專利名稱：半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)(Pixel Structure)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種能夠提高薄膜晶體管液晶顯示器(TFTLCD)對于背光源利用率的半穿透半反射(Transflective)液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
自從第一臺以陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)為工作模式的黑白電視機發(fā)明以來，顯示技術(shù)便以飛快的速度不斷演進。然而，由于此種以陰極射線管模式工作的顯示器具有體積大、重量重、輻射量高及像質(zhì)較差等缺點，因此便不斷的開發(fā)出新的平面顯示技術(shù)。在這些平面顯示技術(shù)中，又以具有輕薄短小、省電、無輻射、全彩及方便攜帶等優(yōu)點的液晶顯示器技術(shù)最為純熟且普及化。舉凡手機、語言翻譯機、數(shù)位相機、數(shù)位攝影機、個人數(shù)位助理(PDA)、筆記型電腦甚至于桌上型顯示器都有其應(yīng)用范圍。
一般薄膜晶體管液晶顯示器可分為穿透式、反射式，以及半穿透半反射式三大類，其分類的依據(jù)在于光源的利用以及陣列基板(array)的差異。其中，穿透式的薄膜晶體管液晶顯示器(transmissive TFT-LCD)主要是以背光源(backlight)作為光源，其薄膜晶體管陣列基板上的像素電極為透明電極以利背光源穿透；反射式薄膜晶體管液晶顯示器(reflective TFT-LCD)主要是以前光源(front-light)或是外界光源作為光源，其薄膜晶體管陣列基板上的像素電極為金屬或其他具有良好反射特性材料的反射電極，適于將前光源或是外界光源反射；而半穿透半反射式薄膜晶體管液晶顯示器則可視為穿透式薄膜晶體管液晶顯示器與反射式薄膜晶體管液晶顯示器的整合架構(gòu)，其可以同時利用背光源以及前光源或外界光源以進行顯示。
就現(xiàn)今的半穿透半反射式薄膜晶體管液晶顯示器而言，在其制作時通常會將反射層的表面設(shè)計為不規(guī)則狀，使反射光的分布范圍較大。然而，為了形成反射層的不規(guī)則表面，卻增加了制程成本。再者，當(dāng)背光源提供光線予薄膜晶體管液晶顯示面板時，入射光若照射在透明層上可具有良好的穿透效果，而入射光若照射在反射層上則會無法穿透，造成了薄膜晶體管液晶顯示器對于背光模組所提供的光源利用率低。

發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其可以增加薄膜晶體管液晶顯示器對于背光源的利用率。
本發(fā)明的再一目的是提供一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其可以增加薄膜晶體管液晶顯示器對于背光源的利用率。
基于上述目的，本發(fā)明提出一種具有一反射區(qū)以及一穿透區(qū)的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包括一透明基板、一薄膜晶體管、至少一反射結(jié)構(gòu)、一像素電極以及一反射層，其中薄膜晶體管是配置于透明基板上，且薄膜晶體管位于反射區(qū)內(nèi)。此外，反射結(jié)構(gòu)是配置于透明基板上的薄膜晶體管的一側(cè)，且反射結(jié)構(gòu)位于反射區(qū)內(nèi)。像素電極是配置于薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)的上方，并至少位于穿透區(qū)內(nèi)，且像素電極是電性連接至薄膜晶體管。另外，反射層是配置于薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)的上方，并位于反射區(qū)內(nèi)。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中薄膜晶體管包括一柵極、一閘絕緣層、一半導(dǎo)體層以及一源/漏極，其中柵極是配置于透明基板上，而閘絕緣層亦配置于透明基板上，且將柵極包覆住。此外，半導(dǎo)體層是配置于柵極上方的閘絕緣層上，而源極/漏極是配置于半導(dǎo)體層上，且源極/漏極位于柵極的上方。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中反射結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層，且此第一金屬層例如是與柵極同一膜層。此第一金屬層例如是嵌設(shè)于透明基板表面的凹陷處，或是突起于透明基板的表面。另外，閘絕緣層例如更延伸至薄膜晶體管之外，以將第一金屬層覆蓋住。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中第一金屬層例如是與源極/漏極同一膜層，且閘絕緣層例如更延伸至薄膜晶體管之外，并配置于第一金屬層與透明基板之間。