專利名稱：光源與背光模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種應(yīng)用納米金屬混合物(Nano-metallicCompound)的光源與背光模組，尤其是關(guān)于一種用于液晶顯示裝置的應(yīng)用納米金屬混合物的光源及背光模組。
背景技術(shù)：
因液晶顯示裝置面板中的液晶本身不發(fā)光，為達(dá)到顯示效果，須給液晶顯示裝置面板提供一面光源裝置，如背光模組，其功能在于向液晶顯示裝置面板提供亮度充分且分布均勻的平面光，使其能正常顯示影像，因而成為液晶顯示裝置的關(guān)鍵組件之一。
隨著液晶顯示裝置應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，特別是數(shù)字影像產(chǎn)品的應(yīng)用，如手機(jī)、手機(jī)用數(shù)字相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z影機(jī)等，對于液晶顯示裝置的背光模組的出光亮度要求進(jìn)一步提升。
通常背光模組的導(dǎo)光板僅能將光線均勻化，而不能提高出光的亮度， 因此要提高背光模組的出光亮度，需從提高光源亮度入手。
請參閱圖1，是一種現(xiàn)有技術(shù)背光模組的示意圖，該背光模組1包括一導(dǎo)光板10與一光源19，該導(dǎo)光板10包括一入光面11、一與該入光面11相鄰的出光面12、一與該出光面12相對的底面13及側(cè)面14，該光源19相對該入光面11設(shè)置，其為發(fā)光二極管(Light Emitting Diode，LED)或冷陰極熒光燈(Cold CathodeFluorescent Lamp，CCFL)。光從光源19發(fā)出，經(jīng)入光面11進(jìn)入導(dǎo)光板10，在導(dǎo)光板10內(nèi)經(jīng)散亂反射后從出光面12射出。然而，因發(fā)光二極管與冷陰極熒光燈本身的限制，其發(fā)光亮度在1,000～5,000cd/m2，已經(jīng)不能滿足背光模組的出光亮度越來越高的要求。

發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，提供一種出光亮度高的光源與背光模組實(shí)為必需。
一種光源包括一陰極層；一設(shè)在該陰極層上的半導(dǎo)體層，其可在電場的作用下發(fā)射電子；一設(shè)在該半導(dǎo)體層上的絕緣層；一設(shè)在該絕緣層上的納米金屬混合物層，其在電子的轟擊下可發(fā)光，該納米金屬混合物層包含金屬絡(luò)合物分子；一設(shè)在該納米金屬混合物層上的陽極層，其與陰極層形成一電場。
一種背光模組，其包括一透光板與一光源，該光源包括一陰極層；一設(shè)在該陰極層上的半導(dǎo)體層，其可在電場的作用下發(fā)射電子；一設(shè)在該半導(dǎo)體層上的絕緣層；一設(shè)在該絕緣層上的納米金屬混合物層，其在電子的轟擊下可發(fā)光，該納米金屬混合物層包含金屬絡(luò)合物分子；一設(shè)在該納米金屬混合物層上的陽極層，其與陰極層形成一電場。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，所述的光源及背光模組通過應(yīng)用納米金屬混合物發(fā)光提供較高的出光亮度，從而較大幅度的提高顯示裝置的顯示亮度。

圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)背光模組的示意圖。
圖2是本發(fā)明光源的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明光源中納米金屬混合物層中原子團(tuán)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本發(fā)明直下式背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖5是本發(fā)明側(cè)光式背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6是側(cè)光式背光模組所用導(dǎo)光板的立體示意圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖2與圖3，本發(fā)明的光源2包括一陰極層21；一設(shè)在該陰極層21上的半導(dǎo)體層22，其在電場的作用下發(fā)射電子；一設(shè)在該半導(dǎo)體層22上的絕緣層23；一設(shè)在該絕緣層2 3上的納米金屬混合物層20，其在電子的轟擊下可發(fā)光，該納米金屬混合物層20包含金屬絡(luò)合物分子；一設(shè)在該納米金屬混合物層20上的陽極層26，其與陰極層21形成一電場；一熒光層25，其設(shè)置于納米金屬混合物層20與陽極層26之間。
該金屬絡(luò)合物分子的分子式為M(C9H6NO)3，M為金屬原子。
該金屬原子M可為Al、Mg、Zn、Be、Ba及Ga中任意一種。
在納米金屬混合物層20中摻雜了多個(gè)納米粒子X。
上述納米粒子X可為ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中任意一種或至少兩種的組合物。
該陰極層21為金屬層，其為Cu、Ag及Au中任意一種或至少兩種的組合。
該絕緣層23材料為SiNx，其上印有圖案，可供部分電子穿過，其可通過反應(yīng)濺射、化學(xué)氣相沉積、離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子束濺射、雙離子束濺射等制程而得。
該熒光層25材料配合不同需求而為可發(fā)出綠光的乙鋁石榴石摻雜鋱、可發(fā)出紅光的氧化錫摻雜銪及可發(fā)出藍(lán)光的硅酸釔摻雜鈰等，其受到光子撞擊后發(fā)出可見光。
該陽極層26為氧化銦錫、InOx及ZnO中任意一種或至少兩種的組合，其中氧化銦錫層可通過在Ar與氧混合氣體環(huán)境中直流反應(yīng)濺射、射頻反應(yīng)濺射而得。
