本發(fā)明實(shí)施例涉及但不限于顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。

背景技術(shù)：

有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，簡(jiǎn)稱(chēng)AMOLED)是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，與液晶顯示器相比，OLED(Organic Light-Emitting Diod，有機(jī)發(fā)光二極管)具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，目前，在手機(jī)、PDA(Personal Digital Assistant，個(gè)人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域OLED已經(jīng)開(kāi)始取代傳統(tǒng)的LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)顯示屏。

在常規(guī)OLED顯示器件中，RGB(紅綠藍(lán))蒸鍍的材料是有區(qū)別的，不同材料的發(fā)光特性也不盡相同，因此RGB的發(fā)光壽命也是不同的，所以RGB有效發(fā)光區(qū)域也一樣，盡管如此，由于在特定的顯示條件下，比如，強(qiáng)光效長(zhǎng)時(shí)間顯示，會(huì)大大損耗OLED的壽命。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，以緩解EL(電致發(fā)光材料)材料發(fā)強(qiáng)光所導(dǎo)致發(fā)光器件壽命降低。

一種像素電路，包括：發(fā)光控制模塊、光感調(diào)控模塊和發(fā)光模塊，其中，

所述光感調(diào)控模塊，分別與調(diào)控信號(hào)端、第一電位端和所述發(fā)光控制模塊連接，所述光感調(diào)控模塊用于接收所述發(fā)光模塊的光照，在根據(jù)光照強(qiáng)度信號(hào)生成相應(yīng)的電信號(hào)和所述調(diào)控信號(hào)端的控制下將所述第一電位端的信號(hào)提供給所述發(fā)光控制模塊；

所述發(fā)光控制模塊，分別與發(fā)光控制信號(hào)端、所述光感調(diào)控模塊和所述發(fā)光模塊連接，所述發(fā)光控制模塊用于在所述發(fā)光控制信號(hào)端與所述光感調(diào)控模塊提供的信號(hào)的控制下控制所述發(fā)光模塊發(fā)光。

可選地，所述光感調(diào)控模塊包括：第一重置單元、第二存儲(chǔ)單元，調(diào)控單元和光感單元，其中，

所述第一重置單元分別與第一掃描信號(hào)端、第二電位端和第二節(jié)點(diǎn)連接，用于在所述第一掃描信號(hào)端的控制下將所述第二電位端的信號(hào)提供給所述第二節(jié)點(diǎn)；

所述第二存儲(chǔ)單元分別與所述第二節(jié)點(diǎn)以及所述第一電位端相連；所述第二存儲(chǔ)單元用于在所述第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第二電位端的信號(hào)的控制下進(jìn)行充電或放電；

所述光感單元分別與所述第二節(jié)點(diǎn)以及低電位端連接，所述光感單元用于接收所述發(fā)光模塊的光照，根據(jù)光照強(qiáng)度信息改變所述第二節(jié)點(diǎn)的電位；

所述調(diào)控單元分別與所述第二節(jié)點(diǎn)、第一電位端、所述調(diào)控信號(hào)端和所述發(fā)光控制模塊連接，所述調(diào)控單元根據(jù)所述第二節(jié)點(diǎn)和所述調(diào)控信號(hào)端的信號(hào)控制將所述第一電位端的信號(hào)提供給所述發(fā)光控制模塊。

可選地，所述第一重置單元包括第九開(kāi)關(guān)晶體管，其中，

所述第九開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述第一掃描信號(hào)端連接，所述第九開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述第二電位端連接，所述第九開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接。

所述第二存儲(chǔ)單元包括第二電容，其中，

所述第二電容連接在所述第二電位端和所述第二節(jié)點(diǎn)之間。

所述光感單元包括：光敏二極管，其中，

所述光敏二極管的陽(yáng)極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，所述光敏二極管的陰極與所述低電位端連接。

可選地，所述調(diào)控單元包括：第七開(kāi)關(guān)晶體管和第八開(kāi)關(guān)晶體管，其中，

所述第七開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述調(diào)控信號(hào)端連接，所述第七開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述第八開(kāi)關(guān)晶體管的第二極連接，所述第七開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述發(fā)光控制模塊連接；

所述第八開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接，所述第八開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述第一電位端連接，所述第八開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述第七開(kāi)關(guān)晶體管的第一極連接。

