本專利申請要求于2016年4月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0053034號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

本公開涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括陰極、陽極以及位于陰極與陽極之間的有機(jī)發(fā)射層。從陰極注射的電子和從陽極注射的空穴在有機(jī)發(fā)射層中結(jié)合，從而形成激子，激子釋放能量，從而可以發(fā)射光。

有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括用于顯示圖像的多個(gè)像素。像素均包括由陰極、陽極和有機(jī)發(fā)射層形成的有機(jī)發(fā)光二極管、設(shè)置為驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)晶體管以及至少一個(gè)電容器。

然而，寄生電容會(huì)出現(xiàn)在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中。這些寄生電容會(huì)改變一個(gè)或更多個(gè)像素的亮度，從而降低圖像質(zhì)量。因此，需要減小或防止這些寄生電容的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置包括：掃描線，在第一方向上延伸；第一數(shù)據(jù)線，與掃描線交叉并且傳輸數(shù)據(jù)信號；第一驅(qū)動(dòng)電壓線，與掃描線交叉并且傳輸驅(qū)動(dòng)電壓；導(dǎo)電構(gòu)件，包括連接到第一驅(qū)動(dòng)電壓線并且與第一數(shù)據(jù)線疊置的部分，其中，第一絕緣層插入導(dǎo)電構(gòu)件與第一數(shù)據(jù)線之間；控制線，包括均在第一方向上延伸的多個(gè)主線部和在平面圖中位于所述多個(gè)主線部中的彼此相鄰的兩個(gè)主線部之間的迂回部，其中，迂回部將兩個(gè)相鄰的主線部連接在一起，其中，迂回部的一部分在平面圖中位于導(dǎo)電構(gòu)件與第一驅(qū)動(dòng)電壓線之間。

在實(shí)施例中，顯示裝置還包括與控制線間隔開的第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，其中，迂回部包括在平面圖中位于第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O與導(dǎo)電構(gòu)件之間的部分。

在實(shí)施例中，顯示裝置還包括具有與第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O疊置的第一溝道區(qū)的半導(dǎo)體構(gòu)件，其中，第二絕緣層插入半導(dǎo)體構(gòu)件與第一溝道區(qū)之間，其中，半導(dǎo)體構(gòu)件包括多個(gè)溝道區(qū)和導(dǎo)電區(qū)，所述多個(gè)溝道區(qū)包括第一溝道區(qū)，導(dǎo)電區(qū)包括導(dǎo)電構(gòu)件。

在實(shí)施例中，所述多個(gè)溝道區(qū)包括與控制線疊置的至少一個(gè)溝道區(qū)。

在實(shí)施例中，第一絕緣層包括設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件的導(dǎo)電區(qū)上的接觸孔，第一驅(qū)動(dòng)電壓線通過接觸孔連接到導(dǎo)電區(qū)。

在實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件通過在與導(dǎo)電構(gòu)件的延伸方向不同的方向上延伸的連接部分連接到與第一驅(qū)動(dòng)電壓線連接的導(dǎo)電區(qū)。

在實(shí)施例中，迂回部包括與第一數(shù)據(jù)線平行地延伸的一對豎直部和連接一對豎直部的水平部。

在實(shí)施例中，掃描線在剖視圖中與控制線位于同一層中，所述多個(gè)溝道區(qū)包括與掃描線疊置的至少一個(gè)溝道區(qū)。

在實(shí)施例中，水平部在平面圖中位于導(dǎo)電構(gòu)件與掃描線之間。

在實(shí)施例中，第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O在平面圖中位于掃描線與控制線的水平部之間。

在實(shí)施例中，水平部與第一數(shù)據(jù)線交叉。

在實(shí)施例中，豎直部在平面圖中位于導(dǎo)電構(gòu)件與第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O之間。

在實(shí)施例中，第一驅(qū)動(dòng)電壓線在與第一方向交叉的第二方向上延伸，第一驅(qū)動(dòng)電壓線包括在第一方向上延伸的第一擴(kuò)展部，第一驅(qū)動(dòng)電壓線利用插入第一驅(qū)動(dòng)電壓線與第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O之間的第一絕緣層與第一驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O疊置而形成電容器。

在實(shí)施例中，顯示裝置還包括與第一數(shù)據(jù)線相鄰的第二數(shù)據(jù)線，其中，導(dǎo)電構(gòu)件與第二數(shù)據(jù)線疊置。

在實(shí)施例中，顯示裝置還包括第二驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O和具有在第一方向上延伸的第二擴(kuò)展部的第二驅(qū)動(dòng)電壓線，其中，兩個(gè)驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O位于兩條數(shù)據(jù)線之間，其中，分別與兩個(gè)驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O疊置的兩個(gè)擴(kuò)展部彼此連接。

在實(shí)施例中，主線部不與導(dǎo)電構(gòu)件疊置，迂回部不與導(dǎo)電構(gòu)件疊置并且沿導(dǎo)電構(gòu)件的外圍延伸。

在實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件包括在平面圖中不與數(shù)據(jù)線疊置的凹部，凹部設(shè)置在主線部的延長線上。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置包括：掃描線，在第一方向上延伸；數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線，在與第一方向交叉的第二方向上延伸；控制線，包括與第一方向平行的第一部分、連接到第一部分并且與第二方向平行的第二部分以及連接到第二部分并且與第一方向平行的第三部分；驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，在平面圖中位于多條掃描線之中的第一掃描線與控制線的第一部分之間，其中，控制線的第二部分在平面圖中位于數(shù)據(jù)線與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O之間，控制線的第三部分與數(shù)據(jù)線交叉。

在實(shí)施例中，顯示裝置還包括連接到驅(qū)動(dòng)電壓線并且與數(shù)據(jù)線疊置的導(dǎo)電構(gòu)件，其中，第一部分的延伸部延伸超過導(dǎo)電構(gòu)件的邊緣，第二部分和第三部分沿導(dǎo)電構(gòu)件的外圍延伸。

在實(shí)施例中，第二部分在平面圖中位于驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O與導(dǎo)電構(gòu)件之間。

在實(shí)施例中，顯示裝置還包括：半導(dǎo)體構(gòu)件，包括與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O疊置的溝道區(qū)；絕緣層，插入溝道區(qū)與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O之間；導(dǎo)電區(qū)，連接到溝道區(qū)，其中，導(dǎo)電區(qū)可以包括導(dǎo)電構(gòu)件。

根據(jù)示例性實(shí)施例，提出了具有多個(gè)像素的顯示裝置。每個(gè)像素包括：有機(jī)發(fā)光二極管(oled)；發(fā)光控制晶體管，連接到oled；控制線，構(gòu)造為將發(fā)光控制信號施加到發(fā)光控制晶體管的柵電極和操作控制晶體管的柵電極；數(shù)據(jù)線，傳輸數(shù)據(jù)信號；導(dǎo)體，與數(shù)據(jù)線疊置并且接收驅(qū)動(dòng)電壓，其中，控制線在導(dǎo)體的外圍周圍彎折。

