專利名稱：納米結(jié)構(gòu)圖案的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由嵌段共聚物形成的納米結(jié)構(gòu)圖案，并涉及使用這些嵌段共聚物 的納米結(jié)構(gòu)特征作為模板，在撓性基片上形成納米尺寸的有序功能特征，還涉及使 用共聚物中的一種聚合物相的納米結(jié)構(gòu)特征形成有序的功能特征本身，還涉及用納 米材料填充所述共聚物，并使用共聚物中的一種被填充的聚合物相的納米結(jié)構(gòu)特征 形成有序的功能特征本身。本發(fā)明還具體涉及在撓性基片上的導(dǎo)電線柵式偏振片的 低成本的制造方法。本發(fā)明還具體涉及任何形狀的金屬線陣列的形成，所述金屬線 陣列在至少一個方向上具有長程有序(結(jié)構(gòu))，并在該方向上具有長度在納米尺度內(nèi) 的周期。所述線的直徑或高度在納米尺寸，長度可以為幾微米。
背景技術(shù)：
目前可用于在基片上產(chǎn)生納米尺寸圖案的方法是基于真空的技術(shù)，并且通
常很昂貴。此外，這些方法中所用的光刻(photolithographic)技術(shù)通常在納米尺 寸圖案的分辨率方面具有下限，該下限是由光的波長導(dǎo)致的。使用新的技術(shù)方 法來降低成本并減小特征尺寸。 一種非常有前途的新技術(shù)是雙嵌段共聚物的定 向性自組裝，以在室溫條件下在基片上產(chǎn)生精細(xì)的納米尺寸圖案。
該技術(shù)的關(guān)鍵方面是術(shù)語"定向性自組裝(directed self-assembly)"。該方 法一般包括在定向力的影響下向基片上涂覆雙嵌段共聚物。所述定向力 (directional force)可以與所需的納米尺寸圖案的尺寸相當(dāng)?shù)拿荛]空間 (confinement space),或者電場或磁場一樣簡單。它可以是基片上的作為疏水或 親水特征的靜電場。
通過元件的定向自組裝和使表面上陣列的排列傾斜(biasing the arrangement of the arrays on a surface), 可以得至U前所未有的空間密度(aerial density)的納米尺寸特征。將聚乙烯-嵌-聚(環(huán)氧乙烷)嵌段共聚物涂覆在硅基片 上(其中在表面上光刻有槽(約2毫米寬))時，在各槽內(nèi)是六面體堆積的、納米 尺寸的圓柱形區(qū)域(domain)的陣列，其中各圓柱體約為20納米大小，各陣列與
相鄰槽中的陣列對準(zhǔn)取向(inorientationalregistry)。最重要的是，通過控制制造 條件，嵌段共聚物自組裝成顯示為沒有外部形狀處理的結(jié)構(gòu)。
Wisconsin大學(xué)的Nealey及其同事(Kim, S.O.、Solak， H.H.、 Stoykovich, M.P.、 Ferrier, N丄、dePablo，J丄、Nealey, P.F.， Nature, 2003， 424， 411)用另一種方 法控制這些納米尺寸區(qū)域的橫向分布(lateral placement)。他們向使用柔和的X光 形成圖案的表面上涂覆聚苯乙烯-嵌-聚(甲基丙烯酸甲酯)的嵌段共聚物。在與共 聚物區(qū)域的尺寸相當(dāng)?shù)某叽缟线M(jìn)行表面圖案化，各區(qū)域在表面上取向。如果沒 有圖案，層狀的區(qū)域(在這種情況中)隨機(jī)在表面上取向。如果有圖案，可以實(shí) 現(xiàn)區(qū)域沿著表面精確分布。
我們將詳細(xì)討論一種很特殊的產(chǎn)品，稱為線柵式偏振片。線柵式偏振片已 被用于投影式顯示器中作為預(yù)偏振片、檢偏鏡和偏振光分離器[l-3]。它們具有 很多優(yōu)點(diǎn)，包括高的耐熱性和高的耐光通量性(lightfluxtolerance)。它們還可被 用作用于偏振循環(huán)的反射偏振片[4-6]。 Mi等人的待批專利申請，美國專利申請 第2006/0061862號中揭示了一種低填充因子的線柵式偏振片。以下附加的參考 文獻(xiàn)作為本發(fā)明的背景技術(shù)。 E. Hansen, E. Gardner, R. Perkins, M. Lines禾卩A. Robbins, "The Display Applications and Physics of the ProFlux Wire Grid Polarizer(顯不器應(yīng)用禾口無機(jī)偏 光板線柵式偏振片物理學(xué))"，SID 2002 Symposium Digest第33巻，第730-733頁， (2002). A.F. Kurtz, B.D. Silverstein和J.M. Cobb, "Digital Cinema Projection with R-LCOS Displays(具有R-LCOS顯示器的數(shù)字電影投影)"，SID 2004 Symposium Digest第35巻,第166-169頁，(2004). J. Chen, M. Robinson禾口G. Sharp, "General Methodology for LCoS panel Compensation(用于LCoS面板補(bǔ)償?shù)囊话惴椒?"，SID 2004 Symposium Digest, 第35巻，第990-993頁，(2004). T. Sergan， J. Kelly, M. Lavrentovich, E. Gardner, D. Hansen, R. Perkins, J. Hansen禾卩R. Critchfleld, "Twisted Nematic Reflective Display with Internal Wire Grid Polarizer(具有內(nèi)部線柵式偏振片的扭轉(zhuǎn)向列型反射顯示器)"，SID 2002 Symposium Digest,第33巻，第514-517頁，(2002). J. Grinberg和M. Little, "Liquid Crystal Device(液晶器件)"，美國專利第 4,688,897號(1987). 問D. Hansen禾卩J. Gunther， "Dual Mode Reflective/Transmissive Liquid Crystal Display Apparatus(雙模式反射/透射液晶顯示器件)"，美國專利第 5,986,730號(1999)。
