專利名稱：薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜電晶體陣列(Thin Film Transistor array，TFTarray)及畫素結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種易于進(jìn)行各畫素中儲存電容(storagecapacitor，Cst)修補(bǔ)動作的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
針對多媒體社會的急速進(jìn)步，多半受惠于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的飛躍性進(jìn)步。就顯示器而言，陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有優(yōu)異的顯示品質(zhì)與經(jīng)濟(jì)性，近年來一直獨(dú)占顯示器市場。然而，對于個人在桌上操作多數(shù)終端機(jī)/顯示器裝置的環(huán)境，或是以環(huán)保的觀點(diǎn)切入，若以節(jié)省能源的潮流加以預(yù)測，陰極射線管因空間利用以及能源消耗上仍存在很多問題，而對于輕、薄、短、小以及低消耗功率的需求無法有效提供解決之道。因此，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜電晶體(電晶體即晶體管，以下皆稱為電晶體)液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，TFT LCD)已逐漸成為市場的主流。
薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)主要由薄膜電晶體陣列、彩色濾光陣列和液晶層所構(gòu)成，其中薄膜電晶體陣列是由多個陣列排列的薄膜電晶體以及與每一個薄膜電晶體對應(yīng)配置的畫素(畫素即象素，以下皆稱為畫素)電極(pixel electrode)所組成。而薄膜電晶體是用來作為液晶顯示單元的開關(guān)元件。此外，為了控制個別的畫素單元，通常會經(jīng)由掃描配線(scanline)與資料(資料即數(shù)據(jù)，以下皆稱為資料)配線(data line)以選取特定的畫素，并藉由提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷海燥@示對應(yīng)此畫素的顯示資料。另外，上述的畫素電極的部分區(qū)域通常會覆蓋在掃描配線或是共用配線(common line)上，以形成儲存電容?，F(xiàn)有習(xí)知技術(shù)中，常見的儲存電容可區(qū)分為第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(Metal-Insulator-Metal，MIM)以及第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(Metal-Insulator-ITO，MII)兩種架構(gòu)，以下將針對上述兩種架構(gòu)的儲存電容結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說明。
請參閱圖1所示，為現(xiàn)有習(xí)知的第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容的剖面示意圖。如圖1所示，在現(xiàn)有習(xí)知的畫素結(jié)構(gòu)中，第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容Cst通常是藉由掃描配線或共用配線100與其上方的上電極120耦合而成。值得注意的是，在第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容中，掃描配線或共用配線100與上電極120是藉由閘極絕緣層110彼此電性絕緣，因此儲存電容值Cst與閘極絕緣層110的厚度有關(guān)。換言之，閘極絕緣層110的厚度越小，儲存電容值Cst就越大。此外，畫素電極140是藉由保護(hù)層130中的接觸窗132與上電極120電性連接。
請參閱圖2所示，為現(xiàn)有習(xí)知第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容的剖面示意圖。如圖2所示，在現(xiàn)有習(xí)知的畫素結(jié)構(gòu)中，第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容通常是藉由掃描配線或共用配線200與其上方的畫素電極230耦合而成。與第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)不同之處在于，第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容中的掃描配線或共用配線200與畫素電極230是藉由閘極絕緣層210與保護(hù)層220彼此電性絕緣，因此儲存電容值Cst與閘極絕緣層210及保護(hù)層220的總厚度有關(guān)。換言之，閘極絕緣層210及保護(hù)層220的總厚度越小，儲存電容值Cst就越大。
