專利名稱：有源矩陣顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有源矩陣顯示器件，尤其但不專門地涉及具有與每個(gè)像素相關(guān)的薄膜開關(guān)晶體管的有源矩陣電致發(fā)光顯示器件。
使用電致發(fā)光、發(fā)光顯示元件的矩陣顯示器件是公知的。顯示元件可以包括例如使用聚合物材料的有機(jī)薄膜電致發(fā)光元件，或使用傳統(tǒng)的III-V族半導(dǎo)體化合物的發(fā)光二極管(LED)。
這種類型的顯示器件具有電流尋址型顯示元件，從而常規(guī)的模擬驅(qū)動(dòng)方案包括給顯示元件供給可控制的電流。設(shè)置電流源晶體管作為像素結(jié)構(gòu)的一部分，給電流源晶體管供給柵電壓，以確定通過顯示元件的電流是已知的。在尋址階段之后，存儲(chǔ)電容器保持柵電壓。


圖1示出了已知的有源矩陣電致發(fā)光顯示器件。該顯示器件包括面板，該面板具有由方框1表示的規(guī)則間隔開的像素的行列矩陣陣列，并包括電致發(fā)光顯示元件2以及相關(guān)開關(guān)裝置，其位于行(選擇)和列(數(shù)據(jù))尋址導(dǎo)體4和6的交叉組之間的交點(diǎn)處。為了簡單起見在圖中只示出了幾個(gè)像素。實(shí)際上可以存在數(shù)百行和列的像素。通過包括與各組導(dǎo)體的端連接的行掃描驅(qū)動(dòng)電路8和列數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路9的外圍驅(qū)動(dòng)電路，經(jīng)由行和列尋址導(dǎo)體組來尋址像素1。
電致發(fā)光顯示元件2包括有機(jī)發(fā)光二極管，這里表示為二極管元件(LED)并包括其間夾有有機(jī)電致發(fā)光材料的一層或多層有源層的電極對(duì)。陣列的顯示元件與在絕緣支撐體一側(cè)上的相關(guān)有源矩陣電路一起被承載。顯示元件的陰極或陽極由透明導(dǎo)電材料形成。支撐體是諸如玻璃的透明材料，并且最靠近基板的顯示元件2的電極可以包括諸如ITO的透明導(dǎo)電材料，以便由電致發(fā)光層產(chǎn)生的光可以透過這些電極和支撐體，使得支撐體的另一側(cè)的觀察者能夠看見。
圖2以簡化的示意形式示出了用于提供電壓尋址操作的最基本的像素和驅(qū)動(dòng)電路配置。每個(gè)像素1包括EL顯示元件2和相關(guān)的驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路具有尋址晶體管16，其通過行導(dǎo)體4上的行尋址脈沖導(dǎo)通。當(dāng)尋址晶體管16導(dǎo)通時(shí)，列導(dǎo)體6上的電壓可以傳遞給像素的其余部分。特別地，尋址晶體管16供給列導(dǎo)體電壓給電流源20，其包括驅(qū)動(dòng)晶體管22和存儲(chǔ)電容器24。給驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵極供給列電壓，且即使行尋址脈沖結(jié)束后仍借助存儲(chǔ)電容器24將柵極保持在該電壓。
該電路中的驅(qū)動(dòng)晶體管22被實(shí)現(xiàn)為p型TFT，從而存儲(chǔ)電容器24保持柵-源電壓固定。這導(dǎo)致固定的源極-漏極電流通過晶體管，因而其提供了像素的期望的電流源操作。
在上面基本的像素電路中，對(duì)于基于多晶硅的電路，由于在晶體管溝道中多晶硅顆粒的統(tǒng)計(jì)分布，所以存在晶體管的閾值電壓的變化。然而，多晶硅晶體管在電流和電壓應(yīng)力下相當(dāng)穩(wěn)定，從而閾值電壓保持基本恒定。
除了晶體管特性的變化之外，LED本身也存在差別老化(differential ageing)。這是由于施加電流應(yīng)力之后發(fā)光材料的效率降低。在大多數(shù)情形下，通過LED的電流和電荷越多，效率越低。
還已經(jīng)提出了電壓尋址像素電路來補(bǔ)償LED材料的老化。例如，提出了各種像素電路，其中像素包括光感測元件。該元件與顯示元件的光輸出響應(yīng)，并響應(yīng)于光輸出來泄漏存儲(chǔ)電容器上存儲(chǔ)的電荷，以便在尋址周期期間控制顯示器的整體光輸出。
圖3和4示出了用于該目的的像素布局的實(shí)例。在WO 01/20591和EP 1 096 466中詳細(xì)描述了這種類型的像素結(jié)構(gòu)的另外的實(shí)例。