可選地，所述發(fā)光控制模塊包括：第二重置單元、第一存儲(chǔ)單元、補(bǔ)償單元、驅(qū)動(dòng)晶體管、數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元、第一發(fā)光控制單元和第二發(fā)光控制單元，其中，

所述第二重置單元分別與所述第一掃描信號(hào)端、初始化信號(hào)端和第一節(jié)點(diǎn)連接，用于在所述第一掃描信號(hào)端的控制下將所述初始化信號(hào)端的信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn)；

所述第一存儲(chǔ)單元分別與所述第一節(jié)點(diǎn)以及第三電位端相連；所述第一存儲(chǔ)模塊用于在所述第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第三電位端的信號(hào)的控制下進(jìn)行充電或放電；

所述補(bǔ)償單元分別與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極及第二掃描信號(hào)端連接，所述補(bǔ)償單元用于在所述第二掃描信號(hào)端的控制下導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接，所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極分別與所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元和所述第一發(fā)光控制單元連接；

所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元分別與第二掃描信號(hào)端、數(shù)據(jù)信號(hào)端以及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極相連；所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元用于在所述第二掃描信號(hào)端的控制下通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述補(bǔ)償單元將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端的信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn)；

所述第一發(fā)光控制單元分別與所述發(fā)光控制信號(hào)端、所述第三電位端及所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接，用于在所述發(fā)光控制信號(hào)端的控制下導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極；

所述第二發(fā)光控制單元分別與所述發(fā)光控制信號(hào)端、所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極及所述發(fā)光模塊連接，用于在所述發(fā)光控制信號(hào)端的控制下導(dǎo)通所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極，控制所述發(fā)光模塊發(fā)光。

可選地，所述第二重置單元包括第一開(kāi)關(guān)晶體管，其中，

所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述第一掃描信號(hào)端連接，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述初始化信號(hào)端連接，所述第一開(kāi)關(guān)晶體管的第二極和所述第一節(jié)點(diǎn)連接。

所述第一存儲(chǔ)單元包括第一電容，其中，

所述第一電容連接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第三電位端之間；

所述補(bǔ)償單元包括第二開(kāi)關(guān)晶體管，其中，

所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述第二掃描信號(hào)端連接，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的控制極連接，所述第二開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接；

所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元包括第五開(kāi)關(guān)晶體管，其中，

所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述第二掃描信號(hào)端連接，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述數(shù)據(jù)信號(hào)端，所述第五開(kāi)關(guān)晶體管的第二極所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接；

所述第一發(fā)光控制單元包括第四開(kāi)關(guān)晶體管，所述第二發(fā)光控制單元包括第六開(kāi)關(guān)晶體管，其中，

所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述發(fā)光控制信號(hào)端連接，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述第二電位端連接，所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極連接；

所述第六開(kāi)關(guān)晶體管的控制極與所述發(fā)光控制信號(hào)端和所述光感調(diào)控模塊連接、所述第六開(kāi)關(guān)晶體管的第一極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第二極連接，所述第六開(kāi)關(guān)晶體管的第二極與所述發(fā)光模塊連接；

所述發(fā)光模塊包括有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極與所述發(fā)光控制模塊連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與低電位端連接。

可選地，所述驅(qū)動(dòng)晶體管為P型晶體管，

所有開(kāi)關(guān)晶體管均為P型晶體管，所述P型晶體管中第一極為源極，第二極為漏極。

一種顯示面板，包括上述的像素電路。

一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述像素電路為上述的像素電路，包括：

所述光感調(diào)控模塊接收所述發(fā)光模塊的光照，在根據(jù)光照強(qiáng)度信號(hào)生成相應(yīng)的電信號(hào)和所述調(diào)控信號(hào)端的控制下將所述第一電位端的信號(hào)提供給所述發(fā)光控制模塊；

所述發(fā)光控制模塊在所述發(fā)光控制信號(hào)端與所述光感調(diào)控模塊提供的信號(hào)的控制下控制所述發(fā)光模塊發(fā)光。

可選地，所述驅(qū)動(dòng)方法包括：

第一階段，所述第一重置單元在所述第一掃描信號(hào)端的控制下將所述第二電位端的信號(hào)提供給所述所述第二節(jié)點(diǎn)，所述第二存儲(chǔ)單元在所述第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第一重置單元的信號(hào)的控制下進(jìn)行充電；所述第二重置單元在所述第一掃描信號(hào)端的控制下將所述初始信號(hào)端的信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第一存儲(chǔ)單元在所述第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第三電位端的信號(hào)的控制下進(jìn)行放電；

