專利名稱：：液晶顯示裝置的制造方法和用于配向處理的曝光裝置的制作方法液晶顯示裝置的制造方法和用于配向處理的曝光裝置發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的制造方法和用于配向處理的曝光裝置。更具體地，本發(fā)明涉及一種矩陣型液晶顯示裝置的制造方法，該方法可以通過(guò)在一個(gè)像素區(qū)域中形成多個(gè)象限(domain)來(lái)提供很高的顯示質(zhì)量。本發(fā)明還涉及一種用于配向處理的曝光裝置。
背景技術(shù)：
：TN(扭曲向列)模式的液晶顯示裝置具有顯示裝置所需的平衡良好的特性。例如，該裝置的驅(qū)動(dòng)電壓低，響應(yīng)速度較快，并且由于該裝置提供原理上的單色顯示，所以適合用于彩色顯示。因此，這種TN模式的液晶顯示裝置己經(jīng)廣泛用于矩陣型液晶顯示裝置，諸如，主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置和單純矩陣型液晶顯示裝置。然而，這種TN模式的裝置也有缺點(diǎn)，例如，視角狹窄，對(duì)比度低。近年來(lái)已經(jīng)開(kāi)發(fā)了具有高對(duì)比度的VA(垂直配向)模式的液晶顯示裝置。在VA模式中，當(dāng)基板之間沒(méi)有施加電壓時(shí)，液晶分子的配向基本垂直于基板，另一方面，當(dāng)基板之間施加有充分大于閾值電壓的電壓時(shí)，液晶分子的配向基本平行于基板。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出在一個(gè)像素區(qū)域中對(duì)液晶分子的配向方向進(jìn)行分割的象限分割技術(shù)。這些技術(shù)使得一個(gè)像素區(qū)域能夠具有多個(gè)其中液晶分子的配向方向不同的區(qū)域(下文中也稱為"象限")。因此，液晶顯示裝置可以提供更寬的視角。此外，實(shí)際上已經(jīng)使用了其中設(shè)置有象限分割的如下VA模式的液晶顯示裝置。在MVA(多象限垂直配向)模式的液晶顯示裝置中，作為配向控制結(jié)構(gòu)，一個(gè)基板設(shè)置有電極狹縫，另一基板設(shè)置有突出結(jié)構(gòu)，以進(jìn)行象限分割；在PVA(圖案化垂直配向)模式的液晶顯示裝置中，作為配向控制結(jié)構(gòu)，兩個(gè)基板均設(shè)置有電極狹縫，以進(jìn)行象限分割。這些方式可以提供對(duì)比度高(其為VA模式的優(yōu)點(diǎn))并且視角寬(其為象限分割的優(yōu)點(diǎn))的液晶顯示裝置。然而，MVA和PVA模式的液晶顯示裝置在響應(yīng)速度慢方面尚具有改進(jìn)空間。即，即使施加高的電壓將黑態(tài)(blackstate)變成白態(tài)(whitestate),也只有靠近電極狹縫和突出結(jié)構(gòu)的液晶分子首先開(kāi)始響應(yīng)，而遠(yuǎn)離配向控制結(jié)構(gòu)的液晶分子則響應(yīng)得晚。為了改進(jìn)該響應(yīng)速度，有效的是對(duì)基板的液晶層一側(cè)的表面上形成的配向膜提供配向處理，從而為液晶分子預(yù)先提供預(yù)傾斜的角度。另外，在VA模式中，預(yù)先使液晶分子稍稍朝著垂直配向膜傾斜，從而當(dāng)向液晶層施加電壓時(shí)，液晶分子可以容易傾斜。結(jié)果，響應(yīng)速度可以更快。作為向液晶分子提供預(yù)傾斜角度的配向處理方法，可以提到的有，例如，摩擦法、SiOx傾斜沉積法和光配向(photo-alignment)法。在MVA模式和PVA模式中，進(jìn)行象限分割以加寬視角。但是，如果進(jìn)行象限分割，配向膜的配向處理工序數(shù)增加，在這方面尚有改進(jìn)空間。在光配向法中，例如，已經(jīng)提出了透過(guò)光掩膜進(jìn)行一次以上曝光的象限分割方法。就制造工序的簡(jiǎn)化而言，優(yōu)選地，配向處理進(jìn)行的次數(shù)很少。但一個(gè)像素區(qū)域優(yōu)選具有兩個(gè)或更多個(gè)象限，最優(yōu)選具有四個(gè)或更多個(gè)象限，以保證具有寬的視角。因此，需要有以少的配向處理次數(shù)保證許多個(gè)象限的方法。作為設(shè)置有象限分割的VA模式，已經(jīng)提出了使用垂直配向膜的VA模式，其中，在任何象限中，彼此基板上的配向方向是反平行的，如圖8(a)和8(b)中所示(在下文中也稱作VAECB(垂直配向電控制雙折射)模式)。在VAECB模式中，如8(a)中所示，第一基板側(cè)上形成的第一偏光片35的吸收軸的方向和第二基板側(cè)上形成的第二偏光片36的吸收軸的方向與第一配向膜31的配向方向31a和第二配向膜32的配向方向32b不在一條直線上并成45度角。在VAECB模式中，在將一個(gè)像素區(qū)域分割成四個(gè)象限的在視角方面特別優(yōu)異的方式(下文中也稱作4VAECB模式)中，批量生產(chǎn)的生產(chǎn)量降低，因?yàn)榕湎蛱幚碓谒膫€(gè)方向上進(jìn)行，§卩，當(dāng)顯示平面上的水平方向被定義成0度時(shí)(方位角)，45、135、225和315度，如圖8(b)中所示。例如，日本專利公開(kāi)第2001-281669號(hào)公開(kāi)了一種通過(guò)光配向法進(jìn)行配向處理從而提供VAECB模式的技術(shù)。但在該情形中，配向膜的曝光共計(jì)進(jìn)行8次。相反，VAHAN(VerticalAlignmentHybrid-alignedNematic(垂直配向混合配向向列))模式可以降低配向處理的次數(shù)，其中一個(gè)基板設(shè)置有不經(jīng)配向處理的垂直配向膜。