專利名稱：新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽能電池的生產(chǎn)技術(shù)方法領(lǐng)域，具體涉及一種新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版圖形的設(shè)計。
背景技術(shù)：
為進(jìn)一步提高晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，各個晶體硅太陽能電池生產(chǎn)廠家都在推行高的擴(kuò)散薄層電阻控制區(qū)間，得到更高的開路電壓和短路電流，但填充因子相比較低擴(kuò)散薄層電阻的硅片有一定的損失，且燒結(jié)窗口變窄，燒結(jié)不良比例會明顯增加。為了保證填充因子和一定的燒結(jié)窗口，部分生產(chǎn)廠家采用了均勻加密設(shè)計的細(xì)柵線設(shè)計，比如針對125單晶電池片，通常的網(wǎng)版采用53根細(xì)柵線，而為了匹配較高的薄層電阻值，采用63 根均勻加密細(xì)柵線設(shè)計來保證燒結(jié)后填充因子值，但是該圖形網(wǎng)版明顯增加了正電極銀漿料的耗用，增加了成本；增大了遮光面積，影響電性能的有效增益。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種針對管式擴(kuò)散爐擴(kuò)散后硅片薄層電阻值的分布特點(diǎn)，設(shè)計不同區(qū)域細(xì)柵線密集程度不同的新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為一種新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，包括帶有數(shù)根細(xì)柵線、兩根主柵線的網(wǎng)版本體，所述網(wǎng)版本體中間區(qū)域的細(xì)柵線密集程度大于網(wǎng)版本體其余區(qū)域的細(xì)柵線密集程度。作為上述方案的進(jìn)一步設(shè)置，所述兩根主柵線之間且位于中間區(qū)域的細(xì)柵線密集程度大于網(wǎng)版本體其余區(qū)域的細(xì)柵線密集程度。所述兩根主柵線之間且位于中間區(qū)域的各相鄰細(xì)柵線間距為1. 55-1. 65mm。所述網(wǎng)版本體其余區(qū)域的各相鄰細(xì)柵線間距為2. 2-2. 4mm。本實(shí)用新型新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，結(jié)合管式擴(kuò)散爐擴(kuò)散后硅片薄層電阻值的分布特點(diǎn)，針對硅片中心區(qū)域薄層電阻較高特點(diǎn)，采用更加密集的細(xì)柵線設(shè)計，硅片邊緣區(qū)域薄層電阻較低，仍采用常規(guī)密集程度的細(xì)柵線設(shè)計。采用本實(shí)用新型設(shè)計的新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，正電極銀漿料耗用明顯低于采用均勻加密設(shè)計的細(xì)柵線設(shè)計的網(wǎng)版；印刷后柵線的遮光面積明顯小于均勻加密細(xì)柵線設(shè)計的網(wǎng)版；而燒結(jié)窗口范圍與均勻加密設(shè)計的細(xì)柵線網(wǎng)版一致，明顯高于常規(guī)細(xì)柵線密集程度設(shè)計的網(wǎng)版。本實(shí)用新型的網(wǎng)版的制版方式采用各種制版工藝均可。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為薄層電阻值的分布示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖1所示，本實(shí)用新型新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，包括帶有數(shù)根細(xì)柵線1、兩根主柵線2的網(wǎng)版本體3。網(wǎng)版本體3中間區(qū)域的細(xì)柵線1密集程度大于網(wǎng)版本體3其余區(qū)域的細(xì)柵線1密集程度。優(yōu)選的方案為兩根主柵線2之間且位于中間區(qū)域的細(xì)柵線1密集程度大于網(wǎng)版本體3其余區(qū)域的細(xì)柵線1密集程度。其中，兩根主柵線2之間且位于中間區(qū)域的各相鄰細(xì)柵線1間距為1. 55-1. 65mm。 網(wǎng)版本體3其余區(qū)域的各相鄰細(xì)柵線1間距為2. 2-2. 4mm。下面結(jié)合具體實(shí)施例對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的詳細(xì)說明。