專利名稱：電流驅(qū)動器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電流驅(qū)動器，并且特別地涉及可以用作諸如用于有機EL(電致發(fā)光)面板的顯示驅(qū)動器等的設(shè)備的電流驅(qū)動器。
背景技術(shù)：
圖22說明了常規(guī)電流驅(qū)動器30的整體結(jié)構(gòu)。常規(guī)電流驅(qū)動器30使用來自參考電流源REF(或前級電流驅(qū)動器)的參考電流Iref作為輸入，并包括設(shè)置參考晶體管T3001L；供給參考晶體管T3001R；偏置電壓生成晶體管T3003；以及驅(qū)動晶體管T3004a和T3004b。
設(shè)置參考晶體管T3001L設(shè)置在電源節(jié)點Vdd和參考電流源REF之間，并且其柵極和漏極彼此連接。供給參考晶體管T3001R設(shè)置在電源節(jié)點Vdd和偏置電壓生成晶體管T3003之間，并且其柵極連接到設(shè)置參考晶體管T3001L的柵極。偏置電壓生成晶體管T 3003設(shè)置在供給參考晶體管T3001R和接地節(jié)點之間，并且其柵極連接到驅(qū)動晶體管T3004a和T3004b的柵極。驅(qū)動晶體管T3004a和T3004b的每一個都設(shè)置在顯示元件電路(未示出)和接地節(jié)點之間。
現(xiàn)在，描述圖22所示的電流驅(qū)動器30是如何操作的。在常規(guī)電流驅(qū)動器30中，由設(shè)置參考晶體管T3001L、供給參考晶體管T3001R和偏置電壓生成晶體管T3003形成的電流鏡根據(jù)參考電流Iref生成偏置電壓Vbias。驅(qū)動晶體管T3004a和T3004b的每一個都在其柵極處接收由電流鏡生成的偏置電壓Vbias并生成輸出電流Iout。以此方式，使得輸出電流Iout均勻地流動，由此以電流驅(qū)動顯示面板的多個顯示元件電路。
然而，在常規(guī)電流驅(qū)動器中，為了提高生成輸出電流Iout的能力的精確度(電流鏡精確度)，其中輸出電流Iout的電流值與參考電流Iref的電流值相等或成比例，所以需要增加輸入到電流鏡的參考電流Iref的電流值。利用前述的方法，不能有效地使用電能，并且給形成電流鏡的晶體管T3001R和T3001L施加了大的負(fù)載。另外，在常規(guī)電流驅(qū)動器中，由于晶體管的電容耦合，偏置電壓(Vbias)變化，從而輸出電流Iout的電流值會變化。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，電流驅(qū)動器輸出其電流值取決于參考電流的電流值的輸出電流。電流驅(qū)動器包括電流電壓轉(zhuǎn)換器；偏置電壓生成晶體管；差分放大器和驅(qū)動晶體管。電流電壓轉(zhuǎn)換器連接在接收第一電壓的第一節(jié)點和接收第二電壓的第二節(jié)點之間。偏置電壓生成晶體管設(shè)置在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間并與電流電壓轉(zhuǎn)換器串聯(lián)連接。第三節(jié)點接收其電壓值取決于參考電流的電流值的第三電壓。差分放大器輸出第五電壓，該第五電壓的電壓值取決于設(shè)置在電流電壓轉(zhuǎn)換器和偏置電壓生成晶體管之間的互連節(jié)點處的第四電壓與第三節(jié)點處的第三電壓之間的差。驅(qū)動晶體管連接在第二節(jié)點和輸出輸出電流的輸出電流節(jié)點之間并在其柵極處接收從差分放大器輸出的第五電壓。該電流電壓轉(zhuǎn)換器具有給定的電阻值。該偏置電壓生成晶體管在其柵極處接收從該差分放大器輸出的第五電壓。
優(yōu)選地，電流電壓轉(zhuǎn)換器包括第一晶體管和第二晶體管。第一晶體管連接在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間，并且該第一晶體管的柵極和漏極彼此連接。第二晶體管連接在第一節(jié)點和互連節(jié)點之間，并且其柵極連接到第一晶體管的柵極。參考電流在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間流動。
優(yōu)選地，電流驅(qū)動器還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換。在第一連接狀態(tài)中，連接切換部分將第一晶體管連接在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間，將第一晶體管的柵極和漏極彼此連接，將第二晶體管連接在第一節(jié)點和互連節(jié)點之間，并將第二晶體管的柵極連接到第一晶體管的柵極。在第二連接狀態(tài)中，連接切換部分將第二晶體管連接在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間，將第二晶體管的柵極和漏極彼此連接，將第一晶體管連接在第一節(jié)點和互連節(jié)點之間，并將第一晶體管的柵極連接到第二晶體管的柵極。
優(yōu)選地，電流電壓轉(zhuǎn)換器包括第一晶體管和偏置電壓調(diào)整部分。第一晶體管連接在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間并且該第一晶體管的柵極和漏極彼此連接。參考電流在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間流動。偏置電壓調(diào)整部分連接在第一節(jié)點和互連節(jié)點之間，并且該偏置電壓調(diào)整部分的電阻值取決于第一晶體管的柵極處所生成的柵極電壓的電壓值。柵極電壓的電壓值和取決于柵極電壓的電壓值的偏置電壓調(diào)整部分的電阻值之間的關(guān)系是可以任意設(shè)定的。
優(yōu)選地，電流電壓轉(zhuǎn)換器包括柵極電壓調(diào)整部分和第一晶體管。參考電流在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間流動。柵極電壓調(diào)整部分連接在第一節(jié)點和第四節(jié)點之間并生成其電壓值取決于參考電流的電流值的柵極電壓。第一晶體管連接在第一節(jié)點和互連節(jié)點之間并在其柵極處接收由柵極電壓調(diào)整部分所生成的柵極電壓。參考電流的電流值和取決于參考電流的電流值的由柵極電壓調(diào)整部分所生成的柵極電壓的電壓值之間的關(guān)系是可以任意設(shè)定的。
優(yōu)選地，電流電壓轉(zhuǎn)換器包括第一電阻和第二電阻。第一電阻連接在第一節(jié)點和第三節(jié)點之間。第二電阻連接在第一節(jié)點和互連節(jié)點之間。參考電流在第一節(jié)點和第三節(jié)點之間流動。
優(yōu)選地，電流驅(qū)動器還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換。在第一連接狀態(tài)中，連接切換部分將第一電阻連接在第一節(jié)點和第三節(jié)點之間，并將第二電阻連接在第一節(jié)點和互連節(jié)點之間。在第二連接狀態(tài)中，連接切換部分將第一電阻連接在第一節(jié)點和互連節(jié)點之間，并將第二電阻連接在第一節(jié)點和第三節(jié)點之間。
優(yōu)選地，第二電阻的電阻值可以設(shè)定為任意值。
優(yōu)選地，差分放大器包括第一晶體管，第三晶體管，第二晶體管和第四晶體管。第一晶體管和第三晶體管串聯(lián)連接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間。第二晶體管和第四晶體管串聯(lián)連接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間。第一晶體管連接在第一節(jié)點和第三晶體管之間并在其柵極處接收互連節(jié)點處的第四電壓。第二晶體管連接在第一節(jié)點和第四晶體管之間并在其柵極處接收第三節(jié)點處的第三電壓。第三晶體管連接在第一晶體管和第二節(jié)點之間并且該第三晶體管的漏極和柵極彼此連接。第四晶體管連接在第二晶體管和第二節(jié)點之間并且該第四晶體管的柵極連接到第三晶體管的柵極。
優(yōu)選地，差分放大器還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換。在第一連接狀態(tài)中，連接切換部分將第一晶體管連接在第一節(jié)點和第三晶體管之間，將第二晶體管連接在第一節(jié)點和第四晶體管之間，將互連節(jié)點處的第四電壓施加到第一晶體管的柵極，并將第三節(jié)點處的第三電壓施加到第二晶體管的柵極。在第二連接狀態(tài)中，連接切換部分將第一晶體管連接在第一節(jié)點和第四晶體管之間，將第二晶體管連接在第一節(jié)點和第三晶體管之間，將互連節(jié)點處的第四電壓施加到第二晶體管的柵極，并將第三節(jié)點處的第三電壓施加到第一晶體管的柵極。
優(yōu)選地，第三晶體管的柵極連接到第四晶體管的柵極。差分放大器還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換。在第一連接狀態(tài)中，連接切換部分將互連節(jié)點處的第四電壓施加到第一晶體管的柵極，將第三節(jié)點處的第三電壓施加到第二晶體管的柵極，并將第四晶體管的柵極和漏極彼此連接。在第二連接狀態(tài)中，連接切換部分將互連節(jié)點處的第四電壓施加給第二晶體管的柵極，將第三節(jié)點處的第三電壓施加到第一晶體管的柵極，并將第三晶體管的柵極和漏極彼此連接。


圖1是說明根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖2是說明根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖3是說明根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖4是說明根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖5是說明根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖6是說明根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖7是說明根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖8是說明根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖9是說明根據(jù)本發(fā)明第九實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖10是說明根據(jù)本發(fā)明第十實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖11是說明根據(jù)本發(fā)明第十一實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖12是說明根據(jù)本發(fā)明第十二實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖13是說明圖12所示的晶體管切換部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的視圖；圖14是示出了圖13所示的晶體管切換部分的操作的定時圖；圖15是說明根據(jù)本發(fā)明第十三實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖16是說明根據(jù)本發(fā)明第十四實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖17是說明根據(jù)本發(fā)明第十五實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖；圖18是說明圖1所示的差分放大器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的視圖；圖19是說明根據(jù)本發(fā)明第十六實施方式的包括在差分放大器中的差分放大器部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的視圖；圖20是說明根據(jù)本發(fā)明第十七實施方式的包括在差分放大器中的電流鏡部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的視圖；圖21是說明根據(jù)本發(fā)明第十八實施方式的差分放大器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的視圖；圖22是說明常規(guī)電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)的視圖。
具體實施例方式
以下，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實施方式。在附圖中，相同或類似的部件由相同的參考標(biāo)號表示，并且不對其重復(fù)描述。
第一實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖1說明了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的電流驅(qū)動器1的整體結(jié)構(gòu)。電流驅(qū)動器1向諸如有機EL器件的多個顯示元件電路(未示出)供給電流，接收從參考電流源REF供給的參考電流Iref，并向顯示元件電路輸出輸出電流Iout，其電流值與所接收到的參考電流Iref的電流值相等或成比例(即，輸出電流Iout均具有通過將參考電流Iref的電流值乘以期望的系數(shù)獲得的電流值)。該電流驅(qū)動器1包括電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L；參考電壓供給端子102；差分放大器103；偏置電壓生成晶體管T104；以及驅(qū)動晶體管T105a和T105b。
電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L形成電流鏡。當(dāng)參考電流Iref流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L時，漏極電流Id流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R，該漏極電流Id的電流值取決于電流鏡的鏡比(mirror ratio)。
電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和參考電流源REF之間，并且其柵極連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的漏極和電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的柵極。因此，當(dāng)參考電流Iref流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L時，在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的柵極處生成柵極電壓Vid其電壓值取決于參考電流Iref的電流值。
電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R與偏置電壓生成晶體管T104串聯(lián)連接在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和接地節(jié)點GND之間。電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N103之間，并且其柵極連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的柵極。電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的溝道電阻的電阻值取決于施加在其柵極上的柵極電壓Vid的電壓值。偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值取決于施加在其柵極上的偏置電壓Vbias的電壓值。因此，漏極電流Id流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和偏置電壓生成晶體管T104，該漏極電流Id的電流值取決于電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的溝道電阻值和偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻值。在節(jié)點N103處，生成漏極電壓Vrb，其電壓值取決于電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R中的電壓降。
參考電壓供給端子102向差分放大器103的反向輸入端子供給參考電壓Vc。在此實施方式中，假設(shè)參考電壓Vc是允許電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R飽和操作的電壓，并且其電壓值約等于柵極電壓Vid的電壓值。
差分放大器103和偏置電壓生成晶體管T104形成負(fù)反饋電路，并控制使得漏極電壓Vrb的電壓值等于參考電壓Vc的電壓值。
差分放大器103的非反向輸入端子連接到節(jié)點N103，其反向輸入端子連接到參考電壓供給端子102，以及其輸出端子連接到柵極線G104。差分放大器103輸出偏置電壓Vbias，其電壓值取決于節(jié)點N103處生成的漏極電壓Vrb的電壓值與從參考電壓供給端子102供給的參考電壓Vc的電壓值之間的差。
偏置電壓生成晶體管T104設(shè)置在節(jié)點N103和接地節(jié)點之間，并且其柵極連接到柵極線G104。當(dāng)偏置電壓生成晶體管T104在其柵極處接收偏置電壓Vbias時，偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值根據(jù)該偏置電壓Vbias的電壓值變化。因此，流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和偏置電壓生成晶體管T104的漏極電流Id的電流值變化。漏極電流Id的電流值的變化引起電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R中的電壓降的程度發(fā)生變化。
