專(zhuān)利名稱(chēng)：噴嘴板和制造該噴嘴板的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種包括突出型的噴嘴的噴嘴板以及一種制造該噴
嘴板的方法。
背景技術(shù)：
噴墨打印包括利用形成在噴嘴板上的噴嘴在打印介質(zhì)上噴射細(xì)小的墨滴。噴墨打
印可以通過(guò)在打印介質(zhì)的期望部分上噴射細(xì)小的液滴而用于打印預(yù)定圖像。 噴墨打印技術(shù)可以被應(yīng)用于電子學(xué)、生物工藝學(xué)和生物科學(xué)的能夠打印的各種領(lǐng)
域以及圖像打印領(lǐng)域。例如，除了玻璃基底之外，柔性基底也可以被用于制造電子電路，因
此，噴墨打印技術(shù)可以被應(yīng)用到柔性顯示設(shè)備的領(lǐng)域中。根據(jù)噴墨打印，可僅通過(guò)一個(gè)工藝
形成圖案，因此，工藝成本可低于傳統(tǒng)的光刻工藝的成本。 噴墨打印技術(shù)可被分成熱型(thermal type)打印技術(shù)和壓電型打印技術(shù)。在熱 型打印技術(shù)中，利用熱源可產(chǎn)生氣泡，利用氣泡的膨脹特性可噴射液滴。壓電型打印技術(shù)利 用壓電材料的變換噴射液滴。 電-電液力型(electro-hydrodynamic type)打印技術(shù)利用靜電力噴射墨滴。 電-水力型打印技術(shù)具有這樣的優(yōu)點(diǎn)當(dāng)與傳統(tǒng)的熱型打印技術(shù)和傳統(tǒng)的壓電型打印技術(shù) 相比時(shí)，噴射的液滴的體積可顯著地減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例包括具有突出的噴嘴的噴嘴板和制造該噴嘴板的方法。
其它方面一部分將在以下的描述中進(jìn)行闡述，一部分將從描述中變得清楚，或者 可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而了解到。 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，噴嘴板可包括主體；至少一個(gè)從主體突出的噴嘴， 其中，所述至少一個(gè)噴嘴包括壁，該壁具有隨著遠(yuǎn)離所述至少一個(gè)噴嘴的出口而增加的厚 度。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，制造噴嘴板的方法可包括在基底的下表面上形成
第一蝕刻掩膜；利用第一蝕刻掩膜蝕刻基底的所述下表面以形成噴嘴的下部；在基底的上
表面上形成具有島的圖案的第二蝕刻掩膜；利用第二蝕刻掩膜濕蝕刻基底的所述上表面以
在基底的上表面上形成島；在基底上形成第三蝕刻掩膜；利用第三蝕刻掩膜蝕刻所述島的
上表面以形成噴嘴的上部，其中，噴嘴具有隨著遠(yuǎn)離噴嘴的出口而厚度的增加壁。 為了實(shí)現(xiàn)上面和/或其它方面，本發(fā)明的示例性實(shí)施例可包括噴嘴板，該噴嘴板
包括主體和從主體突出的噴嘴，其中，每個(gè)噴嘴包括壁，壁的厚度隨著其遠(yuǎn)離噴嘴的出口而
逐漸增加。 噴嘴的下部可具有朝著噴嘴的出口逐漸減小的橫截面面積，噴嘴的上部可具有不 變的橫截面面積且從噴嘴的下部朝著噴嘴的出口延伸。 噴嘴的下部的內(nèi)壁可相對(duì)于主體的表面傾斜預(yù)定或者預(yù)設(shè)角度，噴嘴的外壁可相對(duì)于主體的所述表面傾斜一個(gè)角度，由所述噴嘴的外壁和主體的所述表面形成的角度小于 由所述噴嘴的下部的內(nèi)壁和主體的所述表面形成的角度。 所述主體可由具有〈100〉結(jié)晶定向的硅形成。所述噴嘴的下部的內(nèi)壁可包括相對(duì) 于(100)晶面傾斜大約54.7。的角度的四個(gè)(111)晶面。 所述噴嘴的上部和下部可分別包括不變的橫截面面積，其中，噴嘴的上部的橫截 面面積可小于噴嘴的下部的橫截面面積。噴嘴的外壁相對(duì)于主體的表面可傾斜預(yù)定角度。
