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陣列檢測(cè)可靠性判斷方法、有機(jī)發(fā)光背板檢測(cè)方法及裝置的制造方法

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陣列檢測(cè)可靠性判斷方法、有機(jī)發(fā)光背板檢測(cè)方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種陣列檢測(cè)可靠性判斷方法、有機(jī)發(fā)光背板檢測(cè)方法及有機(jī)發(fā)光背板的檢測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active-matrixorganic light emitting d1de,AMOLED)顯示面板的制程包括:背板(BP)制程、有機(jī)發(fā)光層(EL)制程和封裝制程。在背板制程中通常會(huì)采用陣列檢測(cè)(Array test)等技術(shù)進(jìn)行背板的檢測(cè),檢測(cè)每個(gè)像素單元是否發(fā)生不良,以防止不良背板進(jìn)入后續(xù)工藝制程而生產(chǎn)出不良面板,同時(shí)可以監(jiān)控陣列檢測(cè)工藝的穩(wěn)定性。
[0003]陣列檢測(cè)的過(guò)程中也會(huì)出現(xiàn)誤檢的情況,為了提高陣列檢測(cè)的可靠性,需要將部分背板投入有機(jī)發(fā)光層制成和封裝制程,在成盒檢測(cè)(cell test)階段點(diǎn)亮面板,通過(guò)面板顯示結(jié)果與陣列檢測(cè)時(shí)的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行對(duì)照以修正陣列檢測(cè)的檢測(cè)條件。但是由于有機(jī)發(fā)光層的制作成本較高,并且制作有機(jī)發(fā)光層后,有機(jī)發(fā)光層也可能出現(xiàn)不良,不易與陣列檢測(cè)時(shí)的不良進(jìn)行區(qū)分。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列檢測(cè)可靠性判斷方法、有機(jī)發(fā)光背板檢測(cè)方法及有機(jī)發(fā)光背板的檢測(cè)裝置,無(wú)需制作發(fā)光層就可以對(duì)陣列檢測(cè)的可靠性進(jìn)行判斷,防止發(fā)光層對(duì)判斷結(jié)果的干擾。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光背板的陣列檢測(cè)可靠性判斷方法,所述有機(jī)發(fā)光背板包括像素電路層和陽(yáng)極層,所述陽(yáng)極層包括位于所述有機(jī)發(fā)光背板的每個(gè)像素單元中的陽(yáng)極,所述判斷方法包括:
[0006]S1、從已完成陣列檢測(cè)的有機(jī)發(fā)光背板中抽取至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光背板作為樣本基板;
[0007]S2、對(duì)所述樣本基板的多個(gè)像素單元逐行掃描并提供數(shù)據(jù)電壓信號(hào);
[0008]S3、檢測(cè)所述像素電路層輸出至每個(gè)像素單元的陽(yáng)極的電流;
[0009]S4、將所述像素電路層輸出至每個(gè)像素單元的陽(yáng)極的電流與預(yù)定電流對(duì)比,當(dāng)所述像素電路層輸出至像素單元的陽(yáng)極的電流與預(yù)定電流不一致時(shí),判定該像素單元為不良像素;
[0010]S5、將每個(gè)像素單元的判定結(jié)果與陣列檢測(cè)的檢測(cè)結(jié)果對(duì)比,當(dāng)所述判定結(jié)果和所述檢測(cè)結(jié)果一致時(shí),判定所述陣列檢測(cè)為可靠檢測(cè);當(dāng)所述判定結(jié)果和所述檢測(cè)結(jié)果不一致時(shí),判定所述陣列檢測(cè)為不可靠檢測(cè)。
[0011]優(yōu)選地,所述判斷方法還包括在步驟SI和S2之間進(jìn)行的:
[0012]S15、將多個(gè)像素單元內(nèi)的陽(yáng)極電連接;
[0013]步驟S3包括:每掃描一行像素單元均檢測(cè)一個(gè)相應(yīng)的陽(yáng)極電流;步驟S4包括:
[0014]S41、將檢測(cè)到的陽(yáng)極電流與所述預(yù)定電流進(jìn)行比較,當(dāng)檢測(cè)到的陽(yáng)極電流與所述預(yù)定電流一致時(shí),判定與所述陽(yáng)極電流相對(duì)應(yīng)的一行像素單元內(nèi)沒(méi)有不良像素;當(dāng)檢測(cè)到的陽(yáng)極電流與預(yù)定電流不一致時(shí),判定與所述陽(yáng)極電流相對(duì)應(yīng)的一行像素單元內(nèi)至少存在一個(gè)不良像素;
[0015]S42、對(duì)存在不良像素的一行像素單元提供掃描信號(hào),并依次向每個(gè)像素單元提供數(shù)據(jù)電壓信號(hào);