在實(shí)施例中，控制線包括布置在數(shù)據(jù)線的方向上的第一部分、布置在與數(shù)據(jù)線垂直的方向上的第二部分和布置在數(shù)據(jù)線的方向上的第三部分。

在實(shí)施例中，導(dǎo)體包括不與將導(dǎo)體的剩余部分連接到供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電壓的驅(qū)動(dòng)電壓線的數(shù)據(jù)線疊置的凹部。

在實(shí)施例中，凹部的寬度比剩余部分的寬度小。

在實(shí)施例中，顯示裝置還包括：操作控制晶體管，連接在驅(qū)動(dòng)電壓與發(fā)光控制晶體管之間；驅(qū)動(dòng)晶體管，連接在操作控制晶體管與發(fā)光控制晶體管之間；電容器，連接在驅(qū)動(dòng)電壓與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極之間；開關(guān)晶體管，連接在數(shù)據(jù)線與位于操作控制晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管之間的節(jié)點(diǎn)之間，其中，開關(guān)晶體管的柵電極接收掃描信號。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性布局圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的像素的電路圖。

圖3是施加到根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的像素的信號的時(shí)序圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置中的兩個(gè)相鄰的像素的布局圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置中的四個(gè)相鄰的像素的布局圖。

圖6是圖4的沿線vi-via截取的顯示裝置的剖視圖。

圖7是圖4的沿線vii-viia截取的顯示裝置的剖視圖。

圖8是圖4的沿線viii-viiia截取的顯示裝置的剖視圖。

圖9是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置中的兩個(gè)相鄰的像素的布局圖。

圖10是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置中的四個(gè)相鄰的像素的布局圖。

圖11是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置中的兩個(gè)相鄰的像素的布局圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參考附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，在全部不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以以各種不同的方式修改描述的實(shí)施例。貫穿說明書，同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。

將理解的是，當(dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱作“在”另一元件“上”時(shí)，它可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中間元件。

此外，在本說明書中，短語“在平面圖中”意為從頂部看目標(biāo)部分，短語“在剖面中”意為通過從側(cè)面豎直地切割目標(biāo)部分看剖面。

在下文中，將參照圖1描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的示意性布局圖。

參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置1包括顯示面板100、第一驅(qū)動(dòng)器200(例如，第一驅(qū)動(dòng)器電路)和第二驅(qū)動(dòng)器300(例如，第二驅(qū)動(dòng)器電路)。

顯示面板100包括可顯示圖像的顯示區(qū)域da。顯示區(qū)域da包括多個(gè)像素px和多條信號線151、152、153、171和172。每個(gè)像素px是用于顯示圖像的最小單元，顯示裝置可以利用多個(gè)像素px顯示圖像。

在實(shí)施例中，每個(gè)像素px包括連接到多條信號線151、152、153、171和172的多個(gè)晶體管(未示出)、電容器(未示出)和有機(jī)發(fā)光二極管(未示出)。

信號線151、152、153、171和172可以包括多條掃描線151和152(例如，柵極線)、多條控制線153、多條數(shù)據(jù)線171和多條驅(qū)動(dòng)電壓線172。

多條掃描線151和152可以傳輸掃描信號或柵極信號。掃描信號可以包括可使包括在每個(gè)像素px中的至少一個(gè)晶體管導(dǎo)通/截止的柵極導(dǎo)通電壓和/或柵極截止電壓。例如，柵極導(dǎo)通電壓可以用于導(dǎo)通晶體管，柵極截止電壓可以用于截止晶體管，其中，柵極導(dǎo)通電壓的邏輯電平與柵極截止電壓的邏輯電平不同。在實(shí)施例中，連接到像素px的掃描線151和152包括當(dāng)前掃描線151以及以與當(dāng)前掃描線151的時(shí)序不同的時(shí)序傳輸柵極導(dǎo)通電壓的前掃描線152。

在實(shí)施例中，多條掃描線151和152與第一方向dr1平行地延伸或者與第一方向dr1基本平行地延伸。

控制線153可以傳輸控制信號。在示例性實(shí)施例中，控制線153傳輸對像素px的有機(jī)發(fā)光二極管oled的發(fā)光進(jìn)行控制的發(fā)光控制信號。例如，發(fā)光控制信號可以控制正在由oled發(fā)射的光量。在實(shí)施例中，通過控制線153傳輸?shù)目刂菩盘柊艠O導(dǎo)通電壓和/或柵極截止電壓。在實(shí)施例中，控制信號具有與通過掃描線151和152傳輸?shù)膾呙栊盘柕牟ㄐ尾煌牟ㄐ巍?/p>

在實(shí)施例中，控制線153包括曲線或折線而不是在恒定方向上延伸。在實(shí)施例中，曲線或折線以規(guī)則的間隔重復(fù)。在實(shí)施例中，控制線153包括多段，其中，每段包括在第二方向dr2上延伸的第一部分、在第一方向dr1上延伸并連接到第一部分的第二部分、在第二方向dr2上延伸并連接到第二部分的第三部分和在第一方向dr1上延伸并連接到第三部分的第四部分。具體地，如圖1中所示，控制線153可以在形狀上以恒定節(jié)距規(guī)則地改變，恒定節(jié)距可以與在第一方向dr1上的至少一個(gè)像素px的寬度相等。在實(shí)施例中，每個(gè)像素僅包括多段中的一段。如果存在由第一方向dr1上的n個(gè)重復(fù)像素px形成的單元(這里，n是大于1的自然數(shù))，則至少一個(gè)像素px的在第一方向dr1上的寬度可以表示重復(fù)單元的節(jié)距。圖1示例性地示出控制線153以一個(gè)像素px的第一方向dr1上的寬度為單位規(guī)則地彎折，但是發(fā)明不限于此。

更具體地，控制線153可以包括與第一方向dr1平行地延伸或者與第一方向dr1基本平行地延伸的多個(gè)分離的主線部153a以及均設(shè)置在兩個(gè)相鄰的主線部153a之間的迂回部153b。

迂回部153b與每兩個(gè)相鄰的主線部153a的彼此面對的兩個(gè)端部連接。迂回部153b可以包括例如分別連接到兩個(gè)相鄰的主線部153a的端部并且彼此面對的一對豎直部53，以及設(shè)置在一對豎直部53之間并且連接一對豎直部53的水平部54。豎直部53可以在作為與第一方向dr1交叉的方向的第二方向dr2上延伸或者基本在第二方向dr2上延伸，水平部54可以在第一方向dr1上延伸或者基本在第一方向dr1上延伸，但是本發(fā)明不限于此。在示例性實(shí)施例中，第二方向dr2與第一方向dr1垂直(例如，成直角)或者與第一方向dr1基本垂直，但是發(fā)明不限于此。水平部54可以在距當(dāng)前掃描線151一定距離處與當(dāng)前掃描線151近似平行地延伸，但是發(fā)明不限于此。

