)時(shí)間保持加電壓,優(yōu)選輔助電容Cs的 電容值為大。[專利文獻(xiàn)1]特開(kāi)2002-055656號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容然而,由于輔助電容Cs是由含有遮光性的材料部件(在示例的結(jié) 構(gòu)中為輔助電容對(duì)置電極518)所構(gòu)成,所以若為了使電容值擴(kuò)大而設(shè)置 大面積的輔助電容Cs,則開(kāi)口率將會(huì)降低。如此,輔助電容的電容值與開(kāi)口率有取舍(tradeoff)的關(guān)系,難以
將高開(kāi)口率和大電容值兩者同時(shí)實(shí)現(xiàn)。近年來(lái),液晶顯示裝置的高清晰化 正在進(jìn)步,由輔助電容的占有面積所引起的開(kāi)口率低是一個(gè)大問(wèn)題。本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題,其目的是,提供一種設(shè)置了具有高開(kāi)口率、并 具有足夠大的電容值的輔助電容的有源矩陣型液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置,是具有按矩陣狀排列的多個(gè)像素的液晶顯示裝置,所述多個(gè)像素分別具有液晶電容,其由釆用頂柵(top gate)型的薄膜晶體管來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)的像素電極、與所述像素電極對(duì)置的對(duì)置電極以 及所述像素電極與所述對(duì)置電極之間配置的液晶層形成;和與所述液晶電 容并聯(lián)電連接的第1輔助電容以及第2輔助電容;所述第l輔助電容,由與所述像素電極電連接的第1輔助電容電極、與所述第1輔助電容電極對(duì) 置的第1輔助電容對(duì)置電極、和配置于所述第1輔助電容電極與所述第1輔助電容對(duì)置電極之間的第1電介質(zhì)層形成,所述第2輔助電容,由與所 述像素電極電連接的第2輔助電容電極、與所述第2輔助電容電極對(duì)置的 第2輔助電容對(duì)置電極、和配置于所述第2輔助電容電極與所述第2輔助 電容對(duì)置電極之間的第2電介質(zhì)層形成,所述第1輔助電容對(duì)置電極以及 所述第2輔助電容對(duì)置電極,是所述第1輔助電容與所述第2輔助電容所 共同的單一電極,所述第1電介質(zhì)層,是覆蓋所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層 的柵極絕緣膜的一部分,所述第2電介質(zhì)層,是將向所述薄膜晶體管供給 掃描信號(hào)的掃描布線進(jìn)行覆蓋的層間絕緣膜的一部分,并且以比所述層間 絕緣膜的其他部分更薄的方式選擇性地被薄膜化,由此達(dá)到上述目的。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中,所述第1輔助電容電極,由與所述薄膜 晶體管的半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo)體膜形成。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中,所述第2輔助電容電極,由與向所述薄 膜晶體管供給顯示信號(hào)的信號(hào)布線相同的導(dǎo)電膜形成。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中,基于本發(fā)明的液晶顯示裝置,還具有覆 蓋所述信號(hào)布線以及所述第2輔助電容電極的樹(shù)脂膜,并在所述樹(shù)脂膜上 形成所述像素電極。在某一優(yōu)選的實(shí)施方式中,所述層間絕緣膜,是層疊了第1層以及第 2層的多層絕緣膜,所述第l層以及所述第2層由互相不同的絕緣材料所 形成;所述多層絕緣膜,是具有所述第2層選擇性地被除去后的低層疊區(qū) 域;所述第2輔助電容的所述第2電介質(zhì)層,是所述多層絕緣膜的所述低 層疊區(qū)域。基于本發(fā)明的液晶顯示裝置,是由頂柵型的薄膜晶體管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的 有源矩陣型的液晶顯示裝置,在每個(gè)像素上,具有在液晶電容上并聯(lián)電連 接的2個(gè)輔助電容(第1輔助電容以及第2輔助電容)。