專利名稱：在顯示器中的簡單矩陣尋址的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及平板顯示器領(lǐng)域，尤其涉及由基本元件構(gòu)成的相陣列系統(tǒng)，該基本元件具有激活閾值，結(jié)合足夠短的周期時間，或者采用滯后管理或其它方法的選擇增大，可允許通過和/或電壓連接對其進(jìn)行控制。
背景技術(shù)：
作為較大類別的可控器件的典型，平板顯示器由通常以X-Y矩陣方式排列的大量圖像元件(像素)構(gòu)成。不同的像素設(shè)計(jì)借助于不同的方法來控制單個像素，對于最現(xiàn)代的顯示器技術(shù)而言，例如液晶顯示器，單個像素通常又分解成紅、綠和藍(lán)子像素。有源矩陣尋址通常涉及在各個子像素處的有源器件(晶體管，更具體地說，薄膜晶體管)的使用，以電氣控制顯示器的諸像素?？蛇x擇的最著名的方法是無源矩陣尋址，它在那些容許維持視覺暫留操作的平板顯示器設(shè)計(jì)中利用像素等待時間(視覺暫留)，來避免在整個顯示器中分布晶體管的需要。無源矩陣顯示器雖然價格更便宜，但也被認(rèn)為質(zhì)量較差，因此被認(rèn)為不適用于具有高幀速率的高分辨率和/或視頻顯示器的應(yīng)用。而呈現(xiàn)較好性能的有源矩陣顯示器則由于在顯示器的表面區(qū)域上分布著大量的半導(dǎo)體(通常共計(jì)大于三百萬)，而存在著更加復(fù)雜，建造成本更高，在較大顯示器尺寸方面要承受成品率低的缺點(diǎn)。
因此，本領(lǐng)域需要結(jié)合有源矩陣和無源矩陣尋址的最佳特征的顯示器尋址裝置在較大顯示器尺寸方面的高成品率，在顯示器上完全沒有有源器件(晶體管)，高分辨率能力和適合于視頻成像的高幀速率。

發(fā)明內(nèi)容
通過控制在顯示屏上的電阻電容的時間常數(shù)(下文稱“RC”，表示算術(shù)乘積RC，其中R是電阻，而C是電容)的局部值，上述問題至少可在某些實(shí)施例中得到部分解決。當(dāng)RC局部大時，充電和放電時間同樣也成比例地大。當(dāng)RC局部小時，充電和放電時間同樣也小。通過調(diào)節(jié)串聯(lián)阻抗R的值可控制RC。調(diào)節(jié)串聯(lián)阻抗值的一種直接方式是將大電阻與小電阻和可控開關(guān)相并聯(lián)。當(dāng)開關(guān)開路時，電流只能通過大電阻，產(chǎn)生大的RC值。當(dāng)開關(guān)閉合時，電流通過小的和大的電阻，產(chǎn)生小的RC值。因此，開關(guān)可用于確定RC值方面占主導(dǎo)的R的值。
某些顯示器種類(或其它可尋址的系統(tǒng)，諸如相陣列系統(tǒng))具有足夠高的幀速率(和相對應(yīng)的短的信號周期)，由于充電發(fā)生得太慢而不能使器件局部地激活，例如使給定的像素激活，所以在充電周期期間RC的局部高的值與“斷開”條件是不可區(qū)別的。用同樣的方式，由于放電發(fā)生得太慢而使器件在給定的幀持續(xù)時間不能局部地停止工作，所以在放電期間RC的局部高的值使得放電時間充分延長以致與持續(xù)的“導(dǎo)通”條件是不可區(qū)別的，即使如此，也需要控制沿著行或列的像素之間的交叉泄漏的裝置，以獲得所施加信號的適當(dāng)控制的視覺暫留。在詳細(xì)描述部分揭示了兩種截然不同的視覺暫留增強(qiáng)裝置，以提供所需的附加器件的視覺暫留。一種視覺暫留增強(qiáng)裝置是基于使用多級電壓控制的滯后管理。另一種視覺暫留增強(qiáng)裝置是基于通過完全分開控制整行的電阻來實(shí)現(xiàn)在像素之間的有效RC常數(shù)的行水平擴(kuò)展。
在充電周期期間局部低的RC值為局部器件產(chǎn)生快速的導(dǎo)通周期；在放電周期期間，它為局部器件產(chǎn)生快速的斷開。該系統(tǒng)以X-Y矩陣幾何結(jié)構(gòu)來連接阻抗以獲得在X和Y線交叉處的器件的控制。在表示視覺暫留增強(qiáng)裝置的實(shí)施的地方，可調(diào)用兩種方法中的一種。第一種方法是滯后管理，可在行上采用兩種電壓電平和在列上采用三種電壓電平，以保證局部信號視覺暫留。由于計(jì)量獨(dú)立，只要關(guān)系到物理原則，行和列可作互換處理。在相關(guān)的系統(tǒng)周期中，只要被激活的器件滿足與關(guān)鍵電壓組合相關(guān)滯后行為有關(guān)的某些要求，器件視覺暫留可充分地防止交叉泄漏。第二種方法包括使用能夠較大電控制改變電阻的材料，例如某些摻雜鈣鈦礦(perovskites)的材料，來改變整個長度的行有效電阻。局部RC值從而被擴(kuò)展到像素間級別，對像素間的充電泄漏產(chǎn)生暫時的屏蔽，并將電荷“鎖住”在像素上，從而在相關(guān)的時間周期內(nèi)提供固有的視覺暫留。
適用于該尋址方案的器件呈現(xiàn)出對時間敏感的激活-停止工作閾值，該閾值以前述方式響應(yīng)電容時間常數(shù)RC的局部操縱。若在原色子幀的每個分離的可尋址時間細(xì)分期間(例如，在紅色子周期期間以規(guī)則的間隔)對像素器件尋址，則高RC狀態(tài)只能對局部像素提供不充分的時間，使之難以在該周期內(nèi)以任意方向(充電或放電)越過激勵閾值。若像素只在原色子幀移動期間被尋址(例如，只是在紅色子周期期間的一個導(dǎo)通斷開事件)，這個要求變得更加嚴(yán)厲，對于延長的RC常數(shù)，仍可防止器件在這個更長的時間范圍(由固定的整數(shù)系列的原色子幀的分離可尋址時間細(xì)分構(gòu)成)內(nèi)以任意方向(充電或放電)越過激活閾。
在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，尋址裝置包括第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線。該尋址裝置還可包括第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線，其中第二組導(dǎo)電控制線相對于第一組導(dǎo)電控制線被隔開。此外，第二組導(dǎo)電控制線的平面平行于第一組導(dǎo)電控制線的平面。此外，第二組導(dǎo)電控制線的控制線垂直于第一組導(dǎo)電控制線的控制線。該尋址裝置還包括行選擇裝置，該行選擇裝置配置成選擇性地將串聯(lián)阻抗施加到第一組導(dǎo)電控制線，從而使得阻抗在相對于確定到地的放電路徑的低值和高值之間來回切換。該尋址裝置還包括列選擇裝置，該列選擇裝置配置成選擇性地將驅(qū)動電壓施加到第二組導(dǎo)電線的每一導(dǎo)電線。
前面已經(jīng)寬泛地概述了本發(fā)明一個或多個實(shí)施例的特征和技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，以便可以更好地理解下面本發(fā)明實(shí)施例的詳細(xì)描述。本發(fā)明實(shí)施例的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在構(gòu)成權(quán)利要求書主題的下文中描述。
附圖簡述當(dāng)結(jié)合下面的附圖來考慮下文的詳細(xì)描述時，可更好地理解本發(fā)明，其中

圖1示出了由本發(fā)明的任一實(shí)施例驅(qū)動的典型X-Y矩陣系統(tǒng)；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例、在X-Y矩陣中個體器件以電荷和時間為函數(shù)的激活行為；
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例包括模擬控制的電介質(zhì)去極化和公共列快速放電裝置的電壓連接列驅(qū)動器實(shí)施例的方框邏輯分解；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例包括模擬控制的電介質(zhì)去極化和個體列快速放電裝置的本發(fā)明阻抗連接列驅(qū)動器實(shí)施例的方框邏輯分解；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例、包括邏輯控制的電介質(zhì)去極化和公共列快速放電裝置的本發(fā)明電壓連接列驅(qū)動器實(shí)施例的方框邏輯分解；圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例、包括邏輯控制的電介質(zhì)去極化和個體列快速放電裝置的本發(fā)明阻抗連接列驅(qū)動器實(shí)施例的方框邏輯分解；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高阻抗?fàn)顟B(tài)的充電曲線；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的低阻抗?fàn)顟B(tài)的充電曲線；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高阻抗?fàn)顟B(tài)的放電曲線；圖10示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的低阻抗?fàn)顟B(tài)的放電曲線；圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的連續(xù)模式和脈沖模式驅(qū)動器方案之間的差異；圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例將驅(qū)動并行操作施加給行選擇，使瞬時響應(yīng)要求減輕二分之一，并使在列驅(qū)動器配置中能夠進(jìn)一步并行；圖13提供了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在圖3中揭示的尋址裝置的輸入和輸出的詳盡表格；圖14提供了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在圖4中揭示的尋址裝置的輸入和輸出的詳盡表格；圖15提供了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在圖5中揭示的尋址裝置的輸入和輸出的詳盡表格；圖16提供了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在圖6中揭示的尋址裝置的輸入和輸出的詳盡表格；圖17示出了圖3、4、5和6的方框圖的故障容錯、雙驅(qū)動系統(tǒng)變型，它提供了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例在一行或多行或列中存在電氣不連續(xù)的情況下的系統(tǒng)冗余；圖18示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，需要實(shí)施獲得信號視覺暫留和像素間交叉效應(yīng)的衰減的滯后管理的行或列的代表性的閾電壓；圖19示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例沿著X-Y矩陣系統(tǒng)的每一行實(shí)施整體阻抗控制以提供像素間交叉效應(yīng)的衰減并從而增強(qiáng)器件視覺暫留的方法；圖20示出了示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的平板顯示器的透視圖；圖21A示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例處于停止工作狀態(tài)的像素的側(cè)視圖；圖21B示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例處于激活狀態(tài)的像素的側(cè)視圖；以及圖22示出了根據(jù)本發(fā)明配置的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
在詳細(xì)描述部分揭示了本發(fā)明的兩個不同實(shí)施例。在兩個實(shí)施例中，都是根據(jù)矩陣可尋址顯示器的行實(shí)施了阻抗控制，被選擇的行顯示低的串聯(lián)阻抗，而未被選擇的行顯示高的串聯(lián)阻抗。器件的狀態(tài)變化發(fā)生在選擇的行上，而沒有有效的階段變化試圖發(fā)生在其余未選擇的行上。驅(qū)動系統(tǒng)掃描所有的行(可假定是依次的，盡管這不是固有要求)，重新連接那一行將成為呈現(xiàn)出低阻抗值獨(dú)立行，然后移到要被如此“選擇”的下一行上，將先前選擇的行設(shè)定回高阻抗?fàn)顟B(tài)，其后對矩陣中的每一行周期重復(fù)進(jìn)行該處理。要理解的是，術(shù)語“行”和“列”代表任意指定的標(biāo)志以區(qū)分構(gòu)成X-Y矩陣的兩組線，并且，除了作為相對物之外，本發(fā)明對這種差別沒有任何依賴。使用兩種揭示的視覺暫留增強(qiáng)方法中的任意一種，可調(diào)節(jié)這種基本的變化過程以適應(yīng)被調(diào)用的方法的高要求。
