專利名稱：一種光學(xué)濾波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于數(shù)碼攝像的濾波器領(lǐng)域，特別涉及ー種主要應(yīng)用于卡片式數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)攝像頭和監(jiān)控?cái)z像等影像采集系統(tǒng)的低應(yīng)カ塑料光學(xué)濾波器。
背景技術(shù)：
用于數(shù)碼影像技術(shù)的圖像傳感器CCD (Charge-coupled Device,電荷稱合元件)和圖像傳感器CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體兀件)，是ー種離散像素的光電探測(cè)器。根據(jù)奈奎斯特定理，一個(gè)圖像傳感器能夠分辨的最高空間頻率等于它的空間采樣頻率的一半，這個(gè)頻率稱為奈奎斯特極限頻率。用圖像傳感器CCD和圖像傳感器CMOS攝像獲取目標(biāo)圖像吋，當(dāng)抽樣圖像超過(guò)系統(tǒng)的奈奎斯特極限頻率時(shí)，圖像傳感器中的高頻諧波會(huì)和基頻造成疊柵效應(yīng)，產(chǎn)生莫爾條紋，這時(shí)圖像將產(chǎn)生周期 性的頻譜交疊，甚至出現(xiàn)彩色條紋，嚴(yán)重影響圖像清晰度，因此必須采取措施消除這種空間高頻諧波引起的圖像干擾，為了消除這種空間高頻諧波引起的圖像干擾，光學(xué)濾波器就這樣應(yīng)運(yùn)而生。光學(xué)濾波器能抑制圖像傳感器CCD以及圖像傳感器CMOS光敏面上光學(xué)圖像的頻譜混疊，提高成像質(zhì)量?，F(xiàn)用光學(xué)濾波器包括基片以及光學(xué)薄膜，光學(xué)薄膜為設(shè)置在基片ー側(cè)的減反射膜以及設(shè)置在基片另ー側(cè)的隔紅外-紫外濾光膜，通常采用ー種特殊的藍(lán)玻璃作為基片，這種藍(lán)玻璃基片的特點(diǎn)是透射-截止過(guò)渡區(qū)中透射率T = 50%的波長(zhǎng)為650 ±10nm，且這個(gè)波長(zhǎng)不會(huì)因目標(biāo)圖像的光線入射角變化而產(chǎn)生任何移動(dòng)，因而能獲得彩色均勻的圖像。藍(lán)玻璃基片的兩個(gè)表面上通常分別鍍上減反射膜和隔紅外-紫外濾光膜以構(gòu)成光學(xué)濾波器。這種采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器的優(yōu)點(diǎn)是1).由于藍(lán)玻璃基片厚度需0. 5_左右才能得到勉強(qiáng)符合要求的透射-截止過(guò)渡區(qū)陡度，基片比較厚，因而薄膜應(yīng)カ造成的藍(lán)玻璃基片變形很??；2).由于藍(lán)玻璃基片和光學(xué)薄膜都是無(wú)機(jī)材料，因而藍(lán)玻璃基片和光學(xué)薄膜之間具有優(yōu)良的附著力。但是它的缺點(diǎn)很明顯首先是這種藍(lán)玻璃基片迄今只有日本獨(dú)家能供，由于供不應(yīng)求，價(jià)格昂貴，而且重量重、體積大；其次是這種藍(lán)玻璃的機(jī)械、化學(xué)性能較差，鍍膜后切割成小片時(shí)極易破碎、腐蝕，制造成品率低下；更有甚者，由于這種采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器直接貼在圖像傳感器CCD或圖像傳感器CMOS前，因而，這種光學(xué)濾波器的厚度容易造成不可忽視的像差。由于藍(lán)塑料同樣可獲得與藍(lán)玻璃相似的透射-截止過(guò)渡區(qū)中透射率T = 50%的波長(zhǎng)650±10nm，且這個(gè)波長(zhǎng)不隨目標(biāo)圖像的光線入射角變化而產(chǎn)生移動(dòng)，因而同樣能獲得彩色均勻的圖像效果。