上述光源2可進(jìn)一步包括一保護(hù)層27，其設(shè)在陽極層26上。該保護(hù)層27的材料為SiO2、SiOx中任意一種或兩種的組合物，其可通過在Ar與氧混合氣體環(huán)境中直流反應(yīng)濺射、射頻反應(yīng)濺射而得。
通過在陽極層26與陰極層21間施加電壓，由半導(dǎo)體層22產(chǎn)生電子，電子穿過絕緣層23撞擊金屬絡(luò)合物分子，從而激發(fā)納米金屬混合物層20發(fā)光，熒光層25吸收納米金屬混合物層20所發(fā)出光的能量后，被激發(fā)而放出可見光，以增強(qiáng)納米金屬混合物層20所發(fā)出的光的亮度。光線再穿過透明保護(hù)層37，即可達(dá)到供應(yīng)光的功效。
通過于納米金屬絡(luò)合物層20中摻雜納米粒子，使得納米金屬絡(luò)合物層20的發(fā)光亮度大為提升，可達(dá)10,000～20,000cd/m2，較發(fā)光二極管與冷陰極熒光燈有顯著提升。
請參閱圖4，是本發(fā)明直下式背光模組的結(jié)構(gòu)示意圖。該直下式背光模組4包括一光源2，多個(gè)與該光源2相對設(shè)置的擴(kuò)散板41。一般的直下式背光模組需要多燈管組成的陣列作為光源，體積大、亮度不高，本實(shí)施例中的光源采用上述如圖2所示的光源2，能大幅度減小直下式背光模組的體積， 同時(shí)大幅提高出光亮度。
請一并參閱圖5、圖6，其分別是本發(fā)明側(cè)光式背光模組5的結(jié)構(gòu)示意圖及所用導(dǎo)光板50的立體示意圖，該側(cè)光式背光模組5包括一導(dǎo)光板50與一光源2，該導(dǎo)光板50包括一入光面51、一與該入光面51相鄰的出光面52及與該出光面52相對的底面53及一相對該入光面51設(shè)置的側(cè)面54，該光源2相對該入光面51設(shè)置。其中，所述導(dǎo)光板50為楔形導(dǎo)光板，其入光面51的寬度大于該側(cè)面54的寬度，該出光面52包括多個(gè)連續(xù)溝槽55，其密度隨其與光源2的距離的增大而增大，以此達(dá)到出光均勻的目的；該底面53包括多個(gè)非連續(xù)溝槽56，該多個(gè)非連續(xù)溝槽56的寬度隨其與光源2的距離的增大而減小。
本實(shí)施例中側(cè)光式背光模組發(fā)光裝置同樣采用上述光源2，相較于現(xiàn)有技術(shù)的側(cè)光式背光模組中采用的冷陰極熒光燈或發(fā)光二極管，光源2可提供更高的出光亮度。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化。故，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種光源，其特征在于其包括一陰極層；一設(shè)在該陰極層上的半導(dǎo)體層，其可在電場的作用下發(fā)射電子；一設(shè)在該半導(dǎo)體層上的絕緣層；一設(shè)在該絕緣層上的納米金屬混合物層，其在電子的轟擊下可發(fā)光，該納米金屬混合物層包含金屬絡(luò)合物分子；一設(shè)在該納米金屬混合物層上的陽極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源，其特征在于其進(jìn)一步包括一熒光層，該熒光層設(shè)置于納米金屬混合物層與陽極層之間，其在納米金屬混合物層所發(fā)出的光線照射下發(fā)出可見光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源，其特征在于其進(jìn)一步包括一保護(hù)層，其設(shè)在該陽極層上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源，其特征在于所述金屬絡(luò)合物分子的分子式為M(C9H6NO)3，其中，M為Al、Mg、Zn、Be、Ba及Ga中任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光源，其特征在于所述納米金屬混合物層中摻雜多個(gè)納米粒子。
6.一種背光模組，其包括一光源及一與其相對的透光板，該光源是權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的光源。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的背光模組，其特征在于所述透光板包括一入光面、一與該入光面相鄰的出光面及與該出光面相對的底面及一相對該入光面設(shè)置的側(cè)面，入光面與該光源相對設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模組，其特征在于所述底面包括多個(gè)非連續(xù)溝槽且非連續(xù)溝槽寬度隨其與光源之距離之增大而減小。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的背光模組，其特征在于所述出光面包括多個(gè)連續(xù)溝槽且連續(xù)溝槽密度隨其與光源之距離之增大而增大。
全文摘要
本發(fā)明提供一種應(yīng)用納米金屬混合物的光源及背光模組。該光源包括一陰極層；一設(shè)在該陰極層上的半導(dǎo)體層，其可在電場的作用下發(fā)射電子；一設(shè)在該半導(dǎo)體層上的絕緣層；一設(shè)在該絕緣層上的納米金屬混合物層，其在電子的轟擊下可發(fā)光，該納米金屬混合物層包含金屬絡(luò)合物分子；一設(shè)在該納米金屬混合物層上的陽極層。本發(fā)明所提供的應(yīng)用該納米金屬混合物的光源及背光模組具有較高出光亮度。
文檔編號G02F1/1335GK1955813SQ20051010077
公開日2007年5月2日 申請日期2005年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月27日
發(fā)明者陳杰良 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司