噴嘴的內(nèi)壁可具有圓形橫截面或者多邊形橫截面。噴嘴的外壁可具有圓形橫截面 或者多邊形橫截面。 噴嘴板還可包括位于主體的兩側(cè)的突起部分。 為了實(shí)現(xiàn)上述和/或其它方面，本發(fā)明的示例性實(shí)施例可包括一種制造噴嘴板的 方法。所述方法可包括在基底的下表面上形成用于形成噴嘴的下部的第一蝕刻掩膜；利 用第一蝕刻掩膜以各向異性方式蝕刻基底的所述下表面以形成噴嘴的下部；在基底的上表 面上形成具有島的圖案的第二蝕刻掩膜；利用第二蝕刻掩膜以各向異性方式濕蝕刻基底的 所述上表面以在基底的上表面上形成島；在基底上形成第三蝕刻掩膜以形成噴嘴的上部； 利用第三蝕刻掩膜以各向異性方式蝕刻所述島的上表面以形成噴嘴的上部，其中，噴嘴具 有隨著遠(yuǎn)離噴嘴的出口而厚度逐漸增加的壁。 可利用各向異性干蝕刻形成噴嘴的上部，以使得上部具有沿著噴嘴的縱向不變的 橫截面面積。 噴嘴的下部由于各向異性濕蝕刻可具有朝著噴嘴的上部逐漸減小的橫截面面積。 所述噴嘴的下部的內(nèi)壁可相對(duì)于基底的下表面傾斜預(yù)定或者預(yù)設(shè)角度，所述噴嘴的外壁可 相對(duì)于基底的下表面傾斜一個(gè)角度，由所述外壁和基底的下表面形成的角度小于由所述噴 嘴的下部的內(nèi)壁和基底的下表面形成的角度。 噴嘴的下部可通過(guò)各向異性干蝕刻形成，以使得上部具有沿著噴組的縱向不變的 橫截面面積。 第二蝕刻掩膜可包括突起圖案，所述方法還可包括在基底的兩側(cè)利用突起圖案形 成突起部分。


通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行的描述，這些和/或其它方面將 會(huì)變得清楚和更加易于理解，其中 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的噴嘴板的一部分的示意性透視圖；
圖2是圖1中所示的噴嘴板的俯視圖； 圖3是沿著圖2的線Ill-Ill'剖開(kāi)的噴嘴板的截面圖；
圖4A是形成在圖1所示的噴嘴板中的噴嘴的上部分的截面圖；
圖4B是形成在圖1所示的噴嘴板中的噴嘴的下部分的截面圖；
圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的噴嘴板的截面圖；
圖6A至圖14B是示出制造圖1中所示的噴嘴板的過(guò)程的圖示；
圖15至圖21是示出制造圖5中所示的噴嘴板的過(guò)程的圖示。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的示例性實(shí)施例 示出在附圖中。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式來(lái)實(shí)施，不應(yīng)該被理解為局限于在此提 出的示例性實(shí)施例。提供這些實(shí)施例使本發(fā)明的公開(kāi)將是徹底和完全的，并將本發(fā)明的范 圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，會(huì)夸大層和區(qū)域的尺寸和相 對(duì)尺寸。 應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)作在另一元件或?qū)?上"，或者被稱(chēng)作"連接到"或 者"結(jié)合到"另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由匣蛑苯舆B接到或結(jié)合 到另一元件或?qū)?，或者也可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱(chēng)作"直接"在另一元 件"上"或"直接連接到"或"直接結(jié)合至lj"另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。如 在這里使用的，術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列的項(xiàng)目的任意組合和所有組合。