線柵式偏振片示于圖l，其中P、 W和H分別表示線柵的柵距(pitch)、寬度和 高度。理想地，線柵的柵距P應(yīng)該盡量小，并應(yīng)該小于感興趣波長的1/3?？梢?僅通過制造工藝對其進(jìn)行限制。對于設(shè)計(jì)使用可見光的線柵式偏振片，柵距約 為140納米，高度也約為140納米。所述線是由鋁制成的，鋁具有極好的光學(xué)性 質(zhì)。當(dāng)未偏振的光入射在線柵式偏振片上時，S-偏振光(與所述線平行)被反射 回，P偏振光(與所述線垂直)被透射。已使用常規(guī)的己知方法制造出線柵式偏振 片。例如，Garvin在美國專利4049944和Ferrante在美國專利4514479中描述了利 用全息干涉光刻(holographic interference lithography)在光致抗蝕劑中形成小的 光柵結(jié)構(gòu)，接著用離子束蝕刻將所述結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到下層的金屬薄膜中。 Stenkamp( "Grid Polarizer For The Visible Spectral Region" ， SPIE會議錄，第 2213巻，288-296頁)描述了使用定向電子束蝕刻來形成抗蝕劑圖案，接著用反 應(yīng)離子蝕刻將所述圖案轉(zhuǎn)移到金屬薄膜中。其它的高分辨率的光刻技術(shù)，包括 極遠(yuǎn)紫外光刻和X光光刻，也可用來產(chǎn)生抗蝕劑圖案。其它技術(shù)，包括其它的 蝕刻機(jī)制和剝離工藝(lift-offprocess),可用來將圖案從抗蝕劑轉(zhuǎn)移到金屬薄膜。
上述工藝具有以下問題
1) 一般而言，線柵式偏振片的柵距優(yōu)選盡可能小，以使其在透射、反射、 接收角、光譜依賴性(spectral dependence)方面具有更好的光學(xué)性能。然而，可 以達(dá)到的柵距基本上受限于光源波長和相應(yīng)的光刻技術(shù)中所用的光致抗蝕劑 的折射率。短柵距的線柵式偏振片需要短波長的光源和低折射率的光致抗蝕
劑，但是它們已經(jīng)不能滿足日益增長的短柵距需求。
2) 上述方法需要剛性的玻璃基片來容納金屬線和光致抗蝕劑。盡管剛性 且平坦的塑料基片可用來替代所述玻璃基片，但是后續(xù)工藝中所用的高溫和化 學(xué)物質(zhì)使得大部分的塑料基片難以使用。
因此，仍然需要一種大量生產(chǎn)線柵式偏振片的方法。

發(fā)明內(nèi)容
一般地，希望形成功能材料的納米結(jié)構(gòu)圖案。此外，希望形成填充有納米 顆粒的功能材料的納米結(jié)構(gòu)圖案，所述納米顆粒是磁性的、導(dǎo)電的、半導(dǎo)電的
或絕緣的，并具有所需的光學(xué)性質(zhì)，例如折射率、發(fā)光(photoluminescene)等。 希望形成功能材料的納米結(jié)構(gòu)圖案，所述功能材料具有所需的生物性質(zhì)。
此外，希望這些納米結(jié)構(gòu)具有特殊的活性物質(zhì)，當(dāng)這些物質(zhì)暴露于某些環(huán)境中
時，會通過物理、化學(xué)或生物反應(yīng)產(chǎn)生一套新物質(zhì)的納米圖案結(jié)構(gòu)，所述新物
質(zhì)是通過這些物理、化學(xué)或生物反應(yīng)產(chǎn)生的。
具體地，希望形成納米結(jié)構(gòu)導(dǎo)電圖案。希望使用連續(xù)的工藝形成納米結(jié)構(gòu)
圖案。此外，希望在基片上形成納米結(jié)構(gòu)的鋁圖案，其可用作線柵式偏振片。
此外，希望形成具有填充因子的線柵式偏振片。
本發(fā)明的目的是在基片上形成功能材料的納米結(jié)構(gòu)圖案。 本發(fā)明的目的是在基片上形成功能材料的納米結(jié)構(gòu)圖案，所述功能材料是
無機(jī)、有機(jī)或聚合材料。
本發(fā)明的目的是在基片上形成功能材料的納米結(jié)構(gòu)圖案，所述功能材料是
無機(jī)、有機(jī)或聚合材料并含有納米顆粒，所述納米顆粒是磁性的、導(dǎo)電的、半
導(dǎo)電的或絕緣的。
本發(fā)明的目的是在基片上形成生物功能材料(例如DNA)的納米結(jié)構(gòu)圖案。 本發(fā)明的目的是在基片上形成功能材料的納米結(jié)構(gòu)圖案，所述功能材料是
可被活化，從而反應(yīng)并產(chǎn)生新的納米結(jié)構(gòu)物質(zhì)的無機(jī)、有機(jī)或聚合材料或生物材料。
本發(fā)明的目的是在基片上形成納米結(jié)構(gòu)導(dǎo)電圖案。 本發(fā)明的另一個目的是提供批量生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)圖案的方法。 本發(fā)明的另一個目的是使用批量生產(chǎn)方法形成納米結(jié)構(gòu)圖案(例如線柵式 偏振片)。
本發(fā)明的再一個目的是形成低填充因子的線柵式偏振片。 本發(fā)明的這些和其它目的可通過在基片上形成圖案的方法實(shí)現(xiàn)，所述方法 包括提供基片，用功能材料涂覆所述基片，用具有或不具有納米顆粒的至少A 和B聚合物鏈的嵌段共聚物涂覆所述功能層，干燥所述嵌段共聚物以形成有序 的納米區(qū)域，除去已干燥的嵌段共聚物的A聚合物相，并除去位于所述A聚合物 相下面的功能材料區(qū)域。