將基片從藍(lán)玻璃基片換為藍(lán)塑料基片后，較薄的藍(lán)塑料基片就可以具有足夠陡度的透射-截止過(guò)渡區(qū)，但是整體上存在兩個(gè)新問(wèn)題藍(lán)塑料基片做薄后易變形以及藍(lán)塑料基片與光學(xué)薄膜之間的附著性需要進(jìn)ー步提高，若這兩個(gè)新問(wèn)題得到妥善解決，則該光學(xué)濾波器不僅可以降低價(jià)格、減小體積和重量，而且因采用藍(lán)塑料的光學(xué)濾波器厚度減薄、像差減小而產(chǎn)生比采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器更佳的圖像效果。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了ー種光學(xué)濾波器，采用藍(lán)塑料基片取代藍(lán)玻璃基片，能夠降低生產(chǎn)成本、減輕產(chǎn)品重量、減小產(chǎn)品體積以及提高產(chǎn)品的成品率。ー種光學(xué)濾波器，包括基片以及設(shè)置在所述基片兩側(cè)的光學(xué)膜，所述基片為藍(lán)塑料基片。作為優(yōu)選，所述藍(lán)塑料基片的厚度為0. 05mm 0. 2mm，上述厚度的藍(lán)塑料基片具有足夠陡度的透射-截止過(guò)渡區(qū)，且因厚度比藍(lán)玻璃基片薄得多，球差、色差等像差可大大減小，圖像質(zhì)量可顯著提高。進(jìn)ー步優(yōu)選，所述藍(lán)塑料基片的厚度為0. 08mm 0. 12mm,在降低基片厚度的同時(shí)保持具有足夠陡度的透射-截止過(guò)渡區(qū)，進(jìn)而提高圖像質(zhì)量。更進(jìn)一歩優(yōu)選，所述藍(lán)塑料基片的厚度為0. 1_，采用日本JSR生產(chǎn)的型號(hào)為FLXL100AA的藍(lán)塑料基片。 為了提高基片與基片兩側(cè)的光學(xué)膜之間的附著性，作為優(yōu)選，所述基片與光學(xué)膜之間設(shè)有HfO2過(guò)渡層?；凸鈱W(xué)膜之間的附著力是由基片和光學(xué)膜之間的健合力決定的，由于附著出現(xiàn)在兩種材料表面，因此它不僅與基片和光學(xué)膜各自的表面能S1和S2相關(guān)，而且還與兩種材料共同的界面能S12相關(guān)，附著能可表示為Ead = Si+S2-S12?；谶@一原理可知，高表面能的兩種材料附著力最大，而低表面能的兩種材料附著力最小，因此為確保足夠的附著力，在藍(lán)塑料基片S1較小的情況下，只能選用S2盡可能大的高溫氧化物HfO2作為過(guò)渡層來(lái)補(bǔ)償。進(jìn)ー步，界面能S12隨接觸界面的兩種原子差異增大而增加，對(duì)于藍(lán)塑料基片，為了減小S12，提出采用低能離子輔助淀積，這一方面可増加淀積分子的動(dòng)能，另一方面也可増加基片表面的活化能和微粗糙度，増大表面附著能，為此，作為進(jìn)ー步優(yōu)選，所述HfO2過(guò)渡層在鍍制前和鍍制過(guò)程中都采用束壓為600V 800V和束流為60mA 80mA的離子束進(jìn)行輔助轟擊，提高附著力。HfO2過(guò)渡層表面能很高，可最大限度地提高光學(xué)膜與藍(lán)塑料基片之間的附著力，但是為了減小HfO2過(guò)渡層對(duì)濾波器光學(xué)特性的影響，所述HfO2過(guò)渡層的厚度優(yōu)選為8nm 20nm。為了改善藍(lán)塑料基片的變形，作為優(yōu)選，所述光學(xué)膜為設(shè)置在基片ー側(cè)的隔紅外濾光膜以及設(shè)置在基片另ー側(cè)的隔紅外-紫外濾光膜，隔紅外濾光膜在保證可見(jiàn)光區(qū)高透射的同時(shí)，通過(guò)反射截止短波段700 900nm的紅外光，隔紅外-紫外濾光膜除了要保證可見(jiàn)光區(qū)高透射和反射截止長(zhǎng)波段900 1200nm的紅外光外，還要截止對(duì)圖像傳感器(XD、圖像傳感器CMOS有害的紫外光。所述隔紅外濾光膜由TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層交替構(gòu)成，所述隔紅外-紫外濾光膜也由SiO2低折射率膜層和TiO2高折射率膜層交替構(gòu)成。