兩個實(shí)施例的不同之處在于它們對饋送到列的視頻數(shù)據(jù)邏輯流的處理不同，盡管它們共有明確的阻抗行選擇系統(tǒng)。在第一個實(shí)施例中，表示電壓連接的列驅(qū)動變量，沿著列引入的并行數(shù)據(jù)與所引入的邏輯位(是1或是0)成比例直接驅(qū)動串聯(lián)列電壓。在一個例子中，比特值為1對應(yīng)于5伏特的電壓，而比特值為0對應(yīng)于接地電勢。在第二個實(shí)施例中，表示阻抗連接的列驅(qū)動變量，沿著列引入的并行數(shù)據(jù)與引入的邏輯位(是1或是0)成反比例直接驅(qū)動串聯(lián)列阻抗。在一個例子中，比特值為1可對應(yīng)于低的串聯(lián)阻抗，而比特值為0可對應(yīng)于高的串聯(lián)阻抗。在這個第二實(shí)施例中，在所討論的周期期間，公共的電壓電勢被施加給所有的列，且充電和放電可由組合的行和列阻抗值來整體操縱，器件周期時域的受限時距的伴隨利用和器件的啟動/激活閾值一起在矩陣中給定的X-Y交叉點(diǎn)處被控制。
總而言之，第一實(shí)施例是以列上面的電壓和行上面的阻抗進(jìn)行操作的，而第二實(shí)施例是以行和列上的阻抗進(jìn)行操作的。
可進(jìn)一步對行和列驅(qū)動器施加有限水平的并行度，以確保系統(tǒng)具有極快尋址速率的功能度。就像素計(jì)數(shù)(對應(yīng)于X和Y控制線重疊部分的像素)而言，有可能選擇兩種矩陣尺寸(X和Y)中較小的尺寸，并將對應(yīng)組的導(dǎo)電跡線細(xì)分為兩組平行的跡線。可將此完成以提供如此實(shí)現(xiàn)的顯示器或相陣列系統(tǒng)的兩半之間的電氣絕緣(或許通過精確地將較短尺寸的導(dǎo)電跡線切為兩半可最好地顯現(xiàn)，盡管不連續(xù)的原位制造可能是規(guī)則)。
假定初始的矩陣尺寸為1600像素×1200像素，對應(yīng)于以空間分開關(guān)系設(shè)置的1600列共面平行導(dǎo)電跡線與另一組1200共面平行的導(dǎo)電跡線，其中行和列分別所處的兩個平面是平行的，行與列的方向成直角，從而構(gòu)成標(biāo)準(zhǔn)的正交矩陣。較小的尺寸1200可等分成兩組600。這可以通過將1600列跡線(不是1200行跡線)的每一條切成兩半來實(shí)現(xiàn)。這用來電氣絕緣各自由600行所組成的兩組行。一旦被電氣絕緣，這兩組行導(dǎo)線可以被同時地和并行尋址，使得兩行(分別為各個子區(qū)域)可在顯示器上被一次選擇，而沒有任何形式的寄生交叉效應(yīng)(不包括行內(nèi)像素之間的交叉效應(yīng)，這通過在此揭示的兩種視覺暫留增強(qiáng)裝置來解決)。在其它有益效果中，該策略將整個系統(tǒng)時間控制要求降低了二分之一。利用絕緣的進(jìn)一步的并行度可用列來實(shí)現(xiàn)，并且不限于一次作為行的細(xì)分的對分。從系統(tǒng)時間控制的觀點(diǎn)出發(fā)，決定性因素是單次對分為兩個并行系統(tǒng)的行尋址機(jī)理。
對于基于阻抗的實(shí)施例，理所當(dāng)然地，呈現(xiàn)出可忽略的電磁特性，并且由于缺少電流環(huán)路，所以對電磁脈沖的干擾具有明顯的抗干擾性。
關(guān)于滯后管理視覺暫留增強(qiáng)方法，用于實(shí)施滯后管理方法的先決條件包括滿足臨界關(guān)系使像素(更一般地說，在矩陣中X-Y交叉點(diǎn)處的器件)激活所需的電壓(Vpull-in)高于需要使像素?cái)嚅_回到其停止工作狀態(tài)的電壓(Vrel)。保持這種基本不等(諸如，在第5,319,491號美國專利中揭示的平板顯示器中)的系統(tǒng)可以是該技術(shù)的合適候選者。在這種情況下，在提供的示例中所要求的性能是因?yàn)閷Σ⑿邪咫娙萜飨到y(tǒng)機(jī)電激活的很高要求所造成的，并行板電容器系統(tǒng)的機(jī)電激活會導(dǎo)致引起器件毀壞(一種可以被這種視覺暫留增強(qiáng)方法所利用的效果)的不穩(wěn)定點(diǎn)。
對于符合所注明的要求且具有充分短的時間周期的系統(tǒng)，在控制像素間交叉泄漏效應(yīng)的同時，2+3電壓電平系統(tǒng)(在列上面有兩種電壓電平，在行上面具有三種電壓電平)可真正提供足夠的器件視覺暫留。該滯后管理系統(tǒng)的細(xì)節(jié)在本說明書中在詳細(xì)描述部分以更多細(xì)節(jié)公開。
關(guān)于整體行電阻控制視覺暫留增強(qiáng)方法，用于實(shí)施整體行電阻控制方法以相對于充分短的時間周期獲得器件視覺暫留的先決條件是存在能夠選擇性地改變其電阻的合適材料。例如，已知某些摻雜的鈣鈦礦，在對材料兩端施加橫向電場時，可表現(xiàn)出高達(dá)106的電阻擺幅系數(shù)，這樣的材料對于所揭示的方法是理想的候選材料。采用對行選擇觸發(fā)和斷開點(diǎn)同步的相關(guān)控制裝置，這種材料可增添或替代系統(tǒng)中的行導(dǎo)線。當(dāng)行進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài)，整個行的整體物質(zhì)都會受到影響，使得在同一行上的像素之間出現(xiàn)高R值，而不僅僅是在通常完全位于X-Y矩陣之外連接著阻抗控制裝置的行的地方。這可以在相關(guān)的周期期間(通過減緩像素之間的泄漏)防止像素之間的交叉效應(yīng)，從而維持足夠的器件視覺暫留直到行材料被轉(zhuǎn)換回到其正常的低電阻狀態(tài)且在正確的時間進(jìn)行放電。
在下面的描述中，闡明了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對本發(fā)明的透徹理解。但是，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以在沒有這樣的具體細(xì)節(jié)的情況下來實(shí)踐。在其它情況下，為了不使不必要的細(xì)節(jié)混淆本發(fā)明，已知的電路已經(jīng)用方框圖的形式示出。對于大多數(shù)部件而言，考慮時間控制的因素等的細(xì)節(jié)已經(jīng)被省略，這是因?yàn)檫@樣的細(xì)節(jié)對獲得本發(fā)明的完整理解沒有必要，并且是在相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員的知識范疇之內(nèi)。
下文中要揭示工作原理將假定不實(shí)施視覺增強(qiáng)方法以澄清被描述的基本性能。但是，應(yīng)用可要求實(shí)施被揭示的多種視覺暫留增強(qiáng)方法中的至少一種，其中所討論的事件越廣泛，越能給出更充分的所需的詳細(xì)描述。
有助于實(shí)施本發(fā)明的多種技術(shù)(平板顯示器或需要控制矩陣配置中的個體器件的其它可選技術(shù))之一是在第5,319,491號美國專利中揭示的平板顯示器，通過對它的整體引用將其包括在此。在整個該詳細(xì)描述中，不能認(rèn)為使用代表性平板顯示器的示例將本發(fā)明的適用性限制在了它所使用的那個領(lǐng)域。
一種平板顯示器可包括如圖20所示的光閘的矩陣，光閘通常也稱作像素或圖像元件。圖20示出了由光導(dǎo)基板2000構(gòu)成的平板顯示器2000的簡圖，光導(dǎo)基板2000可進(jìn)一步包括像素2002的平板矩陣。在光導(dǎo)基板2001后面并與基板2001成平行關(guān)系的可以是透明的(例如，玻璃，塑料等)基板2003。要注意的是，如第5,319,491號美國專利所揭示的那樣，平板顯示器2000可包括除示出的元件之外的其它元件，諸如光源，不透光的入口、不透光的屏蔽、反射體、管形燈泡。
如圖21A和圖21B中所示出的各個像素2002可包括光導(dǎo)基板2101、接地屏2102、可變形的彈性體層2103，以及透明電極2104。
像素2002還可以包括示出的透明的元件，為了方便描述為盤2105(但并不限制于盤形)，它設(shè)置在電極2104的頂面上，并且是由高折射率的材料構(gòu)成，較佳的是與光導(dǎo)基板2101的材料相同。
在該特殊實(shí)施例中，需要非常精確地控制在光導(dǎo)基板2101和盤2105之間的距離。特別是，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在靜止?fàn)顟B(tài)中，在光導(dǎo)基板2101和盤2105之間的距離應(yīng)該大約等于導(dǎo)入光的波長的1.5倍，但是無論在哪種情況下，該距離都必須保持大于一個波長。于是，據(jù)此來調(diào)整接地屏2102、變形彈性體層2103和電極2104的相對厚度。在激活狀態(tài)，正如以下所討論的，盤2105必須由電容作用才能被拉倒離光導(dǎo)基板2101的上表面小于一個波長的距離。
在工作中，像素2002采用漸漸消失的耦合效應(yīng)，由此通過改變變形彈性體層2103的幾何尺寸使得在電容吸引效應(yīng)下產(chǎn)生凹陷2106(如圖21B所示)，可使TIP(內(nèi)全反射)在像素2002受到干擾。這導(dǎo)致凹陷2106將盤2105帶入光導(dǎo)基板漸漸消失的場的限度之內(nèi)(一般從光導(dǎo)基板2101向外延伸一個波長的距離)。光的電磁波特性使得光“跳”到插入的低折射系數(shù)覆層，即變形彈性體層2103，穿過依附于靜電激勵的動態(tài)凹陷2106的耦合盤2105，由此克服了光導(dǎo)條件和TIR。光線2107(如圖21A所示)表示了靜止的、光導(dǎo)狀態(tài)。光線2108(如圖21B所示)表示了將光耦合到光導(dǎo)基板2101之外的激活狀態(tài)。
在電極2104和接地屏2102之間的距離可以是相當(dāng)小的，例如，1微米，并且可以由諸如室溫下硫化硅氧烷的薄的沉積的變形層2103來占據(jù)。盡管電壓是小的，但是在電容器平行板之間的電場(事實(shí)上，電極2104和接地屏2102形成了平行板電容器)是高的，足以產(chǎn)生變形力到硫化硅氧烷上，從而使得彈性體層2103變形，正如圖21B所示。通過壓縮硫化硅氧烷到適當(dāng)?shù)谋戎?，在光?dǎo)基板2101中被導(dǎo)入的光將以大于當(dāng)前折射系數(shù)臨界角度的入射角度撞擊變形體，并將通過電極2104和盤2105耦合出基板2101。
在電容器平行板之間的電場可以通過電容器的充電和放電來控制，這將在電極2104和接地屏2102之間有效地產(chǎn)生吸引。通過對電容器的充電，在平板之間的靜電力強(qiáng)度就會增加，使得彈性體層2103變形，通過電極2104和盤2105將光耦合出基板2101，如圖21B所示。通過對電容器的放電，彈性體2103重新返回到它的原始幾何狀態(tài)，從而停止將光耦合出光導(dǎo)基板2101，如圖21A所示。
如在背景信息部分所注明的那樣，某些呈現(xiàn)出適當(dāng)?shù)募せ铋撝档钠骷m用于使用阻抗連接來驅(qū)動。在圖1中示出了一個將在整個本說明書中使用以說明所述工作原理的有關(guān)例子，它闡述了一組位于一個平面中的等距平行導(dǎo)電帶100。另一組平行導(dǎo)電帶101位于另一個平面中，該平面與上述第一平面具有空間上分開的平行關(guān)系，并且?guī)?01與第一平面的帶100成直角。在該組導(dǎo)電帶100的任何個體構(gòu)件和另一組導(dǎo)電帶101的對應(yīng)個體構(gòu)件之間的各個交叉點(diǎn)，諸如由點(diǎn)狀圓柱體102所概念化的以及其相對物，構(gòu)成了由圖2所示的激活電荷關(guān)系所支配的閾值器件。在這個示例性的例子中，在這個特定X-Y矩陣中的交叉點(diǎn)(諸如由圖1中的圓柱體所限定的那個)相當(dāng)于可變電容器，假定在一根導(dǎo)線上的正電荷和在另一根導(dǎo)線上的負(fù)電荷之間的庫侖吸引可引起正交設(shè)置的導(dǎo)線之間的相對運(yùn)動。該局部運(yùn)動(變形)導(dǎo)致局部距離103減小，由此增加了例如區(qū)域102的交叉點(diǎn)附近的電容。用于該復(fù)合結(jié)構(gòu)的閾值是下列事實(shí)的結(jié)果，即導(dǎo)線橫向的相對運(yùn)動，在這個例子中，所指的是器件的光學(xué)特性閾值。該物理閾值是第5,319,491號美國專利所描述的漸漸消失的場，并可參考該專利的圖16和17(對應(yīng)于本說明書的圖21A和21B)，它描述了當(dāng)與一根導(dǎo)電線緊密接觸的高折射率材料從同一漸漸消失的場之外的原靜止?fàn)顟B(tài)被推進(jìn)漸漸消失的場時，所產(chǎn)生的器件激活和停止工作狀態(tài)。由各導(dǎo)線上的交叉所形成的電容器上電荷從而呈現(xiàn)出由器件原來的物理閾值(漸漸消失的場)所產(chǎn)生的激活閾值。