偏置電壓生成晶體管T104以及驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個形成電流鏡。當(dāng)漏極電流Id流過偏置電壓生成晶體管T104時，輸出電流Iout流過驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個，該輸出電流Iout的電流值取決于電流鏡的鏡比。
驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個都設(shè)置在顯示元件電路(未示出)和接地節(jié)點之間，并且其柵極連接到柵極線G104。在驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個中流過輸出電流Iout，其電流值取決于輸入到柵極線G104的偏置電壓Vbias的電壓值。
在此實施方式中，假設(shè)由電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L形成的電流鏡具有1∶1的鏡比。還假設(shè)由偏置電壓生成晶體管T104和驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個形成的電流鏡具有1∶1的鏡比。就是說，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L具有相同的I-V特性(即，柵極電壓的電壓值和根據(jù)該柵極電壓流動的漏極電流的電流值之間的關(guān)系)，以及驅(qū)動晶體管T105a和T105b具有相同的I-V特性。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖1中所示的電流驅(qū)動器1的操作。
首先，參考電流Iref流過連接到參考電流源REF的電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L。由于電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的柵極和漏極彼此連接，所以在晶體管T101L的柵極處生成柵極電壓Vid，其電壓值取決于參考電流Iref的電流值。
其次，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的溝道電阻的電阻值取決于柵極電壓Vid的電壓值。因此，漏極電流Id流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和偏置電壓生成晶體管T104，該漏極電流Id的電流值取決于電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的溝道電阻的電阻值和偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值。在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R中產(chǎn)生電壓降，該電壓降取決于晶體管T101R的溝道電阻的電阻值和流過晶體管T101R的漏極電流Id的電流值。因此，在節(jié)點N103處生成漏極電壓Vrb，該漏極電壓Vrb的電壓值取決于電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101中產(chǎn)生的電壓降。
然后，在節(jié)點N103處生成的漏極電壓Vrb輸入到差分放大器103的非反向輸入端子。另外，從參考電壓供給端子102供給的參考電壓Vc輸入到差分放大器103的反向輸入端子。
其后，差分放大器103向柵極線G 104輸出偏置電壓Vbias，該偏置電壓Vbias的電壓值取決于輸入到非反向輸入端子的漏極電壓Vrb與輸入到反向輸入端子的參考電壓Vc之間的差。輸入到柵極線G104的偏置電壓Vbias輸入到偏置電壓生成晶體管T104的柵極和驅(qū)動晶體管T105a和T105b的柵極。
隨后，在驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個中流過輸出電流Iout，其電流值取決于輸入到其柵極的偏置電壓Vbias。如此，輸出電流Iout流過各顯示元件電路(未示出)。
另外，由于偏置電壓生成晶體管T104的電阻值根據(jù)施加在偏置電壓生成晶體管T104的柵極上的偏置電壓Vbias的電壓值而變化，所以流過偏置電壓生成晶體管T104(和電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R)的漏極電流Id的電流值根據(jù)輸入到偏置電壓生成晶體管T104的柵極的偏置電壓Vbias的電壓值而變化。此外，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R中的電壓降的程度根據(jù)漏極電流Id的電流值的變化而變化，從而在節(jié)點N103處生成的漏極電壓Vrb的電壓值也發(fā)生變化。
現(xiàn)在，將描述流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極電流Id的電流值小于流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的參考電流Iref的電流值的情況。
在此情況下，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R中的電壓降比在漏極電流Id的電流值等于參考電流Iref的電流值的情況下小，從而在節(jié)點N103處生成的漏極電壓Vrb高于參考電壓Vc(柵極電壓Vid)。因此，從差分放大器103輸出的偏置電壓Vbias的電壓值比在漏極電壓Vrb和參考電壓Vc彼此相等的情況下輸出的偏置電壓Vbias的電壓值大。這將減小偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值。作為結(jié)果，流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和偏置電壓生成晶體管T104的漏極電流Id的電流值增大。漏極電流Id的電流值的增大使電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R中的電壓降的程度增大，從而在節(jié)點N103處生成的漏極電壓Vrb的電壓值降低。
現(xiàn)在，將描述電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極電壓Vrb低于參考電壓Vc的情況。
在此情況下，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R中的電壓降比在漏極電流Id的電流值等于參考電流Iref的電流值的情況下大，從而在節(jié)點N103處生成的漏極電壓Vrb低于參考電壓Vc(柵極電壓Vid)。因此，從差分放大器103輸出的偏置電壓Vbias的電壓值比在漏極電壓Vrb和參考電壓Vc彼此相等的情況下輸出的偏置電壓Vbias的電壓值小。這將增大偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值。作為結(jié)果，流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和偏置電壓生成晶體管T104的漏極電流Id的電流值減小。漏極電流Id的電流值的減小使電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R中的電壓降的程度降低，從而在節(jié)點N103處生成的漏極電壓Vrb的電壓值增大。
以此方式，偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值的增大/減小使得漏極電流Id的電流值更接近于參考電流Iref的電流值。
為使輸出電流Iout的電流值為參考電流Iref的電流值的兩倍，只需要使電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的I-V特性為電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的I-V特性的一半。在此情況下，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的溝道電阻減小一半。因此，當(dāng)流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和偏置電壓生成晶體管T104的漏極電流Id的電流值加倍時，在節(jié)點N103處生成的漏極電壓Vrb的電壓值與參考電壓Vc的電壓值相等。即使偏置電壓生成晶體管T104和驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個形成的電流鏡的鏡比設(shè)為“1∶2”，也以同樣的方式，使得輸出電流Iout的電流值為參考電流Iref的電流值的兩倍。
<效果>
如上所述，在本實施方式的電流驅(qū)動器中，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極電壓Vrb的電壓值更接近于參考電壓Vc的電壓值(＝電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的漏極電壓)。因此，減小了漏極電壓依賴性(厄利效應(yīng))的影響。以此方式，可以輸出其電流值與參考電流Iref的電流值相等或成比例的輸出電流Iout，這樣實現(xiàn)了具有高電流鏡精確度的電流驅(qū)動器。
差分放大器103具有低輸出阻抗，從而差分放大器103中產(chǎn)生的電壓降小。因此，可以比在常規(guī)電流驅(qū)動器中更有效地使用電能。
另外，差分放大器103具有高輸入阻抗，從而給形成電流鏡的電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L施加小的電負(fù)載。
而且，由差分放大器和偏置電壓生成晶體管形成的負(fù)反饋電路消除了在晶體管電容耦合的影響下的偏置電壓Vbias和輸出電流Iout的變化。
此實施方式的電流驅(qū)動器1接收參考電流Iref，并使用接收的參考電流Iref生成輸出電流Iout。因此，當(dāng)這樣的電流驅(qū)動器1串聯(lián)布置時，電流驅(qū)動器的每一個都接收來自前級電流驅(qū)動器的輸出電流Iout，從而可以配置大規(guī)模電流驅(qū)動設(shè)備。
在此實施方式中，電流驅(qū)動器1中設(shè)置了兩個驅(qū)動晶體管。然而，驅(qū)動晶體管的數(shù)量不限于此，可以根據(jù)顯示元件電路的數(shù)量來增加/減少。
第二實施方式
<整體結(jié)構(gòu)>
圖2說明了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的電流驅(qū)動器2的整體結(jié)構(gòu)。電流驅(qū)動器2具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的柵極處生成的柵極電壓Vid供給到差分放大器103，代替了圖1中所示的電流驅(qū)動器1的結(jié)構(gòu)，其中參考電壓供給端子102用來向差分放大器103供給參考電壓Vc。就是說，在電流驅(qū)動器2中，省略了圖1中所示的參考電壓供給端子102。參考電流源REF連接到節(jié)點N101。電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N101之間。差分放大器103在其反向輸入端子處接收電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的柵極處生成的柵極電壓Vid。該結(jié)構(gòu)的其他部分與圖1中所示的相同。
<操作>
除差分放大器103的操作之外，圖2所示的電流驅(qū)動器2的操作與電流驅(qū)動器1的相同。
根據(jù)輸入到非反向輸入端子的漏極電壓Vrb與輸入到反向輸入端子的柵極電壓Vid之間的差，差分放大器103向柵極線G104輸出偏置電壓Vbias。
<效果>
如上所述，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T 101L的柵極處生成的柵極電壓Vid供給到差分放大器103，而不是生成參考電壓Vc，從而實現(xiàn)的電流驅(qū)動器的結(jié)構(gòu)比第一實施方式中的簡單。
第三實施方式<在晶體管之間的變化的影響>
在電流鏡中，當(dāng)輸入端處的晶體管的I-V特性不同于輸出端處的晶體管的特性時，在輸入到電流鏡的電流值和從電流鏡輸出的電流值之間會出現(xiàn)由于這些晶體管之間的特性差異引起的誤差，從而流過輸入端晶體管的參考電流和流過輸出端晶體管的漏極電流之間的電流值比與鏡比不匹配。例如，假設(shè)當(dāng)相同的柵極電壓輸入到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L時，流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的電流大于流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的電流，那么由差分放大器103生成的偏置電壓Vbias的電壓值會大于偏置電壓Vbias本來應(yīng)該具有的值。因此，電流驅(qū)動器的輸出電流Iout的電流值總是大于參考電流Iref的電流值。如果由于以此方式的晶體管之間的特性差異，使輸出電流Iout中的誤差傾向于一個方向，那么在驅(qū)動使用多個電流驅(qū)動器的顯示面板時，顯示面板的光發(fā)射亮度會明顯改變。
<整體結(jié)構(gòu)>
圖3說明了根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的電流驅(qū)動器3的整體結(jié)構(gòu)。除了圖1中所示的電流驅(qū)動器1的部件之外，電流驅(qū)動器3進一步包括連接切換部分301。該結(jié)構(gòu)的其他部分與圖1中說明的相同。連接切換部分301設(shè)置在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L側(cè)與參考電流源REF和節(jié)點N103側(cè)之間。根據(jù)從驅(qū)動器外部輸入的控制信號R和NR，連接切換部分301將電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L之一連接到參考電流源REF，并將另一個連接到節(jié)點N103。就是說，電流驅(qū)動器3根據(jù)控制信號R和NR使電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L的位置相互替換。
在此實施方式中，假設(shè)電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L形成的電流鏡具有“1∶1”的鏡比。
<連接切換部分301的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>
圖3所示的連接切換部分301包括切換晶體管T301a，T301b，T301c和T301d。
切換晶體管T301a設(shè)置在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的漏極和參考電流源REF之間，并在其柵極處接收控制信號R。切換晶體管T301b設(shè)置在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的漏極和節(jié)點N103之間，并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管T301c設(shè)置在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極和參考電流源REF之間，并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管T301d設(shè)置在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極和節(jié)點N103之間，并在其柵極處接收控制信號R。
當(dāng)控制信號R和NR處于L電平時，這些信號是用于激活切換晶體管T301a至T301d(pMOS晶體管)的電壓，反之，當(dāng)控制信號R和NR處于H電平時，這些信號是用于去激活切換晶體管T301a至T301d(pMOS晶體管)的電壓。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖3所示的連接切換部分301的操作。
當(dāng)控制信號R處于L電平(激活)且控制信號NR處于H電平(去激活)時，激活切換晶體管T301a和T301d并去激活切換晶體管T301b和T301c。因此，參考電流源REF連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的漏極，并且節(jié)點N103連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極。
另外，當(dāng)控制信號R處于H電平且控制信號NR處于L電平時，去激活切換晶體管T301a和T301d并激活切換晶體管T301b和T301c。因此，參考電流源REF連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極，并且節(jié)點N103連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的漏極。
<切換的定時>
控制信號R和NR的信號電平可以在任意定時切換，但優(yōu)選是有規(guī)律地切換。例如，如果控制信號R和NR的信號電平在每一幀切換，輸出電流Iout的電流值改變的定時就與顯示面板上顯示圖像的切換定時同步，從而顯示面板上的亮度改變變得不明顯。
控制信號R和NR的信號電平的切換可以在垂直消隱周期內(nèi)進行。
另外，如果控制信號R和NR的信號電平這樣來切換，使得不出現(xiàn)其中激活所有切換晶體管T301a，T301b，T301c和T301d的周期，則可以進行穩(wěn)定的切換操作，而不會出現(xiàn)參考電流源REF和節(jié)點N103之間的短路。
<效果>
如上所述，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L的位置根據(jù)控制信號R和NR彼此相互替換，從而可以平衡由于晶體管T101R和T101L之間的特性差異引起的誤差。以此方式，從電流驅(qū)動器輸出到顯示元件電路的輸出電流Iout中的誤差不傾向于一個方向，從而減小了顯示面板發(fā)光亮度的變化。