而第一金屬層例如是嵌設(shè)于閘絕緣層的表面。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中反射結(jié)構(gòu)例如更包括一第二金屬層，且此第二金屬層是配置于第一金屬層上。而第一金屬層例如是與柵極同一膜層，而第二金屬層例如是與源極/漏極同一膜層。此外，閘絕緣層例如更延伸至薄膜晶體管之外，且閘絕緣是配置于第一金屬層與第二金屬層之間。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，例如更包括一配置于該透明基板上的保護層，且保護層將薄膜晶體管與反射結(jié)構(gòu)覆蓋住。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中反射結(jié)構(gòu)的形狀例如是鋸齒狀或是塊狀。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中透明基板例如是玻璃基板。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其中像素電極的材料例如是銦錫氧化物以及銦鋅氧化物。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)例如更包括一配置于像素電極與透明基板之間的平坦層，且平坦層將薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)覆蓋住。
本發(fā)明另提出一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其步驟如下首先提供一透明基板；然后于透明基板上形成一薄膜晶體管以及一反射結(jié)構(gòu)，且反射結(jié)構(gòu)是位于薄膜晶體管的一側(cè)；之后于薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)上方形成一像素電極，其中像素電極與薄膜晶體管電性連接；爾后于薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)上方形成一反射層。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成該薄膜晶體管的方法步驟如下首先形成一柵極；然后于透明基板上形成一閘絕緣層，且閘絕緣層是包覆住柵極；之后于柵極上方的閘絕緣層上形成一半導(dǎo)體層；爾后于半導(dǎo)體層上形成一源極/漏極，且源極/漏極是位于柵極的上，并耦接至像素電極。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成反射結(jié)構(gòu)的方法例如是于透明基板上形成一第一金屬層，且此第一金屬層例如是與柵極同時形成。此外，更例如于形成第一金屬層之前，先對透明基板進行微影制程與蝕刻制程，以形成一第一凹陷部，用以在之后形成第一金屬層時，使第一金屬層填入第一凹陷部內(nèi)。然后，于形成閘絕緣層時，更例如使閘絕緣層覆蓋于第一金屬層上。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中第一金屬層例如是與源極/漏極同時形成，而在形成閘絕緣層之后，且在形成第一金屬層之前，更例如對閘絕緣層進行微影制程與蝕刻制程，并形成一第二凹陷部，以在之后形成第一金屬層時，使第一金屬層填入第二凹陷部內(nèi)。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中形成反射結(jié)構(gòu)的方法例如更包括于第一金屬層上方形成一第二金屬層，而第一金屬層例如是與柵極同時形成，且第二金屬層例如是與源極/漏極同時形成。此外，于形成第一金屬層與柵極之前，更例如在透明基板上利用微影制程與蝕刻制程以形成一第一凹陷部，用以在形成第一金屬層時，使第一金屬層填入第一凹陷部內(nèi)。另外，在形成閘絕緣層之后，并且在形成第二金屬層之前，更可以利用微影制程與蝕刻制程對閘絕緣層形成一第二凹陷部，以在形成第二金屬層時，使第二金屬層填入第二凹陷部內(nèi)。
依照本發(fā)明的較佳實施例所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在形成薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)之后，并且在形成像素電極之前，更包括先于透明基板上形成一保護層，且此保護層會將薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)覆蓋住。然后，于透明基板上形成一平坦層，并使此平坦層將薄膜晶體管以及反射結(jié)構(gòu)覆蓋住。
本發(fā)明于形成薄膜晶體管時，在薄膜晶體管的至少一側(cè)同時形成一反射結(jié)構(gòu)。此反射結(jié)構(gòu)的形成，不需額外增加制程。此外，反射結(jié)構(gòu)的配置，能夠提升薄膜晶體管液晶顯示器對于光源的利用率。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1A～1E依序繪示為本發(fā)明第一實施例的一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。