彼此連接的一個(gè)主線部153a和一個(gè)迂回部153b形成單個(gè)單元，這樣的單元可以沿第一方向dr1重復(fù)地布置。在實(shí)施例中，單個(gè)迂回部153b的水平部54的中心與相鄰的迂回部153b的水平部54的中心之間的距離等于一個(gè)像素px的在第一方向dr1上的寬度。

數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號。數(shù)據(jù)信號的值可以基于將要顯示的圖像變化。數(shù)據(jù)線171可以在第二方向dr2上延伸或者基本在第二方向dr2上延伸并且因此可以與掃描線151和152交叉。

驅(qū)動(dòng)電壓線172傳輸驅(qū)動(dòng)電壓elvdd。在實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電壓elvdd是不變的或恒定的電壓。驅(qū)動(dòng)電壓線可以在第二方向dr2上延伸或者基本在第二方向dr2上延伸并且因此可以與掃描線151和152交叉。

參照圖1，控制線153的主線部153a不包括與數(shù)據(jù)線171疊置的部分，控制線153的迂回部153b包括與數(shù)據(jù)線171交叉或疊置的部分。即，控制線153與第一方向dr1基本平行地延伸，然后在與數(shù)據(jù)線171相鄰的點(diǎn)處彎折使得迂回部153b形成。

在實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171位于控制線153的每個(gè)迂回部153b的一對豎直部53之間，迂回部153b的水平部54在與數(shù)據(jù)線171交叉的同時(shí)與數(shù)據(jù)線171疊置。

第一驅(qū)動(dòng)器200和第二驅(qū)動(dòng)器300可以分別將信號傳輸?shù)蕉鄺l信號線151、152、153、171和172。例如，第一驅(qū)動(dòng)器200可以包括將掃描信號傳輸?shù)蕉鄺l掃描線151和152的掃描驅(qū)動(dòng)器(例如，柵極驅(qū)動(dòng)器)，第二驅(qū)動(dòng)器300可以包括將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)綌?shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。

第一驅(qū)動(dòng)器200可以與包括在像素px中的多個(gè)晶體管一起直接形成在顯示面板100上，或者可以作為至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路芯片附著在顯示面板100上。可選擇地，第一驅(qū)動(dòng)器200附著在連接到顯示面板100的印刷電路膜上，因此第一驅(qū)動(dòng)器200可以將信號傳輸?shù)斤@示面板100。設(shè)置在顯示面板100上的第二驅(qū)動(dòng)器300或印刷電路膜可以設(shè)置在顯示區(qū)域da的外圍區(qū)域(未示出)中。例如，第二驅(qū)動(dòng)器300或印刷電路膜可以設(shè)置在顯示區(qū)域da外部。

將參照圖1、圖2和圖3描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和操作的示例。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置中的一個(gè)像素(例如，px)的電路圖，圖3是施加到根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的像素的信號的時(shí)序圖。

參照圖2，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置是有機(jī)發(fā)光顯示裝置，顯示裝置的每個(gè)像素px包括連接到多條信號線151、152、153、171和172的多個(gè)晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7、電容器cst以及有機(jī)發(fā)光二極管oled。每個(gè)像素px可以包括單個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管oled。

晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7可以包括驅(qū)動(dòng)晶體管t1、開關(guān)晶體管t2、補(bǔ)償晶體管t3、初始化晶體管t4、操作控制晶體管t5、發(fā)光控制晶體管t6和旁路晶體管t7。在實(shí)施例中，補(bǔ)償晶體管t3和初始化晶體管t4具有用于減小泄露電流的雙柵電極結(jié)構(gòu)。

當(dāng)前掃描線151可以將掃描信號sn傳輸?shù)介_關(guān)晶體管t2和補(bǔ)償晶體管t3，前掃描線152可以將前掃描信號sn-1傳輸?shù)匠跏蓟w管t4和旁路晶體管t7，控制線153可以將發(fā)光控制信號em傳輸?shù)桨l(fā)光控制晶體管t6。

驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1與電容器cst的第一端cst1連接，驅(qū)動(dòng)晶體管t1的源電極s1經(jīng)由操作控制晶體管t5與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接，驅(qū)動(dòng)晶體管t1的漏電極d1經(jīng)由發(fā)光控制晶體管t6與有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極電連接。驅(qū)動(dòng)晶體管t1根據(jù)開關(guān)晶體管t2的開關(guān)操作接收通過數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號dm，并且將驅(qū)動(dòng)電流id供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極管oled。

開關(guān)晶體管t2的柵電極g2與當(dāng)前掃描線151連接，開關(guān)晶體管t2的源電極s2與數(shù)據(jù)線171連接，開關(guān)晶體管t2的漏電極d2與驅(qū)動(dòng)晶體管t1的源電極s1連接并且經(jīng)由操作控制晶體管t5與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接。開關(guān)晶體管t2根據(jù)通過當(dāng)前掃描線151接收的掃描信號sn而導(dǎo)通，并且將從數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號dm傳輸?shù)津?qū)動(dòng)晶體管t1的源電極s1。

補(bǔ)償晶體管t3的柵電極g3連接到當(dāng)前掃描線151，補(bǔ)償晶體管t3的源電極s3與驅(qū)動(dòng)晶體管t1的漏電極d1連接并且經(jīng)由發(fā)光控制晶體管t6與有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極連接。補(bǔ)償晶體管t3的漏電極d3連接到初始化晶體管t4的漏電極d4、電容器cst的第一端cst1以及驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1。補(bǔ)償晶體管t3根據(jù)通過當(dāng)前掃描線151接收的掃描信號sn而導(dǎo)通，并且可以通過將驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1與漏電極d1彼此連接來二極管連接驅(qū)動(dòng)晶體管t1。

初始化晶體管t4的柵電極g4與前掃描線152連接，初始化晶體管t4的源電極s4與初始化電壓線192連接，初始化晶體管t4的漏電極d4通過補(bǔ)償晶體管t3的漏電極d3與電容器cst的第一端cst1和驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1連接。初始化晶體管t4的根據(jù)通過前掃描線152接收的前掃描信號sn-1而導(dǎo)通，并且因此將初始化電壓vint傳輸?shù)津?qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1，從而可以執(zhí)行使驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1的電壓初始化的初始化操作。

操作控制晶體管t5的柵電極g5與控制線153連接，操作控制晶體管t5的源電極s5與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接，操作控制晶體管t5的漏電極d5與驅(qū)動(dòng)晶體管t1的源電極s1和開關(guān)晶體管t2的漏電極d2連接。

發(fā)光控制晶體管t6的柵電極g6與控制線153連接，發(fā)光控制晶體管t6的源電極s6與驅(qū)動(dòng)晶體管t1的漏電極d1和補(bǔ)償晶體管t3的源電極s3連接，發(fā)光控制晶體管t6的漏電極d6與有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極電連接。操作控制晶體管t5和發(fā)光控制晶體管t6根據(jù)通過控制線153接收的發(fā)光控制信號em而同時(shí)導(dǎo)通，使得驅(qū)動(dòng)電壓elvdd通過二極管結(jié)合的驅(qū)動(dòng)晶體管t1而被補(bǔ)償然后傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光二極管oled。