應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述不同的元件、組 件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分并不受這些術(shù)語(yǔ)的限制。 這些術(shù)語(yǔ)僅是用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/ 或部分區(qū)分開(kāi)來(lái)。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū) 域、層或部分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。 在這里可使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如"在...下方"、"在...下面"'下面的"、"在...之 上"、"上面的"等，用來(lái)輕松地描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān) 系。應(yīng)該理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意在包含除了在附圖中描述的方位之外的裝置在使用或 操作中的不同方位。例如，如果在附圖中裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為其它元件或特征"下面的"或 "在"其它元件或特征"下方"的元件隨后將被定位為其它元件或特征"上面的"或"在"其 它元件或特征"上方"的元件或特征。因此，示例性術(shù)語(yǔ)"下面的"可包括上面的和下面的 兩種方位。所述裝置可被另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，相應(yīng)地解釋這里使用的 空間相對(duì)描述符。 在這里參照俯視圖和/或剖視圖來(lái)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，俯視圖和/或剖 視圖是本發(fā)明的理想化實(shí)施例的示意性圖示。因此，可以依據(jù)制造技術(shù)和/或公差修改視 圖。因而，示例性實(shí)施例不限于視圖中所示的這些，而使包括基于制造工藝而形成的結(jié)構(gòu)上 的修改。因而，圖中示出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意性的，圖中示出的區(qū)域的形狀是元件的特定形 狀或者區(qū)域的示例，不用來(lái)限制示例性實(shí)施例。 現(xiàn)在，將詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其示例在附圖中被示出，其中，相同的 標(biāo)號(hào)將始終指示相同的元件。在這方面，本發(fā)明的示例性實(shí)施例具有不同的形式，不應(yīng)該被 解釋為局限于在此進(jìn)行的描述。因此，以下，參照附圖僅對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例進(jìn)行描 述，以解釋本發(fā)明的各方面。 圖1是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的噴嘴板的一部分的示意性透視圖，圖2是圖1 中所示的噴嘴板的俯視圖，圖3是沿著圖2的線III-in'剖開(kāi)的噴嘴板的截面圖。圖4A 是形成在圖1所示的噴嘴板中的噴嘴的上部分的截面圖，圖4B是形成在圖1所示的噴嘴板 中的噴嘴的下部分的截面圖。 參照?qǐng)D1至圖4B，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，噴嘴板500可包括主體510以及從 主體510上突出的多個(gè)噴嘴520。噴嘴壁521的厚度Nt可隨著其遠(yuǎn)離噴嘴520的出口 526而逐漸增加。此外，突起部分530可形成在主體510的兩側(cè)，以保護(hù)噴嘴520。