第二階段，所述光感單元接收發(fā)光模塊的光照，根據(jù)光照強(qiáng)度信號(hào)改變所述第二節(jié)點(diǎn)的電位，所述第二存儲(chǔ)單元在所述第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第二電位端的信號(hào)的控制下放電；所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元在所述第二掃描信號(hào)線(xiàn)的控制下通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述補(bǔ)償單元將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端的信號(hào)和所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓的差值提供給所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第一存儲(chǔ)單元在所述第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第三電位端的信號(hào)的控制下進(jìn)行充電；

第三階段，所述第一發(fā)光控制單元和所述第二發(fā)光控制單元在所述發(fā)光控制信號(hào)端的控制下，接入所述第三電位端的信號(hào)通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極和第二極，控制所述發(fā)光模塊發(fā)光；

第四階段，所述調(diào)控單元在所述第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)和所述調(diào)控信號(hào)端的信號(hào)的控制下將所述第一電位端的信號(hào)提供給所述第二開(kāi)關(guān)控制單元，所述第二開(kāi)關(guān)控制單元在所述開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端的信號(hào)和所述第一電位端的信號(hào)的控制下關(guān)閉，控制所述發(fā)光模塊不發(fā)光。

綜上，本發(fā)明實(shí)施例提供一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，可以周期間歇式調(diào)節(jié)發(fā)光模塊發(fā)光，緩解EL材料發(fā)強(qiáng)光所導(dǎo)致發(fā)光器件壽命降低。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的像素電路的示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例二的像素電路的示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例三的像素電路的示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例的時(shí)序圖；

圖6A為本實(shí)施例的像素電路在第一階段各晶體管的開(kāi)閉示意圖；

圖6B為本實(shí)施例的像素電路在第一階段各晶體管的開(kāi)閉示意圖；

圖6C為本實(shí)施例的像素電路在第一階段各晶體管的開(kāi)閉示意圖；

圖6D為本實(shí)施例的像素電路在第一階段各晶體管的開(kāi)閉示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

實(shí)施例一

本實(shí)施例提供一種像素電路如圖1所示，本實(shí)施例的像素電路包括：光感調(diào)控模塊10、發(fā)光控制模塊20和發(fā)光模塊30，其中，

光感調(diào)控模塊10，分別與調(diào)控信號(hào)端EM1、第一電位端VGH和發(fā)光控制模塊20連接，光感調(diào)控模塊10用于接收發(fā)光模塊30的光照，在根據(jù)光照強(qiáng)度信號(hào)生成相應(yīng)的電信號(hào)和調(diào)控信號(hào)端EM1的控制下將第一電位端VGH的信號(hào)提供給發(fā)光控制模塊20；

發(fā)光控制模塊20，分別與發(fā)光控制信號(hào)端EM、光感調(diào)控模塊10和發(fā)光模塊30連接，發(fā)光控制模塊20用于在發(fā)光控制信號(hào)端EM與光感調(diào)控模塊10提供的信號(hào)的控制下控制發(fā)光模塊30發(fā)光。

本實(shí)施例在OLED背板工藝基礎(chǔ)上，制作反接PN節(jié)(PIN)，PIN的組成為P+doping→a+Si Doping→N+Doping過(guò)程，PIN節(jié)位于EL發(fā)光器件下方，本實(shí)施例中，即集成光感調(diào)控模塊，直接采集該像素發(fā)光狀態(tài)，可以通過(guò)周期間歇式調(diào)節(jié)作用，使得這種設(shè)計(jì)可以有效緩解EL材料發(fā)強(qiáng)光所導(dǎo)致OLED壽命降低的問(wèn)題。

實(shí)施例二

如圖2所示，本實(shí)施例中光感調(diào)控模塊10包括：第一重置單元11、第二存儲(chǔ)單元12，調(diào)控單元13和光感單元14，其中，

第一重置單元11分別與第一掃描信號(hào)端Scan1、第二電位端Vcom和第二節(jié)點(diǎn)N2連接，用于在第一掃描信號(hào)端Scan1的控制下將第二電位端Vcom的信號(hào)提供給第二節(jié)點(diǎn)N2；

