本申請要求于2015年7月28日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2015-0106659號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的內(nèi)容通過引用以其整體并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實施方式的一個或多個方面涉及DC-DC轉(zhuǎn)換器及其驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

隨著信息技術(shù)發(fā)展，使作為信息與用戶之間的連接媒介的顯示設(shè)備的重要性變得明顯。相應地，諸如液晶顯示裝置和/或有機發(fā)光顯示裝置的顯示設(shè)備的使用已經(jīng)增加。

顯示設(shè)備包括位于掃描線和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域處的像素、驅(qū)動掃描線的掃描驅(qū)動器以及驅(qū)動數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動器。

顯示設(shè)備包括產(chǎn)生用于驅(qū)動顯示設(shè)備的電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器。DC-DC轉(zhuǎn)換器是用于通過使用諸如電感器等的儲能裝置來轉(zhuǎn)換電壓的裝置。也就是說，DC-DC轉(zhuǎn)換器通過輸入電壓的升壓或降壓來產(chǎn)生電壓，并且將產(chǎn)生的電壓作為輸出電壓供應。

DC-DC轉(zhuǎn)換器包括電流保護部以防止或減少由大電流引起的對部件的損壞。電流保護部使多個電阻器串聯(lián)連接，并且與流進串聯(lián)連接的電阻器的電流的量(例如，電流值)對應地控制DC-DC轉(zhuǎn)換器的操作。

也就是說，電流保護部檢測與電流值對應的、施加至電阻器的電壓，并且與檢測到的電壓對應地控制DC-DC轉(zhuǎn)換器的操作。但是，當多個電阻器串聯(lián)連接時，可能產(chǎn)生高熱量，而且可能出現(xiàn)高能耗。而且，因為施加至電阻器的電壓值是考慮了操作裕度而設(shè)定的，所以可能難以防止 或減少由瞬時電流增加引起的對部件的損壞。

該背景部分中公開的以上信息用于加深對本發(fā)明的背景的理解，且因此，其可包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式針對防止或減少由電流對其部件的損壞的DC-DC轉(zhuǎn)換器及其驅(qū)動方法。

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，DC-DC轉(zhuǎn)換器包括：開關(guān)電路，配置為改變輸入電壓的電壓值并且產(chǎn)生輸出電壓；反饋電路，連接在輸出電壓被供應至的輸出端子和第一電源之間，且配置為產(chǎn)生與輸出電壓對應的反饋電壓；柵極脈沖產(chǎn)生器，配置為通過利用反饋電壓產(chǎn)生待供應至開關(guān)電路的柵極脈沖；電流保護器，配置為通過利用反饋電壓和柵極脈沖來控制開關(guān)電路；以及電壓保護器，配置為通過利用反饋電壓來控制開關(guān)電路。

開關(guān)電路可包括第一晶體管、電感器、二極管和第二晶體管，第一晶體管、電感器和二極管可連接在輸入電壓被輸入至的輸入端子和輸出端子之間，以及第二晶體管可連接在第一節(jié)點和第一電源之間，第一節(jié)點是電感器和二極管的公共節(jié)點。

電流保護器可配置為在反饋電壓低于第一參考電壓時且當與柵極脈沖對應的DC電壓高于第二參考電壓時截止第一晶體管。

電流保護器可包括：第一比較器，配置為比較反饋電壓與第一參考電壓，并且配置為在第一參考電壓高于反饋電壓時產(chǎn)生第一控制信號；DC轉(zhuǎn)換器，配置為將柵極脈沖轉(zhuǎn)換成DC電壓；第二比較器，配置為比較DC電壓與第二參考電壓，并且配置為在DC電壓高于第二參考電壓時產(chǎn)生第二控制信號；邏輯門，配置為在第一控制信號和第二控制信號輸入至邏輯門時輸出電流保護信號；以及電流保護晶體管，連接在第一晶體管的柵電極和第一電源之間，電流保護晶體管的柵電極連接至邏輯門。

