專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，尤其涉及適用于大畫面或高清晰的液晶顯示裝置的有效技術(shù)。
背景技術(shù)：
目前在個人計算機(Personal Computer)的顯示器和電視接收機等各種顯示裝置上，廣泛采用液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置，是通過對充填在2塊玻璃基板之間的液晶材料施加電場，控制液晶材料中的液晶分子的取向來控制光的透過或遮斷，顯示圖像(影像)的裝置。
而且，液晶顯示裝置，例如根據(jù)液晶分子的取向的不同、電場施加方法的不同，分為各種各樣的類型，近年來，自然色的表現(xiàn)能力高、且易于使響應(yīng)速度高速化的TFT液晶顯示裝置得到了廣泛普及。
TFT液晶顯示裝置是在TFT基板和對置基板之間充填了液晶材料的液晶顯示裝置，在上述TFT基板的玻璃基板上以陣列狀配置了TFT元件，上述對置基板上設(shè)置有在其與TFT基板的設(shè)置有TFT元件的面相對的面上配置的濾色片等。
這時，TFT基板，例如在玻璃基板上形成有柵極電極線、數(shù)據(jù)電極線、漏極電極、柵極絕緣膜、非晶硅(a-Si)膜和顯示電極，并以陣列狀配置有TFT(Thin-Film Transistor)元件，該TFT元件是由柵極電極線、從數(shù)據(jù)電極線分支出的漏極電極、源極電極、柵極絕緣膜和非晶硅膜構(gòu)成的。
另外，在制造TFT基板時，例如，首先在玻璃基板上形成柵極電極線形成用的導(dǎo)電膜。然后，在導(dǎo)電膜上形成圖案形成用的蝕刻抗蝕劑后，將導(dǎo)電膜的不要的部分除去，形成柵極電極線。之后，與柵極電極線的形成步驟同樣地反復(fù)進(jìn)行成膜、形成抗蝕劑、蝕刻這一系列處理，形成數(shù)據(jù)電極線等。
制造TFT基板時的形成蝕刻抗蝕劑的工序，以往是在導(dǎo)電膜上涂敷抗蝕劑材料并通過使用掩模的曝光處理形成抗蝕劑圖案。
但是，使用掩模進(jìn)行曝光的方法，采用預(yù)先設(shè)計好的掩模尺寸，例如在形成柵極電極線形成用的導(dǎo)電膜時，即使在膜厚有差異的情況下，柵極電極線也總是按一定的寬度形成。液晶顯示裝置，近年來日益大畫面化，因而在形成導(dǎo)電膜時膜厚很容易產(chǎn)生差異。因此，如果仍像以往那樣以預(yù)先設(shè)計好的寬度形成柵極電極線，則在形成導(dǎo)電膜時膜厚變薄的區(qū)域的柵極電極線的截面積與膜厚變厚的區(qū)域的柵極電極線的截面積之差將增大。其結(jié)果是，各柵極電極線的布線電阻的差異增大，這將使由液晶顯示裝置顯示的圖像(影像)的像質(zhì)在畫面內(nèi)變得不均勻。
為避免發(fā)生這樣的問題，以往，例如在考慮到柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚或?qū)挾鹊牟町惡?，在TFT基板的整個區(qū)域上，將導(dǎo)電膜的膜厚加厚、或?qū)艠O電極線的寬度加寬，使得柵極電極線的布線電阻小于或等于一定值。但是，如果將柵極電極線的寬度加寬，則開口率、即用于使背光源的光透過來顯示色彩的面積將相應(yīng)地減小，因而存在亮度降低、液晶顯示裝置的性能降低這樣的問題。而當(dāng)使導(dǎo)電膜加厚時，成膜時間將相應(yīng)地加長，并且也增加了所使用的導(dǎo)電膜材料的量。因此，還存在TFT基板(液晶顯示裝置)的制造成本增加的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的問題是如背景技術(shù)所述，在以往的液晶顯示裝置中，TFT基板上的柵極電極線的布線電阻的差異大，畫面上的像質(zhì)不均勻。
另外，在為了減小TFT基板上的柵極電極線的布線電阻的差異而將柵極電極線的寬度加寬時，開口率將減小，因而還存在液晶顯示裝置的性能降低的問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種可以使TFT液晶顯示裝置的畫面上的像質(zhì)均勻化的技術(shù)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種可以使TFT液晶顯示裝置的畫面上的像質(zhì)均勻化并能防止亮度的降低、提高性能的技術(shù)。
通過本說明書的描述和附圖可以清楚本發(fā)明的上述和其它的目的以及新的特征。
本發(fā)明的TFT液晶顯示裝置，包括TFT基板，其在透明基板上設(shè)置有柵極電極線、數(shù)據(jù)電極線、源極電極、柵極絕緣膜、非晶硅(a-Si)膜和顯示電極，且由上述柵極電極線、從上述數(shù)據(jù)電極線分支出的漏極電極、上述源極電極、上述柵極絕緣膜和上述非晶硅膜構(gòu)成的TFT配置成陣列狀；對置基板，與上述TFT基板的設(shè)置有上述TFT的面相對地配置；以及充填在上述TFT基板和上述對置基板之間的液晶材料；該液晶顯示裝置的最主要的特征在于當(dāng)設(shè)上述TFT基板的第1區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚和寬度分別為GLD1和GLW1、與上述第1區(qū)域不同的第2區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚和寬度分別為GLD2和GLW2時，滿足以下關(guān)系當(dāng)GLD1＜GLD2時，GLW1＞GLW2。
在本發(fā)明的TFT液晶顯示裝置中，上述TFT基板，如上所述，當(dāng)?shù)?區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD1比上述第2區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD2薄時，上述第1區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的寬度GLW1比上述第2區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的寬度GLW2寬。因此，上述第1區(qū)域的柵極電極線的截面積GLD1×GLW1與上述第2區(qū)域的柵極電極線的截面積GLD2×GLW2之差，與以往相比減小，因而可以使每條柵極電極線的布線電阻的差異減小。其結(jié)果是，可以減小畫面上的像質(zhì)的差異，使其均勻化。
而且，這時，第1區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD1和寬度GLW1與上述第2區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD2和寬度GLW2之間的關(guān)系，只要能滿足如上所述的關(guān)系即可，特別是，最好使上述第1區(qū)域的柵極電極線的截面積GLD1×GLW1與上述第2區(qū)域的柵極電極線的截面積GLD2×GLW2相等。
另外，這樣的TFT基板，例如可以用根據(jù)CAD布局?jǐn)?shù)據(jù)等數(shù)值數(shù)據(jù)直接描繪圖案的方法制造。這時，在透明基板上形成柵極電極線形成用的導(dǎo)電膜后，例如，測量導(dǎo)電膜的膜厚分布，并對上述數(shù)值數(shù)據(jù)進(jìn)行修正，使得加寬膜厚薄的區(qū)域的寬度、減小膜厚厚的區(qū)域的寬度。然后，當(dāng)在導(dǎo)電膜上形成蝕刻抗蝕劑時，只需根據(jù)修正后的數(shù)值數(shù)據(jù)直接描繪圖案即可。這樣，可以使TFT基板上的所有柵極電極線的截面積GLD×GLW均勻化。因此，能使各柵極電極線的布線電阻均勻化，從而可以使像質(zhì)均勻化。而且，通過進(jìn)行這樣的修正，不必像以往那樣在TFT基板的整個區(qū)域上將導(dǎo)電膜的膜厚加厚，或?qū)艠O電極線的寬度加寬以使柵極電極線的布線電阻小于或等于一定值，因而可以防止液晶顯示裝置的性能降低。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，提供一種顯示裝置，在基板上配置有例如柵極電極線那樣的多條第1電極線，在該多條第1電極線的上方隔著例如柵極絕緣膜那樣的絕緣膜交叉地配置的例如數(shù)據(jù)電極線那樣的多條第2電極線，由該多條第1電極線和多條第2電極線形成矩形的顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域內(nèi)的第1電極線和第2電極線相交的任意的3個部位中，當(dāng)設(shè)第1部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，第2部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，第3部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，在膜厚的關(guān)系為t1＞t2＞t3的情況下，寬度的關(guān)系為w1＜w2＜w3。
這可以由后述的實施例所示的制造方法實現(xiàn)，在具有這種關(guān)系的顯示板上，可以降低像質(zhì)的不均勻。
另外，在這種情況下，最好構(gòu)成為t1與w1的乘積、t2與w2的乘積、t3與w3的乘積相等。
圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，是表示整個液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的立體圖。
圖2是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，是表示TFT基板的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖3是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，是表示圖2中示出的TFT基板上的1個像素的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
圖4是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，是圖3的A-A’線剖視圖。
圖5是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，是圖3的B-B’線剖視圖。
圖6是表示本發(fā)明的一個實施例的TFT基板的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，是用于說明本實施例的TFT基板的特征的俯視圖。
圖7是表示本發(fā)明的一個實施例的TFT基板的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，是圖6的C-C’線剖視圖。