第二存儲(chǔ)模塊12分別與第二節(jié)點(diǎn)N2以及第二電位端Vcom相連；第二存儲(chǔ)模塊12用于在第二節(jié)點(diǎn)N2的信號(hào)與第二電位端Vcom的信號(hào)的控制下進(jìn)行充電或放電；

光感單元14分別與第二節(jié)點(diǎn)N2以及低電位端Vss連接，光感單元14用于接收發(fā)光模塊30的光照，根據(jù)光照強(qiáng)度信息改變第二節(jié)點(diǎn)N2的電位；

調(diào)控單元13分別與第二節(jié)點(diǎn)N2、第一電位端VGH、調(diào)控信號(hào)端EM1和發(fā)光控制模塊20連接，調(diào)控單元13根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)N2和調(diào)控信號(hào)端EM1的信號(hào)控制將第一電位端VGH的信號(hào)提供給發(fā)光控制模塊20。

其中，第二電位端Vcom接入的是高電平信號(hào)，第一電位端VGH接入的是高電平信號(hào)。

發(fā)光控制模塊20包括：第二重置單元21、第一存儲(chǔ)單元22、補(bǔ)償單元23、驅(qū)動(dòng)晶體管24、數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元25、第一發(fā)光控制單元26和第二發(fā)光控制單元27，其中，

第二重置單元21分別與第一掃描信號(hào)端Scan1、初始化信號(hào)端Vinit和第一節(jié)點(diǎn)N1連接，用于在第一掃描信號(hào)端Scan1的控制下將初始化信號(hào)端Vinit的信號(hào)提供給第一節(jié)點(diǎn)N1；

第一存儲(chǔ)單元22分別與第一節(jié)點(diǎn)N1以及第三電位端Vdd相連；第一存儲(chǔ)模塊22用于在第一節(jié)點(diǎn)N1的信號(hào)與第三電位端Vdd的信號(hào)的控制下進(jìn)行充電或放電；

補(bǔ)償單元23分別與驅(qū)動(dòng)晶體管24的控制極、驅(qū)動(dòng)晶體管24的第二極及第二掃描信號(hào)端Scan2連接，補(bǔ)償單元23用于在第二掃描信號(hào)端Scan2的控制下導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管24的控制極與驅(qū)動(dòng)晶體管24的第二極；

驅(qū)動(dòng)晶體管24的控制極與第一節(jié)點(diǎn)N1連接，驅(qū)動(dòng)晶體管24的第一極分別與數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元25和第一發(fā)光控制單元26連接；

數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元25分別與第二掃描信號(hào)端Scan2、數(shù)據(jù)信號(hào)端Vdata以及驅(qū)動(dòng)晶體管24的第一極相連；數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元25用于在第二掃描信號(hào)端Scan2的控制下通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管24和補(bǔ)償單元23將數(shù)據(jù)信號(hào)端Vdata的信號(hào)提供給第一節(jié)點(diǎn)N1；

第一發(fā)光控制單元26分別與發(fā)光控制信號(hào)端EM、第三電位端Vdd及驅(qū)動(dòng)晶體管24的第一極連接，用于在發(fā)光控制信號(hào)端EM的控制下導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管24的第一極；

第二發(fā)光控制單元27分別與發(fā)光控制信號(hào)端EM、驅(qū)動(dòng)晶體管24的第二極及發(fā)光模塊30連接，用于在發(fā)光控制信號(hào)端EM的控制下導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)晶體管24的第二極，控制發(fā)光模塊30發(fā)光。

其中，初始化信號(hào)端Vinit接入的是低電平信號(hào)，第三電位端Vdd接入的是高電平信號(hào)。

當(dāng)發(fā)光模塊30長(zhǎng)時(shí)間發(fā)光時(shí)，光感單元14會(huì)采集發(fā)光模塊30的光照，當(dāng)光照強(qiáng)度過(guò)高時(shí)，光感單元14即會(huì)改變第二節(jié)點(diǎn)N2的電位，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)開(kāi)啟調(diào)控單元13，調(diào)控單元13再在調(diào)控信號(hào)的控制下選擇性地將一指定電平信號(hào)輸出給發(fā)光控制模塊20的第二發(fā)光控制單元27，進(jìn)而控制發(fā)光模塊30發(fā)光，達(dá)到周期間歇式調(diào)節(jié)作用。