由于TiO2和SiO2的表面能都足夠大，其界面具有足夠強(qiáng)的附著力，因而TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層之間有較強(qiáng)的附著力。通過(guò)藍(lán)塑料基片兩側(cè)的隔紅外濾光膜和隔紅外-紫外濾光膜的厚度調(diào)節(jié)使得藍(lán)塑料基片兩個(gè)面的應(yīng)カ處于平衡，從而減小了因光學(xué)膜應(yīng)カ造成的藍(lán)塑料基片變形。但是即使這樣，有時(shí)應(yīng)カ仍不能完全抵消，原因是藍(lán)塑料基片兩側(cè)的隔紅外濾光膜和隔紅外-紫外濾光膜是分二次鍍制的，由于エ藝條件的差異，應(yīng)カ并不完全相等，因而需進(jìn)一歩降低兩個(gè)膜系的應(yīng)力，進(jìn)ー步優(yōu)選，基片的溫度為室溫，以降低熱應(yīng)カ；所述TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層的制備均采用離子輔助，離子輔助的條件束壓為600V 800V，束流為60mA 80mA ;所述TiO2高折射率膜層的制備采用Ti3O5蒸發(fā)材料，且在I X 10_2Pa 3X 10_2Pa氧氣氛中以0. 2nm/s 0. 8nm/s的速率蒸發(fā)；所述SiO2低折射率膜層的制備采用SiO2蒸發(fā)材料，且在I X ICT2Pa 3X ICT2Pa氧氣氛中以0. 8nm/s 3. 2nm/s的速率蒸發(fā)。該條件下制備的TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層能夠降低隔紅外濾光膜和隔紅外-紫外濾光膜對(duì)藍(lán)塑料基片的應(yīng)力，從而使得藍(lán)塑料基片的變形非常小。 進(jìn)ー步優(yōu)選，所述隔紅外濾光膜中的TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層總共為20 28層，所述隔紅外濾光膜中的TiO2高折射率膜層(單層)厚度為75nm 95nm，所述隔紅外濾光膜中的SiO2低折射率膜層(單層)厚度為140nm 155nm。最優(yōu)選的，所述隔紅外濾光膜中的TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層總共為24層，靠近基片的第一層為TiO2高折射率膜層，第二層為SiO2低折射率膜層，依次交替，厚度依次為94. 4nm, 154nm,81. 6nm,145nm,78. 7nm,142. 3nm,77. 7nm,141. 3nm,77. 3nm,140. 9nm,77. lnm,140. 6nm,77. lnm, 140. 7nm,77. 4nm,140. 8nm,77. 7nm,141. 4nm,78.7nm,143.lnm,81.2nm, 148.2nm,83. 4nm, 153. 6nm。_紅外濾光膜在保證可見(jiàn)光區(qū)高透射的同時(shí)，通過(guò)反射截止700 900nm波長(zhǎng)區(qū)的紅外光。所述隔紅外-紫外濾光膜中的SiO2低折射率膜層和TiO2高折射率膜層總共為17 21層，所述隔紅外-紫外濾光膜中的SiO2低折射率膜層(單層)厚度為90nm 19lnm，所述隔紅外-紫外濾光膜中的TiO2高折射率膜層(單層)厚度為98nm 116nm。最優(yōu)選的，所述隔紅外-紫外濾光膜中的SiO2低折射率膜層和TiO2高折射率膜層總共為19層，靠近基片的第一層為SiO2低折射率膜層，第二層為TiO2高折射率膜層，依次交替，厚度依次為 173. 3nm,105. 4nm,188. lnm,114. 5nm,190. 6nm,115. 5nm,190. 8nm,115. 5nm,189. 8nm,113.9nm,186. Onm,106. 7nm,167. 6nm,98. 3nm,177. 9nm,109. 5nm,180. 8nm,108. 4nm,90. lnm。隔紅外-紫外濾光膜除了要保證可見(jiàn)光區(qū)高透射和反射截止900 1200nm波長(zhǎng)區(qū)的紅外光外，還要截止對(duì)圖像傳感器(XD、圖像傳感器CMOS有害的紫外光。