在圖3的像素電路中，光電二極管27將存儲(chǔ)在電容器24(C數(shù)據(jù))上的柵電壓放掉，導(dǎo)致亮度減小。當(dāng)驅(qū)動(dòng)晶體管22(T驅(qū)動(dòng))上的柵電壓達(dá)到閾值電壓時(shí)，EL顯示元件2將不再發(fā)射，其后存儲(chǔ)電容器24將停止放電。電荷從光電二極管27泄漏的速率是顯示元件輸出的函數(shù)，從而光電二極管27用作光敏反饋器件。一旦驅(qū)動(dòng)晶體管22關(guān)斷，顯示元件陽極電壓就減小，使得放電晶體管29(T放電)導(dǎo)通，從而存儲(chǔ)電容器24上剩余的電荷被快速失去，并且亮度(luminance)被切斷。
當(dāng)保持柵-源電壓的電容器放電時(shí)，顯示元件的驅(qū)動(dòng)電流逐漸降低。因而，亮度減小。這導(dǎo)致較低的平均光強(qiáng)度。
圖4示出了由申請(qǐng)人已經(jīng)提出的電路，其具有恒定的光輸出并根據(jù)光輸出在某時(shí)關(guān)斷。
驅(qū)動(dòng)晶體管22的柵-源電壓再次保持在存儲(chǔ)電容器24(C存儲(chǔ))上。然而，在該電路中，借助充電晶體管34從充電線32將該電容器24充電至固定電壓。因而，將驅(qū)動(dòng)晶體管22驅(qū)動(dòng)到恒定級(jí)別，其獨(dú)立于顯示元件要被照射時(shí)輸入到像素的數(shù)據(jù)。通過改變占空因數(shù)、尤其是通過改變驅(qū)動(dòng)晶體管關(guān)斷的時(shí)間來控制亮度。
通過使存儲(chǔ)電容器24放電的放電晶體管36來關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管22。當(dāng)放電晶體管36導(dǎo)通時(shí)，電容器24快速放電，并且驅(qū)動(dòng)晶體管關(guān)斷。
當(dāng)柵電壓達(dá)到足夠的電壓時(shí)放電晶體管36導(dǎo)通。光電二極管27被顯示元件2照射并根據(jù)顯示元件2的光輸出再次產(chǎn)生光電流。該光電流給放電電容器40(C數(shù)據(jù))充電，并在特定的時(shí)間點(diǎn)，電容器40兩端的電壓將達(dá)到放電晶體管36的閾值電壓，并由此使其導(dǎo)通。該時(shí)間依賴于最初存儲(chǔ)在電容器40上的電荷和光電流，其又依賴于顯示元件的光輸出。該放電電容器最初存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電壓，從而初始數(shù)據(jù)和光反饋都影響電路的占空因數(shù)。
這些電路都受放電晶體管的導(dǎo)通速率的限制，在電路的校正能力方面產(chǎn)生了恒定的光誤差。圖3的光反饋補(bǔ)償電路的性能在較低的光(灰度)級(jí)別時(shí)也不好。這是因?yàn)楣夥答佉蕾嚬鈦磉M(jìn)行校正，從而如果存在較少的光，則校正將不會(huì)快速地工作。因?yàn)榇嬖谟邢薜膸瑫r(shí)間，所以校正比較高的像素亮度時(shí)差。
依照本發(fā)明，提供了一種有源矩陣顯示器件，其包括顯示像素的陣列，每個(gè)像素包括電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光顯示元件；用于驅(qū)動(dòng)通過顯示元件的電流的驅(qū)動(dòng)晶體管；用于存儲(chǔ)電壓的存儲(chǔ)電容器，所述電壓用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的尋址；光相關(guān)(light-dependent)器件，用于控制存儲(chǔ)電容器的放電，由此根據(jù)顯示元件的光輸出來改變驅(qū)動(dòng)晶體管的控制；和與驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)的電路，用于當(dāng)存儲(chǔ)電容器響應(yīng)光相關(guān)器件輸出而放電時(shí)，提高存儲(chǔ)電容器的放電速率。
因而本發(fā)明的器件使用光反饋來控制存儲(chǔ)電容器的放電，但使用了附加的電路元件來改善電容器放電的速率，并由此在光反饋系統(tǒng)關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管時(shí)，關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管。