實(shí)施例三

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖3所示：

第二重置單元21包括第一開(kāi)關(guān)晶體管M1，其中，第一開(kāi)關(guān)晶體管M1的控制極與第一掃描信號(hào)端Scan1連接，第一開(kāi)關(guān)晶體管M1的第一極與初始化信號(hào)端Vinit連接，第一開(kāi)關(guān)晶體管M1的第二極和第一節(jié)點(diǎn)N1連接。

第一存儲(chǔ)單元22包括第一電容C1，其中，第一電容C1連接在第一節(jié)點(diǎn)N1和第三電位端Vdd之間。

補(bǔ)償單元23包括第二開(kāi)關(guān)晶體管M2，其中，第二開(kāi)關(guān)晶體管M2的控制極與第二掃描信號(hào)端Scan2連接，第二開(kāi)關(guān)晶體管M2的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管M3的控制極連接，第二開(kāi)關(guān)晶體管M2的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管24的第二極連接。

數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元25包括第五開(kāi)關(guān)晶體管M5，其中，第五開(kāi)關(guān)晶體管M5的控制極與第二掃描信號(hào)端Scan2連接，第五開(kāi)關(guān)晶體管M5的第一極與數(shù)據(jù)信號(hào)端Vdata，第五開(kāi)關(guān)晶體管M5的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管M3的第一極連接。

第一發(fā)光控制單元26包括第四開(kāi)關(guān)晶體管M4，第二發(fā)光控制單元27包括第六開(kāi)關(guān)晶體管M6，其中，

第四開(kāi)關(guān)晶體管M4的控制極與發(fā)光控制信號(hào)端EM連接，第四開(kāi)關(guān)晶體管M4的第一極與第三電位端Vdd連接，第四開(kāi)關(guān)晶體管M4的第二極與驅(qū)動(dòng)晶體管M3的第一極連接；

第六開(kāi)關(guān)晶體管M6的控制極與發(fā)光控制信號(hào)端EM和光感調(diào)控模塊10中的第七晶體管M7的第二極連接、第六開(kāi)關(guān)晶體管M6的第一極與驅(qū)動(dòng)晶體管24的第二極連接，第六開(kāi)關(guān)晶體管M6的第二極與發(fā)光模塊30連接。

第一重置單元11包括第九開(kāi)關(guān)晶體管M9，其中，第九開(kāi)關(guān)晶體管M9的控制極與第一掃描信號(hào)端Scan1連接，第九開(kāi)關(guān)晶體管M9的第一極與第二電位端Vcom連接，第九開(kāi)關(guān)晶體管M9的第二極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接。

第二存儲(chǔ)單元12包括第二電容C2，其中，第二電容C2連接在第一電位端Vcom和第二節(jié)點(diǎn)N2之間。

所述光感單元14包括：光敏二極管，其中，所述光敏二極管的陽(yáng)極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，所述光敏二極管的陰極與所述低電位端連接。

調(diào)控單元13包括：第七開(kāi)關(guān)晶體管M7和第八開(kāi)關(guān)晶體管M8，其中，

第七開(kāi)關(guān)晶體管M7的控制極與調(diào)控信號(hào)端EM1連接，第七開(kāi)關(guān)晶體管M7的第一極與第八開(kāi)關(guān)晶體管M7的第二極連接，第七開(kāi)關(guān)晶體管M7的第二極與發(fā)光控制模塊20中的第六開(kāi)關(guān)晶體管M6的控制極連接；

第八開(kāi)關(guān)晶體管M8的控制極與第二節(jié)點(diǎn)N2連接，第八開(kāi)關(guān)晶體管M8的第一極與所述第一電位端VGH連接，第八開(kāi)關(guān)晶體管M8的第二極與第七開(kāi)關(guān)晶體管M9的第一極連接。

發(fā)光模塊30包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極與發(fā)光控制模塊20中第六開(kāi)關(guān)晶體管M6的第二極連接，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極與低電位端連接。

為了簡(jiǎn)化像素驅(qū)動(dòng)電路的制作工藝流程，在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，如圖3所示，驅(qū)動(dòng)晶體管M3為P型晶體管，所述P型晶體管中第一極為源極，第二極為漏極，所有的開(kāi)關(guān)晶體管可以均為P型開(kāi)關(guān)晶體管，所述P型晶體管中第一極為源極，第二極為漏極。