在顯示面板中，用于切換輸出電流Iout的電流值的區(qū)域優(yōu)選較小。例如，輸出電流Iout的電流值優(yōu)選對每一條線進行切換。那么，可以進一步抑制顯示面板的亮度改變。
第四實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖4說明了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的電流驅(qū)動器4的整體結(jié)構(gòu)。除了圖2中示出的電流驅(qū)動器2的部件之外，電流驅(qū)動器4進一步包括連接切換部分301。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖2中所示的相同。連接切換部分301設(shè)置在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L與節(jié)點N101和N103之間。根據(jù)從驅(qū)動器外部輸入的控制信號R和NR，連接切換部分301將電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L之一連接到節(jié)點N101并將另一個連接到節(jié)點N103。
在此實施方式中，假設(shè)由電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L形成的電流鏡具有“1∶1”的鏡比。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖4中所示的連接切換部分的操作。
當(dāng)控制信號R處于L電平(激活)且控制信號NR處于H電平(去激活)時，激活切換晶體管T301a和T301d并去激活切換晶體管T301b和T301c。因此，節(jié)點N101連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的漏極，并且節(jié)點N103連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極。
另外，當(dāng)控制信號R處于H電平且控制信號NR處于L電平時，去激活切換晶體管T301a和T301d并激活切換晶體管T301b和T301c。因此，節(jié)點N101連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的漏極，并且節(jié)點N103連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的漏極。
<效果>
如上所述，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L的位置根據(jù)控制信號R和NR彼此相互替換，從而可以平衡由于晶體管T101R和T101L之間的特性差異引起的誤差。因而，從電流驅(qū)動器4輸出到顯示元件電路的輸出電流Iout中的誤差不傾向于一個方向，所以減小了顯示面板發(fā)光亮度的變化。
第五實施方式<漏極電壓依賴性>
通常，晶體管在飽和操作期間會受到漏極電壓依賴性的影響(厄利效應(yīng))，漏極電流的電流值會隨漏極電壓的升高輕微地增加。因此，偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓優(yōu)選等于或約等于驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓。
<整體結(jié)構(gòu)>
圖5說明了根據(jù)本發(fā)明第五實施方式的電流驅(qū)動器5的整體結(jié)構(gòu)。除了圖1中所示的電流驅(qū)動器1的部件之外，電流驅(qū)動器5包括箝位電壓供給端子501和電壓箝位晶體管T502。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖1中所示的相同。箝位電壓供給端子501供給箝位電壓Vx。電壓箝位晶體管T502設(shè)置在節(jié)點N103和偏置電壓生成晶體管T104之間，并在其柵極處接收來自箝位電壓供給端子501的箝位電壓Vx。電壓箝位晶體管T502根據(jù)輸入到其柵極的箝位電壓Vx調(diào)整偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓。
<漏極電壓的調(diào)整>
現(xiàn)在，將描述圖5中所示的電壓箝位晶體管T502是如何調(diào)整偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓的。
當(dāng)驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓的平均值為“電壓Vα”時，箝位電壓Vx設(shè)定為通過將“電壓箝位晶體管T502的閾值電壓Vt”和“電壓Vα”相加獲得的電壓。以此方式，電壓箝位晶體管T502的源極電壓(偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓)調(diào)整為約等于驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓的電壓。
第六實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖6說明了根據(jù)本發(fā)明第六實施方式的電流驅(qū)動器6的整體結(jié)構(gòu)。除了圖2中所示的電流驅(qū)動器2的部件之外，電流驅(qū)動器6包括圖5中所示的箝位電壓供給端子501和電壓箝位晶體管T502。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖2中所示的相同。電壓箝位晶體管T502設(shè)置在節(jié)點N103和偏置電壓生成晶體管T104之間，并在其柵極處接收來自箝位電壓供給端子501的箝位電壓Vx。
<漏極電壓的調(diào)整>
圖6中所示的電壓箝位晶體管T502的操作與第五實施方式(圖5)中的相同。
<效果>
如上所述，偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓調(diào)整為驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓，從而減小了由于驅(qū)動晶體管T105a和T105b中的漏極電壓依賴性引起的誤差。
第七實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖7說明了根據(jù)本發(fā)明第七實施方式的電流驅(qū)動器7的整體結(jié)構(gòu)。除了圖5中所示的電流驅(qū)動器5的部件之外，電流驅(qū)動器7包括輸出電壓箝位晶體管T701a和T701b。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖5中所示的相同。箝位電壓供給端子501向柵極線G502供給箝位電壓Vx。電壓箝位晶體管T502的柵極連接到柵極線G502。輸出電壓箝位晶體管T701a設(shè)置在顯示元件電路(未示出)和驅(qū)動晶體管T105a之間，并且其柵極連接到柵極線G502。輸出電壓箝位晶體管T701a根據(jù)輸入到輸出電壓箝位晶體管T701a的柵極的箝位電壓Vx調(diào)整驅(qū)動晶體管T105a的漏極電壓。輸出電壓箝位晶體管T701b設(shè)置在顯示元件電路(未示出)和驅(qū)動晶體管T105b之間，并且其柵極連接到柵極線G502。輸出電壓箝位晶體管T701b根據(jù)輸入到輸出電壓箝位晶體管T701b的柵極的箝位電壓Vx調(diào)整驅(qū)動晶體管T105b的漏極電壓。
輸出電壓箝位晶體管T701a和T701b的每一個的I-V特性與電壓箝位晶體管T502的I-V特性相同或基本上與其相同。
<漏極電壓的調(diào)整>
現(xiàn)在，將描述圖7中所示的電壓箝位晶體管T502和輸出電壓箝位晶體管T701a和T701b是如何調(diào)整偏置電壓生成晶體管T104和驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓的。
例如，為了設(shè)定驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓為“電壓Vα”，將箝位電壓Vx設(shè)定為通過將“電壓箝位晶體管T502的閾值電壓Vt”和“電壓Vα”相加獲得的電壓。以此方式，將電壓箝位晶體管T502的源極電壓(偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓)和輸出電壓箝位晶體管T701a和T701b的源極電壓(驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓)調(diào)整為“電壓Vα”。
<效果>
如上所述，偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓調(diào)整為了約等于驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓的電壓，從而減小了由于驅(qū)動晶體管T105a和T105b中的漏極電壓依賴性引起的誤差。
第八實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖8說明了根據(jù)本發(fā)明第八實施方式的電流驅(qū)動器8的整體結(jié)構(gòu)。除了圖6中所示的電流驅(qū)動器6的部件之外，電流驅(qū)動器8包括圖7中所示的輸出電壓箝位晶體管T701a和T701b。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖6中所示的相同。
<漏極電壓的調(diào)整>
圖8中所示的電壓箝位晶體管T502和輸出電壓箝位晶體管T701a和T701b的操作與第七實施方式(圖7)中的相同。
<效果>
如上所述，偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓調(diào)整為了約等于驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓的電壓，從而減小了由于驅(qū)動晶體管T105a和T105b中的漏極電壓依賴性引起的誤差。
第九實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖9說明了根據(jù)本發(fā)明第九實施方式的電流驅(qū)動器9的整體結(jié)構(gòu)。電流驅(qū)動器9包括偏置電壓調(diào)整部分901，代替圖2中所示的電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖2中所示的相同。偏置電壓調(diào)整部分901連接在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N103之間，并接收在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的柵極處生成的柵極電壓Vid。偏置電壓調(diào)整部分901的電阻值取決于從電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L供給的柵極電壓Vid的電壓值。柵極電壓Vid的電壓值和取決于柵極電壓的電壓值的偏置電壓調(diào)整部分901的電阻值之間的關(guān)系是可以任意設(shè)定的。
<偏置電壓調(diào)整部分901的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>
偏置電壓調(diào)整部分901包括電流電壓轉(zhuǎn)換單元911；供電電源912；條件存儲單元913和條件控制電路914。
電流電壓轉(zhuǎn)換單元911包括K個電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T91至T9K和(K-1)個選擇晶體管TS92至TS9K。電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T91設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N103之間，并且其柵極連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的柵極。電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92至T9K與選擇晶體管TS92至TS9K以一一對應(yīng)的關(guān)系關(guān)聯(lián)。電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92至T9K的每一個與所關(guān)聯(lián)的選擇晶體管TS92至TS9K之一串聯(lián)連接在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N103之間。電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92至T9K設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和選擇晶體管TS92到TS9K之間，并且它們的柵極連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L的柵極。選擇晶體管TS92至TS9K設(shè)置在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92至T9K和節(jié)點N103之間，并且在它們的柵極處分別地接收來自條件控制電路914的控制信號CT92至CT9K。
當(dāng)控制信號CT92至CT9K處于L電平時，這些信號是用于激活選擇晶體管TS92至TS9K(pMOS晶體管)的電壓，反之，當(dāng)控制信號CT92至CT9K處于H電平時，這些信號是用于去激活選擇晶體管TS92至TS9K的電壓。
在電流電壓轉(zhuǎn)換單元911中，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92至T9K的漏極利用選擇晶體管TS92至TS9K任意連接到節(jié)點N103，從而柵極電壓Vid的電壓值和電流電壓轉(zhuǎn)換單元911的電阻值之間的關(guān)系可以任意設(shè)定。
供電電源912向條件控制電路914和條件存儲單元913供給讀出電壓。該讀出電壓是用于確定條件存儲單元913的連接狀態(tài)的電壓。
條件存儲單元913包括M個熔斷器h91至h9M。每個熔斷器h91至h9M由這樣的材料制成，即當(dāng)被施加以激光或大電流來熔斷時能夠從導(dǎo)電變?yōu)椴粚?dǎo)電的材料。條件存儲單元913存儲M比特的二進制數(shù)據(jù)，以二進制數(shù)碼表示熔斷器h91至h9M的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)。在此實施方式中，假設(shè)條件存儲單元913存儲代表在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92至T9K中將被使用的晶體管數(shù)量的二進制數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)熔斷器h91熔斷且其他熔斷器h92至h9M未熔斷時，條件存儲單元913存儲的數(shù)據(jù)表示將被使用的晶體管數(shù)量為“一”。另外，當(dāng)熔斷器h91和h92熔斷且其他熔斷器h93至h9M未熔斷時，條件存儲單元913存儲的數(shù)據(jù)表示將被使用的晶體管數(shù)量為“三”。
條件控制電路914根據(jù)從電路外部輸入的控制信號CONT而進入條件固定模式或模擬模式。
在條件固定模式中，條件控制電路914將包括在條件存儲單元913中的熔斷器h92至h9M的每一個的一個端子連接到條件控制電路914本身，以便讀取由熔斷器h91至h9M代表的電壓電平。以此方式，可以讀出由熔斷器的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)表示的二進制數(shù)據(jù)。條件控制電路914通過解碼已讀出的二進制數(shù)據(jù)輸出控制信號CT92至CT9K。例如，當(dāng)在條件存儲單元913中熔斷器h91和h92熔斷時(即，當(dāng)表示將被使用的晶體管數(shù)量為“三”的二進制數(shù)據(jù)存儲于條件存儲單元913中時)，由熔斷器h91至h9M代表的電壓電平為“L，L，H，…，H”。在此情況下，條件控制電路914設(shè)定控制信號CT92至CT94為L電平并設(shè)定其他控制信號CT95至CT9K為H電平。
在模擬模式中，條件控制電路914根據(jù)從電路外部輸入的數(shù)據(jù)信號DATA來模擬條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)并輸出控制信號CT91至CT9K。數(shù)據(jù)信號DATA是用于模擬條件存儲單元913中的熔斷器的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)的信號，并且根據(jù)熔斷器的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)表示出M個電壓電平。例如，在數(shù)據(jù)信號DATA用于模擬熔斷器h91熔斷的狀態(tài)的情況下，此數(shù)據(jù)信號DATA所表示出的M個電壓電平為“L，H，H，…，H”。在此情況下，條件控制電路914設(shè)定控制信號CT92為L電平并設(shè)定其他控制信號CT93至CT9K為H電平。另外，在數(shù)據(jù)信號DATA用于模擬熔斷器h91和h92熔斷的狀態(tài)的情況下，此數(shù)據(jù)信號DATA所表示出的M個電壓電平為“H，L，H，…，H”。在此情況下，條件控制電路914設(shè)定控制信號CT92和CT93為L電平并設(shè)定其他控制信號CT94至CT9K為H電平。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖9中所示的偏置電壓調(diào)整部分901的操作。
當(dāng)接收到要求切換到條件固定模式的控制信號CONT時，條件控制電路914進入條件固定模式。
