小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及小尺寸電容器的制造方法
【專利摘要】一種小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，包括印刷絲網(wǎng)，印刷絲網(wǎng)的絲網(wǎng)圖形包括輔助區(qū)域和目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域；目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域包括多個(gè)規(guī)則排列且均勻分布的內(nèi)電極圖形單元，內(nèi)電極圖形單元用于透漿形成目標(biāo)產(chǎn)品的內(nèi)電極；輔助區(qū)域設(shè)置在目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的周邊，輔助區(qū)域包括多個(gè)規(guī)則排列且均勻分布的輔助圖形單元，輔助圖形單元用于透漿，輔助圖形單元的面積大于內(nèi)電極圖形單元的面積。輔助區(qū)域設(shè)置在目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的周邊，在剝離膜片時(shí)能夠較好的防止膜片被撕裂和破碎。輔助區(qū)域和目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域均設(shè)置均勻分布的透漿圖形單元，使得整張印刷后的膜片應(yīng)力均衡，從而使邊緣真空剝膜完整性高，提高了產(chǎn)品的合格率。同時(shí)，還提供了一種小尺寸電容器的制造方法。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電容器制造過程的領(lǐng)域，特別是涉及一種小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè) 備及小尺寸電容器的制造方法。 小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及小尺寸電容器的制造方法

【背景技術(shù)】
[0002] 為適應(yīng)電子元件微型化、集成化發(fā)展趨勢，小尺寸電容器的應(yīng)用越來越廣泛。小尺 寸電容器是指如0201電容器、01005電容器等尺寸較小的電容器，以及相比0201電容器、 01005電容器更小尺寸的電容器。
[0003] 小尺寸電容器的制造工藝和精度都比傳統(tǒng)尺寸電容器高，從流延、絲印、疊層、層 壓、切割到后面的各個(gè)工序，對(duì)員工操作和設(shè)備部件都有嚴(yán)格要求。由于小尺寸電容器在制 作過程中，巴塊上的電容芯片數(shù)量急劇增加，對(duì)合格率的控制也越來越困難。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 基于此，有必要針對(duì)小尺寸電容器的制造過程中合格率低的問題，提供一種小尺 寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及小尺寸電容器的制造方法。
[0005] -種小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，包括印刷絲網(wǎng)，所述印刷絲網(wǎng)的絲網(wǎng)圖形包 括輔助區(qū)域和目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域；
[0006] 所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域包括多個(gè)規(guī)則排列且均勻分布的內(nèi)電極圖形單元，所述內(nèi)電極 圖形單元用于透漿形成目標(biāo)產(chǎn)品的內(nèi)電極；
[0007] 所述輔助區(qū)域設(shè)置在所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的周邊，所述輔助區(qū)域包括多個(gè)規(guī)則排列 且均勻分布的輔助圖形單元，所述輔助圖形單元用于透漿，所述輔助圖形單元的面積大于 所述內(nèi)電極圖形單元的面積。
[0008] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述輔助區(qū)域包括防變形區(qū)域和防破裂區(qū)域；
[0009] 所述防變形區(qū)域的所述輔助圖形單元為第一輔助圖形單元，所述防破裂區(qū)域的所 述輔助圖形單元為第二輔助圖形單元，所述第一輔助圖形單元的面積大于所述第二輔助圖 形單元的面積；
[0010] 所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)，所述防變形區(qū)域位于多個(gè)所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域之間，所 述防破裂區(qū)域位于所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的外側(cè)邊緣處。
[0011] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，第二輔助圖形單元用于透漿形成副產(chǎn)品的內(nèi)電極。
