專(zhuān)利名稱(chēng)：包括濾光器的等離子體顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備，更具體地，涉及一種包括濾光器的等離子顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有等離子顯示面板包括由鈉鈣玻璃制成的前基片和后基片。在前基片和后基片之間形成的阻擋條將放電單元分隔開(kāi)。注入到放電單內(nèi)的惰性氣體例如氦氣-氙氣(He-Xe)或者氦氣-氖氣(He-Ne)在高頻電壓作用下激發(fā)而產(chǎn)生放電。當(dāng)產(chǎn)生放電的時(shí)候，產(chǎn)生真空紫外線。真空紫外線激發(fā)形成于阻擋條之間的磷光體，因而顯示圖象。
圖1是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)中的等離子顯示面板結(jié)構(gòu)的透視圖。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的等離子體顯示面板包括前面板和后面板。前面板包括前玻璃基片10。后基片包括后玻璃基片20。前面板和后面板彼此平行，其間隔開(kāi)一個(gè)預(yù)定的距離。
在前玻璃基片10上形成維持電極對(duì)11和12，其通過(guò)互相放電來(lái)維持單元發(fā)射。該維持電極對(duì)包括掃描電極11和維持電極12。掃描電極11包括由透明ITO材料形成的透明電極11a和由金屬材料形成的總線電極11b。維持電極12包括由透明ITO形成的透明電極12a和由金屬材料形成的總線電極12b。
掃描電極11接收用于掃描面板的掃描信號(hào)和用于維持放電的維持信號(hào)。維持電極12接收維持信號(hào)。在維持電極對(duì)11和12上形成介質(zhì)層13a，其起到限制放電流和提供電極對(duì)之間的絕緣的作用。在介質(zhì)層13a的頂表面上形成保護(hù)層14，其由氧化鎂(MgO)形成以利于放電條件。
在后玻璃基片20上設(shè)有與維持電極對(duì)11和12交叉的尋址電極22。在尋址電極22上形成介質(zhì)層13b，其起到提供尋址電極22之間的絕緣的作用。在介質(zhì)層13b上形成阻擋條21，其將放電單元分隔開(kāi)。在阻擋條21之間涂覆有R、G和B磷光層23，其輻射用于顯示圖象的可見(jiàn)光。
在每個(gè)阻擋條上布置有黑色矩陣21a，其具有通過(guò)吸收產(chǎn)生于前玻璃10外部的外部光而減少反射的光屏蔽功能和提高前玻璃10的色純度和對(duì)比度的功能。
如上構(gòu)造的等離子體顯示面板通過(guò)施加用于等離子體放電的高電壓和高頻實(shí)現(xiàn)圖像。因此，會(huì)產(chǎn)生問(wèn)題，因?yàn)樵诓ＡЩ恼麄€(gè)表面上產(chǎn)生很多的電磁干擾(EMI)。
現(xiàn)有技術(shù)中的等離子顯示面板輻射由惰性氣體例如Ne或者Xe引起的近紅外線(NIR)。NIR波長(zhǎng)的問(wèn)題在于其引起家用電器的故障，因?yàn)槠渑c一般的家用電器的遙控器的波長(zhǎng)類(lèi)似。為了解決現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示面板中的幾個(gè)問(wèn)題，在現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示面板的前面設(shè)置了玻璃濾光器或者膜型濾光器。
在現(xiàn)有技術(shù)的玻璃濾光器中形成的EMI涂膜(coating film)如圖2a和2b所示形成。
圖2a示出現(xiàn)有技術(shù)中包括EMI涂膜的玻璃濾光器。圖2b是現(xiàn)有技術(shù)中EMI涂膜的平面圖。
如圖2a所示，現(xiàn)有技術(shù)中包括EMI涂膜的玻璃濾光器200包括用于減少紫外線和外部反射光的抗反射(AR)涂膜210、用于NIR屏蔽的NIR涂膜230、和用于EMI屏蔽的EMI涂膜250。玻璃濾光器200具有形成于AR涂膜210和NIR涂膜230及EMI涂膜250之間的玻璃220。AR涂膜210、NIR涂膜230和EMI涂膜250分別附著到基涂膜240a、240b和240c上。該基涂膜240a和240b結(jié)合有粘合膜270a和270b。在附著到玻璃220的粘合膜270b中形成了黑框260。
如圖2b所示，現(xiàn)有技術(shù)中的EMI涂膜250包括用于屏蔽EMI的導(dǎo)電網(wǎng)格203、和在EMI涂膜250周?chē)纬傻挠靡詫?dǎo)電網(wǎng)格203接地的接地部分201。
在現(xiàn)有技術(shù)的EMI涂膜中，由于網(wǎng)格間距對(duì)于屏蔽EMI是小的，因此透光率低。因?yàn)榈入x子顯示面板的對(duì)比度降低而產(chǎn)生了問(wèn)題。
在現(xiàn)有技術(shù)的EMI涂膜中，必須控制偏角(θ)以防止因網(wǎng)格203而產(chǎn)生的莫爾現(xiàn)象。在現(xiàn)有技術(shù)的EMI涂膜中，由于接地部分201必須與等離子體顯示面板對(duì)準(zhǔn)，因此控制偏角(θ)是困難的。
