位移控制單元的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種在顯示系統(tǒng)中的移位控制單元。該移位控制單元包含第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第五晶體管、第一電容及第二電容。每一晶體管包含第一端、第二端及控制端。每一電容包含第一端及第二端。該第一晶體管的第一端用于接收可調(diào)整寬度的輸入脈沖信號且該第一晶體管的控制端用于接收第一時鐘脈沖信號；該第二晶體管的第一端用于接收第二時鐘脈沖信號；該第二電容的第一端用于接收該第一時鐘脈沖信號，該第四晶體管的第二端用于輸出發(fā)光脈沖信號。
【專利說明】位移控制單元

【技術領域】
[0001]本發(fā)明提供一種位移控制單元,尤指一種用于有機發(fā)光二極管(Organic LightEmitting D1de, OLED)顯示裝置中的可調(diào)整發(fā)光脈沖寬度的位移控制單元。

【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管顯示裝置(Organic Light Emitting D1de, OLED)擁有高亮度、反應速度快、輕薄短小、廣色域、高對比、視野范圍廣、不需要液晶顯示裝置的背光源以及低耗電量等優(yōu)點，逐漸成為新一代可攜式資訊產(chǎn)品及筆記型電腦普遍使用的顯示裝置，然而，其需要設計適當?shù)臇艠O驅動電路以保證其穩(wěn)定工作與顯示品質。
[0003]一般來說，有機發(fā)光二極管顯示裝置中的柵極驅動電路會產(chǎn)生多個發(fā)光脈沖信號及多個掃描信號來控制多個OLED像素的灰階表現(xiàn)及發(fā)光時間，而柵極驅動電路以多級的移位寄存器做為重要的核心電路，每一級的移位寄存器包含位移控制單元，位移控制單元包含多個薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)開關以及多個電容。而移位寄存器也是除了畫面像素電路之外，在面板內(nèi)部最重要且最多的數(shù)字電路。因此，移位寄存器在電路架構設計上，除了基本功能要能夠正常工作外，其內(nèi)部的位移控制單元也必需考量功率消耗，制成容忍度及布局面積等相關問題。
[0004]然而，現(xiàn)有的位移控制單元由于晶體管特性，常常在高低電位之間存在漏電路徑而導致柵極驅動電路輸出的發(fā)光脈沖信號及掃描信號失真而影響顯示器影像品質。另外，由于位移控制單元電路所需的TFT開關甚多，當移位寄存器的級數(shù)很大時會花費大量的布局面積及功率消耗，此外，利用位移控制單元實現(xiàn)的柵極驅動電路只能接受最多兩個系統(tǒng)時鐘脈沖寬度的脈沖信號的輸出及輸入，如此將造成每一個OLED像素發(fā)光時間被限制為最多兩個時鐘脈沖，因此當OLED顯示裝置在特殊應用上欲延長其發(fā)光時間時，位移控制單元電路將無法有彈性的被應用在柵極驅動電路中。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種位移控制單元，包含第一晶體管，包含第一端用以接收輸入脈沖信號，控制端用以接收第一時鐘脈沖信號，及第二端；第二晶體管，包含第一端用以接收第二時鐘脈沖信號，控制端，及第二端；第一電容，包含第一端耦接于該第二晶體管的第二端，及第二端耦接于該第一晶體管的第二端；第三晶體管，包含第一端用以接收第一直流偏壓，控制端耦接于該第一晶體管的第二端，及第二端；第二電容，包含第一端用以接收該第一時鐘脈沖信號，及第二端耦接于該第三晶體管的第二端；第四晶體管，包含第一端用以接收第二直流偏壓，控制端耦接于該第一晶體管的第二端，及第二端耦接于該第二晶體管的控制端，用以輸出一發(fā)光脈沖信號；及第五晶體管，包含第一端耦接于該第四晶體管的第二端；一控制端耦接于該第三晶體管的第二端，及一第二端用以接收該第一直流偏壓。