基本上，本發(fā)明使用了像素內(nèi)增益系統(tǒng)，以確保在所有灰度級(jí)時(shí)可獲得良好的差別老化的校正。因而，本發(fā)明的電路改善了由存儲(chǔ)電容器的緩慢放電產(chǎn)生的光誤差所導(dǎo)致的所有灰度級(jí)時(shí)的電路性能。
存儲(chǔ)電容器根據(jù)實(shí)施方式可以用于數(shù)據(jù)電壓或固定的電壓。
該器件可以以存儲(chǔ)電容器的逐漸放電來操作?？商鎿Q地，可以設(shè)置放電晶體管來將存儲(chǔ)電容器放電，由此關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管。這可更加快速地操作，其后該電路用作占空因數(shù)控制系統(tǒng)。
特別地，然后光相關(guān)器件可控制放電晶體管從關(guān)斷切換到導(dǎo)通狀態(tài)的定時(shí)，并且放電晶體管用于給設(shè)置在放電晶體管的柵極與恒定電壓線之間的放電電容器充電或放電。
與驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)的電路可以包括與驅(qū)動(dòng)晶體管串聯(lián)的第二晶體管，從而第二晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管形成了反相器電路，該反相器電路的輸出驅(qū)動(dòng)顯示元件。這樣，可以給控制電容器放電的信號(hào)引入增益，由此能提高放電速率。
與驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)的電路可以包括完整的附加反相器電路，該反相器電路的輸出控制驅(qū)動(dòng)晶體管。反相器電路可以是時(shí)鐘控制的。
在使用放電晶體管的形式中，與驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)的電路可以附加地或可替換地包括反饋晶體管，其中放電晶體管與反饋晶體管的柵極連接，反饋晶體管與放電晶體管的柵極連接。這種配置限定了正反饋路徑，其加速了放電晶體管可以將存儲(chǔ)電容放電的速率。
光相關(guān)器件優(yōu)選包括放電光電二極管，每個(gè)像素可進(jìn)一步包括連接在數(shù)據(jù)信號(hào)線與像素的輸入之間的尋址晶體管。
現(xiàn)在借助實(shí)例參照附圖來描述本發(fā)明，其中圖1示出了已知的EL顯示器件；圖2是用于電流尋址EL顯示像素的已知像素電路的簡化示意圖；圖3示出了用于補(bǔ)償差別老化的第一個(gè)已知的像素設(shè)計(jì)；圖4示出了用于補(bǔ)償差別老化的第二個(gè)已知的像素設(shè)計(jì)；圖5用于解釋與之前提出的光反饋電路相關(guān)的問題；圖6示出了依照本發(fā)明的像素電路的第一個(gè)概括的實(shí)例；圖7用于解釋圖6的電路的操作；圖8示出了依照本發(fā)明的像素電路的第二個(gè)概括的實(shí)例；
圖9用于解釋圖8的電路的操作；圖10示出了依照本發(fā)明的像素電路的第三個(gè)概括的實(shí)例；圖11用于解釋圖10的電路的操作；圖12示出了本發(fā)明的第一個(gè)詳細(xì)的像素電路；圖13示出了本發(fā)明的第二個(gè)詳細(xì)的像素電路；圖14示出了本發(fā)明的第三個(gè)詳細(xì)的像素電路；圖15示出了本發(fā)明的第四個(gè)詳細(xì)的像素電路；圖16示出了本發(fā)明的第六個(gè)詳細(xì)的像素電路；圖17示出了本發(fā)明的第七個(gè)詳細(xì)的像素電路；圖18示出了本發(fā)明的第八個(gè)詳細(xì)的像素電路；圖19示出了本發(fā)明的第九個(gè)詳細(xì)的像素電路；圖20示出了本發(fā)明的第十個(gè)詳細(xì)的像素電路；和圖21示出了本發(fā)明的第十一個(gè)詳細(xì)的像素電路。
圖5用于解釋本發(fā)明解決的問題，并示出了使用圖4的電路由每個(gè)曲線下面的區(qū)域確定的兩個(gè)灰度級(jí)。該問題同樣適用于圖3的電路，但在該電路中沒有恒定光輸出的周期。陰影區(qū)域是由放電晶體管的導(dǎo)通時(shí)間導(dǎo)致的誤差。該區(qū)域?qū)τ谒械幕叶燃?jí)都是恒定的，因此該誤差在較低的灰度級(jí)變得更加嚴(yán)重。因此通過減小該導(dǎo)通時(shí)間可獲得像素電路性能改善。