電流保護晶體管可配置為在電流保護信號被供應時截止。

DC-DC轉(zhuǎn)換器還可包括反相器，該反相器連接在邏輯門和電流保護晶體管之間。

電流保護晶體管可配置為在從反相器反相的電流保護信號供應至電流保護晶體管時截止。

邏輯門可包括與門。

DC轉(zhuǎn)換器可包括積分器，該積分器包括電阻器和電容器。

電壓保護器可包括：電壓保護晶體管，連接在第二晶體管的柵電極和第一電源之間，并且配置為在電壓保護信號供應至電壓保護晶體管時截止第二晶體管；以及比較器，配置為比較反饋電壓與第三參考電壓，并且配置為在反饋電壓高于第三參考電壓時提供電壓保護信號。

第一電源的電壓值可以比輸入電壓和輸出電壓的電壓值低。

第一電源可以是基礎(chǔ)電源(GND)。

反饋電路可包括第一電阻器和第二電阻器，第一電阻器和第二電阻器連接在輸出端子和第一電源之間，以及第一電阻器和第二電阻器之間的公共節(jié)點的電壓可以是反饋電壓。

根據(jù)本發(fā)明的實施方式，DC-DC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動方法包括：通過利用與供應至輸出端子的輸出電壓對應的反饋電壓產(chǎn)生柵極脈沖以控制第二晶體管；以及與柵極脈沖和反饋電壓對應地控制第一晶體管導通或截止。其中，DC-DC轉(zhuǎn)換器包括第一晶體管、電感器、二極管和第二晶體管，第一晶體管、電感器和二極管連接在輸入端子和輸出端子之間，第二晶體管連接在第一節(jié)點和第一電源之間，并且第一節(jié)點是電感器和二極管的公共節(jié)點。

柵極脈沖的產(chǎn)生可包括控制柵極脈沖的占空比以保持反饋電壓的恒定電平。

第一晶體管的控制可包括：比較反饋電壓與第一參考電壓，并且在第一參考電壓高于反饋電壓時產(chǎn)生第一控制信號；將柵極脈沖轉(zhuǎn)換成DC電壓；比較DC電壓與第二參考電壓，并且在DC電壓高于第二參考電壓時產(chǎn)生第二控制信號；以及在第一控制信號和第二控制信號產(chǎn)生時截止第一晶體管。

附圖說明

從參照附圖的示例性實施方式的以下詳細描述，本發(fā)明的以上以及 其它方面和特征將對本領(lǐng)域技術(shù)人員變得顯而易見，其中，在所有附圖中，相同的附圖標記表示相同的元件。

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的DC-DC轉(zhuǎn)換器。

圖2A-2B示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在如圖1中所示的柵極脈沖產(chǎn)生部中產(chǎn)生的柵極脈沖。

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的如圖1中所示的電壓保護部。

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的如圖1中所示的電流保護部。

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的如圖1中所示的電流保護部。

具體實施方式

在下文中，將參照附圖更詳細地描述示例性實施方式，其中，在說明書全文中，相同的附圖標記表示相同的元件。但是，本發(fā)明可以以多種不同的形式實施，且不應被解釋為僅限于本文中所說明的實施方式。更確切地，這些實施方式作為示例被提供以使得本公開將是全面且完全的，并且將充分地向本領(lǐng)域技術(shù)人員傳達本發(fā)明的方面和特征。相應地，可不描述對于具有本領(lǐng)域普通技術(shù)的人員為了完全理解本發(fā)明的方面和特征而不必需的過程、元件和技術(shù)。除非另外說明，否則，在全部附圖和文字描述全文中，相同的附圖標記表示相同的元件，并因此，可不重復其描述。

在附圖中，為了清楚，元件、層和區(qū)域的相對尺寸可被夸大。為了便于解釋，在本文中可使用諸如“在……下(beneath)”、“在……之下(below)”、“下(lower)”、“在……下方(under)”、“在……之上(above)”、“upper(上)”等的空間相對措辭來描述如附圖中所示的一個元件或特征與另一元件(多個元件)或特征(多個特征)的關(guān)系。將理解的是，除了附圖中描繪的定向外，空間相對措辭旨在包含裝置在使用或操作時的不同定向。例如，如果附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件或特征“之下”或“下”或“下方”的元件將定向為在其它元件或特征“之上”。因此，示例措辭“在……之下(below)”和“在……下方(under)”可包含之上和之下兩個定向。裝置可以是其它定向的(例 如，旋轉(zhuǎn)90度或處于其它定向)，并且，本文中所使用的空間相對描述語應被相應地解釋。