由上述可知，一般而言，第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容的儲存電容值Cst較第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容的儲存電容值Cst為大。原因在于，第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容中，二金屬層間只隔了一層閘極絕緣層110，而第一金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容，二金屬層間隔了一層閘極絕緣層210及一層保護(hù)層220。
由于畫素結(jié)構(gòu)中的儲存電容，因此薄膜電晶體液晶顯示器中(TFT-LCD)的各畫素單元具有記憶及保持的功能。也就是說，儲存電容值Cst越大，面板對光學(xué)的特性越好，所以現(xiàn)有習(xí)知的薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)中通常是使用第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容。
然而，雖說第一金屬層/絕緣層/第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容的儲存電容值較大，但是較易因產(chǎn)生缺陷(defect)，例如是產(chǎn)生微粒或者是破洞，造成儲存電容失去作用而形成亮/暗點(diǎn)。
由此可見，上述現(xiàn)有的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的畫素結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其當(dāng)畫素結(jié)構(gòu)中的儲存電容受損時能夠有效進(jìn)行修補(bǔ)。
本發(fā)明的另一目的就是在提供一種薄膜電晶體陣列，克服現(xiàn)有的薄膜電晶體陣列的缺陷當(dāng)薄膜電晶體陣列中的儲存電容受損時能夠有效進(jìn)行修補(bǔ)，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其包括一第一電容電極，配置在一基板上；一電容介電層，配置在該第一電容電極上；一第二電容電極，配置在該電容介電層上，其中該第二電容電極具有一凸出部分，且該凸出部分是凸出在該第一電容電極的邊緣；一保護(hù)層，覆蓋在該第二電容電極上，其中該保護(hù)層有一開口，暴露出該第二電容電極；以及一畫素電極，覆蓋在該保護(hù)層上，其中該畫素電極是通過該保護(hù)層的該開口與該第二電容電極電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的畫素電極包括至少一狹縫，位于該第二電容電極以及該凸出部分的上方。
前述的具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的畫素電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物以及銦鋅氧化物其中之一。
前述的具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其中所述的凸出部分是凸出在該畫素電極的邊緣。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜電晶體陣列，其包括一基板；多數(shù)個掃描配線，配置在該基板上；多數(shù)個資料配線，配置在該基板上，其中該些掃描配線與該些資料配線是將該基板區(qū)分為多數(shù)個畫素區(qū)域；多數(shù)個薄膜電晶體，每一該些薄膜電晶體是位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，其中該些薄膜電晶體是藉由該些掃描配線以及該些資料配線驅(qū)動；多數(shù)個上電極，每一該些上電極是位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，且每一該些上電極是位于該些掃描配線其中之一上方，其中每一該些上電極具有一凸出部分，且該凸出部分是凸出在該些掃描配線其中之一的邊緣；以及多數(shù)個畫素電極，每一該些畫素電極位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，以與對應(yīng)的該些薄膜電晶體其中之一以及該些上電極其中之一電性連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的薄膜電晶體陣列，其更包括一保護(hù)層，配置在該些畫素電極與該些上電極之間。
前述的薄膜電晶體陣列，其更包括一介電層，配置在該些上電極與該些掃描配線之間。
前述的薄膜電晶體陣列，其中所述的每一該些畫素電極包括至少一狹縫，位于該些上電極其中之一以及該些凸出部分其中之一的上方。
前述的薄膜電晶體陣列，其中所述的該些畫素電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物以及銦鋅氧化物其中之一。