旁路晶體管t7的柵電極g7與前掃描線152連接，旁路晶體管t7的源電極s7與發(fā)光控制晶體管t6的漏電極d6和有機(jī)發(fā)光二極管oled的陽極連接，旁路晶體管t7的漏電極d7連接到供應(yīng)初始化電壓vint的端子和初始化晶體管t4的源電極s4?？蛇x擇地，旁路晶體管t7的柵電極g7可以與附加的控制線(未示出)連接。

在實(shí)施例中，晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的至少一個(gè)是諸如正金屬氧化物半導(dǎo)體(pmos)的p型溝道晶體管，但是本發(fā)明不限于此。在實(shí)施例中，晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的至少一個(gè)是諸如負(fù)金屬氧化物半導(dǎo)體(nmos)的n型溝道晶體管，但是本發(fā)明不限于此。

電容器cst的第二端cst2與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接，有機(jī)發(fā)光二極管oled的陰極與供應(yīng)共電壓elvss的端子連接。在實(shí)施例中，共電壓是接地電壓。在實(shí)施例中，共電壓elvss比驅(qū)動(dòng)電壓elvdd低。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的像素px的結(jié)構(gòu)不限于圖2中示出的結(jié)構(gòu)，晶體管的數(shù)量、電容器的數(shù)量和連接關(guān)系可以進(jìn)行各種修改。例如，可以省略圖2中示出的晶體管中的一個(gè)或更多個(gè)以創(chuàng)建較簡單的像素px。

接下來，將參照圖2和圖3描述用于驅(qū)動(dòng)根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的方法。在本公開中，為了易于討論，晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7將被描述為p型溝道晶體管。

在初始化時(shí)間段期間，通過前掃描線152供應(yīng)低電平前掃描信號sn-1。然后，初始化晶體管t4響應(yīng)于低電平前掃描信號sn-1而導(dǎo)通，初始化電壓vint通過導(dǎo)通的初始化晶體管t4傳輸?shù)津?qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1，利用初始化電壓vint來使驅(qū)動(dòng)晶體管t1初始化。

接下來，當(dāng)在數(shù)據(jù)編程和補(bǔ)償時(shí)間段期間通過當(dāng)前掃描線151供應(yīng)低電平掃描信號sn時(shí)，開關(guān)晶體管t2和補(bǔ)償晶體管t3響應(yīng)于低電平掃描信號sn而導(dǎo)通。在這種情況下，驅(qū)動(dòng)晶體管t1通過導(dǎo)通的補(bǔ)償晶體管t3而二極管結(jié)合并因此正向偏置。然后，將由數(shù)據(jù)線171供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號dm減去驅(qū)動(dòng)晶體管t1的閾值電壓vth的補(bǔ)償電壓dm+vth(vth是負(fù)(-)值)施加到驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1。即，施加到驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1的柵極電壓變?yōu)檠a(bǔ)償電壓dm+vth。

將驅(qū)動(dòng)電壓elvdd和補(bǔ)償電壓dm+vth施加到電容器cst的相對端，與電容器cst的相對端之間的電壓差對應(yīng)的電荷儲存在電容器cst中。

接下來，從控制線153供應(yīng)的發(fā)光控制信號em從高電平變?yōu)榈碗娖讲⑶以诎l(fā)光時(shí)間段期間保持在低電平。然后，操作控制晶體管t5和發(fā)光控制晶體管t6在發(fā)光時(shí)間段期間通過低電平發(fā)光控制信號em而導(dǎo)通。因此，產(chǎn)生取決于驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵電極g1的柵極電壓與驅(qū)動(dòng)電壓elvdd之間的電壓差的驅(qū)動(dòng)電流id，驅(qū)動(dòng)電流id通過發(fā)光控制晶體管t6流向有機(jī)發(fā)光二極管oled，使得電流ioled流向有機(jī)發(fā)光二極管oled。驅(qū)動(dòng)晶體管t1的柵極-源極電壓vgs通過電容器cst保持在(dm+vth)-elvdd，根據(jù)驅(qū)動(dòng)晶體管t1的電流-電壓關(guān)系，驅(qū)動(dòng)電流id可以與從柵極-源極電壓vgs減去閾值電壓vth獲得的電壓的平方(即，(dm-elvdd)²)成正比。因此，可以確定驅(qū)動(dòng)電流id而與驅(qū)動(dòng)晶體管t1的閾值電壓vth無關(guān)。

同時(shí)，在初始化時(shí)間段期間，旁路晶體管t7通過前掃描線152接收低電平前掃描信號sn-1并且因此導(dǎo)通。因此，驅(qū)動(dòng)電流id的一部分可以通過旁路晶體管t7作為旁路電流ibp而被引出。

接下來，將參照圖4至圖8與圖1至圖3一起示例性地描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置中的兩個(gè)相鄰的像素的布局圖，圖5是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置中的四個(gè)相鄰的像素的布局圖，圖6是圖4的沿線vi-via截取的顯示裝置的剖視圖，圖7是圖4的沿線vii-viia截取的顯示裝置的剖視圖，圖8是圖4的沿線viii-viiia截取的顯示裝置的剖視圖。

參照圖4和圖5，將描述顯示裝置的平面結(jié)構(gòu)，然后將參照圖6至圖8描述顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)。

參照圖4和圖5與圖1至圖3一起，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的像素px包括與當(dāng)前掃描線151、前掃描線152、控制線153、數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172連接的多個(gè)晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7以及電容器cst。

參照圖4和圖5，在第一方向dr1上相鄰的兩個(gè)像素參照其間的邊界線相對于彼此對稱地設(shè)置，但是發(fā)明不限于此。此外，數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172參照兩個(gè)相鄰的像素px之間的邊界線相對于彼此對稱地設(shè)置。因此，多條數(shù)據(jù)線171包括兩條相鄰的數(shù)據(jù)線。

數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)電壓線172可以在第二方向dr2上延伸或者基本在第二方向dr2上延伸。

在實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171與接收恒定電壓(例如，elvdd)的導(dǎo)電構(gòu)件135疊置。導(dǎo)電構(gòu)件135也可以被稱作屏蔽電極。在實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線171在第一方向dr1上與導(dǎo)電構(gòu)件135完全疊置。即，在實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件135的在第一方向dr1上的寬度比數(shù)據(jù)線171的在第一方向dr1上的寬度大。后面將詳細(xì)地描述導(dǎo)電構(gòu)件135。

在實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電壓線172包括在第一方向dr1上延伸的擴(kuò)展部178。擴(kuò)展部178在與驅(qū)動(dòng)電壓線172相鄰的數(shù)據(jù)線171的相對方向上延伸，單個(gè)擴(kuò)展部178可以設(shè)置在每個(gè)像素px中。在實(shí)施例中，兩個(gè)擴(kuò)展部178彼此連接，其中，這兩個(gè)擴(kuò)展部178分別設(shè)置在沿第一方向dr1相鄰的兩個(gè)像素中并且沒有數(shù)據(jù)線171插入這兩個(gè)擴(kuò)展部178之間。因此，通過相對于兩個(gè)相鄰的像素px的驅(qū)動(dòng)電壓線172傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電壓elvdd可以通過彼此連接的擴(kuò)展部178在第一方向dr1上均勻地傳輸。