同時(shí)應(yīng)該理解的是，本實(shí)施例中的M1-M9也并不限于薄膜晶體管，任何具有電壓控制能力以使得本發(fā)明按照上述工作方式工作的控制器件均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行改變，此處不再贅述。

在具體實(shí)施時(shí)，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中，P型開(kāi)關(guān)晶體管在高電位作用下截止，在低電位作用下導(dǎo)通。

需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素驅(qū)動(dòng)電路中，驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管可以是薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)，也可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(Metal Oxide Scmiconductor，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS)，在此不作限定。在具體實(shí)施時(shí)，這些開(kāi)關(guān)晶體管的控制極作為開(kāi)關(guān)晶體管的柵極，并且這些開(kāi)關(guān)晶體管根據(jù)開(kāi)關(guān)晶體管類(lèi)型以及信號(hào)端的信號(hào)的不同，可以將第一極作為開(kāi)關(guān)晶體管的源極或漏極，以及將第二極作為開(kāi)關(guān)晶體管的漏極或源極，在此不作限定。并且在描述具體實(shí)施例時(shí)，均是以驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管為薄膜晶體管為例進(jìn)行說(shuō)明的。

本發(fā)明實(shí)施例一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括：

所述光感調(diào)控模塊接收所述發(fā)光模塊的光照，在根據(jù)光照強(qiáng)度信號(hào)生成相應(yīng)的電信號(hào)和所述調(diào)控信號(hào)端的控制下將所述第一電位端的信號(hào)提供給所述發(fā)光控制模塊；

所述發(fā)光控制模塊在所述發(fā)光控制信號(hào)端與所述光感調(diào)控模塊提供的信號(hào)的控制下控制所述發(fā)光模塊發(fā)光。

本實(shí)施例在OLED背板工藝基礎(chǔ)上，制作反接PN節(jié)(PIN)，PIN的組成為P+doping→a+Si Doping→N+Doping過(guò)程，PIN節(jié)位于EL發(fā)光器件下方，本實(shí)施例中，即集成光感調(diào)控模塊，直接采集該像素發(fā)光狀態(tài)，可以通過(guò)周期間歇式調(diào)節(jié)作用，使得這種設(shè)計(jì)可以有效緩解EL材料發(fā)強(qiáng)光所導(dǎo)致OLED壽命降低的問(wèn)題。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的流程圖，如圖4所示，包括：第一階段、第二階段、第三階段和第四階段，如下：

S401、第一階段，所述第一重置單元在所述第一掃描信號(hào)端的控制下將所述第二電位端的信號(hào)提供給所述所述第二節(jié)點(diǎn)，所述第二存儲(chǔ)單元在所述第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第一重置單元的信號(hào)的控制下進(jìn)行充電；所述第二重置單元在所述第一掃描信號(hào)端的控制下將所述初始信號(hào)端的信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第一存儲(chǔ)單元在所述第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第三電位端的信號(hào)的控制下進(jìn)行放電；

S402、第二階段，所述光感單元接收光照，根據(jù)光照強(qiáng)度信號(hào)改變所述第二節(jié)點(diǎn)的電位，所述第二存儲(chǔ)單元在所述第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第二電位端的信號(hào)的控制下放電；所述數(shù)據(jù)寫(xiě)入單元在所述第二掃描信號(hào)線(xiàn)的控制下通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管和所述補(bǔ)償單元將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端的信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn)，所述第一存儲(chǔ)單元在所述第一節(jié)點(diǎn)的信號(hào)與所述第一電位端的信號(hào)的控制下進(jìn)行充電；

S403、第三階段，所述第一發(fā)光控制單元和所述第二發(fā)光控制單元在所述發(fā)光控制信號(hào)端的控制下，接入所述第三電位端的信號(hào)通過(guò)所述驅(qū)動(dòng)晶體管的第一極和第二極，控制所述發(fā)光模塊發(fā)光；

S404、第四階段，所述調(diào)控單元在所述第二節(jié)點(diǎn)的信號(hào)和所述調(diào)控信號(hào)端的信號(hào)的控制下將所述第一電位端的信號(hào)提供給所述第二開(kāi)關(guān)控制單元，所述第二開(kāi)關(guān)控制單元在所述開(kāi)關(guān)控制信號(hào)端的信號(hào)和所述第一電位端的信號(hào)的控制下關(guān)閉，控制所述發(fā)光模塊不發(fā)光。

