復合膜及其制造方法和封裝結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種復合膜及其制造方法和封裝結構。該復合膜包括：基質膜和位于所述基質膜內部的至少一個阻水膜。本發(fā)明的技術方案中，復合膜包括基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜，采用該復合膜對OLED進行封裝時可直接將該復合膜設置于OLED之上，封裝工藝過程中所采用的工藝簡單，工藝步驟少，工藝時間短，且所需設備較為簡單，從而降低了生產成本，提高了生產效率。
【專利說明】復合膜及其制造方法和封裝結構
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，特別涉及一種復合膜及其制造方法和封裝結構。
【背景技術】
[0002]有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,簡稱:0LED)具有自發(fā)光的特性，當有電流通過時，OLED就會發(fā)光。OLED顯示裝置可視角度大，且能夠顯著節(jié)省電能，因此OLED顯示裝置具備了許多液晶顯示器(Liquid Crystal Display,簡稱:IXD)不可比擬的優(yōu)勢，在顯示【技術領域】的應用越來越廣泛。
[0003]OLED中的有機膜層結構易受水氧侵蝕而失效，因此需要在OLED上方形成能夠阻隔水氧的封裝層以實現(xiàn)對OLED的保護。封裝層通常采用高阻水性的硬質封裝基板，例如玻璃或金屬片，在承載OLED的基板上涂覆封裝膠，封裝膠位于OLED之外，通過封裝膠將承載OLED的基板和硬質封裝基板貼合起來，在兩片基板之間形成水氧分子難以滲透的密閉空間，從而實現(xiàn)對OLED的保護。但是，由于硬質封裝基板屬于剛性器件，其柔性較差，因此不適用于對柔性OLED進行封裝。
[0004]為解決上述硬質封裝基板不適用于對柔性OLED的問題，現(xiàn)有技術中提出了采用阻水性薄膜作為封裝層的技術方案。阻水性薄膜可采用致密的薄膜，例如:Si0x，但是致密的薄膜彎曲性差；或者，阻水性薄膜可采用彎曲性好的薄膜，例如:聚合物膜，但彎曲性好的薄膜阻水性差。因此，現(xiàn)有技術中為獲得具有較好的阻水性和彎曲性的封裝層，通常采用無機層和有機層多層交疊設置的結構作為封裝層。但是此種封裝層中的膜層數(shù)多且每一層結構均需要根據(jù)材料采用相應的膜制備工藝制成，因此制造封裝層的過程中所需的膜制備工藝種類多、步驟多且制造時間長，制造過程需要在惰性保護環(huán)境(例如:真空或者氮氣環(huán)境)中，且制造過程需要采用多種復雜設備，因而提高了生產成本，降低了生產效率。

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明提供一種復合膜及其制造方法和封裝結構，用于降低生產成本，提高生產效率。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種復合膜，包括:基質膜和位于所述基質膜內部的至少一個阻水膜。
[0007]可選地，所述基質膜的數(shù)量為多層，每層所述基質膜內的阻水膜的數(shù)量為多個，相鄰層所述基質膜內部的阻水膜交錯設置。
[0008]可選地，所述阻水膜之間形成有間隔，某一層所述基質膜內部的阻水膜之間的間隔與相鄰層所述基質膜內部的阻水膜相對設置。
[0009]可選地，所述基質膜內部的多個阻水膜設置于同一平面上。
[0010]可選地，所述基質膜的數(shù)量為2至4層。
[0011]可選地，所述基質膜的數(shù)量為一層，所述阻水膜的數(shù)量為多個，多個所述阻水膜分層設置，相鄰層的所述阻水膜交錯設置。[0012]可選地，每一層的所述阻水膜之間形成有間隔，某一層所述阻水膜之間的間隔與相鄰層所述阻水膜相對設置。
[0013]可選地,所述基質膜的厚度為Ιμπι至1000 μπι。
[0014]可選地，所述基質膜為柔性結構，所述阻水膜為剛性結構。