噴嘴520的下部520b可圍繞空間524b，該空間524b具有朝著噴嘴520的出口 526 逐漸減小的橫截面面積。噴嘴520的下部520b的內(nèi)壁523b可具有如圖4B所示的矩形截 面。但是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于上述示例，噴嘴520的下部520b的內(nèi)壁523b可具 有圓形截面或者多邊形截面。內(nèi)壁523b可形成為相對(duì)于主體510的表面傾斜預(yù)定角度或 者預(yù)設(shè)角度(9》。例如，當(dāng)主體510由〈100〉結(jié)晶定向的硅形成時(shí)，噴嘴下部520b的內(nèi)壁 523b可由四個(gè)(111)晶面形成，所述晶面相對(duì)于(100)晶面傾斜大約54.7。的角度。噴嘴 520的上部520a可從下部520b朝著噴嘴520的出口 526延伸。如圖3所示，噴嘴520的上 部520a可圍繞具有不變的截面的空間524a。上部520a的內(nèi)壁523a可具有如圖4A所示的 圓形截面。但是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于上述示例，例如，噴嘴520的上部520a的內(nèi) 壁523a可具有各種多邊形截面。 噴嘴520的外壁522可形成為相對(duì)于主體510的表面傾斜預(yù)定角度或者預(yù)設(shè)角度 (e2)。噴嘴520的外壁522可具有如圖4A和圖4B所示的八邊形截面。但是，本發(fā)明的示 例性實(shí)施例不限于上述示例，噴嘴520的外壁522可具有圓形截面或者各種多邊形截面。外 壁522的角度92可小于下部520b的內(nèi)壁523b的角度e "因此，噴嘴壁521的厚度可隨 著其遠(yuǎn)離噴嘴520的出口 526而逐漸增加。如上所述，噴嘴壁521的厚度可從噴嘴520的 出口 526處開(kāi)始增加，因此，可獲得相對(duì)強(qiáng)的噴嘴結(jié)構(gòu)，從而可形成可靠的噴嘴壁500。雖然 在以上附圖中沒(méi)有顯示，但是，在包括噴嘴520的內(nèi)壁523a和523b的噴嘴板500的全部表 面上可形成氧化層206 (例如二氧化硅層)，如圖14所示。
圖5是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的噴嘴板的截面圖。 參照?qǐng)D5，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，噴嘴板600可包括主體610和從主體610 突出的多個(gè)噴嘴620。噴嘴壁621的厚度可當(dāng)其從噴嘴620的出口 626離開(kāi)時(shí)增加。此外， 突起部分630可形成在主體610的兩側(cè)，以保護(hù)噴嘴620。噴嘴620的下部620b可圍繞空 間624b，該空間624b具有不變的截面。下部620b的內(nèi)壁623b可具有圓形或者多邊形截 面。噴嘴620的上部620a可圍繞空間624a，該空間624a具有不變的截面。如圖5所示，噴 嘴620的上部620a的截面面積可小于噴嘴620的下部620b的截面面積。上部620a的內(nèi) 壁623a可具有圓形或者多邊形截面。 噴嘴620的外壁622可相對(duì)于主體610的表面傾斜預(yù)定角度或者預(yù)設(shè)角度。因此， 噴嘴壁621的厚度可隨著噴嘴壁621遠(yuǎn)離噴嘴620的出口 626而逐漸增加。噴嘴620的外 壁622可具有圓形或者多邊形截面。 以下，將描述制造圖1中所示的根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的噴嘴的方法。圖6A 至圖14B是示出制造圖1中所示的噴嘴板的過(guò)程的圖示。 圖6A和圖6B是示出形成在基底501的下表面上的第一蝕刻掩膜201的截面圖和 仰視圖?；?01可以是硅基底，例如具有〈100〉向的硅基底。但是，本發(fā)明的示例性實(shí)施 例不限于上述示例。第一蝕刻掩膜201可具有通孔201a，以暴露可形成在基底501的下表 面上的噴嘴的下部。可通過(guò)在基底501的下表面上形成氧化層(例如，二氧化硅層)并讓 氧化層形成圖案來(lái)形成第一蝕刻掩膜201。 圖7A和圖7B是顯示通過(guò)蝕刻基底501的下表面形成噴嘴的下部520b的截面圖 和仰視圖。參照?qǐng)D7A和圖7B，可利用各向異性濕蝕刻(anisotropicwet etching)工藝蝕刻基底501的底表面以形成噴嘴的下部520b。