下面以圖3所示的像素電路為例，結(jié)合電路時(shí)序圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路的工作過(guò)程作以描述。下述描述中以1表示高電位，0表示低電位。需要說(shuō)明的是，1和0是邏輯電位，其僅是為了更好的解釋本發(fā)明實(shí)施例的具體工作過(guò)程，而不是在具體實(shí)施時(shí)施加在各開(kāi)關(guān)晶體管的控制極上的電位。

以下針對(duì)圖5所示的時(shí)序圖，對(duì)上述像素電路的各個(gè)過(guò)程進(jìn)行逐一說(shuō)明：

在第一階段T1，Scan1＝0，Scan2＝1，EM＝1，EM1＝1，Vdata＝0。

圖6A為本實(shí)施例的像素電路在第一階段各晶體管的開(kāi)閉示意圖。其中，“×”代表晶體管截止，無(wú)“×”代表晶體管導(dǎo)通，路徑及箭頭代表電流流向。圖6B、圖6C和6D在第二階段、第三階段和第四階段像素電路中各晶體管的開(kāi)閉示意中“×”含義與圖6A相同。其中：

此時(shí)，如圖6A所示，由于Scan1＝0，因此第一開(kāi)關(guān)晶體管M1和第九開(kāi)關(guān)晶體管M9導(dǎo)通；由于Scan2＝1，因此第二開(kāi)關(guān)晶體管M2和第五開(kāi)關(guān)晶體管M5截止；由于EM＝1，因此第四開(kāi)關(guān)晶體管M4和第六開(kāi)關(guān)晶體管M6截止；由于EM1＝1，因此第七開(kāi)關(guān)晶體管M7截止。

導(dǎo)通的第一開(kāi)關(guān)晶體管M1將初始化信號(hào)端Vinit的信號(hào)提供給驅(qū)動(dòng)晶體管M3的柵極，以對(duì)驅(qū)動(dòng)晶體管M3的柵極重置放電為初始化信號(hào)端Vinit的信號(hào)的電位，將N1點(diǎn)重置接地，電勢(shì)為Vint，使之前的電壓信號(hào)進(jìn)行重置。

導(dǎo)通的第九開(kāi)關(guān)晶體管M9將電位端Vcom的信號(hào)提供給第二節(jié)點(diǎn)N2，此時(shí)將第二電容C2右端的第二節(jié)點(diǎn)N2進(jìn)行重置，電壓為Vcom，此時(shí)第二節(jié)點(diǎn)N2處于高電位，因此第八開(kāi)關(guān)晶體管M8截止。

在第二階段T2，Scan1＝1，Scan2＝0，EM＝1，EM1＝1，Vdata＝1。

此時(shí)，如圖6B所示，由于Scan1＝1，因此第一開(kāi)關(guān)晶體管M1和第九開(kāi)關(guān)晶體管M9截止；由于Scan2＝0，因此第二開(kāi)關(guān)晶體管M2和第五開(kāi)關(guān)晶體管M5導(dǎo)通；由于EM＝1，因此第四開(kāi)關(guān)晶體管M4和第六開(kāi)關(guān)晶體管M6截止；由于EM1＝1，因此第七開(kāi)關(guān)晶體管M7截止。

此時(shí)如果有強(qiáng)光照射PN節(jié)，則第二節(jié)點(diǎn)N2電勢(shì)降低，此時(shí)第二節(jié)點(diǎn)N2電勢(shì)是隨光照強(qiáng)度大小而改變的，這里值得注意的是，PN節(jié)的光照特性是可以通過(guò)調(diào)節(jié)PIN的摻雜條件來(lái)改變的，即只有達(dá)到高強(qiáng)光照射的時(shí)候，所降低的電壓才能滿(mǎn)足第八開(kāi)關(guān)晶體管M8的導(dǎo)通條件。

由于在第一階段，第一節(jié)點(diǎn)N1接低電位，所以驅(qū)動(dòng)DTFT M3打開(kāi)，V_data信號(hào)通過(guò)M5→M3→M2開(kāi)始對(duì)第一節(jié)點(diǎn)N1進(jìn)行充電，一直將第一節(jié)點(diǎn)N1充電到V_data–V_th為止(滿(mǎn)足DTFT M3柵源兩極之間的壓差為V_th)，當(dāng)充電完畢以后，第一節(jié)點(diǎn)N1的電位會(huì)一直維持在V_data–V_th。