但是，在響應(yīng)速度方面尚有改進(jìn)空間，因?yàn)樵诹硪换逡粋?cè)上的液晶分子傾斜角度保持在90度。對(duì)于該問(wèn)題，己經(jīng)提出了使用垂直配向膜的VA模式，其中彼此基板上的配向處理方向是垂直的，使得液晶分子形成扭轉(zhuǎn)(twist)結(jié)構(gòu)(在下文中也稱作VATN(VerticalAlignmentTwistedNematic(垂直酉己向扭曲向列))模式)(例如，參見(jiàn)日本專利公開(kāi)Hei-ll-352486號(hào)、日本專利公開(kāi)第2002-277877號(hào)、日本專利公開(kāi)第Hei-11-133429號(hào)和日本專利公開(kāi)Hei-10-123576號(hào))。在VATN模式的液晶顯示裝置中，如圖5(a)所示，當(dāng)夾在液晶層兩邊的基板之間沒(méi)有施加電壓時(shí)(OFF-狀態(tài))，第一配向膜31和第二配向膜32將液晶分子33以基本垂直于配向膜表面的負(fù)介電各向異性配向，并將液晶分子33靠近第一配向膜31配向，將液晶分子33靠近第二配向膜32配向，使得它們的配向方向互相垂直?？拷谝慌湎蚰?1和第二配向膜32表面的每個(gè)液晶分子33與配向膜之間具有預(yù)傾斜角度34。如圖5(b)所示，當(dāng)夾在液晶層兩邊的基板之間施加有電壓時(shí)，液晶分子33與所施加的電壓相應(yīng)地沿著平行于基板表面的方向配向，并表現(xiàn)出對(duì)穿過(guò)液晶層透射的光的雙折射。在VATN模式中，如6(a)中所示，第一偏光片35的吸收軸的方向和第一配向膜31的配向方向31a相同，第二偏光片36的吸收軸的方向和第二配向膜32的配向方向32b相同?？商娲?，如圖6(b)所示，第一偏光片35的吸收軸的方向和第二配向膜32的配向方向32b可以相同，第二偏光片36的吸收軸的方向和第一配向膜31的配向方向31a可以相同。如圖7所示，以VATN模式將一個(gè)像素區(qū)域分割成四個(gè)象限的模式僅僅需要四次配向處理，這是4VAECB模式中次數(shù)的一半。在以工序數(shù)少的處理提供寬視角和快速響應(yīng)方面，這種VATN模式在理論上大為優(yōu)異。然而，尚未建立制造VATN模式的液晶顯示裝置的技術(shù)。此外，由于與VAECB模式的液晶顯示裝置相比，VATN模式的液晶顯示裝置由于傾斜角度對(duì)透射率有很大影響，所以難以穩(wěn)定地制造。在液晶顯示面板的制造方法中，使用的面板基板逐年變大，以提高生產(chǎn)效率和類似因素。隨著基板尺寸的擴(kuò)大，在通過(guò)光掩膜(photomask)進(jìn)行曝光的光配向方法中需要有大的光掩膜。但使用大的光掩膜在光掩膜中產(chǎn)生變形等并因而降低曝光精度方面尚有改進(jìn)空間。具有高精細(xì)開(kāi)孔的光掩膜極為昂貴，因此，在使用大的光掩膜增加制造成本方面仍有改進(jìn)空間。對(duì)于該問(wèn)題，已經(jīng)提出了使光源或基板移動(dòng)的方法(在下文中也稱作"掃描曝光")作為曝光方法(例如參見(jiàn)日本專利公開(kāi)Hei-09-211465號(hào)和日本專利公開(kāi)Hei-11-316379號(hào))。然而，如果通過(guò)光配向法進(jìn)行象限分割，在以少量的配向處理次數(shù)形成特性差異很小的象限方面仍然存在改進(jìn)空間。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置的制造方法，該制造方法能夠有效、穩(wěn)定地為液晶顯示裝置的配向膜提供配向處理，其中在像素區(qū)域中形成多個(gè)象限。本發(fā)明人已經(jīng)在液晶顯示裝置的制造方法方面進(jìn)行了廣泛研究，該制造方法能夠有效、穩(wěn)定地為液晶顯示裝置的配向膜提供配向處理，其中在像素區(qū)域中形成多個(gè)象限。發(fā)明人注意到光配向法中的曝光方法。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在多個(gè)像素區(qū)域上連續(xù)地對(duì)配向膜進(jìn)行掃描曝光，這使得配向處理比同步曝光更加穩(wěn)定，在同步曝光中，光源和待曝光區(qū)域是固定的，以使待曝光區(qū)域的內(nèi)部同時(shí)曝光。如果在像素區(qū)域內(nèi)部形成多個(gè)象限，配向膜通常在基板平面內(nèi)具有復(fù)雜的配向圖案。因此，在掃描曝光中，配向處理的次數(shù)大大增加，或者配向處理本身很困難。然而，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在VATN模式和類似模式中，配向圖案在基板平面中延續(xù)，因此，在以反平行方向掃描每個(gè)像素區(qū)域一次以上的同時(shí)將每個(gè)像素區(qū)域曝光，以便以少量的配向處理次數(shù)來(lái)穩(wěn)定地進(jìn)行配向處理。因此，上述問(wèn)題得以解決，完成本發(fā)明。也就是說(shuō)，本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置包括第一基板；面向第一基板的第二基板；設(shè)置在基板之間的液晶層；設(shè)置在第一基板的液晶層一側(cè)表面上的第一配向膜；和設(shè)置在第二基板的液晶層一側(cè)表面上的第二配向膜，其中該制造方法包括在多個(gè)像素區(qū)域上連續(xù)對(duì)第一配向膜和/或第二配向膜進(jìn)行掃描曝光，并且該掃描曝光包括在以反平行方向?qū)⒚總€(gè)像素區(qū)域的內(nèi)部掃描一次以上的同時(shí)將第一配向膜和/或第二配向膜曝光，以在每個(gè)像素區(qū)域中形成用于液晶分子與第一配向膜和/或第二配向膜的表面以反平行方向配向的區(qū)域。