三甲基氫氧化銨(trimethylammonium hydroxide, TMAH)溶液或者氫氧化鉀(KOH)溶液可以被用作蝕刻劑。但是，本發(fā)明的示例 性實(shí)施例不限于上述示例。由于各向異性濕蝕刻，噴嘴的下部520b可形成為圍繞具有朝著 基底501的上部逐漸減小的橫截面的空間。因此，噴嘴的下部520b的內(nèi)壁523b可形成為 相對(duì)于基底501傾斜預(yù)定角度或者給定角度。內(nèi)壁523可具有圓形截面或者多邊形截面。 例如，當(dāng)具有〈100〉結(jié)晶定向的硅基底被用作基底501時(shí)，下部520b的內(nèi)壁523b可由四個(gè) (111)晶面形成，所述晶面可相對(duì)于(100)晶面傾斜大約54.7。。如圖8所示，基底501可 被處理成期望的厚度以與噴嘴的上部(圖14A的520a)的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)。 圖9A和圖9B是顯示可形成在基底501的上表面上的第二蝕刻掩膜203的截面 圖和俯視圖，其中，噴嘴的下部520b已形成在基底501中。參照?qǐng)D9A和圖9B，具有與噴嘴 (圖14A的520)對(duì)應(yīng)的島狀圖案203a的第二蝕刻掩膜203可形成在基底501的上表面上。 第二蝕刻掩膜203還可包括與將在稍后描述的突起部分(圖14A的530)對(duì)應(yīng)的突起圖案 203b?？赏ㄟ^(guò)在基底501 (形成噴嘴520的下部520b)的全部表面上形成氧化層(例如，二 氧化硅層)并通過(guò)使形成在基底501的上表面上的氧化層形成圖案來(lái)形成第二蝕刻掩膜 203。在這個(gè)工藝中，氧化層202可形成在基底501的下表面上，其中，噴嘴520的下部520b 已經(jīng)形成在基底501中。 圖10A和圖10B是顯示通過(guò)蝕刻基底501的上表面形成噴嘴520的外壁522的截 面圖和俯視圖。參照?qǐng)DIOA和圖10B，可使用第二蝕刻掩膜203以各向異性濕蝕刻方法蝕刻 基底501的上表面。濕蝕刻方法可由于島的圖案203a而在基底501的上表面上形成突出 的島，溝槽220圍繞所述島。此外，突起部分530由于突起的圖案203b可形成在基底501 的兩側(cè)。TMAH溶液或者KOH溶液可被用作蝕刻劑。但是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于上 述示例。 由于各向異性濕蝕刻工藝，所以噴嘴520的外壁522可相對(duì)于基底501的下表面 或者溝槽220的底表面傾斜預(yù)定角度或者預(yù)設(shè)角度。噴嘴520的外壁522相對(duì)于基底501 的下表面傾斜的角度可小于噴嘴520的下部520b的內(nèi)壁523b相對(duì)于基底501的下表面 傾斜的角度。因此，噴嘴壁521的厚度隨著噴嘴壁521遠(yuǎn)離噴嘴520的出口 526而逐漸增 加。例如，當(dāng)具有〈100〉結(jié)晶定向的硅基底被用作基底501時(shí)，噴嘴520的外壁522可相對(duì) 于(100)晶面傾斜大約43。 -45°的角度。在圖10B中，具有〈100〉結(jié)晶定向的硅基底可 被用作基底501，并且噴嘴520的外壁522可包括八個(gè)晶面。但是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例 不限于上述示例。噴嘴520的外壁522可具有圓形截面或者多邊形截面。此外，可除去可 形成在基底501上的氧化層202和第二蝕刻掩膜203。 圖11是基底501的截面圖，氧化層可形成在基底501上以覆蓋其整個(gè)表面。參照 圖11，預(yù)定的氧化層204和205(例如，二氧化硅層)可形成在基底501的整個(gè)表面上。圖 12是顯示基底501的截面圖，其中，用于形成噴嘴520的上部520a的第三蝕刻掩膜207可 形成在基底501上。參照?qǐng)D12，包括暴露噴嘴的上部的通孔的第三蝕刻掩膜207可形成在 氧化層205上，該氧化層205可形成在基底501的上表面上。 可通過(guò)在可形成在基底501的上表面上的氧化層205上施加光致抗蝕劑并使光致 抗蝕劑形成圖案而形成第三蝕刻掩膜207。例如，可通過(guò)噴射涂層來(lái)應(yīng)用光致抗蝕劑。但 是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于上述示例。