[0006]本發(fā)明另提供一種位移控制單元，包含第一晶體管，包含第一端用以接收輸入脈沖信號，控制端用以接收第一時鐘脈沖信號，及第二端；第二晶體管，包含第一端用以接收第二時鐘脈沖信號，控制端，及第二端；第一電容，包含第一端耦接于該第二晶體管的第二端，及第二端耦接于該第一晶體管的第二端；第二電容，包含第一端用以接收該第一時鐘脈沖信號，及第二端；第三晶體管，包含第一端耦接于該第二電容的第二端，控制端耦接于該第一晶體管的第二端，及第二端用以接收第二直流偏壓；第四晶體管，包含第一端用以接收第一直流偏壓，控制端耦接于該第一晶體管的第二端，及第二端耦接于該第二晶體管的控制端，用以輸出發(fā)光脈沖信號；及第五晶體管，包含第一端耦接于該第四晶體管的第二端，控制端耦接于該第三晶體管的第一端，及第二端用以接收該第二直流偏壓。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明第一實施例的位移控制單元的電路示意圖。
[0008]圖2為圖1位移控制單元的輸入脈沖信號、第一時鐘脈沖信號、第二時鐘脈沖信號及發(fā)光脈沖信號在十個時鐘脈沖區(qū)間內(nèi)的波形圖。
[0009]圖3為本發(fā)明第二實施例的位移控制單元的電路示意圖。
[0010]其中，附圖標記:
[0011]NI第一 N型金氧半導體場效晶體管
[0012]N2第二 N型金氧半導體場效晶體管
[0013]N3第三N型金氧半導體場效晶體管
[0014]N4第四N型金氧半導體場效晶體管
[0015]N5第五N型金氧半導體場效晶體管
[0016]Pl第一 P型金氧半導體場效晶體管
[0017]P2第二 P型金氧半導體場效晶體管
[0018]P3第三P型金氧半導體場效晶體管
[0019]P4第四P型金氧半導體場效晶體管
[0020]P5第五P型金氧半導體場效晶體管
[0021]Cl第一電容
[0022]C2第二電容
[0023]IN輸入脈沖信號
[0024]EM發(fā)光脈沖信號
[0025]CK第一時鐘脈沖信號
[0026]XCK第二時鐘脈沖信號
[0027]VGH第一直流偏壓
[0028]VGL第二直流偏壓
[0029]t0 至 110時間

【具體實施方式】
[0030]為讓本發(fā)明更顯而易懂，下文依本發(fā)明的位移控制單元電路，特舉實施例配合附圖作詳細說明，但所提供的實施例并非用以限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。
[0031]請參考圖1，圖1為本發(fā)明第一實施例的位移控制單元100的電路示意圖。如圖1所示，位移控制單元100包含第一 P型金氧半導體場效晶體管P1、第二 P型金氧半導體場效晶體管P2、第三P型金氧半導體場效晶體管P3、第四P型金氧半導體場效晶體管P4及第五P型金氧半導體場效晶體管P5、第一電容Cl及第二電容C2。每一 P型金氧半導體場效晶體管PU P2、P3、P4、P5包含第一端、控制端以及第二端。每一電容Cl、C2包含第一端以及第二端。位移控制單元100的第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl的第一端用來接收輸入脈沖信號IN，第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl的控制端和第二電容C2的第一端用來接收第一時鐘脈沖信號CK，第二 P型金氧半導體場效晶體管P2的第一端用來接收第二時鐘脈沖信號XCK，第三P型金氧半導體場效晶體管P3的第二端和第五P型金氧半導體場效晶體管P5的第二端耦接于第一直流偏壓Vra，第四P型金氧半導體場效晶體管P4的第一端耦接于第二直流偏壓Va，而第四P型金氧半導體場效晶體管P4的第二端會傳送發(fā)光脈沖信號EM至第二 P型金氧半導體場效晶體管P2的控制端以控制第二 P型金氧半導體場效晶體管P2的開關，且第四P型金氧半導體場效晶體管P4的第二端另耦接于發(fā)光二極管。