圖8是表示本發(fā)明的一個實施例的TFT基板的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，是圖6的D-D’線剖視圖。
圖9是用于說明本實施例的TFT基板的制造方法的一例的示意圖，是形成柵極電極線形成用的導(dǎo)電膜的工序的俯視圖。
圖10是用于說明本實施例的TFT基板的制造方法的一例的示意圖，是圖9的E-E’線剖視圖。
圖11是用于說明本實施例的TFT基板的制造方法的一例的示意圖，是說明用以往的方法形成柵極電極線時的問題的圖。
圖12是用于說明本實施例的TFT基板的制造方法的一例的示意圖，是表示解決現(xiàn)有問題的方法的一例的圖。
圖13是用于說明本實施例的TFT基板的制造方法的一例的示意圖，是表示解決現(xiàn)有問題的柵極電極線的形成步驟的流程圖。
圖14是表示產(chǎn)生柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚差異的2個區(qū)域的關(guān)系的示意圖，是數(shù)據(jù)電極線是公用的而柵極電極線不同時的圖。
圖15是表示產(chǎn)生柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚差異的2個區(qū)域的關(guān)系的示意圖，是柵極電極線是公用的而數(shù)據(jù)電極線不同時的圖。
圖16是表示產(chǎn)生柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚差異的2個區(qū)域的關(guān)系的示意圖，是柵極電極線和數(shù)據(jù)電極線都不同時的圖。
圖17是表示產(chǎn)生柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚差異的2個區(qū)域的關(guān)系的示意圖，是數(shù)據(jù)電極線是公用的而柵極電極線不同時的另一例的圖。
圖18是表示從1塊玻璃母板切割出2塊基板時的導(dǎo)電膜的膜厚分布的示意圖。
圖19是表示從1塊玻璃母板切割出4塊基板時的導(dǎo)電膜的膜厚分布的示意圖。
圖20是表示從1塊玻璃母板切割出6塊基板時的導(dǎo)電膜的膜厚分布的示意圖。
圖21是表示從1塊玻璃母板切割出15塊基板時的導(dǎo)電膜的膜厚分布的示意圖。
圖22是用于說明1塊基板上的導(dǎo)電膜的膜厚分布的第1種圖案的圖。
圖23是用于說明1塊基板上的導(dǎo)電膜的膜厚分布的第2種圖案的圖。
圖24是用于說明1塊基板上的導(dǎo)電膜的膜厚分布的第3種圖案的圖。
圖25是用于說明1塊基板上的導(dǎo)電膜的膜厚分布的第4種圖案的圖。
圖26是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖27是圖26的A-A’線剖視圖。
圖28是圖26的B-B’線剖視圖。
圖29是表示本發(fā)明的像素的位置的圖。
圖30是表示圖29的各像素位置處的布線的截面形狀的圖。
圖31是表示圖29的各像素位置處的布線的截面形狀的圖。
圖32是說明本發(fā)明的布線電阻的圖。
圖33是表示本發(fā)明的布線的另一截面形狀的圖。
圖34是表示本發(fā)明的布線的另一截面形狀的圖。
圖35是表示本發(fā)明的布線的再一截面形狀的圖。
圖36是表示本發(fā)明的布線的再一截面形狀的圖。
具體實施例方式
以下，參照附圖并連同實施方式(實施例)一起對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
此外，在用于說明實施例的所有圖中，對具有同一功能的部分標(biāo)以相同的標(biāo)記，其重復(fù)的說明從略。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，關(guān)于TFT電路配置成陣列狀的TFT基板的柵極電極線，當(dāng)設(shè)第1區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚和寬度分別為GLD1和GLW1、與第1區(qū)域不同的第2區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚和寬度分別為GLD2和GLW2時，如果GLD1＜GLD2，則使GLW1＞GLW2，并使第1區(qū)域的柵極電極線的截面積GLD1×GLW1與第2區(qū)域的柵極電極線的截面積GLD2×GLW2大致相等，由此減小各柵極電極線的布線電阻的差異。
圖1～圖5是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，圖1是表示整個液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)例的立體圖。圖2是表示TFT基板的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖3是表示圖2中示出的TFT基板上的1個像素的結(jié)構(gòu)例的俯視圖。圖4是圖3的A-A’線剖視圖。圖5是圖3的B-B’線剖視圖。此外，在圖4和圖5的剖視圖中，省略了表示剖面的剖面線。
本發(fā)明的液晶顯示裝置是TFT液晶顯示裝置，例如，如圖1所示，由TFT基板1、對置基板2、偏振片3A、3B、背光源4和框5構(gòu)成。
TFT基板1是在玻璃基板等透明基板上按陣列狀配置了TFT電路的基板，例如，如圖2所示，設(shè)置有在透明基板100的x方向延伸的多條柵極電極線101和在y方向延伸的多條數(shù)據(jù)電極線102。這時，關(guān)注TFT基板1上的1個像素時，例如如圖3～圖5所示，在透明基板100上設(shè)置有柵極電極線101，在柵極電極線101上隔著起柵極絕緣膜作用的層間絕緣膜103設(shè)置有數(shù)據(jù)電極線102、源極電極104、非晶硅(a-Si)膜105等。而且，由柵極電極線101、從數(shù)據(jù)電極線102分支出的漏極電極102A、源極電極104、非晶硅膜105和柵極絕緣膜103構(gòu)成了TFT元件。另外，這時，源極電極104，例如隔著層間絕緣膜106與ITO等顯示電極107連接。另外，在透明基板100上，如圖3和圖5所示，還設(shè)置有沿著數(shù)據(jù)電極線102形成的屏蔽電極線108。而且，在TFT基板1上，按陣列狀配置有結(jié)構(gòu)如圖3～圖5所示的多個像素。
對置基板2，例如是在玻璃基板等透明基板上設(shè)置了濾色片的基板，與TFT基板1的設(shè)置有TFT元件的面相對地配置。這時，圖中雖省略，但TFT基板1和對置基板2由間隔物等保持預(yù)定的間隔，并在TFT基板1和對置基板2之間充填有液晶材料。
另外，設(shè)置成將TFT基板1和對置基板2夾在中間的2個偏振片3A、3B，例如用于在不對液晶材料施加電場時，使來自背光源104的光不向外部射出。
框5是將TFT基板1、對置基板2、偏振片3A、3B、背光源4保持為一體的構(gòu)件。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，TFT基板1的柵極電極線101的截面積、即圖3和圖4中示出的柵極電極線101的膜厚GLD和寬度GLW的乘積GLD×GLW，在TFT基板1的整個區(qū)域上大致相等。以下，說明關(guān)于液晶顯示裝置中采用的TFT基板1的結(jié)構(gòu)的實施例。
(實施例)圖6～圖8是表示本發(fā)明的一個實施例的TFT基板的概略結(jié)構(gòu)的示意圖，圖6是用于說明本實施例的TFT基板的特征的俯視圖。圖7是圖6的C-C’線剖視圖。圖8是圖6的D-D’線剖視圖。此外，圖7和圖8的剖視圖，省略了表示剖面的剖面線。而且，在圖7和圖8的剖視圖中，只分別示出1條柵極電極線的周圍的剖面。
本實施例的TFT基板1具有如圖2～圖5所示的結(jié)構(gòu)，在透明基板100上按陣列狀設(shè)置有TFT元件。而且，采用了本實施例的TFT基板1的液晶顯示裝置，具有如圖1所示的結(jié)構(gòu)。
在本實施例的TFT基板1上，例如，在比較如圖6～圖8所示的某柵極電極線(以下稱為第1柵極電極線)101A的膜厚GLD1和與第1柵極電極線101A不同的第2柵極電極線101B的膜厚GLD2時，存在著GLD1＜GLD21的關(guān)系，這時，如果比較第1柵極電極線101A的寬度GLW1和第2柵極電極線101B的寬度GLW2，則如圖7和圖8所示，GLW1＞GLW2。
這時，如果第1柵極電極線101A的截面積GLD1×GLW1與第2柵極電極線101B的截面積GLD2×GLW2相等，則第1柵極電極線101A的布線電阻與第2柵極電極線101B的布線電阻相等。因此，對于TFT基板1上的所有柵極電極線101，如果能控制各柵極電極線101的膜厚和寬度的關(guān)系，使得截面積GLD×GLW相等，則可以使所有柵極電極線101的布線電阻相等。因此，采用了TFT基板1的液晶顯示裝置，可以使畫面上的像質(zhì)均勻化。
圖9～圖13是用于說明本實施例的TFT基板的制造方法的一例的示意圖，圖9是形成柵極電極線形成用的導(dǎo)電膜的工序的俯視圖，圖10是圖9的E-E’線剖視圖，圖11是說明用以往的方法形成柵極電極線時的問題的圖，圖12是表示解決以往問題的方法的一例的圖。圖13是表示解決以往問題的柵極電極線的形成步驟的流程圖。
本實施例的TFT基板1，基本上按照與以往相同的步驟制造。因此，制造TFT基板1的各工序和材料等的詳細(xì)說明從略，只說明其特征的部分。
當(dāng)制造本實施例的TFT基板1時，首先，如圖9和圖10所示，在玻璃基板等透明基板100上，形成柵極電極形成用的導(dǎo)電膜101Z，這時，TFT基板1例如是在個人計算機的顯示器或電視接收機等的液晶顯示裝置中使用的基板，透明基板100的面積較大時，導(dǎo)電膜101Z的膜厚，例如如圖10所示，有時會逐漸地變厚，從透明基板的y＝0的膜厚D0變到y(tǒng)＝Y(jié)的膜厚DY。
這時，例如，當(dāng)用以往的使用掩模進(jìn)行曝光的方法在導(dǎo)電膜101Z上形成蝕刻抗蝕劑，進(jìn)而形成柵極電極線101時，如圖11所示，無論導(dǎo)電膜101Z的膜厚如何，都將形成預(yù)定的寬度GLW的柵極電極線101A、101B。因此，導(dǎo)電膜的膜厚為GLD1的區(qū)域PX1的柵極電極線101A的截面積GLD1×GLW1與導(dǎo)電膜的膜厚為GLD2的區(qū)域PX2的柵極電極線101B的截面積GLD2×GLW2不同，從而使得各柵極電極線的布線電阻產(chǎn)生差異。