然后，條件控制電路914將包括在條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M的每一個的一個端子連接到條件控制電路914本身，并讀取由熔斷器的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)表示的二進制數(shù)據(jù)。
隨后，條件控制電路914解碼已讀出的二進制數(shù)據(jù)并向相應(yīng)的選擇晶體管TS92至TS9K的柵極輸出控制信號CT92至CT9K。
當(dāng)熔斷器h91熔斷時，條件控制電路914設(shè)定控制信號CT92為L電平以及其他控制信號CT93至CT9K為H電平。因此，激活選擇晶體管TS92并將電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92連接到節(jié)點N103，從而電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T91和T92連接到節(jié)點N103。因此，作為漏極電流I91與漏極電流I92之和的漏極電流(I91+I92)流過偏置電壓生成晶體管T104，該漏極電流I91由電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L和電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T91之間的電流鏡比(current mirror ratio)確定，該漏極電流I92由電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L和電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92之間的電流鏡比確定。這樣使得施加在偏置電壓生成晶體管T104的柵極上的偏置電壓Vbias設(shè)定在與漏極電流(I91+I92)的電流值關(guān)聯(lián)的電壓值。
以此方式，解碼存儲于條件存儲單元913中的二進制數(shù)據(jù)，以便再現(xiàn)控制信號CT92至CT9K的輸出狀態(tài)。此外，保持這些輸出狀態(tài)。
另一方面，當(dāng)接收到要求切換到模擬模式的控制信號CONT時，條件控制電路914進入模擬模式。
然后，條件控制電路914根據(jù)數(shù)據(jù)信號DATA輸出控制信號CT92至CT9K。
在此情況下，假設(shè)數(shù)據(jù)信號DATA表示出“熔斷器h92至h9M無一熔斷”。那么，從條件控制電路914輸出的所有控制信號CT92至CT9K都為H電平(去激活)。因此，選擇晶體管TS92至TS9K無一被激活并且電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92至T9K無一被連接到節(jié)點N103，所以只有電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T91連接到節(jié)點N103。因此，漏極電流I91流過偏置電壓生成晶體管T104，該漏極電流I91由電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L和電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T91之間的電流鏡比確定。然后，從差分放大器103的輸出端子輸出與漏極電流I91的電流值關(guān)聯(lián)的偏置電壓Vbias。
以此方式，根據(jù)數(shù)據(jù)信號DATA模擬條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)，從而偏置電壓調(diào)整部分901的電阻值可以設(shè)定為任意值。這使得可以調(diào)整流過偏置電壓生成晶體管T104的漏極電流Id的電流值。
<效果>
如上所述，條件控制電路914可以調(diào)整電流電壓轉(zhuǎn)換單元911的性能，從而允許電流驅(qū)動器在這樣的條件(最佳條件)下操作，在此條件下可以使驅(qū)動晶體管T105a和T105b的輸出電流Iout的狀態(tài)最優(yōu)化。
另外，如果基于模擬的結(jié)果通過熔斷包括在條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M來存儲控制信號CT92至CT9K的輸出狀態(tài)，則可以保持當(dāng)輸出電流Iout處于最佳狀態(tài)時的條件。
此外，使用電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T92至T9K作為電流鏡輸出側(cè)的晶體管可以使得減小晶體管之間的差異的影響。
在此實施方式中，包括多個熔斷器的條件存儲單元913用于存儲將由條件控制電路914從電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T91至T9K中選擇的晶體管的數(shù)量(控制信號CT92至CT9K的輸出狀態(tài))。作為選擇，電流驅(qū)動器可以有這樣的結(jié)構(gòu)，其中代表控制信號CT92至CT9K的輸出狀態(tài)的數(shù)據(jù)存儲于諸如DRAM或SRAM的存儲介質(zhì)中并被解碼以便輸出控制信號CT92至CT9K。
作為選擇，條件控制電路914可以默認(rèn)使用條件固定模式操作。即，除模擬模式外，條件控制電路914可以總是處于條件固定模式。
作為選擇，為減少將熔斷的熔斷器的數(shù)量，可以使用這樣的設(shè)定，其中將熔斷的熔斷器的數(shù)量基于當(dāng)輸出電流Iout處于最佳狀態(tài)時的條件而增加。例如，假設(shè)當(dāng)使用電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T91至T9K中的兩個時，輸出電流Iout處于最佳狀態(tài)，則條件控制電路914解碼存儲于條件存儲單元913中的二進制數(shù)據(jù)，使得控制信號CT92和CT93處于L電平并且其他控制信號CT94至CT9K處于H電平，此時熔斷器h91至h9M代表的電壓電平為“H，H，H，…，H”。
第十實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖10說明了根據(jù)本發(fā)明第十實施方式的電流驅(qū)動器10的整體結(jié)構(gòu)。電流驅(qū)動器10包括柵極電壓調(diào)整部分1001，代替圖2中所示的電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101L。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖2中所示的相同。柵極電壓調(diào)整部分1001生成柵極電壓，其電壓值取決于參考電流Iref的電流值。參考電流Iref的電流值和由柵極電壓調(diào)整部分1001根據(jù)參考電流Iref的電流值生成的柵極電壓Vid的電壓值之間的關(guān)系可以任意設(shè)定。
<柵極電壓調(diào)整部分1001的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>
柵極電壓調(diào)整部分1001包括電流電壓轉(zhuǎn)換單元1011；供電電源912；條件存儲單元913和條件控制電路1014。
電流電壓轉(zhuǎn)換單元1011包括K個選擇晶體管Ta101至Ta10K；K個選擇晶體管Tb101至Tb10K和K個電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101至Tc10K。選擇晶體管Ta101至Ta10K的每一個和關(guān)聯(lián)的選擇晶體管Tb101至Tb10K之一串聯(lián)設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N1001之間。選擇晶體管Ta101至Ta10K設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點Nd101至Nd10K之間，并在其柵極處接收來自條件控制電路1014的相應(yīng)的控制信號CTa101至CTa10K。選擇晶體管Tb101至Tb10K設(shè)置在節(jié)點N1001和節(jié)點Nd101至Nd10K之間，并在其柵極處接收來自條件控制電路1014的相應(yīng)的控制信號CTb101至CTb10K。電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101至Tc10K設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N1001之間，并且其柵極連接到相應(yīng)的節(jié)點Nd101至Nd10K。節(jié)點N1001連接到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的柵極和節(jié)點N101。
當(dāng)控制信號CTa101至CTa10K和CTb101至CTb10K處于L電平時，這些信號是用于激活選擇晶體管Ta101至Ta10K和Tb101至Tb10K(pMOS晶體管)的電壓，反之當(dāng)控制信號CTa101至CTa10K和CTb101至CTb10K處于H電平時，這些信號是用于去激活選擇晶體管Ta101至Ta10K和Tb101至Tb10K的電壓。
在電流電壓轉(zhuǎn)換單元1011中，電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101至Tc10K的漏極和柵極利用選擇晶體管Ta101至Ta10K和Tb101至Tb10K任意地連接到節(jié)點N1001，從而參考電流Iref的電流值和由電流電壓轉(zhuǎn)換單元1011生成的柵極電壓Vid的電壓值之間的關(guān)系可以任意設(shè)定。
供電電源912與圖9中所示的相同。
條件存儲單元913與圖9中所示的相同。在此實施方式中，假設(shè)條件存儲單元913存儲表示在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101至Tc10K中將被使用的晶體管數(shù)量的二進制數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)熔斷器h91熔斷且其他熔斷器h92至h9M未熔斷時，條件存儲單元913存儲表示將使用的晶體管數(shù)量為“一”的數(shù)據(jù)。另一方面，當(dāng)熔斷器h91和h92熔斷且其他熔斷器h93至h9M未熔斷時，條件存儲單元913存儲表示將使用的晶體管數(shù)量為“三”的數(shù)據(jù)。
如條件控制電路914那樣，條件控制電路1014根據(jù)從電路外部輸入的控制信號CONT進入條件固定模式或模擬模式。
在條件固定模式中，如條件控制電路914那樣，條件控制電路1014解碼存儲于條件存儲單元913中的二進制數(shù)據(jù)，從而輸出控制信號CTa101至CTa10K和CTb101至CTb10K。例如，當(dāng)在條件存儲單元913中的熔斷器h91熔斷時，條件控制電路1014設(shè)定控制信號Ta101為H電平，控制信號CTa102至CTa10K為L電平，控制信號CTb101為L電平以及控制信號CTb102至CTb10K為H電平。
在模擬模式中，如條件控制電路914那樣，條件控制電路1014根據(jù)從電路外部輸入的數(shù)據(jù)信號DATA模擬條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)，從而輸出控制信號CTa101至CTa10K和CTb101至CTb10K。例如，在數(shù)據(jù)信號DATA用于模擬熔斷器h91和h92熔斷的狀態(tài)的情況下，此數(shù)據(jù)信號DATA表示出的M個電壓電平為“H，L，H，…，H”。在此情況下，條件控制電路1014設(shè)定控制信號CTa101和CTa102為H電平，控制信號CTa103至CTa10K為L電平，控制信號CTb101和CTb102為L電平以及控制信號CTb103至CTb10K為H電平。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖10中所示的柵極電壓調(diào)整部分1001的操作。
當(dāng)接收到要求切換到條件固定模式的控制信號CONT時，條件控制電路1014進入條件固定模式。然后，條件控制電路1014將包括在條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M的每一個的一個端子連接到條件控制電路1014本身，并讀取由熔斷器的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)表示的二進制數(shù)據(jù)。隨后，條件控制電路1014解碼已讀出的二進制數(shù)據(jù)并向相應(yīng)的選擇晶體管Ta101至Ta10K和Tb101至Tb10K的柵極輸出控制信號CTa101至CTa10K和CTb101至CTb10K。
當(dāng)熔斷器h91熔斷時，條件控制電路1014設(shè)定控制信號CTb101和CTa102至CTa10K為L電平(激活)以及其他控制信號CTa101和CTb102至CTb10K為H電平(去激活)。因此，選擇晶體管Ta101未激活且選擇晶體管Tb101激活，使得電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101的柵極和漏極具有相同的電位且有電流流動。另一方面，選擇晶體管Ta102至Ta10K激活且選擇晶體管Tb102至Tb10K未激活，使得電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc102至Tc10K的柵極具有與內(nèi)部電源節(jié)點Vdd相同的電位且無電流流動。因此，參考電流Iref只是流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101。以此方式，在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101的柵極處生成的柵極電壓Vid輸入到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的柵極。
以此方式，再現(xiàn)了存儲于條件存儲單元913中的控制信號CTa101至CTa10K和CTb101至CTb10K的輸出狀態(tài)。另外，保持了這些輸出狀態(tài)。
另一方面，當(dāng)接收到要求切換到模擬模式的控制信號CONT時，條件控制電路1014進入模擬模式。然后，條件控制電路1014根據(jù)數(shù)據(jù)信號DATA輸出控制信號CTa101至CTa10K和CTb101至CTb10K。
在此情況下，當(dāng)用于模擬熔斷器h91和h92為熔斷狀態(tài)的數(shù)據(jù)信號DATA輸入到條件控制電路1014時，條件控制電路1014設(shè)定控制信號CTb101，CTb102和CTa103至CTa10K為L電平(激活)以及控制信號CTa101，CTa102和CTb103至CTb10K為H電平(去激活)。因此，選擇晶體管Ta101和Ta102未激活且選擇晶體管Tb101激活，使得電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101的柵極和漏極具有相同的電壓且有電流流動。由于選擇晶體管Ta 102未激活且選擇晶體管Tb102激活，所以電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc102的柵極和漏極具有相同的電壓且有電流流動。另一方面，選擇晶體管Ta103至Ta10K激活且選擇晶體管Tb103至Tb10K未激活，使得電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc103至Tc10K的柵極具有與內(nèi)部電源節(jié)點Vdd相同的電壓且無電流流動。因此，參考電流Iref只是流過電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101和Tc102。以此方式，在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc101的柵極處生成的柵極電壓Vid和在電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管Tc102的柵極處生成的柵極電壓Vid都輸入到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的柵極。
以此方式，根據(jù)數(shù)據(jù)信號DATA模擬了在條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)，從而調(diào)整輸入到電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R的柵極電壓Vid的電壓值。
<效果>
如上所述，條件控制電路1014調(diào)整了電流電壓轉(zhuǎn)換單元1011的性能，從而允許電流驅(qū)動器在這樣的條件(最佳條件)下操作，在此條件下使得驅(qū)動晶體管T105a和T105b的輸出電流Iout的狀態(tài)最優(yōu)化。
另外，如果基于模擬的結(jié)果通過熔斷包括在條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M來存儲控制信號CTa101至CTa10K和CTb101至CTb10K的輸出狀態(tài)，則可以保持當(dāng)輸出電流Iout處于最佳狀態(tài)時的條件。
第十一實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖11說明了根據(jù)本發(fā)明第十一實施方式的電流驅(qū)動器11的整體結(jié)構(gòu)。電流驅(qū)動器11包括電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和1101L，代替圖2中所示的電流電壓轉(zhuǎn)換晶體管T101R和T101L。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖2中所示的相同。
電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L連接在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N101之間。因此，在節(jié)點N101處生成參考電壓Vref，其電壓值取決于參考電流Iref的電流值和電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L的電阻值。