前述的薄膜電晶體陣列，其中所述的凸出部分是凸出在該些畫素電極其中之一的邊緣。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，包括一第一電容電極、一電容介電層、一第二電容電極、一保護(hù)層及一畫素電極。其中，第一電容電極是配置在一基板上。電容介電層是配置在第一電容電極上。第二電容電極是配置在該電容介電層上，此第二電容電極具有一凸出部分，且凸出部分是凸出在第一電容電極的邊緣。保護(hù)層是覆蓋在第二電容電極上，其中保護(hù)層有一開口，暴露出第二電容電極。畫素電極是覆蓋在保護(hù)層上，其中畫素電極是通過保護(hù)層的開口與第二電容電極電性連接。
依照本發(fā)明一較佳實施例所述，上述的儲存電容器，其中畫素電極包括至少一狹縫，位于第二電容電極以及凸出部分的上方。
依照本發(fā)明一較佳實施例所述，上述的儲存電容器，其中畫素電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物以及銦鋅氧化物其中之一。
本發(fā)明提出一種薄膜電晶體陣列，此薄膜電晶體陣列是由一基板、多數(shù)個掃描配線、多數(shù)個資料配線、多數(shù)個薄膜電晶體、多數(shù)個上電極以及多數(shù)個畫素電極所構(gòu)成。其中，掃描配線及資料配線是配置在該基板上，以將基板區(qū)分為多數(shù)個畫素區(qū)域。薄膜電晶體是配置在對應(yīng)的畫素區(qū)域內(nèi)并藉由掃描配線以及資料配線驅(qū)動。上電極是配置在對應(yīng)的畫素區(qū)域內(nèi)，且上電極是配置在對應(yīng)的掃描配線上方，其中上電極具有一凸出部分，且此凸出部分是凸出在所對應(yīng)的掃描配線的邊緣。畫素電極是配置在對應(yīng)的畫素區(qū)域并與對應(yīng)的薄膜電晶體以及上電極電性連接。
依照本發(fā)明一較佳實施例所述，上述的薄膜電晶體陣列更包括一配置在畫素電極與上電極之間的保護(hù)層。
依照本發(fā)明一較佳實施例所述，上述的薄膜電晶體陣列更包括一配置在上電極與掃描配線之間的介電層。
依照本發(fā)明一較佳實施例所述，上述的薄膜電晶體陣列，其中每一個畫素電極包括至少一狹縫，位于所對應(yīng)的上電極以及凸出部分的上方。
依照本發(fā)明一較佳實施例所述，上述的薄膜電晶體陣列中的畫素電極材質(zhì)例如為銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。
本發(fā)明的薄膜電晶體陣列因采用具有一凸出部分的上電極，使薄膜電晶體陣列能夠增加可修補(bǔ)區(qū)域并有效地對各畫素中的儲存電容進(jìn)行修補(bǔ)。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明一種具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一第一電容電極、一電容介電層、一第二電容電極、一保護(hù)層及一畫素電極。其中，第一電容電極是配置在一基板上。電容介電層是配置在第一電容電極上。第二電容電極是配置在該電容介電層上，此第二電容電極具有一凸出部分，且凸出部分是凸出在第一電容電極的邊緣。保護(hù)層是覆蓋在第二電容電極上，其中保護(hù)層有一開口，暴露出第二電容電極。畫素電極是覆蓋在保護(hù)層上，其中畫素電極是通過保護(hù)層的開口與第二電容電極電性連接。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)1、本發(fā)明的薄膜電晶體陣列可以有效增進(jìn)修補(bǔ)的彈性。
2、本發(fā)明的薄膜電晶體陣列可以有效降低漏光現(xiàn)象，并有助于顯示對比的提升。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)，提供一種具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，當(dāng)畫素結(jié)構(gòu)中的儲存電容受損時能夠有效地對其進(jìn)行修補(bǔ)。同時，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)還提供一種薄膜電晶體陣列，當(dāng)薄膜電晶體陣列中的儲存電容受損時能夠有效地對其進(jìn)行修補(bǔ)。其具有上述諸多的優(yōu)點(diǎn)及實用價值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有較大的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)具有增進(jìn)的多項功效，從而更加適于實用，誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下特舉出一個較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有習(xí)知第一金屬層-絕緣層-第二金屬層(MIM)架構(gòu)的儲存電容的剖面示意圖。
圖2為現(xiàn)有習(xí)知第一金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容的剖面示意圖。
圖3A為依照本發(fā)明第一較佳實施例具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖3B為依照本發(fā)明第一較佳實施例薄膜電晶體陣列的示意圖。