應(yīng)當(dāng)理解的是，第5,319,491號美國專利所提出的這個光學(xué)例子為示例目的，作為一類有效的候選應(yīng)用和實(shí)施的成員，并且，由呈現(xiàn)出適當(dāng)閾值行為(機(jī)械的、電氣的、光學(xué)的或其它相互作用)的任何系統(tǒng)構(gòu)成的任何器件可以用在X和Y矩陣線的交叉點(diǎn)處被控制的電效應(yīng)來表現(xiàn)、相依附、相關(guān)聯(lián)或驅(qū)動。此外，盡管提供的例子使用了有質(zhì)動力的力以將器件置于激活狀態(tài)，但要理解的是，本發(fā)明并不限于使用這種激活模式的器件。最后，要理解的是，構(gòu)成平面X-Y矩陣的導(dǎo)電線100和101，盡管通?；ハ喑芍苯?，但是未必要遵循這個限制。本發(fā)明可支配滿足某些具體激活原則的大系列器件的尋址，而對被如此尋址的任何特定器件的實(shí)踐的具體減少不會對本發(fā)明尋址和驅(qū)動所述器件的能力產(chǎn)生任何限制。
要進(jìn)一步注意的是，雖然導(dǎo)電線(100或101)的任何構(gòu)件上的電勢假定為將其構(gòu)成為等電勢面的單一值，這絲毫不能防止在交叉點(diǎn)處(諸如在圓柱體102處)產(chǎn)生電荷累積。能量被存儲在充電期間產(chǎn)生在這些交叉點(diǎn)的電場處。充電周期由已知的關(guān)系式來表征q＝CV(1-e-t/RC) (方程式1)
其中q是累積的電荷，C是在導(dǎo)電線100和它的正交相對物101之間產(chǎn)生的圓柱體102的電容，e是自然對數(shù)，V是總的施加電壓，而R是總的串聯(lián)電阻。在電勢V施加給系統(tǒng)的同時，電荷將累積直到它達(dá)到其漸近線的極限(簡單積CV，附帶條件為在某些應(yīng)用中，C可以由于導(dǎo)電線之間的可變間隙而可變)。因此，等電勢面與沿著表面在確定點(diǎn)分布的局部電荷累積不一致。
相反，區(qū)域102(一旦去掉驅(qū)動電壓)的放電曲線可由互補(bǔ)的方程來表征q＝q0e-t/RC(方程式2)其中q0是在去掉驅(qū)動電壓前原來的或初始的電荷。
本發(fā)明的顯著之處是它對方程式1和2之中的電阻的操縱。阻抗連接可有效地改變控制電荷進(jìn)入或離開交叉區(qū)域的速率的“閥”的設(shè)置，所述交叉區(qū)域充當(dāng)局部的準(zhǔn)電容系統(tǒng)。若閥是大開的(低R)，電荷可在交叉點(diǎn)迅速地累積(不同的極性，或一般地說，不同的電勢，出現(xiàn)在導(dǎo)電線100和它的正交相對方101中)。低R允許將累積的電荷快速泄放到地，或一般地說，在允許路徑均等時，泄放到最低的電勢差。相反，高R限制了充電“閥”的孔徑，使得在交叉點(diǎn)(例如102)處的電荷累積非常慢。放電速率也同樣受到高R的限制。
圖2示出了在適合于實(shí)施本發(fā)明的范圍內(nèi)器件的性能。激活閾值(虛線200)代表在任何給定導(dǎo)線對(一根導(dǎo)線來自導(dǎo)電行100的那組，而另一根導(dǎo)線來自導(dǎo)電列102的那組)的交叉區(qū)域102處由累積電荷直接或間接控制的條件，使得如果電荷在200的下面，器件停止工作，正如在曲線的平穩(wěn)段201的情形，而如果在200的上方，則器件被激活，如同在曲線平穩(wěn)段202的情形。恒定的電荷對時間的平穩(wěn)段(即201和202)的存在是任意的對于適合的候選者來說跨過閾值200是關(guān)鍵性的要求，不僅僅是跨過該閾值的曲線形狀，還包括在跨過之前或之后的時間。在一個實(shí)施例中，列102可被等分為兩個共線的、共面的等分，這兩等分具有充分的物理分隔以確保它們之間的電氣絕緣，這在圖12中被充分示出。
圖3示出了本發(fā)明電壓連接實(shí)施例中的一個實(shí)施例。在這個實(shí)施例中，控制圖1中的交叉區(qū)域102通過將行阻抗連接成具有行選擇功能，同時將激活數(shù)據(jù)以列的方式編碼為高電壓或地電壓來實(shí)現(xiàn)。在圖1中看到的那組平行導(dǎo)線在圖3中用它們的拓?fù)涞刃飦泶?，也就是說，十六個代表性的電容器構(gòu)成了在方框312中的驅(qū)動系統(tǒng)。這十六個電容器中的四個，對應(yīng)于任意的第x列(見列X數(shù)據(jù)框320)，并被標(biāo)為313、314、315和316，每個電容器代表第x列(這里為第4列)與各行的交叉點(diǎn)。出于示例目的，將X×Y矩陣示為由四個列元件326、327、328和329(由列驅(qū)動器317、318、319和320驅(qū)動)與行阻抗選擇子系統(tǒng)301、302、303和304分別控制的四個行元件構(gòu)成的4×4矩陣。
因此，電容器313代表第x列320(由相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電條329指定)與標(biāo)為301的行0的交叉。如前所述，將系統(tǒng)縮小到非常小的矩陣尺寸(這里，四行和四列，在各自的類別中第四項(xiàng)被分別重復(fù)標(biāo)為該類的第y個或第x個)是為了簡化本發(fā)明的圖形介紹。實(shí)際的器件可以有數(shù)千行和列，所有的器件都以相同的原理工作，該原理可驅(qū)動圖1、圖3、圖4、圖5和圖12中的較小的原型系統(tǒng)。
用于本發(fā)明的電壓連接實(shí)施例的行選擇裝置，只要功能是有關(guān)的，就與用于阻抗連接實(shí)施例的行選擇系統(tǒng)相同。這里所說的是，就圖3中的該子系統(tǒng)(即方框300)而論，與圖4中的相同子系統(tǒng)(即方框414)具有同等效力。在這兩幅圖中的行選擇裝置的工作如下行選擇定序器(圖3中的325，圖4中的415)依次發(fā)送所需行選擇序列的激活信號，將根據(jù)依賴適當(dāng)?shù)南到y(tǒng)時鐘本征的預(yù)定時間方案的信號發(fā)送給被驅(qū)動的器件(未示出)。這樣的系列，例如可以是要求激活行0、1、2和Y，這樣的需求為0.5微秒分隔(任意選擇的時間值)。在此隨后對于行選擇子系統(tǒng)的描述可應(yīng)用于圖3和圖4二者，各個元件采用其母圖所采用的順序來表示。定序器可激活或閉合開關(guān)(305或420)；在閉合開關(guān)之前，低阻抗電阻器(307或421)與高阻抗電阻器(306或422)沒有相連(并聯(lián))，沿著行的是純高電阻。一旦開關(guān)閉合時，低阻抗電阻器(307或421)與高阻抗電阻器(306或422)并聯(lián)，如此將總的串聯(lián)電阻降到低阻抗電阻器之下。注意，在電路中的高阻抗未必需要用電阻器來實(shí)現(xiàn)，而且可通過適合器件的自然性能來實(shí)現(xiàn)，諸如晶體管，甚至有可能無器件，例如開路。同樣地，開關(guān)裝置(305或420)應(yīng)被認(rèn)為是通用化的，并且不依賴于任何給定的電子器件功能性是標(biāo)準(zhǔn)化的，對于該功能性沒有給定形式的具體實(shí)現(xiàn)。
當(dāng)選中行0時(處于低阻抗?fàn)顟B(tài))，其它行(1、2到Y(jié))保持在高阻抗?fàn)顟B(tài)。在任何時間只能選中一行(在低阻抗?fàn)顟B(tài))。下一行，即行1的激活，使得行0停止工作，意味著它的開關(guān)(305或420)斷開且行0的阻抗變高，同時行1的阻抗變低。隨著行定序器進(jìn)到下一行，低阻抗行選擇的“波浪”傳播通過系統(tǒng)中的所有行。
對有關(guān)一次只允許選擇一行的規(guī)則有一個例外，并且這個例外指的是特殊情形，被表示為“消隱周期”。消隱周期行快速放電(335或440)和列快速放電(333或441)的目的是通過將累積在行列交叉點(diǎn)處的電荷快速地排放到地(在圖3中被示為363，在圖4中被示為423)來使所有器件整體停止工作。這通過適當(dāng)?shù)亻_關(guān)經(jīng)過相關(guān)聯(lián)的低阻抗電阻器(308或439)的組件(309或438)來控制，其類似操作也可重復(fù)用于所有其它行(302、303、304或417、418、419)。在交叉點(diǎn)處的行和列之間的電勢差降到零時電荷將被消散，消散速率是串聯(lián)阻抗的函數(shù)。整體器件停止工作要求所有行和所有列都設(shè)置于低阻抗?fàn)顟B(tài)以允許快速放電到地(或者等效地，在受影響的行和列之間快速實(shí)現(xiàn)電勢均等)。消隱周期通常被用作終止激活序列，諸如當(dāng)給定的原色周期已經(jīng)結(jié)束時在顯示器中的情形。它試圖在給定系統(tǒng)放電到地或使行和列的電勢均等的路線的同時，通過整體地重新配置行和列的阻抗快速地克服和消除激活器件的視覺暫留。對于列的子系統(tǒng)317，通過將信號饋送到晶體管324(或等效組件)，可調(diào)節(jié)快速放電(在行和列都有低阻抗路徑)，提供迄今描述為放電的“消隱狀態(tài)”經(jīng)過低阻抗323到地364來發(fā)生。整個列驅(qū)動裝置包括列驅(qū)動器402、403、404和405，連同并行數(shù)據(jù)裝載系統(tǒng)411一起，構(gòu)成了列驅(qū)動系統(tǒng)401。
通過阻抗連接子系統(tǒng)(圖3中的301、302、303和304，圖4中的416、417、418和419)依次激活行0、1、2和Y可以使平行的共平面導(dǎo)線的阻抗(圖3中的313、314、315和316，圖4中的425、426、427和428)為高或者為低，如同行選擇定序器所確定的那樣。
在圖3中示出的電壓連接實(shí)施例在子系統(tǒng)317中編碼數(shù)據(jù)，這直接將導(dǎo)通狀態(tài)(二進(jìn)制的1)和非0電壓聯(lián)系起來，利用適當(dāng)?shù)钠骷?，諸如開關(guān)組件321，可將非0電壓轉(zhuǎn)換到列。數(shù)據(jù)從具有公共高阻抗控制334的標(biāo)準(zhǔn)并行裝載寄存器系統(tǒng)332進(jìn)入適當(dāng)?shù)牧?。組合的一組列控制子系統(tǒng)317、318、319和320連同列數(shù)據(jù)寄存器子系統(tǒng)332以及用于所有列的快速放電控制333構(gòu)成了整個行驅(qū)動器子系統(tǒng)311。斷開狀態(tài)(二進(jìn)制的0)與施加到各個列上面的零電壓聯(lián)系起來。列電壓(無論是對應(yīng)于斷開或?qū)顟B(tài)的零或非零)被同時、并行地施加，并與行選擇定序器(325)同步，使得用于行0的所有列被編碼，并且在行0(301)被選中的時候(處于低阻抗?fàn)顟B(tài))施加電壓。盡管沿著所有列的相同電壓也出現(xiàn)在未選中的行，那些行出于非常高的阻抗?fàn)顟B(tài)的事實(shí)限制了快速電荷累積，使得那些特定列行的交叉點(diǎn)永遠(yuǎn)不會跨過閾值(圖2中的200)。非零電壓和低阻抗的組合事實(shí)上使得器件跨過了激活閾值，使得與X-Y矩陣相關(guān)聯(lián)的器件導(dǎo)通。零電壓和低阻抗的結(jié)合使得不會跨過激活閾值。簡而言之，在此實(shí)現(xiàn)了在系統(tǒng)的時域期間，對所有器件(例如，像素，或任何被尋址的其它應(yīng)用)的操作做正式控制。具體的器件操作還將在圖7、圖8、圖9和圖10中作進(jìn)一步分析，并作進(jìn)一步說明。要注意的是，當(dāng)阻抗連接子系統(tǒng)處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，用于選擇性地對交叉區(qū)域充電和放電的周期時間要足夠短，使得激活器件將不會被停止工作，且停止工作的器件也不會被激活。對于不能掌控的系統(tǒng)來說，可能需要實(shí)施所建議的增強(qiáng)(滯后管理或整體行電阻控制)中的一種以確保相對于周期時間的所需視覺暫留。要注意的是，當(dāng)阻抗連接子系統(tǒng)處于低阻抗?fàn)顟B(tài)，用于選擇性地對交叉區(qū)域充電和放電的周期時間要足夠長，使得激活器件將會放電到激活閾，而停止工作的器件將會充電到超過激活閾。還要注意的是，交叉區(qū)域可包括非變化電容器或可變電容器或由行和列之間的電場建立所觸發(fā)的其它器件，所述行和列受本發(fā)明的控制。在可變電容器應(yīng)用于本發(fā)明的一個顯著應(yīng)用的情形中，在第5,319,419號美國專利中揭示了該器件。