[0012] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述絲網(wǎng)圖形為矩形，所述輔助區(qū)域還包括四角區(qū)域，所述 四角區(qū)域位于所述絲網(wǎng)圖形四角的位置處；所述四角區(qū)域的所述輔助圖形單元為第三輔助 圖形單元，所述第三輔助圖形單元的面積大于所述第二輔助圖形單元的面積。
[0013] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述內(nèi)電極圖形單元和所述輔助圖形單元均為矩形；
[0014] 所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的單位面積內(nèi)的所述內(nèi)電極圖形單元的數(shù)量與所述防破裂區(qū) 域的單位面積內(nèi)的所述第二輔助圖形單元的數(shù)量相同，且所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的單位面積內(nèi) 的所述內(nèi)電極圖形單元的數(shù)量與所述四角區(qū)域的單位面積內(nèi)的所述第三輔助圖形單元的 數(shù)量相同。
[0015] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域、所述防變形區(qū)域、所述防破裂區(qū)域和所 述四角區(qū)域相互之間具有空隙，所述空隙的寬度小于等于所述內(nèi)電極圖形單元的長度和長 度方向上相鄰的兩個(gè)所述內(nèi)電極圖形單元之間的距離之和。
[0016] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的所述內(nèi)電極圖形單元錯(cuò)位排列；
[0017] 所述防破裂區(qū)域的所述第二輔助圖形單元錯(cuò)位排列；
[0018] 所述四角區(qū)域的所述第三輔助圖形單元錯(cuò)位排列；
[0019] 所述防變形區(qū)域的所述第一輔助圖形單元對(duì)齊排列。
[0020] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述內(nèi)電極圖形單元和所述輔助圖形單元均為矩形條狀， 且所述內(nèi)電極圖形單元和所述輔助圖形單元的延伸方向一致。
[0021] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述防變形區(qū)域呈十字形或井字形。
[0022] 一種小尺寸電容器的制造方法，包括如下步驟：
[0023] 通過所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備對(duì)膜片進(jìn)行內(nèi)電極印刷；以及
[0024] 將印刷后的膜片進(jìn)行剝離；
[0025] 對(duì)剝離后的膜片錯(cuò)位層疊；
[0026] 對(duì)層疊后的膜片進(jìn)行切割。
[0027] 上述小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及小尺寸電容器的制造方法，采用的絲網(wǎng)圖形 包括輔助區(qū)域和目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域，輔助區(qū)域的輔助圖形單元的面積大于目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域內(nèi)電極 圖形單元的面積，圖形單元的面積越大，印刷后的膜片能夠承受的吸附力和膜片邊緣自身 的應(yīng)力越強(qiáng)。輔助區(qū)域設(shè)置在所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的周邊，由于在剝離印刷著內(nèi)電極的膜片 時(shí)，剝離的吸附力主要作用在絲網(wǎng)圖形的邊緣位置，所以能夠較好的防止膜片被撕裂和破 碎。輔助區(qū)域和目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域均設(shè)置均勻分布的透漿圖形單元，使得整張印刷后的膜片應(yīng) 力均衡，且各區(qū)域的連接應(yīng)力均衡，從而使邊緣真空剝膜完整性高，提高了產(chǎn)品的合格率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028] 圖1為一實(shí)施例中小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備的絲網(wǎng)圖形的示意圖；
[0029] 圖2為又一實(shí)施例中小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備的絲網(wǎng)圖形的示意圖；
[0030] 圖3為圖1、圖2所示的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備用于制造的片式陶瓷電容器 的不意圖；
[0031] 圖4為圖2所示小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備的絲網(wǎng)圖形的局部示意圖；