因此，當(dāng)形成蝕刻抗蝕劑時，采用根據(jù)CAD布局?jǐn)?shù)據(jù)等數(shù)值數(shù)據(jù)在抗蝕劑膜上直接描繪圖案的方法。當(dāng)采用直接描繪圖案的方法時，例如，在透明基板100上形成導(dǎo)電膜101Z后，測量導(dǎo)電膜101Z的膜厚分布，并對數(shù)值數(shù)據(jù)進(jìn)行修正，使得加寬導(dǎo)電膜薄的區(qū)域的柵極電極線的寬度，減小膜厚厚的區(qū)域的寬度。然后，根據(jù)修正后的數(shù)值數(shù)據(jù)描繪圖案并形成蝕刻抗蝕劑。這時，數(shù)值數(shù)據(jù)例如如圖12所示，當(dāng)設(shè)區(qū)域PX1的柵極電極線101A的寬度為GLW1、區(qū)域PX2的柵極電極線101B的寬度為GLW2時，修正為GLW1＞GLW2。而且，這時，數(shù)值數(shù)據(jù)，例如，最好修正為區(qū)域PX1的柵極電極線101A的截面積GLD1×GLW1與區(qū)域PX2的柵極電極線101B的截面積GLD2×GLW2相等。此外，在圖12中，示出了僅比較2個區(qū)域PX1、PX2的修正例，但實際上在導(dǎo)電膜101Z的整個區(qū)域上測量膜厚，并將上述數(shù)值數(shù)據(jù)修正為與各區(qū)域的膜厚對應(yīng)的寬度。
于是，當(dāng)根據(jù)進(jìn)行了如上所述的修正的數(shù)值數(shù)據(jù)在導(dǎo)電膜101Z上形成蝕刻抗蝕劑，進(jìn)而形成柵極電極線101A、101B時，透明基板100上的所有柵極電極線的截面積大致相等，因而可以減小各柵極電極線的布線電阻的差異。
如果對這樣的柵極電極線的形成步驟進(jìn)行歸納，則如圖13所示。即，首先，如圖13所示，在透明基板100上形成柵極電極形成用的導(dǎo)電膜101Z(步驟601)。接著，測量成膜后的導(dǎo)電膜101Z的膜厚分布(步驟602)。然后，根據(jù)導(dǎo)電膜101Z的膜厚分布確定各柵極電極線101的寬度，并對描繪用的數(shù)值數(shù)據(jù)進(jìn)行修正(步驟603)。接著，在導(dǎo)電膜101Z上形成抗蝕劑膜，并用更新后的數(shù)值數(shù)據(jù)描繪圖案，在顯影后形成蝕刻抗蝕劑圖案(步驟604)。之后，對導(dǎo)電膜101Z進(jìn)行蝕刻而形成柵極電極線101，然后，將蝕刻抗蝕劑除去(步驟605)。按照上述的步驟，例如如圖12所示，可以使透明基板100上的所有柵極電極線的截面積大致相等。
另外，在按圖13所示的步驟形成了柵極電極線101后，可以按照與以往的TFT基板1的制造方法相同的步驟形成TFT元件和顯示電極107。
如上所述，根據(jù)本實施例的TFT基板1，由于透明基板100上的所有柵極電極線101的截面積GLD×GLW大致一定，因此各柵極電極線的布線電阻的差異很小。因此，使用了本實施例的TFT基板1的液晶顯示裝置，可以減小畫面上的像質(zhì)的差異。
而且，例如，通過按如圖13所示的步驟形成柵極電極線101，不需要像以往那樣在TFT基板1的整個區(qū)域上使導(dǎo)電膜的膜厚加厚、或使柵極電極線的寬度加寬，以使柵極電極線101的布線電阻小于或等于一定值，因而可以防止液晶顯示裝置的性能降低。
另外，在本實施例中，例如如圖6～圖8所示，給出了使透明基板100上的不同的柵極電極線101A、101B的布線電阻的差異降低的例子，但并不限于此，即使是膜厚在1條柵極電極線上存在差異等情況下，通過按本實施例的方法來形成，也能降低布線電阻的差異。
圖14～圖17是表示柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚產(chǎn)生差異的2個區(qū)域的關(guān)系的示意圖，圖14是數(shù)據(jù)電極線是公用的而柵極電極線不同時的圖。圖15是柵極電極線是公用的而數(shù)據(jù)電極線不同時的圖。圖16是柵極電極線和數(shù)據(jù)電極線都不同時的圖。圖17是數(shù)據(jù)電極線是公用的而柵極電極線不同時的另一例的圖。
比較透明基板100上的任意2個區(qū)域PX1、PX2的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚時，作為膜厚不同時產(chǎn)生的各區(qū)域PX1、PX2的位置關(guān)系，例如，首先如圖14所示，可以列舉出數(shù)據(jù)電極線102是公用的而柵極電極線101A、101B距離較大的位置關(guān)系。這時，例如，如果在透明基板100上形成的導(dǎo)電膜101Z的膜厚分布在y方向上產(chǎn)生差異，則區(qū)域PX1和區(qū)域PX2的膜厚不同。
除此以外，例如如圖15所示，2個區(qū)域PX1、PX2，在柵極電極線101是公用的而數(shù)據(jù)電極線102不同的位置關(guān)系中，膜厚有時也產(chǎn)生差異。在這種情況下，例如，也可以按照圖13所示的步驟修正數(shù)值數(shù)據(jù)，使得根據(jù)1條柵極電極線的x方向的膜厚的變化改變寬度，進(jìn)而形成柵極電極線101，由此可以減小1條柵極電極線內(nèi)的布線電阻的差異。
另外，例如如圖16所示，2個區(qū)域PX1、PX2，在柵極電極線101A、101B和數(shù)據(jù)電極線102都不同的位置關(guān)系中，膜厚有時也產(chǎn)生差異。在這種情況下，例如也可以按照圖13所示的步驟將數(shù)值數(shù)據(jù)修正為與各區(qū)域PX1、PX21的導(dǎo)電膜的膜厚對應(yīng)的寬度，進(jìn)而形成柵極電極線101A、101B，由此可以減小各區(qū)域PX1、PX21的柵極電極線101A、101B的布線電阻的差異。
另外，在圖14所示的例子中，具有數(shù)據(jù)電極線102相同而柵極電極線101A、101B不同、且2條柵極電極線101A、101B距離較大的位置關(guān)系，但并不限于此，例如如圖17所示，在2個區(qū)域PX1、PX2鄰接的情況下，膜厚有時也產(chǎn)生差異。在這種情況下，例如，也可以按照圖13所示的步驟將數(shù)值數(shù)據(jù)修正為與各區(qū)域PX1、PX21的導(dǎo)電膜的膜厚對應(yīng)的寬度，進(jìn)而形成柵極電極線101A、101B，由此可以減小各區(qū)域PX1、PX2的柵極電極線101A、101B的布線電阻的差異。
在以上的實施例中，說明了液晶顯示裝置的顯示區(qū)域內(nèi)的任意2個部位(2個像素)的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系。
以下，是以上述實施例為前提說明液晶顯示裝置的某特定的3個部位的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系的實施例。
這時，液晶顯示裝置的顯示板所采用的TFT基板1或?qū)χ没?等基板，例如，是從1塊玻璃母板切割出2塊基板、或切割出4塊基板而制造的。
圖18是表示從1塊玻璃母板切割出2塊基板時的構(gòu)成例如柵極電極線的金屬膜的膜厚分布的示意圖。實際上，如上所述，使用抗蝕劑膜將這樣的金屬膜形成為所要形狀的電極。
當(dāng)從1塊玻璃母板切割出2塊基板、即所謂的切取2塊時，如圖18所示，在玻璃母板7上，有2個作為基板切出的區(qū)域701、702。在這2個區(qū)域701、702上，例如分別形成結(jié)構(gòu)如圖2～圖5所示的TFT基板1。而且，在形成TFT基板1后，將2個區(qū)域701、702從玻璃母板7切出，形成顯示板。
在這種切取2塊的情況下，在玻璃母板7的各區(qū)域701、702上，為了形成多條第1布線(例如柵極電極線101)，首先形成金屬膜。其膜厚的分布，例如如圖18所示，可以用以玻璃母板7上的中心P為中心的同心圓BL1、BL2、BL3、BL4表示。這時，金屬膜的膜厚，按包含中心P的同心圓BL1的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL1的外側(cè)且為同心圓BL2的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL2的外側(cè)且為同心圓BL3的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL3的外側(cè)且為同心圓BL4的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的順序變薄。而且，在各區(qū)域中，金屬膜的膜厚也是隨著遠(yuǎn)離中心P而逐漸地變薄。同心圓BL4的外側(cè)的區(qū)域，金屬膜的膜厚也是隨著遠(yuǎn)離中心P而逐漸地變薄。這是因為在形成金屬膜時是用例如靶濺射法形成的緣故。另外，在用等離子體CVD法在基板上形成絕緣膜時，也可觀察到同樣的膜厚分布。
圖19是表示從1塊玻璃母板切割出4塊基板時的金屬膜的膜厚分布的示意圖。
當(dāng)從1塊玻璃母板切割出4塊基板、即所謂的切取4塊時，如圖19所示，在玻璃母板7上，有4個作為基板切出的區(qū)域711、712、713、714。在這4個區(qū)域711～714上，例如分別形成結(jié)構(gòu)如圖2～圖5所示的TFT基板1。而且，在形成TFT基板1后，將4個區(qū)域711～714從玻璃母板7切出，形成顯示板。
在這樣的切取4塊的情況下，當(dāng)在玻璃母板7的各區(qū)域711～714上形成金屬膜時，其膜厚的分布，例如如圖19所示，可以用以玻璃母板7上的中心P為中心的同心圓BL1、BL2、BL3、BL4表示。這時，金屬膜的膜厚，按包含中心P的同心圓BL1的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL1的外側(cè)且為同心圓BL2的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL2的外側(cè)且為同心圓BL3的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL3的外側(cè)且為同心圓BL4的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的順序變薄。而且，在各區(qū)域中，金屬膜的膜厚也是隨著遠(yuǎn)離中心P而逐漸地變薄。另外，同心圓BL4的外側(cè)的區(qū)域，金屬膜的膜厚也是隨著遠(yuǎn)離中心P而逐漸地變薄。
圖20是表示從1塊玻璃母板切割出6塊基板時的金屬膜的膜厚分布的示意圖。
當(dāng)從1塊玻璃母板切割出6塊基板、即所謂的切取6塊時，如圖20所示，在玻璃母板7上，有6個作為基板切出的區(qū)域721、722、723、724、725、726。在這6個區(qū)域721～726上，例如分別形成結(jié)構(gòu)如圖2～圖5所示的TFT基板1。而且，在形成TFT基板1后，將6個區(qū)域721～726從玻璃母板7切出，形成顯示板。