圖2A～2E依序繪示為本發(fā)明第二實施例的一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。
圖3A～3D依序繪示為本發(fā)明第三實施例的一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。
圖4A～4D依序繪示為本發(fā)明第四實施例的一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。
圖5A～5D依序繪示為本發(fā)明第五實施例的一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。
具體實施方式
第一實施例圖1A～1E依序繪示為本發(fā)明第一實施例半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法流程示意圖。首先，如圖1A所示，提供一透明基板100，并于透明基板100上同時形成柵極110以及金屬層122，其中金屬層122是形成于柵極110的一側(cè)，以構(gòu)成一反射結(jié)構(gòu)120。在本發(fā)明一實施例中，反射結(jié)構(gòu)120的形狀例如是鋸齒狀。而在其他實施例中，反射結(jié)構(gòu)120可以例如是塊狀。此外，在本發(fā)明一實施例中，此透明基板100例如是一玻璃基板，而反射結(jié)構(gòu)120與柵極110具有相同的材料。
接下來，如圖1B所示，于透明基板100上利用例如化學(xué)氣相沉積法形成一層閘絕緣層130，且閘絕緣層130覆蓋柵極110以及反射結(jié)構(gòu)120。此外，閘絕緣層130的材料例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
然后，如圖1C所示，先于閘絕緣層130上形成一半導(dǎo)體層140，此半導(dǎo)體層140是位于柵極110的上方。形成半導(dǎo)體層140的方法是首先形成一非晶硅層142，然后再于非晶硅層142上形成一歐姆接觸層144，且歐姆接觸層144的材料例如是n+摻雜非晶硅。之后，再于歐姆接觸層144上形成源極152及漏極154。其中，源極152及源極154的材料例如是銅、鎢、鉻、鋁及其組合其中的一。而柵極110、半導(dǎo)體層140、源極152以及漏極154即構(gòu)成一個薄膜晶體管160。
接著，如圖1D所示，更可以選擇性地在透明基板100上形成一保護層170，且保護層170會覆蓋住薄膜晶體管160。然后，在保護層170上形成一平坦層180，并對平坦層180以及保護層170進行圖案化，以在平坦層180與保護層170中形成一開口182。
之后，如圖1E所示，先于平坦層180上形成一像素電極190，其中像素電極190是透過平坦層180與保護層170中的開口182而與漏極154電性連接。然后，于像素電極190上形成一反射層192，且反射層192在此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)所覆蓋到的區(qū)域即為反射區(qū)101b，而反射層192未覆蓋到的區(qū)域即為穿透區(qū)101a。在本實施例中，像素電極190是為全面性地覆蓋于平坦層180的上。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實施例中，像素電極190亦可僅位于穿透區(qū)101a內(nèi)，而與位在反射區(qū)101b內(nèi)的反射層192相鄰接。
值得注意的是，本實施例的薄膜晶體管160與反射結(jié)構(gòu)120是同時形成。而在其他實施例中，薄膜晶體管160與反射結(jié)構(gòu)120可彼此單獨形成。例如，先形成薄膜晶體管160，再于薄膜晶體管160的一側(cè)形成反射結(jié)構(gòu)120?；蛘?，先形成反射結(jié)構(gòu)120，再形成薄膜晶體管160亦可。
基于上述的實施例，本發(fā)明在形成柵極110的同時，于薄膜晶體管160的1側(cè)形成反射結(jié)構(gòu)120。當(dāng)背光模組(未繪示)提供背光源時，入射至穿透區(qū)101a的光線L1會直接穿透并顯示圖像。而入射至反射區(qū)101b中的光線L2，會藉由反射層192將光線L2反射，而反射至反射結(jié)構(gòu)120上的光線L2會被反射結(jié)構(gòu)120反射至面板外，因此可增加半穿透半反射液晶顯示面板對于背光源的利用率。
第二實施例圖2A～2E依序繪示為本發(fā)明第二實施例的1種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。首先，如圖2A所示，提供一透明基板200。然后，對透明基板200進行微影制程與蝕刻制程，以在透明基板200上形成一凹陷部202。在本發(fā)明一實施例中，透明基板200例如是一玻璃基板，而用以蝕刻透明基板200的蝕刻溶液例如是氟化氫(HF)。