[0032] 圖5為圖2所示小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備的絲網(wǎng)圖形的局部切割示意圖；
[0033] 圖6為圖2所示小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備的絲網(wǎng)圖形的尺寸示意圖；
[0034] 圖7為一實(shí)施例中小尺寸電容器的制造方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0035] 為了便于理解本發(fā)明，下面將參照相關(guān)附圖對(duì)小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及小 尺寸電容器的制造方法進(jìn)行更全面的描述。附圖中給出了小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及 小尺寸電容器的制造方法的首選實(shí)施例。但是，小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及小尺寸電 容器的制造方法可以以許多不同的形式來實(shí)現(xiàn)，并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地，提 供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及小尺寸電容器的制造方法的 公開內(nèi)容更加透徹全面。
[0036] 除非另有定義，本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與屬于本發(fā)明的【技術(shù)領(lǐng)域】的 技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及小尺寸電容器的 制造方法的說明書中所使用的術(shù)語只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本 發(fā)明。本文所使用的術(shù)語"及/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組 合。
[0037] 如圖1所示，一實(shí)施方式的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備包括印刷絲網(wǎng)，印刷絲 網(wǎng)的絲網(wǎng)圖形100包括目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120和輔助區(qū)域140(虛線所示區(qū)域）。目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域 120包括多個(gè)規(guī)則排列且均勻分布的內(nèi)電極圖形單元122,內(nèi)電極圖形單元122用于透漿形 成目標(biāo)產(chǎn)品的內(nèi)電極。輔助區(qū)域140設(shè)置在目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120的周邊，輔助區(qū)域140包括 多個(gè)規(guī)則排列且均勻分布的輔助圖形單元，輔助圖形單元用于透漿，輔助圖形單元的面積 大于內(nèi)電極圖形單元122的面積。
[0038] 同時(shí)參見圖2,在其中一個(gè)實(shí)施例中，輔助區(qū)域140可以包括防變形區(qū)域142和 防破裂區(qū)域144(虛線所示區(qū)域）。防變形區(qū)域142的輔助圖形單元為第一輔助圖形單元 1422,防破裂區(qū)域144的輔助圖形單元為第二輔助圖形單元1442,第一輔助圖形單元1422 的面積大于第二輔助圖形單元1442的面積。防變形區(qū)域142位于多個(gè)目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120 之間，防破裂區(qū)域144位于目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120的外側(cè)邊緣處。
[0039] 本實(shí)施例的絲網(wǎng)印刷設(shè)備可以用于制造片式陶瓷電容器200的過程中對(duì)膜片220 進(jìn)行內(nèi)電極240印刷的步驟。參見圖3,片式陶瓷電容器200是包括多層陶瓷膜片220、內(nèi)電 極240和外電極260,內(nèi)電極240是將金屬漿料通過絲網(wǎng)印刷的方式印在陶瓷膜片220上形 成的，將印好的膜片220剝離下來，按照一定距離的錯(cuò)位疊在一起，之后加上底保護(hù)層和面 保護(hù)層，通過層壓將所有膜片220壓實(shí)，最后通過一定的切割方式，切出若干電容芯片。芯 片經(jīng)過高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷電容的主體部分，再將電容兩端封上外電極260,與內(nèi)電極240連 接上，即可生產(chǎn)出片式陶瓷電容。