本發(fā)明涉及在基片上形成納米結(jié)構(gòu)圖案的方法。所述方法包括提供基片； 用功能材料涂覆所述基片，以形成功能材料層；將至少有A聚合物鏈和B聚合物 鏈的嵌段共聚物涂覆所述功能材料層上，以形成層；干燥所述嵌段共聚物，以 形成有序的納米域(nanodomain);除去已干燥的嵌段共聚物的A聚合物鏈，以形 成空隙；然后從A聚合物鏈已被除去之處除去所述功能材料。
本發(fā)明提供了一種低成本的生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)的功能材料(例如線柵式偏振片) 的方法。本發(fā)明還提供一種生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電、半導(dǎo)電、磁性、絕緣或生物 圖案的方法。本文所述的產(chǎn)生納米尺寸陣列的技術(shù)的主要優(yōu)點(diǎn)是使用常規(guī)的 基于真空的工藝來產(chǎn)生這些圖案。由于所述技術(shù)簡單、快速且成本低，所以所 述技術(shù)適于在制造中使用。它們很容易被工業(yè)所采用并與其它的制造工藝兼 容。本文所述的技術(shù)通過自組裝共聚物模板極大地提高了納米制造工藝的一般 實(shí)用性。
本發(fā)明還提供了一種低成本的生產(chǎn)方法，該方法用來在環(huán)境條件下，在撓 性基片上形成具有不同形狀和形式的高空間密度的納米尺寸特征。目前還沒有 能夠用來以低成本提供這種特征的其它競爭技術(shù)。該技術(shù)使用目前已有的制造 能力，以創(chuàng)新的方式為市場迅速提供現(xiàn)在還不存在的真正低成本的納米制造技 術(shù)。潛在的產(chǎn)品應(yīng)用是電子顯示器件，例如電視機(jī)、移動電話和電子產(chǎn)品，如 數(shù)字音樂系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)等。
這在目前的全球市場尤其重要，在全球市場上，正在形成比目前的中檔消 費(fèi)者的數(shù)量高五倍的新的"中低檔"消費(fèi)者群。
從下面的詳細(xì)描述和權(quán)利要求中能更清楚地看到本發(fā)明的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。


圖l是線柵式偏振片的示意圖。
圖2a)和2b)示出了相分離后雙嵌段共聚物的兩種形態(tài)。 圖3是批量生產(chǎn)納米結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電圖案的制造工藝流程圖。 圖4是各種雙嵌段共聚物在相分離過程中自動形成的形態(tài)的一系列示意圖。
圖5示出了微復(fù)制(microreplicated)的結(jié)構(gòu)。
圖6(a)-6(f)示出了制造線柵式偏振片的一系列示范性的方法。 為了更好地理解本發(fā)明以及其它目的、優(yōu)點(diǎn)和能力，參見以下的描述和所 附的權(quán)利要求書以及上述的附圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明具有許多優(yōu)點(diǎn)。我們將以批量生產(chǎn)線柵式偏振片為例通過具體描述 線柵式偏振片制造方法的細(xì)節(jié)來闡述本發(fā)明。本發(fā)明提供一種在有圖案的基片 上制造不同納米結(jié)構(gòu)圖案(例如線柵式偏振片)的新方法。
描述了以低成本在撓性基片(例如PET)上制造納米尺寸的金屬線柵陣列的 制造方法，當(dāng)然該制造方法也可用在玻璃上。這些金屬(例如，鋁)線柵陣列 用作光學(xué)偏振片。這可以通過選擇性地暴露于輻射源以圖案化嵌段共聚物模板 來實(shí)現(xiàn)。在金屬化的塑料基片上形成這些雙嵌段圖案，可以用或不用所述嵌段 共聚物化合物的各聚合物的隨機(jī)混合物來預(yù)涂覆該基片。先用交替碎片 (alternating patch)圖案化具有或不具有隨機(jī)聚合物混合物涂層的金屬化的塑料 基片，所述碎片是微復(fù)制的溝槽/凸起或用LCD型排列方法(例如摹拓)處理所述 碎片，以在表面上誘導(dǎo)相分離過程中雙嵌段共聚物的某些排列傾向。所有的這 些預(yù)處理步驟引導(dǎo)和指引塑料基片上的相分離特征以有序方式排列。對所述雙 嵌段聚合物的組成進(jìn)行選擇以提供所需的表面特征，例如納米尺寸的層狀(線) 陣列。
然后對模板進(jìn)行制造后的步驟，例如交聯(lián)，以化學(xué)地或物理地進(jìn)一步分離 雙嵌段共聚物中的兩種聚合組分。然后通過溶解、蝕刻等方法以空間選擇性的 方式除去聚合物化合物中的一種以及下層的金屬層。隨后通過另外的溶解或蝕 刻方法除去第二聚合物特征，以露出位于塑料基片上的層狀的納米線柵組件。
在本發(fā)明的一方面，我們使用塑料(例如PET)基片，所述塑料基片上具有 通過微復(fù)制方法產(chǎn)生的淺的、微溝槽/凸起的形貌圖案，以引導(dǎo)和指引雙嵌段共 聚物的自組裝。所述塑料基片本身具有宏觀尺寸，而溝槽和凸起本身是微觀的。 然后給所述凸起和溝槽均勻地涂覆薄薄的一層金屬，例如鋁。然后將感興趣的 雙嵌段共聚物的薄涂層涂覆在金屬化的基片上。在圓柱形雙嵌段共聚物的情況 中，由聚合物中的一種來形成圓柱形棒。已經(jīng)顯示出可通過形貌來控制雙嵌段 共聚物的自組裝和其中一相的取向。Wisconsin大學(xué)的Nealey及其同事將聚苯乙 烯-嵌-聚(甲基丙烯酸甲酯)的嵌段共聚物涂覆在用柔和的X光圖案化的表面上。 在與聚合物區(qū)域的尺寸相當(dāng)?shù)某叽绶秶M(jìn)行表面圖案化且各區(qū)域被定向在表 面上。如果沒有圖案，層狀的區(qū)域(在這種情況中)隨機(jī)在表面上取向(圖2(a))。 如果具有圖案，可以實(shí)現(xiàn)區(qū)域沿著表面的精確分布(圖2(b))?；男蚊灿绊懖?將相分離的聚合物嵌段的取向?qū)?zhǔn)在溝槽和凸起的方向?？梢栽谳^低溫度下， 在相分離過程中施加外力，例如靜電、磁和液體剪切等，以加速該過程。