圖1(a)中的俯視圖示意性地顯示了實(shí)施方式1中TFT陣列基板上的光配向膜的光束發(fā)射方向。圖1(b)中的俯視圖示意性地顯示了實(shí)施方式1中CF陣列基板上的光配向膜的光束發(fā)射方向。圖2(a)中的俯視圖示意性地顯示了TFT陣列基板，其為實(shí)施方式l中的第一基板。圖2(b)中的俯視圖示意性地顯示了CF基板，其為實(shí)施方式1中的第二基板。圖3中的透視圖示意性地顯示了實(shí)施方式1中的曝光裝置。圖4中的透視圖示意性地顯示了實(shí)施方式2中的曝光裝置。圖5(a)和5(b)中的概念視圖解釋了VATN模式的液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)原理。圖5(a)顯示OFF-狀態(tài)，圖5(b)顯示ON-狀態(tài)。圖6(a)和圖6(b)的概念視圖顯示了VATN模式液晶顯示裝置的一個(gè)象限中的配向膜的配向方向和偏光片的吸收軸方向的位置關(guān)系。圖6(a)和6(b)分別顯示了位置關(guān)系的一個(gè)實(shí)施方式。圖7中的概念視圖顯示了4VATN模式的液晶顯示裝置的一個(gè)像素中的四個(gè)象限和配向膜的配向方向的關(guān)系。圖8(a)中的概念視圖顯示了VAECB模式的液晶顯示裝置的一個(gè)象限中的配向膜配向方向和偏光片吸收軸方向的關(guān)系。圖8(b)中的概念視圖顯示了4VAECB模式的液晶顯示裝置的一個(gè)像素中的四個(gè)象限和配向膜的配向方向的關(guān)系。附圖簡(jiǎn)述11:TFT12:像素電極13:黑色矩陣(Blackmatrix)(BM)14:濾色片15:掃描信號(hào)線16:數(shù)據(jù)信號(hào)線17:掃描線上的BM18:數(shù)據(jù)線上的BM20a、20b:曝光裝置21:載物臺(tái)22:光源23、23a、23b:光掩膜24a、24b:開(kāi)孔25:用于圖像檢測(cè)的照相機(jī)26:基板3h第一配向膜32:第二配向膜31a:第一配向膜31的配向方向32b:第二配向膜32的配向方向33:液晶分子34:傾斜角35:第一偏光片的吸收軸36:第二偏光片的吸收軸A、B、C、D:區(qū)域Wl、W2:開(kāi)孔寬度+x、-x、+y、-y:掃描方向具體實(shí)施方式下文將更詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，第一配向膜和/或第二配向膜在多個(gè)像素區(qū)域上連續(xù)進(jìn)行掃描曝光。通過(guò)掃描曝光為第一配向膜和/或第二配向膜提供配向處理(定義配向方向)。更具體地，第一配向膜和/或第二配向膜通常是由一種材料制成的光配向膜，其中配向調(diào)節(jié)力通過(guò)光輻射變化，配向方向根據(jù)光輻射方向或光輻射區(qū)域的移動(dòng)方向而變化。"配向方向"是指通過(guò)將液晶層中液晶分子的傾斜方向投影到基板表面上所顯示出的方向。在本發(fā)明中，掃描曝光不加具體限定，只要在曝光的同時(shí)使基板表面上的待被光束照射的位置移動(dòng)即可。掃描曝光的具體實(shí)施方式包括在一個(gè)實(shí)施方式中，在使光源移動(dòng)的同時(shí)將基板表面用發(fā)射自光源的光束照射；在一個(gè)實(shí)施方式中，在使基板移動(dòng)的同時(shí)將基板表面用發(fā)射自光源的光束照射；在一個(gè)實(shí)施方式中，在使光源和基板移動(dòng)的同時(shí)將基板表面用發(fā)射自光源的光束照射。掃描曝光可以有效地抑制配向膜特性的偏差，例如，配向方向和傾斜角度的偏差，因?yàn)槠渑c同步曝光相比在穩(wěn)定性方面是優(yōu)異的，例如，基板平面中輻照度水平的穩(wěn)定性方面很優(yōu)異。此外，掃描曝光使用的光源要小于同步曝光等，從而使曝光裝置可以更小。優(yōu)選地，上述掃描曝光在掃描基板上的圖案的同時(shí)，用用于圖像檢測(cè)的照相機(jī)和類似裝置控制掃描方向。因此，即使基板變形，也可以沿著像素陣列進(jìn)行高精度掃描曝光。用于掃描的基板上的圖案不受具體限制，但該圖案優(yōu)選地沿著掃描方向周期性或連續(xù)地設(shè)置。可以使用基板上形成的布線、黑色矩陣等。在本發(fā)明中，掃描曝光包括將第一配向膜和/或第二配向膜曝光，同時(shí)以反平行方向?qū)⒚總€(gè)像素區(qū)域的內(nèi)部掃描一次以上(在每個(gè)像素區(qū)域的內(nèi)部來(lái)回掃描至少一次)，以在每個(gè)像素區(qū)域中形成液晶分子與第一配向膜和/或第二配向膜的表面以反平行方向配向的區(qū)域。像素區(qū)域內(nèi)部第一曝光處曝光的區(qū)域和像素區(qū)域內(nèi)部第二曝光處曝光的區(qū)域可以重疊，但它們優(yōu)選基本不同。在本說(shuō)明書中，"以反平行方向掃描"是指掃描的移動(dòng)方向彼此相反，并且掃描路線彼此平行。"以在每個(gè)像素區(qū)域中形成液晶分子與第一配向膜和/或第二配向膜的表面以反平行方向配向的區(qū)域"是指在每個(gè)像素區(qū)域的內(nèi)部形成區(qū)域P和區(qū)域Q，區(qū)域P的靠近第一配向膜和/或第二配向膜的液晶分子以一個(gè)方向配向，區(qū)域Q的靠近第一配向膜和/或第二配向膜的液晶分子以與區(qū)域P中的配向方向呈反平行的方向配向。因此，區(qū)域P中的配向方向和區(qū)域Q中的配向方向以基本上成180度角。區(qū)域P和Q中的配向方向不需要嚴(yán)格成180度角，可以基本上方向相反。如上所述，對(duì)于配向膜的掃描曝光是通過(guò)在方向A以及作為方向A的反方向、但平行于方向A的方向B上掃描像素區(qū)域而進(jìn)行，從而很容易對(duì)在一個(gè)像素中具有兩個(gè)或更多個(gè)象限的液晶顯示裝置進(jìn)行配向處理。