在第三階段T3，Scan1＝1，Scan2＝1，EM＝0，EM1＝1，Vdata＝0。

此時(shí)，如圖6C所示，由于Scan1＝1，因此第一開(kāi)關(guān)晶體管M1和第九開(kāi)關(guān)晶體管M9截止；由于Scan2＝1，因此第二開(kāi)關(guān)晶體管M2和第五開(kāi)關(guān)晶體管M5截止；由于EM＝0，因此第四開(kāi)關(guān)晶體管M4和第六開(kāi)關(guān)晶體管M6導(dǎo)通；由于EM1＝1，因此第七開(kāi)關(guān)晶體管M7截止。

此時(shí)，第三開(kāi)關(guān)晶體管M3的源極的電勢(shì)接入V_dd，電流通過(guò)M4→M3→M6，產(chǎn)生光電流使得OLED器件開(kāi)始發(fā)光。

由TFT飽和電流公式可以得到：I＝K(V_GS–V_th)²

＝K[V_dd–(V_data–V_th)–V_th]²

＝K(V_dd–V_data)²

由上式中可以看到，此時(shí)工作電流I已經(jīng)不受源跟隨器TFT V_th的影響，只與V_dd和V_data有關(guān)。徹底解決了源跟隨器TFT由于工藝制程及長(zhǎng)時(shí)間的操作造成閾值電壓(Vth)漂移的問(wèn)題，保證信號(hào)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。

由于產(chǎn)生光電流的大小直接由公式中的Vdata大小所決定，那么如果器件長(zhǎng)時(shí)間工作，勢(shì)必會(huì)導(dǎo)致OLED器件發(fā)光壽命降低，從而影響到產(chǎn)品的性能，而此時(shí)PN結(jié)所形成的調(diào)制電壓一直鎖存在第二節(jié)點(diǎn)N2。

在第四階段T3，Scan1＝1，Scan2＝1，EM＝0，EM1＝0，Vdata＝0。

此時(shí)，如圖6D所示，由于Scan1＝1，因此第一開(kāi)關(guān)晶體管M1和第九開(kāi)關(guān)晶體管M9截止；由于Scan2＝1，因此第二開(kāi)關(guān)晶體管M2和第五開(kāi)關(guān)晶體管M5截止；由于EM＝0，因此第四開(kāi)關(guān)晶體管M4和第六開(kāi)關(guān)晶體管M6導(dǎo)通；由于EM1＝0，因此第七開(kāi)關(guān)晶體管M7導(dǎo)通。

當(dāng)EM1調(diào)制信號(hào)由高點(diǎn)位轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗娢粫r(shí)，此時(shí)第二節(jié)點(diǎn)N2的低電位使得M8導(dǎo)通，VGH高電平和此時(shí)EM信號(hào)的低電位疊加形成一個(gè)高電位，使第六開(kāi)關(guān)晶體管M6截止，使得現(xiàn)在的OLED電流無(wú)法通過(guò)陽(yáng)極，將此時(shí)的OLED器件關(guān)閉，達(dá)到光亮度調(diào)節(jié)的效果。

綜上所述，本實(shí)施例提供的像素電路，可以有效緩解EL材料發(fā)強(qiáng)光所導(dǎo)致OLED壽命降低的問(wèn)題。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路。該顯示面板解決問(wèn)題的原理與前述像素電路相似，因此該顯示面板的實(shí)施可以參見(jiàn)前述像素電路的實(shí)施，重復(fù)之處在此不再贅述。

在具體實(shí)施時(shí)，如發(fā)光器件為OLED時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板可以為有機(jī)電致發(fā)光顯示面板。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板可以為：手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。對(duì)于該顯示面板的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述方法中的全部或部分步驟可通過(guò)程序來(lái)指令相關(guān)硬件完成，所述程序可以存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，如只讀存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán)等。可選地，上述實(shí)施例的全部或部分步驟也可以使用一個(gè)或多個(gè)集成電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。相應(yīng)地，上述實(shí)施例中的各模塊/單元可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明不限制于任何特定形式的硬件和軟件的結(jié)合。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，當(dāng)然，本發(fā)明還可有其他多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。