本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種像素驅(qū)動(dòng)電路、像素陣列及有機(jī)發(fā)光顯示面板。

背景技術(shù)：

在顯示技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)以其輕薄、主動(dòng)發(fā)光、快響應(yīng)速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優(yōu)點(diǎn)而被業(yè)界公認(rèn)為是繼液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)之后的第三代顯示技術(shù)。

目前OLED顯示器主要為電流控制型發(fā)光，發(fā)光均勻性受相應(yīng)的電流控制。但是，由于OLED顯示器各個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓隨著時(shí)間的變化易發(fā)生漂移，使得在相同的數(shù)據(jù)信號(hào)下，流過OLED的電流發(fā)生偏差導(dǎo)致顯示亮度不均。

在實(shí)際產(chǎn)品應(yīng)用現(xiàn)有技術(shù)優(yōu)化的像素電路時(shí)，仍會(huì)產(chǎn)生OLED發(fā)光元件暗態(tài)不暗和驅(qū)動(dòng)管閾值電壓補(bǔ)償不充分而產(chǎn)生mura的問題，現(xiàn)有技術(shù)就解決暗態(tài)不暗以及驅(qū)動(dòng)管閾值電壓補(bǔ)償不充分的方案有很多，例如專利公開號(hào)為CN106097964A的實(shí)用新型專利申請(qǐng)，提出了一種象素電路及驅(qū)動(dòng)方法，該象素電路既可以進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償又可以減小漏電流以保證黑態(tài)時(shí)的高對(duì)比度(暗態(tài)不暗)。但該技術(shù)方案同時(shí)存在版圖設(shè)計(jì)復(fù)雜、晶體管以及信號(hào)引線的數(shù)量較多的缺點(diǎn)。因此，如何尋找到一種既能有效解決暗態(tài)不暗和驅(qū)動(dòng)管閾值電壓補(bǔ)償不充分，也不存在版圖設(shè)計(jì)復(fù)雜的副作用是迫在眉睫的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路、驅(qū)動(dòng)方法及有機(jī)發(fā)光顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因閾值電壓漂移等原因造成顯示不均的問題。

一方面，本實(shí)用新型提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路，包括：第一晶體管，用于響應(yīng)第一掃描線信號(hào)而傳送數(shù)據(jù)信號(hào)電壓；第二晶體管，用于根據(jù)通過所述第一晶體管傳送的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓而生成驅(qū)動(dòng)電流；第三晶體管，用于檢測(cè)和自補(bǔ)償所述第二晶體管的閾值電壓偏差；第四晶體管，用于響應(yīng)發(fā)光線信號(hào)而向所述第二晶體管傳送第一電源電壓；第五晶體管，用于響應(yīng)所述發(fā)光線信號(hào)，將所述第二晶體管生成的所述驅(qū)動(dòng)電流傳輸至發(fā)光元件，所述發(fā)光元件用于發(fā)出相應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)電流的光；第六晶體管，用于響應(yīng)第二掃描線信號(hào)而向所述發(fā)光元件傳輸具有第一電位的信號(hào)；第七晶體管，用于響應(yīng)所述第二掃描線信號(hào)而向所述第二晶體管的柵極傳輸具有第二電位的信號(hào)，所述第二電位大于所述第一電位；第一電容，用于存儲(chǔ)傳送到所述第二晶體管的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。

另一方面，本實(shí)用新型提供一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一晶體管，用于響應(yīng)第一掃描線信號(hào)而傳送數(shù)據(jù)信號(hào)電壓；第二晶體管，用于根據(jù)通過所述第一晶體管傳送的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓而生成驅(qū)動(dòng)電流；第三晶體管，用于檢測(cè)和自補(bǔ)償所述第二晶體管的閾值電壓偏差；第四晶體管，用于響應(yīng)發(fā)光線信號(hào)而向所述第二晶體管傳送第一電源電壓；第五晶體管，用于響應(yīng)所述發(fā)光線信號(hào)，將所述第二晶體管生成的所述驅(qū)動(dòng)電流傳輸至發(fā)光元件，所述發(fā)光元件用于發(fā)出相應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)電流的光；第六晶體管，用于響應(yīng)第二掃描線信號(hào)而向所述發(fā)光元件傳輸具有第一電位的信號(hào)；第七晶體管，用于響應(yīng)所述第二掃描線信號(hào)而向所述第二晶體管的柵極傳輸具有第二電位的信號(hào)，所述第二電位大于所述第一電位；所述第二參考信號(hào)的電位大于所述第一參考信號(hào)的電位；第一電容，用于存 儲(chǔ)傳送到所述第二晶體管的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓；所述驅(qū)動(dòng)方法包括：

初始化階段，所述第六晶體管和所述第七晶體管均響應(yīng)于所述第二掃描線信號(hào)而開啟，通過所述第六晶體管向所述發(fā)光元件傳輸具有第一電位的信號(hào)，通過所述第七晶體管向所述第二晶體管的柵極傳輸具有第二電位的信號(hào)；

數(shù)據(jù)寫入階段，所述第一晶體管和所述第三晶體管均響應(yīng)于所述第一掃描線信號(hào)而開啟，所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓通過所述第一晶體管和所述第三晶體管向所述第二晶體管的柵極傳輸；

發(fā)光階段，所述第四晶體管和所述第五晶體管響應(yīng)于所述發(fā)光線信號(hào)而開啟，通過所述第五晶體管向所述發(fā)光元件提供響應(yīng)施加到所述第二晶體管的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓而生成的所述驅(qū)動(dòng)電流，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。

再一方面，本實(shí)用新型提供一種像素陣列，其特征在于，包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路，所述多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路按照N行乘以M列的矩陣形式排布，所述N和M均為大于等于2的正整數(shù)，其中，位于第N行的像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一晶體管，用于響應(yīng)第N行的掃描線信號(hào)而傳送數(shù)據(jù)信號(hào)電壓；第二晶體管，用于根據(jù)通過所述第一晶體管傳送的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓而生成驅(qū)動(dòng)電流；第三晶體管，用于檢測(cè)和自補(bǔ)償所述第二晶體管的閾值電壓偏差；第四晶體管，用于響應(yīng)第N行的發(fā)光線信號(hào)而向所述第二晶體管傳送第一電源電壓；第五晶體管，用于響應(yīng)所述第N行的發(fā)光線信號(hào)，將所述第二晶體管生成的所述驅(qū)動(dòng)電流傳輸至發(fā)光元件，所述發(fā)光元件用于發(fā)出相應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)電流的光；第六晶體管，用于響應(yīng)所述第N行的掃描線信號(hào)而向所述發(fā)光元件傳輸具有第一電位的信號(hào)；第七晶體管，用于響應(yīng)第N-1行的掃描線信號(hào)而向所述第二晶體管的柵極傳輸具有第二電位的信號(hào)，其中，在同一所述像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第二電位大于所述第一電位；第一電容，用于存儲(chǔ)傳送到所述第二晶體管的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。

又一方面，本實(shí)用新型提供一種像素陣列的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所 述像素陣列包括：多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路，所述多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路按照N行乘以M列的矩陣形式排布，所述N和M均為大于等于2的正整數(shù)，其中，位于第N行的像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一晶體管，用于響應(yīng)第N行的掃描線信號(hào)而傳送數(shù)據(jù)信號(hào)電壓；第二晶體管，用于根據(jù)通過所述第一晶體管傳送的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓而生成驅(qū)動(dòng)電流；第三晶體管，用于檢測(cè)和自補(bǔ)償所述第二晶體管的閾值電壓偏差；第四晶體管，用于響應(yīng)第N行的發(fā)光線信號(hào)而向所述第二晶體管傳送第一電源電壓；第五晶體管，用于響應(yīng)所述第N行的發(fā)光線信號(hào)，將所述第二晶體管生成的所述驅(qū)動(dòng)電流傳輸至發(fā)光元件，所述發(fā)光元件用于發(fā)出相應(yīng)于所述驅(qū)動(dòng)電流的光；第六晶體管，用于響應(yīng)所述第N行的掃描線信號(hào)而向所述發(fā)光元件傳輸具有第一電位的信號(hào)；第七晶體管，用于響應(yīng)第N-1行的掃描線信號(hào)而向所述第二晶體管的柵極傳輸具有第二電位的信號(hào)，其中，在同一所述像素驅(qū)動(dòng)電路中，所述第二電位大于所述第一電位；第一電容，用于存儲(chǔ)傳送到所述第二晶體管的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓。所述像素陣列的驅(qū)動(dòng)方法包括：

初始化階段，所述第七晶體管響應(yīng)于所述第N-1行的掃描線信號(hào)而開啟，通過所述第七晶體管和位于同一列上的第N-1行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管向所述第二晶體管的柵極傳輸具有第二電位的信號(hào)；