將理解的是，當元件或?qū)颖环Q為在另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接至”或“聯(lián)接至”另一元件或?qū)訒r，其可直接在另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接至或聯(lián)接至另一元件或?qū)?，或者可存在一個或多個介于其間的元件或?qū)印Ａ硗?，還將理解的是，當元件或?qū)颖环Q為在兩個元件或?qū)印爸g”時，其可以是該兩個元件或?qū)又g唯一的元件或?qū)?，或者也可存在一個或多個介于其間的元件或?qū)印?/p>

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的實施方式的DC-DC轉(zhuǎn)換器。

參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的DC-DC轉(zhuǎn)換器可包括開關(guān)部(例如，開關(guān)電路)100、反饋部(例如，反饋電路)102、電壓保護部(例如，電壓保護器)104、柵極脈沖產(chǎn)生部(例如，柵極脈沖產(chǎn)生器)106和電流保護部(例如，電流保護器)108。

開關(guān)部100可通過與從柵極脈沖產(chǎn)生部106供應的柵極脈沖GP對應地改變輸入電壓Vin的電壓值來產(chǎn)生輸出電壓Vout。開關(guān)部100可包括第一晶體管M1、電感器L、二極管D、第二晶體管M2和輸出電容器Cout。電感器L和二極管D可連接在輸入端子1和輸出端子2之間。第二晶體管M2可連接在第一節(jié)點N1和第一電源VSS(例如，第一電源或第一電力源)之間，其中，第一節(jié)點N1是電感器L和二極管D的公共節(jié)點。輸出電容器Cout可連接在輸出端子2和第一電源VSS之間。

第一晶體管M1可連接在輸入端子1和電感器L之間，其中，輸入電壓Vin供應至輸入端子1。而且，第一晶體管M1的柵電極可連接至電流保護部108。

第一晶體管M1可與電流保護部108的控制對應地導通或截止。當?shù)谝痪w管M1導通時，輸入電壓Vin可供應至電感器L，使得DC-DC轉(zhuǎn)換器可被正常驅(qū)動。當?shù)谝痪w管M1截止時，輸入電壓Vin可不供應至電感器L，使得DC-DC轉(zhuǎn)換器可不產(chǎn)生輸出電壓Vout。第一晶體管M1可包括PMOS晶體管(例如，實現(xiàn)為PMOS晶體管或由PMOS晶體管形成)，但是本發(fā)明不限于此。

電感器L可連接在第一晶體管M1和第一節(jié)點N1之間。電感器L 可充有與電感器L中流動的電流的電流值對應的電能。

二極管D可連接在第一節(jié)點N1和輸出端子2之間。二極管D可將電感器L中充有的能量傳輸至輸出端子2，并且可防止或基本上防止輸出電壓Vout被供應至電感器L。即，二極管D可連接成使得電流從第一節(jié)點N1流至輸出端子2。

第二晶體管M2可連接在第一節(jié)點N1和第一電源VSS之間。第二晶體管M2可與從柵極脈沖產(chǎn)生部106供應的柵極脈沖GP對應地導通或截止。當?shù)诙w管M2導通或截止時，電能可與在電感器L中流動的電流對應地被充入電感器L中。另外，第一電源VSS可設(shè)定成比輸入電壓Vin和輸出電壓Vout的電壓低的電壓。例如，第一電源VSS可設(shè)定成基礎(chǔ)電源GND。而且，第二晶體管M2可包括NMOS晶體管(例如，實現(xiàn)為NMOS晶體管或由NMOS晶體管形成)，但是本發(fā)明不限于此。