圖3和圖4都包括設(shè)計(jì)成避免在任何插入的電介質(zhì)中建立極化的電介質(zhì)的可選增強(qiáng)方框(分別為310和433)，所述插入的電介質(zhì)置于包括行和列(312和424的正交組件)的導(dǎo)線的兩個共面組之間。在圖5和圖6中，設(shè)計(jì)成避免建立極化的電介質(zhì)的可選增強(qiáng)方框(分別為510和633)由控制邏輯(分別為536和642)中的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)控制。連續(xù)對這種電介質(zhì)施加單向電場會有極化該電介質(zhì)直到其變成駐極體的潛在風(fēng)險(xiǎn)(盡管這樣的效果通常與跨越該電介質(zhì)居里點(diǎn)的溫度范圍相關(guān)聯(lián))。這種極化作用的一種公知有害效果是電路將表現(xiàn)為像通過二極管的不完全分路。為了防止放置(必要或期望)在導(dǎo)線的共面組之間的任何電介質(zhì)材料的極化，可在規(guī)則的和連續(xù)的基礎(chǔ)上(例如每個子周期、周期或終止多個周期)反轉(zhuǎn)在行和列之間產(chǎn)生的電場的極性。方框310和433通過由分壓器(圖3中的336，圖4中的442)來驅(qū)動兩個比較器(在圖3中的330和331，在圖4中的436和437)和振蕩交換控制相反極性兩端適當(dāng)參考電勢的邏輯信號，可實(shí)現(xiàn)該周期的極性擺幅，像在310或433的概括的拓?fù)渲小７娇?10和633在邏輯方框536和642中添加了用于確定適當(dāng)參考電勢的額外控制信號。由控制信號選擇，兩個驅(qū)動比較器(圖5中的530和531，和圖6中的636和637)的輸出可被設(shè)置在四種不同配置中的一種。當(dāng)插入的電介質(zhì)的極化未必有或是無害的，可省卻該方框的功能性。
將圖4中的阻抗連接實(shí)施例和圖3中的電壓連接實(shí)施例區(qū)別開的地方在于，在列上的引入數(shù)據(jù)不是被編碼成電壓值。而是，構(gòu)成列0、1、2和X的平行共面導(dǎo)線429、430、431和432以非常類似于行425、426、427和428的控制方式進(jìn)行控制通過阻抗的連接。類似之處是行被與依賴時鐘的行選擇定序器所驅(qū)動，使得在時間中的任何給定點(diǎn)，只有一行被選中(在行阻抗?fàn)顟B(tài))。但是，選擇列不是依靠時鐘驅(qū)動的定序器，而是利用在方框411和與之相關(guān)聯(lián)的計(jì)算機(jī)中啟動的數(shù)據(jù)編碼(注意，例如，用于第x行的典型的一對控制點(diǎn)，即組合的邏輯零和快速放電點(diǎn)441與邏輯1點(diǎn)412)。用于所有列阻抗選擇子系統(tǒng)(402、403、404和405)的數(shù)據(jù)被同時并行地載入。在代表性的子系統(tǒng)402的情況下，開關(guān)組件408在編碼數(shù)據(jù)組中的導(dǎo)通狀態(tài)(二進(jìn)制的1)使得低阻抗406與高阻抗407并聯(lián)，由此在該列上面建立了純低的串聯(lián)阻抗。在子系統(tǒng)402中的開關(guān)，即408，以及其在子系統(tǒng)403、404和405中的相對物，用來切換到由子系統(tǒng)433所產(chǎn)生的負(fù)參考電勢或正參考電勢434之間導(dǎo)電列的路徑，子系統(tǒng)433經(jīng)由線434將一個電勢饋送到列，而經(jīng)由線435將不同的電勢(通常為不同的極性)饋送到行。電勢差異可由比較器436和437來調(diào)解，在比較器436和437可使方框433防止極化作用。
無論列電氣地依賴負(fù)參考電勢或正參考電勢434，由于列429是通過在低阻抗406和高阻抗407之間發(fā)生聯(lián)系來結(jié)合列阻抗選擇子系統(tǒng)402的事實(shí)，因此其行為最終是由開關(guān)組件408的設(shè)置來確定。開關(guān)組件408的狀態(tài)確定低阻抗406是否真的與高阻抗407并聯(lián)。對所有的列有一種公共行為的同步協(xié)調(diào)，這由開關(guān)組件408及其相對物來確定，而列的具體行為由引入的編碼數(shù)據(jù)來確定?？焖俜烹?在列和行中都是接地的低阻抗路徑)由提供此前描述的“消隱狀態(tài)”、饋送到晶體管413(或等效組件)的信號和其相關(guān)物來調(diào)解。
圖3和圖5之間的差異在于各個方框310和510之間；在所有其它方面，兩個拓?fù)涫窍嗤摹８唧w地說，子系統(tǒng)511與311等效；并行邏輯系統(tǒng)532與332等效；四個列控制器517、518、519和520對應(yīng)于模擬驅(qū)動器317、318、319和320；代表性的列控制器517的詳細(xì)組件對應(yīng)于在317中的它們的相對物，諸如開關(guān)521對應(yīng)于321，低阻抗電阻器523與323等效，而開關(guān)組件524和522正好分別與324和322相對應(yīng)。另外，用于高阻抗?fàn)顟B(tài)的并行負(fù)載控制534與334等效，而列快速放電控制553精確地對應(yīng)于等效控制333。物理列結(jié)構(gòu)526、527、528和529對應(yīng)于等效的結(jié)構(gòu)326、327、328和329，而由X-Y交叉點(diǎn)表示的電容器513、514、515和516直接對應(yīng)于等效的元件313、314、315和316。因此，整個X-Y系統(tǒng)512在結(jié)構(gòu)上與312相同。行選擇系統(tǒng)400與300相同，使得快速行放電控制535與335等效，行阻抗定序器邏輯系統(tǒng)525與325等效，而行選擇子系統(tǒng)501、502、503和504中的每一個與它們各自的相對方301、302、303和304相對應(yīng)。最后，在圖5中任何給定行選擇子系統(tǒng)的個體組件與圖3中它們的相對物匹配，使得行阻抗充電電阻器507與308等效，高阻抗充電電阻器506與306等效，低阻抗放電電阻器508與308等效，而用于選擇和放電的各個晶體管(505和509)與它們各自的相對物(305和309)等效。
圖4和圖6之間的差異在于各個方框433和633之間；在所有其它方面，兩個拓?fù)涫窍嗤?。更具體地說，子系統(tǒng)601與401等效；并行邏輯系統(tǒng)611與411等效；四個列控制器602、603、604和605對應(yīng)于模擬驅(qū)動器402、403、404和405；代表性的列控制器602的詳細(xì)組件對應(yīng)于在402中的它們的相對物，諸如高阻抗電阻器607與407等效，低阻抗充電電阻器606與406等效，低阻抗放電電阻器609與409等效，而開關(guān)組件608和613正好分別與408和413相對應(yīng)。611的子組件精確地與411中的它們的相對物相關(guān)聯(lián)，使得列0快速放電控制641對應(yīng)于441，同時邏輯1控制612與412相對應(yīng)。物理列結(jié)構(gòu)629、630、631和632對應(yīng)于等效的結(jié)構(gòu)429、430、431和432，而由X-Y交叉點(diǎn)表示的電容器625、626、627和628直接對應(yīng)于等效的元件425、426、427和428。因此，整個X-Y系統(tǒng)624在結(jié)構(gòu)上與424相同。行選擇系統(tǒng)614與414相同，使得快速行放電控制640與440等效，行阻抗定序器邏輯系統(tǒng)615與415等效，而行選擇子系統(tǒng)616、617、618和619中的每一個與它們各自的相對方416、417、418和419相對應(yīng)。最后，在圖6中任何給定行選擇子系統(tǒng)的個體組件與圖4中它們的相對物匹配，使得行阻抗充電電阻器621與421等效，高阻抗充電電阻器622與422等效，低阻抗放電電阻器639與439等效，而用于選擇和放電的各個晶體管(620和638)與它們各自的相對物(420和438)等效。
方框310和433使用模擬手段實(shí)現(xiàn)電勢控制，而方框510和633基于發(fā)送到比較器(圖5中的530和531，圖6中的636和637)的邏輯信號，用數(shù)字手段達(dá)到相同的目的。在圖13、14、15和16中分別列出了整理圖3、4、5和6中所揭示的系統(tǒng)的操作的真值表。出于清楚引用的緣故，在圖1 3、14、15和16中的真值表往回引用在其下方使用實(shí)際數(shù)字注釋的拓?fù)渲械募俣c(diǎn)；在圖13、14、15和16中分別強(qiáng)調(diào)了對圖3、4、5和6的基本拓?fù)涞膽?yīng)用。這些圖中的每一幅由兩部分組成說明所引用元件的電氣狀態(tài)的較小的表格(如1301、1401、1501和1601，它們分別提供圖3、4、5和6中所示器件的合理排列的設(shè)置)，以及說明通過在應(yīng)用組件處滿足條件下的驅(qū)動處理所導(dǎo)致的動態(tài)狀態(tài)變化的相關(guān)較大表格(如1302、1402、1502和1602，它們分別提供在圖3、4、5和6示出的器件中所引起的合理狀態(tài)上的詳細(xì)背景信息)?？s寫CRD代表列快速放電，而RRD代表行快速放電，指的是由與前述討論相符合的各個方框所進(jìn)行的處理。
這些相關(guān)行為的特征可利用例子來說明。重要的是要注意，如果選中行(處于低阻抗?fàn)顟B(tài))，只能在列行交叉點(diǎn)處累積電荷，否則，長的充電時間會阻擋交叉跨越閾值點(diǎn)，直到有關(guān)的周期已經(jīng)結(jié)束。因此，在所討論的時間幀期間，在沒有選中的行不會發(fā)生激活。那樣的話，考慮下面的時間序列。在將數(shù)據(jù)編碼到列上的時候，根據(jù)組件420及其相對物的確定狀態(tài)，所有行要處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，此時組件408觸發(fā)，將電壓勢從線434放置到列上。在每一隨后的行被選中(轉(zhuǎn)換到低阻抗?fàn)顟B(tài))時，用于那一行的對應(yīng)列數(shù)據(jù)被并行(同時)載入，并且在組件408及其相對物處被編碼。由于減慢充電和放電的高串聯(lián)阻抗(無論是通過其自然特性，或是由改善下文要進(jìn)一步揭示的器件視覺暫留的可選像素間交叉效應(yīng)禁止裝置中的一種來增強(qiáng))，在交叉點(diǎn)處已經(jīng)被處理的行保持在它們的編碼狀態(tài)。
雙向控制器件413和它的相對方被允許可經(jīng)由低阻抗409快速放電到地。在行和列二者上面采用到均等(或接地)電勢的清楚路徑的低阻抗的結(jié)合，為列行陣列內(nèi)所有組件的快速停止工作提供了所需的條件。
現(xiàn)在可以總結(jié)電壓連接實(shí)施例和阻抗連接實(shí)施例之間的基本差異。兩個實(shí)施例的不同之處在于它們對饋送到列100的數(shù)據(jù)邏輯流的處理不同，盡管它們共同具有連接阻抗行選擇系統(tǒng)。在電壓連接列驅(qū)動實(shí)施例中，沿著列100所引入的并行數(shù)據(jù)與引入的邏輯位(是1或是0)成比例直接驅(qū)動串聯(lián)列電壓。在一個例子中，比特值為1可對應(yīng)于5伏特的電壓，而比特值為0可對應(yīng)于接地電勢。
在阻抗連接列驅(qū)動器實(shí)施例中，沿著列引入的并行數(shù)據(jù)與引入的邏輯位(是1或是0)成反比例直接驅(qū)動串聯(lián)列電壓。在一個例子中，比特值為1可對應(yīng)于低的串聯(lián)阻抗，而比特值為0可對應(yīng)于高的串聯(lián)阻抗。在這個實(shí)施例中，在所討論的周期期間，公共的電壓電勢被施加給所有的列100，且充電和放電由組合的行和列阻抗值以及器件周期時域的受限時距結(jié)合器件的啟動/激活閾值來整體操縱。
在圖7、圖8、圖9和圖10中示出了在充電和放電情況下的各個行為。圖7揭示了在行或行加列處于高阻抗?fàn)顟B(tài)時的充電曲線圖。盡管交叉點(diǎn)真的是在充電，但電荷的累積701建立得如此之慢，以致在相關(guān)時間周期內(nèi)，它永遠(yuǎn)不能跨越激活閾值702。這等同于斷開狀態(tài)，只要時間周期或時域足夠短，就不會跨越閾值702。雖然曲線701顯示為直線(在該圖中和在下面的三幅圖中)，這是為了易于示出。實(shí)際的充電和放電曲線呈現(xiàn)出與支配這些電氣現(xiàn)象的方程式(諸如，在最簡單的例子中，是本文的方程式1和方程式2)相一致的曲線，這在下文中將以更多細(xì)節(jié)來揭示。