接下來，如圖2B所示，在形成柵極210時，于柵極210的一側(cè)同時形成金屬層222，并使金屬層222填入凹陷部202中，以形成反射結(jié)構(gòu)220。值得注意的是，反射結(jié)構(gòu)220與柵極210具有相同的材料。
之后，如圖2C所示，于透明基板200上利用例如化學(xué)氣相沉積法形成一層閘絕緣層230，且閘絕緣層230會覆蓋柵極210以及反射結(jié)構(gòu)220。此外，閘絕緣層230的材料例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
然后，如圖2D所示，先于閘絕緣層230上形成一半導(dǎo)體層240，此半導(dǎo)體層240是位于柵極210的上方。而形成半導(dǎo)體層240的方法是首先形成一非晶硅層242，然后再于非晶硅層242形成一歐姆接觸層244，且歐姆接觸層244的材料例如是n+摻雜非晶硅。之后，再于歐姆接觸層244上形成源極252及漏極254。其中，源極252及源極254的材料例如是銅、鎢、鉻、鋁及其組合其中的一，而柵極210、半導(dǎo)體層240、源極252以及漏極254即構(gòu)成一個薄膜晶體管260。
接著，如圖2E所示，本發(fā)明可以選擇性地在透明基板200上形成一保護層270，且保護層270會覆蓋住薄膜晶體管260。然后，在保護層270上形成一平坦層280，并對平坦層280以及保護層270進行圖案化，以在平坦層280與保護層270中形成一開口282。之后，于平坦層280上形成一像素電極290，其中像素電極290是透過平坦層280與保護層270中的開口282而與至漏極254電性連接。然后，于像素電極290上形成一反射層292，且反射層292在此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)所覆蓋到的區(qū)域即為反射區(qū)201b，而反射層292未覆蓋到的區(qū)域即為穿透區(qū)201a。在本實施例中，像素電極290是為全面性地覆蓋于平坦層280的上。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實施例中，像素電極290亦可僅位于穿透區(qū)201a內(nèi)，而與位在反射區(qū)內(nèi)的反射層292相鄰接。
本實施例是于透明基板200上預(yù)先形成多個凹陷部202，以在形成柵極210的同時，于透明基板200上的凹陷部202內(nèi)形成所需的反射結(jié)構(gòu)220，而此反射結(jié)構(gòu)220例如是塊狀。此配置于薄膜晶體管260的一側(cè)的反射結(jié)構(gòu)220，同樣可以增加半穿透半反射液晶顯示面板對于光源的利用率。
第三實施例圖3A～3D依序繪示為本發(fā)明第三實施例的1種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。首先，如圖3A所示，提供一透明基板300，并于透明基板300上形成柵極310。
接下來，如圖3B所示，于透明基板300上利用例如化學(xué)氣相沉積法形成一層閘絕緣層330，且閘絕緣層330是覆蓋柵極310。此外，閘絕緣層330的材料例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。然后，先于閘絕緣層330上形成一半導(dǎo)體層340，此半導(dǎo)體層340是位于柵極310的上方。而形成半導(dǎo)體層340的方法是首先形成一非晶硅層342，然后再形成一歐姆接觸層344，且歐姆接觸層344的材料例如是n+摻雜非晶硅。
之后，如圖3C所示，于柵極310上方的該歐姆接觸層344上形成源極352與漏極354，并且在源極352、漏極354的1側(cè)同時形成金屬層322，其中，柵極310、半導(dǎo)體層340、源極352以及漏極354構(gòu)成薄膜晶體管360，而金屬層322是作為反射結(jié)構(gòu)320。此反射結(jié)構(gòu)320的形狀例如是鋸齒狀或是塊狀，且反射結(jié)構(gòu)320與源極352及漏極354是為同一材料。
接著，如圖3D所示，更可以選擇性地在透明基板300上形成一保護層370，且保護層370會覆蓋住薄膜晶體管360與金屬層322。然后，在保護層370上形成一平坦層380，并對平坦層380以及保護層370進行圖案化，使平坦層380與保護層370形成一開口382。之后，再于平坦層380上形成一像素電極390，其中像素電極390是透過平坦層380與保護層370中的開口382而與漏極354電性連接。然后，于像素電極390上形成一反射層392，且反射層392在此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)所覆蓋到的區(qū)域即為反射區(qū)301b，而反射層392未覆蓋到的區(qū)域即為穿透區(qū)301a。在本實施例中，像素電極390是為全面性地覆蓋于平坦層380的上。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實施例中，像素電極390亦可僅位于穿透區(qū)301a內(nèi)，而與位在反射區(qū)內(nèi)的反射層392相鄰接。