在本發(fā)明中，掃描曝光在多個(gè)像素區(qū)域上連續(xù)進(jìn)行。因此，在通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的液晶顯示裝置的配向膜中，彼此反平行的配向圖案在經(jīng)受掃描曝光的多個(gè)像素區(qū)域上是連續(xù)的。因此，本發(fā)明最優(yōu)選地被應(yīng)用為VATN模式和類似模式的液晶顯示裝置的制造方法。上述掃描曝光的實(shí)施方式的例子包括在一個(gè)實(shí)施方式中，點(diǎn)光束由點(diǎn)光源發(fā)射；在一個(gè)實(shí)施方式中，線光束由線光源沿著掃描曝光的掃描方向發(fā)射；在一個(gè)實(shí)施方式中，曝光用各種光源透過(guò)光掩膜進(jìn)行。在這些實(shí)施方式中，一個(gè)像素區(qū)域可以設(shè)置有輻射區(qū)和非輻射區(qū)，使得可以對(duì)其中配向方向?yàn)榉雌叫械南笙捱M(jìn)行分割。在這些實(shí)施方式當(dāng)中，通過(guò)提供具有所需開(kāi)孔的光掩膜，無(wú)論光源是何形狀，通過(guò)光掩膜進(jìn)行曝光的實(shí)施方式都可以很容易地控制光束的形狀。本發(fā)明采用掃描曝光。因此，即使是對(duì)大基板上形成的配向膜進(jìn)行配向處理，也不需要大的光掩膜，因此不會(huì)發(fā)生光掩膜變形造成的問(wèn)題，如曝光均勻性降低。"點(diǎn)光束"是指在輻射的基板表面上具有點(diǎn)形狀的光束。例如，可以使用其中來(lái)自光源的光用光學(xué)透鏡聚集以具有點(diǎn)形狀的激光光束等。"線光束"是指在輻射的基板表面上具有基本上線性形狀(帶狀)的光束。例如，可以使用其中來(lái)自光源的光用光學(xué)透鏡聚集以具有基本上線性形狀的光束等。在上述的掃描曝光中，光束優(yōu)選從基板表面上法線的傾斜方向入射，盡管其取決于待曝光的配向膜的材料。在VATN模式中，光束相對(duì)于基板表面上的法線的入射角優(yōu)選為大于或等于5度并且小于或等于70度。該構(gòu)造可以為液晶層提供適合于VATN模式的傾斜角度。如果入射角小于5度，則預(yù)傾斜角度太小，導(dǎo)致液晶顯示裝置的響應(yīng)速度顯著降低。如果入射角大于70度，則預(yù)傾斜角度太大，從而使液晶顯示裝置的對(duì)比度可能不足。但是，如果預(yù)傾斜角度的發(fā)生取決于光輻射區(qū)域的移動(dòng)方向，則光束不需要有入射角，入射角可以是O度，如以下文獻(xiàn)中所公開(kāi)的光配向方法中那樣"Photo-RubbingMethod:ASingle-ExposureMethodtoStableLiquid-CrystalPretiltAngleonPhoto-AlignmentFilm",M.Kimura,threeetal,IDW，04:proceedingsofthe11InternationalDisplayWorkshops,IDW，04Publicationcommittee,2004，andLCT2-1,p.35-38。掃描曝光中的各種條件，例如光源種類、曝光量、光束在配向膜表面上的大小、掃描速度和偏光片的存在，可以根據(jù)形成配向膜的條件來(lái)適當(dāng)?shù)卮_定，例如所需的配向方向和預(yù)傾斜角度。"預(yù)傾斜角度"是指當(dāng)液晶層上沒(méi)有施加電壓時(shí)(OFF-狀態(tài)下)配向膜表面和靠近配向膜的液晶分子的縱向方向形成的角度。在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，上述掃描曝光工序以外的其它工序不受具體限制，只要本發(fā)明的制造方法必要地包括上述的掃描曝光工序。通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的液晶顯示裝置包括第一基板、面向上述的第一基板的第二基板；設(shè)置在上述兩個(gè)基板之間的液晶層；設(shè)置在上述第一基板的液晶層一側(cè)表面上的第一配向膜；和設(shè)置在上述第二基板的液晶層一側(cè)表面上的第二配向膜。在根據(jù)本發(fā)明制造的液晶顯示裝置的構(gòu)造中，各組成部分不受具體限制，只要液晶顯示裝置必要地包括矩陣型液晶顯示裝置的標(biāo)準(zhǔn)部件。優(yōu)選地，上述第一和第二基板中的一塊基板是具有用作開(kāi)關(guān)元件的TFT和以矩陣形狀排列的像素電極的薄膜晶體管(下文中也稱作"TFT")陣列基板。還優(yōu)選地，上述第一和第二基板中的另一基板是具有濾色片和普通電極的濾色片基板(在下文中也稱作"CF基板")。如上所述，通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造的液晶顯示裝置優(yōu)選為主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置，但也可以是單純矩陣型液晶顯示裝置。如果通過(guò)本發(fā)明的制造方法制造單純矩陣型液晶顯示裝置，作為第一基板和第二基板，可以提到的是設(shè)置有帶狀信號(hào)電極(列電極)的基板和設(shè)置有排列成基本垂至于掃描電極的帶狀掃描電極(行電極)的基板的組在主動(dòng)矩陣型液晶顯示裝置中，像素是通過(guò)像素電極和面向像素電極的普通電極來(lái)規(guī)定的。在單純矩陣型液晶顯示裝置中，像素是通過(guò)帶狀信號(hào)電極和掃描電極的交點(diǎn)來(lái)規(guī)定的。上述液晶層中的液晶模式不受具體限制，但優(yōu)選其中設(shè)置有象限分割的垂直配向(VA)模式。