專利名稱：平板顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種平板顯示器，尤其涉及一種帶有改進型絕緣層的平板顯示器。
背景技術(shù)：
通常，平板顯示器大多分類為發(fā)光型和受光型。發(fā)光型平板顯示器的實例包括平陰極射線管、等離子體顯示板、場致發(fā)光裝置以及發(fā)光二極管。液晶顯示器為受光型平板顯示器的一個實例。
由于場致發(fā)光顯示器具有如視角寬、對比度高和響應(yīng)速度快等優(yōu)點，所以將其作為下一代顯示器而進行開發(fā)的興趣日益增長。場致發(fā)光顯示器根據(jù)發(fā)光層由無機材料還是由有機材料制成而分成無機和有機場致發(fā)光顯示器。
尤其是，有機場致發(fā)光顯示器為通過有機熒光化合物的電激勵發(fā)光的自發(fā)射型顯示器，其具有許多優(yōu)于液晶顯示器的優(yōu)點如驅(qū)動電壓低、易于形成薄層、視角寬以及響應(yīng)速度快。
有機場致發(fā)光顯示器包括一發(fā)光層，其由一種介于陽極與陰極之間的有機材料制成。當(dāng)分別對陽極和陰極施加陽極電壓和陰極電壓時，空穴通過一孔傳輸層從陽極轉(zhuǎn)移至發(fā)光層中，而電子通過一電子傳輸層從陰極轉(zhuǎn)移至發(fā)光層中。其后，空穴與電子在發(fā)光層互相重新結(jié)合從而產(chǎn)生激子。
當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)改變成基態(tài)時，發(fā)光層中的熒光分子發(fā)光，從而顯示圖象。彩色有機場致發(fā)光顯示器包括紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)發(fā)光像素以便顯示彩色圖象。
同時，一種薄層晶體管(下文中稱作“TFT”)在平板顯示器如場致發(fā)光顯示器和液晶顯示器中用作像素開關(guān)元件和像素驅(qū)動元件。
TFT包括一半導(dǎo)體有源層、一置于半導(dǎo)體有源層上的柵極絕緣層和一與半導(dǎo)體有源層的通道區(qū)域相對應(yīng)的置于柵極絕緣層上的柵電極，其中半導(dǎo)體有源層具有一漏極區(qū)域和一在一襯底上摻雜著高濃度的雜質(zhì)的源區(qū)域以及一連接著漏極區(qū)域與源區(qū)域的通道區(qū)域。
TFT在平板顯示器中用作像素開關(guān)元件和像素驅(qū)動元件。有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器(AMOELD)包括每像素至少兩個TFT。
美國專利No.5,742,129、6,194,837、6,373,453和6,380,672公開了一種有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器。
圖1示出了一種常規(guī)型有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器10。在這種有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器10中，第一電極11上方除了發(fā)光區(qū)域之外的其它像素區(qū)域利用一平面化層12覆蓋。
參看圖1，在有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器10中，在由有機材料制成的發(fā)光層形成于第一電極11上之后，就形成一通常覆蓋著所有發(fā)光區(qū)域的第二電極(未示出)。在這種情況下，由于其上具有各種數(shù)據(jù)和驅(qū)動線的襯底區(qū)域與剩余襯底區(qū)域之間存在高度差，因此形成的第二電極并不平坦。
就是說，由于在第二電極下方的結(jié)構(gòu)不平坦，因此形成于不平坦結(jié)構(gòu)上的第二電極不能具有扁平形狀。為此原因，第二電極在驅(qū)動時呈現(xiàn)電不穩(wěn)定現(xiàn)象。在這點上，有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器10一般具有由有機材料制成的平面化層12。
所形成的平面化層12的厚度大于數(shù)據(jù)和驅(qū)動線的高度以便克服由于數(shù)據(jù)和驅(qū)動線所產(chǎn)生的高度差。平面化層12的位于第一電極11上方與發(fā)光區(qū)域相對應(yīng)的部分的光致抗蝕劑在一光刻過程中除去以便露出第一電極11。除了第一電極11之外的所有襯底區(qū)域都利用平面化層12覆蓋著。平面化層12一般沿第一電極11的邊緣形成。