數(shù)據(jù)寫入階段，所述第一晶體管、所述第三晶體管和所述第六晶體管響應(yīng)于所述第N行的掃描線信號(hào)而開啟，所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓通過所述第一晶體管和所述第三晶體管向所述第二晶體管的柵極傳輸；通過所述第六晶體管向所述發(fā)光元件傳輸具有第一電位的信號(hào)；

發(fā)光階段，所述第四晶體管和所述第五晶體管響應(yīng)于所述第N行的發(fā)光線信號(hào)而開啟，通過所述第五晶體管向所述發(fā)光元件提供響應(yīng)施加到所述第二晶體管的所述數(shù)據(jù)信號(hào)電壓而生成的所述驅(qū)動(dòng)電流，使得所述發(fā)光元件發(fā)光。

一方面，本實(shí)用新型提供一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，包括前述的像素陣列。

本實(shí)用新型通過大量實(shí)驗(yàn)和勞動(dòng)發(fā)現(xiàn)了一種能有效解決象素電路暗態(tài)不暗和閾值補(bǔ)償不充分的技術(shù)難題，并且電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，節(jié)省版圖面積。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路示意圖；

圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法；

圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例提供又一種像素陣列示意圖；

圖11為圖10所示像素陣列中的虛線框的放大圖；

圖12為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素陣列的驅(qū)動(dòng)方法；

圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。

實(shí)用新型人通過在像素電路領(lǐng)域的大量實(shí)驗(yàn)和研究發(fā)現(xiàn)，在像素驅(qū)動(dòng)電路對(duì)驅(qū)動(dòng)管(例如圖4中的第二晶體管M2)進(jìn)行閾值補(bǔ)償?shù)碾A段，對(duì)驅(qū)動(dòng)管柵極進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾妷旱碾娢?例如圖4中的第二電位V2)必須低于數(shù)據(jù)信號(hào)電壓(例如圖4中的DATA)，并且其與驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓的差值需要大于驅(qū)動(dòng)管的閾值電壓。在滿足以上條件的基礎(chǔ)上，對(duì)驅(qū)動(dòng)管柵極進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾妷号c數(shù)據(jù)信號(hào)電壓越接近越能得到好的補(bǔ)償效果，如果二者之間的電位大小相差越大，會(huì)因補(bǔ)償不充分而產(chǎn)生mura。因此，實(shí)用新型人在通常的工藝條件下進(jìn)行大量實(shí)驗(yàn)，確認(rèn)了，對(duì)驅(qū)動(dòng)管柵極進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾妷杭纫獫M足像素驅(qū)動(dòng)電路的限制條件，不能過高，同時(shí)也需要盡量接近數(shù)據(jù)信號(hào)電壓電壓，不能過低，最終確認(rèn)，對(duì)驅(qū)動(dòng)管柵極進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾妷涸O(shè)在-2V～1V較為合適(純P型晶體管構(gòu)成的像素驅(qū)動(dòng)電路)。此外，本實(shí)用新型在像素驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行發(fā)光前，一般需要對(duì)電路中的發(fā)光二極管的陽極進(jìn)行重置(復(fù)位)，使得在非發(fā)光階段，發(fā)光二極管的陽極與陰極的電位差遠(yuǎn)小于發(fā)光二極管的啟亮電壓(啟亮電壓為發(fā)光二極管發(fā)光時(shí)的電壓)。實(shí)用新型人通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，發(fā)光二極管在陰極和陽極之間存在寄生電容，在發(fā)光階段顯示黑畫面時(shí)，即使驅(qū)動(dòng)管(例如圖4中的第二晶體管M2)有漏電，在發(fā)光階段的黑畫面也不會(huì)發(fā)光。一般的，對(duì)于陽極進(jìn)行重置(復(fù)位)的電壓大小的選擇是越低越好。但實(shí)用新型人在實(shí)際試驗(yàn)研究中發(fā)現(xiàn)，對(duì)電路中的發(fā)光二極管的陽極進(jìn)行重置除了要讓重置電壓越低越好，還需要考慮到顯示器的充電信號(hào)的充電功耗、IC的耐壓能力、重置晶體管(例如圖4中的第六晶體管M6)漏電所產(chǎn)生的額外電流以及不同像素具體設(shè)計(jì)因素(例如發(fā)光二極管寄生電容的大小，與漏流相關(guān)的驅(qū)動(dòng)管寬度等因素)，因此需要將對(duì)發(fā)光二極管的陽極重置的電壓設(shè)定在一個(gè) 比較合理的范圍，使得在黑畫面發(fā)光時(shí)段內(nèi)。發(fā)光二極管的陽極電壓不會(huì)被驅(qū)動(dòng)管漏流充電至起亮電壓，也不會(huì)過低增加顯示器功耗。實(shí)用新型人通過對(duì)不同型號(hào)的有機(jī)發(fā)光顯示面板進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，最終確定，對(duì)發(fā)光二極管的陽極重置的電壓設(shè)定在-3.5～-4.5V較為合適(純P型晶體管構(gòu)成的像素驅(qū)動(dòng)電路)。

因此，實(shí)用新型人通過上述兩方面的研究發(fā)現(xiàn)，得出設(shè)計(jì)：對(duì)驅(qū)動(dòng)管的柵極初始化的電位(第二電位)大于對(duì)發(fā)光二極管OLED的陽極輸入的電位(第一電位)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)同一個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的兩個(gè)重要節(jié)點(diǎn)分別進(jìn)行最優(yōu)的初始化，解決前述諸多技術(shù)難題。

具體實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)效果的像素驅(qū)動(dòng)電路請(qǐng)參見下述實(shí)施例的方案。

圖1所示為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路100，像素驅(qū)動(dòng)電路100具體包括：第一晶體管M1，第一晶體管M1用于響應(yīng)第一掃描線信號(hào)SCAN1而傳送數(shù)據(jù)信號(hào)電壓DATA；第二晶體管M2，用于根據(jù)通過第一晶體管M1傳送的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓DATA而生成驅(qū)動(dòng)電流I；第三晶體管M3，用于檢測(cè)和自補(bǔ)償?shù)诙w管M2的閾值電壓偏差；第四晶體管M4，用于響應(yīng)發(fā)光線信號(hào)EMIT而向第二晶體管M2傳送第一電源電壓VDD；第五晶體管M5，用于響應(yīng)發(fā)光線信號(hào)EMIT，將第二晶體管M2生成的驅(qū)動(dòng)電流I傳輸至發(fā)光元件D，發(fā)光元件D用于發(fā)出相應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電流I的光；第六晶體管M6，用于響應(yīng)第二掃描線信號(hào)SCAN2而向發(fā)光元件D傳輸具有第一電位的信號(hào)V1；第七晶體管M7，用于響應(yīng)第二掃描線信號(hào)SCAN2而向第二晶體管M2的柵極傳輸具有第二電位的信號(hào)V2，其中，第二電位大于第一電位；第一電容C1，用于存儲(chǔ)傳送到第二晶體管M2的數(shù)據(jù)信號(hào)電壓DATA。

對(duì)于圖1所示的實(shí)施例而言，信號(hào)V1和信號(hào)V2均代表了一種電信號(hào)，該電信號(hào)從信號(hào)源輸出時(shí)可以具有任意大小的電位，在本實(shí)施例中不做任何限定，只需要保證：當(dāng)信號(hào)V1通過第六晶體管M6傳輸至發(fā)光元件D時(shí)，即 信號(hào)V1通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A時(shí)，信號(hào)V1的電位數(shù)值大小為第一電位v1，當(dāng)信號(hào)V2通過第七晶體管M7傳輸至第二晶體管M2的柵極時(shí)，即信號(hào)V1通過第七晶體管M7傳輸至節(jié)點(diǎn)B時(shí)，信號(hào)第V2的電位數(shù)值大小為第二電位v2，并且，第二電位v2大于第一電位v1。其中，節(jié)點(diǎn)A為第六晶體管M6的信號(hào)輸出端與發(fā)光元件D的輸入端(發(fā)光元件D為OLED元件時(shí)，其輸入端為陽極)的電連接的節(jié)點(diǎn)，節(jié)點(diǎn)B為第七晶體管M7的信號(hào)輸出端與第二晶體管M2的柵極的電連接的節(jié)點(diǎn)。