[0040] 在疊層工序中，膜片在機(jī)器剝離時(shí)易發(fā)生破裂、變形，影響生產(chǎn)效率。陶瓷膜片在 還沒有絲印之前，膜片只由陶瓷粉體組成，厚度和質(zhì)地比較單一和均衡，所以膜片的宏觀受 力也比較均衡。但是當(dāng)印刷上內(nèi)電極漿料之后，附著在陶瓷膜片表層的金屬電極漿料改變 了膜片原有的受力情況。絲印的圖形單元越密集、間隔越小的區(qū)域，能承受的應(yīng)力則越大越 集中。反之絲印的圖形單元越疏松、間隔區(qū)域越大，能承受的應(yīng)力則越小越分散。同時(shí)，一 張膜片還包含不同區(qū)域的不同圖形單元，則區(qū)域之間的不同應(yīng)力會(huì)有偏差，偏差達(dá)到一定 數(shù)值時(shí)，膜片區(qū)域之間將形成一個(gè)明顯的應(yīng)力分界線，導(dǎo)致膜片宏觀連續(xù)性降低，此分界線 容易導(dǎo)致膜片在剝離過程中破損，機(jī)器運(yùn)行受阻，降低生產(chǎn)效率。
[0041] 一般在疊層工序中是用平整度極高的矩形鏡面吸盤，吸附切割好的相同尺寸矩形 膜片，并放置在固定平臺(tái)上，重復(fù)以上步驟進(jìn)行多層膜片疊層。鏡面吸盤上有若干微小的抽 氣孔，提供真空吸附力。位于吸盤邊緣的抽氣孔比中間區(qū)域的抽氣孔的孔徑稍大，能對(duì)膜片 邊緣提供較大的吸附力，保證膜片在剝離過程中的邊緣撕裂的平直性和連續(xù)性。此種吸盤 對(duì)傳統(tǒng)的厚度在5 μ m?20 μ m的膜片作用效果較好，但對(duì)于厚度在0·5μηι?1·5μηι的膜 片，由于印刷的金屬漿料厚度影響，膜片容易被撕裂成不規(guī)則的破損狀，導(dǎo)致不能使用，浪 費(fèi)原材料。
[0042] -般為了提高巴塊中間部分電容芯片的合格率，可能采用四周填充非電容電極的 方式，此方案經(jīng)過長期生產(chǎn)應(yīng)用，發(fā)現(xiàn)其仍然會(huì)出現(xiàn)破裂、變形的問題，由于四周填充的非 電容電極和中間部分填充的目標(biāo)產(chǎn)品的內(nèi)電極材質(zhì)不同，雖然四周的應(yīng)力強(qiáng)，但是膜片整 體的應(yīng)力不均勻，所以不能夠很好的解決膜片的破裂、變形問題。同時(shí)，四周填充非電容電 極，造成了浪費(fèi)。
[0043] 本實(shí)施例的輔助區(qū)域140的輔助圖形單元的面積大于目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120內(nèi)電極圖 形單元122的面積，圖形單元的面積越大，印刷后的膜片能夠承受的吸附力和膜片邊緣自 身的應(yīng)力越強(qiáng)。輔助區(qū)域140設(shè)置在目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120的周邊，由于在剝離印刷著內(nèi)電極 的膜片時(shí)，剝離的吸附力主要作用在絲網(wǎng)圖形100的邊緣位置，所以能夠較好的防止膜片 被撕裂和破碎。輔助區(qū)域140和目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120均設(shè)置均勻分布的透漿圖形單元，使得 整張印刷后的膜片應(yīng)力均衡，且各區(qū)域的連接應(yīng)力均衡，從而使邊緣真空剝膜完整性高，提 高了產(chǎn)品的合格率。同時(shí)，第二輔助圖形單元1442用于透漿形成副產(chǎn)品的內(nèi)電極，避免了 浪費(fèi)。
[0044] 在其中一個(gè)實(shí)施例中，絲網(wǎng)圖形100為矩形，輔助區(qū)域140還包括四角區(qū)域 146 (虛線所示區(qū)域），四角區(qū)域146位于絲網(wǎng)圖形100四角的位置處。四角區(qū)域146的輔 助圖形單元為第三輔助圖形單元1462,第三輔助圖形單元1462的面積大于第二輔助圖形 單元1442的面積。矩形的膜片在四角處承受的應(yīng)力較大，所以設(shè)置該四角區(qū)域146以加強(qiáng) 膜片在四角處承受應(yīng)力的能力。
[0045] 目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120、防變形區(qū)域142、防破裂區(qū)域144和四角區(qū)域146相互之間具 有一定的空隙，該空隙在長度方向上的寬度不超過內(nèi)電極圖形單元122的長度和長度方向 上相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極圖形單元122之間的距離之和，即單個(gè)電容芯片長度。該空隙在寬度 方向上的寬度不超過內(nèi)電極圖形單元122的寬度和寬度方向上相鄰的兩個(gè)內(nèi)電極圖形單 元122之間的距離之和，即單個(gè)電容芯片寬度?？障对酱?，區(qū)域之間的連續(xù)性越差，因此要 控制空隙的尺寸范圍，使之較小的影響區(qū)域之間的連續(xù)性。