在這樣的切取6塊的情況下，當(dāng)在玻璃母板7的各區(qū)域721～726上形成金屬膜時，其膜厚的分布，例如如圖20所示，可以用以玻璃母板7上的中心P為中心的同心圓BL1、BL2、BL3、BL4表示。這時，金屬膜的膜厚，按包含中心P的同心圓BL1的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL1的外側(cè)且為同心圓BL2的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL2的外側(cè)且為同心圓BL3的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL3的外側(cè)且為同心圓BL4的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的順序變薄。而且，在各區(qū)域中，金屬膜的膜厚也是隨著遠(yuǎn)離中心P而逐漸地變薄。另外，同心圓BL4的外側(cè)的區(qū)域，金屬膜的膜厚也是隨著遠(yuǎn)離中心P而逐漸地變薄。
圖21是表示從1塊玻璃母板切割出15塊基板時的金屬膜的膜厚分布的示意圖。
當(dāng)從1塊玻璃母板切割出15塊基板、即所謂的切取15塊時，如圖21所示，在玻璃母板7上，有15個作為基板切出的區(qū)域731、732、733、734、735、736、737、738、739、740、741、742、743、744、745。在這15個區(qū)域731～745上，例如分別形成結(jié)構(gòu)如圖2～圖5所示的TFT基板1。而且，在形成TFT基板1后，將15個區(qū)域731～745從玻璃母板7切出，形成顯示板。
在這樣的切取15塊的情況下，當(dāng)在玻璃母板7的各區(qū)域731～745上形成金屬膜時，其膜厚的分布，例如如圖21所示，可以用以玻璃母板7上的中心P為中心的同心圓BL1、BL2、BL3、BL4表示。這時，金屬膜的膜厚，按包含中心P的同心圓BL 1的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL1的外側(cè)且為同心圓BL2的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL2的外側(cè)且為同心圓BL3的內(nèi)側(cè)的區(qū)域、同心圓BL3的外側(cè)且為同心圓BL4的內(nèi)側(cè)的區(qū)域的順序變薄。而且，在各區(qū)域中，金屬膜的膜厚也是隨著遠(yuǎn)離中心P而逐漸地變薄。另外，同心圓BL4的外側(cè)的區(qū)域，金屬膜的膜厚也是隨著遠(yuǎn)離中心P而逐漸地變薄。
此處，可以看出，如圖18～圖21所示，當(dāng)從1塊玻璃母板7進(jìn)行多塊切取時，所切割出的區(qū)域、即1塊基板上的金屬的膜厚分布，分為以下4種圖案。
第1種圖案，導(dǎo)電膜的膜厚分布，是如圖18中示出的區(qū)域701、圖21中示出的區(qū)域737、739的圖案。用圖22說明該第1種圖案的特征。
圖22是用于說明1塊基板上的金屬膜的膜厚分布的第1種圖案的示意圖。
在說明金屬膜的膜厚分布的第1種圖案時，如圖22所示，以切取2塊時的玻璃母板7的1個區(qū)域701為例。在圖22中，1011、1012是表示配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線，1021、1022是表示配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線。就是說，由該2條柵極電極線1011、1012和2條數(shù)據(jù)電極線1021、1022圍成的區(qū)域，是本發(fā)明中所說的顯示區(qū)域(就本發(fā)明而言為矩形的顯示區(qū)域)。另外，在該顯示區(qū)域內(nèi)，配置有未圖示的多條柵極電極線、配置在顯示區(qū)域的中央部的數(shù)據(jù)電極線1023和未圖示的多條數(shù)據(jù)電極線。
在第1種圖案中，圖22所示的區(qū)域701內(nèi)的顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線1012的中央部分、即與數(shù)據(jù)電極線1023相交的點C1處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C2處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)電極線1021與顯示區(qū)域的另一邊的最外側(cè)的柵極電極線1011相交的點C3處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
本發(fā)明這樣的顯示裝置在基板上配置了多條柵極電極線、在其上配置了絕緣膜、在該絕緣膜之上與多條柵極電極線相交地配置了多條數(shù)據(jù)電極線，在這樣的顯示裝置的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系中，當(dāng)設(shè)基板(區(qū)域701)的顯示區(qū)域內(nèi)的最外側(cè)的柵極電極線的中央的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，該最外側(cè)的柵極電極線與顯示區(qū)域的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線相交的部位的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，該數(shù)據(jù)電極線與顯示區(qū)域的相反一側(cè)的最外側(cè)的柵極電極線相交的部位的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，存在著t1＞t2＞t3的關(guān)系、且具有w1＜w2＜w3的關(guān)系。這就是第1種圖案的金屬膜、即柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系的特征。
在這種情況下，最好構(gòu)成為各部位的乘積t1×w1與t2×w2、t3×w3相等。
整理第1種圖案的顯示裝置的特征，則在該顯示裝置中，在基板上配置有例如柵極電極線那樣的多條第1電極線、在該多條第1電極線的上方隔著例如柵極絕緣膜那樣的絕緣膜交叉地配置的例如數(shù)據(jù)電極線那樣的多條第2電極線，由該多條第1電極線和多條第2電極線形成矩形的顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域內(nèi)的第1電極線和第2電極線相交的任意的3個部位中，當(dāng)設(shè)第1部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，第2部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，第3部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，在膜厚的關(guān)系為t1＞t2＞t3的情況下，寬度的關(guān)系為w1＜w2＜w3，第1部位是配置在顯示區(qū)域的最上側(cè)的第1電極線的中央部，第2部位是最上側(cè)的第1電極線與配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的第2電極線相交的部位，第3部位是第2部位的第2電極線與配置在顯示區(qū)域的最下側(cè)的第1電極線相交的部位。
另外，有時第1部位是配置在顯示區(qū)域的最下側(cè)的第1電極線的中央部，第2部位是最下側(cè)的第1電極線與在顯示區(qū)域的最外側(cè)配置的第2電極線相交的部位，第3部位是第2部位的第2電極線與在顯示區(qū)域的最上側(cè)配置的第1電極線相交的部位。
此外，在圖22中，作為第1種圖案的例子，列舉了切取2塊的情況，但不言而喻，圖21中示出的切取15塊時的區(qū)域737、739也具有同樣的關(guān)系(特征)。
在具有這種關(guān)系的顯示板中，可以降低像質(zhì)的不均勻。
接著，說明第2種圖案。第2種圖案的導(dǎo)電膜的膜厚分布，是如圖20所示的區(qū)域722、725、圖21所示的區(qū)域732、735、741、744的圖案。用圖23說明該第2種圖案的特征。
圖23是用于說明1塊基板上的導(dǎo)電膜的膜厚分布的第2種圖案的示意圖。
在說明金屬膜的膜厚分布的第2種圖案時，如圖23所示，以切取6塊時的玻璃母板7的1個區(qū)域722為例。在圖23中，1011、1012表示配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線，1021、1022表示配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線。就是說，由該2條柵極電極線1011、1012和2條數(shù)據(jù)電極線1021、1022圍成的區(qū)域，是本發(fā)明中所說的顯示區(qū)域。另外，在該顯示區(qū)域內(nèi)，配置有在顯示區(qū)域的中央部配置的柵極電極線1013、未圖示的多條柵極電極線和未圖示的多條數(shù)據(jù)電極線。
在第2種圖案中，圖23所示的區(qū)域722內(nèi)的顯示區(qū)域的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1022的中央部分、即與柵極電極線1013相交的點C1處的構(gòu)成柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與最外側(cè)的柵極電極線1012相交的點C2處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的柵極電極線1012與顯示區(qū)域的另一邊的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C3處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