在上述實施例中，是在形成源極352與漏極352的同時，在薄膜晶體管360的一側(cè)的閘絕緣層330上形成反射結(jié)構(gòu)320，以增加半穿透半反射液晶顯示面板對于光源的利用率。
第四實施例圖4A～4E依序繪示為本發(fā)明第四實施例的1種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。首先，如圖4A所示，提供一透明基板400，并于透明基板400上形成柵極410。
接下來，如圖4B所示，于透明基板400上利用例如化學(xué)氣相沉積法形成一層閘絕緣層430，其是覆蓋柵極410，其中閘絕緣層430的材料例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。然后，先于閘絕緣層430上形成一半導(dǎo)體層440，此半導(dǎo)體層440是位于柵極410的上方。形成半導(dǎo)體層440的方法是首先形成一非晶硅層442，然后再形成一歐姆接觸層444，且歐姆接觸層444的材料例如是n+摻雜非晶硅。
然后，如圖4C所示，利用微影制程與蝕刻制程以在閘絕緣層430上形成一凹陷部432。之后，于歐姆接觸層444上同時形成源極452、漏極454以及金屬層422，而源極452及漏極454是位于柵極410的上，且金屬層422是填入凹陷部432中，以構(gòu)成反射結(jié)構(gòu)420。其中，柵極410、半導(dǎo)體層440、源極452以及漏極454構(gòu)成薄膜晶體管460。在本發(fā)明一實施例中，反射結(jié)構(gòu)420的形狀例如是鋸齒狀或是塊狀，且反射結(jié)構(gòu)420與源極452及漏極454是為同一材料。
接著，如圖4D所示，更可以選擇性地在透明基板400上形成一保護層470，且保護層470會覆蓋住薄膜晶體管460與金屬層422。然后，在保護層470上形成一平坦層480，并對平坦層480以及保護層470進行圖案化，使平坦層480與保護層470形成一開口482。之后，先于平坦層480上全面形成一像素電極490，其中像素電極490是透過平坦層480與保護層470中的開口482而與漏極454電性連接。然后，于像素電極490上形成一反射層492，且反射層492在此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)所覆蓋到的區(qū)域即為反射區(qū)401b，而反射層492未覆蓋到的區(qū)域即為穿透區(qū)401a。在本實施例中，像素電極490是為全面性地覆蓋于平坦層480的上。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實施例中，像素電極490亦可僅位于穿透區(qū)401a內(nèi)，而與位在反射區(qū)內(nèi)的反射層492相鄰接。
在本實施例中，是在閘絕緣層上形成凹陷部432，以在形成源極452與漏極454的同時，于薄膜晶體管460的一側(cè)形成嵌設(shè)于閘絕緣層430內(nèi)的反射結(jié)構(gòu)420。此反射結(jié)構(gòu)420可增加半穿透半反射液晶顯示面板對于光源的利用率。
第五實施例圖5A～5D依序繪示為本發(fā)明第五實施例的1種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程示意圖。首先，如圖5A所示，提供一透明基板500，并于透明基板500上形成一柵極510與一金屬層522，其中金屬層522是于柵極510的一側(cè)。在一實施例中，形成此第一金屬層522的方法例如是直接于基板500上形成圖案化的金屬層(如上述第一實施例所示)。當(dāng)然，在本發(fā)明其他實施例中，更例如可以如上述第二實施例所示，對基板500進行微影制程與蝕刻制程，以在基板500上形成凹陷部(未繪示)，以在形成柵極510的同時，使金屬層522填入此凹陷部(未繪示)中。
接下來，如圖5B所示，于透明基板500上利用例如化學(xué)氣相沉積法形成一層閘絕緣層530，且閘絕緣層530是覆蓋柵極510以及金屬層522。此外，閘絕緣層530的材料例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。然后，先于閘絕緣層530上形成一半導(dǎo)體層540，此半導(dǎo)體層540是位于柵極510的上方。而形成半導(dǎo)體層540的方法是首先形成一非晶硅層542，然后再形成一歐姆接觸層544，且歐姆接觸層544的材料例如是n+摻雜非晶硅。
之后，如圖5C所示，于歐姆接觸層544上形成源極552及漏極554的同時，在閘絕緣層530上形成金屬層524，其中源極552及漏極554是位于柵極510的上，而金屬層524是位于金屬層522的上方。其中，柵極510、半導(dǎo)體層540、源極552以及漏極554構(gòu)成薄膜晶體管560，而金屬層522以及金屬層524是構(gòu)成反射結(jié)構(gòu)520。此外，金屬層522是與柵極510為同一材料，而金屬層524是與源極552及漏極554為同一材料。在一實施例中，此金屬層522與524的形狀例如是鋸齒狀或是塊狀。