輸出電容器Cout可連接在輸出端子2和第一電源VSS之間。輸出電容器Cout可存儲從二極管D供應的電能，并且可將存儲的電能供應至輸出端子2來作為輸出電壓Vout。

反饋部102可劃分輸出電壓Vout，并且可相應地輸出反饋電壓FB。反饋部102可包括連接在輸出端子2和第一電源VSS之間的第一電阻器R1和第二電阻器R2。通過劃分輸出電壓Vout而產(chǎn)生的反饋電壓FB可施加至第一電阻器R1和第二電阻器R2之間的公共節(jié)點。

柵極脈沖產(chǎn)生部106可使用反饋電壓FB、參考電壓和斜坡波形(例如，三角波)產(chǎn)生柵極脈沖GP。例如，當反饋電壓FB減小時，柵極脈沖產(chǎn)生部106可產(chǎn)生如圖2A中所示的具有增加的占空比的柵極脈沖GP。而且，例如，當反饋電壓FB增大時，柵極脈沖產(chǎn)生部106可產(chǎn)生如圖2B中所示的具有減小的占空比的柵極脈沖GP。

當柵極脈沖GP的占空比增大時，第二晶體管M2的導通時間可增加，并且輸出電壓Vout的電壓值可增大。當柵極脈沖GP的占空比減小時，第二晶體管M2的導通時間可減小，并且輸出電壓Vout的電壓值可減小。也就是說，柵極脈沖產(chǎn)生部106可與反饋電壓FB對應地控制柵極脈沖GP的占空比，以保持或基本上保持輸出電壓Vout具有恒定或基本上恒定的電平。

如上所述，柵極脈沖產(chǎn)生部106可產(chǎn)生與反饋電壓FB對應的柵極脈沖GP。柵極脈沖產(chǎn)生部106可以以對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的各種適當?shù)碾娐穼崿F(xiàn)。

電壓保護部104可與反饋電壓FB對應地控制第二晶體管M2導通或截止。例如，電壓保護部104可在反饋電壓FB高于第三參考電壓(例如，預設(shè)的第三參考電壓)Vref3時使第二晶體管M2截止。電壓保護部104可用于在輸出電壓Vout反常地增大時停止DC-DC轉(zhuǎn)換器的操作。

電流保護部108可與反饋電壓FB和柵極脈沖GP對應地控制第一晶體管M1導通或截止。電流保護部108可在流進第二晶體管M2中的電流反常地增大時截止第一晶體管M1。當?shù)谝痪w管M1截止時，DC-DC轉(zhuǎn)換器的操作可停止。

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的如圖1中所示的電壓保護部。

參照圖3，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電壓保護部(例如，電壓保護器)104可包括比較部(例如，比較器)1041和電壓保護晶體管Mpv。電壓保護晶體管Mpv可連接在第二晶體管M2的柵電極和第一電源VSS之間。電壓保護晶體管Mpv可在電壓保護信號(例如，高電壓)從比較部1041供應時導通。當電壓保護晶體管Mpv導通時，第一電源VSS可供應至第二晶體管M2的柵電極，并且第二晶體管M2可不考慮柵極脈沖GP地被截止。

比較部1041可接收反饋電壓FB和第三參考電壓Vref3。比較部1041可在反饋電壓FB高于第三參考電壓Vref3時輸出電壓保護信號。第三參考電壓Vref3可具有用來確定反常電壓的電壓值，并且因此，可具有用于確定反常電壓的適當?shù)闹?例如，設(shè)定成適當?shù)念A定值)。

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實施方式的如圖1中所示的電流保護部(例如，電流保護器)。

參照圖4，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電流保護部108可包括第一比較部(例如，第一比較器)1081、第二比較部(例如，第二比較器)1082、邏輯門1083、反相器1084、DC電壓轉(zhuǎn)換部(例如，DC電壓轉(zhuǎn)換器)1085和電流保護晶體管Mpi。