圖4A為根據(jù)圖3A中的具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)沿著剖面線A-A’所見的剖面圖。
圖4B為根據(jù)圖3B中的薄膜電晶體陣列沿著剖面線B-B’所見的剖面圖。
100、200掃描配線或共用配線 110、210閘極絕緣層120上電極 130、220保護(hù)層132接觸窗 140、230、316、360畫素電極300薄膜電晶體陣列 302、310基板304第一電容電極 306、380介電層308第二電容電極 312畫素區(qū)域314、370保護(hù)層 318開口320掃描配線 322、366狹縫324、352凸出部分330資料配線340薄膜電晶體 350上電極354導(dǎo)電通道 362、368接觸窗390切割線具體實施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請參閱圖3A和圖4A所示，其中，圖3A為依照本發(fā)明第一較佳實施例具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4A為根據(jù)圖3A中的薄膜電晶體陣列沿著剖面線A-A’所見的剖面圖。如圖3A及4A所示，本發(fā)明提出一種具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其包括一第一電容電極304、一電容介電層306、一第二電容電極308、一保護(hù)層314及一畫素電極316。其中，第一電容電極304是配置在一基板302上。電容介電層306是配置在第一電容電極304上。第二電容電極308是配置在該電容介電層306上，此第二電容電極308具有一凸出部分324，且凸出部分324是凸出在第一電容電極304的邊緣。保護(hù)層314是覆蓋在第二電容電極308上，其中保護(hù)層314有一開口318，暴露出第二電容電極308。畫素電極316是覆蓋在保護(hù)層314上，其中畫素電極316是通過保護(hù)層314的開口318與第二電容電極308電性連接。
上述的儲存電容器中畫素電極316包括至少一狹縫322，位于第二電容電極308以及凸出部分324的上方，且畫素電極316的材質(zhì)例如是銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
關(guān)于應(yīng)用本發(fā)明所提出具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)的薄膜電晶體陣列，將詳述如后。
請參閱圖3B和圖4B所示，其中圖3B為依照本發(fā)明第一較佳實施例薄膜電晶體陣列的示意圖。圖4B為根據(jù)圖3B中的薄膜電晶體陣列沿著剖面線B-B’所見的剖面圖。
如圖3B及圖4B所示，本實施例的薄膜電晶體陣列300主要是由一基板310、多個掃描配線320、多個資料配線330、多個薄膜電晶體340、多個上電極350以及多個畫素電極360所構(gòu)成。
在圖3B與圖4B中，掃描配線320以及資料配線330是配置在基板310上，以將基板310區(qū)分出多個畫素區(qū)域312。薄膜電晶體340是分別位于各畫素區(qū)域312內(nèi)，并且藉由對應(yīng)的掃描配線320以及對應(yīng)的資料配線330驅(qū)動。上電極350是分別位于各畫素區(qū)域內(nèi)，每一個上電極350是位于對應(yīng)的掃描配線320上方并具有一凸出部分352，且凸出部分352是凸出對應(yīng)的掃描配線320的邊緣。畫素電極360是分別位于各畫素區(qū)域312內(nèi)，是藉由接觸窗開口368以與對應(yīng)的薄膜電晶體340電性連接。其中，畫素電極的材質(zhì)例如是銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
承上所述，各個上電極350配置在對應(yīng)的一畫素電極360以及對應(yīng)的一掃描配線320之間，且這些上電極350例如是在制作資料配線330以及源極/汲極時一并形成。值得注意的是，上電極350與畫素電極360之間例如配置有一保護(hù)層370，且保護(hù)層370中例如形成有一接觸窗開口362，以使上電極350與畫素電極360藉由接觸窗開口362而電性連接。另外，上電極350與掃描配線320之間例如配置有一介電層380，以使上電極350與掃描配線保持電性隔絕。
當(dāng)上電極350與掃描配線320之間因為微粒(particle)或是破洞而導(dǎo)致電容泄漏時，儲存電容的充/放電特性將受到極大的影響，進(jìn)而影響到液晶顯示器的顯示品質(zhì)。在此狀況下，本實施例可利用激光切割的方法沿著切割線390將切割線390附近的畫素電極360剝除。
在本實施例中，畫素電極360具有一狹縫(slit)366，此狹縫366是位于上電極350以及凸出部分352的部分區(qū)域的上方。上述狹縫366的設(shè)計目的在于增進(jìn)激光修補(bǔ)的便利性，以進(jìn)一步提升激光修補(bǔ)的速度。
如圖3B所示，在尚未經(jīng)過激光修補(bǔ)的薄膜電晶體陣列300中，狹縫366附近的區(qū)域通常會成為光線穿透量較少的區(qū)域(disclination line)。此光線穿透量較少的區(qū)域不但會使得開口率下降，而且會導(dǎo)致漏光，降低顯示對比。由圖3B可知，本實施例可藉由上電極350及凸出部分352遮蔽住狹縫366，以有效降低漏光，增進(jìn)顯示對比。