對(duì)于圖1所示的實(shí)施例而言，第二晶體管M2為P型晶體管，但是并不對(duì)其晶體管的類型做限定，具體的，第一晶體管M1～第七晶體管M7可以均同時(shí)為P型晶體管，也可以均同時(shí)為N型晶體管，或者一部分為P型晶體管、一部分為N型晶體管。當(dāng)?shù)谝痪w管M1～第七晶體管M7均同時(shí)為P型晶體管的情況下，第一晶體管M1～第七晶體管M7的信號(hào)輸入端一般為源極，其信號(hào)輸出端一般為漏極，此種情況下，信號(hào)V1和信號(hào)V2均為低電位信號(hào)；當(dāng)?shù)谝痪w管M1～第七晶體管M7均同時(shí)為N型晶體管的情況下，第一晶體管M1～第七晶體管M7的信號(hào)輸入端一般為漏極，其信號(hào)輸出端一般為源極，此種情況下，信號(hào)V1和信號(hào)V2均為高電位信號(hào)。

圖2所示為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路101，像素驅(qū)動(dòng)電路101與圖1所示的實(shí)用新型實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路100的相同之處較多，在此處不再贅述，可以參考前述內(nèi)容，此處僅重點(diǎn)描述兩個(gè)實(shí)用新型實(shí)施例之間的區(qū)別點(diǎn)。

在圖2實(shí)施例給出的像素驅(qū)動(dòng)電路101中，第六晶體管M6的柵極電連接第二掃描線，第二掃描線用于傳輸?shù)诙呙杈€信號(hào)SCAN2，第六晶體管M6的第一極(輸入端)電連接參考信號(hào)線，參考信號(hào)線用于傳輸參考信號(hào)REF，第六晶體管M6的第二極(輸出端)電連接發(fā)光元件D，第六晶體管M6用于響應(yīng)第二掃描線信號(hào)SCAN2而向發(fā)光元件D傳輸具有第一電位的參考信號(hào) REF。第七晶體管M7，用于響應(yīng)第二掃描線信號(hào)SCAN2而向第二晶體管M2的柵極傳輸具有第二電位的信號(hào)V2，其中，第二電位大于第一電位。

對(duì)于圖2所示的實(shí)施例而言，參考信號(hào)REF僅代表了一種電信號(hào)，該電信號(hào)可以具有任意大小的電位，在本實(shí)施例中不做任何限定，只需要保證：當(dāng)參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至發(fā)光元件D時(shí)，即參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A時(shí)，參考信號(hào)REF的電位數(shù)值大小為第一電位v1，當(dāng)信號(hào)V2通過第七晶體管M7傳輸至第二晶體管M2的柵極時(shí)，即信號(hào)V2通過第七晶體管M7傳輸至節(jié)點(diǎn)B時(shí)，信號(hào)V2的電位數(shù)值大小為第二電位v2，第二電位v2大于第一電位v1。

需要說明的是，對(duì)于圖2所示的實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路101，第六晶體管M6的第二極(輸出端)電連接發(fā)光元件D的方式可以為直接相連，即第六晶體管M6的第二極(輸出端)與發(fā)光元件D的輸入端(發(fā)光元件為OLED發(fā)光元件時(shí)，其輸入端為陽極)為直接相連；也可以為非直接相連，例如在兩個(gè)連接點(diǎn)之間還包括了除連接導(dǎo)線之外的其他元件或者器件等等，只要保證：當(dāng)參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至發(fā)光元件D時(shí)，即參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A時(shí)，參考信號(hào)REF的電位數(shù)值大小為第一電位v1，第二電位v2大于第一電位v1即可。

圖3所示為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路102，像素驅(qū)動(dòng)電路102與圖1和圖2所示的實(shí)用新型實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的相同之處較多，此處不再贅述，可以參考前述內(nèi)容，此處僅重點(diǎn)描述與圖2所示的像素驅(qū)動(dòng)電路101之間的區(qū)別點(diǎn)(其中，部分內(nèi)容也可以理解為與圖1區(qū)別)：

第七晶體管M7的柵極電連接第二掃描線，第二掃描線用于傳輸?shù)诙呙杈€信號(hào)SCAN2，第七晶體管M7的輸入端電連接附加參考信號(hào)線，附加參考信號(hào)線用于提供附加參考信號(hào)V3；第七晶體管M7的第二極電連接第二晶體管M2的柵極。對(duì)于圖3所示的實(shí)施例而言，附加參考信號(hào)V3僅代表了一種 信號(hào)，該信號(hào)可以具有任意大小的電位，在本實(shí)施例中不做任何限定，只需要保證：當(dāng)參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至發(fā)光元件D時(shí)，即參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A時(shí)，參考信號(hào)REF的電位數(shù)值大小為第一電位v1，同時(shí)，當(dāng)附加參考信號(hào)V3通過第七晶體管M7傳輸至第二晶體管M2的柵極時(shí)，即附加參考信號(hào)V3通過第七晶體管M7傳輸至節(jié)點(diǎn)B時(shí)，附加參考信號(hào)V3的電位數(shù)值大小為第二電位v2，第二電位v2大于第一電位v1。

需要說明的是，對(duì)于圖3所示的實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路102，第七晶體管M7的第一極(輸入端)可以直接電連接一信號(hào)源，該信號(hào)源輸出一附加參考信號(hào)V3，或者，第七晶體管M7的第一極(輸入端)與信號(hào)源為非直接相連，例如在兩個(gè)連接點(diǎn)之間還包括了除連接導(dǎo)線之外的其他元件或者器件等等，同樣的，第六晶體管M6的第一極可以直接電連接一信號(hào)源，該信號(hào)源輸出一參考信號(hào)REF，或者，第六晶體管M6的第一極(輸入端)與信號(hào)源為非直接相連，例如在兩個(gè)連接點(diǎn)之間還包括了除連接導(dǎo)線之外的其他元件或者器件等等，只要保證：當(dāng)附加參考信號(hào)V3通過第七晶體管M7傳輸至第二晶體管M2的柵極時(shí)，即附加參考信號(hào)V3通過第七晶體管M7傳輸至節(jié)點(diǎn)B時(shí)，附加參考信號(hào)V3的電位數(shù)值大小為第二電位v2，參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A時(shí)，參考信號(hào)REF的電位數(shù)值大小為第一電位v1，第二電位v2大于第一電位v1。具體的，可以設(shè)置第六晶體管M6和第七晶體管M7的結(jié)構(gòu)完全相同(溝道寬長(zhǎng)比、分立的柵極的數(shù)量相同)，附加參考信號(hào)線與參考信號(hào)線為兩條單獨(dú)存在的信號(hào)線，分別通過參考信號(hào)線向節(jié)點(diǎn)A傳輸參考信號(hào)REF、通過附加參考信號(hào)線向節(jié)點(diǎn)B傳輸附加參考信號(hào)V3，再通過設(shè)置附加參考信號(hào)V3的初始電位值大于參考信號(hào)REF的初始電位值，通過這樣的設(shè)計(jì)，即可以實(shí)現(xiàn)第二電位v2大于第一電位v1。

對(duì)于本實(shí)用新型，實(shí)用新型人通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步研究了第六晶體管M6的溝 道寬長(zhǎng)比和第七晶體管M7的溝道寬長(zhǎng)比，以及，第六晶體管M6的柵極(分立的柵極)的數(shù)量和第七晶體管M7的柵極(分立的柵極)的數(shù)量對(duì)第二電位v2和第一電位v1的影響，參見如下表1。在表1中，實(shí)用新型人重點(diǎn)對(duì)10組數(shù)據(jù)進(jìn)行了模擬、仿真，每組數(shù)據(jù)分別包括：第六晶體管分立柵極的數(shù)量P、第七晶體管分立柵極的數(shù)量Q、第七晶體管的溝道寬長(zhǎng)比W(um)/L(um)、參考信號(hào)REF的電位VREF(V)、信號(hào)充電時(shí)間(us)、節(jié)點(diǎn)B電位(V)和空余空間占比(％)。需要說明的是，在實(shí)驗(yàn)過程中，實(shí)用新型人固定了第六晶體管M6分立柵極的數(shù)量P＝1、參考信號(hào)REF的電位VREF＝-4V、信號(hào)充電時(shí)間＝3us。