本文所用的術(shù)語"納米"指的是例如陣列的特征尺寸范圍，所述陣列是使 用本文所述的共聚物分子自組裝的方法獲得的。例如，所述線直徑、線長度和 陣列周期可以是在納米尺寸范圍，即在約1納米到超過1000納米的范圍內(nèi)。"納 米線"還可以指這樣一種材料，它未必是導(dǎo)電性的，但是當(dāng)存在于納米尺寸陣 列中時無論如何是有用的。本文所用的術(shù)語"線"指的是具有寬度和長度的導(dǎo)
電材料，其中長寬比至少為2:1。在該申請中，術(shù)語"多級"指的是可以通過多 個獨(dú)立的光刻層構(gòu)造的結(jié)構(gòu)，其中至少一層是用橫向圖案化的雙嵌段共聚物薄 膜形成的。本文所用的術(shù)語"多層"指的是含有不止一種材料的單個光刻層內(nèi) 的結(jié)構(gòu)元件。
本發(fā)明的納米結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電圖案的制造流程示于圖3，并在圖6(a)-6(f)中有更 詳細(xì)的描述。
所述基片可以由聚合物樹脂通過擠出制得。所述基片可以由任何的光學(xué)聚 合材料制得，但是玻璃也可用作基片。它可以是自由基聚合物或縮聚聚合物。 它可以是疏水或親水性聚合物。它可以是任何天然或合成的聚合物。本發(fā)明的 基片聚合物可以具有不同的結(jié)構(gòu)線性的、接枝的、支化的或高支化的。所述 聚合物可以是熱塑性的。示例性的有用的熱塑性樹脂是纖維素及其衍生物(纖維
素質(zhì)的)纖維素醚，例如甲基纖維素、乙基纖維素、羥乙基纖維素、羥丙基纖
維素和氰基乙基纖維素，纖維素酯，例如三乙酰基纖維素(TAC)、 二乙酰基纖 維素(DAC)、乙酸丙酸纖維素(CAP)、乙酸丁酸纖維素(CAB)、乙酸鄰苯二甲酸 纖維素、乙酸偏苯三甲酸纖維素和硝酸纖維素。所述聚合物可包括聚烯烴，例 如線性的低密度和高密度聚乙烯、聚丙烯、氯化的低密度聚乙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚乙烯和環(huán)狀聚烯徑；聚(苯乙烯)；聚亞二甲苯基(polyxylyene);聚酰 亞胺；乙烯基聚合物及其共聚物，例如聚(乙烯基咔唑)、聚(乙酸乙烯酯)、聚(乙 烯醇)、聚(氯乙烯)、聚(乙烯醇縮丁醛)、聚(偏二氯乙烯)、乙烯-乙酸乙烯基酯 共聚物等；聚丙烯酸類、它們的共聚物，例如聚(丙烯酸乙酯)、聚(丙烯酸正丁 酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基丙烯酸乙酯)、聚(甲基丙烯酸正丁酯)、聚(甲 基丙烯酸正丙酯)、聚(丙烯酰胺)、聚丙烯腈、聚(丙烯酸)、乙烯-丙烯酸共聚物； 乙烯-乙烯醇共聚物；丙烯腈共聚物；甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物；乙烯-丙 烯酸乙酯共聚物；甲基丙烯酸化的丁二烯-苯乙烯共聚物等；聚碳酸酯，例如聚 (甲烷雙(4-苯基)碳酸酯)、聚(l,l-醚雙(4-苯基)碳酸酯)、聚(二苯基甲垸雙(4-苯
基)碳酸酯)、聚(l,l-環(huán)己烷雙(4-苯基)碳酸酯)、聚(2,2-雙-(4-羥基苯基)丙烷)碳 酸酯等；聚醚；聚酮；聚亞苯基；聚硫化物；聚砜；聚內(nèi)酯，例如聚(新戊內(nèi)酯)、 聚(己內(nèi)酯)等；聚氨酯；線性長鏈二醇，例如聚(己二酸亞丁基酯)、聚(己二酸 亞乙基酯)、聚(己二酸l,4-亞丁基酯)、聚(琥珀酸亞乙基酯)、聚(琥珀酸2,3-亞丁 基酯)、聚醚二醇等；聚醚醚酮；聚酰胺，例如聚(4-氨基丁酸)、聚(六亞甲基己 二酰胺)、聚(6-氨基己酸)、聚(間-亞二甲苯基己二酰胺)、聚(對-亞二甲苯基癸 二酰胺)、聚(2,2,2-三甲基六亞甲基對苯二酸酰胺)、聚(間亞苯基間苯二酸酰胺) (NomeXTM)、聚(對亞苯基對苯二酸酰胺)(KevlarTM)等；聚酯，例如聚(壬酸亞乙 基酯)、聚(l,5-萘酸亞乙基酯)、聚(2，6-萘酸亞乙基酯)、聚(l,4-環(huán)己烷二亞甲基 對苯二酸酯)、聚(亞乙氧基苯甲酸酯)(poly(ethyleneoxybenzoate))(A-TeirM)、聚 (對羥基苯基酸酯)(EkonolTM)、聚(l,4-環(huán)亞己基二亞甲基對苯二甲酸酯) (Kodel )(順式)、聚(l，4-環(huán)亞己基二亞甲基對苯二甲酸酯)(Kodel )(反式)、 聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯等；聚(亞芳基氧)[poly(arylene oxide)]，例如聚(2,6-二甲基-l,4-苯醚)，聚(2，6-二苯基-l,4-苯醚)等；聚(亞芳基 硫)[poly(arylene sulfide)],例如聚(苯硫)等；聚醚酰亞胺；離聚物；聚(表氯醇)； 呋喃樹脂，例如聚(呋喃)；聚硅氧烷，例如聚(二甲基硅氧烷)、聚(二甲基硅氧 烷)、聚(二甲基硅氧烷-共-苯基甲基硅氧烷)等；聚四氟乙烯；和聚縮醛。還可 以使用上述這些聚合物的共聚物和/或混合物。
優(yōu)選的基片聚合物包括熱塑性聚合物，例如聚酯、乙烯基、聚苯乙烯、聚 丙烯酸類、和聚亞二甲苯基、聚乙烯基咔唑、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、 聚醚、聚酮、聚亞苯基、聚硫化物、聚砜和環(huán)狀聚烯烴。更優(yōu)選的基片聚合物 是PET和雙酚A聚碳酸酯。
基片可以具有不同的厚度，范圍從10微米到1厘米。