電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點N103之間，并與偏置電壓生成晶體管T104串聯(lián)連接。漏極電流Id流過電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和偏置電壓生成晶體管T104，該漏極電流Id取決于電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R的電阻值和偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值。在節(jié)點N103處生成比較電壓Vrb，其電壓值取決于電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R中的電壓降。
差分放大器103在其非反向輸入端子處接收在節(jié)點N103處生成的比較電壓Vrb在其反向輸入端子處接收電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L所生成的參考電壓Vref。差分放大器103輸出偏置電壓Vbias，其電壓值取決于所接收的比較電壓Vrb的電壓值和參考電壓Vref的電壓值之間的差。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖11中所示的電流驅(qū)動器11的操作。
首先，參考電流Iref流過連接到參考電流源REF的電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L。在電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L中產(chǎn)生電壓降，其取決于參考電流Iref的電流值和電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L的電阻值，從而根據(jù)該電壓降在節(jié)點N101處生成參考電壓Vref。
另一方面，在偏置電壓生成晶體管T104中流動的漏極電流Id流過電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R。根據(jù)漏極電流Id的電流值和電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R的電阻值產(chǎn)生電壓降，從而根據(jù)該電壓降在節(jié)點N103處生成比較電壓Vrb。
然后，差分放大器103向柵極線G104輸出偏置電壓Vbias，該偏置電壓Vbias的電壓值取決于在差分放大器103的非反向輸入端子處接收的比較電壓Vrb和在其反向輸入端子處接收的參考電壓Vref。向柵極線G104輸入的該偏置電壓Vbias輸入到偏置電壓生成晶體管T104的柵極和驅(qū)動晶體管T105a和T105b的柵極。
隨后，在驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個中，取決于輸入到其柵極的偏置電壓Vbias的電壓值的輸出電流Iout流過。因此輸出電流Iout流過顯示元件電路(未示出)。
另一方面，偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值依賴于施加到偏置電壓生成晶體管T104的柵極上的偏置電壓Vbias的電壓值而變化，從而在偏置電壓生成晶體管T104(和電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R)中流過的漏極電流Id的電流值依賴于輸入到偏置電壓生成晶體管T104的柵極上的偏置電壓Vbias的電壓值而變化。偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻值的變化引起在節(jié)點N103處生成的比較電壓Vrb的電壓值發(fā)生變化。漏極電流Id的電流值的變化引起電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R中的電壓降的程度發(fā)生變化，從而在節(jié)點N103處生成的比較電壓Vrb的電壓值也發(fā)生變化。
現(xiàn)在，將描述流過電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R的漏極電流Id的電流值小于流過電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L的參考電流Iref的電流值的情況。
在此情況下，電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R中的電壓降比在漏極電流Id的電流值等于參考電流Iref的電流值的情況下小，從而在節(jié)點N103處生成的比較電壓Vrb的電壓值大于在節(jié)點N101處生成的參考電壓Vref的電壓值。因此，從差分放大器103輸出的偏置電壓Vbias的電壓值大于在比較電壓Vrb和參考電壓Vref彼此相等的情況下輸出的偏置電壓Vbias的電壓值。這減小了偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值。作為結(jié)果，流過電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和偏置電壓生成晶體管T104的漏極電流Id的電流值增加。漏極電流Id的電流值的增加使電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R中的電壓降的程度增加，所以在節(jié)點N103處生成的比較電壓Vrb的電壓值減小。
現(xiàn)在，將描述流過電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R的漏極電流Id的電流值大于流過電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L的參考電流Iref的電流值的情況。
在此情況下，電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R中的電壓降比在漏極電流Id的電流值等于參考電流Iref的電流值的情況下大，從而在節(jié)點N103處生成的比較電壓Vrb的電壓值小于在節(jié)點N101處生成的參考電壓Vref的電壓值。因此，從差分放大器103輸出的偏置電壓Vbias的電壓值小于在比較電壓Vrb和參考電壓Vref彼此相等的情況下輸出的偏置電壓Vbias的電壓值。這增大了偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值。作為結(jié)果，流過電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和偏置電壓生成晶體管T104的漏極電流Id的電流值減小。漏極電流Id的電流值的減小使電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R中的電壓降的程度減小，所以在節(jié)點N103處生成的比較電壓Vrb的電壓值增大。
以此方式，偏置電壓生成晶體管T104的溝道電阻的電阻值的增大/減小使得漏極電流Id的電流值更接近于參考電流Iref的電流值。
為使輸出電流Iout的電流值為參考電流Iref的電流值的兩倍，只需要使電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R的電阻值為電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L的電阻值的一半。在此情況下，當(dāng)在電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和偏置電壓生成晶體管T104中流過的漏極電流Id的電流值加倍時，在節(jié)點N103處生成的比較電壓Vrb的電壓值與參考電壓Vref的電壓值變得彼此相等。即使當(dāng)偏置電壓生成晶體管T104和驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個所形成的電流鏡的鏡比設(shè)定為“1∶2”時，也可以以同樣的方式使輸出電流Iout的電流值為參考電流Iref的電流值的兩倍。
<效果>
如上所述，驅(qū)動晶體管T105a和T105b的每一個根據(jù)從差分放大器103輸出的偏置電壓Vbias生成輸出電流Iout。差分放大器103具有低輸出阻抗，所以差分放大器103中產(chǎn)生的電壓降小。因此，與常規(guī)電流驅(qū)動器相比可以更有效地利用電能。
差分放大器103具有高輸入阻抗，所以向電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和1101L施加的電負(fù)載小。
本實施方式的電流驅(qū)動器11接收參考電流Iref并利用參考電流Iref輸出輸出電流Iout。因此，當(dāng)這樣的電流驅(qū)動器11串聯(lián)布置時，電流驅(qū)動器的每一個接收來自前級電流驅(qū)動器的輸出電流Iout作為參考電流Iref，從而配置出大規(guī)模電流驅(qū)動設(shè)備。
第十二實施方式<電阻變化的影響>
當(dāng)電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R的電阻值和電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L的電阻值彼此不同時，參考電壓Vref和比較電壓Vrb總是彼此不同。例如，當(dāng)比較電壓Vrb比參考電壓Vref高時，由差分放大器103所生成的偏置電壓Vbias的電壓值大于偏置電壓Vbias本來應(yīng)該的電壓值。因此，電流驅(qū)動器的輸出電流Iout總是大于參考電流Iref。如果由于以此方式的晶體管的特性變化，使輸出電流Iout中的誤差傾向于一個方向，那么在驅(qū)動使用多個電流驅(qū)動器的顯示面板時，顯示面板的發(fā)光亮度會明顯改變。
<整體結(jié)構(gòu)>
圖12說明了根據(jù)本發(fā)明第十二實施方式的電流驅(qū)動器12的整體結(jié)構(gòu)。除了在圖11中所示的電流驅(qū)動器11的部件之外，電流驅(qū)動器12包括晶體管切換部分1201和差分放大器切換部分1202。在晶體管切換部分1201中，輸入/輸出端子Xa連接到參考電流源REF，輸入/輸出端子Xb連接到偏置電壓生成晶體管T104的漏極，輸入/輸出端子Ya連接到節(jié)點N101，輸入/輸出端子Yb連接到節(jié)點N103。在差分放大器切換部分1202中，輸入/輸出端子Xa連接到差分放大器103的反向輸入端子，輸入/輸出端子Xb連接到差分放大器103的非反向輸入端子，輸入/輸出端子Ya連接到節(jié)點N101，輸入/輸出端子Yb連接到節(jié)點N103。在晶體管切換部分1201和差分放大器切換部分1202的每一個中，依照外部輸入的控制信號S，輸入/輸出端子Xa和Xb之一連接到輸入/輸出端子Ya，并且另一個連接到輸入/輸出端子Yb。即，在電流驅(qū)動器12中，電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L的位置可以有規(guī)律地彼此替換。
<切換部分1201和1202的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>
現(xiàn)在，將描述圖12中所示的晶體管切換部分1201和差分放大器切換部分1202的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。晶體管切換部分1201和差分放大器切換部分1202具有相同的結(jié)構(gòu)，因此作為代表在圖13中對晶體管切換部分1201的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行說明。
晶體管切換部分1201包括切換晶體管T1201an，T1201ap，T1201bn，T1201bp，T1201cn，T1201cp，T1201dn和T1201dp?？刂菩盘朣包括控制信號SN，SP，NSN和NSP。
切換晶體管T1201an和T1201ap并聯(lián)設(shè)置在輸入/輸出端子Xa和輸入/輸出端子Yb之間?？刂菩盘朜SN輸入到切換晶體管T1201an的柵極，控制信號NSP輸入到切換晶體管T1201ap的柵極。
切換晶體管T1201bn和T1201bp并聯(lián)設(shè)置在輸入/輸出端子Xa和輸入/輸出端子Ya之間。控制信號SN輸入到切換晶體管T1201bn的柵極，控制信號SP輸入到切換晶體管T1201bp的柵極。
切換晶體管T1201cn和T1201cp并聯(lián)設(shè)置在輸入/輸出端子Xb和輸入/輸出端子Ya之間。控制信號NSN輸入到切換晶體管T1201cn的柵極，控制信號NSP輸入到切換晶體管T1201cp的柵極。
切換晶體管T1201dn和T1201dp并聯(lián)設(shè)置在輸入/輸出端子Xb和輸入/輸出端子Yb之間?？刂菩盘朣N輸入到切換晶體管T1201dn的柵極，控制信號SP輸入到切換晶體管T1201dp的柵極。
<操作>
現(xiàn)在，將參照圖14描述圖12和13中所示的晶體管切換部分1201的操作。
在T1時刻，控制信號SN上升到H電平，且控制信號SP下降到L電平。這將激活切換晶體管T1201bn，T1201bp，T1201dn和T1201dp。因為控制信號NSN處于L電平且控制信號NSP處于H電平，所以切換晶體管T1201an，T1201ap，T1201cn和T1201cp去激活。因此，輸入/輸出端子Xa連接到輸入/輸出端子Ya，并且輸入/輸出端子Xb連接到輸入/輸出端子Yb。以此方式，節(jié)點N101連接到參考電流源REF和差分放大器103的反向輸入端子，并且節(jié)點N103連接到偏置電壓生成晶體管T104的漏極和差分放大器103的非反向輸入端子(見圖12)，從而由電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L生成參考電壓Vref，由電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R生成比較電壓Vrb。
在T2時刻，控制信號SN下降到L電平，且控制信號SP上升到H電平。這將去激活切換晶體管T1201bn，T1201bp，T1201dn和T1201dp。因此，輸入/輸出端子Xa和Xb未連接到任何輸入/輸出端子Ya和Yb。
在T3時刻，控制信號NSN上升到H電平且控制信號NSP下降到L電平。這將激活切換晶體管T1201an，T1201ap，T1201cn和T1201cp。因此，輸入/輸出端子Xa連接到輸入/輸出端子Yb，且輸入/輸出端子Xb連接到輸入/輸出端子Ya。以此方式，節(jié)點N103連接到參考電流源REF和差分放大器103的反向輸入端子，并且節(jié)點N 101連接到偏置電壓生成晶體管T104的漏極和差分放大器103的非反向輸入端子(見圖12)，所以由電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R生成參考電壓Vref，由電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101L生成比較電壓Vrb。
在T4時刻，控制信號NSN下降到L電平且控制信號NSP上升到H電平。這將去激活切換晶體管T1201an，T1201ap，T1201cn和T1201cp。因此，輸入/輸出端子Xa和Xb未連接到任何輸入/輸出端子Ya和Yb。
<切換的定時>
控制信號S(控制信號SN，SP，NSN和NSP)的信號電平可以在任意的定時切換，但優(yōu)選有規(guī)律地切換。例如，如果控制信號SN，SP，NSN和NSP的信號電平在每一幀切換，則輸出電流Iout的電流值改變的定時與顯示面板上顯示圖像的切換定時相一致，從而顯示面板上的亮度的改變將變得不明顯。
控制信號SN，SP，NSN和NSP的信號電平的切換可以在垂直消隱周期內(nèi)進行。
<效果>
如上所述，電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和1101L的位置根據(jù)控制信號SN，SP，NSN和NSP彼此相互替換，從而可以平衡由于電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R和1101L之間特性差異引起的誤差。以此方式，從電流驅(qū)動器12輸出到顯示元件電路的輸出電流Iout中的誤差不傾向于一個方向，從而減小了顯示面板發(fā)光亮度的變化。
切換控制信號SN，SP，NSN和NSP的信號電平，使得提供其中所有的切換晶體管去激活的周期，從而可以進行穩(wěn)定的切換操作，而不產(chǎn)生參考電流源REF和節(jié)點N103之間以及參考電流源REF和偏置電壓生成晶體管T104之間的短路。
在顯示面板中，用于切換輸出電流Iout的電流值的區(qū)域優(yōu)選較小。例如，輸出電流Iout的電流值優(yōu)選對每一條線切換。那么，可以進一步抑制顯示面板上的發(fā)光亮度改變。
第十三實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖15說明了根據(jù)本發(fā)明第十三實施方式的電流驅(qū)動器13的整體結(jié)構(gòu)。除了在圖11中所示的電流驅(qū)動器11的部件之外，電流驅(qū)動器13包括圖5中所示的箝位電壓供給端子501和電壓箝位晶體管T502。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖11中所示的相同。電壓箝位晶體管T502設(shè)置在節(jié)點N103和偏置電壓生成晶體管T104之間，并在其柵極處接收來自箝位電壓供給端子501的箝位電壓Vx。
<操作>
圖15中所示的電壓箝位晶體管T502的操作與第五實施方式中(圖5)的相同。
<效果>
如上所述，使得偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓等于驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓，從而減小了由于驅(qū)動晶體管T105a和T105b中的漏極電壓依賴性引起的誤差。
第十四實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖16說明了根據(jù)本發(fā)明第十四實施方式的電流驅(qū)動器14的整體結(jié)構(gòu)。除了圖15中所示的電流驅(qū)動器13的部件之外，電流驅(qū)動器14包括圖7中所示的輸出電壓箝位晶體管T701a和T701b。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖15中所示的相同。