圖8示出了迅速跨越激活閾值803的快速充電曲線801。在該點(diǎn)，系統(tǒng)處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，溫和的放電802開始緩慢地移回到閾值點(diǎn)。只要同放電過程一樣，該周期在802跨越閾值之前結(jié)束，就能保證激活的“視覺暫留”。
圖9示出了緩慢逼近激活閾值902的高阻抗放電曲線901。若充電應(yīng)下降在激活閾值之下，閾列行交叉點(diǎn)相關(guān)聯(lián)的器件將自己停止工作。圖9重申了有關(guān)作為施加高阻抗?fàn)顟B(tài)的伴生物、前面在圖8中已經(jīng)看到的內(nèi)容。它可通過簡單地轉(zhuǎn)到下一行來施加，將當(dāng)前行置于高阻抗?fàn)顟B(tài)。要注意的是，保持例如像素或其它在行列交叉點(diǎn)處被尋址和控制的器件的激活器件導(dǎo)通(和不工作器件截止)的時間控制要求可能不得不在時間方面乘以一個系數(shù)，它開始按照順序選擇所有行，分配到選擇行的時間可允許足夠長，對于某些應(yīng)用，可以是脈寬調(diào)制的某個水平。用于減少高速處理時間以滿足這些沖突原則的機(jī)理在下文被揭示。
圖10示出了在低阻抗?fàn)顟B(tài)期間的快速放電，其中電壓值1001降到激活閾值1002以下。這種放電也與前文所述的消隱狀態(tài)相關(guān)聯(lián)。術(shù)語放電可指由于行和列之間的電勢均等，在給定行和列之間交叉點(diǎn)處的電場衰減。這可以是當(dāng)行和列短路接地時和經(jīng)過低阻抗路徑放電的情形，但是可使本發(fā)明普遍化以更加詳細(xì)描述構(gòu)造，包括那些具有浮置地的構(gòu)造。
在充電周期期間有兩種不同的驅(qū)動技術(shù)。第一種技術(shù)，表示為“連續(xù)模式驅(qū)動”，包括在基本初期的時間細(xì)分期間重復(fù)施加驅(qū)動電壓。如果在初期期間，即使處于高R狀態(tài)累積的電荷也落在器件的激活閾之下，這是適當(dāng)?shù)摹Ｏ褡儜蚍ㄕ咝D(zhuǎn)在桿上的盤子，他連續(xù)地對盤子給予追加的旋轉(zhuǎn)以使其不掉落，本發(fā)明的一些配置可要求施加電壓的連續(xù)“刷新”以保持給定的交叉點(diǎn)處于激活狀態(tài)，良好地位于停止工作閾值之上。這在圖11的充電曲線圖1101中示出反復(fù)施加電壓以使器件不會跨越到激活閾值1102之下，這導(dǎo)致所示的鋸齒形圖形。在這個例子中，六個子周期構(gòu)成用于激活的整個所需時期，對應(yīng)于該圖形中的六個齒，每個齒都有其朝向閾值1102壓降的短暫放電分量，但是不會被允許靠近那點(diǎn)。
另一方面，若初期相對于放電時間較短，未必需要這樣持續(xù)不斷的刷新周期。表示為“脈沖模式驅(qū)動”的這種模式，每一周期施加電壓一次，而不是連續(xù)地用于每個子周期(確定基本周期的細(xì)分)。在圖11中的曲線1103示出了與曲線1101中的相同情形，除了六個子周期時期現(xiàn)在用單次激活來實(shí)現(xiàn)，在沒有達(dá)到跨越閾值1104那個時間幀時期中的器件處于高阻抗放電。
本發(fā)明利用清楚的引用，包括所有的這些驅(qū)動策略。
根據(jù)激活閾值的知識可以量化圖11中示出的兩種驅(qū)動策略的合適范圍，由于是與器件中的累積電荷線性相關(guān)的，激活閾可以被表示為qthreshold。關(guān)系的設(shè)定在下面的表1中列出，其中Tcycle代表用于基本周期的確定時間長度，而Tsubcycle是用于基本周期的預(yù)定細(xì)分的時間長度。在整個表1中，術(shù)語R指高阻抗?fàn)顟B(tài)的電阻。假定低阻抗?fàn)顟B(tài)的響應(yīng)對于器件激活足夠快，則意味著表1根據(jù)器件視覺暫留提出規(guī)范最低標(biāo)準(zhǔn)。
表1

脈沖模式的優(yōu)點(diǎn)在于可減小操作尋址系統(tǒng)的帶寬，但是不是所有的應(yīng)用都適用于這種模式。
如果遇到站不住腳的配置，可能是對于容許本發(fā)明的操作性的時域太長或太短。但是，這對圖1中示出的幾何形狀保留了一個另外的變化，該變化可反轉(zhuǎn)某些在某些站不住腳的配置上的負(fù)面結(jié)論，這在圖12中被揭示。在圖12中的變型可以是，在某些情況下，通過調(diào)節(jié)充電時間要求，致使本來站不住腳的配置變成站得住腳的配置。當(dāng)對給定的列行交叉點(diǎn)進(jìn)行充電或放電周期內(nèi)存在著不合適的時間時，圖12中體現(xiàn)的特定策略具有特殊數(shù)值。在平板顯示系統(tǒng)中，在必須以格外高的幀速率對數(shù)百(也許是幾千)行進(jìn)行尋址時可產(chǎn)生這類問題。
將圖1和圖12做比較，它們具有下面所討論的差別。圖1的行100要被依次尋址，一次一行，而列101從陣列的一端伸展到另一端。在圖12中圖像完全不同，其中列被分成兩半。列導(dǎo)線對1202和1203由于它們之間的不連續(xù)性而彼此電氣絕緣。同樣的情形也適用于隨后的對1204和1205、1206和1207以及1208和1209。結(jié)果，從1210到1215的六行被分成兩組分開的行，三行形成組1200(1210、1211和1212)和三行形成組1201(1213、1214和1215)。由于列導(dǎo)線1202到1209的等分所引起的電氣絕緣，該配置允許一次選中兩行一行來自組1200，而另一行來自組1201。雖然用于這些同時(并行)行選擇的可能順序可以是1210與1213一起激活、1211與1214一起激活和1212與1215一起激活，本實(shí)施例并不限于這樣的圖形。
盡管確保并行度不限于行的一次對分，對列的并行數(shù)據(jù)載入沒有任何限制。如果從驅(qū)動電路饋送器件陣列的觀點(diǎn)來看是有利的，一個驅(qū)動器可饋送列1202和1204，另一個可饋送列1203和1204等。但是，對于器件本身而言最終的決定因素是行選擇序列。因此，明顯的是，對于非對稱X-Y矩陣(X不等于Y)，在將圖12的并行度策略應(yīng)用于本發(fā)明時，應(yīng)推選對分兩種尺寸較小的哪種。在具有1500列和2500行的情況下，先要反轉(zhuǎn)行和列，使得1500行與2500列相關(guān)。根據(jù)圖12的描述，列應(yīng)當(dāng)被分成兩半，以使可并行驅(qū)動兩組750行，使得一次可選擇兩行。由于電氣絕緣，在電屏蔽的兩端沒有交叉效應(yīng)，從而使得系統(tǒng)進(jìn)行雙行選擇，而不會混淆編碼到陣列上的數(shù)據(jù)。對于某些應(yīng)用，諸如平板顯示器的場，關(guān)于時域可行性如果系統(tǒng)用別的方法是站得住腳的，則圖12的變型可用來縮短周期。對于在第5,319,491號美國專利中揭示的脈寬調(diào)制顏色，產(chǎn)生較短的時間周期可產(chǎn)生對于人類感知的清晰成像優(yōu)點(diǎn)。
盡管簡單的矩陣尋址作為主要的實(shí)施例已經(jīng)被應(yīng)用于平板顯示器，如表1所揭示和根據(jù)圖12中示出的使能變化進(jìn)一步詳細(xì)描述的那樣，本發(fā)明可普遍適用于呈現(xiàn)出站得住腳的時域到閾值關(guān)系的任何器件。
最后，導(dǎo)電列和行(100和101，或425到432)的厚度和/或?qū)挾妊刂@些部件的長度不需要均勻。為了克服這些部件所累積的線電阻，理想的是，作為離尋址裝置連接導(dǎo)線的點(diǎn)的距離的函數(shù)，增加導(dǎo)線的厚度和/或?qū)挾?。從而本發(fā)明包括這個最后的變化以補(bǔ)償系統(tǒng)所要求的這種調(diào)諧水平的線電阻。
圖17揭示了圖3、4、5和6的基本驅(qū)動系統(tǒng)上的變化，藉此在來自公共信號源的導(dǎo)電跡線的左、右兩端來驅(qū)動行，而用相同的方式來驅(qū)動列。圖17的主要組件水平框根據(jù)下列標(biāo)識正好對應(yīng)于圖3、4、5和6中的它們的相對物框1710對應(yīng)于框310、框433、框510和框633；控制列的框1711，對應(yīng)于在311、401、511和601處的等效框；控制行阻抗選擇的框1712，對應(yīng)于在300、414、500和614處的等效框；同時實(shí)際的X-Y矩陣框1709對應(yīng)于在312、424、512和616處的模擬部件。該變化帶給圖3、4、5和6中原拓?fù)渖系奶厥飧倪M(jìn)包括從兩端驅(qū)動列的額外導(dǎo)線1701、1702、1703和1704，以及從兩端驅(qū)動行的額外的導(dǎo)線1705、1706、1707和1708。這些導(dǎo)電跡線在園點(diǎn)互連處連接到基本拓?fù)?，并延伸到行或列的遠(yuǎn)側(cè)以提供在其遠(yuǎn)端多重連接。
從該變換產(chǎn)生的好處是，在導(dǎo)電跡線中的任何連續(xù)性故障的影響變得較為有限，并由于行(或)列是從兩端被驅(qū)動，變成為固有的故障容錯直到在導(dǎo)線中發(fā)生斷開(連續(xù)性故障點(diǎn))。明顯的特征是所添加到連接1701到1708包括允許從兩端驅(qū)動行和列。注意在圖17中，如同在別處一樣，X-Y矩陣的實(shí)際尺寸(列的數(shù)量和行的數(shù)量)在本說明書中可以是無限的，且第4列和第4行始終代表第x列和第y行。
在像素之間的交叉效應(yīng)將導(dǎo)致施加的電荷泄漏到交叉點(diǎn)(相對于目標(biāo)應(yīng)用所選擇的時間周期)，有可能用兩種截然不同的方法中的一種來提供在交叉點(diǎn)處所適用的視覺殘留。下面將討論這兩種方法，滯后管理和可變行電阻。
只能夠在滿足器件的某些前提時才可施加滯后管理。在滿足前提條件時，該方法將本發(fā)明的工作范圍延伸進(jìn)入到由于多余的電交叉效應(yīng)(即，在整個行和列的任何給定幾何配置上使累積的電荷均等的潛在有害趨勢)用其它方法不能進(jìn)入的應(yīng)用空間。
下面的定義用于整個下面的滯后管理方法的詳細(xì)說明中。出于說明的目的，像素作為平行板可變電容器來處理，在該并行板可變電容器中，當(dāng)板兩端施加足夠的電壓差時在板之間的空氣隙會被壓縮。但是，本發(fā)明適用于沒有該限制的器件，只要支配適用性的不等式另外被滿足。
Vpull-in＝施加在像素可變電容器兩端的總的電壓差，使得任何ΔV＞Vpull-in引起空氣隙壓縮。
Xpull-in＝像素可變電容器所產(chǎn)生的總位移，使得對于X＞Xpull-in，則位移不再可控，因?yàn)殡娙萜靼逡褖嚎s到其最大的位移。
ΔVrel＝施加在像素可變電容器兩端的總的電壓差，使得ΔV＜Vrel允許已經(jīng)被壓縮的電容器返回到?jīng)]被壓縮時的位置。注意+Vrel＜Vpull-in。
trow＝行被考慮尋址的時間跨距。
tpulse＝對于啟動像素到接通狀態(tài)的尋址行，用于將電壓保持在Vadress-on的時間跨距通過定義，tpulse＜trow。
使用命名協(xié)定，可更清楚地說明電壓關(guān)系。在概述限制之前，需要介紹和定義識別列和行的所需驅(qū)動電壓的五個另外的符號。這些指的是系統(tǒng)列的兩個電壓電平，用于行的三個電壓電平(值得注意的是，由于這樣的電氣系統(tǒng)是計(jì)量獨(dú)立的，所以這些組具有互換性)。
下面的定義被用作聯(lián)系列電壓電平Vset＝當(dāng)行處于尋址導(dǎo)通狀態(tài)時，用來啟動(導(dǎo)通)像素的列電壓。當(dāng)行處于尋址斷開狀態(tài)時，Vset保持處于其當(dāng)前狀態(tài)。
Vreset＝當(dāng)行處于尋址導(dǎo)通狀態(tài)時，用來將導(dǎo)通像素變?yōu)閿嚅_的列電壓。當(dāng)行處于尋址斷開狀態(tài)時，Vreset保持處于其當(dāng)前狀態(tài)。
下面的定義被用作聯(lián)系行電壓電平Vadress-ON＝在需要將像素導(dǎo)通時當(dāng)前被尋址的行上的電壓。這種狀態(tài)發(fā)生在每一時間片trow的某些部分。
Vadress-OFF＝在需要將像素?cái)嚅_時當(dāng)前被尋址的行上的電壓。這類似于復(fù)位模式，但是在整個行不受影響的情況下，有可能選擇地?cái)嚅_個體像素。這種狀態(tài)發(fā)生在每一時間片trow的某些部分。
Vnonadress＝在當(dāng)前沒有被尋址的行上的電壓。
下面的八個基本關(guān)系式(不等式)確定實(shí)施滯后管理的可能性。滿足所有八個關(guān)系式的任何系統(tǒng)可從滯后管理受惠以獲得足夠的器件視覺暫留。注意，相對電勢差對操作是器件不依賴于給定極性的選擇的關(guān)鍵。所揭示的極性是說明性的。