在藍(lán)塑料基片兩表面上設(shè)計(jì)厚度幾乎相等的隔紅外濾光膜和隔紅外-紫外濾光膜使得藍(lán)塑料基片兩表面上的應(yīng)カ可以平衡，并且，能夠分別濾去不同波長(zhǎng)的光，提高圖像質(zhì)量。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是I).現(xiàn)有技術(shù)米用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器由于藍(lán)玻璃基片和光學(xué)膜的總厚度為
0.5mm左右，雖然由薄膜應(yīng)カ造成的基片變形較小，但是由于插入了一塊較厚的平板會(huì)弓I入不可忽略的像差，降低了圖像質(zhì)量；而本發(fā)明光學(xué)濾波器中藍(lán)塑料基片和光學(xué)膜的總厚度約為0. 05mm 0. 2mm,優(yōu)選方案中藍(lán)塑料基片和光學(xué)膜的總厚度約為0. 08mm 0. 12mm,已經(jīng)對(duì)成像像差幾乎沒(méi)有影響，而薄膜應(yīng)カ造成的藍(lán)塑料基片變形同樣可控制，對(duì)像差也幾乎沒(méi)有影響。2).現(xiàn)有技術(shù)采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器鍍膜后切割成小片時(shí)極易破碎，這是由于藍(lán)玻璃基片具有脆性、膨脹系數(shù)高、應(yīng)カ大等特性所決定的，而鍍膜時(shí)為了提高生產(chǎn)效率、減小裝夾的困難又必須采用大基片(常用60_X60mm)裝載鍍膜，鍍膜后切割成小片是不可缺少的エ序，這樣就不可避免地造成采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器的制造成品率降低；而本發(fā)明光學(xué)濾波器本身很薄，加上藍(lán)塑料基片的柔性，使切割エ序既簡(jiǎn)單方便，又提高了成品率。3).現(xiàn)有技術(shù)采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器不僅價(jià)格貴，而且重量重、體積大，主要用于圖像芯片面積較大的單反相機(jī)或微單相機(jī)上；而本發(fā)明光學(xué)濾波器成本低、重量輕、體積小，可廣泛用于圖像芯片面積較小的卡片式相機(jī)、手機(jī)攝像頭和監(jiān)控監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等，特別是目前正在快速增長(zhǎng)的智能手機(jī)。4).現(xiàn)有技術(shù)采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器雖有附著力高的優(yōu)點(diǎn)，但本發(fā)明光學(xué)濾波器通過(guò)在藍(lán)塑料基片兩表面上設(shè)計(jì)厚度幾乎相等的膜系、極薄的過(guò)渡層和離子輔助等措施，可以達(dá)到與采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器等同的附著效果和使用壽命。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明光學(xué)濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器中藍(lán)玻璃基片的透射光譜曲線；圖4為本發(fā)明光學(xué)濾波器中藍(lán)塑料基片的透射光譜曲線；
圖5為本發(fā)明光學(xué)濾波器中隔紅外濾光膜的透射光譜曲線；圖6為本發(fā)明光學(xué)濾波器中隔紅外-紫外濾光膜的透射光譜曲線；圖7為現(xiàn)有技術(shù)中采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器的透射光譜曲線；圖8為本發(fā)明光學(xué)濾波器的透射光譜曲線。