然而，當(dāng)常規(guī)型有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器10被驅(qū)動時，從用于穩(wěn)定第二電極的平面化層12上發(fā)出一種有機氣體因而對由有機材料制成的發(fā)光層造成負(fù)面影響。
存在于平面化層12中的有機氣體主要是在平面化層12的圖案形成過程中由光敏化合物(PAC)的光致反應(yīng)產(chǎn)生。有機氣體的實例包括苯甲醛、苯甲醇以及苯化合物如甲苯和二甲苯。
特別地，即使當(dāng)外部溫度稍微升高時，鄰近平面化層12的像素的周邊部分A處的亮度也低于像素的中心部分B處的亮度，如圖2中所示。隨著時間推移，像素的周邊部分A逐漸變得比中心部分B越來越暗，從而減小了發(fā)光區(qū)域的有效發(fā)光面積。
當(dāng)環(huán)繞著像素的平面化層12的面積變得更大時，這種現(xiàn)象就變得更嚴(yán)重。就是說，當(dāng)環(huán)繞著像素的平面化層12的面積窄于像素的面積時，這種現(xiàn)象就得以減緩。否則，這種現(xiàn)象就得以助長。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種平板顯示器，其具有一改進型結(jié)構(gòu)的環(huán)繞著第一電極形成的平面化層。因此，可以防止由發(fā)自平面化層的氣體所造成的有效像素減少現(xiàn)象。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種平板顯示器，包括一襯底；多個形成于襯底上的第一電極；多個形成于襯底上的絕緣層；一絕緣地與第一電極相對的第二電極；以及多個介于第一電極與第二電極之間并且通過驅(qū)動第一電極和第二電極而發(fā)光的有機發(fā)光層，其中一具有絕緣層的區(qū)域和一不帶絕緣層的開口區(qū)域位于第一電極之間或其外部。
具有絕緣層的區(qū)域可包括一具有第一絕緣層的第一區(qū)域，每個第一絕緣層的至少一部分形成于每個第一電極的至少一部分上。
第一區(qū)域的面積可小于襯底的除了用于由有機發(fā)光層發(fā)光的發(fā)光區(qū)域之外的非發(fā)光區(qū)域的面積。
開口區(qū)域可位于第一區(qū)域外部。
具有絕緣層的區(qū)域可包括一具有并非形成于第一電極上的第二絕緣層的第二區(qū)域。
第一區(qū)域的面積和第二區(qū)域的面積之和可小于除了用于由有機發(fā)光層發(fā)光的發(fā)光區(qū)域之外的非發(fā)光區(qū)域的面積。
開口區(qū)域可存在于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間。
第一絕緣層可以按照環(huán)繞著第一電極的封閉曲線形狀形成。
第一絕緣層可具有約為1至15μm的寬度。
開口區(qū)域可具有約為1至15μm的寬度。
第一區(qū)域和第二區(qū)域可互相分離。
第一區(qū)域的至少一部分可連接于第二區(qū)域的至少一部分上。
開口區(qū)域可存在于第一電極和第二區(qū)域之間。
開口區(qū)域可存在于第一區(qū)域和第二區(qū)域外部。
開口區(qū)域可存在于第二區(qū)域外部。
絕緣層可由有機材料制成。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種平板顯示器，包括一襯底；以及一形成于襯底上并具有多個像素的顯示區(qū)域，其中顯示區(qū)域包括多個形成于每個像素中的選擇驅(qū)動電路；一由絕緣材料制成并覆蓋著選擇驅(qū)動電路的保護層；多個在每個像素中形成于保護層上的像素電極；以及多個形成于保護層上的絕緣層，并且其中一具有絕緣層的區(qū)域和一不帶絕緣層的開口區(qū)域位于像素電極之間或其外部。
具有絕緣層的區(qū)域可包括一具有第一絕緣層的第一區(qū)域，每個第一絕緣層的至少一部分形成于每個像素電極的至少一部分上。
第一區(qū)域的面積可小于顯示區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域的面積。
開口區(qū)域可位于第一區(qū)域外部。
具有絕緣層的區(qū)域可包括一具有并非形成于像素電極上的第二絕緣層的第二區(qū)域。
第一區(qū)域的面積和第二區(qū)域的面積之和可小于顯示區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域的面積。