g卩，優(yōu)選的是，上述液晶層含有具有負(fù)介電各向異性的液晶分子，并且上述第一配向膜和上述第二配向膜的液晶分子的配向基本垂直于第一配向膜和第二配向膜的表面。本發(fā)明采用掃描曝光，因此適合于諸如VA模式(其中設(shè)置有象限分割)的液晶模式的液晶顯示裝置，其中配向膜需要以高精度控制液晶分子的預(yù)傾斜角度。如上所述，在其中設(shè)置有象限分割的VA模式中，可以提到的有VATN模式、VAECB模式、VAHAN模式等。在這些模式當(dāng)中，最優(yōu)選使用VATN模式。g卩，在本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，優(yōu)選地，進(jìn)行第一基板和第二基板的曝光和貼合，使得第一配向膜的掃描曝光方向和第二配向膜的掃描曝光方向基本上彼此垂直。在VATN模式中，第一配向膜和第二配向膜二者都具有延續(xù)在多個(gè)像素區(qū)域上的配向圖案，并且第一配向膜和第二配向膜二者的配向圖案彼此反平行。因此，使用根據(jù)本發(fā)明的配向處理方法，容易在像素區(qū)域內(nèi)形成四個(gè)象限，從而提供優(yōu)異的視角特性。此外，尤其重要的是穩(wěn)定地進(jìn)行配向膜的配向處理，因?yàn)樵赩ATN模式中，液晶分子的預(yù)傾斜角度對(duì)液晶顯示器的顯示特性有很大影響。在本發(fā)明的描述中，"進(jìn)行第一基板和第二基板的曝光和貼合，使得第一配向膜的掃描曝光方向和第二配向膜的掃描曝光方向基本上彼此垂直"是指靠近第一配向膜的液晶分子的配向方向和靠近第二配向膜的液晶分子的配向方向并非必需完全彼此垂直，只要配向方向基本上彼此垂直以提供VATN模式的液晶顯示即可。更具體地，第一配向膜的配向方向和第二配向膜的配向方向優(yōu)選以85至95度相交。在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，進(jìn)行基板的曝光和貼合，使得第一配向膜的掃描曝光方向和面向第一配向膜的第二配向膜的掃描曝光方向基本上彼此平行，以制造VAECB模式的液晶顯示裝置。但在VAECB模式中，根據(jù)本發(fā)明的制造方法可以僅制造在一個(gè)像素中具有至多兩個(gè)象限的液晶顯示裝置。作為本發(fā)明中使用的用于配向處理的曝光裝置，優(yōu)選包括如下的用于配向處理的曝光裝置載物臺(tái)；用于以相對(duì)于載物臺(tái)平面上法線成大于或等于0度且小于90度的入射角發(fā)射光束的光源；和用于使載物臺(tái)和/或光源以反平行方向移動(dòng)的裝置。本發(fā)明包括這種包括載物臺(tái)和光源的用于配向處理的曝光裝置，其中光源以相對(duì)于載物臺(tái)平面的法線成大于或等于0度且小于90度的入射角發(fā)射光束，并且用于配向處理的曝光裝置進(jìn)一步包括用于使載物臺(tái)和/或光源以反平行方向移動(dòng)的裝置。根據(jù)本發(fā)明的這種用于配向處理的曝光裝置通過(guò)掃描曝光提供光配向處理，因此，與通過(guò)同步曝光的光配向處理相比，該光配向處理能夠有效、穩(wěn)定地進(jìn)行。因此，用于配向處理的曝光裝置最優(yōu)選用于VATN模式和類似模式的液晶顯示裝置的配向處理。上述的載物臺(tái)不受具體限制，只要其上可以放置第一基板和/或第二基板。優(yōu)選能夠通過(guò)真空吸附固定基板的載物臺(tái)和類似載物臺(tái)。關(guān)于上述光源的光輻射形式，如果在沒(méi)有光掩膜的情況下進(jìn)行曝光，優(yōu)選以規(guī)則的距離設(shè)置多個(gè)光源。如果通過(guò)光掩膜進(jìn)行曝光，上述光源的排列形式不受具體限制。優(yōu)選地，使用偏光片和類似物將發(fā)射至上述載物臺(tái)的光束轉(zhuǎn)化成偏振光。上述用于配向處理的曝光裝置優(yōu)選地包括用于圖像檢測(cè)的照相機(jī)和圖像處理裝置，使得可以在掃描基板上圖案的同時(shí)控制掃描方向。在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法中，掃描曝光在以反平行方向掃描每個(gè)像素區(qū)域一次以上的同時(shí)進(jìn)行，因此，可以為液晶顯示裝置的配向膜提供有效、穩(wěn)定的配向處理，其中在像素區(qū)域內(nèi)部形成多個(gè)象限。根據(jù)本發(fā)明的這種液晶顯示裝置的制造方法適用于VATN模式的液晶顯示裝置的制造。本發(fā)明的最佳實(shí)施方式下文將參考各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說(shuō)明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施方式。(實(shí)施方式1)以下參考附圖1(a)至3說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式1的4VATN模式的液晶顯示面板的制造方法。圖1(a)中的俯視圖示意性地顯示了實(shí)施方式1中TFT陣列基板上的光配向膜的光束發(fā)射方向。圖1(b)中的俯視圖示意性地顯示了實(shí)施方式l中CF基板上的光配向膜的光束發(fā)射方向。圖2(a)中的俯視圖示意性地顯示了作為實(shí)施方式1中的第一基板的TFT陣列基板。圖2(b)中的俯視圖示意性地顯示了作為實(shí)施方式1中的第二基板的CF基板。圖3中的透視圖示意性地顯示了實(shí)施方式l中的曝光裝置。首先，通過(guò)常規(guī)方法制備均沒(méi)有配向膜的第一基板和第二基板。作為第一基板，使用圖2(a)中所示的TFT陣列基板，其制備如下。