本發(fā)明提供了一種使用光反饋進(jìn)行老化補(bǔ)償?shù)娘@示器件，其中電路與像素的驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)，用于當(dāng)存儲(chǔ)電容器響應(yīng)于光相關(guān)器件輸出而放電時(shí)，提高存儲(chǔ)電容器的放電速率。本發(fā)明基本上提供了一種像素設(shè)計(jì)，其中在像素內(nèi)為用于使存儲(chǔ)電容器放電的信號(hào)提供增益級(jí)。
圖6示出了本發(fā)明的像素電路的概括圖，圖7示出了圖6的電路中使用的放大器的功能。
在圖6中，放大器60設(shè)置在光反饋電路元件(光電二極管和其放電的電容器)與顯示元件之間。在圖6的概括電路中，放大器60包括像素驅(qū)動(dòng)晶體管。
如圖7中所示，放大器的功能是給由光反饋系統(tǒng)提供的控制信號(hào)提供更急劇的截止。
在電路的操作中，光相關(guān)光電流將在幀時(shí)間內(nèi)給數(shù)據(jù)電容線性充電。在某點(diǎn)處，高增益級(jí)在電源線之間迅速切換。因此通過增益級(jí)在電源線之間切換所需的時(shí)間來限制電路的校正誤差，這與單個(gè)放電晶體管的導(dǎo)通時(shí)間相比可以非常短。因而該電路能改善校正程度。
圖8以概括的形式示出了相反的方案，由此光電流將數(shù)據(jù)電容放電，使得輸入給放大器80的電壓Vin升高，從而輸出Vout從高切換到低，如圖9中所示。圖8中的放大器80表示相反的高增益級(jí)-但不必是標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)字反相器。
可以實(shí)現(xiàn)光電二極管和數(shù)據(jù)電容器的配置是幾種方式，上面僅示出了兩個(gè)基本的實(shí)施方式。一般地，電路產(chǎn)生線性升高/降低的電壓Vin，其升高/降低速率依賴于OLED的亮度。
第三個(gè)一般的方案是使用時(shí)鐘控制的高增益級(jí)。這在圖10和11中被示出。
圖10的電路與圖6的電路相對(duì)應(yīng)，但是放大器100具有附加的時(shí)鐘輸入102。
在該方案中，高增益級(jí)直到時(shí)鐘(Clk)具有預(yù)定狀態(tài)(高或低或在轉(zhuǎn)變時(shí))才切換。因此如果輸入電壓Vin高得足以切換增益級(jí)，則其在其可以切換之前必須等待時(shí)鐘達(dá)到適當(dāng)?shù)臓顟B(tài)，然后由每一場周期的時(shí)鐘周期數(shù)來限制系統(tǒng)的精確度。容易設(shè)想出圖10的時(shí)鐘控制電路。
現(xiàn)在將給出本發(fā)明的多個(gè)詳細(xì)的實(shí)施方式。
圖12中示出了第一個(gè)實(shí)施方式。這是利用給驅(qū)動(dòng)晶體管的恒定驅(qū)動(dòng)電壓的方案，并由此是如上所述的占空因數(shù)方案。
圖12的電路與圖4的電路相對(duì)應(yīng)，但是附加有反饋晶體管120(T反饋)。將不再描述其它電路元件的操作。
反饋晶體管120是n型TFT，其恰好當(dāng)放電晶體管36(T放電)導(dǎo)通時(shí)開始導(dǎo)通。其通過給數(shù)據(jù)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)(光電二極管與放電電容器40(C數(shù)據(jù))之間的節(jié)點(diǎn))的正反饋來有效地提供高增益。因而該反饋方案用作放大級(jí)，并且當(dāng)光反饋系統(tǒng)觸發(fā)存儲(chǔ)電容器的放電時(shí)，提高存儲(chǔ)電容器的放電速率。
在該實(shí)例中，放電晶體管連接在高電源軌(power rail)與反饋晶體管的柵極之間，并且反饋晶體管在放電晶體管的柵極與低電源軌之間連接。
當(dāng)反饋晶體管導(dǎo)通時(shí)(因?yàn)榉烹娋w管開始導(dǎo)通)，其下拉放電晶體管柵電壓，由此加速了放電晶體管的導(dǎo)通。