圖13是顯示基底501的截面圖，其中，噴嘴520的上部可形成在基底501上。參 照?qǐng)D13，形成在島和基底501上的氧化層205可利用第三蝕刻掩膜207以各向異性干蝕刻 方法被蝕刻，以形成噴嘴520的上部520a。各向異性干蝕刻方法可以是感應(yīng)耦合等離子體 活性離子蝕刻(inductively coupledplasma reactive ion etching, ICP-RIE)方法。但 是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于上述示例。上部520a可圍繞具有由各向異性干蝕刻工藝 形成的不變截面面積的空間。上部520a的內(nèi)壁523a可具有圓形截面或者多邊形截面。此 外，可除去第三蝕刻掩膜207、氧化層204和205。因此，噴嘴520的下部520b和上部520a 可彼此連接，以形成完整的噴嘴520。 圖14A和圖14B是顯示基底501的截面圖和俯視圖，可在該基底501上形成氧化 層206(例如二氧化硅層)以遮蓋基底501的整個(gè)表面。參照?qǐng)D14A和圖14B，基底501可 以是硅基底，氧化層206還可以形成在基底501的包括噴嘴520的內(nèi)壁523a和523b的整 個(gè)表面上。因此，可形成根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的噴嘴板。 圖15至圖21是顯示制造圖5中所示的噴嘴板的工藝的圖示。以下，將描述與參 照?qǐng)D1描述的上述實(shí)施例不同的噴嘴板的元件。 圖15是顯示基底501的截面圖，其中，噴嘴的下部620b可形成在基底601中。參 照?qǐng)D15，可準(zhǔn)備基底601，具有被構(gòu)造為暴露噴嘴的下部的通孔301a的第一蝕刻掩膜301 可形成在基底601的下表面上。基底601可以是硅基底。此外，可以通過(guò)在基底601的下 表面上形成預(yù)定氧化層或給定氧化層(例如二氧化硅層)并通過(guò)使氧化層形成圖案來(lái)形成 第一蝕刻掩膜301?？梢岳玫谝晃g刻掩膜301以各向異性干蝕刻方法蝕刻基底601的下 表面以形成噴嘴的下部620b。各向異性干蝕刻方法可以是ICP-RIE方法。根據(jù)各向異性 干蝕刻工藝，下部620b可以形成為圍繞具有不變的橫截面面積的空間。如圖16所示，基底 601可以被處理為期望的厚度以與噴嘴的上部(圖21的620a)的長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)。
圖17是顯示可形成在基底601上的第二蝕刻掩膜303的截面圖，其中，噴嘴的下 部620b形成在基底601中。參照?qǐng)D17，具有與噴嘴(圖21的620)對(duì)應(yīng)的島的圖案303a 的第二蝕刻掩膜303可形成在基底601的上表面上。第二蝕刻掩膜303還可包括與將稍后 描述的突起部分(圖21的630)對(duì)應(yīng)的突起圖案303b。可通過(guò)在基底601的整個(gè)表面上形 成預(yù)定的氧化層或者給定的氧化層(例如二氧化硅層)并通過(guò)使形成在基底601的上表面 上的氧化層形成圖案來(lái)形成第二蝕刻掩膜303，其中，噴嘴620的下部620b形成在基底601 中。在這個(gè)工藝中，氧化層302可形成在基底601的下表面上，其中，噴嘴620的下部620b 可以已經(jīng)形成在基底601中。 圖18是顯示可以通過(guò)蝕刻基底601的上表面來(lái)形成噴嘴620的外壁622的截面 圖。參照?qǐng)D18，可通過(guò)執(zhí)行各向異性濕蝕刻方法利用第二蝕刻掩膜303將基底601的上表 面蝕刻預(yù)定深度或者預(yù)設(shè)深度，突出的島可由于島的圖案303a而形成在基底601的上表面 上，溝槽320可圍繞該島形成。此外，突起部分630可由于突起圖案303b形成在基底601 的兩側(cè)。TMAH溶液或者KOH溶液可以被用作蝕刻劑，但是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于上 述示例。根據(jù)各向異性濕蝕刻工藝，噴嘴620的外壁622可形成為相對(duì)于基底601的下表 面或者溝槽320的底表面傾斜預(yù)定角度或者預(yù)設(shè)角度。噴嘴620的外壁622可具有圓形截 面或者多邊形截面。此外，可除去氧化層302和形成在基底601上的第二蝕刻掩膜303。