[0015]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種封裝結構，包括:襯底基板、OLED和上述復合膜，所述OLED位于所述襯底基板上，所述復合膜位于所述OLED上。
[0016]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種復合膜的制造方法，包括:
[0017]形成基質膜，且在形成基質膜的工藝過程中在所述基質膜內部形成至少一個阻水膜。
[0018]可選地，所述形成基質膜，且在形成基質膜的工藝過程中在所述基質膜內部形成至少一個阻水膜包括:
[0019]形成一基質膜前驅層；
[0020]在所述基質膜前驅層上形成至少一個阻水膜；
[0021]在所述阻水膜上形成另一基質膜前驅層；
[0022]進行固化處理，以形成所述基質膜。
[0023]可選地，所述基質膜的數(shù)量為多層時，所述方法還包括:
[0024]將形成的多層所述基質膜進行貼合處理。
[0025]可選地，所述基質膜的數(shù)量為一層，所述阻水膜的數(shù)量為多個且多個所述阻水膜分層設置時，所述形成基質膜，且在形成基質膜的工藝過程中在所述基質膜內部形成至少一個阻水膜包括:
[0026]形成一基質膜前驅層；
[0027]在所述基質膜前驅層上形成至少一個阻水膜，在所述阻水膜上形成另一基質膜前驅層；
[0028]重復執(zhí)行所述在所述基質膜前驅層上形成至少一個阻水膜，在所述阻水膜上形成另一基質膜前驅層的步驟，直至形成所需層數(shù)的阻水膜；
[0029]進行固化處理，以形成所述基質膜。
[0030]可選地，所述進行固化處理包括:通過UV固化或者熱固化的方式實現(xiàn)固化處理。
[0031]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0032]本發(fā)明提供的復合膜及其制造方法和封裝結構的技術方案中，復合膜包括基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜，采用該復合膜對OLED進行封裝時可直接將該復合膜設置于OLED之上，封裝工藝過程中所采用的工藝簡單，工藝步驟少，工藝時間短，且所需設備較為簡單，從而降低了生產成本，提高了生產效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種復合膜的結構示意圖；
[0034]圖2為基質膜11的平面示意圖；
[0035]圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種復合膜的結構示意圖；
[0036]圖4為本發(fā)明實施例三提供的一種封裝結構的示意圖；
[0037]圖5為本發(fā)明實施例五的一種復合膜的制造方法的流程圖；[0038]圖6a為實施例五中形成基質膜前驅層的一種示意圖；
[0039]圖6b為實施例五中形成阻水膜的示意圖；
[0040]圖6c為實施例五中形成基質膜前驅層的另一種示意圖；
[0041]圖6d為實施例五中固化處理的示意圖；
[0042]圖7為本發(fā)明實施例六提供的一種復合膜的制造方法的流程圖；
[0043]圖8a為實施例TK中形成基質I旲如驅層的一種不意圖；
[0044]圖8b為實施例六中形成阻水膜的示意圖；
[0045]圖8c為實施例TK中形成基質I旲如驅層的另一種不意圖；
[0046]圖8d為實施例六中形成阻水膜和基質膜前驅層的示意圖；
[0047]圖8e為實施例五中固化處理的示意圖；
圖8f為實施例五中形成基質I旲的不意圖。
【具體實施方式】
[0048]為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖對本發(fā)明提供的復合膜及其制造方法和封裝結構進行詳細描述。
[0049]圖1為本發(fā)明實施例一提供的一種復合膜的結構示意圖，如圖1所示，該復合膜包括:基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜。
[0050]基質膜的數(shù)量可以為多層，多個基質膜疊加設置。優(yōu)選地，所述基質膜的數(shù)量為2至4層。本實施例中，以基質膜的數(shù)量為3層為例進行描述，則3層基質膜分別包括:基質膜11、基質膜12和基質膜13，基質膜11、基質膜12和基質膜13疊加設置，且基質膜11位于基質膜12的上方，基質膜12位于基質膜13的上方。