開口區(qū)域可存在于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間。
第一絕緣層可以環(huán)繞著像素電極的封閉曲線形狀形成。
第一絕緣層可具有約為1至15μm的寬度。
開口區(qū)域可具有約為1至15μm的寬度。
第一區(qū)域和第二區(qū)域可互相分離。
第一區(qū)域的至少一部分可連接于第二區(qū)域的至少一部分上。
開口區(qū)域可存在于像素電極和第二區(qū)域之間。
開口區(qū)域可存在于第一區(qū)域和第二區(qū)域外部。
開口區(qū)域可存在于第二區(qū)域外部。
絕緣層可由有機材料制成。
每個像素可包括一有機場致發(fā)光元件并且每個像素電極為有機場致發(fā)光元件的一個電極。


通過以下參看附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行的詳細描述，將可清楚了解本發(fā)明的以上及其它特征和優(yōu)點，其中圖1為一種常規(guī)型有機場致發(fā)光顯示器的示意圖；圖2為一種常規(guī)型有機場致發(fā)光顯示器的照片；
圖3為一種根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的有機場致發(fā)光顯示器的平面圖；圖4為圖3的有機場致發(fā)光顯示器的示意圖；圖5為圖4的有機場致發(fā)光顯示器中的第一電極陣列的示意圖；圖6為一種根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的有機場致發(fā)光顯示器中的第一電極陣列的示意圖；圖7為一種根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的有機場致發(fā)光顯示器中的第一電極陣列的示意圖；圖8為一種根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的有機場致發(fā)光顯示器中的第一電極陣列的示意圖；圖9為一種根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的有機場致發(fā)光顯示器中的第一電極陣列的示意圖；以及圖10為一種根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的有機場致發(fā)光顯示器中的第一電極陣列的示意圖。
具體實施例方式
在下文中，將參照附圖對根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例的平板顯示器進行詳細描述。
圖3示出了一種根據(jù)本發(fā)明第一實施例的有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器的一個像素的結(jié)構(gòu)。
參看圖3，有機場致發(fā)光顯示器具有紅、綠和藍像素。可以采用各種陣列模式，例如各個色彩像素的鑲嵌型或點陣型陣列。這些像素設(shè)置于有機場致發(fā)光顯示器的一顯示區(qū)域(未示出)中以便產(chǎn)生預(yù)定的圖象。顯示區(qū)域的每個像素包括一選擇驅(qū)動電路和有機場致發(fā)光元件60，選擇驅(qū)動電路帶有一開關(guān)TFT30、一驅(qū)動TFT40、以及一電容器50，而有機場致發(fā)光元件60用作發(fā)光元件，如圖3中所示。盡管圖3中并未示出，但是各種連接于外部電源和電子裝置上的驅(qū)動電路和端子置于顯示區(qū)域周圍。顯示區(qū)域進行密封以便不會暴露于外部空氣中。
在這一點上，圖3為構(gòu)成有機場致發(fā)光顯示器中的一驅(qū)動單元的紅、綠和藍像素之一的局部放大圖。
如上所述，有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器的每個像素包括的選擇驅(qū)動電路具有兩個TFT，即開關(guān)TFT30和驅(qū)動TFT40，電容器50及有機場致發(fā)光元件60。由于對選擇驅(qū)動電路的TFT和電容器的數(shù)量沒有限制，因此根據(jù)有機場致發(fā)光元件的所需設(shè)計可以使用更多的TFT和電容器。
開關(guān)TFT30由一施加于柵極線71上的掃描信號驅(qū)動，其將施加于數(shù)據(jù)線72上的數(shù)據(jù)信號傳送至電容器50。驅(qū)動TFT用于根據(jù)由電容器50傳送的數(shù)據(jù)信號，即柵極與源之間的電壓差(Vgs)，來確定將要注入有機場致發(fā)光元件60的電流量。電容器50用于在一個幀期間存儲由開關(guān)TFT30所傳送的數(shù)據(jù)信號。