[0016]S43、檢測(cè)與每個(gè)像素單元相對(duì)應(yīng)的陽(yáng)極電流;
[0017]S44、將每個(gè)陽(yáng)極電流與預(yù)定電流對(duì)比,當(dāng)所述陽(yáng)極電流與預(yù)定電流不一致時(shí),判定所述存在不良像素的一行中對(duì)應(yīng)于所述陽(yáng)極電流的像素單元為不良像素。
[0018]優(yōu)選地,所述步驟S15包括在所述樣本基板的陽(yáng)極層上設(shè)置陰極層,以將多個(gè)像素單元內(nèi)的陽(yáng)極電連接。
[0019]優(yōu)選地,對(duì)樣本基板進(jìn)行陣列檢測(cè)后的檢測(cè)結(jié)果生成第一圖像,所述第一圖像包括多個(gè)與樣本基板的像素單元對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn),當(dāng)陣列檢測(cè)判定像素單元為正常像素時(shí),該像素單元在第一圖像中對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)的顏色為第一顏色,當(dāng)陣列檢測(cè)判定像素單元為不良像素時(shí),該像素單元在第一圖像中對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)的顏色為第二顏色;
[0020]所述判斷方法還包括在在S4和S5之間進(jìn)行的:將步驟S4的判定結(jié)果生成第二圖像;所述第二圖像包括多個(gè)與樣本基板的像素單元對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn),當(dāng)步驟S4判定像素單元為正常像素時(shí),該像素單元在第二圖像中對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)的顏色為第一顏色,當(dāng)步驟S4判定像素單元為不良像素時(shí),該像素單元在第二圖像中對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)的顏色為第二顏色;
[0021]所述步驟S5包括:將所述第一圖像和所述第二圖像進(jìn)行對(duì)比,當(dāng)兩個(gè)圖像中每個(gè)像素點(diǎn)的顏色均相同時(shí),判定陣列檢測(cè)為可靠檢測(cè),否則,判定陣列檢測(cè)為不可靠檢測(cè)。
[0022]相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光背板檢測(cè)方法,包括:
[0023]對(duì)多個(gè)有機(jī)發(fā)光背板進(jìn)行陣列檢測(cè);
[0024]利用本發(fā)明提供的上述判斷方法對(duì)陣列檢測(cè)的可靠性進(jìn)行判斷;
[0025]當(dāng)判定所述陣列檢測(cè)為不可靠檢測(cè)時(shí),所述檢測(cè)方法包括:對(duì)陣列檢測(cè)進(jìn)行調(diào)節(jié),并利用調(diào)節(jié)后的陣列檢測(cè)對(duì)所述樣本基板進(jìn)行陣列檢測(cè),直至檢測(cè)結(jié)果與步驟S4中的判定結(jié)果一致為止。
[0026]相應(yīng)地,本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光背板的檢測(cè)裝置,所述有機(jī)發(fā)光背板包括像素電路層和陽(yáng)極層,所述陽(yáng)極層包括位于所述有機(jī)發(fā)光背板的每個(gè)像素單元中的陽(yáng)極,所述檢測(cè)裝置包括:
[0027]陣列檢測(cè)模塊,用于對(duì)多個(gè)有機(jī)發(fā)光背板進(jìn)行陣列檢測(cè);
[0028]驅(qū)動(dòng)模塊,用于向樣本基板的多個(gè)像素單元逐行掃描并提供數(shù)據(jù)電壓信號(hào),所述樣本基板為已完成陣列檢測(cè)的有機(jī)發(fā)光背板中的至少一個(gè)有機(jī)發(fā)光背板;
[0029]電流檢測(cè)模塊,用于檢測(cè)樣本基板的像素電路層輸出至每個(gè)像素單元的陽(yáng)極的電流;
[0030]第一判斷模塊,將電流檢測(cè)模塊所檢測(cè)的電流與預(yù)定電流對(duì)比,當(dāng)電流檢測(cè)模塊所檢測(cè)的電流與預(yù)定電流不一致時(shí),判定相應(yīng)的像素單元為不良像素;
[0031]第二判斷模塊,用于第一判斷模塊的判定結(jié)果與陣列檢測(cè)模塊的檢測(cè)結(jié)果對(duì)比,當(dāng)所述判定結(jié)果和所述檢測(cè)結(jié)果一致時(shí),判定所述陣列檢測(cè)模塊的檢測(cè)結(jié)果為可靠檢測(cè),當(dāng)所述判定結(jié)果和所述檢測(cè)結(jié)果不一致時(shí),判定所述陣列檢測(cè)模塊的檢測(cè)結(jié)果為不可靠檢測(cè);