可對所述基片進(jìn)行微圖案化處理。在基片上產(chǎn)生微圖案?？梢允褂貌煌?微圖案化工藝。所述預(yù)圖案化可以是機(jī)械技術(shù)或其它的確立好的準(zhǔn)直技術(shù)。例 如，所述預(yù)圖案化可以是由于存在任意的、具有所需形狀和形式的微復(fù)制的凸 起/溝槽。微復(fù)制(US 6800234(B2X6))是一種普遍認(rèn)可的使撓性基片的形貌被圖 案化的低成本方法?？刂苹砻婺艿牧硪粋€例子是使用LCD工業(yè)中常用的準(zhǔn) 直技術(shù)，也稱作"摹拓(rubbing)"。在該具體的發(fā)明中，我們使用"預(yù)摹拓" 塑料基片來對準(zhǔn)和引導(dǎo)雙嵌段共聚物結(jié)構(gòu)的自組裝。利用預(yù)圖案化基片的方法 不排除使用其它的外力，例如電場、磁場、剪切力等，以輔助和加速準(zhǔn)直過程。
還可以使用疏水和親水性聚合物碎片的涂層對基片進(jìn)行圖案化。較佳地，可以 用交替碎片來圖案化基片，所述碎片是微復(fù)制的溝槽/凸起。所述微圖案優(yōu)選是
具有平坦底部的淺溝槽的規(guī)則排列。所述溝槽的柵距優(yōu)選大于i微米且小于io 微米。所述溝槽的高度優(yōu)選大于100納米且小于1微米。
在本發(fā)明中，所述線柵式偏振片的制造方法包括在微圖案化的基片上共形 沉積薄薄的一層導(dǎo)電材料。所述導(dǎo)電材料可以是不同的金屬、透明的金屬氧化 物或?qū)щ娋酆衔?。金屬可以是鋁、銀、金、鎳和銅。金屬氧化物可以是氧化銦
錫(ITO)和氧化銻錫(AZO)等。導(dǎo)電聚合物可以是聚噻吩、聚苯胺和聚乙炔等。
沉積方法與要沉積的材料相對應(yīng)。它可以是真空方法或環(huán)境空氣方法。它可以
是等離子體法或?yàn)R射法。它還可以是溶液涂覆。導(dǎo)電材料的厚度大于50納米且 小于1微米。還優(yōu)選的是大于100納米且小于200納米。
該方法中制造線柵式偏振片的下一步驟是，將含有或不含有納米顆粒的嵌 段共聚物涂覆到鋁涂層上，在涂層的干燥過程中或在干燥薄膜的退火之后，形 成有序的相分離。
可以用幾種常規(guī)的方法來實(shí)現(xiàn)聚合物相的干燥。例如可使用熱輥，所述熱 輥同時施加定向的壓力和剪切以及熱。還可以通過其它方法施加熱，例如紅外 源、微波源、電阻線圈、熱空氣或熱氣體以及兩者的組合。還可以通過輻射源 施加熱。在另一個例子中，在施加熱來干燥聚合物涂層的同時，可以施加電場。 用帶電的熱輥施加熱。如果所述輥不帶電，那么可以通過常用的裝置，例如電 暈器件(corona device)來施加電場。還可以通過將上面列出的技術(shù)組合起來來同 時施加熱、電場和剪切力。這一想法通常是有效的(inscope)且并不受限于施加 技術(shù)的性質(zhì)。
嵌段共聚物(雙嵌段、三嵌段、四嵌段、星形嵌段、接枝嵌段)可用于在納 米尺寸(小于100納米)形成周期性結(jié)構(gòu)。[Stoykovich等人，"Directed Assembly of Block Copolymer Blends into Nonregular Device-Oriented Structures(嵌段共聚物 摻混物定向組裝成不規(guī)則的器件取向的結(jié)構(gòu))"，Science 308,第1442-1445頁 (2005)]。
嵌段共聚物(雙嵌段、三嵌段、四嵌段、星形嵌段、接枝嵌段)可用于在納 米尺寸(小于100納米)形成周期性結(jié)構(gòu)。[Stoykovich等人，"Directed Assembly of Block Copolymer Blends into Nonregular Device-Oriented Structures(嵌段共聚物 摻混物定向組裝成不規(guī)則的器件取向的結(jié)構(gòu))"，Science 308,第1442-1445頁
(2005)]。通過將兩種或多種不兼容的聚合物鏈在末端連接在一起來形成嵌段共 聚物。相分離由聚合物鏈的尺寸(聚合物鏈的尺寸通常為幾十納米)和鏈間的相 互作用來確定。通過改變連接在一起的鏈的長度，可以控制組分的體積分?jǐn)?shù)，
并且當(dāng)賦予鏈流動性(mobility)時，自動形成有序的形貌，從球形區(qū)域的體心陣 列(S)到六邊形堆砌的圓柱形區(qū)域(C)，到螺旋形(G)到交替的層狀區(qū)域(如圖4所 示)。隨著聚合物的體積比的變化，發(fā)生反相變化。然后，形成反相的六角形堆 砌的圓柱形區(qū)域(C"，螺旋形(G"和反相的球形區(qū)域(S"。
在該薄膜中，通過控制這些區(qū)域的取向并通過用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝選擇性地除 去一種組分或通過使用相選擇化學(xué)性質(zhì)，很有機(jī)會將這些納米尺寸的元件的陣 列作為制造新的器件和結(jié)構(gòu)的模板和支架。對這些元件取向的控制在于控制薄 膜相對于嵌段共聚物形貌周期(同量)的厚度和控制兩種嵌段與下層的基片和表 面相互作用的方式。例如，當(dāng)將旋涂的聚苯乙烯-嵌-聚(甲基丙烯酸甲酯)雙嵌段 共聚物薄膜放置在鈍化的硅晶片上并加熱到其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上時，掃描力
顯微照片顯示PMMA圓柱體的取向垂直于薄膜表面，并且所述圓柱體穿透整個 薄膜。當(dāng)曝光于紫外輻射并接觸醇洗液(一種標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)操作)后，產(chǎn)生具有納 米孔的薄膜，其中孔的尺寸與原始的共聚物的圓柱形區(qū)域的尺寸相同。所述具 有納米孔的薄膜在閃存盤應(yīng)用中被用作構(gòu)建浮柵的模板并用作產(chǎn)生用于存儲 器件的納米尺寸磁元件的支架。
適合用于本發(fā)明的嵌段共聚物可以具有不同的化學(xué)性質(zhì)。它們可通過陰離