本發(fā)明這樣的顯示裝置，在基板上配置有多條柵極電極線、在其上配置有絕緣膜、在該絕緣膜之上與多條柵極電極線交叉地配置有多條數(shù)據(jù)電極線，在這樣的顯示裝置的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系中，當(dāng)設(shè)基板(區(qū)域722)的顯示區(qū)域內(nèi)的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線的中央的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，該最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線與顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線相交的部位的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，該柵極電極線與顯示區(qū)域的相反一側(cè)的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線相交的部位的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，存在著t1＞t2＞t3的關(guān)系、且具有w1＜w2＜w3的關(guān)系。這就是第2種圖案的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系的特征。
在這種情況下，最好構(gòu)成為各部位的乘積t1×w1、t2×w2、t3×w3相等。
整理第2種圖案的顯示裝置的特征，則在該顯示裝置中，在基板上配置有例如柵極電極線那樣的多條第1電極線、在該多條第1電極線的上方隔著例如柵極絕緣膜那樣的絕緣膜交叉地配置的例如數(shù)據(jù)電極線那樣的多條第2電極線，由該多條第1電極線和多條第2電極線形成矩形的顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域內(nèi)的第1電極線和第2電極線相交的任意的3個部位中，當(dāng)設(shè)第1部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，第2部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，第3部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，在膜厚的關(guān)系為t1＞t2＞t3的情況下，寬度的關(guān)系為w1＜w2＜w3，第1部位是配置在顯示區(qū)域的最左側(cè)的第2電極線的中央部，第2部位是最左側(cè)的第2電極線與配置在顯示區(qū)域的最上側(cè)或最下側(cè)的第1電極線相交的部位，第3部位是第2部位的第1電極線與配置在顯示區(qū)域的最右側(cè)的第2電極線相交的部位。
另外，有時第1部位是配置在顯示區(qū)域的最右側(cè)的第2電極線的中央部，第2部位是最右側(cè)的第2電極線與在顯示區(qū)域的最上側(cè)或最下側(cè)配置的第1電極線相交的部位，第3部位是第2部位的1電極線與在顯示區(qū)域的最左側(cè)配置的第2電極線相交的部位。
此外，在圖23中，作為第2種圖案的例子列舉了切取6塊的情況，但不言而喻，圖21所示的切取15塊時的區(qū)域732、735、741、744也具有同樣的關(guān)系(特征)。
在具有這種關(guān)系的顯示板中，可以降低像質(zhì)的不均勻。
接著，說明第3種圖案。第3種圖案的導(dǎo)電膜的膜厚分布，是如圖19所示的區(qū)域711、712、713、714、圖20所示的區(qū)域721、723、724、726、圖21所示的區(qū)域731、733、734、736、740、742、743、745的圖案。用圖24說明該第3種圖案的特征。
圖24是用于說明1塊基板上的導(dǎo)電膜的膜厚分布的第3種圖案的示意圖。
在說明金屬膜的膜厚分布的第3種圖案時，如圖24所示，以切取4塊時的玻璃母板7的1個區(qū)域711為例。在圖24中，1011、1012表示配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線，1021、1022表示配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線。就是說，由該2條柵極電極線1011、1012和2條數(shù)據(jù)電極線1021、1022圍成的區(qū)域，是本發(fā)明中所說的顯示區(qū)域。另外，在該顯示區(qū)域內(nèi)，配置有未圖示的多條柵極電極線、未圖示的多條數(shù)據(jù)電極線。
在第3種圖案中，圖24所示的區(qū)域711內(nèi)的顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線1012與數(shù)據(jù)電極線1022相交的點C1(角部)處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與另一邊的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C2處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的位于與點C1成對角的位置的點C3處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
本發(fā)明這樣的顯示裝置，在基板上配置有多條柵極電極線、在其上配置有絕緣膜、在該絕緣膜上與多條柵極電極線交叉地配置有多條數(shù)據(jù)電極線，在這樣的顯示裝置的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系中，當(dāng)設(shè)基板(區(qū)域711)的顯示區(qū)域內(nèi)的最外側(cè)的柵極電極線與數(shù)據(jù)電極線相交的部位(即某個角部)的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，從該角部延伸的柵極電極線與數(shù)據(jù)電極線相交的部位的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，顯示區(qū)域的位于與柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1的部位成對角的位置的部位的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，存在著t1＞t2＞t3的關(guān)系、且具有w1＜w2＜w3的關(guān)系。這就是第3種圖案的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系的特征。
在這種情況下，最好構(gòu)成為各部位的乘積t1×w1、t2×w2、t1×w1相等。
整理第3種圖案的顯示裝置的特征，則在該顯示裝置中，在基板上配置有例如柵極電極線那樣的多條第1電極線、在該多條第1電極線的上方隔著例如柵極絕緣膜那樣的絕緣膜交叉地配置的例如數(shù)據(jù)電極線那樣的多條第2電極線，由該多條第1電極線和多條第2電極線形成矩形的顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域內(nèi)的第1電極線和第2電極線相交的任意的3個部位中，當(dāng)設(shè)第1部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，第2部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，第3部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，在膜厚的關(guān)系為t1＞t2＞t3的情況下，寬度的關(guān)系為w1＜w2＜w3，該3個部位是配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的2條第1電極線與配置在最外側(cè)的2條第2電極線相交的4個部位中的任意3個部位。更詳細(xì)地說，第1部位和第3部位，位于顯示區(qū)域中的對角位置。
此外，在圖24中，作為第3種圖案的例子列舉了切取4塊時的1個區(qū)域711，但在切取4塊的情況下，其余的區(qū)域712～714也具有同樣的關(guān)系(特征)。另外，并不限于切取4塊的情況，圖20所示的切取6塊時的區(qū)域721、723、724、726、圖21所示的切取15塊時的區(qū)域731、733、734、736、740、742、743、745，也具有同樣的關(guān)系(特征)。
在具有這樣的關(guān)系的顯示板中，可以降低像質(zhì)的不均勻。
最后，說明第4種圖案。第4種圖案的導(dǎo)電膜的膜厚分布是圖21所示的區(qū)域738的圖案。用圖25說明該第4種圖案的特征。
圖25是用于說明1塊基板上的導(dǎo)電膜的膜厚分布的第4種圖案的示意圖。
在說明金屬膜的膜厚分布的第4種圖案時，如圖25所示，以切取15塊時的玻璃母板7的1個區(qū)域738為例。在圖25中，1011、1012表示配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線，1021、1022表示配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線。就是說，由該2條柵極電極線1011、1012和2條數(shù)據(jù)電極線1021、1022圍成的區(qū)域，是本發(fā)明中所說的顯示區(qū)域。另外，在該顯示區(qū)域內(nèi)，除了配置在顯示區(qū)域的中央部的柵極電極線1013、與柵極電極線1013交叉地同樣配置在顯示區(qū)域的中央部的數(shù)據(jù)電極線1023之外，還配置有未圖示的多條柵極電極線和未圖示的多條數(shù)據(jù)電極線。
在第4種圖案中，圖25所示的區(qū)域738內(nèi)的顯示區(qū)域的中心C1(即柵極電極線1013與數(shù)據(jù)電極線1023相交的部位)處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與柵極電極線1012相交的點C2處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線1012與數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C3(角部)處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
本發(fā)明這樣的顯示裝置，在基板上配置有多條柵極電極線、在其上配置有絕緣膜、在該絕緣膜之上與多條柵極電極線交叉地配置有多條數(shù)據(jù)電極線，在這樣的顯示裝置的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系中，當(dāng)設(shè)基板(區(qū)域738)的顯示區(qū)域的中心部(點C1)的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，該中心部的數(shù)據(jù)電極線與最外側(cè)的柵極電極線相交的部位的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，顯示區(qū)域的角部的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，存在著t1＞t2＞t3的關(guān)系、且具有w1＜w2＜w3的關(guān)系。這就是第4種圖案的導(dǎo)電膜的膜厚與寬度的關(guān)系的特征之一。