表1第七晶體管M7的不同溝道寬長(zhǎng)比W/L、不同分立柵極數(shù)量Q對(duì)節(jié)點(diǎn)B電位和空余空間占比的影響

實(shí)用新型人在處理表1中的數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)現(xiàn)，不同的第七晶體管M7分立的柵極的數(shù)量Q以及不同第七晶體管M7的溝道寬長(zhǎng)比對(duì)節(jié)點(diǎn)B電位(第二電位v2)的影響較大，同時(shí)，以每一個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路包括七個(gè)晶體管和一個(gè)電容的設(shè)計(jì)為例，不同的第七晶體管M7分立的柵極的數(shù)量Q以及不同第七晶體管M7的溝道寬長(zhǎng)比還影響著整個(gè)顯示面板的空余空間占比。并且，實(shí)用新型人注意到，當(dāng)?shù)诹w管M6分立柵極的數(shù)量P＝1、第七晶體管M7分立柵極 的數(shù)量Q＝1、第七晶體管M7溝道寬長(zhǎng)比W/L等于3/24時(shí)，節(jié)點(diǎn)B電位為-3.4V，空余空間占比接近100％，這組數(shù)據(jù)相較于其它數(shù)據(jù)，在保證節(jié)點(diǎn)B電位相對(duì)較高的基礎(chǔ)上，還能夠最大的利用空余空間占比，屬于實(shí)用新型人想要的最佳設(shè)計(jì)。另外，實(shí)用新型人還注意到，當(dāng)?shù)诹w管M6分立柵極的數(shù)量P＝1、第七晶體管M7分立柵極的數(shù)量Q＝3、第七晶體管M7溝道寬長(zhǎng)比W/L等于3/4時(shí)，節(jié)點(diǎn)B電位為-3.5V，空余空間占比接近100％，這組數(shù)據(jù)相較于其它數(shù)據(jù)，在保證節(jié)點(diǎn)B電位相對(duì)較高的基礎(chǔ)上，也同樣能夠最大的利用空余空間占比，屬于實(shí)用新型人想要的另一種最佳設(shè)計(jì)。

實(shí)用新型人還注意到，在表1中存在空余空間占比超過100％的設(shè)計(jì)方案，這意味著，對(duì)于一固定大小的顯示面板，不能再增加像素(晶體管的數(shù)量)，而只能選擇增大晶體管的尺寸，這將導(dǎo)致PPI的降低，這是實(shí)用新型人所不希望看到的。在整理數(shù)據(jù)時(shí)實(shí)用新型人驚喜的發(fā)現(xiàn)，透過數(shù)據(jù)組(1)、(6)、(3)、(10)，隨著第七晶體管M7溝道寬長(zhǎng)比的減小，節(jié)點(diǎn)B的電位(第二電位v2)越大，越有利于前述實(shí)施例中提到的解決補(bǔ)償不充分的問題，但是，當(dāng)?shù)谄呔w管M7溝道寬長(zhǎng)比大于3/24時(shí)，空余空間占比大于100％，這將導(dǎo)致PPI的降低。因此，優(yōu)選的，第七晶體管M7溝道寬長(zhǎng)比為3/24最佳，也即第六晶體管M6溝道寬長(zhǎng)比與第七晶體管M7溝道寬長(zhǎng)比的比值接近6/1為最佳設(shè)計(jì)，這種最佳設(shè)計(jì)的結(jié)果是，更好的改善第一電位v1和第二電位v2的數(shù)值大小，還能夠改善整個(gè)顯示面板的空余空間占比。同時(shí)，透過數(shù)據(jù)組(1)、(4)、(9)、(2)，實(shí)用新型人還確定，隨著第七晶體管M7分立柵極的數(shù)量Q的增多，節(jié)點(diǎn)B的電位(第二電位v2)越大，越有利于前述實(shí)施例中提到的解決補(bǔ)償不充分的問題，但是，當(dāng)?shù)谄呔w管M7分立柵極的數(shù)量Q大于3時(shí)，空余空間占比大于100％，這將導(dǎo)致PPI的降低。因此，優(yōu)選的，第七晶體管M7分立柵極的數(shù)量Q為3最佳，這種最佳設(shè)計(jì)的結(jié)果是，更好的改善第一電位v1和第二電位v2的數(shù)值大小，還能夠改善整個(gè)顯示面板的 空余空間占比。

通過采用這樣的設(shè)計(jì)，在保證對(duì)像素驅(qū)動(dòng)電路完成閾值補(bǔ)償?shù)耐瑫r(shí)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路完成節(jié)點(diǎn)初始化，改善暗態(tài)不暗的問題，改善補(bǔ)償不充分的問題，并且這種改善方式?jīng)]有過多的設(shè)置晶體管的數(shù)量以及信號(hào)線的數(shù)量，能夠達(dá)到節(jié)省版圖面積的目的。

圖4所示為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路103，像素驅(qū)動(dòng)電路103與圖3所示的實(shí)用新型實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的相同之處較多，此處不再贅述，可以參考前述內(nèi)容，此處僅重點(diǎn)描述與圖3所示的像素驅(qū)動(dòng)電路102之間的區(qū)別點(diǎn)。

第七晶體管M7的柵極電連接第二掃描線，第二掃描線用于傳輸?shù)诙呙杈€信號(hào)SCAN2，第七晶體管M7的第一極(輸入端)電連接第六晶體管M6的第一極，第七晶體管M7的第二極電連接第二晶體管M2的柵極。對(duì)于圖4所示的實(shí)施例而言，參考信號(hào)REF僅代表了一種信號(hào)，該信號(hào)可以具有任意大小的電位，在本實(shí)施例中不做任何限定，只需要保證：當(dāng)參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至發(fā)光元件D時(shí)，即參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A時(shí)，參考信號(hào)REF的電位數(shù)值大小為第一電位v1，同時(shí)，當(dāng)參考信號(hào)REF通過第七晶體管M7傳輸至第二晶體管M2的柵極時(shí)，即參考信號(hào)REF通過第七晶體管M7傳輸至節(jié)點(diǎn)B時(shí)，參考信號(hào)REF的電位數(shù)值大小為第二電位v2，第二電位v2大于第一電位v1。具體的，本實(shí)施例中與圖3所示的實(shí)施例不同的地方在于：采用一條參考信號(hào)線同時(shí)對(duì)第六晶體管M6和第七晶體管M7提供信號(hào)，節(jié)省了版圖面積，同時(shí)，為了達(dá)到第二電位v2大于第一電位v1的目的，可以通過將第六晶體管M6和第七晶體管M7設(shè)置為不同的結(jié)構(gòu)，具體方式如下：

在圖4所示實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)第二電位v2大于第一電位v1，一種可選的方案是，通過設(shè)計(jì)第六晶體管M6的溝道寬長(zhǎng)比大于第七晶體管M7的溝道 寬長(zhǎng)比，實(shí)用新型人實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，溝道寬長(zhǎng)比較大的晶體管，其驅(qū)動(dòng)能力相對(duì)較強(qiáng)，因此，相同初始電位的參考信號(hào)REF(以純P型晶體管電路、參考信號(hào)為低電位信號(hào)為例)在經(jīng)過第六晶體管M6之后，較強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力使得參考信號(hào)在單位時(shí)間內(nèi)能更容易的傳輸至節(jié)點(diǎn)A，因此第一電位v1的電位越接近初始參考信號(hào)REF的低電位；而初始電位的參考信號(hào)REF在經(jīng)過較弱驅(qū)動(dòng)能力第七晶體M7管之后，較弱的驅(qū)動(dòng)能力使得參考信號(hào)在單位時(shí)間內(nèi)能更難于傳輸至節(jié)點(diǎn)B，因此第二電位v2的電位值越不接近初始參考信號(hào)REF的低電位，第二電位v2大于第一電位v1。例如，在上一幀的發(fā)光階段結(jié)束后，節(jié)點(diǎn)A的電位高于參考信號(hào)REF的初始電位，參考信號(hào)REF的初始電位為-3.0V左右，經(jīng)過驅(qū)動(dòng)能力較強(qiáng)的第六晶體管M6后，在節(jié)點(diǎn)A的第一電位v1為-2.0V左右，而經(jīng)過驅(qū)動(dòng)能力較弱的第七晶體管M7后，在節(jié)點(diǎn)B的第二電位v2為-1.0V左右，因此，第二電位v2大于第一電位v1。

在圖4所示實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)第二電位v2大于第一電位v1，另一種可選的方案是，通過設(shè)計(jì)第六晶體管M6的柵極(分立的柵極)的數(shù)量為P，第七晶體管M7的柵極(分立的柵極)的數(shù)量為Q，P和Q均為大于等于1的正整數(shù)，并且Q大于P。例如，可以如圖5所示本實(shí)用新型實(shí)施例的一種像素驅(qū)動(dòng)電路1031，P＝1，Q＝2。實(shí)用新型人實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，將一個(gè)晶體管中柵極的數(shù)量設(shè)置為多個(gè)時(shí)，隨著柵極數(shù)量的增多，晶體管的驅(qū)動(dòng)能力減弱，即，對(duì)于一相同的初始電位的參考信號(hào)REF，經(jīng)過了柵極數(shù)量相對(duì)較少的第六晶體管M6后到達(dá)節(jié)點(diǎn)A的第一電位v1小于經(jīng)過了柵極數(shù)量相對(duì)較多的第七晶體管M7后到達(dá)節(jié)點(diǎn)B的第二電位v2。例如，在上一幀的發(fā)光階段結(jié)束后，節(jié)點(diǎn)A的電位高于參考信號(hào)REF的初始電位，參考信號(hào)REF的初始電位為-3.0V左右，經(jīng)過柵極數(shù)量較少的第六晶體管M6后，在節(jié)點(diǎn)A的第一電位v1為-2.0V左右，而經(jīng)過柵極數(shù)量較多的第七晶體管M7后，在節(jié)點(diǎn)B的第二電位v2為-1.0V左右，因此，第二電位v2大于第一電位v1。