實(shí)施例1 針對125X 125mm (對角線為165mm)的P型單晶電池硅片，經(jīng)過管式擴(kuò)散爐擴(kuò)散后，薄層電阻值中心區(qū)域高，離中心區(qū)域越遠(yuǎn)則薄層電阻值相對越小，薄層電阻值的分布示意如圖2所示。圖2中，薄層電阻值大小的排列為A部> B部> C部> D部。針對該薄層電阻值分布特點(diǎn)，設(shè)計的正電極網(wǎng)版如圖1所示，非加密區(qū)域的細(xì)柵線1間距為2. 346mm，加密區(qū)域的細(xì)柵線1間距為1. 597mm ；該正電極網(wǎng)版設(shè)計的兩個主柵線2之間的細(xì)柵線1數(shù)量為68根，兩根主柵線2外的細(xì)柵線數(shù)量為53根，每根細(xì)柵線1的寬度為0.08mm，每根主柵線2的寬度為1. 8mm。網(wǎng)版為復(fù)合扎壓網(wǎng)版，膜厚20 μ m，網(wǎng)布目數(shù)325目，線徑23 μ m,網(wǎng)版張力為30N。實(shí)施例2:針對156X 156mm (對角線為200mm)的P型單晶電池硅片，經(jīng)過管式擴(kuò)散爐擴(kuò)散后，薄層電阻值中心區(qū)域高，離中心區(qū)域越遠(yuǎn)則薄層電阻值相對越小，薄層電阻值的分布情況與實(shí)施例1相同。針對該薄層電阻值分布特點(diǎn)，設(shè)計的正電極網(wǎng)版如圖1所示，非加密區(qū)域的細(xì)柵線1間距為2. 25mm，加密區(qū)域的細(xì)柵線1間距為1. 644mm ；該正電極網(wǎng)版設(shè)計的兩個主柵線 2之間的細(xì)柵線1數(shù)量為83根，兩根主柵線2外的細(xì)柵線1數(shù)量為68根，每根細(xì)柵線1的寬度為0. 08mm,每根主柵線2的寬度為1. 8mm。網(wǎng)版為復(fù)合扎壓網(wǎng)版，膜厚20 μ m，網(wǎng)布目數(shù)325目，線徑23 μ m,網(wǎng)版張力為30N。本實(shí)用新型尤其適合采用管式擴(kuò)散爐擴(kuò)散后薄層電阻值整體較高控制區(qū)間的硅片，有效的降低燒結(jié)不良，提高了擴(kuò)散后薄層電阻較高的硅片的燒結(jié)窗口范圍。上述實(shí)施例僅用于解釋說明本實(shí)用新型的發(fā)明構(gòu)思，而非對本實(shí)用新型權(quán)利保護(hù)的限定，凡利用此構(gòu)思對本實(shí)用新型進(jìn)行非實(shí)質(zhì)性的改動，均應(yīng)落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，包括帶有數(shù)根細(xì)柵線、兩根主柵線的網(wǎng)版本體，其特征在于所述網(wǎng)版本體中間區(qū)域的細(xì)柵線密集程度大于網(wǎng)版本體其余區(qū)域的細(xì)柵線密集程度。
2.如權(quán)利要求1所述的新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，其特征在于所述兩根主柵線之間且位于中間區(qū)域的細(xì)柵線密集程度大于網(wǎng)版本體其余區(qū)域的細(xì)柵線密集程度。
3.如權(quán)利要求2所述的新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，其特征在于所述兩根主柵線之間且位于中間區(qū)域的各相鄰細(xì)柵線間距為1. 55-1. 65mm。
4.如權(quán)利要求3所述的新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，其特征在于所述網(wǎng)版本體其余區(qū)域的各相鄰細(xì)柵線間距為2. 2-2. 4mm。
專利摘要本實(shí)用新型涉及太陽能電池的生產(chǎn)技術(shù)方法領(lǐng)域，具體涉及一種新型絲網(wǎng)印刷正電極網(wǎng)版，包括帶有數(shù)根細(xì)柵線、兩根主柵線的網(wǎng)版本體，所述網(wǎng)版本體中間區(qū)域的細(xì)柵線密集程度大于網(wǎng)版本體其余區(qū)域的細(xì)柵線密集程度。本實(shí)用新型針對管式擴(kuò)散爐擴(kuò)散后硅片薄層電阻值的分布特點(diǎn)，設(shè)計各個區(qū)域密集程度不同的細(xì)柵線圖形，有效提高了電性能、降低了燒結(jié)不良風(fēng)險，減少了正銀漿料的耗用。
文檔編號B41F15/36GK202219636SQ20112033572
公開日2012年5月16日 申請日期2011年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月8日
發(fā)明者金若鵬 申請人:浙江向日葵光能科技股份有限公司