1.Vset-Vadress-ON＞Vpull-in(導(dǎo)通或斷開尋址行中的像素，并刷新尋址行中導(dǎo)通的像素)2.Vset-Vnonadress＜Vpull-in(保持在非尋址(non-addressed)行中斷開的像素處于斷開和導(dǎo)通的像素處于導(dǎo)通)3.Vreset-Vadress-ON＞Vrel(讓不需要刷新的尋址行中的導(dǎo)通的像素處于導(dǎo)通)4.Vreset-Vnonadress＞Vrel(讓非尋址行中的導(dǎo)通像素處于導(dǎo)通和斷開的像素處于斷開)5.Vset-Vadress-OFF＞Vrel(當(dāng)適合選擇地將像素?cái)嚅_時，讓尋址行中的導(dǎo)通像素導(dǎo)通)6.Vreset-Vadress-OFF＜Vrel(將導(dǎo)通的像素?cái)嚅_，只要被觸發(fā)了即使在時間周期的中間)7.Vreset-Vadress-OFF＞Vnonadress(對于行處于尋址模式的時間保持導(dǎo)通的像素處于導(dǎo)通，使得在非尋址行中的導(dǎo)通像素兩端的電壓不從正到負(fù)，或從負(fù)到正，從而使那些像素?cái)嚅_)8.Vreset-Vadress-ON＞Vpull-in(使尋址行中的斷開像素處于斷開)操作的關(guān)鍵是當(dāng)所有其它行都處于Vnonaddress的同時，尋址行在Vaddress-ON和Vaddress-OFF之間切換。當(dāng)行不再被尋址時，會回到Vnonaddress狀態(tài)。只有在尋址行中的像素會改變狀態(tài)。在非尋址狀態(tài)期間，列通常保持在Vreset。在移動到下一行之前，尋址行的變化為從Vnonaddress→Vaddress-ON→Vaddress-OFF→Vnonaddress。由于其允許不用先到斷開就可以刷新導(dǎo)通的像素，所以優(yōu)選該行切換的順序。若行切換的順序是Vnonaddress→Vaddress-OFF→Vaddress-ON→Vnonaddress，將會產(chǎn)生與行和列上面的電壓電平變化相關(guān)聯(lián)的輕微時間差異。
當(dāng)行處于addressd-ON狀態(tài)，對于轉(zhuǎn)到導(dǎo)通的像素，其對應(yīng)列在短于trow的一些脈沖時間被轉(zhuǎn)換到Vset。對于其行處于addressd-ON的同時保留其當(dāng)前斷開狀態(tài)的像素，它的對應(yīng)列保持為Vreset。
當(dāng)行進(jìn)到addressd-OFF狀態(tài)，對于轉(zhuǎn)到斷開的導(dǎo)通像素，其對應(yīng)列在短于trow的一些脈沖時間被轉(zhuǎn)換到(或保持在)Vreset。對于其行處于addressd-OFF的同時保留其當(dāng)前導(dǎo)通狀態(tài)的像素，它的對應(yīng)列保持在Vset。若像素在addressed-OFF之前是斷開的，那么Vset或Vreset將能夠保持在斷開狀態(tài)，但是通過將斷開像素在Vreset處可實(shí)現(xiàn)大多數(shù)穩(wěn)健控制。
該滯后管理方法的含義是這樣的，任何行必須在每次它被尋址的三個不同狀態(tài)之間切換Vaddress-ON、Vaddress-OFF和Vnonaddress。同樣，雖然列用該順序?qū)ぶ?，任何給定列可被設(shè)為Vset(用于刷新或?qū)嚅_的像素變?yōu)閷?dǎo)通)或Vreset(保留在斷開狀態(tài)或使導(dǎo)通的像素變?yōu)閿嚅_)。所披露方法利用了行和列之間產(chǎn)生的不同電壓，所述行和列在操縱行和列的過程中獲得電勢。
在圖18中，行電壓在對應(yīng)于Vaddress-ON、Vaddress-OFF和Vnonaddress三個不同水平之間切換。從左到右(在用水平軸代表的時間上向前移動)，行在Vnonaddress(1801)開始。由于行被尋址(選擇)，它的電壓移到Vaddress-ON(1804)，該電壓是激活像素所必需的(盡管不充分)。電勢值最后移到Vaddress-OFF(1807)，該電壓是使像素停止工作所必需的(盡管不充分)。不論像素是激活還是停止工作，取決于列電壓。如圖18中所示有三種情況；像素的激活和導(dǎo)通狀態(tài)視覺暫留(如行電壓從1801移到1804到1807)；像素的狀態(tài)視覺暫留(無論是導(dǎo)通或是斷開)(如行電壓從1810移到1813)；像素的停止工作(如行電壓移到1816)。這些內(nèi)容在下文以更多細(xì)節(jié)來說明，它說明了這些行電壓值與列電壓的相互作用(對應(yīng)于被編碼在矩陣上的載入數(shù)據(jù))。
要注意的是，停止工作的像素將不會再被激活，除非差分電壓達(dá)到Vpull-in，在圖18中它僅在1806處發(fā)生。激活的像素將保持激活，直到差分電壓達(dá)到Vrel，它僅在1818處發(fā)生。圖18示出了對于每組可能輸入的像素的行為(或在每個交叉處適應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)的其它普通器件)，從而展示所揭示的切換系統(tǒng)的效用。同樣的，圖18示出了兩列電壓值和三行電壓值的各種排列，在每種情況追蹤差分電壓。需要單步調(diào)試這些組合中的各個數(shù)值。
在選擇之前，行處于非尋址狀態(tài)1801，而列電壓反映了缺少數(shù)據(jù)1802，導(dǎo)致初始差分電壓1803。接著，選中行1804，而列數(shù)據(jù)在1805變?yōu)榉橇?預(yù)先假設(shè)在被裝載到該代表性的列上的數(shù)據(jù)中1代替0)。在這種情況下，差分電壓升到1806，強(qiáng)迫像素激活。然而，值得注意的重要的結(jié)果是行處于非尋址狀態(tài)1807。即使列電壓是非零1808，差分電壓是1809，這意味著像素的現(xiàn)有狀態(tài)將保持不變，若它是導(dǎo)通的，它將仍然保持導(dǎo)通(由于差分電壓高于釋放電壓1818)；若它是斷開的，它將仍然保持?jǐn)嚅_(由于差分電壓低于激活電壓1806)。如果圖18被認(rèn)為從左到右在時間軸上線性地表示時間，這將意味著在1806滿足激活閾值之后，行切換到非尋址狀態(tài)的1807意味著由于占優(yōu)勢的差分電壓高于釋放電壓1818，像素保留在激活。此外，像素可保留在導(dǎo)通狀態(tài)直到同時滿足兩個原則列電壓在值1817，同時處于address-off狀態(tài)1816。這可僅僅是將差分電壓降到所需水平以使像素1818釋放和停止工作。
要理解的是，驅(qū)動器編碼的緊急要求可以使address-off行事件延遲到給定數(shù)據(jù)周期的末端，如同對應(yīng)于每次數(shù)據(jù)編碼所多次發(fā)生的事件。在圖18中，這意味著行電壓在沒有到達(dá)address-off狀態(tài)的情況下在non-adress和address-on狀態(tài)之間切換，直到設(shè)置給定時域的像素值。具體地說，行電壓將從1801移到1804到1810(瞬間躍遷到1807)到1813等。移到address-off狀態(tài)(在1807和1816處示出)將被延期直到需要，到那時，行可以在兩種狀態(tài)之間振蕩(1801到1804到1810到1813到1819等)。本發(fā)明不依賴有關(guān)行address-off事件何時或多少時候被觸發(fā)一次的具體策略，也不贊成如果有理由暫時鞏固address-off事件的冗余觸發(fā)。
考慮像素在1806被觸發(fā)的情況，但address-off事件1807被抑制(延期到較晚)。一旦列電壓降到1811(雖然行電壓從1804直接遷移到1810，跳過1807)，由于在1812的差分電壓仍然太高而不能釋放(停止工作)，使得像素仍保留在導(dǎo)通狀態(tài)。出于說明的目的，假定像素先前設(shè)置在斷開狀態(tài)。這個列斷開狀態(tài)1814與行address-on事件在1813的結(jié)合，導(dǎo)致差分電壓1815仍然太低而不能激活像素，這是本例所需要的結(jié)果。
在差分電壓達(dá)到1818時發(fā)生的釋放(停止工作)事件之后，系統(tǒng)有效地復(fù)位，并且行恢復(fù)到它的下一個狀態(tài)，變到non-address狀態(tài)1819，而列斷開狀態(tài)固定在1820，導(dǎo)致差分電壓1821與靜止?fàn)顟B(tài)相一致。因此，依靠給定像素初始狀態(tài)的假設(shè)，或(更重要的)，水平地，假設(shè)周期開始(例如，在1810，而不是1801，說明了列值開始被編碼成處于斷開狀態(tài)的情形的特征)，圖18的不同部分充分說明了所揭示系統(tǒng)的關(guān)鍵功能。在改變之后，根據(jù)觸發(fā)在每一像素處(在矩陣的X-Y交叉點(diǎn))所需狀態(tài)變化和/或狀態(tài)視覺暫留的條件，圖18用作器件操作的普通諾模圖。
要注意的是，Vrel/Vpull-in(在1818的值除以1806的值)的比率越低，控制方案越穩(wěn)固。因?yàn)樵谑瓜袼財(cái)嚅_和使其導(dǎo)通之間的差別越大，則容許沒有錯誤施加給行和列的電壓的變化就越大。電壓的這種變化可起因于沿著導(dǎo)電跡線的電阻損耗，以致調(diào)整系統(tǒng)使之與這種變化協(xié)調(diào)使其作為解碼換能器更加穩(wěn)定。
任何給定X-Y矩陣的調(diào)整，首先要滿足和隨后要優(yōu)化這些要求，可要求在交叉點(diǎn)(像素)處對啟動/激活的器件調(diào)節(jié)到其機(jī)械的和/或機(jī)電的行為。相關(guān)的一個例子是在第5,319,491號美國專利中揭示的器件，由于它的“板”不是剛性的，所以實(shí)際上該器件不能起到傳統(tǒng)的平行板可變電容器的作用。改進(jìn)該系統(tǒng)使之適合于滯后管理，可對其增加剛性使其成為適應(yīng)移動的上“平板”，或相反，在激活和停止工作期間改變它的機(jī)械和幾何形狀(諸如通過去除在每一X-Y交叉點(diǎn)中心的一部分列或行導(dǎo)線以有效改變像素的激活行為，是在導(dǎo)電跡線中的孔中)。本發(fā)明將提供合適的視覺暫留增強(qiáng)，只要已經(jīng)做出的行為調(diào)整滿足前文所示的八個不等式。
一種保證在X-Y交叉的期間視覺暫留作為目標(biāo)應(yīng)用的基本時間周期的函數(shù)的方法是整體改變整行的電阻，這在電氣上等效于在每列之間的每一行上插入可變的電阻器。作為在每一行上制造大量列間電阻器(各自要求分開的控制裝置)的替代，用能夠多個數(shù)量級改變其基本電阻的材料(通過例如在橫向施加適當(dāng)?shù)碾娦盘?，它可以在電阻狀態(tài)之間整體轉(zhuǎn)換)來制造行也許更簡單。在圖19中揭示了這樣的方法。注意，通過實(shí)施這樣的裝置可避免滯后管理，這是一種情形的假定，將被假設(shè)為適用于下面的討論。因此，與圖18中示出的需要實(shí)施滯后管理方法的三個截然不同的值相反，該討論只承認(rèn)在行上的兩個電壓值。
采用該方法假設(shè)使用能夠改變其電阻達(dá)幾個(3-6)數(shù)量級的行材料。在其它候選者中，摻雜的鈣鈦礦據(jù)說擁有所需要的特性(公布的開關(guān)時間在100納秒以下，呈現(xiàn)出電阻擺幅達(dá)到6個數(shù)量級)。本發(fā)明不限于使用當(dāng)前摻雜的鈣鈦礦材料，而是包含呈現(xiàn)所需特性的所有材料。
最小的所需電阻擺幅將取決于最終的矩陣尺寸(行和列的數(shù)量)，比例系數(shù)通常落在103到107的范圍中。已經(jīng)示出電阻的所需變化與乘積NcolNrow成線性比例，其中Ncol是在由本發(fā)明所驅(qū)動的任何給定系統(tǒng)中列的數(shù)量，而Nrow是行的數(shù)量。
該控制設(shè)計(jì)基本上限制了像素相對于彼此(像素間交叉/泄漏)的充電和放電的速率。將恒定電壓Vrow和Vcol分別施加到行和列上，使得|Vcol-Vrow|＞Vpull-in。這里，仍將使用在前面的滯后管理的討論中建立的命名協(xié)定。在行被尋址時，其跡線電阻被整體(即遍及其整個長度)地改變到低值，以使所有所需像素被充分地充電。用于在給定行的整個表面區(qū)域的兩端選擇地整體施加所需電阻變化的裝置1913與行尋址狀態(tài)的后沿同步。此外，由于該方法不依賴擺動整行電阻值的任何具體或狹義的方法，在本發(fā)明中1913可被普遍化、所有非尋址行沿著它們的長度將能夠被設(shè)為低阻值。在行被尋址的時間(trow)期間所發(fā)生的事件的順序如下1)激活列被設(shè)為具有電阻RC，low(～100KΩ)。
2)停止工作列被設(shè)為具有電阻RC，high(～100MΩ)。
3)構(gòu)成尋址行跡線的可變電阻器材料被置于低電阻狀態(tài)RR，row。