相鄰的驅(qū)動(dòng)電壓線172可以通過連接構(gòu)件154彼此連接。連接構(gòu)件154可以在第一方向dr1上延伸或者基本在第一方向dr1上延伸。驅(qū)動(dòng)電壓線172通過接觸孔68與連接構(gòu)件154連接。因此，驅(qū)動(dòng)電壓elvdd沿驅(qū)動(dòng)電壓線172在第二方向dr2上傳輸并且也通過連接構(gòu)件154傳輸?shù)降谝环较騞r1，使得驅(qū)動(dòng)電壓elvdd可以以網(wǎng)格結(jié)構(gòu)在整個(gè)顯示面板100中傳輸。例如，用于傳輸驅(qū)動(dòng)電壓elvdd的整個(gè)傳輸路徑可以看起來像網(wǎng)或網(wǎng)格以向像素提供更均勻的驅(qū)動(dòng)電壓。因此，可以使驅(qū)動(dòng)電壓elvdd在整個(gè)顯示面板100中的壓降最小化。

參照圖4，前掃描線152設(shè)置在當(dāng)前掃描線151上方，控制線153設(shè)置在當(dāng)前掃描線151下方。

如前所述，控制線153包括與第一方向dr1平行地延伸的多個(gè)主線部153a和連接到主線部153a的迂回部153b。主線部153a設(shè)置在兩條相鄰的數(shù)據(jù)線171之間，并且不與數(shù)據(jù)線171疊置。主線部153a靠近數(shù)據(jù)線171彎折并且然后連接到迂回部153b。迂回部153b可以包括在第二方向dr2上延伸或者基本在第二方向dr2上延伸的豎直部53以及在第一方向dr1上延伸或者基本在第一方向dr1上延伸的水平部54，但是所述結(jié)構(gòu)不限于此。豎直部53從主線部153a朝向當(dāng)前掃描線151延伸然后在其端部處連接到水平部54。在實(shí)施例中，水平部54在與數(shù)據(jù)線171交叉的同時(shí)與數(shù)據(jù)線171疊置。

參照圖4和圖5，在示例性實(shí)施例中，根據(jù)兩個(gè)相鄰的像素的對稱結(jié)構(gòu)，一個(gè)迂回部153b的水平部54的中心與相鄰的迂回部153b的水平部54的中心之間的距離等于或大于這兩個(gè)像素px的在第一方向dr1上的寬度。兩個(gè)相鄰像素px的在第一方向上的寬度可以是由第一方向dr1上的每兩個(gè)相鄰的像素形成的單元的在第一方向dr1上的節(jié)距。更具體地，如圖4和圖5中所示，在實(shí)施例中，兩個(gè)像素px的在第一方向dr1上的寬度等于一對相鄰的數(shù)據(jù)線171之間的豎直中心線與下一對相鄰的數(shù)據(jù)線171之間的豎直中心線之間的距離。水平部54可以與彼此相鄰的兩個(gè)像素的邊界疊置，相鄰的一條數(shù)據(jù)線171可以插入其間。

多個(gè)晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的每個(gè)的溝道可以形成在單個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件130中，半導(dǎo)體構(gòu)件130可以以各種形狀彎折。半導(dǎo)體構(gòu)件130可以由諸如多晶硅或氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體材料制成。

半導(dǎo)體構(gòu)件130包括形成晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的每個(gè)的溝道的溝道區(qū)131。溝道區(qū)131是半導(dǎo)體。在附圖中，各晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7的溝道區(qū)131表示為131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g。

在實(shí)施例中，半導(dǎo)體構(gòu)件130包括設(shè)置在溝道區(qū)131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g中的每個(gè)的側(cè)面處的導(dǎo)電區(qū)。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體構(gòu)件130具有比溝道區(qū)131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g的載流子濃度高的載流子濃度。在半導(dǎo)體構(gòu)件130中，除了溝道區(qū)131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g之外的其他部分可以是導(dǎo)電區(qū)。設(shè)置在晶體管t1、t2、t3、t4、t5、t6和t7中的每個(gè)晶體管的溝道區(qū)131a、131b、131c、131d、131e、131f和131g中的每個(gè)溝道區(qū)的相對端處的導(dǎo)電區(qū)可以成為源區(qū)和漏區(qū)，使得它們可以用于起到源電極和漏電極的功能。

參照圖4和圖5，在實(shí)施例中，設(shè)置在每個(gè)像素中的半導(dǎo)體構(gòu)件130包括彼此面對并使驅(qū)動(dòng)晶體管t1的溝道區(qū)131a插入其間的第一豎直部132和第二豎直部133。第一豎直部132和第二豎直部133可以大部分為導(dǎo)電區(qū)。第一豎直部132和第二豎直部133可以在與第二方向dr2平行的方向上延伸或者在與第二方向dr2基本平行的方向上延伸。半導(dǎo)體構(gòu)件130的第一豎直部132可以設(shè)置在包括在控制線153的迂回部153b中的豎直部53與驅(qū)動(dòng)晶體管t1的溝道區(qū)131a之間。在實(shí)施例中，控制線153的豎直部53與半導(dǎo)體構(gòu)件130的第一豎直部132之間的間隙w2大于0。即，控制線153的豎直部53和半導(dǎo)體構(gòu)件130的第一豎直部132彼此不疊置。

驅(qū)動(dòng)晶體管t1包括溝道區(qū)131a、設(shè)置在溝道區(qū)131a的相對端處的作為半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的源區(qū)和漏區(qū)以及與溝道區(qū)131a疊置的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a。

溝道區(qū)131a可以彎折至少一次。例如，驅(qū)動(dòng)晶體管t1的溝道區(qū)131a可以具有蜿蜒形狀或之字形狀。在圖4和圖5中，溝道區(qū)131a具有“u”形形狀或者基本具有“u”形形狀。溝道區(qū)131a與半導(dǎo)體構(gòu)件130的第一豎直部132連接，第一豎直部132與驅(qū)動(dòng)晶體管t1的源區(qū)對應(yīng)。

在實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件130的第一豎直部132和第二豎直部133之間。驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a通過接觸孔61與連接構(gòu)件174連接。

在實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a和驅(qū)動(dòng)晶體管t1的溝道區(qū)131a設(shè)置在當(dāng)前掃描線151與控制線153的主線部153a之間。另外，在實(shí)施例中，根據(jù)兩個(gè)相鄰像素px的對稱結(jié)構(gòu)，一對驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a和一對溝道區(qū)131a設(shè)置在兩個(gè)在第一方向dr1上相鄰的迂回部153b之間。