在現(xiàn)有技術(shù)的EMI涂膜中，網(wǎng)格間距小，并且難于控制偏角。因此，因?yàn)橛糜谛纬删W(wǎng)格的掩模的成本增加而產(chǎn)生問(wèn)題。
如上所述，現(xiàn)有技術(shù)的EMI涂膜具有掩模成本增加和EMI涂膜的制造成本增加的問(wèn)題。
可以在等離子顯示面板的整個(gè)表面貼附膜型濾光器。在該膜濾光器以與玻璃濾光器相同的方式包括如圖2b所示的EMI涂膜的情況下，會(huì)出現(xiàn)與前述相同的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明是基于現(xiàn)有技術(shù)中所出現(xiàn)的上述問(wèn)題而提出的，并且本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種EMI涂膜，其中透光率高，能夠容易地控制偏角，并且制造成本低。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是通過(guò)一種包括EMI涂膜的濾光器，其中透光率高，能夠容易地控制偏角，并且制造成本低。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種包括EMI涂膜的等離子顯示設(shè)備，其中透光率高，能夠容易地控制偏角，并且制造成本低。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備包括等離子顯示面板、以及包括EMI涂膜的濾光器，該EMI涂膜包括透明導(dǎo)電層和形成于該透明導(dǎo)電層上且其中形成有大量孔的屏蔽導(dǎo)電層，其中該濾光器設(shè)置在該等離子顯示面板上。
濾光器包括透明導(dǎo)電層、以及包括屏蔽導(dǎo)電層的EMI涂膜，該屏蔽導(dǎo)電層形成于該透明導(dǎo)電層上并且其中形成有大量的孔。
根據(jù)本發(fā)明的EMI涂膜包括透明導(dǎo)電層和包括屏蔽導(dǎo)電層的EMI涂膜，該屏蔽導(dǎo)電層形成于該透明導(dǎo)電層上并且其中形成有大量的孔。
根據(jù)本發(fā)明，由于屏蔽導(dǎo)電層形成于該透明導(dǎo)電層上，因此提高了等離子顯示設(shè)備的對(duì)比度。
根據(jù)本發(fā)明，由于屏蔽導(dǎo)電層形成于該透明導(dǎo)電層上，因此易于控制EMI涂膜的偏角。
根據(jù)本發(fā)明，由于屏蔽導(dǎo)電層形成于該透明導(dǎo)電層上，因此掩模的成本降低了，并且EMI涂膜的制造成本降低了。


從下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中可以更充分地理解本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)中等離子顯示面板結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2a示出現(xiàn)有技術(shù)中包括EMI涂膜的玻璃濾光器；圖2b是現(xiàn)有技術(shù)中EMI涂膜的平面圖；圖3a示出包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜的玻璃濾光器；圖3b是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜的平面圖；以及圖4示出包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜的膜濾光器。
具體實(shí)施例方式
將參照附圖更具體地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備包括等離子顯示面板、和包括EMI涂膜的濾光器，其包括透明導(dǎo)電層和形成于透明導(dǎo)電層上并且其中形成有許多孔的屏蔽導(dǎo)電層，其中該濾光器設(shè)置在等離子顯示面板上。
該濾光器是玻璃濾光器或者膜濾光器。
該屏蔽導(dǎo)電層是網(wǎng)格型屏蔽導(dǎo)電層。
該屏蔽導(dǎo)電層的網(wǎng)格間距是500μm到1000μm。
該透明導(dǎo)電層包括ITO、ZnO和ATO中任一種。
該屏蔽導(dǎo)電層包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物材料中任一種。
該屏蔽導(dǎo)電層是通過(guò)濺射法、絲網(wǎng)印刷法、濕涂法、薄膜片結(jié)合法(thin film sheet junction method)或者光刻法中任一種形成的。
濾光器包括透明導(dǎo)電層、包括屏蔽導(dǎo)電層的EMI涂膜，該屏蔽導(dǎo)電層形成在該透明導(dǎo)電層上并且其中形成有大量的孔。
該濾光器是玻璃濾光器或者膜濾光器。
該屏蔽導(dǎo)電層是網(wǎng)格型屏蔽導(dǎo)電層。
該屏蔽導(dǎo)電層的網(wǎng)格間距是500μm到1000μm。
該透明導(dǎo)電層包括ITO、ZnO和ATO中任一種。