此外，在本發(fā)明的其他實施例中，形成上述第二金屬層524的方法還可以如上述第四實施例所示，先對閘絕緣層530進行微影制程與蝕刻制程，以在閘絕緣層530上形成凹陷部(未繪示)，然后在形成源極552與漏極554的同時，使金屬層524填入凹陷部中。
接著，如圖5D所示，可以選擇性地在透明基板500上形成一保護層570，且保護層570會覆蓋住薄膜晶體管560與金屬層524。然后，在保護層570上形成一平坦層580，并對平坦層580以及保護層570進行圖案化，使平坦層580與保護層570形成一開口582。之后，再于平坦層580上形成一像素電極590，其中像素電極590是透過平坦層580與保護層570中的開口582而與漏極554電性連接。然后，于像素電極590上形成一反射層592，且反射層592在此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)所覆蓋到的區(qū)域即為反射區(qū)501b，而反射層592未覆蓋到的區(qū)域即為穿透區(qū)501a。在本實施例中，像素電極590是為全面性地覆蓋于平坦層580的上。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他實施例中，像素電極590亦可僅位于穿透區(qū)501a內(nèi)，而與位在反射區(qū)內(nèi)的反射層592相鄰接。
在上述實施例中，反射結(jié)構(gòu)520例如可以是與柵極510以及源極552/漏極554同時形成的雙層結(jié)構(gòu)，其是位于薄膜晶體管560的一側(cè)，以增加半穿透半反射液晶顯示面板對于光源的利用率。
基于上述多個實施例，本發(fā)明是結(jié)合原有的光罩制程，而在薄膜晶體管的1側(cè)制作反射結(jié)構(gòu)，以增加面板的光源利用率。其中，此反射結(jié)構(gòu)例如可以是與柵極同時形成，并可凸出于基板上或嵌設(shè)于基板表面。此外，此反射結(jié)構(gòu)亦可以是與源極/漏極同時形成，并可凸出于閘絕緣層上或嵌設(shè)于閘絕緣層中。另外，反射結(jié)構(gòu)亦可以是雙層結(jié)構(gòu)，而為上述多種實施態(tài)樣的組合。
綜上所述，本發(fā)明的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法中至少具有下列特征與優(yōu)點一、在薄膜晶體管的至少一側(cè)配置反射結(jié)構(gòu)，因此有助于提升半穿透半反射液晶顯示器對于光源的利用率。
二、在形成薄膜晶體管的同時，于薄膜晶體管的一側(cè)形成反射結(jié)構(gòu)，因此不需增加額外的光罩與制程，而不會增加成本上的負擔(dān)。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，所作些許的更動與潤飾，仍應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍。
主要元件符號說明
100、200、300、400、500基板101a、201a、301a、401a、501a穿透區(qū)101b、201b、301b、401b、501b反射區(qū)202、432凹陷部110、210、310、410、510柵極120、220、320、420、520反射結(jié)構(gòu)122、222、322、422、522、524金屬層130、230、330、430、530閘絕緣層140、240、340、440、540半導(dǎo)體層142、242、342、442、542非晶硅層144、244、344、444、544歐姆接觸層152、252、352、452、552源極154、254、354、454、554漏極160、260、360、460、560薄膜晶體管170、270、370、470、570保護層180、280、380、480、580平坦層182、282、382、482、582開口190、290、390、490、590像素電極192、292、392、492、592反射層
權(quán)利要求
1.一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于具有一反射區(qū)以及一穿透區(qū)，此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包括一透明基板；一薄膜晶體管，配置于該透明基板上，且該薄膜晶體管位于該反射區(qū)內(nèi)；至少一反射結(jié)構(gòu)，配置于該透明基板上的該薄膜晶體管的一側(cè)，且該反射結(jié)構(gòu)位于該反射區(qū)內(nèi)；一像素電極，配置于該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)上方，并至少位于該穿透區(qū)內(nèi)，且該像素電極是電性連接至該薄膜晶體管；以及一反射層，配置于該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)上方，并位于該反射區(qū)內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該薄膜晶體管包括一柵極，配置于該透明基板上；一閘絕緣層，配置于該透明基板上，并包覆住該柵極；一半導(dǎo)體層，配置于該柵極上方的該閘絕緣層上；以及一源/漏極，配置于該半導(dǎo)體層上。