[0046] 同時(shí)參見圖4,為了使膜片整體的應(yīng)力更加均勻，內(nèi)電極圖形單元122和輔助圖形 單元均為矩形，目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120的單位面積內(nèi)的內(nèi)電極圖形單元122的數(shù)量與防破裂區(qū) 域144的單位面積內(nèi)的第二輔助圖形單元1442的數(shù)量相同，且目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120的單位面 積內(nèi)的內(nèi)電極圖形單元122的數(shù)量與四角區(qū)域146的單位面積內(nèi)的第三輔助圖形單元1462 的數(shù)量相同。目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域120的內(nèi)電極圖形單元122錯(cuò)位排列，防破裂區(qū)域144的第二 輔助圖形單元1442錯(cuò)位排列，四角區(qū)域146的第三輔助圖形單元1462錯(cuò)位排列，防變形區(qū) 域142的第一輔助圖形單元1422對(duì)齊排列。進(jìn)一步的，內(nèi)電極圖形單元122和輔助圖形單 元均為矩形條狀，且內(nèi)電極圖形單元122和輔助圖形單元的延伸方向一致。
[0047] 圖5為局部切割的示意圖，圖中虛線所示為切割的位置，切割的位置在內(nèi)電極圖 形單元122的長邊的中間位置。同時(shí)參見圖6,在一實(shí)施例中，單個(gè)電容芯片長度為L，單個(gè) 電容芯片寬度為W，第三輔助圖形單元1462長度為A1，第三輔助圖形單元1462長度寬度為 B1，第二輔助圖形單元1442長度為A2,第二輔助圖形單元1442寬度為B2,內(nèi)電極圖形單元 122長度為A3,內(nèi)電極圖形單元122寬度為B3, 2L > Al > A2 > A3,且W > Bl > B2 > B3。 [0048] 為了提高電容的容量，會(huì)在一定的空間高度內(nèi)盡可能多的增加膜片的層數(shù)，所以 每一層膜片的厚度會(huì)盡量降低。傳統(tǒng)陶瓷膜片的厚度范圍在5 μ m?20 μ m，印刷在膜片上 的金屬電極漿料厚度為〇. 5 μ m?1 μ m，漿料厚度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于膜片厚度，膜片的機(jī)械性能，如 彈性、延展性、應(yīng)力、連貫性等，幾乎完全由陶瓷膜片本身決定，與印刷上去的金屬電極漿料 無關(guān)。但是在膜片的厚度范圍降低到0. 5 μ m?1. 5 μ m的范圍時(shí)，金屬電極漿料的印刷厚 度為0. 2 μ m?0. 8 μ m，內(nèi)電極的厚度已經(jīng)接近陶瓷膜片的厚度。印刷后的膜片的機(jī)械性 能，實(shí)際上是由印有內(nèi)電極的膜片部分和未印刷的空白膜片部分共同決定的。
[0049] 這兩部分由于厚度差較大，機(jī)械性能存在較大偏差，單個(gè)電容芯片位置的膜片形 成較明顯的"凸"形橫截面。此種膜片在疊層的時(shí)候，印有電極漿料的部分接觸，未印刷的空 白膜片部分處于懸空狀態(tài)。單個(gè)電容芯片上下相鄰兩層膜片在層壓過程中，壓力逐漸增加， 印有電極漿料的部分首先受力并且產(chǎn)生微觀的擴(kuò)散形變，未印刷的空白膜片部分呈現(xiàn)向中 間內(nèi)縮的狀態(tài)。當(dāng)膜片層數(shù)增加時(shí)，膜片的形變和內(nèi)縮將使單個(gè)電容芯片的疊層偏離垂直 位置，導(dǎo)致內(nèi)電極呈現(xiàn)傾斜狀、扭曲狀、坍塌狀等不規(guī)則的殘次品狀態(tài)。這種不規(guī)則內(nèi)電極 的產(chǎn)品在電性能檢測中極大的降低了電容產(chǎn)品的合格率。同時(shí)也使后面的切割工序難以進(jìn) 行，并且極易切出大量漏電極的廢品，造成原料的浪費(fèi)，嚴(yán)重影響生產(chǎn)效率。
[0050] 本實(shí)施例的防變形區(qū)域142在絲網(wǎng)圖形100的中部位置，可以對(duì)膜片起到加強(qiáng)中 間部分應(yīng)力的作用。防變形區(qū)域142的第一輔助圖形單元1422的面積大于其他區(qū)域的圖 形單元面積，能夠承受的應(yīng)力大，防止膜片在脫離吸盤的作用力后出現(xiàn)中部收縮和松弛，防 止了膜片出現(xiàn)傾斜狀、扭曲狀、坍塌狀的殘次品狀態(tài)。避免了膜片疊層酥松，影響內(nèi)電極的 整齊度，導(dǎo)致電極移位等問題，從而進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的合格率。在一實(shí)施例中，防變形區(qū) 域142呈十字形或井字形，防變形區(qū)域142從膜片的橫向和縱向分別加強(qiáng)了其承受的應(yīng)力 的能力，提高了防變形的效果。
[0051] 如圖7所示，一實(shí)施方式的小尺寸電容器的制造方法包括如下步驟：
[0052] S100,對(duì)膜片進(jìn)行內(nèi)電極印刷。
[0053] S200,將印刷后的膜片進(jìn)行剝離。
[0054] S300,對(duì)剝離后的膜片錯(cuò)位層疊。
[0055] S400,對(duì)層疊后的膜片進(jìn)行切割。
[0056] 在步驟S100中，采用上述實(shí)施例中的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，基于上述實(shí) 施例的內(nèi)容，本實(shí)施例的小尺寸電容器的制造方法能夠提高產(chǎn)品的合格率。