開關(guān)TFT30的一個源電極31通過數(shù)據(jù)線72連接于驅(qū)動電路上，而開關(guān)TFT30的一個柵電極32通過柵極線71連接于另一驅(qū)動電路上。開關(guān)TFT30的漏極33連接于電容器50的第一電容電極51和驅(qū)動TFT40的柵電極42上。
電容器50的第二電容電極52與驅(qū)動TFT40的源電極41連接于一驅(qū)動線73上，而驅(qū)動TFT40的漏極43連接于有機場致發(fā)光元件60的第一電極61上。
有機場致發(fā)光元件60包括第一電極61、第二電極62和一有機發(fā)光層63，第一電極61用作像素電極，第二電極62用作與第一電極61相對地隔開一預(yù)定間隙的公共電極，而有機發(fā)光層63介于第一和第二電極61和62之間并且通過驅(qū)動第一和第二電極61和62而發(fā)光，如圖4中所示。
參看圖4，有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器包括一襯底81。襯底81可由透明材料，例如玻璃或塑料材料制成。一緩沖層82形成于襯底81的整個表面上。
如圖3中所示的開關(guān)TFT30、驅(qū)動TFT40、電容器50和有機場致發(fā)光元件60形成于緩沖層82上。圖3的開關(guān)TFT30在圖4中省去。
一有源層44按照預(yù)定模式形成于緩沖層82上。有源層44埋于柵極絕緣層83中。有源層44可由p型或n型半導(dǎo)體材料制成。
驅(qū)動TFT40的柵電極42形成于與有源層44相對應(yīng)的柵極絕緣層83上。柵電極42埋于一中間絕緣層84中。在中間絕緣層84形成之后，柵極絕緣層83和中間絕緣層84經(jīng)過蝕刻處理如干蝕刻以便形成接觸孔83a和84a。因此，有源層44的一些部分露出。
有源層44的露出部分通過接觸孔83a和84a連接于驅(qū)動TFT40的按照預(yù)定模式形成的源電極41和漏極43上。源電極41和漏極43埋入保護層85中。保護層85的一部分進行蝕刻以便露出漏極43的一部分。
保護層85由絕緣材料制成并且可為一由氧化硅或氮化硅制成的無機層或者由丙烯或BCB制成的有機層。一分離的絕緣層可形成于保護層85上以便整平保護層85。
同時，有機場致發(fā)光元件60通過根據(jù)電流量發(fā)射紅、綠或藍光而顯示預(yù)定圖象信息。第一電極61按照圖案形成于保護層85上。第一電極61電連接于驅(qū)動TFT40的漏極43上。
第一電極61由一絕緣層86覆蓋。在一預(yù)定的像素開口64形成于絕緣層86中之后，在由像素開口64所限定的區(qū)域中形成有機發(fā)光層63。第二電極62形成于有機發(fā)光層63上。
絕緣層86起像素限定層的作用，限定了每個像素，如圖5中所示。絕緣層86由有機材料制成并且用于整平上面形成有第一電極61的襯底表面，特別是保護層85的表面。絕緣層86將在以后進行詳細描述。
如上所述，有機場致發(fā)光元件60通過根據(jù)電流量發(fā)射紅、綠或藍光而顯示預(yù)定圖象信息。有機場致發(fā)光元件60包括第一電極61、第二電極62和有機發(fā)光層63，第一電極61用作像素電極并且連接于驅(qū)動TFT的漏極上，第二電極62用作一與第一電極61相對的電極并且覆蓋著整個像素，而有機發(fā)光層63介于第一和第二電極61和62之間并且發(fā)光。
第一電極61和第二電極62互相絕緣并且接收相反的電壓以便使得有機發(fā)光層63發(fā)光。
有機發(fā)光層63可為低分子或高分子有機層。低分子有機層可具有單疊或多疊式結(jié)構(gòu)的空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)?？捎米鞯头肿佑袡C層的有機材料可為銅酞菁(CuPc)、N，N-二(萘-1-基)-N、N’-二苯基聯(lián)苯胺(NPB)、或三-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。低分子有機層可通過真空沉積法形成。
高分子有機層可具有包括一空穴傳輸層(HTL)和一發(fā)光層(EML)的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，空穴傳輸層可由聚(亞乙基二氧)噻吩(PEDOT)制成，而發(fā)光層可由高分子量有機材料如聚(亞乙烯基苯)(PPV)和聚芴制成。空穴傳輸層和發(fā)光層可通過絲網(wǎng)印刷或墨水噴射印刷法形成。