在這種情況下，最好構(gòu)成為各部位的乘積t1×w1、t2×w2、t3×w3相等。
整理第4種圖案的顯示裝置的特征，則在該顯示裝置中，在基板上配置有例如柵極電極線那樣的多條第1電極線、在該多條第1電極線的上方隔著例如柵極絕緣膜那樣的絕緣膜交叉地配置的例如數(shù)據(jù)電極線那樣的多條第2電極線，由該多條第1電極線和多條第2電極線形成矩形的顯示區(qū)域，在顯示區(qū)域內(nèi)的第1電極線和第2電極線相交的任意的3個部位中，當(dāng)設(shè)第1部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，第2部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，第3部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，在膜厚的關(guān)系為t1＞t2＞t3的情況下，寬度的關(guān)系為w1＜w2＜w3，第1部位是顯示區(qū)域的中央部的第1電極線與第2電極線相交的部位，第2部位是最上側(cè)或最下側(cè)的第1電極線與在第1部位相交的第2電極線相交的部位，第3部位是第2部位的第1電極線與配置在顯示區(qū)域的最外側(cè)的第2電極線相交的部位。
此外，在圖25中，作為第4種圖案的例子列舉了切取15塊時的1個區(qū)域738，但不言而喻，并不限于切取15塊的情況，例如，在3塊×3塊的切取9塊時的中央?yún)^(qū)域，也具有同樣的關(guān)系(特征)。
在具有這樣的關(guān)系的顯示板中，可以降低像質(zhì)的不均勻。
此外，該顯示板可以用與上述實施例中所述的方法相同的方法制作。
另外，上述的實施例，以柵極電極線為例進(jìn)行了說明，但是，當(dāng)面內(nèi)的布線或電極的厚度存在差異時，通過改變布線寬度或電極寬度進(jìn)行調(diào)整的發(fā)明思想，并不限于柵極電極線，也可以應(yīng)用于其它的布線、電極。
例如，上述的圖3示出了各像素的結(jié)構(gòu)，配置在該各像素內(nèi)的布線也可以如下這樣構(gòu)成像柵極電極線那樣在大塊的玻璃母板上用等離子體CVD法形成各布線或作為電極的基礎(chǔ)的金屬膜，因此，與柵極電極線同樣地具有圖18～圖25所示的金屬膜的分布。
在圖3中，關(guān)于例如數(shù)據(jù)電極線102，也具有與對柵極電極線說明過的相同的金屬膜的分布，因此，在第1種圖案的情況下，顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線1012的中央部分、即與數(shù)據(jù)電極線1023相交的點C1處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C2處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)電極線1021與顯示區(qū)域的另一邊的最外側(cè)的柵極電極線1011相交的點C3處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
在第2種圖案的情況下，顯示區(qū)域的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1022的中央部分、即與柵極電極線1013相交的點C1處的構(gòu)成數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與最外側(cè)的柵極電極線1012相交的點C2處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的柵極電極線1012與顯示區(qū)域的另一邊的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C3處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
在第3種圖案的情況下，顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線1012與數(shù)據(jù)電極線1022相交的點C1(角部)處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與另一邊的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C2處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的位于與點C1成對角的位置的點C3處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
在第4種圖案的情況下，顯示區(qū)域的中心C1(即柵極電極線1013與數(shù)據(jù)電極線1023相交的部位)處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與柵極電極線1012相交的點C2處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的最外側(cè)的柵極電極線1012與數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C3(角部)處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的數(shù)據(jù)電極線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
圖26表示與圖3不同的像素結(jié)構(gòu)，與柵極電極線GL平行地配置有存儲線SL。此外，圖27是圖26的A-A’線剖視圖。而圖28是圖26的B-B’線剖視圖。
簡單地說明圖26的像素結(jié)構(gòu)。在圖26中，與由2條數(shù)據(jù)電極線DL和2條柵極電極線GL圍成的區(qū)域?qū)?yīng)地構(gòu)成像素，與上側(cè)的柵極電極線GL平行地配置有存儲線SL。而且，在與柵極電極線GL和數(shù)據(jù)電極線DL的交叉部對應(yīng)的部位形成有晶體管，并配置有通過通孔TH2與該晶體管連接的源極電極線SoL2，還配置有通過通孔TH3與該晶體管連接的像素電極ST。公共電極CT與像素電極ST交替配置，形成梳齒狀，公共電極CT層疊地配置在柵極電極線GL、數(shù)據(jù)電極線DL以及存儲電極線SL的上部。另外，在柵極電極線GL和存儲電極線SL的上部的一部分上還層疊地配置有反射層RF。圖27示出了圖26的A-A’線剖視圖，由該A-A’線剖視圖示出的結(jié)構(gòu)形成輔助電容形成部。將與形成晶體管的半導(dǎo)體層連接的導(dǎo)電層SoL1配置在從存儲電極線SL延伸的StgL部分的下部，并將源極電極線SoL2配置在StgL部分的上部，由此形成輔助電容。此外，在輔助電容的上部，層疊地配置有像素電極。圖28是圖26的B-B’線剖視圖，示出了柵極電極線GL、數(shù)據(jù)電極線DL、存儲電極線SL、以及晶體管部的剖面。如圖28所示，公共電極CT層疊配置在柵極電極線GL和存儲電極線SL的上部，在存儲電極線SL的上部的公共電極CT的下層部分還配置有反射層RF。另外，在數(shù)據(jù)電極線DL的上部，與該數(shù)據(jù)電極線層疊地配置有反射層RF和覆蓋該反射層的公共電極CT。晶體管部分是在柵極電極線GL的下部，以跨越柵極電極線GL的形式配置半導(dǎo)體層Psi而形成的。
關(guān)于該存儲線SL，也可以像柵極電極線那樣在大塊的玻璃母板上用例如靶濺射法形成各布線或作為電極的基礎(chǔ)的金屬膜，因此，與柵極電極線同樣地具有圖18～圖25所示的金屬膜的分布。以下，如圖26所示，以在各像素中與柵極電極線平行地配置存儲線的結(jié)構(gòu)為前提進(jìn)行說明。
如圖26所示，例如關(guān)于存儲線SL，也具有與對柵極電極線說明過的相同的金屬膜的分布，因此，在第1種圖案的情況下，顯示區(qū)域內(nèi)的與最外側(cè)的柵極電極線1012對應(yīng)的存儲線的中央部分、即與數(shù)據(jù)電極線1023相交的點C1處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C2處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，和顯示區(qū)域的數(shù)據(jù)電極線1021與顯示區(qū)域的另一邊的最外側(cè)的柵極電極線1011相交的像素對應(yīng)的存儲線，其與數(shù)據(jù)電極線相交的點C3處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
在第2種圖案的情況下，顯示區(qū)域的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1022的中央部分、即與存儲線相交的點C1處的成為存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與最外側(cè)的存儲線相交的點C2處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的存儲線與顯示區(qū)域的另一邊的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C3處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
在第3種圖案的情況下，顯示區(qū)域內(nèi)的與最外側(cè)的柵極電極線1012對應(yīng)的存儲線與數(shù)據(jù)電極線1022相交的點C1(角部)處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與另一邊的最外側(cè)的數(shù)據(jù)電極線1021相交的點C2處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的位于與點C1成對角的位置的點C3處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