<漏極電壓的調(diào)整>
圖16中所示的電壓箝位晶體管T502和輸出電壓箝位晶體管T701a和T701b的操作與第七實施方式中(圖7)的相同。
<效果>
如上所述，使得偏置電壓生成晶體管T104的漏極電壓基本上等于驅(qū)動晶體管T105a和T105b的漏極電壓，從而減小了由于驅(qū)動晶體管T105a和T105b中的漏極電壓依賴性引起的誤差。
第十五實施方式<整體結(jié)構(gòu)>
圖17說明了根據(jù)本發(fā)明第十五實施方式的電流驅(qū)動器15的整體結(jié)構(gòu)。電流驅(qū)動器15包括偏置電壓調(diào)整部分1501，代替圖11中所示的電流電壓轉(zhuǎn)換電阻1101R。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖11中所示的相同。偏置電壓調(diào)整部分1501生成比較電壓Vrb其電壓值取決于偏置電壓調(diào)整部分1501的電阻值和流過偏置電壓生成晶體管T104的漏極電流Id的電流值。偏置電壓調(diào)整部分1501的電阻值可以設(shè)定為任意值。
<偏置電壓調(diào)整部分1501的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>
圖17中所示的偏置電壓調(diào)整部分1501包括電流電壓轉(zhuǎn)換單元1511；電阻調(diào)整單元1512；供電電源912；條件存儲單元913；和條件控制電路1514。
電流電壓轉(zhuǎn)換單元1511包括K個電流電壓轉(zhuǎn)換電阻R151至R15K。電流電壓轉(zhuǎn)換電阻R151至R15K串聯(lián)設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點Nd15K之間。電流電壓轉(zhuǎn)換電阻R151至R15K的每一個設(shè)置在與其關(guān)聯(lián)的節(jié)點Nd151至Nd15K中的兩個之間。
電阻調(diào)整單元1512包括K個選擇晶體管Ta151至Ta15K和K個選擇晶體管Tb151至Tb15K。選擇晶體管Ta151至Ta15K與選擇晶體管Tb151至Tb15K以一一對應(yīng)的關(guān)系關(guān)聯(lián)。選擇晶體管Ta151至Ta15K和Tb151至Tb15K設(shè)置在差分放大器103的非反向輸入端子和偏置電壓生成晶體管T104之間。選擇晶體管Ta151至Ta15K設(shè)置在偏置電壓生成晶體管T104和相應(yīng)的節(jié)點Nc151至Nc15K之間，并在其柵極處接收來自條件控制電路1514的控制信號CT151至CT15K。選擇晶體管Tb151至Tb15K設(shè)置在相應(yīng)的節(jié)點Nc151至Nc15K和差分放大器103的非反向輸入端子之間，并在其柵極處接收來自條件控制電路1514的控制信號CT151至CT15K。節(jié)點Nc151至Nc15K連接到相應(yīng)的節(jié)點Nd151至Nd15K。
當(dāng)控制信號CT151至CT15K處于L電平時，這些信號是用于激活選擇晶體管Ta151至Ta15K和Tb151至Tb15K(pMOS晶體管)的電壓，反之，當(dāng)控制信號CT151至CT15K處于H電平時，這些信號是用于去激活選擇晶體管Ta151至Ta15K和Tb151至Tb15K的電壓。
通過利用選擇晶體管Ta151至Ta15K和Tb151至Tb15K將電流電壓轉(zhuǎn)換電阻R151至R15K任意地連接到偏置電壓生成晶體管T104的漏極以及連接到差分放大器103的非反向輸入端子，從而可以將偏置電壓調(diào)整部分1501的電阻值設(shè)定在任意值。
供電電源912與圖9中所示的相同。
條件存儲單元913與圖9中所示的相同。在此實施方式中，假設(shè)條件存儲單元913存儲代表將要從節(jié)點Nd151至Nd15K中選擇的節(jié)點的二進制數(shù)據(jù)。例如，當(dāng)熔斷器h91熔斷且其他熔斷器h92至h9M未熔斷時，條件存儲單元913存儲說明將要選擇的節(jié)點是“節(jié)點Nd151”的數(shù)據(jù)。另一方面，當(dāng)熔斷器h91和h92熔斷且其他熔斷器h93至h9M未熔斷時，條件存儲單元913存儲說明將要選擇的節(jié)點是“節(jié)點Nd153”的數(shù)據(jù)。
如條件控制電路914那樣，條件控制電路1514根據(jù)從電路外部輸入的控制信號CONT進入條件固定模式或模擬模式。
在條件固定模式中，如條件控制電路914那樣，條件控制電路1514解碼存儲于條件存儲單元913中的二進制數(shù)據(jù)，從而輸出控制信號CT1501至CT150K。例如，當(dāng)在條件存儲單元913中的熔斷器91h熔斷時，條件控制電路1514設(shè)定控制信號CT151為L電平以及其他控制信號CT152至CT15K為H電平。
在模擬模式中，如條件控制電路914那樣，條件控制電路1514根據(jù)從電路外部輸入的數(shù)據(jù)信號DATA模擬條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)，從而輸出控制信號CT151至CT15K。例如，當(dāng)用于模擬熔斷器h91熔斷的狀態(tài)的數(shù)據(jù)信號DATA輸入到條件控制電路1514中時，條件控制電路1514設(shè)定控制信號CT151為L電平以及其他控制信號CT152至CT15K為H電平。另一方面，當(dāng)用于模擬熔斷器h91和h92熔斷的狀態(tài)的數(shù)據(jù)信號DATA輸入到條件控制電路1514中時，條件控制電路1514設(shè)定控制信號CT153為L電平以及其他控制信號CT151，CT152和CT154至CT15K為H電平。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖17中所示的偏置電壓調(diào)整部分1501的操作。
當(dāng)接收到要求切換到條件固定模式的控制信號CONT時，條件控制電路1514進入條件固定模式。然后，條件控制電路1514將包括在條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M的每一個的一個端子連接到條件控制電路1514本身，并讀取由熔斷器的狀態(tài)(即，熔斷或未熔斷)表示的二進制數(shù)據(jù)。隨后，條件控制電路1514解碼已讀出的二進制數(shù)據(jù)，并向選擇晶體管Ta151至Ta15K和Tb151至Tb15K的柵極輸出控制信號CT151至CT15K。
在此情況下，當(dāng)熔斷器h91熔斷時，條件控制電路1514設(shè)定控制信號CT151為L電平(激活)以及控制信號CT152至CT15K為H電平(去激活)。因此，激活選擇晶體管Ta151和Tb151，使得電流電壓轉(zhuǎn)換電阻R151的端子之一連接到差分放大器103的非反向輸入端子和偏置電壓生成晶體管T104的漏極。因此，在偏置電壓生成晶體管T104的漏極處生成取決于電流電壓轉(zhuǎn)換電阻R151的電阻值的比較電壓Vrb。
以此方式，再現(xiàn)了在條件存儲單元913中存儲的控制信號CT151至CT15K的輸出狀態(tài)。另外，保持了這些輸出狀態(tài)。
另一方面，當(dāng)接收到要求切換到模擬模式的控制信號CONT時，條件控制電路1514進入模擬模式。然后，條件控制電路1514根據(jù)數(shù)據(jù)信號DATA輸出控制信號CT151至CT15K。
在此情況下，當(dāng)用于模擬熔斷器h92熔斷的狀態(tài)的數(shù)據(jù)信號DATA輸入到條件控制電路1514時，條件控制電路1514設(shè)定控制信號CT152為L電平(激活)以及控制信號CT151和CT153至CT15K為H電平(去激活)。因此，激活選擇晶體管Ta152和Tb152，使得電流電壓轉(zhuǎn)換電阻R152的端子之一連接到差分放大器103的非反向輸入端子和偏置電壓生成晶體管T104的漏極。因此，在偏置電壓生成晶體管T104的漏極處生成取決于電流電壓轉(zhuǎn)換電阻R151和R152的電阻值的比較電壓Vrb。
以此方式，調(diào)整偏置電壓生成晶體管T104處生成的漏極電壓的電壓值。
<效果>
如上所述，條件控制電路1514調(diào)整了電流電壓轉(zhuǎn)換單元1511的性能，所以允許電流驅(qū)動器在這樣的條件(最佳條件)下操作，在此條件中使來自驅(qū)動晶體管T105a和T105b的輸出電流Iout的狀態(tài)最優(yōu)化。
另外，如果基于模擬的結(jié)果通過熔斷包括在條件存儲單元913中的熔斷器h91至h9M來存儲控制信號CT151至CT15K的輸出狀態(tài)，則可以保持當(dāng)輸出電流Iout處于最佳狀態(tài)時的條件。
第十六實施方式在描述根據(jù)此實施方式的電流驅(qū)動器之前，描述圖1至圖12和圖15至圖17中所示的差分放大器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖1至圖12和圖15至圖17中所示的差分放大器具有相同的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，這樣作為代表對圖1中所示的差分放大器103的內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行描述。
<差分放大器103的內(nèi)部結(jié)構(gòu)>
圖18說明了圖1所示的差分放大器103的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。差分放大器103包括差分放大器單元103a和電流鏡單元103b。
差分放大器單元103a包括電流調(diào)整晶體管Ty；信號線LSinp和LSinn；差分放大器晶體管TdL和TdR。電流調(diào)整晶體管Ty設(shè)置在內(nèi)部電源節(jié)點Vdd和節(jié)點Na103之間，并在其柵極處接收調(diào)整電壓Vy。輸入到反向輸入端子的信號(如，參考電壓Vc，柵極電壓Vid和參考電壓Vref)輸入到信號線LSinn。輸入到非反向輸入端子的信號(如，漏極電壓Vrb和比較電壓Vrb)輸入到信號線LSinp。差分放大器晶體管TdL設(shè)置在節(jié)點Na103與節(jié)點Nop之間，并且其柵極連接到信號線LSinp。因此，電流流過節(jié)點Nop，該電流取決于通過信號線LSinp輸入到差分放大器晶體管TdL的柵極的信號。差分放大器晶體管TdR設(shè)置在節(jié)點Na103與節(jié)點Non之間，并且其柵極連接到信號線LSinn。因此，電流流過節(jié)點Non，該電流取決于通過信號線LSinn輸入到差分放大器晶體管TdR的柵極的信號。
電流鏡單元103b包括電流鏡晶體管TcL和TcR。電流鏡晶體管TcL設(shè)置在節(jié)點Nop和接地節(jié)點之間。電流鏡晶體管TcR設(shè)置在節(jié)點Non和接地節(jié)點之間。電流鏡晶體管TcL的柵極連接到電流鏡晶體管TcL的漏極和電流鏡晶體管TcR的柵極。在位于節(jié)點Non和電流鏡晶體管TcR之間的節(jié)點Nb103處生成電壓，該電壓取決于差分放大器晶體管TdR的電阻值和電流鏡晶體管TcR的電阻值之間的比。在節(jié)點Nb103處生成的電壓作為偏置電壓Vbias輸出。
<差分放大器103的偏移>
在圖11所示的電流驅(qū)動器11中，如果圖18所示的差分放大器103中的差分放大器晶體管TdR和TdL存在特性差異，則偏置電壓Vbias會增加/減少到此特性差異的程度。例如，如果差分放大器晶體管TdR的電流驅(qū)動能力高于差分放大器晶體管TdL的電流驅(qū)動能力，則偏置電壓Vbias的電壓值會大于偏置電壓Vbias本來應(yīng)該有的值。在此情況下，電流驅(qū)動器的輸出電流Iout總是大于參考電流Iref。如果以此方式輸出電流Iout中的誤差傾向于一個方向，那么在驅(qū)動使用多個電流驅(qū)動器的顯示面板時，顯示面板的發(fā)光亮度會明顯改變。
<此實施方式的結(jié)構(gòu)>
根據(jù)本發(fā)明第十六實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)，除差分放大器103的內(nèi)部結(jié)構(gòu)外，均與圖11中所示的相同。本實施方式中使用的差分放大器包括圖19中所示的差分放大器單元1603a，代替圖18中所示的差分放大器單元103a。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖18中所示的相同。圖19中所示的差分放大器單元1603a，除圖18中所示的差分放大器單元103a的部件之外，包括切換晶體管TLr1，TLnr1，TRr1，TRnr1，TLr2，TLnr2，TRr2和TRnr2。
切換晶體管TLr1和TLnr1串聯(lián)設(shè)置在信號線LSinp和信號線LSinn之間。切換晶體管TLr1設(shè)置在信號線LSinp和節(jié)點N1L之間，并在其柵極處接收控制信號R。切換晶體管TLnr1設(shè)置在節(jié)點N1L和信號線LSinn之間，并在其柵極處接收控制信號NR。節(jié)點N1L連接到差分放大器晶體管TdL的柵極。切換晶體管TRr1和TRnr1串聯(lián)設(shè)在信號線LSinp和信號線LSinn之間。切換晶體管TRnr1設(shè)置在信號線LSinp和節(jié)點N1R之間并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管TRr1設(shè)置在節(jié)點N1R和信號線LSinn之間并在其柵極處接收控制信號R。節(jié)點N1R連接到差分放大器晶體管TdR的柵極。
切換晶體管TLr2設(shè)置在差分放大器晶體管TdL和節(jié)點Nop之間，并在其柵極處接收控制信號R。切換晶體管TLnr2設(shè)置在差分放大器晶體管TdL和節(jié)點Non之間，并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管TRnr2設(shè)置在差分放大器晶體管TdR和節(jié)點Nop之間，并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管TRr2設(shè)置在差分放大器晶體管TdR和節(jié)點Non之間，并在其柵極處接收控制信號R。
當(dāng)控制信號R和NR處于L電平時，這些信號是用于激活切換晶體管TLr1，TLnr1，TRr1，TRnr1，TLr2，TLnr2，TRr2和TRnr2(pMOS晶體管)的電壓，反之當(dāng)控制信號R和NR處于H電平時，這些信號是用于去激活切換晶體管TLr1，TLnr1，TRr1，TRnr1，TLr2，TLnr2，TRr2和TRnr2(pMOS晶體管)的電壓。例如，當(dāng)控制信號R和NR處于L電平時，這些信號是低于電壓(Vddmax-Vtp)的電壓，此電壓(Vddmax-Vtp)是通過由內(nèi)部電源的最大電壓Vddmax減去pMOS晶體管的閾值電壓Vtp獲得的。當(dāng)控制信號R和NR處于H電平時，這些信號是等于內(nèi)部電源的最大電壓Vddmax的電壓。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖19中所示的差分放大器單元1603a的操作。
首先，設(shè)定控制信號NR為H電平(去激活)且設(shè)定控制信號R為L電平(激活)。在此情況下，激活切換晶體管TLr1和TRr1，使得差分放大器晶體管TdL的柵極與信號線LSinp彼此連接以及差分放大器晶體管TdR的柵極與信號線LSinn彼此連接。因此，在差分放大器晶體管TdL中生成取決于輸入到非反向輸入端子的信號的電流以及在差分放大器晶體管TdR中生成取決于輸入到反向輸入端子的信號的電流。
另一方面，激活切換晶體管TLr2和TRr2，使得差分放大器晶體管TdL的漏極與節(jié)點Nop彼此連接以及差分放大器晶體管TdR的漏極與節(jié)點Non彼此連接。因此，在差分放大器晶體管TdL中生成的電流流過節(jié)點Nop以及在差分放大器晶體管TdR中生成的電流流過節(jié)點Non。
以此方式，取決于輸入到非反向輸入端子的信號的電流流過節(jié)點Nop，以及取決于輸入到反向輸入端子的信號的電流流過節(jié)點Non。
另一方面，設(shè)定控制信號NR為L電平(激活)且設(shè)定控制信號R為H電平(去激活)。在此情況下，激活切換晶體管TLnr1和TRnr1，使得差分放大器晶體管TdL的柵極與信號線LSinn彼此連接以及差分放大器晶體管TdR的柵極與信號線LSinp彼此連接。因此，在差分放大器晶體管TdL中生成取決于輸入到反向輸入端子的信號的電流以及在差分放大器晶體管TdR中生成取決于輸入到非反向輸入端子的信號的電流。
另外，激活切換晶體管TLnr2和TRnr2，使得差分放大器晶體管TdL的漏極與節(jié)點Non彼此連接以及差分放大器晶體管TdR的漏極與節(jié)點Nop彼此連接。因此，在差分放大器晶體管TdL中生成的電流流過節(jié)點Non以及在差分放大器晶體管TdR中生成的電流流過節(jié)點Nop。
以此方式，取決于輸入到非反向輸入端子的信號的電流流過節(jié)點Nop，以及取決于輸入到反向輸入端子的信號的電流流過節(jié)點Non。
<切換的定時>
控制信號R和NR的信號電平可以在任意的定時切換，但優(yōu)選有規(guī)律地切換。例如，如果控制信號R和NR的信號電平在每一幀切換，則輸出電流Iout的電流值改變的定時與顯示面板上顯示圖像的切換定時相一致，所以顯示面板上的亮度改變將變得不明顯。
控制信號R和NR的信號電平的切換可以在垂直消隱周期內(nèi)進行。
<效果>
如上所述，差分放大器晶體管TdR和TdL的位置根據(jù)控制信號R和NR彼此相互替換，從而可以平衡由于差分放大器晶體管TdR和TdL之間特性差異引起的誤差。以此方式，從電流驅(qū)動器輸出到顯示元件電路的輸出電流Iout中的誤差不傾向于一個方向，從而減小了顯示面板的發(fā)光亮度的變化。
在圖18中，例如，使用p型晶體管作為差分放大器晶體管TdR和TdL，以及使用n型晶體管作為電流鏡晶體管TcL和TcR。作為選擇，可以使用n型晶體管作為差分放大器晶體管TdR和TdL，以及可以使用p型晶體管作為電流鏡晶體管TcL和TcR。在這樣的情況下，只需要，例如，適當(dāng)?shù)馗淖兛刂菩盘柡途€路。
可以采用這樣的結(jié)構(gòu)，其中帶有用于穩(wěn)定偏置電壓Vbias的電壓值的輸出部分。
第十七實施方式<差分放大器103的偏移>