本發(fā)明的有機發(fā)光層63的結(jié)構(gòu)并不限于以上所述。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的有機發(fā)光層63可具有能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的的任何結(jié)構(gòu)。
第一電極61可為陽極而第二電極62可為陰極。當(dāng)然，第一電極61可為陰極而第二電極62可為陽極。第一電極61可相應(yīng)地圖案化于每個像素上而第二電極62可覆蓋著整個像素。
第一電極61可為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)谝浑姌O61為透明電極時，可以使用ITO、IZO、ZnO或In2O3。當(dāng)?shù)谝浑姌O61為反射電極時，一由ITO、IZO、ZnO或In2O3制成的透明電極層可形成于一由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物制成的反射層上。
第二電極62可為一透明電極或反射電極。由于第二電極62在作為透明電極時用作陰極，所以在將小選出功金屬，即Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg，或其化合物沉積于有機發(fā)光層63上之后，可形成一由ITO、IZO、ZnO或In2O3制成的輔助電極層或總電極線。當(dāng)?shù)诙姌O62為反射電極時，可以使用Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物。
具有絕緣層86的區(qū)域87和不帶絕緣層86的開口區(qū)域88位于第一電極61的圖案之間或外部。具有絕緣層86的區(qū)域87在下文中也稱作平面化區(qū)域。然而，具有絕緣層86的區(qū)域87并不限于詞項“平面化區(qū)域”的意思，并且應(yīng)當(dāng)理解絕緣層86不一定必須具有平面化功能。
在第一電極61形成于保護層85上之后，可將絕緣層86形成于襯底81上除了有機場致發(fā)光元件60的像素開口64之外的部分上，以便補償由于形成于襯底81上的開關(guān)TFT30、驅(qū)動TFT40和電容器50的各自圖案的高度差。絕緣層86可由有機材料如丙烯或BCB制成但是并不限于此。絕緣層86還可由無機材料制成。
具有絕緣層86的平面化區(qū)域87包括一具有第一絕緣層86a的第一區(qū)域87a。第一絕緣層86a的一部分與第一電極61的至少一個邊緣重疊。第一絕緣層86a可以沿著第一電極61的邊緣按照薄封閉曲線形狀形成，如圖5中所示。
如圖5中所示，本發(fā)明的第一實施例包括第一區(qū)域87a、第二區(qū)域87b和開口區(qū)域88，其中第一區(qū)域87a具有沿著第一電極61的邊緣形成的第一絕緣層86a，第二區(qū)域87b與第一區(qū)域87a隔開預(yù)定距離并且具有第二絕緣層86b，而開口區(qū)域88不帶絕緣層86并且位于第一區(qū)域87a與第二區(qū)域87b之間。
第一區(qū)域87a可具有約為1至15μm的寬度。第一區(qū)域87a用于防止當(dāng)有機發(fā)光層63和第二電極62相繼形成于第一電極61上時，因第一電極61與第二電極62之間發(fā)生短路而產(chǎn)生白斑或暗斑。
沿著第一區(qū)域87a的邊緣的開口區(qū)域88用于通過在驅(qū)動時從絕緣層86中釋放氣體而減少對有機發(fā)光層63的損壞。
特別地，如同如圖5中所示的第一實施例，沿著第一電極61的邊緣按照預(yù)定寬度形成的開口區(qū)域88用作一用于從絕緣層86中釋放氣體的緩沖區(qū)域。
因此，與不帶開口區(qū)域88的情況相比，開口區(qū)域88可延緩像素隨著時間的減少速率。優(yōu)選地，所形成的開口區(qū)域88寬度約為1至15μm。
同時，具有第二絕緣層86b的第二區(qū)域87b形成于開口區(qū)域88的外部。第二區(qū)域87b的第二絕緣層86b基本上由與第一絕緣層86a相同的材料制成。
第二區(qū)域87b用于整平襯底81，特別是保護層85，以防止由于第一電極61和有源矩陣型顯示器中的外圍電源線之間存在梯級而造成降級。
按照這種方式，平面化區(qū)域87包括第一區(qū)域87a和第二區(qū)域87b，其中第一區(qū)域87a沿著第一電極61的邊緣按照預(yù)定寬度形成，第二區(qū)域87b與第一區(qū)域87a通過開口區(qū)域88隔開。