[0051]優(yōu)選地，基質膜的厚度為Ιμπι至ΙΟΟΟμπι。本實施例中，基質膜的厚度采用Ιμπι至1000 μ m，可有效避免基質膜的厚度太薄而導致的機械性能差和阻水性差的問題以及避免基質膜的厚度太厚而導致的彎折性差和透光性差的問題，從而既保證了基質膜具備良好的機械性能和阻水性能，又保證了基質膜具備良好的彎折性和透光性。優(yōu)選地，每層基質膜的厚度相同。每層基質膜采用相同的厚度便于制造。
[0052]優(yōu)選地，基質膜為柔性結構，則基質膜的材料可包括:聚亞酰胺、聚丙烯酸酯、聚乙烯，聚丙烯、基苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚砜醚、聚對萘二甲酸乙二酯醇、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯或者聚對苯二乙基砜；阻水膜為剛性結構，則阻水膜的材料可包括:Si0x、SiNx、Al203、Al、Ag、金、超薄玻璃、金剛石、石墨烯、ZnO、ZrO 或者 Ti02。
[0053]每層基質膜內的阻水膜的數(shù)量為多個，阻水膜能夠阻隔水氧分子。以基質膜11為例，圖2為基質膜11的平面示意圖，結合圖1和圖2所示，基質膜11內的阻水膜的數(shù)量為多個，圖1和圖2中示出了位于基質膜11內部的阻水膜111、阻水膜112和阻水膜113。優(yōu)選地，基質膜內部的多個阻水膜設置于同一平面上，基質膜11內部的阻水膜111、阻水膜112和阻水膜113設置于同一平面上。多個阻水膜位于同一平面上使得阻水膜的制造過程簡單且易于實現(xiàn)。對基質膜12和基質膜13內部阻水膜的描述可參見基質膜11，此處不再贅述。優(yōu)選地，每層基質膜內的阻水膜均勻設置。
[0054]優(yōu)選地，相鄰層基質膜內部的阻水膜交錯設置，如圖1和圖2所示，基質膜11內部的阻水膜和基質膜12內部的阻水膜交錯設置，基質膜12和基質膜13內部的阻水膜交錯設置。具體地，阻水膜之間形成有間隔，某一層基質膜內部的阻水膜之間的間隔與相鄰層基質膜內部的阻水膜相對設置，此時該間隔被相鄰層基質膜內部的阻水膜覆蓋，如圖1和圖2所示，例如:基質膜11內部的阻水膜111和阻水膜112之間形成有間隔114，間隔114與相鄰的基質膜12內部的阻水膜121相對設置。由于基質膜采用的是柔性結構，而阻水膜采用的是剛性結構，因此阻水膜之間設置間隔的目的在于保證整個復合膜能夠進行一定程度的彎曲，保證了復合膜具有良好的彎曲性，從而使得復合膜能夠適用于柔性OLED。本實施例中，復合膜的彎曲性與阻水膜的尺寸和排布位置相關，因此在實際應用中可根據(jù)所需的彎曲性設置阻水膜的尺寸和排布位置。水氧分子可透過阻水膜之間形成的間隔，因此本實施例采用間隔與相鄰層基質膜內部的阻水膜相對設置的結構，圖1中的虛線箭頭為水氧分子在復合膜中的滲透路徑，水氧分子透過基質膜11內部的間隔后被基質膜12內部的阻水膜阻擋而延緩了滲透過程，水氧分子進一步透過基質膜12內部的間隔后被基質膜13內的阻水膜阻擋而進一步延緩了滲透過程。綜上所述，本實施例采用某一層基質膜內部的間隔與相鄰層基質膜內部的阻水膜相對設置的結構，通過延長水氧分子的滲透路徑的長度，極大的延緩了水氧分子的滲透過程，從而保證了復合膜具有良好的阻水性。
[0055]本實施例提供的復合膜包括基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜，采用該復合膜對OLED進行封裝時可直接將該復合膜設置于OLED之上，封裝工藝過程中所采用的工藝簡單，工藝步驟少，工藝時間短，且所需設備較為簡單，從而降低了生產成本，提高了生
產效率。
[0056]圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種復合膜的結構示意圖，如圖3所示，該復合膜包括:基質膜31和位于基質膜31內部的至少一個阻水膜。