該屏蔽導(dǎo)電層包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物材料中任一種。
該屏蔽導(dǎo)電層是通過(guò)濺射法、絲網(wǎng)印刷法、濕涂法、薄膜片結(jié)合法或者光刻法中任一種形成的。
本發(fā)明的EMI涂膜包括透明導(dǎo)電層和包括屏蔽導(dǎo)電層的EMI涂膜，該屏蔽導(dǎo)電層形成于該透明導(dǎo)電層上并且其中形成有大量的孔。
該屏蔽導(dǎo)電層是網(wǎng)格型屏蔽導(dǎo)電層。
該屏蔽導(dǎo)電層的網(wǎng)格間距是500μm到1000μm。
該透明導(dǎo)電層包括ITO、ZnO和ATO中任一種。
該屏蔽導(dǎo)電層包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al、或者Au的各氧化物材料中任一種。
該屏蔽導(dǎo)電層是通過(guò)濺射法、絲網(wǎng)印刷法、濕涂法、薄膜片結(jié)合法或者光刻法中任一種形成的。
現(xiàn)在參照附圖結(jié)合優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)地描述本發(fā)明。
圖3a示出包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜的玻璃濾光器。
如圖3a所示，該玻璃濾光器300包括玻璃320、用于屏蔽紫外線和減少外部反射光的AR涂膜310、用于屏蔽NIR的NIR涂膜310、用于屏蔽EMI的EMI涂膜350和用于屏蔽氖(Ne)的彩色染料層330。
彩色染料層330屏蔽特定顏色的光，所述光是在驅(qū)動(dòng)該等離子顯示面板的時(shí)候因Ne而產(chǎn)生的。該彩色染料層330的一側(cè)與玻璃320的一側(cè)接觸。彩色染料層330和玻璃320通過(guò)表面接觸結(jié)合。
第一基涂膜340a是由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)或者三聚氰酸三烯丙酯(TAC)構(gòu)成的。第一基涂膜340a的一側(cè)與彩色染料層330的另一側(cè)接觸。
AR涂膜和NIR涂膜整體地形成一層膜310，以屏蔽紫外線，減少外部反射光并且屏蔽NIR。該AR涂膜和該NIR涂膜的一側(cè)與該基涂膜340a的另一側(cè)接觸。
第二基涂膜340b是由例如PET或者TAC這樣的材料組成，并且與玻璃320的另一側(cè)接觸。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EMI涂膜350是為了屏蔽EMI而形成的，并且與第二基涂膜340b的另一側(cè)接觸。如圖3b所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EMI涂膜350包括由例如錫銦氧化物(ITO)、ZnO或者ATO這樣的材料形成的透明導(dǎo)電層350a，和形成于該透明導(dǎo)電層350a上并且其中形成有大量孔的屏蔽導(dǎo)電層350b。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EMI涂膜的該屏蔽導(dǎo)電層350b是網(wǎng)格型屏蔽導(dǎo)電層。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EMI涂膜350中，該透明導(dǎo)電層350a連接到地，以使該屏蔽導(dǎo)電層350b接地，代替了如圖2b所示的現(xiàn)有技術(shù)中EMI涂膜250所包括的接地部分201。根據(jù)如上所述，由于透明導(dǎo)電層350a連接到地并且屏蔽導(dǎo)電層350b是接地的，因此該屏蔽導(dǎo)電層350b的網(wǎng)格間距比現(xiàn)有技術(shù)中的網(wǎng)格間距要大。
也即，網(wǎng)格間距越小，EMI屏蔽能力越大。在現(xiàn)有技術(shù)的EMI涂膜中，由于僅僅是圖2b中的導(dǎo)電網(wǎng)格203起屏蔽EMI的作用，因此網(wǎng)格間距小。然而，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜中，不僅屏蔽導(dǎo)電層350b而且透明導(dǎo)電層350a都起到屏蔽EMI的作用。因此，網(wǎng)格間距能夠變大。盡管現(xiàn)有技術(shù)的網(wǎng)格間距是300μm，本發(fā)明中的網(wǎng)格間距卻可以設(shè)置為500μm到1000μm。
因此，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜中，由于透光率增加了，因此等離子顯示面板的對(duì)比度提高了。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜中，通過(guò)旋轉(zhuǎn)根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EMI涂膜來(lái)控制偏角(θ)而無(wú)需考慮現(xiàn)有技術(shù)中的接地部分。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜中，由于網(wǎng)格間距大而且偏角(θ)易于控制，因此屏蔽導(dǎo)電層350b利用廉價(jià)的掩模來(lái)形成。