3.如權(quán)利要求2所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該反射結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層。
4.如權(quán)利要求3所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一金屬層與該柵極是同一膜層。
5.如權(quán)利要求4所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一金屬層是嵌設(shè)于該透明基板表面。
6.如權(quán)利要求4所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該閘絕緣層更延伸至該薄膜晶體管之外，并覆蓋該第一金屬層。
7.如權(quán)利要求3所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一金屬層與該源極/漏極是同一膜層。
8.如權(quán)利要求7所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該閘絕緣層更延伸至該薄膜晶體管之外，并配置于該第一金屬層與該透明基板之間。
9.如權(quán)利要求7所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一金屬層是嵌設(shè)于該閘絕緣層表面。
10.如權(quán)利要求3所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該反射結(jié)構(gòu)更包括一第二金屬層，且該第二金屬層是配置于該第一金屬層上。
11.如權(quán)利要求10所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一金屬層與該柵極是同一膜層，而該第二金屬層與該源極/漏極是同一膜層。
12.如權(quán)利要求11所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該閘絕緣層更延伸至該薄膜晶體管之外，并配置于該第一金屬層與該第二金屬層之間。
13.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一保護層，其是配置于該透明基板上，并覆蓋該薄膜晶體管與該反射結(jié)構(gòu)。
14.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該反射結(jié)構(gòu)的形狀包括鋸齒狀或塊狀。
15.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該透明基板為玻璃基板。
16.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于該像素電極的材料包括銦錫氧化物以及銦鋅氧化物。
17.如權(quán)利要求1所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于更包括一平坦層，該平坦層配置于該像素電極與該透明基板之間，并覆蓋該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)。
18.一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括如下步驟提供一透明基板；于該透明基板上形成一薄膜晶體管以及一反射結(jié)構(gòu)，且該反射結(jié)構(gòu)是位于該薄膜晶體管的一側(cè)；于該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)上方形成一像素電極，其中該像素電極與該薄膜晶體管電性連接；以及于該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)上方形成一反射層。
19.如權(quán)利要求18所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于形成該薄膜晶體管的方法包括如下步驟形成一柵極；于該透明基板上形成一閘絕緣層，且該閘絕緣層是包覆住該柵極；于該柵極上方的該閘絕緣層上形成一半導(dǎo)體層；以及于該半導(dǎo)體層上形成一源極/漏極，并耦接至該像素電極。
20.如權(quán)利要求19所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于形成該反射結(jié)構(gòu)的方法包括于該透明基板上形成一第一金屬層。