各個(gè)輔助電容, 由在像素電極上電連接的輔助電容電極、與輔助電容電極對(duì)置的輔助電容 對(duì)置電極、和配置于輔助電容電極與輔助電容對(duì)置電極之間的電介質(zhì)層所 形成。在基于本發(fā)明的液晶顯示裝置中,2個(gè)輔助電容的輔助電容對(duì)置電極 是與兩者的輔助電容共同的單一的電極。即2個(gè)輔助電容是以上下重疊的 方式被設(shè)置。因此,能夠使輔助電容的占有面積不增加而增大輔助電容的 值。并且,相對(duì)于一側(cè)的輔助電容的電介質(zhì)層(第1輔助電容的第1電 介質(zhì)層)是將薄膜晶體管的半導(dǎo)體層進(jìn)行覆蓋的柵極絕緣膜的一部分,而 另一側(cè)的輔助電容的電介質(zhì)層(第2輔助電容的第2電介質(zhì)層)是將掃描 布線進(jìn)行覆蓋的層間絕緣膜的一部分,進(jìn)而,是選擇性地被薄膜化的部分, 以使比層間絕緣膜的其他部分更薄。由此,在本發(fā)明的液晶顯示裝置中, 由于不增加形成于經(jīng)由層間絕緣膜的對(duì)置布線之間的寄生電容,就能夠增 大第2輔助電容的電容值,所以能夠?qū)崿F(xiàn)明亮并且高質(zhì)量的顯示。


圖1是表示本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的示意等價(jià)電 路圖。圖2是表示液晶顯示裝置100的有源矩陣型基板100a的示意俯視圖。圖3 (a)以及(b)是表示液晶顯示裝置100的有源矩陣型基板100a 的示意剖面圖,(a)表示圖2中沿3A 3A,線的截面,(b)表示圖2中 沿3B 3B,線的截面。圖4是用于說(shuō)明對(duì)有源矩陣型基板100a的層間絕緣膜23的一部分選 擇性地進(jìn)行薄膜化的方法的圖。圖5是表示具有多層構(gòu)造的層間絕緣膜23的有源矩陣型基板100a的 圖6是表示具有輔助電容的現(xiàn)有的液晶顯示裝置500的示意等價(jià)電路圖。圖7是表示液晶顯示裝置500的有源矩陣基板500a的示意俯視圖。 圖8是表示液晶顯示裝置500的有源矩陣基板500a的示意剖面圖, 并表示圖7中的沿8A 8A'線的截面。圖中IO —絕緣性基板,11 —薄膜晶體管,12 —像素電極,13 —對(duì)置 電極,14一液晶層,15 —掃描布線,16 —信號(hào)布線,17—第1輔助電容電 極,18 —共同輔助電容對(duì)置電極,18a—第l輔助電容對(duì)置電極,18b—第 2輔助電容對(duì)置電極,19一第1電介質(zhì)層(柵極絕緣膜),20 —第2輔助 電容電極,21 —第2電介質(zhì)層(層間絕緣膜被薄膜化的部分),22—半導(dǎo) 體層,23 —層間絕緣膜,24、 25、 27—接觸孔,26 —樹(shù)脂膜,28 —保護(hù)膜, 28a—保護(hù)膜的開(kāi)口部,29 —輔助電容布線,Clc一液晶電容,Csl—第1 輔助電容,Cs2 —第2輔助電容,100a—有源矩陣基板,IOO—液晶顯示裝 置。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。并且,本發(fā)明不限于以下 的實(shí)施方式。圖1中表示該實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的示意等價(jià)電路。液晶顯 示裝置100,如圖1所示,具有按矩陣狀排列的多個(gè)像素。各像素中設(shè)置 有液晶電容Clc、與液晶電容Clc并聯(lián)電連接的第l輔助電容.Csl以及第 2輔助電容Cs2。液晶電容Clc,由釆用薄膜晶體管11進(jìn)行開(kāi)關(guān)的像素電極12、與像 素電極12對(duì)置的對(duì)置電極13、配置在像素電極12與對(duì)置電極13之間的 液晶層14所形成。薄膜晶體管11從掃描布線15供給掃描信號(hào)、并從信 號(hào)布線16供給顯示信號(hào)。薄膜晶體管ll,如以后所詳述,是頂柵(top gate)型。第1輔助電容Csl,由與像素電極12電連接的第1輔助電容電極17、 與第1輔助電容電極17對(duì)置的第1輔助電容對(duì)置電極18a、和配置于第1 輔助電容電極17與第1輔助電容對(duì)置電極18a之間的第1電介質(zhì)層19所形成。此外,第2輔助電容Cs2,由與像素電極12電連接的第2輔助電容 電極20、與第2輔助電容電極20對(duì)置的第2輔助電容對(duì)置電極18b、和 配置于第2輔助電容電極20與所述第2輔助電容對(duì)置電極18b之間的第 2電介質(zhì)層21所形成。