圖6所示為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路104，像素驅(qū)動(dòng)電路104與圖1、圖2、圖3和圖4所示的實(shí)用新型實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的相同之處較多，此處不再贅述，可以參考前述內(nèi)容，此處僅重點(diǎn)描述與前述像素驅(qū)動(dòng)電路102、103之間的區(qū)別點(diǎn)。

圖6中第七晶體管M7的柵極電連接第二掃描線，第二掃描線用于傳輸?shù)诙呙杈€信號(hào)SCAN2，第七晶體管M7的(輸入端)電連接第六晶體管M6的第二極(輸出端)，二者電連接于節(jié)點(diǎn)A，第七晶體管M7的第二極電連接第二晶體管M2的柵極。對(duì)于圖6所示的實(shí)施例而言，參考信號(hào)REF僅代表了一種信號(hào)，該信號(hào)可以具有任意大小的電位，在本實(shí)施例中不做任何限定，只需要保證：當(dāng)參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至發(fā)光元件D時(shí)，即參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A時(shí)，參考信號(hào)REF的電位數(shù)值大小為第一電位v1，該具有第一電位v1的參考信號(hào)REF再通過第七晶體管M7傳輸至第二晶體管M2的柵極，即具有第一電位v1的參考信號(hào)REF通過第七晶體管M7傳輸至節(jié)點(diǎn)B，參考信號(hào)REF的電位大小從第一電位v1變?yōu)榈诙娢籿2，第二電位v2大于第一電位v1。

對(duì)于圖6所示的實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路104，第二電位v2大于第一電位v1的原因在此進(jìn)行解釋：參考信號(hào)REF(初始電位大小不限定)經(jīng)過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A，由于信號(hào)在傳輸至節(jié)點(diǎn)A之前經(jīng)過了一個(gè)晶體管，由于晶體管本身的存在(可以被視作為一個(gè)具有一定阻抗的元件或者器件)以及晶體管自身驅(qū)動(dòng)能力等原因使得信號(hào)在到達(dá)節(jié)點(diǎn)A之后相較于未經(jīng)過晶體管之前，電位發(fā)生了變化，變?yōu)榈谝浑娢籿1。進(jìn)一步的，參考信號(hào)REF在到達(dá)節(jié)點(diǎn)A后又繼續(xù)經(jīng)過第七晶體管M7傳輸至節(jié)點(diǎn)B，電位再一次發(fā)生了變化，此時(shí)的電位從第一電位v1變?yōu)榈诙娢籿2。以圖6中第六晶體管M6和第六晶體管M7均為P型晶體管為例，在上一幀的發(fā)光階段結(jié)束后，節(jié)點(diǎn)A的電位高于參考信號(hào)REF的初始電位，參考信號(hào)REF初始為一任意大小的低 電位信號(hào)，經(jīng)過第六晶體管M6后到達(dá)節(jié)點(diǎn)A時(shí)需要經(jīng)過一個(gè)晶體管變?yōu)榈谝浑娢籿1，再到達(dá)節(jié)點(diǎn)B時(shí)，該參考信號(hào)REF一共經(jīng)過兩個(gè)晶體管，因此，雖然是相同的信號(hào)，但是在兩個(gè)節(jié)點(diǎn)處的電位大小完全不同，即第二電位v2大于第一電位v1。

通過采用這樣的設(shè)計(jì)，在保證對(duì)像素驅(qū)動(dòng)電路完成閾值補(bǔ)償?shù)耐瑫r(shí)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中發(fā)光元件的陽極和驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極完成不同節(jié)點(diǎn)的不同電位大小的初始化，改善亮態(tài)不亮、暗態(tài)不暗的問題，并且這種改善方式相較于前述實(shí)施例，只需要通過設(shè)計(jì)一條參考信號(hào)線，因此能進(jìn)一步達(dá)到節(jié)省版圖面積的目的。即，圖6所示的實(shí)施例相較于圖3所示的實(shí)施例的進(jìn)一步的好處在于：圖3實(shí)施例可以通過設(shè)置兩條信號(hào)線(一條參考信號(hào)線，一條附加參考信號(hào)線)，以實(shí)現(xiàn)傳輸初始電位不同的兩個(gè)信號(hào)，從而在節(jié)點(diǎn)A的電位比在節(jié)點(diǎn)B的電位更低。而圖6所示實(shí)施例只設(shè)計(jì)了一條參考信號(hào)線，利用信號(hào)先經(jīng)過第六晶體管、再經(jīng)過第七晶體管，從而實(shí)現(xiàn)在節(jié)點(diǎn)A的電位比在節(jié)點(diǎn)B的電位更低，達(dá)到解決前述問題的同時(shí)進(jìn)一步節(jié)省版圖面積。

需要說明的是，對(duì)于圖6所示的實(shí)施例，并不對(duì)第一晶體管M1至第七晶體管M7的溝道寬長(zhǎng)比以及每個(gè)晶體管分立的柵極的數(shù)量進(jìn)行限定，可以任意調(diào)整，只要保證，當(dāng)參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至發(fā)光元件D時(shí)，即參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A時(shí)，參考信號(hào)REF的電位數(shù)值大小為第一電位v1，該具有第一電位v1的參考信號(hào)REF再通過第七晶體管M7傳輸至第二晶體管M2的柵極時(shí)，即具有第一電位v1的參考信號(hào)REF通過第七晶體管M7傳輸至節(jié)點(diǎn)B時(shí)參考信號(hào)REF的電位大小從第一電位v1變?yōu)榈诙娢籿2，第二電位v2大于第一電位v1即可。

可以理解的是，對(duì)于圖6所示的實(shí)施例，也可以對(duì)第一晶體管M1至第七晶體管M7的溝道寬長(zhǎng)比以及每個(gè)晶體管分立的柵極的數(shù)量進(jìn)行額外設(shè)置，尤 其是對(duì)第六晶體管M6和第七晶體管M7，具體的，可以參考圖4和圖5所對(duì)應(yīng)的實(shí)施例，在將電路的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為圖6中像素驅(qū)動(dòng)電路104的基礎(chǔ)上，再將第六晶體管M6的溝道寬長(zhǎng)比大于第七晶體管的溝道寬長(zhǎng)比，或者將第六晶體管M6的柵極(分立的柵極)的數(shù)量為P，第七晶體管M7的柵極(分立的柵極)的數(shù)量為Q，P和Q均為大于等于1的正整數(shù)，并且Q大于P。可以進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)第二電位v2大于第一電位v1。具體的設(shè)計(jì)方式，可以參考前述內(nèi)容，此處不再贅述。

圖7示為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路105，像素驅(qū)動(dòng)電路105與前述諸多實(shí)用新型實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路的相同之處較多，此處不再贅述，可以參考前述內(nèi)容，此處僅重點(diǎn)描述與前述像素驅(qū)動(dòng)電路105之間的區(qū)別點(diǎn)。

具體的，像素驅(qū)動(dòng)電路105還包括第二電容C2，第二電容C2的第一極電連接第一晶體管的柵極(信號(hào)控制端)，第二電容C2的第二極電連接第二晶體管M2的柵極。

可以理解的是，對(duì)于圖7實(shí)施例中第二電容的設(shè)計(jì)方式，同樣適用于圖1至圖6任一實(shí)施例中的電路結(jié)構(gòu)，在此處不再贅述。