開關(guān)晶體管t2包括溝道區(qū)131b、設(shè)置在溝道區(qū)131b的相對端處的作為半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的源區(qū)和漏區(qū)以及與溝道區(qū)131b疊置的柵電極155b。在實(shí)施例中，當(dāng)前掃描線151的與溝道區(qū)131b疊置的部分形成柵電極155b。半導(dǎo)體構(gòu)件130的設(shè)置在相對于當(dāng)前掃描線151的上部中并且連接到溝道區(qū)131b的導(dǎo)電區(qū)為開關(guān)晶體管t2的源區(qū)并且通過接觸孔62與數(shù)據(jù)線171連接。溝道區(qū)131b與半導(dǎo)體構(gòu)件130的第一豎直部132連接，第一豎直部132與開關(guān)晶體管t2的漏區(qū)對應(yīng)。

補(bǔ)償晶體管t3包括溝道區(qū)131c、設(shè)置在溝道區(qū)131c的相對端處的作為半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的源區(qū)和漏區(qū)以及與溝道區(qū)131c疊置的柵電極155c。在實(shí)施例中，當(dāng)前掃描線151的與溝道區(qū)131c疊置的部分形成柵電極155c。柵電極155c可以由防止漏電流的兩部分形成。半導(dǎo)體構(gòu)件130的設(shè)置在相對于當(dāng)前掃描線151的上部中并且連接到溝道區(qū)131c的導(dǎo)電區(qū)為補(bǔ)償晶體管t3的漏區(qū)并且通過接觸孔63與連接構(gòu)件174連接。溝道區(qū)131c與半導(dǎo)體構(gòu)件130的第二豎直部133連接，第二豎直部133與補(bǔ)償晶體管t3的源區(qū)對應(yīng)。

初始化晶體管t4包括溝道區(qū)131d、設(shè)置在溝道區(qū)131d的相對端處的作為半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的源區(qū)和漏區(qū)以及與溝道區(qū)131d疊置的柵電極155d。在實(shí)施例中，當(dāng)前掃描線152的與溝道區(qū)131d疊置的部分形成柵電極155d。柵電極155d可以由防止漏電流的兩部分形成。半導(dǎo)體構(gòu)件130的設(shè)置在相對于前掃描線152的下部中并且不與補(bǔ)償晶體管t3連接的導(dǎo)電區(qū)為初始化晶體管t4的源區(qū)并且通過接觸孔64與連接構(gòu)件175連接。

操作控制晶體管t5包括溝道區(qū)131e、設(shè)置在溝道區(qū)131e的相對端處的作為半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的源區(qū)和漏區(qū)以及與溝道區(qū)131e疊置的柵電極155e。在實(shí)施例中，控制線153的與溝道區(qū)131e疊置的部分形成柵電極155e。在具體的實(shí)施例中，控制線153的主線部153a的與溝道區(qū)131e疊置的部分形成柵電極155e。半導(dǎo)體構(gòu)件130的設(shè)置在相對于控制線153的下部中的導(dǎo)電區(qū)為操作控制晶體管t5的源區(qū)并且通過接觸孔65與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接。溝道區(qū)131e與半導(dǎo)體構(gòu)件130的第一豎直部132連接，第一豎直部132與操作控制晶體管t5的漏區(qū)對應(yīng)。

發(fā)光控制晶體管t6包括溝道區(qū)131f、設(shè)置在溝道區(qū)131f的相對端處的作為半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的源區(qū)和漏區(qū)以及與溝道區(qū)131f疊置的柵電極155f。在實(shí)施例中，控制線153的與溝道區(qū)131f疊置的部分形成柵電極155f。在具體的實(shí)施例中，控制線153的主線部153a的與溝道區(qū)131f疊置的部分形成柵電極155f。半導(dǎo)體構(gòu)件130的設(shè)置在相對于控制線153的下部中的導(dǎo)電區(qū)為發(fā)光控制晶體管t6的漏區(qū)并且通過接觸孔66與連接構(gòu)件179連接。溝道區(qū)131f與半導(dǎo)體構(gòu)件130的第二豎直部133連接，第二豎直部133與發(fā)光控制晶體管t6的源區(qū)對應(yīng)。

旁路晶體管t7包括溝道區(qū)131g、設(shè)置在溝道區(qū)131g的相對端處的作為半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的源區(qū)和漏區(qū)以及與溝道區(qū)131g疊置的柵電極155g。在實(shí)施例中，前掃描線152的與溝道區(qū)131g疊置的部分形成柵電極155g。半導(dǎo)體構(gòu)件130的設(shè)置在相對于前掃描線152的下部中的導(dǎo)電區(qū)為旁路晶體管t7的漏區(qū)，并且與初始化晶體管t4的源區(qū)連接且通過接觸孔64與連接構(gòu)件175連接。半導(dǎo)體構(gòu)件130的設(shè)置在相對于前掃描線152的下部中的導(dǎo)電區(qū)為旁路晶體管t7的源區(qū)，并且與發(fā)光控制晶體管t6的漏區(qū)連接且通過接觸孔66與連接構(gòu)件179連接。

在實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管t1的溝道區(qū)131a的第一端與開關(guān)晶體管t2和操作控制晶體管t5連接，溝道區(qū)131a的第二端與補(bǔ)償晶體管t3和發(fā)光控制晶體管t6連接。

在實(shí)施例中，電容器cst包括作為兩個(gè)端子彼此疊置的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a和驅(qū)動(dòng)電壓線172的擴(kuò)展部178。電容器cst可以保持與通過驅(qū)動(dòng)電壓線172傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)電壓elvdd與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的電壓之間的差對應(yīng)的電壓差。在本示例性實(shí)施例中，當(dāng)電容器cst通過使驅(qū)動(dòng)晶體管t1的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a與驅(qū)動(dòng)電壓線172的一部分直接疊置并在其間插入絕緣層來形成時(shí)，不需要用于形成電容器cst的額外的電極，使得可以減少制造成本。電容器cst可以具有寬區(qū)域，從而電容器cst具有足夠的容量并且可以增大空間效率。

驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a通過接觸孔61與連接構(gòu)件174的第一端連接，連接構(gòu)件174的第二端通過接觸孔63與補(bǔ)償晶體管t3的漏區(qū)和初始化晶體管t4的漏區(qū)連接。連接構(gòu)件174可以在與第二方向dr2平行的方向上延伸或者可以在與第二方向dr2基本平行的方向上延伸。連接構(gòu)件174與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a一起與圖2的電路圖中的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O節(jié)點(diǎn)gn對應(yīng)。

連接構(gòu)件179通過接觸孔81與像素電極(未示出)連接。在實(shí)施例中，連接構(gòu)件175通過接觸孔82與傳輸初始化電壓vint的初始化電壓線(未示出)連接。

在實(shí)施例中，半導(dǎo)體構(gòu)件130包括與數(shù)據(jù)線171疊置的導(dǎo)電構(gòu)件135(例如，導(dǎo)體)。在實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件135包括在半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)中。導(dǎo)電構(gòu)件135可以與第二方向dr2平行地延伸或者與第二方向dr2基本平行地延伸。如前所述，在實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件135在第一方向dr1上與數(shù)據(jù)線171完全疊置。在實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件135的在第一方向dr1上的寬度比數(shù)據(jù)線171的在第一方向dr1上的寬度大。