第1輔助電容對(duì)置電極18a以及第2輔助電容對(duì)置電極18b,與輔助 電容布線29電連接,從輔助電容布線29供給規(guī)定的電壓。在圖1所示的等價(jià)電路中,雖然對(duì)第1輔助電容對(duì)置電極18a與第2 輔助電容對(duì)置電極18b分別進(jìn)行了圖示,但是,在該實(shí)施方式中的液晶顯 示裝置100上,第1輔助電容對(duì)置電極18a與第2輔助電容對(duì)置電極18b, 是第1輔助電容Csl與第2輔助電容Cs2共同的單一電極。以下,也稱 此共同電極為「共同輔助電容對(duì)置電極」。第1輔助電容Csl的第1電介質(zhì)層19,具體而言是對(duì)薄膜晶體管11 的半導(dǎo)體層進(jìn)行覆蓋的柵極絕緣膜的一部分。此外,第2輔助電容Cs2的第2電介質(zhì)層21,具體而言,是覆蓋掃描布線15的層間絕緣膜的一部分;更具體而言,是選擇性地被薄膜化的部分,以使它比其他部分更薄。以下,參照?qǐng)D2、圖3 (a)及(b),更具體地說(shuō)明液晶顯示裝置100 的構(gòu)造。圖2是表示液晶顯示裝置100的有源矩陣基板100a的構(gòu)造的示 意俯視圖。此外,圖3 (a)是圖2中的沿3A 3A'線的剖面圖,圖3 (b) 是圖2中的沿3B 3B,線的剖面圖。有源矩陣基板100a,具有在透明的絕緣性基板(例如玻璃基板)10 上層疊多個(gè)導(dǎo)電層或絕緣層的構(gòu)造。具體而言,首先,在絕緣性基板10 上設(shè)置半導(dǎo)體層(例如n+-Si層)22以及第1輔助電容電極17,并以覆 蓋它們的方式設(shè)置了柵極絕緣膜19。位于柵極絕緣膜19的第1輔助電容 電極17上的部分作為第1輔助電容Csl的第1電介質(zhì)層19來(lái)發(fā)揮功能。 第1輔助電容電極17,由與薄膜晶體管11的半導(dǎo)體層22相同的半導(dǎo)體 膜所形成。此外,第1輔助電容電極17,由圖2所知,從半導(dǎo)體層22進(jìn) 行延長(zhǎng)設(shè)置,并經(jīng)由半導(dǎo)體層22與像素電極12電連接。在柵極絕緣膜19上設(shè)置有掃描布線15、從掃描布線15進(jìn)行延長(zhǎng)設(shè)
置的柵極電極15a、輔助電容布線29以及共同輔助電容對(duì)置電極18。它 們由相同導(dǎo)電膜所形成。由圖2所知,在輔助電容布線29之中,位于像 素內(nèi)的部分作為共同輔助電容對(duì)置電極18來(lái)發(fā)揮功能。以覆蓋上述掃描布線15、柵極電極15a、輔助電容布線29以及共同 輔助電容對(duì)置電極18的方式形成了層間絕緣膜23。層間絕緣膜23,如圖 3 (b)所示,在共同輔助電容對(duì)置電極18上具有以比其他部分薄的方式 選擇性地被薄膜化的部分21,該部分21,是作為第2輔助電容Cs2的第 2電介質(zhì)層21來(lái)發(fā)揮功能。在層間絕緣膜23上,設(shè)置有信號(hào)布線16。信號(hào)布線16,在層間絕 緣膜23以及柵極絕緣膜19中所形成的接觸孔24上與半導(dǎo)體層22連接。 此外,在層間絕緣膜23的薄膜化部分(即構(gòu)成第2輔助電容Cs2的第2 電介質(zhì)層)21上,設(shè)置有第2輔助電容電極20。第2輔助電容電極20, 由與信號(hào)布線16相同的導(dǎo)電膜所形成。第2輔助電容電極20,在半導(dǎo)體 層22上的柵極絕緣膜19以及在層間絕緣膜23中所形成的接觸孔25上與 半導(dǎo)體層22連接。以覆蓋信號(hào)布線16以及第2輔助電容電極20的方式形成透明的樹(shù) 脂膜26,并在此樹(shù)脂膜26上設(shè)置有像素電極(例如由ITO所形成)12。 像素電極12,在層間絕緣膜23中所形成的接觸孔27上,與第2輔助電 容電極20連接。通過(guò)設(shè)置樹(shù)脂膜26,可將像素電極12重疊于薄膜晶體 管ll或布線上,并提高開(kāi)口率。該實(shí)施方式的液晶顯示裝置100,如上所述,具有與液晶電容Clc并 聯(lián)電連接的第l輔助電容Csl以及第2輔助電容Cs2。第l輔助電容Csl 的第1輔助電容對(duì)置電極18a與第2輔助電容Cs2的第2輔助電容對(duì)置電 極18b是共同的單一電極18,第1輔助電容Csl與第2輔助電容Cs2是 被設(shè)置成上下重疊的。因此,在該實(shí)施方式的液晶顯示裝置IOO中,能夠 不增加輔助電容的占有面積而增大輔助電容的值。其結(jié)果,能夠?qū)崿F(xiàn)高開(kāi) 口率和足夠大的輔助電容值。另夕卜,在該實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中,由于第2輔助電容Cs2 的第2電介質(zhì)層21是層間絕緣膜23選擇性地被薄膜化的部分,所以不增 加在經(jīng)由層間絕緣膜23對(duì)置的布線間(例如掃描布線15與信號(hào)布線16