子、陽離子或活性自由基聚合制得。感興趣的嵌段聚合物可包括不止一種嵌段。 它可以是雙嵌段、三嵌段、四嵌段、星形嵌段和接枝嵌段的。 一個嵌段可以包 含無規(guī)共聚物。 一個嵌段可以是晶體。 一個嵌段可以是液晶。 一個嵌段在室溫 下可以是塑料。 一個嵌段在室溫下可以是橡膠樣的。 一個嵌段可以是疏水的。 一個嵌段可以是親水的?？捎糜谛纬汕抖喂簿畚锏木酆衔锏睦影ǖ幌?于聚(苯乙烯)；聚亞二甲苯基(polyxylyene);乙烯基聚合物，例如聚(乙烯基 咔唑)、聚(乙酸乙烯酯)、聚(乙烯醇)、聚(氯乙烯)、聚(乙烯醇縮丁醛)、聚(偏二 氯乙烯)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等；聚丙烯酸類，例如聚(丙烯酸乙酯)、聚(丙 烯酸正丁酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚(甲基丙烯酸乙酯)、聚(甲基丙烯酸正丁 酯)、聚(甲基丙烯酸正丙酯)、聚(丙烯酰胺)、聚丙烯腈、聚(丙烯酸)乙烯-丙 烯酸共聚物；乙烯-乙烯醇共聚物；丙烯腈共聚物；甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共 聚物；乙烯-丙烯酸乙酯共聚物；甲基丙烯酸化的丁二烯-苯乙烯共聚物等；聚
二烯，例如聚(丁二烯)、聚(異丁烯)、聚異戊二烯，聚醚，例如聚環(huán)氧乙垸、聚 環(huán)氧丙烷等；多元醇(polyol)，例如聚乙烯醇等；聚乙酸乙烯酯和縮醛。雙嵌段 共聚物的例子包括聚苯乙烯-丙烯酸酯。所述丙烯酸酯可以是甲基丙烯酸甲酯。 一些有用的雙嵌段共聚物是聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯-聚丁
二烯、聚苯乙烯-聚環(huán)氧乙烷。數(shù)均分子量為1000-100000g/mo1， 一種嵌段的體 積分?jǐn)?shù)為0.3-0.7。
在一種實(shí)施方式中，雙嵌段共聚物相分離為層狀結(jié)構(gòu)，所述層狀結(jié)構(gòu)具有 垂直于平面的相。相A和B的長度為10-100納米。所述雙嵌段共聚物的相A的長 度優(yōu)選為10-20nm，所述相B優(yōu)選的長度為20-50納米。例如，有用的雙嵌段共 聚物是由聚苯乙烯-嵌-聚丁二烯組成的。另一種有用的雙嵌段共聚物是由聚苯 乙烯-嵌-聚(甲基丙烯酸甲酯)組成的。數(shù)據(jù)分子量為14600，聚苯乙烯的體積分 數(shù)為0.5，所述嵌段共聚物形成層狀結(jié)構(gòu)，該層狀結(jié)構(gòu)的周期性相長度為15納米。 (Corvazier等人，J. Mater Chem， 2001， 11， 2864)。還已知半結(jié)晶的雙嵌段共聚 物往往會形成層狀結(jié)構(gòu)。
然后，通過蝕刻或溶解工藝除去聚合物A相。在聚苯乙烯-嵌-聚(甲基丙烯 酸甲酯)的情況下，聚合物A相是聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)，聚合物B相是聚 苯乙烯(PS)。通過將所述薄膜曝光于紫外福射，聚合物A相(PMMA)分解，聚合 物B相(PS)交聯(lián)。PMMA是微電子工業(yè)中常用的標(biāo)準(zhǔn)光致抗蝕劑。在聚苯乙烯-嵌-聚(丁二烯)的情況下，將所述填充物(fill)暴露于臭氧將會交聯(lián)PS(B相聚合物) 并降解聚(丁二烯)(A相聚合物)。在很多其它的嵌段共聚物體系中，可以選擇性 地除去含有納米尺寸的圓柱形區(qū)域的次要組分。
本發(fā)明然后需要通過蝕刻工藝除去位于相A聚合物下面的鋁或其它導(dǎo)電材 料，所述蝕刻工藝使用剩余的聚合物(抗蝕劑)鏈段作為掩模。 一種優(yōu)良的蝕刻 工藝的標(biāo)準(zhǔn)是具有大的參數(shù)窗(window for the parameter)，例如蝕刻時間和抗蝕 劑的降解。所述蝕刻工藝可被分成兩種方法，干法和濕法。
在濕法鋁蝕刻中，組分是磷酸、乙酸和硝酸(PAN蝕刻)。可以變化這些組 分來得到不同的蝕刻速率以及對可能存在的其它金屬的選擇性。濕法蝕刻的缺 點(diǎn)在于它是各向同性的。這就會產(chǎn)生傾斜的外形(profile)，因?yàn)榫酆衔锕庵驴刮g 劑掩模的凹割(undercutting)。在非結(jié)晶材料上使用濕法蝕刻難以得到很高的長覓比。
用于鋁的最常見的干法蝕刻工藝是反應(yīng)離子蝕刻(RIE)。反應(yīng)離子蝕刻使用
微波來在低壓氣體中產(chǎn)生等離子體。所述氣體中具有這樣一種組分，該組分在
受激時能產(chǎn)生反應(yīng)性物質(zhì)(species)，例如自由基和離子。將所述離子加速成電
極。通常，樣品緊挨其中的一個電極。從而所述離子以特定的角度取向，通常 垂直于樣品。所述離子與表面反應(yīng)并化學(xué)蝕刻所述材料。
通常，用基于鹵素的等離子體對鋁進(jìn)行反應(yīng)性離子蝕刻。四氯化碳或氯仿
作為鹵素前體，與惰性氣體混合。所述等離子體產(chǎn)生氯離子(chlorine radical ion)，其與鋁反應(yīng)形成揮發(fā)性的三氯化鋁。由于離子流動方向的各向異性，這 種類型的鋁蝕刻可以得到高長寬比的壁。由于氯離子與大部分的有機(jī)物緩慢反 應(yīng)，產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)，故抗蝕劑在蝕刻過程中具有優(yōu)良的分辨率。 最后，通過除去聚合物B來在微圖案化的基片上形成導(dǎo)電圖案。 本發(fā)明具有通用性，可以想到在塑料基片上使用幾種形狀和尺寸的溝槽， 來引導(dǎo)和指引雙嵌段共聚物相分離特征(例如圓形、三角形、圓柱形、棱椎形 等)的自組裝，其隨后可用作模板/掩模來沉積實(shí)踐上感興趣的空間排列的材料， 例如金屬、半導(dǎo)體、磁性材料等。本發(fā)明還可使用嵌段共聚物中的一種聚合物 作為功能特征本身。通過用具有特定性質(zhì)的納米材料預(yù)填充所述共聚物，可以 產(chǎn)生具有新性質(zhì)(例如金屬的、半導(dǎo)電的或結(jié)緣的，并除去了一種聚合物)的納 米特征。這些有序的納米特征可以位于或不位于導(dǎo)電表面上。 從下面的詳細(xì)描述中可明白這些和其它優(yōu)點(diǎn)。