為了使用該電路獲得良好的黑色狀態(tài)，需要在驅(qū)動(dòng)晶體管T驅(qū)動(dòng)與LED之間具有開關(guān)。該開關(guān)的尋址線可以與晶體管T開關(guān)(其是用于給存儲(chǔ)電容器充電的晶體管)的尋址線相連，如果這兩個(gè)晶體管互補(bǔ)的話。
圖13和14中示出了第二個(gè)實(shí)施方式。
在圖13中，圖3的放電晶體管T放電被與驅(qū)動(dòng)晶體管22串聯(lián)的第二晶體管130代替，從而第二晶體管130和驅(qū)動(dòng)晶體管22形成了反相器電路。反相器電路的輸出驅(qū)動(dòng)顯示元件。
該反相器電路有效地提供增益。
圖13的電路以與圖3的電路相同的方式提供了存儲(chǔ)電容器的逐漸放電。
圖14示出了圖4的電路的類似修改，并因而是占空因數(shù)控制電路。再次由放電晶體管和附加的晶體管140提供反相器。
圖15示出了組合圖12的反饋電路和圖14的反相器電路的電路。因而圖15的電路具有反相級(jí)150和反饋級(jí)152，其均以上述的方式操作。
在該電路中，通過T放電和T反饋的反饋組合進(jìn)一步放大了由反相級(jí)150提供的增益，以提供非常高的增益系統(tǒng)。另外，為了用該電路獲得良好的黑色狀態(tài)，在驅(qū)動(dòng)TFT T驅(qū)動(dòng)和LED之間需要具有開關(guān)。該開關(guān)的尋址線再次可以與T開關(guān)的尋址線相連，如果這兩個(gè)晶體管互補(bǔ)的話。
當(dāng)LED已經(jīng)關(guān)斷時(shí)將發(fā)生通過反相器的持續(xù)(standing)電流，這是不希望的。
圖16示出了類似的電路，但是反相級(jí)160現(xiàn)在分為兩個(gè)獨(dú)立控制的晶體管(T關(guān)和T開關(guān)2)，以避免反相器的靜態(tài)功率消耗。反饋系統(tǒng)被示為162。當(dāng)電容器C數(shù)據(jù)被充分充電時(shí)，晶體管T關(guān)導(dǎo)通，其使得正反饋系統(tǒng)快速關(guān)斷顯示元件。
晶體管T開關(guān)2僅在尋址期間導(dǎo)通，并且在其它情況時(shí)是關(guān)斷的，從而減小了反相級(jí)的靜態(tài)功率消耗。
圖17示出了圖16的變型，其中數(shù)據(jù)電容器由光電二極管放電，而不是充電，并改變了反相器170和反饋系統(tǒng)172的配置。這簡單地說明了電路均可以以多個(gè)特定的方式來實(shí)現(xiàn)。
圖18和19示出了替換的高增益系統(tǒng)的兩個(gè)變型。在這些電路中，存在三個(gè)反相器180a，180b，180c和190a，190b，190c。第二兩個(gè)反相級(jí)在第二反相器180b，190b的輸入與第三反相器的輸出之間具有正反饋連接184，194。
對(duì)于良好的黑色狀態(tài)，這些實(shí)施方式在驅(qū)動(dòng)晶體管與LED之間不需要充電開關(guān)T開關(guān)、分開的電容器或附加晶體管。在尋址時(shí)，數(shù)據(jù)列上的電壓自動(dòng)實(shí)現(xiàn)這些功能。
通過將柵極連接到電壓軌之一，第二反相級(jí)的輸出將驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極保持為固定的電壓，從而不需要存儲(chǔ)電容器。當(dāng)反相器電路切換時(shí)，快速將驅(qū)動(dòng)晶體管柵極拉到相反的電源軌，并且定時(shí)再次依賴于電容器C數(shù)據(jù)和光反饋系統(tǒng)上的初始數(shù)據(jù)電壓。
在這些電路中，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)電容器再次用于存儲(chǔ)電壓，所述電壓用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管的尋址。然而，不需要如前述電路中用于存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)晶體管柵-源電壓的電容器。
具有反饋的第二和第三反相器可以被認(rèn)為是SRAM單元。TFT將都是最小的尺寸，從而即使在電路中有8個(gè)晶體管也可以保留孔。
