本發(fā)明屬于micro-led顯示，具體涉及一種micro-led顯示灰階控制方法。

背景技術(shù)：

1、micro-led（light?emitting?diode,?led）顯示作為新一代顯示技術(shù)，集自發(fā)光、高對比度、高亮度與高色彩飽和度、高響應(yīng)速度和長壽命等優(yōu)點于一身。與液晶顯示（liquid?crystal?display,?lcd）相比較，micro-led存在響應(yīng)速度快、轉(zhuǎn)換效率高、色彩飽和度高等優(yōu)點。與有源矩陣有機發(fā)光二極管顯示（active?matrix/organic?lightemitting?diode,?amoled）相比較，amoled存在亮度低，且長時間高亮度使用會存在燒屏問題，而micro-led顯示可以在實現(xiàn)高亮度顯示的同時不會出現(xiàn)老化問題。與mini-led技術(shù)相比，micro-led能夠?qū)崿F(xiàn)更高密度和更薄的顯示?；谝陨弦蛩兀琺icro-led被視為極具潛力的下一代顯示技術(shù)?；诓ＡП嘲宓膖ft驅(qū)動技術(shù)具有高導(dǎo)熱率、低熱膨脹系數(shù)、耐低溫、耐沖擊、高電氣連接密度、高平整度等優(yōu)勢，可滿足復(fù)雜布線和低成本，該技術(shù)是實現(xiàn)micro-led顯示的發(fā)展趨勢。

2、對于micro-led灰階控制方式，目前行業(yè)有兩種控制方式，一是傳統(tǒng)的amoled器件的驅(qū)動方式，當(dāng)前普遍采用模擬電壓控制的驅(qū)動策略，將數(shù)據(jù)電壓寫入驅(qū)動tft的柵極節(jié)點并存儲在存儲電容中，產(chǎn)生不同幅值的驅(qū)動電流，從而實現(xiàn)不同灰階等級的控制。但是micro-led顯示技術(shù)和傳統(tǒng)的amoled驅(qū)動方式不同，micro-led為電流型驅(qū)動器件，其電流啟動速度極快，且從最低亮度到最高亮度的變化過程中，所需電壓變化微小，約為0.3v，相比于擁有數(shù)伏特的數(shù)據(jù)電壓變化范圍的amoled，有著明顯的差異，采用傳統(tǒng)模擬電壓驅(qū)動架構(gòu)來實現(xiàn)micro-led灰階控制并不現(xiàn)實。二是采用傳統(tǒng)無源驅(qū)動方式，采用時間片調(diào)制原理將單個子場時間進一步細分，它通過將調(diào)制周期切割為多個時間片段，并單獨調(diào)節(jié)每個片段，來增強畫面的灰階層次和視覺刷新率。而基于tft的驅(qū)動技術(shù)需要將子幀數(shù)據(jù)電壓存儲到電容中，完成所有行掃描之后統(tǒng)一發(fā)光，無法實現(xiàn)及時發(fā)光。

3、綜合上述，針對micro-led的顯示特性需要開發(fā)一款全新的灰階控制模型來實現(xiàn)高灰階顯示。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明針對micro-led顯示技術(shù)無法實現(xiàn)即時發(fā)光的問題，提出了一種集中的發(fā)光驅(qū)動策略，即一種micro-led顯示灰階控制方法。

2、為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案：

3、本發(fā)明提供一種micro-led顯示灰階控制方法，所述方法為：

4、采用pam和pwm相結(jié)合方式對micro-led的灰階進行控制；

5、pam調(diào)制采用集中發(fā)光方法對micro-led的灰度進行控制；

6、pwm調(diào)制采用子場分割的調(diào)制方法對micro-led的刷新率進行控制。

7、進一步地，還有一種優(yōu)選實施例，0~灰階采用pwm調(diào)制，~灰階采用pam和pwm混合調(diào)制。

8、進一步地，還有一種優(yōu)選實施例，的亮度表示為：

9、；

10、；

11、其中，為屏幕最高亮度值，n為顯示屏灰階等級，為顯示屏伽馬指數(shù)，為比例系數(shù)，為流經(jīng)led電流。

12、進一步地，還有一種優(yōu)選實施例，上述集中發(fā)光方法具體為：

13、依次掃描顯示屏的每一行，任意一行掃描完成后，不立即激發(fā)發(fā)光，將每一行對應(yīng)的灰階數(shù)據(jù)電壓保存于像素電路內(nèi)的存儲電容中，直至整個顯示屏的所有行掃描完畢，統(tǒng)一進行激發(fā)顯示。