以下的實(shí)施例示出了本發(fā)明的實(shí)施。不意于窮盡本發(fā)明所有可能的變化。 除非另有說明，份數(shù)和百分比都是基于重量的。
實(shí)施例
用微復(fù)制工藝預(yù)圖案化撓性塑料片或塑料巻(例如PET)，以產(chǎn)生如圖5和圖 6(a)所示的長方形溝槽陣列。P、 W和D表示溝槽的柵距、壁寬和高度，所述溝 槽分布于沿著撓性基片的整個長度上，所述溝槽是任意的和/或由制造能力決定 的。溝槽的柵距(P)可以在1到100微米之間變化，但優(yōu)選為5-25微米。溝槽的壁 寬(W)可以在0.5到25微米的范圍內(nèi)，但優(yōu)選在1-10微米的范圍內(nèi)。溝槽的深度 (D)可以在0.25到5微米的范圍內(nèi)，但優(yōu)選在0.5-l微米的范圍內(nèi)。然后,以共形 方式用金屬薄層(優(yōu)選鋁)涂覆所述撓性片或巻(圖6(b))。金屬薄層的厚度可以為 0.05-0.5微米，優(yōu)選0.1-0.2微米。涂層的共形性質(zhì)導(dǎo)致金屬涂層填充溝槽的凹槽 和凸起，例如用以復(fù)制所述微復(fù)制的圖案。然后，用共聚物混合物(A、 B)的薄 層來涂覆金屬薄膜(圖6(C))。所述涂層的厚度可以為0.01-0.1微米，優(yōu)選為
0.02-0.05微米。所述涂層在性質(zhì)上再次共形，例如用以復(fù)制所述微復(fù)制的圖案。 然后，用雙嵌段共聚物薄膜來涂覆所述共聚物涂層。雙嵌段共聚物的組分(A、 B)與共聚物混合物中的組分相同。所述雙嵌段共聚物的厚度可以為0.05-l微米， 優(yōu)選0.1-0.25微米。
對于一些實(shí)施方式，有利的是使用含有能交聯(lián)的組分的嵌段共聚物。該組 分可以在除去另一組分之前或在除去另一組分的過程中交聯(lián)，因此可以為共聚 物增加結(jié)構(gòu)一體性。該組分被稱為基質(zhì)組分(matrixcomponent)。適合的基質(zhì)組 分包括聚苯乙烯、聚丁二烯、聚二甲基硅氧烷和其它聚合物。被除去的組分可 稱為芯組分。適合的芯組分包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚丁二烯、聚己內(nèi)酯或光 致抗蝕劑。
可以使用任何的嵌段共聚物，例如烷基/垸基、垸基/芳基、芳基/芳基、親 水/親水、親水/疏水、疏水/疏水、帶正電荷或負(fù)電荷的/帶正電荷或負(fù)電荷的、 不帶電荷的/帶正電荷或負(fù)電荷的、或不帶電荷的/不帶電荷的。
所述共聚物可含有納米顆粒，所述納米顆?？删哂薪饘?、半導(dǎo)電或絕緣性 質(zhì)。納米顆粒的一些例子是金、銀、硒化鎘、硅、硫化鋅等?？梢詫{米顆粒 進(jìn)行選擇以使得在聚合物的相分離過程中，所述納米顆?？梢云蛴诨虿黄?于分離到一種聚合物中。
所述共聚物可含有生物材料，例如DNA。
可以由普通溶劑或共溶劑的混合物涂覆所述共聚物。為了使分子在共聚物 中流動，可將夾心結(jié)構(gòu)加熱到共聚物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上。
接下來，如圖6(d)所示，除去與基片相關(guān)的共聚物的雙嵌段共聚物的組分 之一，例如芯組分?？梢酝ㄟ^曝光于輻射(例如紫外光、X光輻射、Y輻射、可 見光、熱或電子束或選擇性降解次要組分的任何其它輻射源)來除去組分。還可 使用降解或分解劑，例如反應(yīng)性的氧物質(zhì)，包括例如臭氧或諸如乙醇的溶劑。 可使用紫外光來降解例如作為芯組分的聚甲基丙烯酸甲酯?？墒褂靡掖紒斫到?例如聚丁二烯。
在該處理之后，可用化學(xué)洗液除去分解副產(chǎn)物，通常形成孔尺、寸為幾十納 米的多孔材料。除去任何殘留組分的步驟包括用液體處理，包括用、溶劑或偏向 于與殘留組分反應(yīng)的物質(zhì)(例如酸或堿)洗滌。在一些實(shí)施方式中，用來與殘余 的己降解的組分反應(yīng)的物質(zhì)可以是例如稀乙酸。在該步驟中，樣品溶劑或另一
種溶劑或蝕刻溶液用來溶解金屬。例如，可使用氫氧化鈉來蝕刻鋁(圖6(e))。之
前被現(xiàn)在已除去的共聚物組分填充的體積現(xiàn)在包括穿過薄膜的厚度向基片(例
如PET)延伸的長方形的平行六面體空間。剩余的體積被余下的共聚物組分(被稱 為基質(zhì))所占據(jù)。
在一些實(shí)施方式中，任選地交聯(lián)共聚物薄膜的組分是有利的。通過光源或 試劑使未降解的組分交聯(lián)可以為薄膜增加結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。在一些實(shí)施方式中，共聚 物組分的交聯(lián)與另一種共聚物組分的降解同時進(jìn)行。所述輻射可任選且有利地 使所述雙嵌段共聚物的基質(zhì)組分交聯(lián)并基本上固定化，以使得基質(zhì)即使在長方 形的平行六面體空隙形成后仍然保持陣列結(jié)構(gòu)。納米多孔陣列模板是所得到的 整個結(jié)構(gòu)。例如，在位于聚苯乙烯(PS)基質(zhì)中的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的 情況下，紫外輻射降解PMMA，而交聯(lián)PS。有利的是，在整個降解過程中都保 持著共聚物最初的形貌。還可以使用除去一種或另一種組分的其它方法(例如化 學(xué)方法)。所述孔/空隙的寬度可以為約5-500納米或更大，周期可以為約5.0-500 納米。
制造方法的最后一步(圖6(f))需要通過用適當(dāng)?shù)娜軇┤芙饣蛲ㄟ^輻射等除 去雙嵌段共聚物的基質(zhì)組分和任何的下層共聚物涂層。該方法露出了金屬(例如 鋁)線納米陣列，該陣列可用作光偏振片。