圖8所示為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的又一種像素驅(qū)動(dòng)電路106，像素驅(qū)動(dòng)電路106，包括：第一晶體管M1至第七晶體管M7，第一晶體管M1的柵極電連接第一掃描線，第一掃描線用于傳輸?shù)谝粧呙杈€信號(hào)SCAN1，第一晶體管M1的第一極電連接數(shù)據(jù)信號(hào)線，數(shù)據(jù)信號(hào)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)電壓DATA；第一晶體管M1的第二極電連接第二晶體管M2的第一極。第二晶體管M2的柵極電連接第七晶體管M7的第二極，第二晶體管M2的第一極電連接第一晶體管M1的第二極，第二晶體管M2的第二極電連接第五晶體管M5的第一極。第三晶體管M3的柵極電連接第一掃描線，第一掃描線用于傳輸?shù)谝粧呙杈€信號(hào)SCAN1；第三晶體管M3的第一極電連接第二晶體管M2的第二極，第三 晶體管M3的第二極電連接第二晶體管M2的柵極。第四晶體管M4的柵極電連接發(fā)光線，所述發(fā)光線用于傳輸所述發(fā)光線信號(hào)EMIT；第四晶體管M4的第一極電連接第一電源線，第一電源線用于傳輸所述第一電源電壓PVDD；第四晶體管M4的第二極電連接第二晶體管的第一極。第五晶體管M5的柵極電連接發(fā)光線，發(fā)光線用于傳輸所述發(fā)光線信號(hào)EMIT，第五晶體管M5的第一極電連接第二晶體管M2的第二極，第五晶體管M5的第二極電連接第六晶體管M6的第二極。第一電容C1的第一極電連接第一電源線，第一電源線用于傳輸?shù)谝浑娫措妷篜VDD，第一電容C1的第二極電連接第二晶體管M2的柵極。第六晶體管M6的柵極電連接第二掃描線，第二掃描線用于傳輸?shù)诙呙杈€信號(hào)SCAN2，第六晶體管M6的第一極(輸入端)電連接參考信號(hào)線，參考信號(hào)線用于傳輸參考信號(hào)REF，第六晶體管M6的第二極(輸出端)電連接發(fā)光元件D，第六晶體管M6用于響應(yīng)第二掃描線信號(hào)SCAN2而向發(fā)光元件D傳輸具有第一電位的參考信號(hào)REF。第七晶體管M7的柵極電連接第二掃描線，第二掃描線用于傳輸?shù)诙呙杈€信號(hào)SCAN2，第七晶體管M7的(輸入端)電連接第六晶體管M6的第二極(輸出端)，二者電連接于節(jié)點(diǎn)A，第七晶體管M7的第二極電連接第二晶體管M2的柵極，二者電連接于節(jié)點(diǎn)B。

需要說明的是，在圖8所示實(shí)施例中，第一晶體管M1至第五晶體管的電連接關(guān)系同樣適用于圖1～圖7所對(duì)應(yīng)的實(shí)施例中的像素驅(qū)動(dòng)電路，具體不再贅述。

需要說明的是，在圖8所示實(shí)施例中，第六晶體管M6和第七晶體管的電連接方式可以參考圖1-圖7所示實(shí)施例中的任意一種方案，而不限于圖8所示的方案，只要保證第二電位大于第一電位即可。

圖9所示為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，接下來，以圖8所示的像素驅(qū)動(dòng)電路為例結(jié)合圖9來說明本實(shí)用新型實(shí)施例提出的像素驅(qū)動(dòng)電路的工作原理和技術(shù)效果。

圖9所示的驅(qū)動(dòng)方法包括以下三個(gè)階段：初始化階段T1、數(shù)據(jù)寫入階段T2和發(fā)光階段T3。

首先，在初始化階段T1，第六晶體管M6和第七晶體管M7均響應(yīng)于第二掃描線信號(hào)SCAN2而開啟，一具有任意初始電位的參考信號(hào)REF通過第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A，對(duì)發(fā)光元件D的陽極進(jìn)行電位初始化，此時(shí)參考信號(hào)REF的電位大小為第一電位v1。由于第七晶體管M7開啟，具有第一電位v1的參考信號(hào)REF再經(jīng)過第七晶體管M7傳輸至第二節(jié)點(diǎn)B，對(duì)第二晶體管M2的柵極進(jìn)行電位初始化，此時(shí)參考信號(hào)REF的電位大小從第一電位v1變?yōu)榈诙娢籿2(電位變化的原因在前述實(shí)施例中已經(jīng)進(jìn)行詳細(xì)的解釋，此處不再贅述，可以參考前述內(nèi)容)，此階段，初始化已存儲(chǔ)在第一電容C1中的數(shù)據(jù)信號(hào)以及初始化發(fā)光元件D的陽極。

在數(shù)據(jù)寫入階段T2，第一晶體管M1和第三晶體管M3均響應(yīng)于第一掃描線信號(hào)SCAN1而開啟，由于第三晶體管M3的開啟，以二極管連接的方式連接第二晶體管M2。此階段，形成數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸途徑，數(shù)據(jù)線信號(hào)DATA先后通過第一晶體管M1和第三晶體管M3并最終傳輸至第二晶體管M2的柵極。由于第二晶體管M2處于二極管連接，因此，當(dāng)?shù)诙w管M2柵極的電位達(dá)到V_DATA+V_th時(shí)，第二晶體管M2截止，數(shù)據(jù)信號(hào)寫入階段完畢，V_DATA+V_th被存儲(chǔ)在第一電容C1中，V_DATA是數(shù)據(jù)線信號(hào)的電位大小，V_th是第二晶體管M2的閾值電壓。

在發(fā)光階段T3，第四晶體管M4和第五晶體管M5響應(yīng)于發(fā)光線信號(hào)EMIT而開啟，因此，在第四晶體管M4、第二晶體管M2和第五晶體管M5之間形成了電流通路，第一電源電壓PVDD傳輸至第二晶體管M2的輸入端，第二晶體管生成一驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流通過第五晶體管M2流向發(fā)光元件D，使得發(fā)光元件D發(fā)光。具體的，在發(fā)光階段的驅(qū)動(dòng)電流的大小，可以參考如下公式：

I_oled＝K(V_GS-V_th)²＝K(V_DATA-V_DD)²

其中，I_oled代表流入發(fā)光元件D的電流大小，K代表與第二晶體管結(jié)構(gòu)相關(guān)的本征參數(shù)，V_DD代表第一電源電壓PVDD的電位大小。

從上述公式可以看出，流入發(fā)光元件D的電流與數(shù)據(jù)線信號(hào)和第一電源電壓相關(guān)，而與第二晶體管M2的閾值電壓無關(guān)，因此，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的閾值偵測(cè)和補(bǔ)償。另外，在本驅(qū)動(dòng)方法中，由于在初始化階段對(duì)發(fā)光二極管的陽極(節(jié)點(diǎn)A)和第二晶體管M2的柵極(節(jié)點(diǎn)B)分別進(jìn)行了節(jié)點(diǎn)的不同電位大小的初始化，解決前述實(shí)施例中提到的諸多技術(shù)難題。進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，由于采用的一條REF線實(shí)現(xiàn)對(duì)節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B提供不同電位大小的初始化電壓，能夠更進(jìn)一步的節(jié)省版圖面積。

需要說明的是，圖9所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法是對(duì)應(yīng)于圖8所示的像素驅(qū)動(dòng)電路106，但像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)不局限于圖8所示的實(shí)施例，例如，也可以是一個(gè)純N型晶體管構(gòu)成的電路，那么在這種情況下，與之相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法中的驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)該與圖9中的相位相反，具體不再贅述。如果對(duì)應(yīng)是既包括N型晶體管又包括P型晶體管的電路，驅(qū)動(dòng)方法中的驅(qū)動(dòng)波形做適應(yīng)性調(diào)整即可，具體不再贅述。

可以理解的是，對(duì)于圖9所給出的驅(qū)動(dòng)方法，同樣適用于圖1-圖5中實(shí)用新型實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路，區(qū)別點(diǎn)在于參考信號(hào)以及附加參考信號(hào)的輸入方式，具體內(nèi)容可以參考前述實(shí)施例，此處不再贅述。只要保證：在初始化階段分別對(duì)發(fā)光二極管的陽極(節(jié)點(diǎn)A)和第二晶體管M2的柵極(節(jié)點(diǎn)B)進(jìn)行節(jié)點(diǎn)電位初始化，初始化的電位大小不同，第一電位v1小于第二電位v2即可，能夠達(dá)到完成閾值補(bǔ)償、實(shí)現(xiàn)初始化并更有效的節(jié)省版圖面積的目的。

圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種像素陣列1000，包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路1001，這些像素驅(qū)動(dòng)電路1001按照N行乘以M列的矩陣形式排布，N和M均為大于等于2的正整數(shù)。在像素陣列1000中還包括多條信號(hào)線：掃描 信號(hào)線scan[1]～scan[N]、數(shù)據(jù)信號(hào)線data、發(fā)光信號(hào)線(圖中未給出)和電源信號(hào)線(圖中未給出)，每一個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路同時(shí)連接兩條掃描信號(hào)線scan[N-1]和scan[N]、一條數(shù)據(jù)線data、一條發(fā)光信號(hào)線(圖中未給出)和電源信號(hào)線(圖中未給出)。像素陣列的具體結(jié)構(gòu)屬于現(xiàn)有技術(shù)，并不做特殊的限定，可以與圖10所示的示意圖有所不同，以具體的結(jié)構(gòu)為準(zhǔn)。為了說明在該像素陣列1000中像素驅(qū)動(dòng)電路1001的具體結(jié)構(gòu)，我們以陣列中任意在列方向上相鄰的三個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路101(圖10中虛線框出的)為例進(jìn)行說明，具體的可以參考圖11，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的任意在列方向上相鄰的三個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路200。由于三個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路200彼此之間的結(jié)構(gòu)是相同或相近的，在此，以其中的位于第N行的一個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路為例，主要進(jìn)行介紹。