在第4種圖案的情況下，顯示區(qū)域的中心C1(即存儲線與數(shù)據(jù)電極線1023相交的部位)處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t1最厚。從顯示區(qū)域的點C1延伸而與存儲線相交的點C2處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t2，比點C1處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t1薄。而且，顯示區(qū)域的最外側(cè)的存儲線與數(shù)據(jù)電極線1022相交的點C3(角部)處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t3，比點C2處的存儲線的導(dǎo)電膜的膜厚t2薄。
另外，例如在圖26所示的所謂IPS方式的液晶顯示裝置中，與配置在TFT基板側(cè)的各像素的公共電極連接的公共布線，配置成與例如柵極電極線平行。因此，即使是公共布線，也可以與上述的存儲線相同。
到此為止說明過的實施例，限于圖13中所述的情況，即，想要的柵極電極線的寬度與通過對導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻并形成柵極電極線后將抗蝕劑除去(步驟605)而形成的柵極電極線的寬度一致。上述想要的柵極電極線的寬度是通過測量成膜后的導(dǎo)電膜的膜厚分布(步驟602)，根據(jù)導(dǎo)電膜的各區(qū)域的膜厚確定柵極電極線的寬度并對描繪用數(shù)據(jù)進(jìn)行修正(以使各柵極電極線的截面積相等步驟603)而得到的。
以下說明的實施例，對蝕刻量因圖13的步驟605中的蝕刻導(dǎo)電膜的處理而存在面內(nèi)差異，從而不均勻的情況進(jìn)行說明。
在圖13所示的制造工序中，在步驟605中形成的電極線的寬度有時偏離在步驟603中得到的想要的柵極電極線的寬度。
在圖29中，關(guān)于位于對角長為80cm的TFT陣列的頂點的2個像素PX1、PX2，盡管使柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚大致一致，但位于對角的柵極電極線的導(dǎo)電膜的寬度GLW2，在布線寬度上形成得比GLW1粗2.6μm。用圖13說明這種情況，由于在步驟602中PX1和PX2的柵極電極線的導(dǎo)電膜膜厚測量結(jié)果相同，因此在步驟603中確定的PX1、PX2的想要的柵極電極線的寬度相同，盡管這樣，但由步驟605的對導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻的處理而得到的蝕刻量，在面內(nèi)產(chǎn)生差異，結(jié)果，可以看到布線寬度GLW2形成得比布線寬度GLW1粗2.6μm。
當(dāng)圖13中的對導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻的處理的蝕刻量的變化在面內(nèi)是連續(xù)的變化過程時，可以認(rèn)為位于圖29的TFT陣列的對角位置的PX1和PX2的位置的蝕刻量差是面內(nèi)的最大值，估計上述最大值為2.6μm。在圖29中，如果PX1和PX2中的一者，在圖13的步驟603中得到的想要的柵極電極線的寬度與在步驟605中形成的電極線的寬度一致，則另一者在圖13的步驟603中得到的想要的柵極電極線的寬度與在步驟605中形成的電極線的寬度將相差2.6μm。在上述圖29的對角長為80cm的TFT陣列的任意的像素中，在圖13的步驟603中得到的想要的柵極電極線的寬度與在步驟605中形成的柵極電極線的寬度之差的最大值小于或等于2.6μm。
因此，在圖29所示的TFT陣列內(nèi)，相距TFTL(cm)的2個像素PX1和PX2的柵極電極線的寬度差，即使成膜的厚度在PX1和PX2處相同，也可能最大相差(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm)，因此，即使按圖13所示的制造工序加工柵極電極線，使得2個像素PX1和PX2的布線電阻保持一定，作為蝕刻差異也必須考慮所形成的柵極電極線會產(chǎn)生與最大為(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm)的柵極電極線的寬度差對應(yīng)的誤差。
在具有圖26～圖28所示的像素結(jié)構(gòu)的對角長為TFTL(cm)的TFT陣列中，關(guān)于圖9中示出的2個像素PX1和PX2，如圖10所示，當(dāng)形成柵極電極線的導(dǎo)電膜時，PX2形成得比PX1厚。
如圖30所示，對角長為TFTL(cm)的TFT陣列上的像素PX2的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD2大于像素PX1的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD1，更新CAD布局?jǐn)?shù)據(jù)，使得PX1的柵極電極線的線寬GLW1大于PX2的柵極電極線的線寬GLW2，并通過直接描繪而形成布線，結(jié)果，GLW1＞GLW2-(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm)，因而如果考慮蝕刻量差異就能使布線電阻保持一定。
另外，在圖31中，對角長為TFTL(cm)的TFT陣列上的像素PX2的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD2大于像素PX1的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD1，更新CAD布局?jǐn)?shù)據(jù)，使得PX1和PX2的掃描線截面積相同，并通過直接描繪而形成布線，結(jié)果，GLD1×(GLW1-(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm))＜GLD2×GLW2＜GLD1×(GLW1+(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm))，也可以看到，如果考慮蝕刻量差異就能使布線電阻保持一定。
如圖32所示，對選取該TFT陣列的PX1的柵極電極線的柵極電極線長GRL部分并將與柵極電極線方向正交的2個截面作為兩端的電阻值GLR1、和選取PX2的柵極電極線的柵極電極線長GRL部分并將與柵極電極線方向正交的2個截面作為兩端的電阻值GLR2進(jìn)行測量，結(jié)果，GLR1×(1-(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm)÷GLW1(μm))＜GLR2＜GLR1×(1+(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm)÷GLW1(μm))，因而確認(rèn)了如果考慮蝕刻量差異就能使布線電阻保持一定。柵極電極線長GRL，如圖32所示，是位于PX1或PX2的兩端的信號線寬度的二等分線位置之間的距離。
柵極電極線的截面形狀，如圖33、圖34所示，不是矩形，而是上邊比下邊窄的梯形形狀。這時，如圖33所示，如果按梯形形狀的下邊長度測量像素PX1的柵極電極線的線寬GLW1，則使像素PX2的柵極電極線的線寬GLW2為梯形形狀的下邊長度。或者，如圖34所示，如果按梯形形狀的上邊長度測量像素PX1的柵極電極線的線寬GLW1，則使像素PX2的柵極電極線的線寬GLW2為梯形形狀的上邊長度。
關(guān)于柵極電極線的結(jié)構(gòu)，給出另一例子。柵極電極線的截面，如圖35、圖36所示，有時由3層構(gòu)成，即、在每單位長度的電阻值小的導(dǎo)電層的上下具有以提高與厚度薄的上下層的粘結(jié)力為目的粘結(jié)層。
這時，如圖35所示，如果按3層合計的厚度測量像素PX1的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD1，則使像素PX2的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD2為3層合計的厚度?；蛘?，如圖36所示，如果按導(dǎo)電層的厚度測量像素PX1的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD1，則使像素PX2的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚GLD2為導(dǎo)電層的厚度。
以上以柵極電極線為例進(jìn)行了說明，但對于數(shù)據(jù)電極線、存儲線、公共電極線可以說也是相同的。
在此說明本發(fā)明的另一實施方式，本發(fā)明的具有TFT陣列的液晶顯示裝置，關(guān)于對角長為TFTL(cm)的TFT陣列上的任意2個像素，布線厚度薄的像素的布線寬度，在從布線厚度厚的像素的布線寬度減去(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm)而得到的值以上。
再說明另外的一個實施方式，本發(fā)明的具有TFT陣列的液晶顯示裝置，關(guān)于對角長為TFTL(cm)的TFT陣列上的任意2個像素，從其中一個像素的布線截面積除以另一個像素的布線截面積所得到的值中減去1后得到的值的絕對值，在(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm)除以布線寬度得到的值以下。
再說明又一個另外的實施方式，本發(fā)明的具有TFT陣列的液晶顯示裝置，關(guān)于對角長為TFTL(cm)的TFT陣列上的任意2個像素，從其中一個像素的布線電阻值除以另一個像素的布線電阻值所得到的值中減去1后得到的值的絕對值，在(2.6μm÷80cm)×TFTL(cm)除以布線寬度得到的值以下。
以上，根據(jù)實施例對本發(fā)明進(jìn)行了具體的說明，但不言而喻，本發(fā)明并不限于實施例，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)，可以進(jìn)行各種變更。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括TFT基板，其在透明基板上設(shè)置有柵極電極線、數(shù)據(jù)電極線、源極電極、柵極絕緣膜、非晶硅(a-Si)膜和顯示電極，由上述柵極電極線、從上述數(shù)據(jù)電極線分支出的漏極電極、上述源極電極、上述柵極絕緣膜和上述非晶硅膜構(gòu)成的TFT(Thin Film Transistor)配置成陣列狀；與上述TFT基板的設(shè)置有上述TFT的面相對地配置的對置基板；以及充填在上述TFT基板和上述對置基板之間的液晶材料；其中，當(dāng)設(shè)上述TFT基板的第1區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚和寬度分別為GLD1和GLW1、與上述第1區(qū)域不同的第2區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚和寬度分別為GLD2和GLW2時，滿足以下關(guān)系當(dāng)GLD1＜GLD2時，GLW1＞GLW2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于上述第1區(qū)域的柵極電極線的截面積GLD1×GLW1，與上述第2區(qū)域的柵極電極線的截面積GLD2×GLW2相等。