已經(jīng)參照某些優(yōu)選的實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但是應(yīng)理解，可以在本發(fā)明 的精神和范圍內(nèi)進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種在基片上形成納米結(jié)構(gòu)圖案的方法，所述方法包括提供基片；用功能材料涂覆所述基片，以形成功能材料層；用至少有A聚合物鏈和B聚合物鏈的嵌段共聚物涂覆所述功能材料層；干燥所述嵌段共聚物，以形成有序的納米域；除去已干燥的嵌段共聚物的A聚合物鏈，以形成空隙；以及從A聚合物鏈已被除去之處除去所述功能材料。
2. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述基片是微圖案化的。
3. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述干燥是在施加剪切力外能 的條件下進(jìn)行的。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述干燥是在施加電場的條件 下進(jìn)行的。
5. 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述微圖案化的基片含有凹槽， 所述凹槽具有基本上平坦的底部和小于10微米的柵距。
6. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述功能材料包括導(dǎo)電材料。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料選自鋁、銀、金、 鎳、銅、氧化銦錫、氧化銻錫、聚噻吩、聚苯胺和聚乙炔。
8. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述A聚合物鏈包括聚甲基丙 烯酸甲酯或聚丁二烯，所述B聚合物包括聚苯乙烯。
9. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，除去所述已干燥的嵌段共聚物 的B聚合物鏈，而不除去所述功能材料。
10. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度為50-600納米。
11. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述A聚合物鏈包括丙烯酸類 聚合物。
12. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述B聚合物鏈包括苯乙烯。
13. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述A聚合物鏈包括至少一種 選自下組的聚合物乙烯基聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯酸類、聚 (丙烯酰胺)、聚丙烯腈、聚(丙烯酸)、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚醚和多元醇。
14. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述B聚合物鏈包括至少一種 選自下組的聚合物聚(苯乙烯)、聚亞二甲苯基、乙烯基聚合物、乙烯-乙酸乙 烯酯共聚物、聚丙烯酸類、聚(丙烯酰胺)、聚丙烯腈、聚(丙烯酸)、乙烯-丙烯 酸共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚醚、多元醇、聚乙酸乙烯酯和縮醛。
15. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，除去A聚合物鏈的步驟包括紫 外輻射降解。
16. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，除去A聚合物鏈的步驟包括溶 劑去除。
17. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述基片選自玻璃、熱塑性 樹脂、纖維素醚、纖維素酯、聚烯烴、聚丙烯酸類、乙烯-乙烯醇共聚物、丙烯 腈共聚物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、甲基丙 烯酸化的丁二烯-苯乙烯共聚物、聚碳酸酯、聚醚、聚酮、聚亞苯基、聚硫化物、 聚砜、聚內(nèi)酯、聚氨酯、線性長鏈二醇、聚醚醚酮、聚酰胺、聚酯、聚(亞芳基 氧)、聚(亞芳基硫)、聚醚酰亞胺、離聚物、聚(表氯醇)、呋喃樹脂如聚(呋喃)、 聚硅氧烷、聚四氟乙烯和聚縮醛。
18. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述A聚合物鏈的長度為10-100 納米。
19. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述B聚合物鏈的長度為10-100 納米。
20. 如權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，它還包括除去已干燥的嵌段 共聚物的B聚合物鏈。
全文摘要
本發(fā)明涉及在基片上形成納米結(jié)構(gòu)圖案的方法。所述方法包括提供基片；用功能材料涂覆所述基片，以形成功能材料層；將至少一種A聚合物鏈和B聚合物鏈的嵌段共聚物涂覆在所述功能材料層上，以形成層；干燥所述嵌段共聚物，以形成有序的納米域；除去已干燥的嵌段共聚物的A聚合物鏈，以形成空隙；然后從A聚合物鏈已經(jīng)被除去的地方除去所述功能材料。
文檔編號G03F7/00GK101174085SQ200710142318
公開日2008年5月7日 申請日期2007年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月11日
發(fā)明者R·賈甘納坦, X·-D·米, Y·Q·饒 申請人:羅門哈斯丹麥金融有限公司