可以減少晶體管的數(shù)量，例如可以去除圖18的最后一個(gè)反相器180c，從而電路變?yōu)閳D20中所示的電路，其具有兩個(gè)反相級(jí)200a，200b。給第二級(jí)200b的輸入的反饋來自驅(qū)動(dòng)晶體管和LED之間的連接點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)晶體管和LED的組合現(xiàn)在用作最后的反相器。
通過使光電流給數(shù)據(jù)電容充電而導(dǎo)致的圖18到20中第一反相器180a，190a，200a的輸入上的電壓的線性增加(在一部分幀時(shí)間內(nèi))，引起反相器傳送電流，直到SRAM部分切換為止。使該反相器中的TFT變長(低W/L比率)將減少由第一反相器傳送的電流量。
圖21示出了作為圖13的電路的修改的時(shí)鐘控制系統(tǒng)。反相器由驅(qū)動(dòng)晶體管22和附加晶體管210限定，并且其通過單個(gè)晶體管212來進(jìn)行時(shí)鐘控制，從而當(dāng)輸入電壓Vin達(dá)到高得足以切換反相器的電壓時(shí)，其必須等待直到時(shí)鐘信號(hào)Clk在反相器可以改變狀態(tài)并關(guān)斷LED之前升高為止。
在這種系統(tǒng)中，幀時(shí)間內(nèi)的時(shí)鐘周期數(shù)需要比灰度級(jí)數(shù)高至少兩倍。
上面的電路將OLED顯示器的差別老化校正到非常高的程度，并且在一些情形下，模擬顯示對(duì)于全亮度時(shí)OLED效率的50％退化來說，進(jìn)行了0.5％以下的校正。在較低灰度級(jí)時(shí)性能僅被稍微改變。
這些電路都可在非常低的電壓電平例如5V下實(shí)現(xiàn)，從而功率消耗幾乎全部由操作LED所需的電流和電壓來確定。因此本發(fā)明適于這樣的應(yīng)用，在這些應(yīng)用中低功率無老化是重要的。
電路沒有補(bǔ)償TFT不均勻性，但在一些應(yīng)用中這遠(yuǎn)不如老化影響重要。
在上面的實(shí)例中，光相關(guān)元件是光電二極管，但可使用光電晶體管或光敏電阻器來設(shè)計(jì)像素電路?？墒褂枚喾N晶體管半導(dǎo)體技術(shù)來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的電路。多種變型是可以的，例如結(jié)晶硅、氫化非晶硅、多晶硅、甚至半導(dǎo)體聚合物。這些都旨在落入所要求的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
在上述一些電路中，光電二極管(或其它光敏元件)用于直接將保持驅(qū)動(dòng)晶體管柵電壓的電容器放電，并且在其它占空因數(shù)控制電路中，其用于將控制放電晶體管的附加電容器放電。在每種情形下，光相關(guān)元件直接或間接控制保持驅(qū)動(dòng)晶體管柵電壓的存儲(chǔ)電容器的放電，由此根據(jù)顯示元件的光輸出來改變驅(qū)動(dòng)晶體管的控制。因而，上面所有的電路實(shí)例都具有用于控制存儲(chǔ)電容器的放電的光相關(guān)器件，由此根據(jù)顯示元件的光輸出來改變驅(qū)動(dòng)晶體管的控制。
顯示器件可以是聚合物L(fēng)ED器件、有機(jī)LED器件、含磷的材料和其它發(fā)光結(jié)構(gòu)。
多種其它的修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種包括顯示像素的陣列的有源矩陣顯示器件，每個(gè)像素包括電流驅(qū)動(dòng)型發(fā)光顯示元件(2)；用于驅(qū)動(dòng)通過顯示元件的電流的驅(qū)動(dòng)晶體管(22)；用于存儲(chǔ)電壓的存儲(chǔ)電容器(24)，所述電壓用于控制驅(qū)動(dòng)晶體管(22；40)的尋址；光相關(guān)器件(27)，用于控制存儲(chǔ)電容器(24)的放電，由此根據(jù)顯示元件的光輸出來改變驅(qū)動(dòng)晶體管的控制；和與驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)的電路(6)，用于當(dāng)存儲(chǔ)電容器響應(yīng)于光相關(guān)器件(27)輸出而放電時(shí)，提高存儲(chǔ)電容器(24)的放電速率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括放電晶體管(36)，用于將存儲(chǔ)電容器(24)放電，由此關(guān)斷驅(qū)動(dòng)晶體管(22)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中光相關(guān)器件控制放電晶體管(36)從關(guān)斷切換到導(dǎo)通狀態(tài)的定時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的器件，其中在放電晶體管(36)的柵極與恒定電壓線之間設(shè)置放電電容器(40)，并且光相關(guān)器件用于給放電電容器(40)充電或放電。