之間或輔助電容布線29與信號(hào)布線16之間)所形成的電容(稱為「寄生電容」對(duì)顯示產(chǎn)生不好影響),就可以增大第2輔助電容Cs2的電容值。 因此,能夠?qū)崿F(xiàn)明亮且高質(zhì)量的顯示。作為對(duì)層間絕緣膜23的一部分選擇性地進(jìn)行薄膜化的方法,例如能 夠使用蝕刻法。如圖4所示,在層間絕緣膜23上形成在與共同輔助電容 對(duì)置電極18重疊的部分設(shè)置了開(kāi)口部28a的保護(hù)膜28,并通過(guò)將該保護(hù) 膜28作為對(duì)蝕刻層間絕緣膜23的一部分進(jìn)行蝕刻,能夠形成薄膜化的第 2電介質(zhì)層21。此外,在普通的液晶顯示裝置中,作為構(gòu)成輔助電容的輔助電容電 極,雖有使用像素電極的一部分的情況,但在該實(shí)施方式的液晶顯示裝置 100中,作為構(gòu)成輔助電容的輔助電容電極并未使用像素電極12。具體而 言,第l輔助電容Csl的第1輔助電容電極17,是由與半導(dǎo)體層22相同 的半導(dǎo)體膜所形成的層,第2輔助電容Cs2的第2輔助電容電極20,是 由與信號(hào)布線16相同的導(dǎo)電膜所形成的層,都是與像素電極12別個(gè)地形 成的電極。當(dāng)將像素電極的一部分用作輔助電容電極時(shí),不能在厚的樹(shù)脂膜上 設(shè)置像素電極。由此,有源矩陣基板的平坦性容易被損壞,盒(cell)厚 的控制是困難的。此外,由于不能在薄膜晶體管或布線上重疊像素電極, 所以開(kāi)口率降低。對(duì)此,在該實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中,因?yàn)樽鳛檩o助電容未 使用像素電極12,所以能夠在厚的(具體而言是2.0pm以上)樹(shù)脂膜26 上設(shè)置像素電極12。因此,容易確保有源矩陣基板100a的平坦性,且盒 厚的控制是容易的。此外,在薄膜晶體管11或布線上可重疊像素電極12, 從而能夠得到高的開(kāi)口率。并且,在圖3中,雖表示了單層的層間絕緣膜23,但層間絕緣膜23, 如圖5所示,也可以是層疊了多個(gè)層23a以及23b的多層絕緣膜23。圖5 所示的多層絕緣膜23,具有由互相不同的絕緣材料所形成的第1層23a 以及第2層23b。第l層23a,例如是SiNx層(介電常數(shù)為6.8)。在第1 層23a上形成的第2層23b,例如是Si02層(介電常數(shù)為3.8)。第2層 23b,在共同輔助電容對(duì)置電極18上被除去,第2層23b選擇性地被除去
后的該低層疊區(qū)域21 ,作為第2輔助電容Cs2的第2電介質(zhì)層21來(lái)發(fā)揮功能。如此,若使用具有多層構(gòu)造的層間絕緣膜23,則在用蝕刻法選擇性 地使層間絕緣膜23的一部分變薄(薄膜化)時(shí),可利用第l層23a與第 2層23b蝕刻比率的差,將下層即第l層23a用作蝕刻終止層。由此,使 第2電介質(zhì)層21的厚度參差減少,并能夠減少輔助電容值的參差。構(gòu)成多層絕緣膜23的第1層23a以及第2層23b的材料,雖不限于 此處的示例,但從增大第2輔助電容Cs2的電容值的觀點(diǎn)看,作為下層 的第1層23a的材料,優(yōu)選使用比作為上層的第2層23b的材料的介電常 數(shù)大的材料。產(chǎn)業(yè)上的利用可能性基于本發(fā)明,將提供一種具有設(shè)置了高開(kāi)口率、且具有足夠大的電 容值的輔助電容的有源矩陣型液晶顯示裝置。本發(fā)明適用于各種有源矩陣 型液晶顯示裝置,若將本發(fā)明用于高清晰的液晶顯示裝置,則尤其能夠得 到更高的效果。