由于開口區(qū)域88的存在，所以絕緣層86的面積，即第一區(qū)域87a的面積和第二區(qū)域87b的面積之和小于有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器的襯底的除了用于由有機發(fā)光層62發(fā)光的發(fā)光區(qū)域，即像素開口64之外的面積。
絕緣層86可根據(jù)襯底81或用于形成絕緣層86的保護層85的表面情況而具有各種結(jié)構(gòu)。
根據(jù)如圖6所示的本發(fā)明的第二實施例，一具有絕緣層86的平面化區(qū)域87包括一第一區(qū)域87a，其中第一區(qū)域87a具有一沿著第一電極61的邊緣形成的第一絕緣層86a，以便使得開口區(qū)域88位于第一區(qū)域87a外部的襯底的整個表面上。
就是說，絕緣層86沿著第一電極61的邊緣形成薄帶形狀。開口區(qū)域88位于絕緣層86外部的襯底的整個表面上，以防止從絕緣層86發(fā)出的氣體對有機發(fā)光層造成損壞。
根據(jù)如圖7所示的本發(fā)明的第三實施例，一具有絕緣層86的平面化區(qū)域87包括一第一區(qū)域87a和一第二區(qū)域87b，其中第一區(qū)域87a具有一沿著第一電極61的邊緣不連續(xù)地形成的第一絕緣層86a，而第二區(qū)域87b具有一形成于襯底或保護層的大高度差區(qū)域上的第二絕緣層86b。因此，絕緣層86的面積可以減至最小，從而將從絕緣層86發(fā)出的氣體對有機發(fā)光層造成的損壞減至最小。
根據(jù)如圖8所示的本發(fā)明的第四實施例，一具有絕緣層86的平面化區(qū)域87包括一第一區(qū)域87a、一開口區(qū)域88和一第二區(qū)域87b，其中第一區(qū)域87a具有一沿著第一電極61的邊緣不連續(xù)地形成的第一絕緣層86a，開口區(qū)域88位于第一區(qū)域87a外部，而第二區(qū)域87b具有一位于開口區(qū)域88外部的第二絕緣層86b。在這里，第一區(qū)域87a和第二區(qū)域87b局部互相連接。根據(jù)本實施例，第一電極61輕輕連接于絕緣層86上并且只有位于第一電極61外部的襯底面積上覆蓋著絕緣層86。因此，可以防止氣體透入發(fā)光層。
根據(jù)如圖9所示的本發(fā)明的第五實施例，一具有絕緣層86的平面化區(qū)域87包括一第一區(qū)域87a和一第二區(qū)域87b，其中第一區(qū)域87a具有一沿著第一電極61的邊緣按照封閉曲線形狀形成的第一絕緣層86a，而第二區(qū)域87b具有一形成于第一區(qū)域87a外部的襯底或保護層的大高度差區(qū)域上的第二絕緣層86b。第一區(qū)域87a和第二區(qū)域87b互相連接。一開口區(qū)域位于第一區(qū)域87a和第二區(qū)域87b外部。根據(jù)本實施例，第一區(qū)域87a的第一絕緣層86a用于防止第一電極61和第二電極(未示出)之間發(fā)生短路，而第二區(qū)域87b的第二絕緣層86b用于整平襯底或保護層。此外，開口區(qū)域88的加大使得能夠保護像素不受由絕緣層86發(fā)出的氣體的損壞。
除了第一區(qū)域87a的第一絕緣層86a的寬度根據(jù)襯底或保護層的表面情況而改變之外，如圖10所示的本發(fā)明的第六實施例具有與圖5所示的第一實施例相同的基本結(jié)構(gòu)。
應(yīng)當(dāng)理解，除了每個像素包含一選擇驅(qū)動電路的有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器之外，絕緣層的上述結(jié)構(gòu)通常應(yīng)用于不包含選擇驅(qū)動電路的無源矩陣有機場致發(fā)光顯示器上。
到目前為止，依據(jù)有源矩陣有機場致發(fā)光顯示器對本發(fā)明進行了描述。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明也可應(yīng)用于包含TFT電路的液晶顯示器或無機場致發(fā)光顯示器或不含TFT電路的平板顯示器。
通過以上描述可以清楚看出，根據(jù)本發(fā)明的平板顯示器具有以下優(yōu)點。
第一，可以減少由從絕緣層發(fā)出的氣體對有機發(fā)光層的損壞。
第二，一不帶絕緣層的開口起緩沖區(qū)域的作用，從而延緩像素減少現(xiàn)象。
第三，沿著第一電極的邊緣形成的第一絕緣層區(qū)域可防止第一電極與第二電極之間發(fā)生短路。
第四，一絕緣層可整平襯底或保護層。