[0032]調(diào)節(jié)模塊,當(dāng)?shù)诙袛嗄K判定所述陣列檢測(cè)模塊的檢測(cè)結(jié)果為不可靠檢測(cè)時(shí),所述調(diào)節(jié)模塊能夠?qū)λ鲫嚵袡z測(cè)模塊進(jìn)行調(diào)節(jié),直至所述陣列檢測(cè)模塊對(duì)所述樣本基板的檢測(cè)結(jié)果與所述第一判斷模塊的判定結(jié)果一致。
[0033]優(yōu)選地,所述樣本基板的像素電路層包括位于每個(gè)像素單元的寫(xiě)入晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管、存儲(chǔ)電容和開(kāi)關(guān)晶體管,所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極與高電平輸入端相連,所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極與所述陽(yáng)極相連,所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極與所述寫(xiě)入晶體管的第二極相連,所述開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述陽(yáng)極相連,所述樣本基板還包括多條第一掃描線(xiàn)、多條第二掃描線(xiàn)、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)和多條檢測(cè)線(xiàn),同一行所述寫(xiě)入晶體管的柵極與相應(yīng)的第一掃描線(xiàn)相連,同一列寫(xiě)入晶體管的第一極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)相連,同一行開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與相應(yīng)的第二掃描線(xiàn)相連,同一列開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與相應(yīng)的檢測(cè)線(xiàn)相連;
[0034]所述驅(qū)動(dòng)模塊向樣本基板的多個(gè)像素單元逐行掃描時(shí),向同一行像素單元對(duì)應(yīng)的第一掃描線(xiàn)和第二掃描線(xiàn)同時(shí)提供掃描信號(hào),所述電流檢測(cè)模塊包括第一檢測(cè)子模塊,用于檢測(cè)通過(guò)所述檢測(cè)線(xiàn)的電流。
[0035]優(yōu)選地,所述樣本基板上的每個(gè)像素單元內(nèi)的陽(yáng)極電連接,所述電流檢測(cè)模塊還包括第二檢測(cè)子模塊,每掃描一行像素單元所述第二檢測(cè)子模塊均能夠檢測(cè)到一個(gè)相應(yīng)的陽(yáng)極電流;
[0036]所述第一判斷模塊能夠?qū)⑺龅诙z測(cè)子模塊檢測(cè)到的陽(yáng)極電流與所述預(yù)定電流進(jìn)行比較,當(dāng)檢測(cè)到的陽(yáng)極電流與預(yù)定電流一致時(shí),判定與所述陽(yáng)極電流對(duì)應(yīng)的一行像素單元內(nèi)沒(méi)有不良像素;當(dāng)檢測(cè)到的陽(yáng)極電流與預(yù)定電流不一致時(shí),判定與所述陽(yáng)極電流相對(duì)應(yīng)的一行像素單元內(nèi)至少存在一個(gè)不良像素;
[0037]所述驅(qū)動(dòng)模塊能夠向存在不良像素的一行像素單元提供掃描信號(hào),并依次向每個(gè)像素單元提供數(shù)據(jù)電壓信號(hào),以使得所述第二檢測(cè)子模塊檢測(cè)與每個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)的陽(yáng)極電流,并使得所述第一判斷模塊將所述第二檢測(cè)子模塊檢測(cè)到的每個(gè)陽(yáng)極電流與預(yù)定電流對(duì)比,當(dāng)所述陽(yáng)極電流與預(yù)定電流不一致時(shí),判定存在不良像素的一行中對(duì)應(yīng)于該陽(yáng)極電流的像素單元為不良像素。
[0038]優(yōu)選地,所述樣本基板的陽(yáng)極層上還設(shè)置有陰極層,以將多個(gè)像素單元內(nèi)的陽(yáng)極電連接。
[0039]優(yōu)選地,所述第二判斷模塊包括圖像生成子模塊和圖像對(duì)比子模塊,
[0040]所述圖像生成子模塊能夠?qū)⑺鲫嚵袡z測(cè)模塊對(duì)所述樣本基板的檢測(cè)結(jié)果生成第一圖像,并將所述第一判定模塊對(duì)樣本基板的判定結(jié)果生成第二圖像,所述第一圖像包括多個(gè)與樣本基板的像素單元對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn),當(dāng)陣列檢測(cè)模塊判定像素單元為正常像素時(shí),該像素單元在第一圖像中對(duì)應(yīng)的像素點(diǎn)的顏色為第一顏色,當(dāng)陣
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