在圖18所示的差分放大器中，如果電流鏡晶體管TcR和TcL存在特性差異，則在圖11所示的結(jié)構(gòu)中，偏置電壓Vbias會增加/減少到此特性差異的程度。例如，如果電流鏡晶體管TcL的電流驅(qū)動能力高于電流鏡晶體管TcR的電流驅(qū)動能力，則偏置電壓Vbias的電壓值會大于偏置電壓Vbias本來應(yīng)該有的值。在此情況下，電流驅(qū)動器的輸出電流Iout總是大于參考電流Iref。如果由于以此方式的晶體管之間的特性差異，使輸出電流Iout中的誤差傾向于一個方向，那么在驅(qū)動使用多個電流驅(qū)動器的顯示面板時，顯示面板的發(fā)光亮度會明顯改變。
<整體結(jié)構(gòu)>
根據(jù)本發(fā)明第十七實施方式的電流驅(qū)動器的整體結(jié)構(gòu)，除差分放大器103的內(nèi)部結(jié)構(gòu)外，均與圖11中所示的相同。用于本實施方式中的差分放大器包括圖20中所示的電流鏡單元1703b，代替圖18中所示的電流鏡單元103b。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖18中所示的相同。圖20中所示的電流鏡單元1703b，除圖18中所示的電流鏡單元103b的部件之外，包括切換晶體管TLr3，TLnr3，TRr3，TRnr3，TLr4，TLnr4，TRr4和TRnr4。
切換晶體管TLnr3設(shè)置在節(jié)點Nop和節(jié)點N3L之間并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管TLr3設(shè)置在節(jié)點Non和節(jié)點N3L之間并在其柵極處接收控制信號R。切換晶體管TRr3設(shè)置在節(jié)點Nop和節(jié)點N3R之間并在其柵極處接收控制信號R。切換晶體管TRnr3設(shè)置在節(jié)點Non和節(jié)點N3R之間并在其柵極處接收控制信號NR。
節(jié)點N4L1和N4L2與電流鏡晶體管TcL串聯(lián)設(shè)置在節(jié)點N3L和接地節(jié)點之間。節(jié)點N4L1設(shè)置在節(jié)點N3L和節(jié)點N4L2之間。節(jié)點N4L2設(shè)置在節(jié)點N4L1和電流鏡晶體管TcL之間。電流鏡晶體管TcL設(shè)置在節(jié)點N4L2和接地節(jié)點之間并且其柵極連接到節(jié)點N4c。
節(jié)點N4R1和N4R2與電流鏡晶體管TcR串聯(lián)設(shè)置在節(jié)點N3R和接地節(jié)點之間。節(jié)點N4R1設(shè)置在節(jié)點N3R和節(jié)點N4R2之間。節(jié)點N4R2設(shè)置在節(jié)點N4R1和電流鏡晶體管TcR之間。電流鏡晶體管TcR設(shè)置在節(jié)點N4R2和接地節(jié)點之間并且其柵極連接到節(jié)點N4c。
切換晶體管TLr4和TRnr4串聯(lián)設(shè)置在節(jié)點N4L1和節(jié)點N4R1之間。切換晶體管TLr4設(shè)置在節(jié)點N4L1和節(jié)點N4a之間并在其柵極處接收控制信號R。切換晶體管TRnr4設(shè)置在節(jié)點N4a和節(jié)點N4R1之間并在其柵極處接收控制信號NR。
切換晶體管TLrn4和TRr4串聯(lián)連接在節(jié)點N4L2和節(jié)點N4R2之間。切換晶體管TLnr4設(shè)置在節(jié)點N4L2和節(jié)點N4b之間并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管TRr4設(shè)置在節(jié)點N4b和節(jié)點N4R2之間并在其柵極處接收控制信號R。節(jié)點N4b連接到節(jié)點N4c。
當(dāng)控制信號R和NR處于L電平時，這些信號是用于激活切換晶體管TLr3，TLnr3，TRr3，TRnr3，TLr4，TLnr4，TRr4和TRnr4(nMOS晶體管)的電壓，反之當(dāng)控制信號R和NR處于H電平時，這些信號是用于去激活切換晶體管TLr3，TLnr3，TRr3，TRnr3，TLr4，TLnr4，TRr4和TRnr4的電壓。例如，當(dāng)控制信號R和NR處于L電平時，這些信號是等于內(nèi)部電源的最小電壓Vddmin的電壓。當(dāng)控制信號R和NR處于H電平時，這些信號是等于或高于電壓(Vddmin+Vtn×2)的電壓(≥Vddmin+Vtn×2)，此電壓(Vddmin+Vtn×2)是通過內(nèi)部電源的最小電壓Vddmin加上兩倍于激活切換晶體管所必需的閾值電壓Vtn的電壓而獲得的。
作為選擇，可以使用pMOS晶體管作為切換晶體管TLr3，TLnr3，TRr3和TRnr3。在此情況下，作為控制信號的施加電壓的激活極性是反過來的(即，L電平為激活和H電平為去激活)，控制信號R施加到切換晶體管TLr3，TRnr3，以及控制信號NR施加到切換晶體管TLnr3，TRr3。當(dāng)作為控制信號的施加電壓處于L電平時，此電壓等于內(nèi)部電源的最小電壓Vddmin，而當(dāng)該電壓處于H電平時，此電壓等于內(nèi)部電源的最大電壓Vddmax。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖20中所示的電流鏡單元1703b的操作。
首先，設(shè)定控制信號NR為H電平(激活)且設(shè)定控制信號R為L電平(去激活)。在此情況下，激活切換晶體管TLnr3和TRnr3，使得節(jié)點Nop與節(jié)點N3L彼此連接以及節(jié)點Non與節(jié)點N3R彼此連接。因此，流過節(jié)點Nop的電流(即，取決于輸入到非反向輸入端子的信號的電流)流過節(jié)點N3L，以及流過節(jié)點Non的電流(即，取決于輸入到反向輸入端子的信號的電流)流過節(jié)點N3R。
另一方面，激活切換晶體管TLnr4，使得電流鏡晶體管TcL的柵極和漏極彼此連接。此外，激活切換晶體管TRnr4，從而輸出在電流鏡晶體管TcR的漏極處生成的電壓作為偏置電壓Vbias。以此方式，形成電流鏡，其中電流鏡晶體管TcL設(shè)置在輸入側(cè)而電流鏡晶體管TcR設(shè)置在輸出側(cè)。
另一方面，設(shè)定控制信號NR為L電平(去激活)且設(shè)定控制信號R為H電平(激活)。在此情況下，激活切換晶體管TLr3和TRr3，使得節(jié)點Non與節(jié)點N3L彼此連接以及節(jié)點Nop與節(jié)點N3R彼此連接。因此，流過節(jié)點Non的電流(即，取決于輸入到反向輸入端子的信號的電流)流過節(jié)點N3L以及流過節(jié)點Nop的電流(即，取決于輸入到非反向輸入端子的信號的電流)流過節(jié)點N3R。
另外，激活切換晶體管TRr4，使得電流鏡晶體管TcR的柵極和漏極彼此連接。此外，激活切換晶體管TLr4，從而輸出在電流鏡晶體管TcL的漏極處生成的電壓作為偏置電壓Vbias。以此方式，形成電流鏡，其中電流鏡晶體管TcR設(shè)置在輸入側(cè)而電流鏡晶體管TcL設(shè)置在輸出側(cè)。
<效果>
如上所述，電流鏡晶體管TcR和TcL的位置根據(jù)控制信號R和NR彼此相互替換，所以可以平衡由于電流鏡晶體管TcR和TcL之間特性差異引起的誤差。以此方式，從電流驅(qū)動器輸出到顯示元件電路的輸出電流Iout中的誤差不傾向于一個方向，所以減小了顯示面板的發(fā)光亮度的變化。
圖19中所示的差分放大器單元1603a可以是組合的。在此情況下，控制信號R和NR的切換定時不是必須彼此一致。
第十八實施方式<結(jié)構(gòu)>
根據(jù)本發(fā)明第十八實施方式的電流驅(qū)動器包括差分放大器1803，代替差分放大器103。結(jié)構(gòu)中的其他部分與圖11中所示的相同。圖21說明用于此實施方式的差分放大器1803的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。圖21中所示的差分放大器1803，除圖18所示的差分放大器103的部件之外，包括切換晶體管TLr5，TLnr5，TRr5，TRnr5，TLr6，TLnr6，TRr6和TRnr6。
切換晶體管TLnr5和TLr5串聯(lián)設(shè)置在信號線LSinp和信號線LSinn之間。切換晶體管TLnr5設(shè)置在信號線LSinp和節(jié)點N5L之間并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管TLr5設(shè)置在節(jié)點N5L和信號線LSinn之間并在其柵極處接收控制信號R。節(jié)點N5L連接到差分放大器晶體管TdL的柵極。
切換晶體管TRr5和TRnr5串聯(lián)設(shè)置在信號線LSinp和信號線LSinn之間。切換晶體管TRr5設(shè)置在信號線LSinp和節(jié)點N5R之間并在其柵極處接收控制信號R。切換晶體管TRnr5設(shè)置在節(jié)點N5R和信號線LSinn之間并在其柵極處接收控制信號NR。節(jié)點N5R連接到差分放大器晶體管TdR的柵極。
節(jié)點N6L1和N6L2串聯(lián)設(shè)置在差分放大器晶體管TdL和電流鏡晶體管TcL之間。節(jié)點N6L1設(shè)置在差分放大器晶體管TdL和節(jié)點N6L2之間。節(jié)點N6L2設(shè)置在節(jié)點N6L1和電流鏡晶體管TcL之間。
節(jié)點N6R1和N6R2串聯(lián)設(shè)置在差分放大器晶體管TdR和電流鏡晶體管TcR之間。節(jié)點N6R1設(shè)置在差分放大器晶體管TdR和節(jié)點N6R2之間。節(jié)點N6R2設(shè)置在節(jié)點N6R1和電流鏡晶體管TcR之間。
切換晶體管TLr6和TLnr6串聯(lián)設(shè)置在節(jié)點N6L1和節(jié)點N6R1之間。切換晶體管TLr6設(shè)置在節(jié)點N6L1和節(jié)點N6a之間并在其柵極處接收控制信號NR。切換晶體管TRnr6設(shè)置在節(jié)點N6a和節(jié)點N6R1之間并在其柵極處接收控制信號R。
切換晶體管TLnr6和TRr6串聯(lián)設(shè)置在節(jié)點N6L2和節(jié)點N6R2之間。切換晶體管TLnr6設(shè)置在節(jié)點N6L2和節(jié)點N6b之間并在其柵極處接收控制信號R。切換晶體管TRr6設(shè)置在節(jié)點N6b和節(jié)點N6R2之間并在其柵極處接收控制信號NR。節(jié)點N6b連接到N6c。
當(dāng)控制信號R和NR處于L電平時，這些信號是用來激活切換晶體管TLr5，TLnr5，TRr5和TRnr5(pMOS晶體管)以及去激活切換晶體管TLr6，TLnr6，TRr6和TRnr6(nMOS晶體管)的電壓。另一方面，當(dāng)控制信號R和NR處于H電平時，這些信號是用來去激活切換晶體管TLr5，TLnr5，TRr5和TRnr5(pMOS晶體管)以及激活切換晶體管TLr6，TLnr6，TRr6和TRnr6(nMOS晶體管)的電壓。例如，當(dāng)控制信號R和NR處于L電平時，這些信號是等于內(nèi)部電源的最小電壓Vddmin的電壓。當(dāng)控制信號R和NR處于H電平時，這些信號是等于內(nèi)部電源的最大電壓Vddmax的電壓。
<操作>
現(xiàn)在，將描述圖21中所示的差分放大器1803的操作。
首先，設(shè)定控制信號NR為L電平且設(shè)定控制信號R為H電平。在此情況下，激活切換晶體管TLnr5和TRnr5，使得差分放大器晶體管TdL的柵極與信號線LSinp彼此連接以及差分放大器晶體管TdR的柵極與信號線LSinn彼此連接。因此，在差分放大器晶體管TdL中生成取決于輸入到非反向輸入端子的信號的電流以及在差分放大器晶體管TdR中生成取決于輸入到反向輸入端子的信號的電流。
另一方面，激活切換晶體管TLnr6，使得電流鏡晶體管TcL的柵極和漏極彼此連接。此外，激活切換晶體管TRnr6，從而輸出在電流鏡晶體管TcR的漏極處生成的電壓作為偏置電壓Vbias。以此方式，形成電流鏡，其中電流鏡晶體管TcL設(shè)置在輸入側(cè)而電流鏡晶體管TcR設(shè)置在輸出側(cè)。
另一方面，設(shè)定控制信號NR為H電平且設(shè)定控制信號R為L電平。在此情況下，激活切換晶體管TLr5和TRr5，使得差分放大器晶體管TdL的柵極與信號線LSinn彼此連接以及差分放大器晶體管TdR的柵極與信號線LSinp彼此連接。因此，在差分放大器晶體管TdL中生成取決于輸入到反向輸入端子的信號的電流以及在差分放大器晶體管TdR中生成取決于輸入到非反向輸入端子的信號的電流。
另外，激活切換晶體管TRr6，使得電流鏡晶體管TcR的柵極和漏極彼此連接。此外，激活切換晶體管TLr6，從而輸出在電流鏡晶體管TcL的漏極處生成的電壓作為偏置電壓Vbias。以此方式，形成電流鏡，其中電流鏡晶體管TcR設(shè)置在輸入側(cè)和電流鏡晶體管TcL設(shè)置在輸出側(cè)。
<效果>
如上所述，差分放大器晶體管TdR和TdL的位置和電流鏡晶體管Tc R和TcL的位置根據(jù)控制信號R和NR彼此相互替換，從而可以平衡由于差分放大器晶體管TdR和TdL之間以及電流鏡晶體管TcR和TcL之間的特性差異引起的誤差。以此方式，從電流驅(qū)動器輸出到顯示元件電路的輸出電流Iout中的誤差不傾向于一個方向，所以減小了顯示面板的發(fā)光亮度的變化。
根據(jù)本發(fā)明的電流驅(qū)動器可用作，例如，電流驅(qū)動的顯示驅(qū)動器，諸如用于有機EL面板的驅(qū)動器。此外，本發(fā)明的電流驅(qū)動器可應(yīng)用為，例如，分為多個電路塊并提供具有同樣電流值的高精度輸出的打印機驅(qū)動器。
權(quán)利要求
1.一種電流驅(qū)動器，輸出一個其電流值取決于參考電流的電流值的輸出電流，所述電流驅(qū)動器包括電流電壓轉(zhuǎn)換器，連接在接收第一電壓的第一節(jié)點和接收第二電壓的第二節(jié)點之間；偏置電壓生成晶體管，設(shè)置在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間，并與所述電流電壓轉(zhuǎn)換器串聯(lián)連接；第三節(jié)點，接收其電壓值取決于所述參考電流的所述電流值的第三電壓；差分放大器，輸出第五電壓，該第五電壓的電壓值取決于互連節(jié)點處的第四電壓與所述第三節(jié)點處的所述第三電壓之間的差，該互連節(jié)點設(shè)置在所述電流電壓轉(zhuǎn)換器和所述偏置電壓生成晶體管之間；和驅(qū)動晶體管，連接在所述第二節(jié)點和輸出所述輸出電流的輸出電流節(jié)點之間，并在其柵極處接收從所述差分放大器輸出的所述第五電壓，所述電流電壓轉(zhuǎn)換器具有給定的電阻值，所述偏置電壓生成晶體管在其柵極處接收從所述差分放大器輸出的所述第五電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動器，其中所述電流電壓轉(zhuǎn)換器包括第一晶體管，連接在所述第一節(jié)點和第四節(jié)點之間，并且該第一晶體管的柵極和漏極彼此連接；和第二晶體管，連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，并且該第二晶體管的柵極連接到所述第一晶體管的所述柵極，所述參考電流在所述第一節(jié)點和所述第四節(jié)點之間流動。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流驅(qū)動器，其中所述第三節(jié)點和所述第四節(jié)點彼此連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流驅(qū)動器，還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換，在所述第一連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述第一晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述第四節(jié)點之間，將所述第一晶體管的所述柵極和漏極彼此連接，將所述第二晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，并將所述第二晶體管的所述柵極連接到所述第一晶體管的所述柵極，在所述第二連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述第二晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述第四節(jié)點之間，將所述第二晶體管的所述柵極和漏極彼此連接，將所述第一晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，并將所述第一晶體管的所述柵極連接到所述第二晶體管的所述柵極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電流驅(qū)動器，其中所述第一和第二晶體管的所述柵極連接到所述第四節(jié)點，所述連接切換部分包括第一切換元件，連接在所述第一晶體管和所述第四節(jié)點之間；第二切換元件，連接在所述第一晶體管和所述互連節(jié)點之間；第三切換元件，連接在所述第二晶體管和所述第四節(jié)點之間；和第四切換元件，連接在所述第二晶體管和所述互連節(jié)點之間，在所述第一連接狀態(tài)中，使所述第一和第四切換元件導(dǎo)通，且使所述第二和第三切換元件截止，在所述第二連接狀態(tài)中，使所述第二和第三切換元件導(dǎo)通，且使所述第一和第四切換元件截止。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動器，其中所述電流電壓轉(zhuǎn)換器包括第一晶體管和偏置電壓調(diào)整部分，所述第一晶體管連接在所述第一節(jié)點和第四節(jié)點之間，并且所述第一晶體管的柵極和漏極彼此連接，所述參考電流在所述第一節(jié)點和所述第四節(jié)點之間流動，所述偏置電壓調(diào)整部分連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，并且所述偏置電壓調(diào)整部分的電阻值取決于在所述第一晶體管的柵極處生成的柵極電壓的電壓值，所述柵極電壓的所述電壓值和取決于所述柵極電壓的所述電壓值的所述偏置電壓調(diào)整部分的所述電阻值之間的關(guān)系是可以任意設(shè)定的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動器，其中所述電流電壓轉(zhuǎn)換器包括第一晶體管和K個第二晶體管，其中K為自然數(shù)，所述第一晶體管連接在所述第一節(jié)點和第四節(jié)點之間，并且所述第一晶體管的柵極和漏極彼此連接，所述K個第二晶體管并聯(lián)連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，所述K個第二晶體管的每一個的柵極連接到所述第一晶體管的所述柵極，所述參考電流在所述第一節(jié)點和所述第四節(jié)點之間流動。