14、進一步地，還有一種優(yōu)選實施例，上述子場分割的調(diào)制方法具體為：

15、將一幀顯示時間劃分為個調(diào)制過程；

16、每個子調(diào)制過程中采用pwm和pam混合調(diào)制。

17、進一步地，還有一種優(yōu)選實施例，灰階控制方法實現(xiàn)的總體灰階等級為：

18、；

19、；

20、；

21、其中，為pam調(diào)制實現(xiàn)的灰階等級，為pwm調(diào)制實現(xiàn)的灰階等級，為一幀時間，為led響應(yīng)時間，m為一幀時間內(nèi)數(shù)據(jù)電壓可以取的不同電壓模擬值的數(shù)量。

22、進一步地，還有一種優(yōu)選實施例，每個子調(diào)制過程中調(diào)制數(shù)據(jù)為：

23、

24、其中，為基準數(shù)據(jù)，為疊加數(shù)據(jù)。

25、進一步地，還有一種優(yōu)選實施例，個子調(diào)制步驟，micro-led累計發(fā)光總時間為：

26、；

27、其中，為最低位對應(yīng)的脈沖寬度。

28、進一步地，還有一種優(yōu)選實施例，灰階等級為時的刷新率為：

29、。

30、本發(fā)明還提供一種基于上述任意一項所述的一種micro-led顯示灰階控制方法實現(xiàn)的顯示裝置。

31、本發(fā)明的有益效果為：

32、1、本發(fā)明針對現(xiàn)有micro-led顯示技術(shù)無法實現(xiàn)即時發(fā)光的問題，提出了一種micro-led顯示灰階控制方法，所述控制方法是基于micro-led的顯示特性提出的pam和pwm相結(jié)合的灰階混合控制方法。其中，pam調(diào)制采用集中發(fā)光實現(xiàn)對micro-led灰度控制，pwm調(diào)制采用了子場分割的調(diào)制策略實現(xiàn)micro-led刷新率的提升。

33、進一步地，本發(fā)明通過在0~灰階采用pwm調(diào)制，通過將一幀時間劃分為多個子場，通過切換子場來控制灰度，進而實現(xiàn)低灰階展開，解決在低灰情況下pam無法精確展開灰階以及芯片波長漂移導(dǎo)致偏色的問題。而在~灰階則采用pam和pwm混合調(diào)制，實現(xiàn)高灰階顯示時候提升micro-led的發(fā)光效率。

34、本發(fā)明適用于micro-led的顯示灰階控制。

技術(shù)特征：

1.一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，方法為：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，0~灰階采用pwm調(diào)制，~灰階采用pam和pwm混合調(diào)制。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，的亮度表示為：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，集中發(fā)光方法具體為：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，子場分割的調(diào)制方法具體為：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，灰階控制方法實現(xiàn)的總體灰階等級為：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，每個子調(diào)制過程中調(diào)制數(shù)據(jù)為：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，個子調(diào)制步驟，micro-led累計發(fā)光總時間為：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種micro-led顯示灰階控制方法，其特征在于，灰階等級為時的刷新率為：

10.顯示裝置，其特征在于，基于權(quán)利要求1-9任意一項所述的一種micro-led顯示灰階控制方法實現(xiàn)。

技術(shù)總結(jié)
一種Micro?LED顯示灰階控制方法、顯示裝置，涉及Micro?LED顯示技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明針對現(xiàn)有Micro?LED顯示技術(shù)無法實現(xiàn)即時發(fā)光的問題，提出了一種Micro?LED顯示灰階控制方法，所述控制方法是基于Micro?LED的顯示特性提出的PAM和PWM相結(jié)合的灰階混合控制方法。其中，PAM調(diào)制采用集中發(fā)光實現(xiàn)對Micro?LED灰度控制，PWM調(diào)制采用了子場分割的調(diào)制策略實現(xiàn)Micro?LED刷新率的提升。本發(fā)明適用于Micro?LED的顯示灰階控制。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭喜鳳,陳煜豐,曹慧,毛新越,汪洋
受保護的技術(shù)使用者：長春希達電子技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6