21.如權(quán)利要求20所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該第一金屬層是與該柵極同時形成。
22.如權(quán)利要求21所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于于形成該第一金屬層之前，更包括在該透明基板上形成一第一凹陷部，以在形成該第一金屬層時，使該第一金屬層填入該第一凹陷部內(nèi)。
23.如權(quán)利要求22所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于形成該第一凹陷部的方法包括進行微影制程與蝕刻制程。
24.如權(quán)利要求23所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于形成該閘絕緣層時，更包括使該閘絕緣層覆蓋該第一金屬層。
25.如權(quán)利要求20所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該第一金屬層與該源極/漏極是同時形成。
26.如權(quán)利要求25所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在形成該閘絕緣層之后，并且在形成該第一金屬層之前，更包括于該閘絕緣層上形成一第二凹陷部，以在形成該第一金屬層時，使該第一金屬層填入該第二凹陷部內(nèi)。
27.如權(quán)利要求26所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于于該閘絕緣層上形成該第二凹陷部的方法包括進行微影制程與蝕刻制程。
28.如權(quán)利要求20所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于形成該反射結(jié)構(gòu)的方法更包括于該第一金屬層上方形成一第二金屬層。
29.如權(quán)利要求28所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于該第一金屬層是與該柵極同時形成，且該第二金屬層是與該源極/漏極同時形成。
30.如權(quán)利要求29所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于于形成該第一金屬層與該柵極之前，更包括在該透明基板上形成一第一凹陷部，以在形成該第一金屬層時，使該第一金屬層填入該第一凹陷部內(nèi)。
31.如權(quán)利要求29所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于其中在形成該閘絕緣層之后，并且在形成該第二金屬層之前，更包括于該閘絕緣層上形成一第二凹陷部，以在形成該第二金屬層時，使該第二金屬層填入該第二凹陷部內(nèi)。
32.如權(quán)利要求18所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在形成該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)之后，并且在形成該像素電極之前，更包括于該透明基板上形成一平坦層，且該平坦層覆蓋該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)。
33.如權(quán)利要求32所述的半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在形成該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)之后，并且在形成該平坦層之前，更包括于該透明基板上形成一保護層，且該保護層覆蓋該薄膜晶體管及該反射結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)，具有一反射區(qū)以及一穿透區(qū)，此半穿透半反射液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)包括一透明基板、一薄膜晶體管、至少一反射結(jié)構(gòu)、一像素電極以及一反射層，其中薄膜晶體管是配置于透明基板上，且薄膜晶體管位于反射區(qū)內(nèi)。此外，反射結(jié)構(gòu)是配置于透明基板上的薄膜晶體管的一側(cè)，且位于反射區(qū)內(nèi)，而像素電極是配置于薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)的上方，并至少位于穿透區(qū)內(nèi)，且像素電極是電性連接至薄膜晶體管。另外，反射層是配置于薄膜晶體管及反射結(jié)構(gòu)的上方，并位于反射區(qū)內(nèi)，且反射層與像素電極相連接。
文檔編號G02F1/1368GK1740862SQ20051010690
公開日2006年3月1日 申請日期2005年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月23日
發(fā)明者簡良能 申請人:廣輝電子股份有限公司