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電流驅(qū)動器，還包括控制部分，用于從所述K個第二晶體管中選擇P個第二晶體管，其中P為自然數(shù)且P≤K；和連接部分，用于將由所述控制部分所選擇的所述P個第二晶體管的漏極連接到所述互連節(jié)點。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電流驅(qū)動器，還包括存儲部分，用于存儲關(guān)于由所述控制部分從所述K個第二晶體管中將要選擇的晶體管的數(shù)量的信息，所述控制部分根據(jù)存儲在所述存儲部分中的信息，從所述K個第二晶體管中選擇P個第二晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電流驅(qū)動器，其中所述存儲部分包括多個熔斷器，所述控制部分具有條件固定模式和模擬模式，在所述條件固定模式中，根據(jù)有關(guān)所述熔斷器是否熔斷的所述熔斷器的狀態(tài)，所述控制部分從所述K個第二晶體管中選擇P個第二晶體管，在所述模擬模式中，所述控制部分模擬有關(guān)熔斷器是否熔斷的所述熔斷器的狀態(tài)，由此從所述K個第二晶體管中選擇P個第二晶體管。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動器，其中所述電流電壓轉(zhuǎn)換器包括柵極電壓調(diào)整部分和第一晶體管，所述參考電流在所述第一節(jié)點和第四節(jié)點之間流動，所述柵極電壓調(diào)整部分連接在所述第一節(jié)點和所述第四節(jié)點之間，并生成其電壓值取決于所述參考電流的所述電流值的柵極電壓，所述第一晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，并在其柵極處接收由所述柵極電壓調(diào)整部分所生成的所述柵極電壓，所述參考電流的所述電流值和取決于所述參考電流的所述電流值的由所述柵極電壓調(diào)整部分生成的所述柵極電壓的電壓值之間的關(guān)系是可以任意設(shè)定的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動器，其中所述電流電壓轉(zhuǎn)換器包括K個第一晶體管和一個第二晶體管，其中K為自然數(shù)，所述K個第一晶體管并聯(lián)連接在所述第一節(jié)點和第四節(jié)點之間，所述K個第一晶體管的每一個的柵極和漏極彼此連接，所述第二晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，并且所述第二晶體管的柵極連接到所述第一晶體管的所述柵極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電流驅(qū)動器，還包括控制部分，用于從所述K個第一晶體管中選擇P個第一晶體管，其中P為自然數(shù)且P≤K；和連接部分，用于將由所述控制部分所選擇的所述P個第一晶體管的每一個的柵極和漏極彼此連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電流驅(qū)動器，還包括存儲部分，用于存儲關(guān)于由所述控制部分從所述K個第一晶體管中將要選擇的晶體管的數(shù)量的信息，所述控制部分根據(jù)存儲在所述存儲部分中的所述信息，從所述K個第一晶體管中選擇P個第一晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電流驅(qū)動器，其中所述存儲部分包括多個熔斷器，所述控制部分具有條件固定模式和模擬模式，在所述條件固定模式中，根據(jù)有關(guān)所述熔斷器是否熔斷的所述熔斷器的狀態(tài)，所述控制部分從所述K個第一晶體管中選擇P個第一晶體管，在所述模擬模式中，所述控制部分模擬有關(guān)熔斷器是否熔斷的所述熔斷器的狀態(tài)，由此從所述K個第一晶體管中選擇P個第一晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動器，其中所述電流電壓轉(zhuǎn)換器包括第一電阻，連接在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間；和第二電阻，連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，所述參考電流在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間流動。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電流驅(qū)動器，還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換，在所述第一連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述第一電阻連接在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間，并將所述第二電阻連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，在所述第二連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述第一電阻連接在所述第一節(jié)點和所述互連節(jié)點之間，并將所述第二電阻連接在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的電流驅(qū)動器，其中所述連接切換部分包括第一切換元件，連接在所述第一電阻和所述第三節(jié)點之間；第二切換元件，連接在所述第二電阻和所述第三節(jié)點之間；第三切換元件，連接在所述第一電阻和所述偏置電壓生成晶體管之間；第四切換元件，連接在所述第二電阻和所述偏置電壓生成晶體管之間；第五切換元件，連接在所述第一電阻和所述差分放大器的非反向輸入端子之間；第六切換元件，連接在所述第二電阻和所述差分放大器的所述非反向輸入端子之間；第七切換元件，連接在所述第一電阻和所述差分放大器的反向輸入端子之間；和第八切換元件，連接在所述第二電阻和所述差分放大器的該反向輸入端子之間；在所述第一連接狀態(tài)中，使所述第一，第四，第六和第七切換元件導(dǎo)通，并使所述第二，第三，第五和第八切換元件截止，在所述第二連接狀態(tài)中，使所述第二，第三，第五和第八切換元件導(dǎo)通，并使所述第一，第四，第六和第七切換元件截止。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電流驅(qū)動器，其中所述第二電阻的電阻值可以設(shè)定為任意值。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電流驅(qū)動器，其中所述第二電阻具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中K個第三電阻以階梯形式連接在所述第一節(jié)點和所述第四節(jié)點之間，其中K為自然數(shù)，所述電流驅(qū)動器還包括控制部分，用于在所述K個第三電阻中選擇從所述第一節(jié)點起的第P個第三電阻，其中P為自然數(shù)且P≤K；和連接部分，用于將由所述控制部分所選擇的所述第P個第三電阻連接到所述互連節(jié)點。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電流驅(qū)動器，還包括存儲部分，用于存儲關(guān)于由所述控制部分從所述K個第三電阻中將要選擇的第三電阻的位置的信息，其中所述控制部分根據(jù)存儲在所述存儲部分中的所述信息，在所述K個第三電阻中選擇從所述第一節(jié)點起的第P個第三電阻。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的電流驅(qū)動器，其中所述存儲部分包括多個熔斷器，所述控制部分具有條件固定模式和模擬模式，在所述條件固定模式中，根據(jù)有關(guān)所述熔斷器是否熔斷的所述熔斷器的狀態(tài)，所述控制部分在所述K個第三電阻中選擇從所述第一節(jié)點起的第P個第三電阻，其中P為自然數(shù)且P≤K，在所述模擬模式中，所述控制部分模擬有關(guān)所述熔斷器是否熔斷的所述熔斷器的狀態(tài)，由此在所述K個第三電阻中選擇從所述第一節(jié)點起的第P個第三電阻。
23.根據(jù)權(quán)利要求16所述的電流驅(qū)動器，其中所述差分放大器包括第一晶體管和第三晶體管，串聯(lián)連接在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間；以及第二晶體管和第四晶體管，串聯(lián)連接在所述第一節(jié)點和所述第二節(jié)點之間，所述第一晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述第三晶體管之間，并在其柵極處接收所述互連節(jié)點處的所述第四電壓，所述第二晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述第四晶體管之間，并在其柵極處接收所述第三節(jié)點處的所述第三電壓，所述第三晶體管連接在所述第一晶體管和所述第二節(jié)點之間，并且所述第三晶體管的漏極和柵極彼此連接，所述第四晶體管連接在所述第二晶體管和所述第二節(jié)點之間，并且所述第四晶體管的柵極連接到所述第三晶體管的所述柵極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電流驅(qū)動器，其中所述差分放大器還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換，在所述第一連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述第一晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述第三晶體管之間，將所述第二晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述第四晶體管之間，將所述互連節(jié)點處的所述第四電壓施加到所述第一晶體管的所述柵極，并將所述第三節(jié)點處的所述第三電壓施加到所述第二晶體管的所述柵極，在所述第二連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述第一晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述第四晶體管之間，將所述第二晶體管連接在所述第一節(jié)點和所述第三晶體管之間，將所述互連節(jié)點處的所述第四電壓施加到所述第二晶體管的所述柵極，并將所述第三節(jié)點處的所述第三電壓施加到所述第一晶體管的所述柵極。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的電流驅(qū)動器，其中所述連接切換部分包括第一切換元件，連接在所述互連節(jié)點和所述第一晶體管的所述柵極之間；第二切換元件，連接在所述互連節(jié)點和所述第二晶體管的所述柵極之間；第三切換元件，連接在所述第三節(jié)點和所述第一晶體管的所述柵極之間；第四切換元件，連接在所述第三節(jié)點和所述第二晶體管的所述柵極之間；第五切換元件，連接在所述第一晶體管和所述第三晶體管之間；第六切換元件，連接在所述第一晶體管和所述第四晶體管之間；第七切換元件，連接在所述第二晶體管和所述第三晶體管之間；和第八切換元件，連接在所述第二晶體管和所述第四晶體管之間，在所述第一連接狀態(tài)中，使所述第一，第四，第五和第八切換元件導(dǎo)通，并使所述第二，第三，第六和第七切換元件截止，在所述第二連接狀態(tài)中，使所述第二，第三，第六和第七切換元件導(dǎo)通，并使所述第一，第四，第五和第八切換元件截止。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電流驅(qū)動器，其中所述第三晶體管的所述柵極連接到所述第四晶體管的所述柵極，所述差分放大器還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換，在所述第一連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述第三晶體管連接在所述第一晶體管和所述第二節(jié)點之間，將所述第四晶體管連接在所述第二晶體管和所述第二節(jié)點之間，并將所述第三晶體管的所述柵極和漏極彼此連接，在所述第二連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述第四晶體管連接在所述第一晶體管和所述第二節(jié)點之間，將所述第三晶體管連接在所述第二晶體管和所述第二節(jié)點之間，并將所述第四晶體管的所述柵極和漏極彼此連接。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的電流驅(qū)動器，其中所述連接切換部分包括第一切換元件，連接在所述第一晶體管和所述第三晶體管之間；第二切換元件，連接在所述第一晶體管和所述第四晶體管之間；第三切換元件，連接在所述第二晶體管和所述第三晶體管之間；第四切換元件，連接在所述第二晶體管和所述第四晶體管之間；第五切換元件，連接在所述第三晶體管的所述柵極和漏極之間；第六切換元件，連接在所述第四晶體管的所述柵極和漏極之間；第七切換元件，連接在所述第三晶體管的所述漏極和所述第五節(jié)點之間；和第八切換元件，連接在所述第四晶體管的所述漏極和所述第五節(jié)點之間，在所述第一連接狀態(tài)中，使所述第一，第四，第五和第八切換元件導(dǎo)通，并使所述第二，第三，第六和第七切換元件截止，在所述第二連接狀態(tài)中，使所述第二，第三，第六和第七切換元件導(dǎo)通，并使所述第一，第四，第五和第八切換元件截止。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的電流驅(qū)動器，其中所述第三晶體管的所述柵極連接到所述第四晶體管的所述柵極，所述差分放大器還包括連接切換部分，用于在第一連接狀態(tài)和第二連接狀態(tài)之間切換，在所述第一連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述互連節(jié)點處的所述第四電壓施加到所述第一晶體管的所述柵極，將所述第三節(jié)點處的所述第三電壓施加到所述第二晶體管的所述柵極，并將所述第四晶體管的所述柵極和漏極彼此連接，在所述第二連接狀態(tài)中，所述連接切換部分將所述互連節(jié)點處的所述第四電壓施加到所述第二晶體管的所述柵極，將所述第三節(jié)點處的所述第三電壓施加到所述第一晶體管的所述柵極，并將所述第三晶體管的所述柵極和漏極彼此連接。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的電流驅(qū)動器，其中所述連接切換部分包括第一切換元件，連接在所述第三節(jié)點和所述第一晶體管的所述柵極之間；第二切換元件，連接在所述第三節(jié)點和所述第二晶體管的所述柵極之間；第三切換元件，連接在所述互連節(jié)點和所述第一晶體管的所述柵極之間；第四切換元件，連接在所述互連節(jié)點和所述第二晶體管的所述柵極之間；第五切換元件，連接在所述第三晶體管的所述柵極和漏極之間；第六切換元件，連接在所述第四晶體管的所述柵極和漏極之間；第七切換元件，連接在所述第三晶體管的所述漏極和所述第五節(jié)點之間；和第八切換元件，連接在所述第四晶體管的所述漏極和所述第五節(jié)點之間，在所述第一連接狀態(tài)中，使所述第一，第四，第六和第七切換元件導(dǎo)通，并使所述第二，第三，第五和第八切換元件截止，在所述第二連接狀態(tài)中，使所述第二，第三，第五和第八切換元件導(dǎo)通，并使所述第一，第四，第六和第七切換元件截止。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電流驅(qū)動器，還包括電壓箝位晶體管，連接在所述第一節(jié)點和所述偏置電壓生成晶體管之間，并在其柵極處接收給定的箝位電壓。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的電流驅(qū)動器，還包括輸出電壓箝位晶體管，連接在所述輸出電流節(jié)點和所述驅(qū)動晶體管之間，并且該輸出電壓箝位晶體管的柵極連接到所述電壓箝位晶體管的所述柵極。
32.一種電流驅(qū)動設(shè)備，包括多個串聯(lián)連接的權(quán)利要求3的電流驅(qū)動器，其中在所述電流驅(qū)動器的每一個中，電流在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間流動，該電流的電流值取決于來自前級電流驅(qū)動器中驅(qū)動晶體管的輸出電流的電流值。
33.一種電流驅(qū)動設(shè)備，包括多個串聯(lián)連接的權(quán)利要求16的電流驅(qū)動器，其中在所述電流驅(qū)動器的每一個中，電流在所述第一節(jié)點和所述第三節(jié)點之間流動，該電流的電流值取決于來自前級電流驅(qū)動器中驅(qū)動晶體管的輸出電流的電流值。
全文摘要
電流驅(qū)動器根據(jù)參考電流輸出輸出電流。電流驅(qū)動器包括電流電壓轉(zhuǎn)換器；偏置電壓生成晶體管；差分放大器和驅(qū)動晶體管。該轉(zhuǎn)換器具有給定的電阻值并連接在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間。該偏置電壓生成晶體管設(shè)置在第一節(jié)點和第二節(jié)點之間并與該轉(zhuǎn)換器串聯(lián)連接。該放大器根據(jù)在互連節(jié)點處的電壓和取決于第三節(jié)點處的參考電流的電壓之間的差輸出電壓，其中互連節(jié)點設(shè)置在轉(zhuǎn)換器和偏置電壓生成晶體管之間。驅(qū)動晶體管連接在輸出輸出電流的輸出電流節(jié)點和第二節(jié)點之間并在其柵極處接收來自放大器的電壓。偏置電壓生成晶體管在其柵極處接收來自放大器的電壓。
文檔編號G09G3/20GK1773590SQ200510109
公開日2006年5月17日 申請日期2005年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月8日
發(fā)明者大森哲郎, 伊達(dá)義人, 水木誠 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社