在玻璃基板(未顯示)上依次形成(1)掃描信號(hào)線15、(2)TFTll、(3)像素電極12和(4)數(shù)據(jù)信號(hào)線16，以將掃描信號(hào)線12和數(shù)據(jù)信號(hào)線16以矩陣形式設(shè)置在基板上，并且掃描信號(hào)線12和數(shù)據(jù)信號(hào)線16之間具有絕緣膜(未顯示)，TFT11和像素電極12設(shè)置在掃描信號(hào)線15和數(shù)據(jù)信號(hào)線16的交叉點(diǎn)處。作為第二基板，使用圖2(b)所示的CF基板，其制備如下。在玻璃基板(未顯示)上依次形成(1)黑色矩陣(BM)13、(2)濾色片14、(3)保護(hù)膜(未顯示)和(4)透明電極膜(未顯示)，以將BM13以矩陣形狀設(shè)置在基板上，濾色片14設(shè)置在通過(guò)BM13劃分的區(qū)域上?；宀⒉痪唧w地限定于玻璃基板，只要其具有絕緣表面即可?？梢允褂猛ǔＪ褂玫牟牧献鳛橛糜谏鲜霾考牟牧?。然后，通過(guò)旋轉(zhuǎn)澆鑄(spincast)法和類似方法將含有光配向膜材料的溶液涂布到TFT陣列基板和CF基板上，在18(TC下焙燒60分鐘，以在兩個(gè)基板上形成垂直光配向膜。光配向膜材料不受具體限制，可以提到的是含有光敏基團(tuán)的樹脂和類似材料。這種樹脂具體優(yōu)選例子包括含有光敏基團(tuán)例如4-査耳酮基團(tuán)(以下化學(xué)式(l))、4'-查耳酮基團(tuán)(以下化學(xué)式(2))、香豆素基團(tuán)(以下化學(xué)式(3))和肉桂?；鶊F(tuán)(以下化學(xué)式(4))的聚酰亞胺。上述光敏基團(tuán)(1)至(4)通過(guò)光束輻射產(chǎn)生交聯(lián)反應(yīng)(包括二聚反應(yīng))、異構(gòu)化、光重排和類似反應(yīng)。相比較于分解光配向膜材料，使用含有光敏基團(tuán)的光配向膜材料可以更有效地降低預(yù)傾斜角度的偏差。下式(1)至(4)的光敏基團(tuán)可以具有取代基與苯環(huán)連接的結(jié)構(gòu)。肉桂酸酯基團(tuán)(C6H5-CH=CH-COO-)具有易于合成的優(yōu)勢(shì)，其中式(4)所示的肉桂酰基團(tuán)中的羰基進(jìn)一步連接有氧原子。因此，含有肉桂酸酯基團(tuán)的聚酰亞胺更加優(yōu)選作為光配向膜材料。焙燒溫度、焙燒時(shí)間和光配向膜厚度不受具體限定，可以適當(dāng)?shù)卮_定。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>接下來(lái)，解釋對(duì)TFT陣列基板的掃描曝光方法。首先，參考圖3解釋曝光裝置。如圖3所示，實(shí)施方式1中的曝光裝置20a包括用于在其上放置基板26的載物臺(tái)21、具有燈的光源22、偏光片、濾光片和安裝在光源下方并位于光束發(fā)射方向上的光掩膜23。載物臺(tái)21和/或光源22和光掩膜23被設(shè)計(jì)成能夠水平地相對(duì)移動(dòng)。這種構(gòu)造使得曝光裝置20a能夠通過(guò)光掩膜23中形成的開(kāi)孔(未顯示)發(fā)射的光束對(duì)基板表面上形成的光配向膜進(jìn)行掃描曝光。光源22被設(shè)計(jì)成能夠朝著載物臺(tái)21和光掩膜23的傾斜方向傾斜。因此，曝光裝置20a可以在用來(lái)自適當(dāng)傾斜方向的光來(lái)輻射基板上形成的光配向膜的同時(shí)進(jìn)行掃描。燈并不受具體限制，可以是低壓汞燈、氘燈、金屬鹵化物燈和氬共振燈、氙燈等?？梢允褂弥T如準(zhǔn)分子激光器的激光器來(lái)代替燈。發(fā)射光的波長(zhǎng)可以根據(jù)配向膜材料等因素來(lái)適當(dāng)?shù)卮_定，優(yōu)選使用紫外輻射?？梢赃m當(dāng)?shù)卮_定偏光片的消光比、濾光片的種類、表示基板和光掩膜之間距離的接近間隙等因素。接下來(lái)，參考圖l(a)解釋TFT陣列基板的曝光方法。首先，將TFT陣列基板放置在曝光裝置的載物臺(tái)上。如圖1(a)所示，在光掩膜23a內(nèi)部形成多個(gè)開(kāi)孔24a。該開(kāi)孔24a具有平面矩形的形狀，在掃描信號(hào)線15的方向(圖l(a)中的水平方向)上的寬度W1基本上是像素間距(pixelpitch)的一半。多個(gè)開(kāi)孔24a的間距被設(shè)計(jì)成長(zhǎng)度與掃描信號(hào)線15方向上的像素間距相同。然后，將光掩膜23a的開(kāi)孔24a的端部沿著數(shù)據(jù)信號(hào)線16設(shè)置。在掃描方向-y(圖1(a)中向下的方向)上沿著數(shù)據(jù)信號(hào)線16從TFT陣列基板的一端向另一端在多個(gè)像素區(qū)域上連續(xù)進(jìn)行掃描曝光。然后，將開(kāi)孔24a的位置在掃描信號(hào)線15方向上水平移動(dòng)基本上半個(gè)像素間距的寬度，以類似地沿著數(shù)據(jù)信號(hào)線16定位開(kāi)孔24a的端部。然后，類似地在掃描方向+y(反平行于掃描方向-y的方向，即圖1(a)中向上的方向)上沿著數(shù)據(jù)信號(hào)線16從TFT陣列基板的一端向另一端進(jìn)行掃描曝光。因此，TFT陣列基板的一個(gè)像素區(qū)域被分割成兩個(gè)區(qū)域區(qū)域A和區(qū)域B，其中配向方向是反平行的。相比較于分次曝光(fractionatedexposure)和類似技術(shù)，掃描曝光在輻照度水平穩(wěn)定性方面極為優(yōu)異，因此可以有效地抑制每個(gè)區(qū)域A和B的特性(例如，配向方向和預(yù)傾斜角度)的偏差。開(kāi)孔24a的平面形狀不受具體限制，只要可以形成所需的象限圖案即可。除了平面形狀，可以提到的還有圓形、橢圓形、基本上線性的形狀(帶狀)和類似形狀。開(kāi)孔24a的寬度Wl可以根據(jù)所需的象限圖案適當(dāng)?shù)卮_定，其優(yōu)選地被確定為使得掃描曝光之后不形成未照射區(qū)域。