4)在具有RC，low尋址行中的所有像素在它們的列中非?？斓爻潆?。在具有RC，high尋址行中的所有像素在它們的列中以很慢的速率充電從而不能在相關(guān)的周期時間期間激活像素。
5)構(gòu)成尋址行的可變電阻器材料被置于高電阻狀態(tài)RR，high。
6)對下一尋址行再次重復(fù)前面的序列(1)到(5)，直到所有的行都被尋址。
該方法提供了像素間交叉效應(yīng)的時間周期的適當(dāng)抑制，從而通過將RC時間常數(shù)延伸到像素間范圍獲得充分的期間視覺暫留。
在核心發(fā)明上的該變型的一種代表性的實(shí)施例的實(shí)施在圖19中示出。4×4矩陣被用作代替任何任意尺寸的X×Y矩陣。導(dǎo)線列1901、1902、1903和1904對應(yīng)于圖1中的相同列結(jié)構(gòu)100、圖3中的相應(yīng)列326、327、328和329、以及本申請文本中其它地方所揭示的所有模擬列結(jié)構(gòu)，而沒有任何限制。在圖19中的行(即1905、1906、1907和1908)根據(jù)本申請文本中其它地方的其對應(yīng)物(例如，在301、302、303和304處的行驅(qū)動)做出了修改。所修改的特征只在行1908的情況下被示出，在本例中假定所需的電阻偏移效應(yīng)是由選擇地施加和去除(或反轉(zhuǎn))橫向電場(垂直于1905、1906、1907和1908所處的場，它與1908的表面交叉)所產(chǎn)生的。如果替換裝置在應(yīng)用該裝置的任何行，諸如1908，可實(shí)現(xiàn)相同的電阻偏移行為，由于本發(fā)明運(yùn)行得同樣好，所以可選擇本裝置用于示例目的。
在本示例中使用的用于在1908中引起所需的電阻偏移的裝置，是一組設(shè)置在行導(dǎo)電線1908的相對表面上的平行電極1909和1910。經(jīng)由導(dǎo)電跡線1911和1912，這些電極被連接到選擇地可控制的電壓源1913。當(dāng)1913打開時，將適當(dāng)?shù)碾妱莶钍┘釉?909和1910之間，從而設(shè)置使導(dǎo)電線1908偏移到其電阻值的所需橫向電場。要理解的是，理解確保來自行導(dǎo)線1908所需性能的要求的本領(lǐng)域技術(shù)人員，將能夠適當(dāng)?shù)嘏渲煤椭圃爝m合于控制在此所利用的電阻偏移現(xiàn)象的裝置，行導(dǎo)線1908本身由適當(dāng)相應(yīng)所施加的場的特殊材料制成。
最后，器件1913的觸發(fā)和選擇性控制，以及與矩陣中所有其它行相關(guān)聯(lián)的其相對物(未在圖19中示出)與核心器件正在傳播的行選擇信號同步。在行被選中時(即，置于低阻抗?fàn)顟B(tài)，參照圖3、4、5和6，如整個本說明書中所說明的那樣)，必須將相關(guān)的器件(例如1913)置于整體處于低阻抗的所選中的行。當(dāng)行變?yōu)槲催x中時，作為樣本的1913器件必須觸發(fā)以使目標(biāo)行被整體移入高阻抗?fàn)顟B(tài)。這將減緩行中的所有泄漏或交叉效應(yīng)，從而為在用其它方法不合適的應(yīng)用中采用本發(fā)明產(chǎn)生了充分的視覺暫留。甚至有可能將對于所關(guān)聯(lián)的行由1913產(chǎn)生的所需效應(yīng)，局部或整體地作為本發(fā)明已經(jīng)揭示的任何并行功能的替換。
在圖22中描繪了實(shí)踐本發(fā)明的代表性硬件環(huán)境，它示出了依照具有諸如傳統(tǒng)微處理器的中央處理單元(CPU)2210的本發(fā)明的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)2213的硬件配置，以及經(jīng)由系統(tǒng)總線2212相互連接的許多其它單元。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)2213包括隨機(jī)訪問存儲器(RAM)2214、只讀存儲器(ROM)2216和用于將諸如盤單元2220和帶驅(qū)動2240的外圍器件連接到總線2212的輸入/輸出適配器2218、用于將鍵盤2222、鼠標(biāo)2226和/或諸如觸摸屏器件(未示出)之類的其它用戶界面器件連接到總線2212的用戶界面適配器2222、用于將數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)2213連接到數(shù)據(jù)處理網(wǎng)絡(luò)的通信適配器2234以及用于將總線2212連接到顯示器件2238的顯示適配器2236。顯示器件2238可實(shí)施在此描述的任何實(shí)施例。任何在此描述的顯示器包括諸如在圖21A和21B中所示的像素。CPU 2210可包括未在此示出的其它電路，它將包括在微處理器內(nèi)常見的電路，例如，執(zhí)行電路、總線界面單元、算術(shù)邏輯電路等。CPU 2210也可駐留在單個集成電路上。
權(quán)利要求
1.一種尋址裝置，包括第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線；第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線，其中所述第二組導(dǎo)電控制線相對于所述第一組導(dǎo)電控制線被隔開，其中所述第二組導(dǎo)電控制線的平面平行于所述第一組導(dǎo)電控制線的平面，其中所述第二組導(dǎo)電控制線的控制線垂直于所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線；第一選擇裝置，所述第一選擇裝置配置成選擇性地將串聯(lián)阻抗施加到所述第一組導(dǎo)電控制線中的一條控制線；以及第二選擇裝置，所述第二選擇裝置配置成選擇性地將驅(qū)動電壓施加到第二組導(dǎo)電線的每一導(dǎo)電線。
2.如權(quán)利要求1所述的尋址裝置，其特征在于，所述第一選擇裝置被進(jìn)一步配置成選擇性地將所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線在低阻抗?fàn)顟B(tài)和高阻抗?fàn)顟B(tài)之間來回切換。
3.如權(quán)利要求2所述的尋址裝置，其特征在于，所述第一選擇裝置還包括行選擇定序器，所述行選擇定序器配置成在所述第一組導(dǎo)電控制線中依次激活隨后的控制線，其中在所述第一組導(dǎo)電控制線中被選擇的控制線被置于低阻抗?fàn)顟B(tài)，同時在所述第一組導(dǎo)電控制線中未被選擇的控制線被置于高阻抗?fàn)顟B(tài)；時鐘裝置，所述時鐘裝置配置成確定所述被選擇的控制線處于所述低阻抗?fàn)顟B(tài)的持續(xù)時間；以及同步裝置，所述同步裝置配置成使數(shù)據(jù)的載入和編碼同步到所述時鐘裝置和所述被選擇的控制線，使得所述數(shù)據(jù)在所述被選擇的控制線處于所述低阻抗?fàn)顟B(tài)的所述持續(xù)時間期間被載入和處理。
4.如權(quán)利要求1所述的尋址裝置，其特征在于，在所述第一組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線和所述所述第二組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線之間重疊的區(qū)域被選擇性地充電和放電。
5.如權(quán)利要求4所述的尋址裝置，其特征在于，用于對所述重疊區(qū)域選擇性地充電和放電的周期足夠短，使得激活器件將不會停止工作，而停止工作的器件將不會被激活，其中用于對所述重疊區(qū)域選擇性地充電和放電的所述周期足夠長，使得激活器件將放電到激活閾值之下，而停止工作的器件將充電到超過所述激活閾值。
6.如權(quán)利要求1所述的尋址裝置，其特征在于，在所述第二組導(dǎo)電控制線中的控制線可以被等分成兩個在同一直線上的、共面的并且具有充分的物理間隔以保證它們之間電氣絕緣的二等分。
7.如權(quán)利要求1所述的尋址裝置，其特征在于，在所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線和所述第二組導(dǎo)電控制線的控制線之間所產(chǎn)生的場的極性以周期方式被反轉(zhuǎn)。
8.如權(quán)利要求7所述的尋址裝置，其特征在于，通過驅(qū)動來自分壓器的一對比較器并使分布在相反極性的適當(dāng)參考電勢兩端的控制邏輯信號振蕩，用所述周期方式反轉(zhuǎn)所述場的所述極性。
9.如權(quán)利要求1所述的尋址裝置，其特征在于，從公共信號源在兩端驅(qū)動所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線和所述第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線。
10.如權(quán)利要求9所述的尋址裝置，其特征在于，對所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線施加第一組電壓電平，對所述第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線施加第二組電壓電平，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值低于第一閾值時，在所述第一組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線和所述第二組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線之間的重疊區(qū)域處的激活器件停止工作，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值小于所述第一閾值時，在所述重疊區(qū)域處的激活器件停止工作，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值超過第二閾值時，在所述重疊區(qū)域處的停止工作的器件被激活。
11.如權(quán)利要求1所述的尋址裝置，其特征在于，所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線中的每一導(dǎo)電線由配置成選擇性地改變其在整個導(dǎo)電線兩端的電阻的材料構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求11所述的尋址裝置，其特征在于，當(dāng)在第一和第二導(dǎo)電線之間施加適當(dāng)?shù)碾妱莶顣r，所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線的所述材料改變其電阻，所述第二導(dǎo)電線在空間上設(shè)置在所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線中每一導(dǎo)電線的相對側(cè)。
13.如權(quán)利要求12所述的尋址裝置，其特征在于，所述材料包括摻雜的鈣鈦礦。
14.一種顯示器，包括第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線；第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線，其中所述第二組導(dǎo)電控制線相對于所述第一組導(dǎo)電控制線被隔開，其中所述第二組導(dǎo)電控制線的平面平行于所述第一組導(dǎo)電控制線的平面，其中所述第二組導(dǎo)電控制線的控制線垂直于所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線；重疊在所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線和所述第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線之間的像素矩陣；耦合到所述像素矩陣的第一選擇裝置，其中所述第一選擇裝置配置成選擇性地將串聯(lián)阻抗施加到所述第一組導(dǎo)電控制線的一條控制線；以及耦合到所述像素矩陣的第二選擇裝置，其中所述第二選擇裝置配置成選擇性地將驅(qū)動電壓施加到第二組導(dǎo)電線的每一導(dǎo)電線。
15.如權(quán)利要求14所述的顯示器，其特征在于，所述第一選擇裝置被進(jìn)一步配置成選擇性地將所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線在低阻抗?fàn)顟B(tài)和高阻抗?fàn)顟B(tài)之間來回切換。