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中與驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)的電路包括與驅(qū)動(dòng)晶體管(22)串聯(lián)的第二晶體管(130)，從而第二晶體管(130)和驅(qū)動(dòng)晶體管(22)形成了反相器電路，該反相器電路的輸出驅(qū)動(dòng)顯示元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任意一項(xiàng)所述的器件，其中與驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)的電路包括反相器電路(36，140)，該反相器電路的輸出控制驅(qū)動(dòng)晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中反相器電路是時(shí)鐘控制的。
8.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的器件，其中與驅(qū)動(dòng)晶體管相關(guān)的電路包括反饋晶體管(T反饋)，其中放電晶體管(T放電)與反饋晶體管的柵極連接，并且反饋晶體管與放電晶體管的柵極連接。
9.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的器件，其中光相關(guān)器件(27)包括放電光電二極管。
10.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的器件，其中每個(gè)像素進(jìn)一步包括在數(shù)據(jù)信號(hào)線和像素的輸入之間連接的尋址晶體管(16)。
11.根據(jù)任何前述權(quán)利要求所述的器件，其中驅(qū)動(dòng)晶體管連接在電源線與顯示元件之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其中存儲(chǔ)電容器(24)連接在驅(qū)動(dòng)晶體管(22)的柵極與源極之間。
全文摘要
用于通過具有節(jié)點(diǎn)(11－15)的網(wǎng)絡(luò)來交換信號(hào)的方法，通過使目的節(jié)點(diǎn)(12)通過不同的第一和第二信號(hào)路徑接收來自源節(jié)點(diǎn)(11)的信號(hào)，和在目的節(jié)點(diǎn)(12)中處理和校正這些信號(hào)來改善網(wǎng)絡(luò)的性能。根據(jù)校正結(jié)果，調(diào)整用于處理在節(jié)點(diǎn)(11－15)中的信號(hào)的過程。該過程可位于目的節(jié)點(diǎn)(12)、源節(jié)點(diǎn)(11)或中間節(jié)點(diǎn)(13－15)中，在該情形下要交換控制信號(hào)。用于調(diào)節(jié)該過程的學(xué)習(xí)算法可以在節(jié)點(diǎn)(11－15)中運(yùn)行?？梢砸霕?biāo)記切換路線，由此標(biāo)記信號(hào)由源節(jié)點(diǎn)(11)通過不同于第一和第二信號(hào)路線的第三信號(hào)路線發(fā)送到目的節(jié)點(diǎn)，以改善節(jié)點(diǎn) (11－15)的效率。
文檔編號(hào)G09G3/20GK1934611SQ200580008463
公開日2007年3月21日 申請(qǐng)日期2005年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月16日
發(fā)明者D·A·費(fèi)希, S·C·迪恩 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司