在位移控制單兀100中，第一直流偏壓Vra相對于第二直流偏壓Va為高電位且第一時鐘脈沖信號CK和第二時鐘脈沖信號XCK可為反向，當?shù)谝粫r鐘脈沖信號CK為高電位時，由于第一直流偏壓Vra亦為高電位，無論第三P型金氧半導體場效晶體管P3是否開啟，第五P型金氧半導體場效晶體管P5的控制端電位必為高電位而將第五P型金氧半導體場效晶體管P5關閉；當?shù)谝粫r鐘脈沖信號CK為低電位且輸入脈沖信號IN為高電位時，第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl為開啟，故高電位的輸入脈沖信號IN經(jīng)由第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl流向第四P型金氧半導體場效晶體管P4的控制端而將第四P型金氧半導體場效晶體管P4關閉；當?shù)谝粫r鐘脈沖信號CK為低電位且輸入脈沖信號IN為低電位時,第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl為開啟，且第三P型金氧半導體場效晶體管P3的控制端電位等同于低電位的輸入脈沖信號IN而將第三P型金氧半導體場效晶體管P3開啟，此時高電位的第一直流偏壓Vra將經(jīng)由第三P型金氧半導體場效晶體管P3流向第五P型金氧半導體場效晶體管P5的控制端而將第五P型金氧半導體場效晶體管P5關閉。由上述可知，位移控制單元100內(nèi)的第四P型金氧半導體場效晶體管P4及第五P型金氧半導體場效晶體管P5在任何情況下均不會同時開啟，也就是說由第一直流偏壓Vra到第二直流偏壓Va的漏電路徑在任何時間內(nèi)是不存在的。
[0032]圖2為位移控制單元100的輸入脈沖信號IN、第一時鐘脈沖信號CK、第二時鐘脈沖信號XCK及發(fā)光脈沖信號EM在連續(xù)十個時鐘脈沖區(qū)間內(nèi)的波形圖。在此考慮輸入脈沖信號IN為六個時鐘脈沖寬度且輸入脈沖信號IN在第三個時鐘脈沖區(qū)間到第八個時鐘脈沖區(qū)間為高電位，其余時鐘脈沖區(qū)間為低電位。以下將分別針對十個時鐘脈沖區(qū)間詳細描述位移控制單元100的電路驅動狀態(tài)。
[0033]當位移控制單元100運作于第一時鐘脈沖區(qū)間Utl至h的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為低電位、發(fā)光脈沖信號EM的初始值為低電位、第一時鐘脈沖信號CK為高電位及第二時鐘脈沖信號XCK為低電位，因此在位移控制單元100中的第二 P型金氧半導體場效晶體管P2、第三P型金氧半導體場效晶體管P3及第四P型金氧半導體場效晶體管P4為開啟且第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl及第五P型金氧半導體場效晶體管P5為關閉，因此第二直流偏壓Vgl經(jīng)由開啟的第四P型金氧半導體場效晶體管P4輸出成為低電位的發(fā)光脈沖信號EM。
[0034]當位移控制單元100運作于第二時鐘脈沖區(qū)間U1至t2的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為低電位、第一時鐘脈沖信號CK為低電位及第二時鐘脈沖信號XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導體場效晶體管P1、第二 P型金氧半導體場效晶體管P2、第三P型金氧半導體場效晶體管P3及第四P型金氧半導體場效晶體管P4為開啟且第五P型金氧半導體場效晶體管P5為關閉，因此第二直流偏壓Va經(jīng)由開啟的第四P型金氧半導體場效晶體管P4輸出成為一低電位的發(fā)光脈沖信號EM。
[0035]當位移控制單元100運作于第三時鐘脈沖區(qū)間(t2至t3的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為高電位、第一時鐘脈沖信號CK為高電位及第二時鐘脈沖信號XCK為低電位，因此在位移控制單元100中的第二 P型金氧半導體場效晶體管P2、第三P型金氧半導體場效晶體管P3及第四P型金氧半導體場效晶體管P4為開啟且第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl及第五P型金氧半導體場效晶體管P5為關閉，因此第二直流偏壓Va經(jīng)由開啟的第四P型金氧半導體場效晶體管P4輸出成為一低電位的發(fā)光脈沖信號EM。