[0057]基質膜31的數(shù)量為一層。優(yōu)選地，基質膜的厚度為I μπι至1000 μπι。本實施例中，基質膜的厚度采用Iym至1000 μ m,可有效避免基質膜的厚度太薄而導致的機械性能差和阻水性差的問題以及避免基質膜的厚度太厚而導致的彎折性差和透光性差的問題，從而既保證了基質膜具備良好的機械性能和阻水性能，又保證了基質膜具備良好的彎折性和透光性。
[0058]優(yōu)選地，基質膜為柔性結構，則基質膜的材料可包括:聚亞酰胺、聚丙烯酸酯、聚乙烯，聚丙烯、基苯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚砜醚、聚對萘二甲酸乙二酯醇、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯或者聚對苯二乙基砜；阻水膜為剛性結構，則阻水膜的材料可包括:Si0x、SiNx、Al203、Al、Ag、金、超薄玻璃、金剛石、石墨烯、ZnO、ZrO 或者 Ti02。
[0059]阻水膜的數(shù)量為多個，阻水膜能夠阻隔水氧分子。多個阻水膜分層設置。本實施例中，以基質膜31內部設置3層阻水膜為例進行描述，如圖3所示，位于第一層的阻水膜包括:阻水膜311、阻水膜312和阻水膜313，位于第二層的阻水膜包括:阻水膜314、阻水膜315和阻水膜316，位于第三層的阻水膜包括:阻水膜317、阻水膜318和阻水膜319。優(yōu)選地，位于同層的多個阻水膜設置于同一平面上。優(yōu)選地，阻水膜均勻設置。
[0060]優(yōu)選地，相鄰層的阻水膜交錯設置。如圖3所示，位于第一層的阻水膜和位于第二層的阻水膜交錯設置，位于第二層的阻水膜和位于第三層的阻水膜交錯設置。具體地，每一層的阻水膜之間形成有間隔，某一層阻水膜之間的間隔與相鄰層阻水膜相對設置，此時該間隔被相鄰層阻水膜覆蓋，如圖3所示，例如:位于第一層的阻水膜311和阻水膜312之間形成有間隔320，間隔320與第二層的阻水膜314相對設置。由于基質膜采用的是柔性結構，而阻水膜采用的是剛性結構，因此阻水膜之間設置間隔的目的在于保證整個復合膜能夠進行一定程度的彎曲，保證了復合膜具有良好的彎曲性，從而使得復合膜能夠適用于柔性OLED。本實施例中，復合膜的彎曲性與阻水膜的尺寸和排布位置相關，因此在實際應用中可根據(jù)所需的彎曲性設置阻水膜的尺寸和排布位置。水氧分子可透過阻水膜之間形成的間隔，因此本實施例采用間隔與相鄰層基質膜內部的阻水膜相對設置的結構，圖3中的虛線箭頭為水氧分子在復合膜中的滲透路徑，水氧分子透過位于第一層的阻水膜之間的間隔后被位于第二層阻水膜阻擋而延緩了滲透過程，水氧分子進一步透過位于第二層的阻水膜之間的間隔后被位于第三層的阻水膜阻擋而進一步延緩了滲透過程。綜上所述，本實施例采用某一層阻水膜之間的間隔與相鄰層阻水膜相對設置的結構，通過延長水氧分子的滲透路徑的長度，極大的延緩了水氧分子的滲透過程，從而保證了復合膜具有良好的阻水性。
[0061]本實施例提供的復合膜包括基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜，采用該復合膜對OLED進行封裝時可直接將該復合膜設置于OLED之上，封裝工藝過程中所采用的工藝簡單，工藝步驟少，工藝時間短，且所需設備較為簡單，從而降低了生產成本，提高了生產效率。
[0062]圖4為本發(fā)明實施例三提供的一種封裝結構的示意圖，如圖4所示，該封裝結構包括:襯底基板1、0LED2和復合膜3，0LED2位于襯底基板I上，復合膜3位于0LED2上。其中，復合膜3可采用上述實施例一或者實施例二中所述的復合膜，此處不再詳細描述。
[0063]復合膜3能夠對0LED2起到阻水的作用?？蛇x地，復合膜3覆蓋整個襯底基板I。
[0064]可選地，該封裝結構還可包括:緩沖層4，該緩沖層4位于0LED2和復合膜3之間，且該緩沖層4覆蓋整個襯底基板I。
[0065]本實施例提供的封裝結構中，復合膜包括基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜，采用該復合膜對OLED進行封裝時可直接將該復合膜設置于OLED之上，封裝工藝過程中所采用的工藝簡單，工藝步驟少，工藝時間短，且所需設備較為簡單，從而降低了生產成本，提聞了生廣效率。