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置,具有按矩陣狀進(jìn)行排列的多個(gè)像素,所述多個(gè)像素分別具有液晶電容,其由采用頂柵型的薄膜晶體管來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)的像素電極、與所述像素電極對(duì)置的對(duì)置電極以及所述像素電極與所述對(duì)置電極之間配置的液晶層形成;和與所述液晶電容并聯(lián)電連接的第1輔助電容以及第2輔助電容;所述第1輔助電容,由與所述像素電極電連接的第1輔助電容電極、與所述第1輔助電容電極對(duì)置的第1輔助電容對(duì)置電極、和配置于所述第1輔助電容電極與所述第1輔助電容對(duì)置電極之間的第1電介質(zhì)層形成,所述第2輔助電容,由與所述像素電極電連接的第2輔助電容電極、與所述第2輔助電容電極對(duì)置的第2輔助電容對(duì)置電極、和配置于所述第2輔助電容電極與所述第2輔助電容對(duì)置電極之間的第2電介質(zhì)層形成,所述第1輔助電容對(duì)置電極以及所述第2輔助電容對(duì)置電極,是與所述第1輔助電容和所述第2輔助電容共同的單一電極,所述第1電介質(zhì)層,是覆蓋所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層的柵極絕緣膜的一部分,所述第2電介質(zhì)層,是將向所述薄膜晶體管供給掃描信號(hào)的掃描布線進(jìn)行覆蓋的層間絕緣膜的一部分,并且以比所述層間絕緣膜的其他部分更薄的方式選擇性地被薄膜化。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置,其特征在于,所述第1輔助電容電極,由與所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層相同的半導(dǎo) 體膜形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置,其特征在于, 所述第2輔助電容電極,由與向所述薄膜晶體管供給顯示信號(hào)的信號(hào)布線相同的導(dǎo)電膜形成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置,其特征在于, 還具有覆蓋所述信號(hào)布線以及所述第2輔助電容電極的樹(shù)脂膜,并在所述樹(shù)脂膜上形成所述像素電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置,其特征在于,所述層間絕緣膜,是層疊了第l層以及第2層的多層絕緣膜,所述第1層和所述第2層由互相不同的絕緣材料形成。所述多層絕緣膜,具有所述第2層選擇性地被除去后的低層疊區(qū)域, 所述第2輔助電容的所述第2電介質(zhì)層,是所述多層絕緣膜的所述低層疊區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種設(shè)置了具有高開(kāi)口率、并具有足夠大的電容值的輔助電容的有源矩陣型液晶顯示裝置?;诒景l(fā)明的液晶顯示裝置的各像素,具有液晶電容,其由采用頂柵型的薄膜晶體管來(lái)進(jìn)行開(kāi)關(guān)的像素電極(12)、與像素電極(12)對(duì)置的對(duì)置電極以及它們之間配置的液晶層形成;和與液晶電容并聯(lián)電連接的第1輔助電容(Cs1)以及第2輔助電容(Cs2)。第1輔助電容(Cs1),由與像素電極電連接的第1輔助電容電極(17)、與第1輔助電容電極(17)對(duì)置的第1輔助電容對(duì)置電極(18a)、和第1電介質(zhì)層(19)形成,第2輔助電容(Cs2),由與像素電極(12)電連接的第2輔助電容電極(20)、與第2輔助電容電極(20)對(duì)置的第2輔助電容對(duì)置電極(18b)、和第2電介質(zhì)層(21)形成。第1電介質(zhì)層(19),是覆蓋所述薄膜晶體管的半導(dǎo)體層(22)的柵極絕緣膜(19)的一部分,第2電介質(zhì)層(21),是覆蓋向薄膜晶體管供給掃描信號(hào)的掃描布線的層間絕緣膜(23)的一部分,是以比所述層間絕緣膜(23)的其他部分更薄的方式選擇性地被薄膜化的部分。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101401031SQ200780008818
公開(kāi)日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2007年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月24日
發(fā)明者中島睦, 守屋由瑞 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社
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