[0036]當位移控制單元100運作于第四時鐘脈沖區(qū)間(t3至t4的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為高電位、第一時鐘脈沖信號CK為低電位及第二時鐘脈沖信號XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl及第五P型金氧半導體場效晶體管P5為開啟且第二 P型金氧半導體場效晶體管P2、第三P型金氧半導體場效晶體管P3及第四P型金氧半導體場效晶體管P4為關閉，因此第一直流偏壓Vra經(jīng)由開啟的第五P型金氧半導體場效晶體管P5輸出成為一高電位的發(fā)光脈沖信號EM。
[0037]當位移控制單元100運作于第五時鐘脈沖區(qū)間(t4至t5的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為高電位、第一時鐘脈沖信號CK為高電位及第二時鐘脈沖信號XCK為低電位，因此所有P型金氧半導體場效晶體管P1、P2、P3、P4及P5均為關閉狀態(tài)。然而因第四P型金氧半導體場效晶體管P4的第二端電位耦接于像素端的晶體管，故其輸出的發(fā)光脈沖信號EM藉由像素端的內(nèi)部電容即維持在第四時鐘脈沖區(qū)間的高電位。
[0038]當位移控制單元100運作于第六時鐘脈沖區(qū)間(t5至t6的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為高電位、第一時鐘脈沖信號CK為低電位及第二時鐘脈沖信號XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl及第五P型金氧半導體場效晶體管P5為開啟且第二 P型金氧半導體場效晶體管P2、第三P型金氧半導體場效晶體管P3及第四P型金氧半導體場效晶體管P4為關閉，因此該第一直流偏壓Vra經(jīng)由開啟的第五P型金氧半導體場效晶體管P5輸出成為一高電位的發(fā)光脈沖信號EM。
[0039]當位移控制單元100運作于第七時鐘脈沖區(qū)間(t6至t7的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為高電位、第一時鐘脈沖信號CK為高電位及第二時鐘脈沖信號XCK為低電位，因此所有P型金氧半導體場效晶體管P1、P2、P3、P4及P5均為關閉狀態(tài)。然而因第四P型金氧半導體場效晶體管P4的第二端電位耦接于像素端的晶體管，故發(fā)光脈沖信號EM藉由像素端的內(nèi)部電容即維持在第六時鐘脈沖區(qū)間的高電位。
[0040]當位移控制單元100運作于第八時鐘脈沖區(qū)間(t7至t8的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為高電位、第一時鐘脈沖信號CK為低電位及第二時鐘脈沖信號XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導體場效晶體管Pl及第五P型金氧半導體場效晶體管P5為開啟且第二 P型金氧半導體場效晶體管P2、第三P型金氧半導體場效晶體管P3及第四P型金氧半導體場效晶體管P4為關閉，因此該第一直流偏壓Vra經(jīng)由開啟的第五P型金氧半導體場效晶體管P5輸出成為一高電位的發(fā)光脈沖信號EM。
[0041]當位移控制單元100運作于第九時鐘脈沖區(qū)間(t8至t9的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為低電位、第一時鐘脈沖信號CK為高電位及第二時鐘脈沖信號XCK為低電位，因此所有P型金氧半導體場效晶體管P1、P2、P3、P4及P5均為關閉狀態(tài)。然而因第四P型金氧半導體場效晶體管P4的第二端電位耦接于像素端的晶體管，故發(fā)光脈沖信號EM藉由像素端的內(nèi)部電容即維持在第八時鐘脈沖區(qū)間的高電位。