圖19是顯示基底601的截面圖，其中，第三蝕刻掩膜307可形成在該基底601上。參照?qǐng)D19，預(yù)定或者給定氧化層304和305(例如二氧化硅層)可形成在基底601的整個(gè) 表面上。此外，具有暴露噴嘴的上部的通孔的第三蝕刻掩膜307可形成在氧化層305上，該 氧化層305可形成在基底601的上表面上?？赏ㄟ^(guò)在氧化層305上應(yīng)用光致抗蝕劑并使光 致抗蝕劑層形成圖案來(lái)形成第三蝕刻掩膜307。例如，可通過(guò)噴射涂層來(lái)應(yīng)用光致抗蝕劑。 但是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于上述示例。 圖20是顯示基底601的截面圖，其中，噴嘴620的上部620a可以形成在基底601 上。參照?qǐng)D20，可利用第三蝕刻掩膜307通過(guò)執(zhí)行各向異性干蝕刻方法來(lái)蝕刻可形成在島 上的氧化層305和基底601，然后可形成噴嘴620的上部620a。各向異性干蝕刻方法可以 是ICP-RIE方法。但是，本發(fā)明的示例性實(shí)施例不限于上述示例。由于各向異性干蝕刻方 法而使噴嘴部分620a可以形成為圍繞具有不變的截面面積的空間。噴嘴620的上部620a 的截面面積可以小于噴嘴620的下部620b的截面面積。此外，上部620的內(nèi)壁623可具有 圓形截面或者多邊形截面。可除去第三蝕刻掩膜307、氧化層304和305。因此，噴嘴620 的下部620b和上部620a可以彼此連接以形成噴嘴620。 圖21是顯示基底601的截面圖，其中，氧化層306可以形成在基底601上以覆蓋 其整個(gè)表面。參照?qǐng)D21，基底601可以是硅基底，預(yù)定氧化層或者給定氧化層306(例如二 氧化硅層)可以形成在基底601的包括噴嘴620的內(nèi)壁623a和623b的整個(gè)表面上。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，噴嘴壁的厚度可隨著遠(yuǎn)離噴嘴的出口而增加，產(chǎn)生 相對(duì)強(qiáng)的噴嘴結(jié)構(gòu)。 應(yīng)該理解，在此描述的本發(fā)明的示例性實(shí)施例應(yīng)該理解為僅僅是描述性的，不是 限制性的目的。在本發(fā)明的每個(gè)示例性實(shí)施例中的特征描述或者各方面應(yīng)該被理解為對(duì)于 其它示例性實(shí)施例的類(lèi)似特征或者各方法是適用的。
權(quán)利要求
一種噴嘴板，包括主體；至少一個(gè)從主體突出的噴嘴，其中，所述至少一個(gè)噴嘴包括壁，所述壁的厚度隨著遠(yuǎn)離所述至少一個(gè)噴嘴的出口而增加。
2. 如權(quán)利要求l所述的噴嘴板，其中，所述至少一個(gè)噴嘴的下部圍繞具有朝著所述至少一個(gè)噴嘴的出口而減小的橫截面面積的空間，所述至少一個(gè)噴嘴的上部圍繞具有不變的橫截面面積且從所述至少一個(gè)噴嘴的下部朝著所述至少一個(gè)噴嘴的出口延伸的空間。
3. 如權(quán)利要求2所述的噴嘴板，其中，所述至少一個(gè)噴嘴的下部的內(nèi)壁相對(duì)于主體的表面傾斜一個(gè)角度，所述至少一個(gè)噴嘴的外壁相對(duì)于主體的所述表面傾斜一個(gè)角度，由所述至少一個(gè)噴嘴的外壁和主體的所述表面形成的角度小于由所述至少一個(gè)噴嘴的下部的內(nèi)壁和主體的所述表面形成的角度。
4. 如權(quán)利要求3所述的噴嘴板，其中，所述主體包括具有〈100〉結(jié)晶定向的硅。
5 如權(quán)利要求4所述的噴嘴板，其中，所述至少一個(gè)噴嘴的下部的內(nèi)壁包括相對(duì)于(100)晶面傾斜54.7。的角度的四個(gè)(111)晶面。