[0066]本發(fā)明實施例四提供了一種復合膜的制造方法，該方法包括:形成基質膜，且在形成基質膜的工藝過程中在基質膜內部形成至少一個阻水膜。
[0067]本實施例提供的復合膜的制造方法制成的復合膜包括基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜，采用該復合膜對OLED進行封裝時可直接將該復合膜設置于OLED之上，封裝工藝過程中所采用的工藝簡單，工藝步驟少，工藝時間短，且所需設備較為簡單，從而降低了生產成本，提高了生產效率。
[0068]圖5為本發(fā)明實施例五的一種復合膜的制造方法的流程圖，如圖5所示，該方法包括:
[0069]步驟101、形成一基質膜前驅層。
[0070]圖6a為實施例五中形成基質膜前驅層的一種示意圖，如圖6a所示,通過旋涂、刮涂或者噴涂形成一層基質膜前驅層61。
[0071]步驟102、在基質膜前驅層上形成至少一個阻水膜。
[0072]圖6b為實施例五中形成阻水膜的示意圖，如圖6b所示，通過放置、物理沉積或者化學沉積在基質膜前驅層61上形成阻水膜62。
[0073]步驟103、在阻水膜上形成另一基質膜前驅層。
[0074]圖6c為實施例五中形成基質膜前驅層的另一種示意圖，如圖6c所示，通過旋涂、刮涂或者噴涂在阻水膜62上形成一層基質膜前驅層63。
[0075]步驟104、對完成步驟103的結構進行固化處理，以形成基質膜。
[0076]圖6d為實施例五中固化處理的示意圖，如圖6d所示，通過UV固化或者熱固化的方式對完成步驟103的結構進行固化處理，以形成基質膜64。
[0077]步驟105、重復執(zhí)行步驟101至步驟104，制備出多層基質膜。
[0078]步驟106、將形成的多層基質膜進行貼合處理。
[0079]具體地，可通過貼附設備對形成的多層基質膜進行貼合處理，以形成復合膜。
[0080]本實施例提供的復合膜的制造方法可用于制造上述實施例一所述的復合膜，因此對于基質膜和阻水膜的具體描述可參見上述實施例一，此處不再贅述。
[0081]本實施例提供的復合膜的制造方法制成的復合膜包括基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜，采用該復合膜對OLED進行封裝時可直接將該復合膜設置于OLED之上，封裝工藝過程中所采用的工藝簡單，工藝步驟少，工藝時間短，且所需設備較為簡單，從而降低了生產成本，提高了生產效率。
[0082]圖7為本發(fā)明實施例六提供的一種復合膜的制造方法的流程圖，如圖7所示，該方法包括:
[0083]步驟201、形成一基質膜前驅層。
[0084]圖8a為實施例TK中形成基質I旲如驅層的一種不意圖，如圖8a所不,通過旋涂、刮涂或者噴涂形成一層基質膜前驅層81。
[0085]步驟202、在基質膜前驅層上形成至少一個阻水膜。
[0086]圖Sb為實施例六中形成阻水膜的示意圖，如圖Sb所示，通過放置、物理沉積或者化學沉積在基質膜前驅層81上形成阻水膜82。
[0087]步驟203、在阻水膜上形成另一基質膜前驅層。
[0088]圖8c為實施例TK中形成基質I旲如驅層的另一種不意圖，如圖8c所不,通過旋涂、刮涂或者噴涂在阻水膜82上形成一層基質膜前驅層83。
[0089]步驟204、重復執(zhí)行步驟202和步驟203，直至形成所需層數(shù)的阻水膜。
[0090]本實施例中阻水膜所需層數(shù)為三層。圖8d為實施例六中形成阻水膜和基質膜前驅層的示意圖，如圖8d所示，通過放置、物理沉積或者化學沉積在基質膜前驅層83上形成阻水膜84，并通過旋涂、刮涂或者噴涂在阻水膜84上形成一層基質膜前驅層85;通過放置、物理沉積或者化學沉積在基質膜前驅層85上形成阻水膜86，并通過旋涂、刮涂或者噴涂在阻水膜86上形成一層基質膜前驅層87。
[0091]步驟205、對完成步驟204的結構進行固化處理，以形成基質膜。
[0092]圖8e為實施例五中固化處理的示意圖，如圖8e所示,通過UV固化或者熱固化的方式對完成步驟204的結構進行固化處理，以形成基質膜8。
[0093]采用本實施例提供的復合膜的制造方法制成的復合膜中，基質膜的數(shù)量為一層，阻水膜的數(shù)量為多個且多個阻水膜分層設置。