電流保護晶體管Mpi可連接在第一晶體管M1的柵電極和第一電源 VSS之間。而且，電流保護晶體管Mpi的柵電極可經(jīng)由反相器1084連接至邏輯門1083。電流保護晶體管Mpi可在反相的電流保護信號(例如，低電壓)從反相器1084供應時截止。當電流保護晶體管Mpi截止時，第一電源VSS的電壓可不供應至第一晶體管M1的柵電極，使得第一晶體管M1可截止。當?shù)谝痪w管M1截止時，DC-DC轉(zhuǎn)換器的操作可停止。

第一比較部1081可接收反饋電壓FB和第一參考電壓Vref1。第一比較部1081可在第一參考電壓Vref1高于反饋電壓FB時輸出第一控制信號(例如，高電壓)。

更詳細地，在例如當二極管D損壞和/或輸出端子2與第一電源VSS短路時的反常情況中，反饋電壓FB可降低至第一電源VSS(例如，GND)的電壓。第一比較部1081可輸出與反饋電壓FB的反常狀態(tài)對應的第一控制信號。第一參考電壓Vref1可具有比與反饋電壓FB的反常狀態(tài)對應的第一電源VSS的電壓高的電壓。

DC電壓轉(zhuǎn)換部1085可將柵極脈沖GP轉(zhuǎn)換成DC電壓。DC電壓轉(zhuǎn)換部1085可包括積分器，積分器包括電阻器R和電容器C。

第二比較部1082可接收來自DC電壓轉(zhuǎn)換部1085的DC電壓和第二參考電壓Vref2。第二比較部1082可在DC電壓高于第二參考電壓Vref2時輸出第二控制信號(例如，高電壓)。

更詳細地，當反饋電壓FB下降時，柵極脈沖GP的占空比可增大來使反饋電壓FB上升(例如，柵極脈沖GP的占空比可增大到全占空比)。然后，第二晶體管M2的導通時間可增加，使得強電流可流至第二晶體管M2。當柵極脈沖GP的占空比增大時，來自DC電壓轉(zhuǎn)換部1085的DC電壓可以比第二參考電壓Vref2的電壓高，使得第二比較部1082可輸出第二控制信號。第二參考電壓Vref2的電平可與柵極脈沖GP的占空比(例如，預定的占空比)對應地預先確定。

邏輯門1083可在第一控制信號和第二控制信號輸入時輸出電流保護信號。也就是說，邏輯門1083可在反饋電壓FB反常地下降時并且同時地(例如，同步地)在柵極脈沖GP的占空比增加為比預先設(shè)定的占空比高時(例如，當柵極脈沖GP的占空比超過預定的占空比時)輸出電流保護信號。邏輯門1083可包括(例如，實現(xiàn)為)與門。

反相器1084可使電流保護信號反相，并且可將反相的電流保護信號供應至電流保護晶體管Mpi。接收反相的電流保護信號的電流保護晶體管Mpi可截止，使得第一晶體管M1可截止。

如上所述，當過電流流至DC-DC轉(zhuǎn)換器時(例如，當反饋電壓FB反常地下降且柵極脈沖GP的占空比增加為高于預先設(shè)定的占空比時)，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電流保護部108可通過截止第一晶體管M1來停止DC-DC轉(zhuǎn)換器的操作。而且，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電流保護部108可通過包括在DC電壓轉(zhuǎn)換部1085中的電阻器R和電容器C設(shè)定響應速度來控制時間常數(shù)。

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的如圖1中所示的電流保護部(例如，電流保護器)。

參照圖5，具有與圖4中的附圖標記相同的附圖標記的元件表示相同的元件，并因此，可省略其重復描述。

參照圖5，根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式的電流保護部108可以以與圖4中的電流保護部108的方式相同或基本上相同的方式操作。

但是，圖5的電流保護部108中的電流保護晶體管Mpi'可包括(例如，可實現(xiàn)為或形成為)PMOS晶體管，以使得可省略反相器1084。因此，電流保護晶體管Mpi'可在電流保護信號從邏輯門1083被供應時截止。由于驅(qū)動方法與圖4中的驅(qū)動方法相同或基本上相同，所以將省略其詳細描述。