3.一種顯示裝置，在基板上配置有多條第1電極線、和在該多條第1電極線的上方隔著絕緣膜交叉地配置的多條第2電極線，由該多條第1電極線和該多條第2電極線形成矩形的顯示區(qū)域，其中，在上述顯示區(qū)域內(nèi)的第1電極線和第2電極線相交的任意的3個部位中，當(dāng)設(shè)第1部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，第2部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，第3部位的第1電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，在膜厚的關(guān)系為t1＞t2＞t3的情況下，寬度的關(guān)系為w1＜w2＜w3。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于t1和w1的乘積、t2和w2的乘積、t3和w3的乘積相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是配置在上述顯示區(qū)域的最上側(cè)的第1電極線的中央部；上述第2部位是該最上側(cè)的第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最外側(cè)的第2電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的上述第2電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最下側(cè)的第1電極線相交的部位。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是配置在上述顯示區(qū)域的最下側(cè)的第1電極線的中央部；上述第2部位是該最下側(cè)的第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最外側(cè)的第2電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的上述第2電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最上側(cè)的第1電極線相交的部位。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是配置在上述顯示區(qū)域的最左側(cè)的第2電極線的中央部；上述第2部位是該最左側(cè)的第2電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最上側(cè)或最下側(cè)的第1電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最右側(cè)的第2電極線相交的部位。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是配置在上述顯示區(qū)域的最右側(cè)的第2電極線的中央部；上述第2部位是該最右側(cè)的第2電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最上側(cè)或最下側(cè)的第1電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的上述第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最左側(cè)的第2電極線相交的部位。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于上述3個部位是配置在上述顯示區(qū)域的最外側(cè)的2條第1電極線與配置在最外側(cè)的2條第2電極線相交的4個部位中的任意3個部位。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位和上述第3部位，位于上述顯示區(qū)域中的對角。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是上述顯示區(qū)域的中央部的第1電極線與第2電極線相交的部位；上述第2部位是最上側(cè)或最下側(cè)的第1電極線與在上述第1部位相交的上述第2電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的上述第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最外側(cè)的第2電極線相交的部位。
12.一種顯示裝置，在基板上配置有多條第1電極線、和在該多條第1電極線的上方隔著絕緣膜交叉地配置的多條第2電極線，由該多條第1電極線和該多條第2電極線形成矩形的顯示區(qū)域，其中，在上述顯示區(qū)域內(nèi)的第1電極線和第2電極線相交的任意的3個部位中，當(dāng)設(shè)第1部位的第2電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t1、寬度為w1，第2部位的第2電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t2、寬度為w2，第3部位的第2電極線的導(dǎo)電膜的膜厚為t3、寬度為w3時，在膜厚的關(guān)系為t1＞t2＞t3的情況下，寬度的關(guān)系為w1＜w2＜w3。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于t1和w1的乘積、t2和w2的乘積、t3和w3的乘積相等。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是配置在上述顯示區(qū)域的最上側(cè)的第1電極線的中央部；上述第2部位是該最上側(cè)的第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最外側(cè)的第2電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的上述第2電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最下側(cè)的第1電極線相交的部位。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是配置在上述顯示區(qū)域的最下側(cè)的第1電極線的中央部；上述第2部位是該最下側(cè)的第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最外側(cè)的第2電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的上述第2電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最上側(cè)的第1電極線相交的部位。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是配置在上述顯示區(qū)域的最左側(cè)的第2電極線的中央部；上述第2部位是該最左側(cè)的第2電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最上側(cè)或最下側(cè)的第1電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最右側(cè)的第2電極線相交的部位。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是配置在上述顯示區(qū)域的最右側(cè)的第2電極線的中央部；上述第2部位是該最右側(cè)的第2電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最上側(cè)或最下側(cè)的第1電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最左側(cè)的第2電極線相交的部位。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于上述3個部位是配置在上述顯示區(qū)域的最外側(cè)的2條第1電極線與配置在最外側(cè)的2條第2電極線相交的4個部位中的任意3個部位。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位和上述第3部位，位于上述顯示區(qū)域中的對角。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于上述第1部位是上述顯示區(qū)域的中央部的第1電極線與第2電極線相交的部位；上述第2部位是最上側(cè)或最下側(cè)的第1電極線與在上述第1部位相交的上述第2電極線相交的部位；上述第3部位是上述第2部位的上述第1電極線與配置在上述顯示區(qū)域的最外側(cè)的第2電極線相交的部位。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包括TFT電路在透明基板上配置成陣列狀的TFT基板；與TFT基板的設(shè)置有TFT的面相對地配置的對置基板；充填在TFT基板和對置基板之間的液晶材料；當(dāng)設(shè)TFT基板的第1區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚和寬度分別為GLD1和GLW1、與上述第1區(qū)域不同的第2區(qū)域的柵極電極線的導(dǎo)電膜的膜厚和寬度分別為GLD2和GLW2時，滿足以下關(guān)系當(dāng)GLD1＜GLD2時，GLW1＞GLW2。由此，可以使TFT液晶顯示裝置的畫面上的像質(zhì)均勻化。
文檔編號G02F1/133GK1834759SQ200610065098
公開日2006年9月20日 申請日期2006年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月17日
發(fā)明者大原健, 大井田淳, 齊藤裕, 仲吉良彰 申請人:株式會社日立顯示器