第N行的像素驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)可以參考圖8所對(duì)應(yīng)實(shí)施例中的像素電路結(jié)構(gòu)，包括：第一晶體管M1至第七晶體管M7，第一晶體管M1的柵極電連接第N行掃描線，第N行掃描線用于傳輸?shù)贜行掃描線信號(hào)SCAN[N]，第一晶體管M1的第一極電連接數(shù)據(jù)信號(hào)線，數(shù)據(jù)信號(hào)線用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)電壓DATA；第一晶體管M1的第二極電連接第二晶體管M2的第一極。第二晶體管M2的柵極電連接第七晶體管M7的第二極，第二晶體管M2的第一極電連接第一晶體管M1的第二極，第二晶體管M2的第二極電連接第五晶體管M5的第一極。第三晶體管M3的柵極電連接第N行掃描線，第N行掃描線用于傳輸?shù)贜行掃描線信號(hào)SCAN[N]；第三晶體管M3的第一極電連接第二晶體管M2的第二極，第三晶體管M3的第二極電連接第二晶體管M2的柵極。第四晶體管M4的柵極電連接第N行的發(fā)光線，第N行的發(fā)光線用于傳輸N行發(fā)光線信號(hào)EMIT[N]；第四晶體管M4的第一極電連接第一電源線，第一電源線用于傳輸所述第一電源電壓PVDD；第四晶體管M4的第二極電連接第二晶體管的第一極。第五晶體管M5的柵極電連接第N行的發(fā)光線，第N行的發(fā)光線用于傳輸?shù)贜行發(fā)光線信號(hào)EMIT[N]，第五晶體管M5的第一極電 連接第二晶體管M2的第二極，第五晶體管M5的第二極電連接第六晶體管M6的第二極。第一電容C1的第一極電連接第一電源線，第一電源線用于傳輸?shù)谝浑娫措妷篜VDD，第一電容C1的第二極電連接第二晶體管M2的柵極。第六晶體管M6的柵極電連接第N行掃描線，第N行掃描線用于傳輸?shù)贜行掃描線信號(hào)SCAN[N]，第六晶體管M6的第一極(輸入端)電連接參考信號(hào)線，參考信號(hào)線用于傳輸參考信號(hào)REF，第六晶體管M6的第二極(輸出端)電連接發(fā)光元件D。第七晶體管M7的柵極電連接第N-1行掃描線，第N-1行掃描線用于傳輸?shù)贜-1行掃描線信號(hào)SCAN[N-1]，第七晶體管M7的第一極電連接第N-1行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6的第二極(輸出端)，二者電連接于節(jié)點(diǎn)A[N-1]，第七晶體管M7的第二極電連接第二晶體管M2的柵極，二者電連接于節(jié)點(diǎn)B[N]。其中，在圖11中，A[N-1]代表第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6的第二極與發(fā)光元件的電連接節(jié)點(diǎn)，B[N-1]代表第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M6的第二極與第二晶體管M2的柵極的電連接節(jié)點(diǎn)；A[N]代表第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6的第二極與發(fā)光元件的電連接節(jié)點(diǎn)，B[N]代表第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M6的第二極與第二晶體管M2的柵極的電連接節(jié)點(diǎn)。A[N+1]代表第N+1行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6的第二極與發(fā)光元件的電連接節(jié)點(diǎn)，B[N+1]代表第N+1行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M6的第二極與第二晶體管M2的柵極的電連接節(jié)點(diǎn)。以此類推的，A[N-2]代表第N-2行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6的第二極與發(fā)光元件的電連接節(jié)點(diǎn)……

對(duì)于圖11所示的像素驅(qū)動(dòng)電路，當(dāng)具有一任意初始電位的參考信號(hào)REF通過第N-1行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管傳輸至節(jié)點(diǎn)A[N-1]時(shí)，參考信號(hào)的電位變?yōu)榈谝浑娢籿1，由于第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路的第六晶體管M6的柵極和第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M7的柵極均連接第N-1行掃描信號(hào)線SCAN[N-1]，因此，第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路的第六晶體管M6和第N 行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M7同時(shí)開啟，此種情況下，傳遞至節(jié)點(diǎn)A[N-1]的具有第一電位v1的參考信號(hào)VREF會(huì)繼續(xù)通過第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M7傳遞至節(jié)點(diǎn)B[N]，此時(shí)參考信號(hào)VREF的電位變?yōu)関2，第二電位v2大于第一電位v1。(第二電位v2大于第一電位v1的原因可以參考前述實(shí)施例，此處不再贅述)同理，傳輸至節(jié)點(diǎn)B[N+1]的第二電位v2大于節(jié)點(diǎn)A[N]的第一電位v1(N為大于等于2的正整數(shù))，以此類推。通過采用如圖11所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)方案，利用位于前一行(第N-1行)像素驅(qū)動(dòng)電路中的發(fā)光元件的陽極與本行(第N行)像素驅(qū)動(dòng)電路中第七晶體管的輸入端電連接，在實(shí)現(xiàn)像素電路的閾值偵測(cè)和補(bǔ)償?shù)哪康幕A(chǔ)上，分別對(duì)發(fā)光二極管的陽極(節(jié)點(diǎn)A)和第二晶體管M2的柵極(節(jié)點(diǎn)B)分別進(jìn)行了不同電位大小的節(jié)點(diǎn)電位初始化，解決前述實(shí)施例中提到的諸多技術(shù)難題，并且能夠更有效的節(jié)省版圖面積、便于像素的排布。

需要說明的是，對(duì)于圖10和圖11中的任意在列方向上相鄰的三個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的具體的某一個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)并不局限于圖11中所示的那樣，即，對(duì)于任一行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的與第六晶體管M6的輸入端、輸出端和柵極電連接的節(jié)點(diǎn)或者信號(hào)線，可以是直接相連，也可以是非直接相連，對(duì)于任一行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的與第七晶體管M7的輸入端、輸出端和柵極電連接的節(jié)點(diǎn)或者信號(hào)線，可以是直接相連，也可以是非直接相連，并不做限定，只要保證傳輸至節(jié)點(diǎn)B[N+1]的第二電位v2大于節(jié)點(diǎn)A[N]的第一電位v1(N為大于等于2的正整數(shù))即可。

需要說明的是，對(duì)于圖10和圖11中的任意在列方向上相鄰的三個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路中的具體的某一個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)并不局限于圖11中所示的那樣，即，對(duì)于任一行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第一晶體管M1至第五晶體管M5的具體連接關(guān)系并不限定于圖11中所示的情況，可以參考圖1至圖7所示實(shí)施例的情況。另外，第六晶體管M6和第七晶體管M7的溝道寬長(zhǎng)比或者 分立的柵極的數(shù)量并不做限定，可以參考前述實(shí)施例的諸多種實(shí)施方式，只要保證傳輸至節(jié)點(diǎn)B[N+1]的第二電位v2大于節(jié)點(diǎn)A[N]的第一電位v1(N為大于等于2的正整數(shù))即可。

圖12所示為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的一種像素陣列的驅(qū)動(dòng)方法，接下來，結(jié)合圖11所示的像素驅(qū)動(dòng)電路200來解釋本實(shí)用新型實(shí)施例中像素驅(qū)動(dòng)電路的工作原理和技術(shù)效果。

圖12所示的驅(qū)動(dòng)方法包括以下三個(gè)階段：初始化階段T1、數(shù)據(jù)寫入階段T2和發(fā)光階段T3。

首先，在初始化階段T1，位于第N-1行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6和位于第N行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M7均響應(yīng)于第N-1行掃描線信號(hào)SCAN[N-1]而開啟。一具有任意初始電位的參考信號(hào)REF通過第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A[N-1]，對(duì)第N-1行的發(fā)光元件D的陽極進(jìn)行電位初始化，此時(shí)參考信號(hào)REF的電位大小為第一電位v1。由于位于第N行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M7也開啟，具有第一電位v1的參考信號(hào)REF再經(jīng)過該位于第N行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M7傳輸至第二節(jié)點(diǎn)B[N]，對(duì)位于第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第二晶體管M2的柵極進(jìn)行電位初始化，此時(shí)參考信號(hào)REF的電位大小從第一電位v1變?yōu)榈诙娢籿2(電位變化的原因在前述實(shí)施例中已經(jīng)進(jìn)行詳細(xì)的解釋，此處不再贅述，可以參考前述內(nèi)容)，此階段，初始化已存儲(chǔ)在第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第一電容C1中的數(shù)據(jù)信號(hào)以及第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路中的發(fā)光元件的陽極電位。