盡管參看本發(fā)明的示例性實施例對本發(fā)明進行了特別展示和描述，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不超出如以下權(quán)利要求書所確定的本發(fā)明的精神及范圍的情況下，可以在形式和細節(jié)方面作出各種變動。
權(quán)利要求
1.一種平板顯示器，包括一襯底；多個形成于襯底上的第一電極；多個形成于襯底上的絕緣層；一絕緣地與第一電極相對的第二電極；以及多個介于第一電極與第二電極之間并且通過驅(qū)動第一電極和第二電極而發(fā)光的有機發(fā)光層，其中一具有絕緣層的區(qū)域和一不帶絕緣層的開口區(qū)域位于第一電極之間或其外部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中具有絕緣層的區(qū)域包括一具有第一絕緣層的第一區(qū)域，每個第一絕緣層的至少一部分形成于每個第一電極的至少一部分上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板顯示器，其中第一區(qū)域的面積小于襯底的除了用于由有機發(fā)光層發(fā)光的發(fā)光區(qū)域之外的非發(fā)光區(qū)域的面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域位于第一區(qū)域外部。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板顯示器，其中具有絕緣層的區(qū)域包括一具有并非形成于第一電極上的第二絕緣層的第二區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中第一區(qū)域的面積和第二區(qū)域的面積之和小于除了用于由有機發(fā)光層發(fā)光的發(fā)光區(qū)域之外的非發(fā)光區(qū)域的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板顯示器，其中第一絕緣層以環(huán)繞著第一電極的封閉曲線形狀形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板顯示器，其中第一絕緣層具有約為1至15μm的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域具有約為1至15μm的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域互相分離。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中第一區(qū)域的至少一部分連接于第二區(qū)域的至少一部分上。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于第一電極和第二區(qū)域之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于第一區(qū)域和第二區(qū)域外部。
15.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板顯示器，其中第一絕緣層具有約為1至15μm的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中具有絕緣層的區(qū)域包括一具有并非形成于第一電極上的第二絕緣層的第二區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于第一電極和第二區(qū)域之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于第二區(qū)域外部。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域具有約為1至15μm的寬度。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中絕緣層由有機材料制成。