在圖4和圖5中示出的示例性實(shí)施例中，一個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件135根據(jù)兩個(gè)相鄰像素px的對稱結(jié)構(gòu)與兩條相鄰的數(shù)據(jù)線171兩者疊置。在本實(shí)施例中，單個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件135在第一方向dr1上與兩個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)線171完全疊置。即，在實(shí)施例中，一個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件135的在第一方向dr1上的寬度比兩條相鄰的數(shù)據(jù)線171的在第一方向dr1上的寬度的總和大。

在實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件135與連接部134連接，連接部134通過接觸孔65與驅(qū)動(dòng)電壓線172連接并且因此接收來自驅(qū)動(dòng)電壓線172的驅(qū)動(dòng)電壓elvdd。連接部134可以與第一方向dr1平行地延伸或者與第一方向dr1基本平行地延伸。

具有導(dǎo)電性的導(dǎo)電構(gòu)件130通過與數(shù)據(jù)線171疊置來屏蔽數(shù)據(jù)線171，使得可以阻止數(shù)據(jù)線171與它的相鄰的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a之間的寄生電容。具體地，導(dǎo)電構(gòu)件135阻止數(shù)據(jù)線171與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a之間的寄生電容，使得由于根據(jù)數(shù)據(jù)信號dm的信號變化的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a的電壓變化造成的有機(jī)發(fā)光二極管oled的驅(qū)動(dòng)電流id的波動(dòng)可以得以防止。即，可以防止作為由數(shù)據(jù)線171與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a之間的寄生電容引起的亮度變化的串?dāng)_。

導(dǎo)電構(gòu)件135是半導(dǎo)體構(gòu)件130的一部分。因此，不需要形成額外的電極用于屏蔽數(shù)據(jù)線171，因此，可以屏蔽數(shù)據(jù)線171而不增加制造成本。

另外，因?yàn)楫?dāng)在平面圖中看時(shí)，控制線153尤其是控制線153的迂回部153b穿過數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a，所以可以通過在數(shù)據(jù)線171與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a之間進(jìn)行屏蔽來更有效地阻止數(shù)據(jù)線171與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a之間的寄生電容的產(chǎn)生。

導(dǎo)電構(gòu)件135與半導(dǎo)體構(gòu)件130的連接部134不與在顯示面板100中在第一方向dr1上傳輸信號的信號線疊置。詳細(xì)地，半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電構(gòu)件135不與多條掃描線151和152以及多條控制線153疊置。

雖然控制線153的主線部153a的假想線(例如，見圖4中的iml)延伸超過導(dǎo)電構(gòu)件135的邊緣，但是導(dǎo)電構(gòu)件135不與控制線153疊置。如前所述，控制線153的主線部153a在第一方向dr1上延伸然后靠近導(dǎo)電構(gòu)件135在第二方向上彎折，使得迂回部153b形成，迂回部153b在導(dǎo)電構(gòu)件135與半導(dǎo)體構(gòu)件130的第一豎直部132之間沿第二方向dr2延伸，因此控制線153不與導(dǎo)電構(gòu)件135疊置。迂回部153b的豎直部53靠近導(dǎo)電構(gòu)件135的上邊緣在第一方向dr1上彎曲并且因此連接到水平部54，水平部54在沿導(dǎo)電構(gòu)件135的上邊緣延伸之后靠近導(dǎo)電構(gòu)件135的邊緣在第二方向dr2上彎曲并且然后連接到另一豎直部53。因此，迂回部153b可以在沿導(dǎo)電構(gòu)件135的外圍延伸的同時(shí)彎折。

在實(shí)施例中，導(dǎo)電構(gòu)件135與控制線153之間的間隙w1(例如，空間)大于0，導(dǎo)電構(gòu)件135與控制線153的水平部54之間的間隙w3大于0。即，控制線153的豎直部53和水平部54與半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電構(gòu)件135彼此不疊置。

如果控制線153不包括迂回部153b并且與掃描線151和152一樣在第一方向dr1上連續(xù)地延伸，則控制線153將與半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電構(gòu)件135疊置，在這種情況下，會(huì)產(chǎn)生額外的寄生電容。當(dāng)產(chǎn)生額外的寄生電容時(shí)，導(dǎo)電構(gòu)件135基本浮置使得導(dǎo)電構(gòu)件135的電壓浮動(dòng)而不是保持諸如驅(qū)動(dòng)電壓elvdd的恒定電壓水平。當(dāng)導(dǎo)電構(gòu)件135浮置并且因此電壓變得不一致時(shí)，通過數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號dm受這樣的導(dǎo)電構(gòu)件135影響，導(dǎo)致在顯示面板100中顯示的圖像中的色差或污點(diǎn)的產(chǎn)生。

然而，根據(jù)本示例性實(shí)施例，控制線153形成迂回部153b以避免與半導(dǎo)體構(gòu)件153b的導(dǎo)電構(gòu)件135疊置，迂回部153b通過沿導(dǎo)電構(gòu)件135的外圍形成而不與導(dǎo)電構(gòu)件135疊置，使得可以防止導(dǎo)電構(gòu)件135與控制線153之間的不必要的疊置以及由于不必要的疊置產(chǎn)生的寄生電容。因此，可以防止通過數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號dm經(jīng)受不期望的變化，從而防止通過顯示裝置顯示的圖像中的色差和污點(diǎn)的出現(xiàn)。

參照圖4和圖5，導(dǎo)電構(gòu)件135包括凹部31，凹部31在第一方向dr1上的寬度比其他寬度小。凹部31不與數(shù)據(jù)線171疊置。凹部31可以設(shè)置在控制線153的主線部153a的假想線(例如，見圖4的iml)上。在實(shí)施例中，凹部31的在第一方向dr1上的寬度比導(dǎo)電構(gòu)件135的其余部分的在同一第一方向dr1上的寬度小?？紤]通過導(dǎo)電構(gòu)件135與數(shù)據(jù)線171的疊置區(qū)域和由于與導(dǎo)電構(gòu)件135疊置造成的數(shù)據(jù)信號dm的延遲程度對數(shù)據(jù)線171的屏蔽效果，可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)整凹部31的尺寸。

在下文中，將參照圖6至圖8與圖4和圖5一起描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)的示例。

根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置的顯示面板包括基底110?；?10可以是包括玻璃、石英、陶瓷或塑料的絕緣基底。

緩沖層120設(shè)置在基底110上。緩沖層120阻止雜質(zhì)滲透到緩沖層120的上層中，具體地，滲透到半導(dǎo)體構(gòu)件130中，從而可以改善半導(dǎo)體構(gòu)件130的特性，并且可以減輕應(yīng)力。緩沖層120可以包括諸如氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料或者有機(jī)絕緣材料?？梢允÷跃彌_層120。