[0042]當位移控制單元100運作于第十時鐘脈沖區(qū)間(t9至t1(l的區(qū)間)時，輸入脈沖信號IN為低電位、第一時鐘脈沖信號CK為低電位及第二時鐘脈沖信號XCK為高電位，因此在位移控制單元100中的第一 P型金氧半導體場效晶體管P1、第二 P型金氧半導體場效晶體管P2、第三P型金氧半導體場效晶體管P3及第四P型金氧半導體場效晶體管P4為開啟且第五P型金氧半導體場效晶體管P5為關閉，因此第二直流偏壓Va經(jīng)由開啟的第四P型金氧半導體場效晶體管P4輸出成為一低電位的發(fā)光脈沖信號EM。
[0043]由圖2知,對應于六個時鐘脈沖寬度的輸入脈沖信號IN,發(fā)光脈沖信號EM亦為六個時鐘脈沖寬度且發(fā)光脈沖信號EM在第四個時鐘脈沖區(qū)間到第九個時鐘脈沖區(qū)間為高電位,其余時鐘脈沖區(qū)間為低電位。
[0044]請參考圖3，圖3為本發(fā)明第二實施例的位移控制單元200的電路示意圖。如圖3所示，位移控制單元200包含第一 N型金氧半導體場效晶體管N1、第二 N型金氧半導體場效晶體管N2、第三N型金氧半導體場效晶體管N3、第四N型金氧半導體場效晶體管N4及第五N型金氧半導體場效晶體管N5、第一電容Cl及第二電容C2。每一 N型金氧半導體場效晶體管N1、N2、N3、N4、N5包含第一端、控制端以及第二端。每一電容Cl、C2包含第一端以及第二端。位移控制單元200的第一 N型金氧半導體場效晶體管NI的第一端用來接收輸入脈沖信號IN，且第一 N型金氧半導體場效晶體管NI的控制端及第二電容C2的第一端用來接收第一時鐘脈沖信號CK，第二 N型金氧半導體場效晶體管N2的第一端用來接收第二時鐘脈沖信號XCK。第四N型金氧半導體場效晶體管N4的第一端耦接于第一直流偏壓Vra且第五N型金氧半導體場效晶體管N5的第二端及第三N型金氧半導體場效晶體管N3的第二端耦接于第二直流偏壓Va。第四N型金氧半導體場效晶體管Ν4的第二端耦接于第二 N型金氧半導體場效晶體管Ν2的控制端及發(fā)光二極管并傳送發(fā)光脈沖信號EM至第二 N型金氧半導體場效晶體管Ν2的控制端及發(fā)光二極管。在位移控制單元200中，第一直流偏壓Vra相對于第二直流偏壓Va為高電位且第一時鐘脈沖信號CK和第二時鐘脈沖信號XCK可為反向，當?shù)谝粫r鐘脈沖信號CK為低電位時，由于第二直流偏壓Va亦為低電位,無論第三N型金氧半導體場效晶體管Ν3是否開啟，第五N型金氧半導體場效晶體管Ν5的控制端電位必為低電位而將第五N型金氧半導體場效晶體管Ν5關閉；當?shù)谝粫r鐘脈沖信號CK為高電位且輸入脈沖信號IN為低電位時，第一 N型金氧半導體場效晶體管NI為開啟，因此第四N型金氧半導體場效晶體管Ν4的控制端電位等同于低電位的脈沖輸入信號IN而將第四N型金氧半導體場效晶體管Ν4關閉；當?shù)谝粫r鐘脈沖信號CK為高電位且輸入脈沖信號IN為高電位時，第一 N型金氧半導體場效晶體管NI為開啟，因此第三N型金氧半導體場效晶體管Ν3的控制端為高電位而將第三N型金氧半導體場效晶體管Ν3開啟，因此第五N型金氧半導體場效晶體管Ν5的控制端電位等同于第二直流偏壓Vgl的低電位而將第五N型金氧半導體場效晶體管Ν5開關關閉。由上述可知，位移控制單元200內(nèi)的第四N型金氧半導體場效晶體管Ν4及第五N型金氧半導體場效晶體管Ν5開關在任何情況下均不會同時開啟，也就是說由第一直流偏壓Vra到第二直流偏壓Va的漏電路徑在任何時間內(nèi)是不存在的。
[0045]綜上所述，本發(fā)明的位移控制單元只需要五P型金氧半導體場效晶體管或五N型金氧半導體場效晶體管以及二電容即可實現(xiàn)，在電路驅動時可接受超過兩個時鐘脈沖寬度的脈沖輸入信號而產(chǎn)生對應寬度的發(fā)光脈沖信號，此外，在任何時鐘脈沖區(qū)間由第一直流偏壓Vra至第二直流偏壓Va的漏電路徑皆不存在。因此，本發(fā)明的位移控制單元除了能更有彈性地應用于不同發(fā)光時間的OLED像素之外，其驅動電路應用于OLED顯示系統(tǒng)也因為有較小的布局面積以及不會漏電而產(chǎn)生壓降的特性，進而能提供較小的功率消耗和較高顯不品質。
[0046]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權利要求保護范圍所做的均等變化與修改，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權利要求】