在數(shù)據(jù)寫入階段T2，第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第一晶體管M1和第三晶體管M3均響應(yīng)于第N行掃描線信號(hào)SCAN[N]而開啟，由于第三晶體管M3的開啟，以二極管連接的方式連接第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第二晶體管M2。此階段，形成數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸途徑，數(shù)據(jù)線信號(hào)DATA先后通過第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第一晶體管M1、第三晶體管M3并最終傳輸至第二晶體管M2的 柵極。由于第二晶體管M2處于二極管連接狀態(tài)，因此，當(dāng)?shù)诙w管M2柵極的電位達(dá)到V_DATA+V_th時(shí)，第二晶體管M2截止，數(shù)據(jù)信號(hào)寫入階段完畢，V_DATA+V_th被存儲(chǔ)在第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第一電容C1中，V_DATA是數(shù)據(jù)線信號(hào)的電位大小，V_th是第二晶體管M2的閾值電壓。同時(shí)，在本階段，位于第N行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6響應(yīng)于第N行掃描線信號(hào)SCAN[N]而開啟，一具有任意初始電位的參考信號(hào)REF通過第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6傳輸至節(jié)點(diǎn)A[N]，對(duì)第N行的發(fā)光元件D的陽極進(jìn)行電位初始化，此時(shí)參考信號(hào)REF的電位大小為第一電位v1

在發(fā)光階段T3，第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第四晶體管M4和第五晶體管M5響應(yīng)于第N行發(fā)光線信號(hào)EMIT[N]而開啟，因此，在第四晶體管M4、第二晶體管M2和第五晶體管之間形成了電流通路，第一電源電壓PVDD傳輸至第二晶體管M2的輸入端，第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第二晶體管生成一驅(qū)動(dòng)電流，該驅(qū)動(dòng)電流通過第五晶體管M2流向第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的發(fā)光元件D，使得發(fā)光元件D發(fā)光。具體的，在發(fā)光階段的驅(qū)動(dòng)電流的大小，可以參考如下公式：

I_oled＝K(V_GS-V_th)²＝K(V_DATA-V_DD)²

其中，I_oled代表流入發(fā)光元件D的電流大小，K代表與第二晶體管結(jié)構(gòu)相關(guān)的本征參數(shù)，V_DD代表第一電源電壓PVDD的電位大小。

從上述公式可以看出，流入第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的發(fā)光元件D的電流與數(shù)據(jù)線信號(hào)和第一電源電壓相關(guān)，而與第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第二晶體管M2的閾值電壓無關(guān)，因此，可以實(shí)現(xiàn)像素電路的閾值偵測(cè)和補(bǔ)償。另外，在本驅(qū)動(dòng)方法中，由于在初始化階段分別對(duì)第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路中發(fā)光二極管的陽極(節(jié)點(diǎn)A[N-1])和第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中第二晶體管M2的柵極(節(jié)點(diǎn)B[N])分別進(jìn)行了節(jié)點(diǎn)電位初始化，解決前述實(shí)施例中提到的諸多技術(shù)難題。進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，由于采用位于前一行(第N-1行)像素 驅(qū)動(dòng)電路中的發(fā)光元件的陽極與本行(第N行)像素驅(qū)動(dòng)電路中第七晶體管的輸入端電連接，能夠?qū)崿F(xiàn)利用一條參考信號(hào)線對(duì)節(jié)點(diǎn)A[N]和節(jié)點(diǎn)B[N]提供不同電位大小的初始化電壓，能夠更有效的節(jié)省版圖面積。

需要說明的是，圖12所示的像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法是對(duì)應(yīng)于圖11所示的像素驅(qū)動(dòng)電路106，但像素驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)不局限于圖11所示的實(shí)施例，例如，也可以是一個(gè)純N型晶體管構(gòu)成的電路，那么在這種情況下，與之相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法中的驅(qū)動(dòng)波形應(yīng)該與圖12中的相位相反，具體不再贅述。如果該像素驅(qū)動(dòng)電路既包括N型晶體管又包括P型晶體管，那么與之相對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)方法中的額驅(qū)動(dòng)波形可以根據(jù)晶體管的類型做適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，只要保證能實(shí)現(xiàn)前述技術(shù)目的即可，在此不再贅述。

可以理解的是，對(duì)于圖12所給出的驅(qū)動(dòng)方法，同樣適用于前述實(shí)用新型實(shí)施例的像素驅(qū)動(dòng)電路，即并不對(duì)第一晶體管M1至第七晶體管M7的溝道寬長(zhǎng)比以及每個(gè)晶體管分立的柵極的數(shù)量進(jìn)行限定，可以任意調(diào)整，只要保證，在初始化階段分別對(duì)發(fā)光二極管的陽極(節(jié)點(diǎn)A[N-1])和第二晶體管M2的柵極(節(jié)點(diǎn)B[N])進(jìn)行節(jié)點(diǎn)電位初始化，初始化的電位大小不同，第一電位v1小于第二電位v2即可，能夠保證完成閾值補(bǔ)償、實(shí)現(xiàn)初始化并更有效的節(jié)省版圖面積。

可以理解的是，對(duì)于圖12所示的實(shí)施例，也可以對(duì)第一晶體管M1至第七晶體管M7的溝道寬長(zhǎng)比以及每個(gè)晶體管分立的柵極的數(shù)量進(jìn)行額外設(shè)置，尤其是對(duì)第六晶體管M6和第七晶體管M7，具體的，將位于第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6的溝道寬長(zhǎng)比大于第N行的像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管的溝道寬長(zhǎng)比，或者將位于第N-1行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第六晶體管M6的柵極(分立的柵極)的數(shù)量為P，位于第N行像素驅(qū)動(dòng)電路中的第七晶體管M7的柵極(分立的柵極)的數(shù)量為Q，P和Q均為大于等于1的正整數(shù)，并且Q大于P。具體的設(shè)計(jì)方式，可以參考前述內(nèi)容，此處不再贅述。只要 保證：在初始化階段分別對(duì)發(fā)光二極管的陽極(節(jié)點(diǎn)A[N-1])和第二晶體管M2的柵極(節(jié)點(diǎn)B[N])進(jìn)行節(jié)點(diǎn)電位初始化，初始化的電位大小不同，第一電位v1小于第二電位v2即可，能夠保證完成閾值補(bǔ)償、實(shí)現(xiàn)初始化并更有效的節(jié)省版圖面積。

需要說明的是，對(duì)于前述任一實(shí)施例而言，像素驅(qū)動(dòng)電路的晶體管均是以P型晶體管為例進(jìn)行的說明，但是并不對(duì)其晶體管的類型做限定，具體的，第一晶體管M1～第七晶體管M7可以均同時(shí)為P型晶體管，也可以均同時(shí)為N型晶體管，或者一部分為P型晶體管、一部分為N型晶體管。當(dāng)?shù)谝痪w管M1～第七晶體管M7均同時(shí)為P型晶體管的情況下，第一晶體管M1～第七晶體管M7的信號(hào)輸入端一般為源極，其信號(hào)輸出端一般為漏極，此種情況下，信號(hào)V1、信號(hào)V2、附加參考信號(hào)V3、參考信號(hào)VREF均為低電位信號(hào)；當(dāng)?shù)谝痪w管M1～第七晶體管M7均同時(shí)為N型晶體管的情況下，第一晶體管M1～第七晶體管M7的信號(hào)輸入端一般為漏極，其信號(hào)輸出端一般為源極，此種情況下，信號(hào)V1、信號(hào)V2、附加參考信號(hào)V3、參考信號(hào)VREF均為高電位信號(hào)。

圖13為本實(shí)用新型實(shí)施例提出的一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，該有機(jī)發(fā)光顯示面板可以為圖13所示的手機(jī)，也可以為電腦等觸摸裝置，具體的，該有機(jī)發(fā)光顯示面板包括前述任意實(shí)施例中提到的象素陣列。

需要說明的是，在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開的具體實(shí)施方式的限制。

需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位詞是以附圖所示的角度來進(jìn)行描述的，不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的限制。此外，在上下文中，還需要理解的是，當(dāng)提到一個(gè)元件被形成在 另一元件“上”或“下”時(shí)，其不僅能夠直接形成在另一元件“上”或者“下”，其也可以通過中間元件間接形成在另一元件“上”或者“下”。

需要說明的是，有機(jī)發(fā)光顯示面板除了包括圖13所示出以及所描述到的組件外，還包括集成電路IC、信號(hào)線等一些必要的結(jié)構(gòu)，此為本領(lǐng)域的公知常識(shí)，在此亦不作贅述。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。