與前述半導(dǎo)體構(gòu)件相同的半導(dǎo)體構(gòu)件130設(shè)置在緩沖層120上，柵極絕緣層140設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件130上。

包括具有上述柵電極155b和155c的當(dāng)前掃描線151、具有柵電極155d和155g的前掃描線152、具有柵電極155e和155f的控制線153、驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a以及連接構(gòu)件154的柵極導(dǎo)體設(shè)置在柵極絕緣層140上。柵極導(dǎo)體可以包括諸如銅(cu)、鋁(al)、鉬(mo)或它們的合金的金屬。

層間絕緣層160設(shè)置在柵極導(dǎo)體和柵極絕緣層140上。層間絕緣層160可以包括諸如氮化硅(sinx)、氧化硅(siox)的無機(jī)絕緣材料或者有機(jī)絕緣材料。

層間絕緣層160和/或柵極絕緣層140可以包括設(shè)置在驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a上的接觸孔61、設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)之中的與開關(guān)晶體管t2的溝道區(qū)131b連接的源區(qū)上的接觸孔62、設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)之中的與補(bǔ)償晶體管t3的溝道區(qū)131c連接的漏區(qū)或連接到初始化晶體管t4的溝道區(qū)131d的漏區(qū)上的接觸孔63、設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的與初始化晶體管t4的溝道區(qū)131d連接的源區(qū)或與旁路晶體管t7的溝道區(qū)131g連接的漏區(qū)上的接觸孔64、設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的與操作控制晶體管t5的溝道區(qū)131e連接的源區(qū)上的接觸孔65、設(shè)置在半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電區(qū)的與發(fā)光控制晶體管t6的溝道區(qū)131f連接的漏區(qū)上的接觸孔66和設(shè)置在連接構(gòu)件154上的接觸孔68。

包括數(shù)據(jù)線171、具有擴(kuò)展部178的驅(qū)動(dòng)電壓線172以及多個(gè)連接構(gòu)件174、175和179的數(shù)據(jù)導(dǎo)體設(shè)置在層間絕緣層160上。數(shù)據(jù)導(dǎo)體可以包括諸如銅(cu)、鋁(al)、鉬(mo)或它們的合金的金屬。

數(shù)據(jù)線171通過形成在柵極絕緣層140和層間絕緣層160中的接觸孔62連接到與開關(guān)晶體管t2的溝道區(qū)131b連接的源區(qū)。參照圖8，數(shù)據(jù)線171與半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電構(gòu)件135疊置，層間絕緣層160和柵極絕緣層140插入數(shù)據(jù)線171與導(dǎo)電構(gòu)件135之間。

參照圖6，因?yàn)閿U(kuò)展部178與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a疊置并且層間絕緣層160插入擴(kuò)展部178與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a之間，所以驅(qū)動(dòng)電壓線172的擴(kuò)展部178與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O155a形成電容器cst。

參照圖7，連接構(gòu)件174可以連接到與補(bǔ)償晶體管t3的溝道區(qū)131c連接的漏區(qū)以及與初始化晶體管t4的溝道區(qū)131d連接的漏區(qū)。

連接構(gòu)件175通過接觸孔64連接到與初始化晶體管t4的溝道區(qū)131d連接的源區(qū)以及與旁路晶體管t7的溝道區(qū)131g連接的漏區(qū)。

參照圖6，連接構(gòu)件179通過接觸孔66連接到與發(fā)光控制晶體管t6的溝道區(qū)131f連接的漏區(qū)。

鈍化層180設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體和層間絕緣層160上。鈍化層180可以包括諸如聚丙烯酸酯樹脂或聚酰亞胺樹脂的有機(jī)絕緣材料，鈍化層180的上表面可以是平坦的或者基本平坦的。鈍化層180包括設(shè)置在連接構(gòu)件179上的接觸孔81和設(shè)置在連接構(gòu)件175上的接觸孔82。

像素電極191和初始化電壓線192設(shè)置在鈍化層180上。參照圖6和圖7，像素電極191通過接觸孔81與連接構(gòu)件179連接并且通過接觸孔82與連接構(gòu)件175連接。

像素限定層pdl350設(shè)置在鈍化層180、初始化電壓線192和像素電極191上。像素限定層350包括設(shè)置在像素電極191上的開口351。

有機(jī)發(fā)射層370設(shè)置在像素電極191上。有機(jī)發(fā)射層370設(shè)置在開口351中。

共電極270設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層370上。共電極270也可以設(shè)置在像素限定層350上并且因此在多個(gè)像素px之上延伸。

像素電極191、有機(jī)發(fā)射層370和共電極270形成有機(jī)發(fā)光二極管oled。

保護(hù)有機(jī)發(fā)光二極管oled的包封層(未示出)還可以設(shè)置在共電極270上。包封層可以包括交替層疊的無機(jī)層和有機(jī)層。

接下來，將參照圖9和圖10與以上附圖一起描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置。與上述示例性實(shí)施例中的構(gòu)成元件相同的構(gòu)成元件指定相同的附圖標(biāo)記。

圖9是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的兩個(gè)相鄰的像素的布局圖，圖10是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的四個(gè)相鄰的像素的布局圖。

參照圖9和圖10，除了在平面圖中的驅(qū)動(dòng)晶體管t1的溝道區(qū)131a的形狀之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置與根據(jù)上述圖4至圖8的示例性實(shí)施例的顯示裝置相同。例如，在圖9和圖10的實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)晶體管t1的溝道區(qū)131a具有“s”形形狀和反向“s”形形狀。

圖9和圖10的顯示裝置的其他的特征和效果與圖4至圖8的上述示例性實(shí)施例的特征和效果相同，因此不需要進(jìn)一步詳細(xì)的描述。

接下來，將參照圖11與上述附圖一起描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置。

圖11是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的兩個(gè)相鄰的像素的布局圖。

參照圖11，除了在第一方向dr1上彼此相鄰的兩個(gè)像素px具有相同的形狀而不是具有對稱的結(jié)構(gòu)之外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置與根據(jù)圖4至圖8的示例性實(shí)施例的顯示裝置相同。

因此，位于一個(gè)像素px中的驅(qū)動(dòng)電壓線172的擴(kuò)展部178設(shè)置在對應(yīng)的像素px的有限的區(qū)域中。另外，半導(dǎo)體構(gòu)件130的導(dǎo)電構(gòu)件135與設(shè)置在兩個(gè)相鄰的像素px之間的一條數(shù)據(jù)線171疊置。

作為控制線153彎折的空間周期的節(jié)距可以與一個(gè)像素px在第一方向dr1上的寬度相同或者近似相同。即，在實(shí)施例中，控制線153的一個(gè)迂回部153b的水平部54的中心與其相鄰的迂回部153b的水平部54的中心之間的距離跟一個(gè)像素px在第一方向dr1上的寬度相同或者近似相同。

雖然已經(jīng)結(jié)合目前視為實(shí)際的示例性實(shí)施例描述了發(fā)明，但是將理解的是，發(fā)明不限于公開的實(shí)施例，而是相反，意圖覆蓋包括在本公開的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。