值得注意的是，因為狹縫366的存在，所以本實施例在進(jìn)行修補(bǔ)時，僅需沿切割線390進(jìn)行激光切割的動作，以剝除切割線390附近的畫素電極360，進(jìn)而使得畫素電極360與上電極350電性絕緣。亦即，上電極350與畫素電極360會耦合成一第二金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容，原本由掃描配線320與上電極350所構(gòu)成的儲存電容不復(fù)存在。
請參閱圖4B所示，上述的微粒(particle)或破洞仍然存在于上電極350與掃描配線320之間，為了避免第二金屬層/絕緣層/銦錫氧化物層(MII)架構(gòu)的儲存電容的充/放電特性受到微?；蚴瞧贫吹挠绊懀緦嵤├蛇M(jìn)一步將上電極350與掃描配線320焊接，產(chǎn)生一導(dǎo)電通道354以使得上電極350與掃描配線320電性導(dǎo)通。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一第一電容電極，配置在一基板上；一電容介電層，配置在該第一電容電極上；一第二電容電極，配置在該電容介電層上，其中該第二電容電極具有一凸出部分，且該凸出部分是凸出在該第一電容電極的邊緣；一保護(hù)層，覆蓋在該第二電容電極上，其中該保護(hù)層有一開口，暴露出該第二電容電極；以及一畫素電極，覆蓋在該保護(hù)層上，其中該畫素電極是通過該保護(hù)層的該開口與該第二電容電極電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的畫素電極包括至少一狹縫，位于該第二電容電極以及該凸出部分的上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的畫素電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物以及銦鋅氧化物其中之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的凸出部分是凸出在該畫素電極的邊緣。
5.一種薄膜電晶體陣列，其特征在于其包括一基板；多數(shù)個掃描配線，配置在該基板上；多數(shù)個資料配線，配置在該基板上，其中該些掃描配線與該些資料配線是將該基板區(qū)分為多數(shù)個畫素區(qū)域；多數(shù)個薄膜電晶體，每一該些薄膜電晶體是位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，其中該些薄膜電晶體是藉由該些掃描配線以及該些資料配線驅(qū)動；多數(shù)個上電極，每一該些上電極是位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，且每一該些上電極是位于該些掃描配線其中之一上方，其中每一該些上電極具有一凸出部分，且該凸出部分是凸出在該些掃描配線其中之一的邊緣；以及多數(shù)個畫素電極，每一該些畫素電極位于該些畫素區(qū)域其中之一內(nèi)，以與對應(yīng)的該些薄膜電晶體其中之一以及該些上電極其中之一電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于其更包括一保護(hù)層，配置在該些畫素電極與該些上電極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于其更包括一介電層，配置在該些上電極與該些掃描配線之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于其中所述的每一該些畫素電極包括至少一狹縫，位于該些上電極其中之一以及該些凸出部分其中之一的上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于其中所述的該些畫素電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物以及銦鋅氧化物其中之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜電晶體陣列，其特征在于其中所述的凸出部分是凸出在該些畫素電極其中之一的邊緣。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜電晶體陣列及畫素結(jié)構(gòu)，其中具有儲存電容器的畫素結(jié)構(gòu)，包括一基板、一第一電容電極、一電容介電層、一第二電容電極、一保護(hù)層及一畫素電極。其中，第一電容電極是配置在一基板上。電容介電層是配置在第一電容電極上。第二電容電極是配置在該電容介電層上，此第二電容電極具有一凸出部分，且凸出部分是凸出在第一電容電極的邊緣。保護(hù)層是覆蓋在第二電容電極上，其中保護(hù)層有一開口，暴露出第二電容電極。畫素電極是覆蓋在保護(hù)層上，其中畫素電極是通過保護(hù)層的開口與第二電容電極電性連接。
文檔編號G02F1/13GK1588217SQ20041007451
公開日2005年3月2日 申請日期2004年9月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月6日
發(fā)明者來漢中 申請人:友達(dá)光電股份有限公司