6. 如權(quán)利要求1所述的噴嘴板，其中，所述至少一個(gè)噴嘴包括下部，圍繞具有不變的橫截面面積的第一空間；上部，圍繞具有不變的橫截面面積的第二空間，其中，第二空間的橫截面面積小于第一空間的橫截面面積。
7. 如權(quán)利要求6所述的噴嘴板，其中，所述至少一個(gè)噴嘴的外壁相對(duì)于主體的表面傾斜一個(gè)角度。
8. 如權(quán)利要求l所述的噴嘴板，其中，所述至少一個(gè)噴嘴的內(nèi)壁具有圓形橫截面或者多邊形橫截面中的一種。
9. 如權(quán)利要求1所述的噴嘴板，其中，所述至少一個(gè)噴嘴的外壁具有圓形橫截面或者多邊形橫截面。
10. 如權(quán)利要求1所述的噴嘴板，還包括位于主體的兩側(cè)的突起部分。
11. 一種制造噴嘴板的方法，所述方法包括在基底的下表面上形成第一蝕刻掩膜；利用第一蝕刻掩膜蝕刻基底的所述下表面以形成噴嘴的下部；在基底的上表面上形成具有島的圖案的第二蝕刻掩膜；利用第二蝕刻掩膜濕蝕刻基底的所述上表面以在基底的上表面上形成島；在基底上形成第三蝕刻掩膜；利用第三蝕刻掩膜蝕刻所述島的上表面以形成噴嘴的上部，其中，噴嘴具有壁，所述壁的厚度隨著遠(yuǎn)離噴嘴的出口而增加。
12. 如權(quán)利要求11所述的方法，其中，利用各向異性干蝕刻形成噴嘴的上部，以圍繞具有沿著噴嘴的縱向不變的橫截面面積的空間。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，噴嘴的下部由于各向異性濕蝕刻而具有朝著噴 嘴的上部逐漸減小的橫截面面積。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述噴嘴的下部的內(nèi)壁相對(duì)于基底的下表面傾 斜一個(gè)角度，所述噴嘴的外壁相對(duì)于基底的下表面傾斜一個(gè)角度，由所述外壁和基底的下 表面形成的角度小于由所述噴嘴的下部的內(nèi)壁和基底的下表面形成的角度。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述基底是具有〈100〉結(jié)晶定向的硅基底。
16. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述噴嘴的下部的內(nèi)壁包括相對(duì)于(100)晶面傾 斜54.7°的角度的四個(gè)(111)晶面。
17. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，噴嘴的下部通過(guò)各向異性干蝕刻形成，以圍繞具 有沿著噴嘴的縱向不變的橫截面面積的空間。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中，由噴嘴的下部圍繞的空間的橫截面面積大于由 噴嘴的上部圍繞的空間的橫截面面積。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，噴嘴的外壁相對(duì)于基底的下表面傾斜一個(gè)角度。
20. 如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在基底的兩側(cè)利用第二蝕刻掩膜的突出的圖案 形成突起部分。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種噴嘴板和制造該噴嘴板的方法。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，該噴嘴板可包括主體；至少一個(gè)從主體突出的噴嘴，其中，所述至少一個(gè)噴嘴包括壁，該壁具有隨著遠(yuǎn)離所述至少一個(gè)噴嘴的出口而增加的厚度。
文檔編號(hào)B41J2/16GK101746132SQ2009102208
公開(kāi)日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2009年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月27日
發(fā)明者姜城圭 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社