21.一種平板顯示器，包括一襯底；以及一形成于襯底上并具有多個像素的顯示區(qū)域，其中顯示區(qū)域包括多個形成于每個像素中的選擇驅(qū)動電路；一由絕緣材料制成并覆蓋著選擇驅(qū)動電路的保護層；多個在每個像素中形成于保護層上的像素電極；以及多個形成于保護層上的絕緣層，以及其中一具有絕緣層的區(qū)域和一不帶絕緣層的開口區(qū)域位于像素電極之間或其外部。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的平板顯示器，其中具有絕緣層的區(qū)域包括一具有第一絕緣層的第一區(qū)域，每個第一絕緣層的至少一部分形成于每個像素電極的至少一部分上。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的平板顯示器，其中第一區(qū)域的面積小于顯示區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域的面積。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域位于第一區(qū)域外部。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的平板顯示器，其中具有絕緣層的區(qū)域包括一具有并非形成于像素電極上的第二絕緣層的第二區(qū)域。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的平板顯示器，其中第一區(qū)域的面積和第二區(qū)域的面積之和小于顯示區(qū)域的非發(fā)光區(qū)域的面積。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于第一區(qū)域與第二區(qū)域之間。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的平板顯示器，其中第一絕緣層按照環(huán)繞著像素電極的封閉曲線形狀形成。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的平板顯示器，其中第一絕緣層具有約為1至15μm的寬度。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域具有約為1至15μm的寬度。
31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的平板顯示器，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域互相分離。
32.根據(jù)權(quán)利要求25所述的平板顯示器，其中第一區(qū)域的至少一部分連接于第二區(qū)域的至少一部分上。
33.根據(jù)權(quán)利要求25所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于像素電極和第二區(qū)域之間。
34.根據(jù)權(quán)利要求25所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于第一區(qū)域和第二區(qū)域外部。
35.根據(jù)權(quán)利要求22所述的平板顯示器，其中第一絕緣層具有約為1至15μm的寬度。
36.根據(jù)權(quán)利要求21所述的平板顯示器，其中具有絕緣層的區(qū)域包括一具有并非形成于像素電極上的第二絕緣層的第二區(qū)域。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于像素電極和第二區(qū)域之間。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域存在于第二區(qū)域外部。
39.根據(jù)權(quán)利要求21所述的平板顯示器，其中開口區(qū)域具有約為1至15μm的寬度。
40.根據(jù)權(quán)利要求21所述的平板顯示器，其中絕緣層由有機材料制成。
41.根據(jù)權(quán)利要求21至39中任一項所述的平板顯示器，其中每個像素包括一有機場致發(fā)光元件并且每個像素電極為有機場致發(fā)光元件的一個電極。
全文摘要
提供了一種平板顯示器。這種平板顯示器包括一襯底、多個形成于襯底上的第一電極、多個形成于襯底上的絕緣層、一絕緣地與第一電極相對的第二電極、以及多個介于第一電極與第二電極之間并且通過驅(qū)動第一電極和第二電極而發(fā)光的有機發(fā)光層，其中一具有絕緣層的區(qū)域和一不帶絕緣層的開口區(qū)域位于第一電極之間或其外部。因此，可將由絕緣層發(fā)出的氣體對有機發(fā)光層造成的損壞減至最小。
文檔編號G09F9/30GK1573883SQ20041006169
公開日2005年2月2日 申請日期2004年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月24日
發(fā)明者樸峻永, 李俊燁, 金在中, 崔镕中, 徐美淑 申請人:三星Sdi株式會社