1.一種移位控制單元，其特征在于，包含: 一第一晶體管，包含: 一第一端，用以接收一輸入脈沖信號； 一控制端，用以接收一第一時鐘脈沖信號 '及
弟.~-? ； 一第二晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第二時鐘脈沖信號； 一控制端；及
弟.~-? ; 一第一電容，包含: 一第一端，耦接于該第二晶體管的第二端；及 一第二端，耦接于該第一晶體管的第二端； 一第三晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第一直流偏壓； 一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端；及
弟.~-? ; 一第二電容，包含: 一第一端，用以接收該第一時鐘脈沖信號；及 一第二端，耦接于該第三晶體管的第二端； 一第四晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第二直流偏壓； 一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端；及 一第二端，耦接于該第二晶體管的控制端，用以輸出一發(fā)光脈沖信號；及 一第五晶體管，包含: 一第一端，耦接于該第四晶體管的第二端； 一控制端，耦接于該第三晶體管的第二端 '及 一第二端，用以接收該第一直流偏壓。
2.如權利要求1所述的移位控制單元，其特征在于，該第一時鐘脈沖信號與該第二時鐘脈沖信號互為反向。
3.如權利要求1所述的移位控制單元，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、該第三晶體管、該第四晶體管及該第五晶體管為P型金氧半導體場效晶體管。
4.如權利要求1所述的移位控制單元，其特征在于，該第一直流偏壓為一高電位直流偏壓，該第二直流偏壓為一低電位直流偏壓。
5.如權利要求1所述的移位控制單元，其特征在于，該第四晶體管的第二端耦接于對應一像素端的一晶體管。
6.一種移位控制單元，其特征在于，包含: 一第一晶體管，包含: 一第一端，用以接收一輸入脈沖信號； 一控制端，用以接收一第一時鐘脈沖信號；及 _■笛——雜 弟.~-? ; 一第二晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第二時鐘脈沖信號； 一控制端；及._?笛——雜 弟.~-? ; 一第一電容，包含: 一第一端，耦接于該第二晶體管的第二端；及 一第二端，耦接于該第一晶體管的第二端； 一第二電容，包含: 一第一端，用以接收該第一時鐘脈沖信號；及
弟.~-? ; 一第三晶體管，包含: 一第一端，耦接于該第二電容的第二端； 一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端 '及 一第二端；用以接收一第二直流偏壓； 一第四晶體管，包含: 一第一端，用以接收一第一直流偏壓； 一控制端，耦接于該第一晶體管的第二端；及 一第二端，耦接于該第二晶體管的控制端，用以輸出一發(fā)光脈沖信號；及 一第五晶體管，包含: 一第一端，耦接于該第四晶體管的第二端； 一控制端，耦接于該第三晶體管的第一端 '及 一第二端，用以接收該第二直流偏壓。
7.如權利要求6所述的移位控制單兀,其特征在于，該第一時鐘脈沖信號與該第二時鐘脈沖信號互為反向。
8.如權利要求6所述的移位控制單元，其特征在于，該第一晶體管、該第二晶體管、該第三晶體管、該第四晶體管及該第五晶體管為N型金氧半導體場效晶體管。
9.如權利要求6所述的移位控制單元，其特征在于，該第一直流偏壓為一高電位直流偏壓，該第二直流偏壓為一低電位直流偏壓。
10.如權利要求6所述的移位控制單元，其特征在于，該第四晶體管的第二端耦接于對應一像素端的一晶體管。
【文檔編號】G09G3/32GK104134423SQ201410117601
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年3月27日 優(yōu)先權日:2014年2月7日
【發(fā)明者】蔡永勝 申請人:友達光電股份有限公司