屏蔽導(dǎo)電層350b是利用導(dǎo)電氧化物例如Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au，通過(guò)濺射法、絲網(wǎng)印刷法、濕涂法、薄膜片結(jié)合法或者光刻法中任一種形成的。在薄膜片結(jié)合法中，該屏蔽導(dǎo)電層350b是利用薄膜片而形成于透明導(dǎo)電層350a上的，在其中提前形成該屏蔽導(dǎo)電層350b。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的包括EMI涂膜的該玻璃濾光器是設(shè)置在等離子顯示面板上的，從而形成等離子顯示設(shè)備。
圖4示出包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜的膜濾光器。
如圖4所示，該膜濾光器400包括用于屏蔽紫外線和減少外部反射光的AR涂膜、用于屏蔽NIR的NIR涂膜、用于屏蔽EMI的EMI涂膜450和用于屏蔽氖(Ne)的彩色染料層430。各層膜的功能與第一實(shí)施例的相同。省去對(duì)其的描述。
AR涂膜和NIR涂膜整體地形成一層膜410。在AR涂膜和NIR涂膜與彩色染料層430之間形成第三基涂膜440a。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜450形成于透明處理樹(shù)脂460和第四基涂膜440b之間。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的膜濾光器400中所包括的EMI涂膜450，包括由例如ITO、ZnO或者ATO這樣的材料形成的透明導(dǎo)電層450a，和形成于該透明導(dǎo)電層450a上并且其中形成有大量孔的屏蔽導(dǎo)電層450b。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜的該屏蔽導(dǎo)電層450b是網(wǎng)格型屏蔽導(dǎo)電層。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的EMI涂膜450中，該透明導(dǎo)電層450a連接到地，以使該屏蔽導(dǎo)電層450b接地，代替了如圖2b所示的現(xiàn)有技術(shù)中EMI涂膜250所包括的接地部分201。根據(jù)如上所述，由于透明導(dǎo)電層450a連接到地并且屏蔽導(dǎo)電層450b是接地的，因此該屏蔽導(dǎo)電層450b的網(wǎng)格間距比現(xiàn)有技術(shù)中的網(wǎng)格間距要大。
在現(xiàn)有技術(shù)的EMI涂膜中，由于僅僅圖2b中的導(dǎo)電網(wǎng)格203起屏蔽EMI的作用，因此網(wǎng)格間距小。然而，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜中，不僅屏蔽導(dǎo)電層450b而且透明導(dǎo)電層450a也起到屏蔽EMI的作用。因此，網(wǎng)格間距能夠變大。盡管現(xiàn)有技術(shù)中的網(wǎng)格間距是300μm，本發(fā)明中的網(wǎng)格間距卻可以設(shè)置為500μm到1000μm。
因此，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜能夠提高等離子顯示面板的對(duì)比度。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜中，偏角(θ)是僅通過(guò)旋轉(zhuǎn)根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所述的EMI涂膜來(lái)控制的。此外，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的EMI涂膜中，屏蔽導(dǎo)電層450b是利用不昂貴的掩模形成的。
屏蔽導(dǎo)電層450b是利用導(dǎo)電性氧化物例如Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au，通過(guò)濺射法、絲網(wǎng)印刷法、濕涂法、薄膜片結(jié)合法或者光刻法中任一種形成的。在薄膜片結(jié)合法中，該屏蔽導(dǎo)電層450b是利用薄膜片而形成于透明導(dǎo)電層450a上的，在其中提前形成該屏蔽導(dǎo)電層450b。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的包括EMI涂膜的該玻璃濾光器是設(shè)置在等離子顯示面板上的，從而形成等離子顯示設(shè)備。