16.如權(quán)利要求15所述的顯示器，其特征在于，所述第一選擇裝置還包括行選擇定序器，所述行選擇定序器配置成在所述第一組導(dǎo)電控制線中依次激活隨后的控制線，其中在所述第一組導(dǎo)電控制線中被選擇的控制線被置于低阻抗?fàn)顟B(tài)，同時在所述第一組導(dǎo)電控制線中未被選擇的控制線被置于高阻抗?fàn)顟B(tài)；時鐘裝置，所述時鐘裝置配置成確定所述被選擇的控制線處于所述低阻抗?fàn)顟B(tài)的持續(xù)時間；以及同步裝置，所述同步裝置配置成使數(shù)據(jù)的載入和編碼同步到所述時鐘裝置和所述被選擇的控制線，使得所述數(shù)據(jù)在所述被選擇的控制線處于所述低阻抗?fàn)顟B(tài)的所述持續(xù)時間期間被載入和處理。
17.如權(quán)利要求14所述的顯示器，其特征在于，在所述第一組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線和所述所述第二組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線之間的所述像素矩陣的像素被選擇性地充電和放電。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示器，其特征在于，用于對所述像素矩陣的所述像素選擇性地充電和放電的周期足夠短，使得激活器件將不會停止工作，而停止工作的器件將不會被激活，其中用于對所述像素矩陣的所述像素選擇性地充電和放電的所述周期足夠長，使得激活器件將放電到激活閾值之下，而停止工作的器件將充電到超過所述激活閾值。
19.如權(quán)利要求14所述的顯示器，其特征在于，在所述第二組導(dǎo)電控制線中的控制線可以被等分成兩個在同一直線上的、共面的并且具有充分的物理間隔以保證它們之間電氣絕緣的二等分。
20.如權(quán)利要求14所述的顯示器，其特征在于，在所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線和所述第二組導(dǎo)電控制線的控制線之間產(chǎn)生的場的極性以周期方式被反轉(zhuǎn)。
21.如權(quán)利要求20所述的顯示器，其特征在于，通過驅(qū)動來自分壓器的一對比較器并使分布在相反極性的適當(dāng)參考電勢兩端的控制邏輯信號振蕩，用所述周期方式反轉(zhuǎn)所述場的所述極性。
22.如權(quán)利要求14所述的顯示器，其特征在于，從公共信號源在兩端驅(qū)動所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線和所述第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線。
23.如權(quán)利要求22所述的顯示器，其特征在于，對所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線施加第一組電壓電平，對所述第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線施加第二組電壓電平，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值低于第一閾值時，在所述第一組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線和所述第二組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線之間的所述像素矩陣的所述像素處的激活器件停止工作，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值小于所述第一閾值時，在所述像素矩陣的所述像素處的激活器件停止工作，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值超過第二閾值時，在所述像素矩陣的所述像素處的停止工作的器件被激活。
24.如權(quán)利要求14所述的顯示器，其特征在于，所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線中的每一導(dǎo)電線由配置成選擇性地改變其在整個導(dǎo)電線兩端的電阻的材料構(gòu)成。
25.如權(quán)利要求24所述的顯示器，其特征在于，當(dāng)在第一和第二導(dǎo)電線之間施加適當(dāng)?shù)碾妱莶顣r，所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線的所述材料改變其電阻，所述第二導(dǎo)電線在空間上設(shè)置在所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線中每一導(dǎo)電線的相對側(cè)。
26.如權(quán)利要求25所述的顯示器，其特征在于，所述材料包括摻雜的鈣鈦礦。
27.一種系統(tǒng)，包括處理器；存儲器單元；輸入裝置；顯示器；和用于將所述處理器耦合到所述存儲器單元、所述輸入裝置和所述顯示器的總線系統(tǒng)；其中所述顯示器包括第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線；第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線，其中所述第二組導(dǎo)電控制線相對于所述第一組導(dǎo)電控制線被隔開，其中所述第二組導(dǎo)電控制線的平面平行于所述第一組導(dǎo)電控制線的平面，其中所述第二組導(dǎo)電控制線的控制線垂直于所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線；重疊在所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線和所述第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線之間的像素矩陣；耦合到所述像素矩陣的第一選擇裝置，其中所述第一選擇裝置配置成選擇性地將串聯(lián)阻抗施加到所述第一組導(dǎo)電控制線中的一條控制線；以及耦合到所述像素矩陣的第二選擇裝置，其中所述第二選擇裝置配置成選擇性地將驅(qū)動電壓施加到第二組導(dǎo)電線的每一導(dǎo)電線。
28.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一選擇裝置被進(jìn)一步配置成選擇性地將所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線在低阻抗?fàn)顟B(tài)和高阻抗?fàn)顟B(tài)之間來回切換。
29.如權(quán)利要求28所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一選擇裝置還包括行選擇定序器，所述行選擇定序器配置成在所述第一組導(dǎo)電控制線中依次激活隨后的控制線，其中在所述第一組導(dǎo)電控制線中被選擇的控制線被置于低阻抗?fàn)顟B(tài)，同時在所述第一組導(dǎo)電控制線中未被選擇的控制線被置于高阻抗?fàn)顟B(tài)；時鐘裝置，所述時鐘裝置配置成確定所述被選擇的控制線處于所述低阻抗?fàn)顟B(tài)的持續(xù)時間；以及同步裝置，所述同步裝置配置成使數(shù)據(jù)載入和編碼同步到所述時鐘裝置和所述被選擇的控制線，使得所述數(shù)據(jù)在所述被選擇的控制線處于所述低阻抗?fàn)顟B(tài)的所述持續(xù)時間期間被載入和處理。
30.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其特征在于，在所述第一組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線和所述所述第二組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線之間的所述像素矩陣的像素被選擇性地充電和放電。
31.如權(quán)利要求30所述的系統(tǒng)，其特征在于，用于對所述像素矩陣的所述像素選擇性地充電和放電的周期足夠短，使得激活器件將不會停止工作，而停止工作的器件將不會被激活，其中用于對所述像素矩陣的所述像素選擇性地充電和放電的所述周期足夠長，使得激活器件將放電到激活閾值之下，而停止工作的器件將充電到超過所述激活閾值。
32.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其特征在于，在所述第二組導(dǎo)電控制線中的控制線可以被等分成兩個在同一直線上的、共面的并且具有充分的物理間隔以保證它們之間電氣絕緣的二等分。
33.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其特征在于，在所述第一組導(dǎo)電控制線的控制線和所述第二組導(dǎo)電控制線的控制線之間所產(chǎn)生的場的極性以周期方式被反轉(zhuǎn)。
34.如權(quán)利要求33所述的系統(tǒng)，其特征在于，通過驅(qū)動來自分壓器的一對比較器并使分布在相反極性的適當(dāng)參考電勢兩端的控制邏輯信號振蕩，用所述周期方式反轉(zhuǎn)所述場的所述極性。
35.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其特征在于，從公共信號源在兩端驅(qū)動所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線和所述第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線。
36.如權(quán)利要求35所述的系統(tǒng)，其特征在于，對所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線施加第一組電壓電平，對所述第二組平行的、共面的導(dǎo)電控制線施加第二組電壓電平，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值低于第一閾值時，在所述第一組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線和所述第二組導(dǎo)電控制線的導(dǎo)電線之間的所述像素矩陣的所述像素處的激活器件停止工作，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值小于所述第一閾值時，在所述像素矩陣的所述像素處的激活器件停止工作，當(dāng)所述第二組電壓電平中的一個和所述第一組電壓電平中的一個之間的差值超過第二閾值時，在所述像素矩陣的所述像素處的停止工作的器件被激活。
37.如權(quán)利要求27所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線中的每一導(dǎo)電線由配置成選擇性地改變其在整個導(dǎo)電線兩端的電阻的材料構(gòu)成。
38.如權(quán)利要求37所述的系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)在第一和第二導(dǎo)電線之間施加適當(dāng)?shù)碾妱莶顣r，在所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線的所述材料改變其電阻，所述第二導(dǎo)電線在空間上設(shè)置在所述第一組平行的、共面的導(dǎo)電控制線中每一導(dǎo)電線的相對側(cè)。
39.如權(quán)利要求38所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述材料包括摻雜的鈣鈦礦。
全文摘要
一種用于對X－Y矩陣中的準(zhǔn)電容元件進(jìn)行充電和放電的尋址裝置。諸如通過斷開和閉合到與較高阻抗串聯(lián)電阻器(邏輯比特1)并聯(lián)設(shè)置的低阻抗電阻器(邏輯比特0)的路徑，尋址裝置可被配置成將電阻器－電容器的時間常數(shù)在大的值和小的值之間來回切換。當(dāng)發(fā)生這種情形時，可尋址和控制在X－Y矩陣(102)中的元件。X－Y矩陣可由多條“行”和“列”導(dǎo)線構(gòu)成，其中交叉效應(yīng)可沿著列和行(100和101)發(fā)生。通過使用滯后管理或整體控制沿著行的整個長度的行阻抗，可以減少交叉效應(yīng)。所產(chǎn)生的控制避免了在執(zhí)行切換功能的每個矩陣元件處需要有源器件。
文檔編號G09G3/34GK1902673SQ200480039767
公開日2007年1月24日 申請日期2004年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月14日
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