接下來(lái)，參考圖1(b)解釋CF基板的曝光方法。首先，將CF基板放置在曝光裝置的載物臺(tái)上。如圖1(b)所示，在光掩膜23b內(nèi)部形成多個(gè)開(kāi)孔24b。該開(kāi)孔24b具有平面矩形的形狀，并且在對(duì)應(yīng)于TFT陣列基板的數(shù)據(jù)信號(hào)線的位置處形成的BM18(下文中也稱作"數(shù)據(jù)線上的BM")的方向(圖l(b)中的上下方向)上的寬度W2基本上是像素間距的一半。多個(gè)開(kāi)孔24b的間距被設(shè)計(jì)成長(zhǎng)度與數(shù)據(jù)線上的BM18方向上的像素間距相同。然后，將光掩膜23b的開(kāi)孔24b的端部沿著對(duì)應(yīng)于TFT陣列基板的掃描信號(hào)線的位置處形成的BM17(下文中也稱作"掃描線上的BM")設(shè)置。在掃描方向+x(圖1(b)中向右的方向)上沿著掃描線上的BM17從CF基板的一端到另一端在多個(gè)像素區(qū)域上連續(xù)進(jìn)行掃描曝光。然后，將開(kāi)孔24b的位置在數(shù)據(jù)線上的BM18方向上水平移動(dòng)基本上半個(gè)像素間距的寬度，以類似地將開(kāi)孔24b的端部定位于掃描線上的BM17。然后，類似地在掃描方向-x(反平行于掃描方向+x的方向，即，圖l(b)中向左的方向)上沿著掃描線17上的BM從CF基板的一端向另一端進(jìn)行掃描曝光。因此，CF基板的一個(gè)像素區(qū)域被分割成兩個(gè)區(qū)域區(qū)域C和區(qū)域D，其中區(qū)域C和區(qū)域D中的配向方向是反平行的。如對(duì)TFT陣列基板提供的掃描曝光那樣，掃描曝光可以有效地抑制區(qū)域C和D中的每個(gè)區(qū)域的特性上的偏差。開(kāi)孔24b的平面形狀不受具體限制，只要可以形成所需的象限圖案即可。除了平面形狀，可以提到的還有圓形、橢圓形、基本上線性的形狀(帶狀)和類似形狀。開(kāi)孔24b的寬度W2可以根據(jù)所需的象限圖案適當(dāng)?shù)卮_定，其優(yōu)選地被確定為使得掃描曝光之后不形成未照射區(qū)域。實(shí)施方式1說(shuō)明了使用光掩膜的掃描曝光方法，但也可以不使用光掩膜。在不使用光掩模的情況下，優(yōu)選的是，光束在配向膜表面上的形狀適當(dāng)?shù)赜霉鈱W(xué)透鏡或類似物進(jìn)行調(diào)節(jié)。優(yōu)選的是，發(fā)射光束相對(duì)于基板平面的法線的入射角為大于或等于5度且小于或等于70度，以便為液晶分子提供適合于4VATN模式的預(yù)傾斜角度，盡管其取決于待曝光的配向膜所使用的材料。還優(yōu)選地，對(duì)掃描曝光時(shí)的輻射度水平和掃描速度適當(dāng)?shù)丶右源_定。然而，如果預(yù)傾斜角度的發(fā)生取決于光輻射區(qū)域的移動(dòng)方向，則光束不需要有入射角，入射角可以是O度，如以下文獻(xiàn)所公開(kāi)的光配向方法中那樣"Photo-RubbingMethod:ASingle-ExposureMethodtoStableLiquid-CrystalPretiltAngleonPhoto-AlignmentFilm",M.Kimura,threeetal,IDW'04:proceedingsofthe11thInternationalDisplayWorkshops,IDW'04Publicationcommittee,2004，andLCT2-l，p.35-38。在4VATN模式中，TFT陣列基板上的掃描方向和CF基板上的掃描方向并不具體限定于圖1(a)和圖1(b)所示的方向，只要當(dāng)基板彼此貼合時(shí)基板上的掃描方向基本上彼此垂直即可。然后，將例如4的塑料小珠散布在進(jìn)行掃描曝光的TFT陣列基板或CF基板上，然后將基板彼此貼合在一起。兩個(gè)基板的一個(gè)像素區(qū)域中的光束發(fā)射方向的關(guān)系如圖7所示。在每個(gè)象限中，彼此面對(duì)的基板的掃描方向基本上是相互垂直的。然后，如果基板之間注有具有負(fù)介電各向異性的向列液晶材料，則各象限的液晶分子以不同的方向出現(xiàn)預(yù)傾斜角度。因此，在每個(gè)象限中，靠近液晶層的平面內(nèi)方向和厚度方向的中心的液晶分子的配向方向從光束發(fā)射方向傾斜45度角。因此，當(dāng)對(duì)產(chǎn)生的液晶顯示面板施加信號(hào)電壓時(shí)，四個(gè)象限中的液晶分子分別以四個(gè)不同的方向傾斜。因此，可以提供寬的視角。預(yù)傾斜角度不受具體限制，但是就增加液晶顯示面板的透射率而言，在4VATN模式中優(yōu)選的是大于或等于85度且小于90度。還優(yōu)選4VATN中預(yù)傾斜角度的偏差在0.5度以內(nèi)。然后，將兩個(gè)偏光片分別貼合到兩個(gè)基板的外側(cè)上，使得這兩個(gè)偏光片的吸收軸彼此垂直，并且其中一個(gè)吸收軸平行于TFT陣列基板的總線(掃描信號(hào)線或數(shù)據(jù)信號(hào)線)。從而，在OFF狀態(tài)下液晶分子的配向是基本垂直的，因此液晶顯示面板可以提供優(yōu)異的黑色顯示(正常黑色模式)。液晶顯示面板具有四個(gè)象限，用于使液晶分子的配向分別為四個(gè)不同的方向，因此表現(xiàn)出幾乎不取決于視角方向的顯示特性。如上所述，實(shí)施方式1中的液晶顯示面板的制造方法采用掃描曝光。因此，可以用少量的配向處理次數(shù)制造出各象限的特性偏差小的4VATN模式的液晶平板。(實(shí)施方式2)下文參考圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式2的4VATN模式的液晶顯示面板的制造方法。