盡管本發(fā)明是參照特定的說(shuō)明性實(shí)施例來(lái)描述的，但是其不受這些實(shí)施例限制，而僅由所附權(quán)利要求限制。應(yīng)該理解，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的范疇和精神的情況下對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示設(shè)備，包括等離子顯示面板；和包括EMI涂膜的濾光器，該EMI涂膜包括透明導(dǎo)電層和形成于該透明導(dǎo)電層上且其中形成有大量孔的屏蔽導(dǎo)電層，其中該濾光器設(shè)置在該等離子顯示面板上。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中該濾光器是玻璃濾光器或者膜濾光器。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中該屏蔽導(dǎo)電層是網(wǎng)格型屏蔽導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求3所述的等離子顯示設(shè)備，其中該屏蔽導(dǎo)電層的網(wǎng)格間距是500μm到1000μm。
5.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中該透明導(dǎo)電層包括ITO、ZnO或者ATO中任一種。
6.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中該屏蔽導(dǎo)電層包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物中任一種。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示設(shè)備，其中該屏蔽導(dǎo)電層是通過(guò)濺射法、絲網(wǎng)印刷法、濕涂法、薄膜片結(jié)合法或者光刻法中任一種方法形成的。
8.一種設(shè)置在等離子顯示面板上的濾光器，包括透明導(dǎo)電層；和包括屏蔽導(dǎo)電層的EMI涂膜，該屏蔽導(dǎo)電層形成于該透明導(dǎo)電層上并且其中形成有大量的孔。
9.如權(quán)利要求8所述的濾光器，其中該濾光器是玻璃濾光器或者膜濾光器。
10.如權(quán)利要求8所述的濾光器，其中該屏蔽導(dǎo)電層是網(wǎng)格型屏蔽導(dǎo)電層。
11.如權(quán)利要求10所述的濾光器，其中該屏蔽導(dǎo)電層的網(wǎng)格間距是500μm到1000μm。
12.如權(quán)利要求8所述的濾光器，其中該透明導(dǎo)電層包括ITO、ZnO或者ATO中任一種。
13.如權(quán)利要求8所述的濾光器，其中該屏蔽導(dǎo)電層包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物中任一種。
14.如權(quán)利要求8所述的濾光器，其中該屏蔽導(dǎo)電層是通過(guò)濺射法、絲網(wǎng)印刷法、濕涂法、薄膜片結(jié)合法或者光刻法中任一種方法形成的。
15.一種EMI涂膜，包括允許光通過(guò)的透明導(dǎo)電層；和形成于該透明導(dǎo)電層上并且其中形成有大量的孔的屏蔽導(dǎo)電層。
16.如權(quán)利要求15所述的EMI涂膜，其中該屏蔽導(dǎo)電層是網(wǎng)格型屏蔽導(dǎo)電層。
17.如權(quán)利要求16所述的EMI涂膜，其中該屏蔽導(dǎo)電層的網(wǎng)格間距是500μm到1000μm。
18.如權(quán)利要求15所述的EMI涂膜，其中該透明導(dǎo)電層包括ITO、ZnO或者ATO中任一種。
19.如權(quán)利要求15所述的EMI涂膜，其中該屏蔽導(dǎo)電層包括Cu、Ag、Ni、Ti、Zn、Cr、Al或者Au的各氧化物中任一種。
20.如權(quán)利要求15所述的EMI涂膜，其中該屏蔽導(dǎo)電層是通過(guò)濺射法、絲網(wǎng)印刷法、濕涂法、薄膜片結(jié)合法或者光刻法中任一種方法形成的。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種等離子顯示設(shè)備，更具體地，涉及一種包括濾光器的等離子顯示設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示設(shè)備包括等離子顯示面板和包括EMI涂膜的濾光器，該涂膜具有透明導(dǎo)電層和形成于該透明導(dǎo)電層上且其中形成有大量的孔的屏蔽導(dǎo)電層，其中該濾光器是設(shè)置在該等離子顯示面板上的。根據(jù)本發(fā)明，由于屏蔽導(dǎo)電層形成于透明導(dǎo)電層上，能夠提高等離子顯示設(shè)備的對(duì)比度，能夠容易地控制EMI涂膜的偏角，并且EMI涂膜的制造成本降低。
文檔編號(hào)G09F9/00GK1773660SQ200510118200
公開(kāi)日2006年5月17日 申請(qǐng)日期2005年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月11日
發(fā)明者金卿九 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社