[0057] 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，包括印刷絲網(wǎng)，所述印刷絲網(wǎng)的絲 網(wǎng)圖形包括目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域和輔助區(qū)域； 所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域包括多個(gè)規(guī)則排列且均勻分布的內(nèi)電極圖形單元，所述內(nèi)電極圖形 單元用于透漿形成目標(biāo)產(chǎn)品的內(nèi)電極； 所述輔助區(qū)域設(shè)置在所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的周邊，所述輔助區(qū)域包括多個(gè)規(guī)則排列且均 勻分布的輔助圖形單元，所述輔助圖形單元用于透漿，所述輔助圖形單元的面積大于所述 內(nèi)電極圖形單元的面積。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，所述輔助區(qū)域 包括防變形區(qū)域和防破裂區(qū)域； 所述防變形區(qū)域的所述輔助圖形單元為第一輔助圖形單元，所述防破裂區(qū)域的所述輔 助圖形單元為第二輔助圖形單元，所述第一輔助圖形單元的面積大于所述第二輔助圖形單 元的面積； 所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)，所述防變形區(qū)域位于多個(gè)所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域之間，所述防 破裂區(qū)域位于所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的外側(cè)邊緣處。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，第二輔助圖形 單元用于透漿形成副產(chǎn)品的內(nèi)電極。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，所述絲網(wǎng)圖形 為矩形，所述輔助區(qū)域還包括四角區(qū)域，所述四角區(qū)域位于所述絲網(wǎng)圖形四角的位置處；所 述四角區(qū)域的所述輔助圖形單元為第三輔助圖形單元，所述第三輔助圖形單元的面積大于 所述第二輔助圖形單元的面積。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，所述內(nèi)電極圖 形單元和所述輔助圖形單元均為矩形； 所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的單位面積內(nèi)的所述內(nèi)電極圖形單元的數(shù)量與所述防破裂區(qū)域的 單位面積內(nèi)的所述第二輔助圖形單元的數(shù)量相同，且所述目標(biāo)產(chǎn)品區(qū)域的單位面積內(nèi)的所 述內(nèi)電極圖形單元的數(shù)量與所述四角區(qū)域的單位面積內(nèi)的所述第三輔助圖形單元的數(shù)量 相同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，所述目標(biāo)產(chǎn)品 區(qū)域、所述防變形區(qū)域、所述防破裂區(qū)域和所述四角區(qū)域相互之間具有空隙，所述空隙的寬 度小于等于所述內(nèi)電極圖形單元的長度和長度方向上相鄰的兩個(gè)所述內(nèi)電極圖形單元之 間的距離之和。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，所述目標(biāo)產(chǎn)品 區(qū)域的所述內(nèi)電極圖形單元錯(cuò)位排列； 所述防破裂區(qū)域的所述第二輔助圖形單元錯(cuò)位排列； 所述四角區(qū)域的所述第三輔助圖形單元錯(cuò)位排列； 所述防變形區(qū)域的所述第一輔助圖形單元對(duì)齊排列。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，所述內(nèi)電極圖 形單元和所述輔助圖形單元均為矩形條狀，且所述內(nèi)電極圖形單元和所述輔助圖形單元的 延伸方向一致。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備，其特征在于，所述防變形區(qū) 域呈十字形或井字形。
10. -種小尺寸電容器的制造方法，其特征在于，包括如下步驟： 通過權(quán)利要求1至權(quán)利要求9任一項(xiàng)所述的小尺寸電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備對(duì)膜片進(jìn)行 內(nèi)電極印刷；以及 將印刷后的膜片進(jìn)行剝離； 對(duì)剝離后的膜片錯(cuò)位層疊； 對(duì)層疊后的膜片進(jìn)行切割。
【文檔編號(hào)】B41F15/08GK104108232SQ201410294866
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年6月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月25日
【發(fā)明者】邱宇, 張發(fā)秀, 祝忠勇, 宋子峰, 彭自沖, 陸亨 申請(qǐng)人:廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司