圖4中的透視圖示意性地顯示了實(shí)施方式2中的曝光裝置。在實(shí)施方式2中，4VATN模式的液晶顯示面板以與實(shí)施方式1相同的方式制造，不同之處在于曝光裝置的構(gòu)造和掃描曝光的實(shí)施方式。因此，略去實(shí)施方式1和實(shí)施方式2之間的重疊內(nèi)容。首先，參考圖4解釋實(shí)施方式2中的曝光裝置。如圖4所示，實(shí)施方式2中的曝光裝置20b具有如下結(jié)構(gòu)，其中實(shí)施方式1的曝光裝置20a進(jìn)一步包括用于圖像檢測(cè)的照相機(jī)25，用于檢測(cè)線性微圖案，例如總線(掃描信號(hào)線或數(shù)據(jù)信號(hào)線)和基板上形成的BM。根據(jù)這種構(gòu)造，實(shí)施方式2中的曝光裝置20b對(duì)用于圖像檢測(cè)的照相機(jī)25取得的圖像進(jìn)行分析和處理，從而基于所取得的圖像確定載物臺(tái)21和/或光掩膜23和光源22的位置。接下來(lái)，解釋實(shí)施方式2中的掃描曝光方法。首先，將作為曝光對(duì)象的基板26放置在載物臺(tái)21上。然后，基于通過(guò)對(duì)用于圖像檢測(cè)的照相機(jī)25所取得的基板上形成的BM、總線等的圖像進(jìn)行分析和處理而得到的位置數(shù)據(jù)，將載物臺(tái)21和/或光掩膜23和光源22自動(dòng)水平移動(dòng)至曝光起始位置，從而將光掩膜23的開(kāi)孔(未顯示)設(shè)定至預(yù)先確定的位置。類似地，在光束輻射處理的過(guò)程中，對(duì)用于圖像檢測(cè)的照相機(jī)25取得的圖像進(jìn)行分析和處理，然后在逐點(diǎn)校正載物臺(tái)21和/或光掩膜23和光源22的同時(shí)進(jìn)行掃描曝光，使得開(kāi)孔位置與總線、BM等在一條直線上。如上所述，實(shí)施方式2中的液晶顯示面板的制造方法使用用于圖像檢測(cè)的照相機(jī)25來(lái)確定曝光起始位置并校正曝光位置。因此，即使TFT陣列基板或CF基板的像素陣列變形，所需的象限也可以高精度地形成于像素區(qū)域內(nèi)部。根據(jù)巴黎公約和進(jìn)入國(guó)家階段的國(guó)家的國(guó)內(nèi)法，本申請(qǐng)要求于2005年12月2日在日本提交的專利申請(qǐng)第2005-350020號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容結(jié)合在本文中作為參考。本說(shuō)明書中的術(shù)語(yǔ)"大于或等于"和"小于或等于"包括所說(shuō)的數(shù)值。權(quán)利要求1.一種液晶顯示裝置的制造方法，所述液晶顯示裝置包括第一基板；面向所述第一基板的第二基板；設(shè)置在所述基板之間的液晶層；設(shè)置在所述第一基板的液晶層一側(cè)的表面上的第一配向膜；和設(shè)置在所述第二基板的液晶層一側(cè)的表面上的第二配向膜，其中所述制造方法包括在多個(gè)像素區(qū)域上連續(xù)對(duì)所述第一配向膜和/或第二配向膜進(jìn)行掃描曝光，并且所述掃描曝光包括將所述第一配向膜和/或所述第二配向膜曝光，同時(shí)以反平行方向?qū)⒚總€(gè)像素區(qū)域的內(nèi)部掃描一次以上，以在每個(gè)像素區(qū)域中形成液晶分子與所述第一配向膜和/或所述第二配向膜的表面以反平行方向配向的區(qū)域。2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中所述液晶層包含負(fù)介電各向異性的液晶分子，并且所述第一配向膜和所述第二配向膜的液晶分子與所述第一配向膜和所述第二配向膜的表面基本上垂直地配向。3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其中執(zhí)行所述第一基板和所述第二基板的曝光和貼合，使得所述第一配向膜的掃描曝光方向和所述第二配向膜的掃描曝光方向基本上互相垂直。4.一種用于配向處理的曝光裝置，包括載物臺(tái)和光源，其中所述光源以相對(duì)于所述載物臺(tái)平面上法線為大于或等于0度且小于90度的入射角發(fā)射光束，并且所述用于配向處理的曝光裝置進(jìn)一步包括使所述載物臺(tái)和/或所述光源以反平行方向移動(dòng)的裝置。全文摘要本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置的制造方法，該制造方法能夠有效、穩(wěn)定地為液晶顯示裝置的配向膜提供配向處理，其中在像素區(qū)域中形成多個(gè)象限；以及一種用于配向處理的曝光裝置。液晶顯示裝置的制造方法包括第一基板；面向第一基板的第二基板；設(shè)置在基板之間的液晶層；設(shè)置在第一基板的液晶層一側(cè)表面上的第一配向膜；和設(shè)置在第二基板的液晶層一側(cè)表面上的第二配向膜，其中該制造方法包括在多個(gè)像素區(qū)域上連續(xù)對(duì)第一配向膜和/或第二配向膜進(jìn)行掃描曝光，并且該掃描曝光包括在以反平行方向?qū)⒚總€(gè)像素區(qū)域的內(nèi)部掃描一次以上的同時(shí)將第一配向膜和/或第二配向膜曝光，以在每個(gè)像素區(qū)域中形成其中的液晶分子以反平行方向與第一配向膜和/或第二配向膜的表面配向的區(qū)域。文檔編號(hào)G02F1/13GK101322067SQ20068004535公開(kāi)日2008年12月10日申請(qǐng)日期2006年11月13日優(yōu)先權(quán)日2005年12月2日發(fā)明者井上威一郎,宮地弘一,箱井博之申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社