[0094]本實施例提供的復合膜的制造方法可用于制造上述實施例二所述的復合膜，因此對于基質膜和阻水膜的具體描述可參見上述實施例二，此處不再贅述。
[0095]本實施例提供的復合膜的制造方法制成的復合膜包括基質膜和位于基質膜內部的至少一個阻水膜，采用該復合膜對OLED進行封裝時可直接將該復合膜設置于OLED之上，封裝工藝過程中所采用的工藝簡單，工藝步驟少，工藝時間短，且所需設備較為簡單，從而降低了生產成本，提高了生產效率。
[0096]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種復合膜，其特征在于，包括:基質膜和位于所述基質膜內部的至少一個阻水膜。
2.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述基質膜的數(shù)量為多層，每層所述基質膜內的阻水膜的數(shù)量為多個，相鄰層所述基質膜內部的阻水膜交錯設置。
3.根據(jù)權利要求2所述的復合膜，其特征在于，所述阻水膜之間形成有間隔，某一層所述基質膜內部的阻水膜之間的間隔與相鄰層所述基質膜內部的阻水膜相對設置。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的復合膜，其特征在于，所述基質膜內部的多個阻水膜設置于同一平面上。
5.根據(jù)權利要求2或3所述的復合膜，其特征在于，所述基質膜的數(shù)量為2至4層。
6.根據(jù)權利要求1所述的復合膜，其特征在于，所述基質膜的數(shù)量為一層，所述阻水膜的數(shù)量為多個，多個所述阻水膜分層設置，相鄰層的所述阻水膜交錯設置。
7.根據(jù)權利要求5所述的復合膜，其特征在于，每一層的所述阻水膜之間形成有間隔，某一層所述阻水膜之間的間隔與相鄰層所述阻水膜相對設置。
8.根據(jù)權利要求1至7任一所述的復合膜，其特征在于，所述基質膜的厚度為Ιμπι至1000 μ mD
9.根據(jù)權利要求1至 7任一所述的復合膜，其特征在于，所述基質膜為柔性結構，所述阻水膜為剛性結構。
10.一種封裝結構，其特征在于，包括:襯底基板、有機發(fā)光二極管和上述權利要求1至8任一所述的復合膜，所述有機發(fā)光二極管位于所述襯底基板上，所述復合膜位于所述有機發(fā)光二極管上。
11.一種復合膜的制造方法，其特征在于，包括: 形成基質膜，且在形成基質膜的工藝過程中在所述基質膜內部形成至少一個阻水膜。
12.根據(jù)權利要求11所述的復合膜的制造方法，其特征在于，所述形成基質膜，且在形成基質膜的工藝過程中在所述基質膜內部形成至少一個阻水膜包括: 形成一基質膜前驅層； 在所述基質膜前驅層上形成至少一個阻水膜； 在所述阻水膜上形成另一基質膜前驅層； 進行固化處理，以形成所述基質膜。
13.根據(jù)權利要求12所述的復合膜的制造方法，其特征在于，所述基質膜的數(shù)量為多層時，所述方法還包括: 將形成的多層所述基質膜進行貼合處理。
14.根據(jù)權利要求11所述的復合膜的制造方法，其特征在于，所述基質膜的數(shù)量為一層，所述阻水膜的數(shù)量為多個且多個所述阻水膜分層設置時，所述形成基質膜，且在形成基質膜的工藝過程中在所述基質膜內部形成至少一個阻水膜包括: 形成一基質膜前驅層； 在所述基質膜前驅層上形成至少一個阻水膜，在所述阻水膜上形成另一基質膜前驅層； 重復執(zhí)行所述在所述基質膜前驅層上形成至少一個阻水膜，在所述阻水膜上形成另一基質膜前驅層的步驟，直至形成所需層數(shù)的阻水膜； 進行固化處理，以形成所述基質膜。
15.根據(jù)權利要求12至14任一所述的復合膜的制造方法，其特征在于，所述進行固化處理包括:通過UV固化或 者熱固化的方式實現(xiàn)固化處理。
【文檔編號】B32B37/14GK103647025SQ201310529205
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年10月31日 優(yōu)先權日:2013年10月31日
【發(fā)明者】孫力 申請人:京東方科技集團股份有限公司