根據(jù)本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式，DC-DC轉(zhuǎn)換器及其驅(qū)動方法可在電流增大(例如，快速增大)時停止DC-DC轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動。例如，DC-DC轉(zhuǎn)換器與輸入電壓的電連接可在反饋電壓低于第一參考電壓且(例如同時地或同步地)與柵極脈沖對應的DC電壓增大到第二參考電壓之上時切斷(例如，斷開)。而且，由于電流的增大(例如，快速增大)可使用比較器和邏輯門檢測，所以可獲得操作的可靠性。

將理解的是，雖然措辭“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用于描述多種元件、部件、區(qū)域、層和/或段，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或段不應受這些措辭限制。這些措辭用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或段與另一元件、部件、區(qū)域、層或段區(qū)分開。因此，在不背 離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，下文所描述的第一元件、第一部件、第一區(qū)域、第一層或第一段可被稱為第二元件、第二部件、第二區(qū)域、第二層或第二段。

本文中所使用的術(shù)語用于描述具體實施方式的目的，且不旨在限制本發(fā)明。除非上下文清楚地另外表明，否則，如本文中所使用的，單數(shù)形式“一(a)”和“一(an)”旨在也包括復數(shù)形式。還將理解的是，當在本說明書中使用時，措辭“包含(comprises)”、“包含有(comprising)”、“包括(includes)”以及“包括有(including)”說明所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組的存在或添加。如在本文中所使用的，措辭“和/或”包括相關(guān)的所列項中的一個或多個的任意和全部組合。當諸如“……中的至少一個”的表達在元件的列表之后時，修飾元件的整個列表，并不修飾列表中的單個元件。

如本文中使用的，措辭“基本上”、“約”和類似的措辭用作近似的措辭，并非用作程度的措辭，并且旨在考慮將由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員辨識的測量值或計算值上的固有變化。而且，當描述本發(fā)明的實施方式時，“可以(may)”的使用表示“本發(fā)明的一個或多個實施方式”。如在本文中使用的，措辭“使用(use)”、“使用(using)”和“被使用(used)”可認為分別與措辭“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“被利用(utilized)”同義。此外，措辭“示例性的”旨在表示示例或圖例。

本文中所描述的根據(jù)本發(fā)明的實施方式的電子裝置或電氣裝置和/或任何其它相關(guān)的裝置或部件可利用任何適當?shù)挠布?、固?例如，專用集成電路)、軟件、或者軟件、固件和硬件的組合實現(xiàn)。例如，這些裝置的各種部件可形成在一個集成電路(IC)芯片上或形成在分開的IC芯片上。而且，這些裝置的各種部件可實現(xiàn)在柔性印刷電路膜、帶載封裝(TCP)、印刷電路板(PCB)上，或者可形成在一個襯底上。而且，這些裝置的各種部件可以是執(zhí)行計算機程序指令并且與用于實現(xiàn)本文中所描述的各種功能的其它系統(tǒng)部件互動的、在一個或多個計算裝置中的、運行在一個或多個處理器上的程序或進程。計算機程序指令存儲在存儲 器中，存儲器可在計算裝置中使用諸如例如隨機存取存儲器(RAM)的標準存儲裝置實現(xiàn)。計算機程序指令也可存儲在其它非暫時性計算機可讀介質(zhì)中，諸如，例如CD-ROM、閃盤驅(qū)動器等。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應認識到的是，在不背離本發(fā)明的示例性實施方式的的精神和范圍的情況下，各種計算裝置的功能可以結(jié)合或集成到一個計算裝置中，或者特定計算裝置的功能可跨一個或多個其它計算裝置分布。

除非另外限定，否則本文中使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學術(shù)語)具有與由本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的含義相同的含義。還將理解的是，除非本文中明確地如此限定，否則諸如常用詞典中定義的那些術(shù)語的術(shù)語應被解釋成具有與其在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，并且不應以理想化或過于正式的含義進行解釋。

雖然描述了本發(fā)明的示例性實施方式，但是將理解的是，本發(fā)明不限于這些示例性實施方式，并且如由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所理解的，在如所附權(quán)利要求及其等同中限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可作出各種改變和修改。