具體實(shí)施例方式圖I所示為現(xiàn)有技術(shù)中采用藍(lán)玻璃的光學(xué)濾波器的結(jié)構(gòu)示意圖，包括藍(lán)玻璃基片7、設(shè)置在藍(lán)玻璃基片7 —側(cè)的減反射膜8以及設(shè)置在藍(lán)玻璃基片7另ー側(cè)的現(xiàn)有隔紅外-紫外濾光膜9，藍(lán)玻璃基片7的厚度需0. 5_左右才能得到勉強(qiáng)符合要求的透射-截止過(guò)渡區(qū)陡度，這雖然引起了像差増大的問(wèn)題，但好處是使薄膜應(yīng)カ造成的藍(lán)玻璃基片7變形減小，藍(lán)玻璃基片7的兩個(gè)表面上通常分別鍍上減反射膜8和現(xiàn)有隔紅外-紫外濾光膜9，減反射膜8為通常需要3種材料構(gòu)成的3層膜，現(xiàn)有隔紅外-紫外濾光膜9是由不同厚度的SiO2低折射率膜層5和TiO2高折射率膜層6交替的40多層的薄膜構(gòu)成，檢測(cè)透射光譜曲線吋，實(shí)際選擇了 43層薄膜構(gòu)成的隔紅外-紫外濾光膜。另外，由于藍(lán)玻璃基片7以及SiO2低折射率膜層5和TiO2高折射率膜層6均為無(wú)機(jī)材料，因而藍(lán)玻璃基片7和膜層之間附著優(yōu)良，不需要過(guò)渡層。如圖2所示，為本發(fā)明光學(xué)濾波器，包括藍(lán)塑料基片I、設(shè)置在藍(lán)塑料基片I兩側(cè)的HfO2過(guò)渡層2以及與HfO2過(guò)渡層2緊接的隔紅外濾光膜3和隔紅外-紫外濾光膜4，隔紅外濾光膜3和隔紅外-紫外濾光膜4分別位于藍(lán)塑料基片I的兩側(cè)。藍(lán)塑料基片I采用厚度為0. 1mm、型號(hào)為FLXL100AA的日本JSR生產(chǎn)的產(chǎn)品。HfO2過(guò)渡層2表面能很高，以最大限度地提高藍(lán)塑料基片I與隔紅外濾光膜3和隔紅外-紫外濾光膜4之間的附著力，但是由于HfO2過(guò)渡層2的折射率只有2. 02，遠(yuǎn)比折射率為I. 45的SiO2低折射率膜層5高，而比折射率為2. 42的TiO2高折射率膜層6低，為了降低HfO2過(guò)渡層2對(duì)濾波器光學(xué)特性的影響，HfO2過(guò)渡層2優(yōu)選的厚度為10nm，在藍(lán)塑料基片I的兩個(gè)表面鍍制HfO2過(guò)渡層前和鍍制HfO2過(guò)渡層過(guò)程中都采用束壓為700V和束流為70mA的離子束進(jìn)行輔助轟擊。隔紅外濾光膜3由TiO2高折射率膜層6和SiO2低折射率膜層5交替構(gòu)成，隔紅外濾光膜3中的TiO2高折射率膜層6和SiO2低折射率膜層5總共為24層，靠近藍(lán)塑料基片I的第一層為TiO2高折射率膜層6，第二層為SiO2低折射率膜層5，依次交替，各層膜的幾何厚度依次如表I所示，表I中膜層序號(hào)為1，即為第一層，以此類推。隔紅外-紫外濾光膜4由SiO2低折射率膜層5和TiO2高折射率膜層6交替構(gòu)成。隔紅外-紫外濾光膜4中的SiO2低折射率膜層5和TiO2高折射率膜層6總共為19層，靠近藍(lán)塑料基片I的第一層為SiO2低折 射率膜層5，第二層為TiO2高折射率膜層6，依次交替，各層膜的幾何厚度依次如表2所示，表2中膜層序號(hào)為1，即為第一層，以此類推。表I
權(quán)利要求
1.一種光學(xué)濾波器，包括基片以及設(shè)置在所述基片兩側(cè)的光學(xué)膜，其特征在于，所述基片為藍(lán)塑料基片。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述藍(lán)塑料基片的厚度為.0.05mm 0. 2mm0
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述基片與光學(xué)膜之間設(shè)有HfO2過(guò)渡層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述HfO2過(guò)渡層的厚度為8nm .20nmo
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述HfO2過(guò)渡層在鍍制前和鍍制過(guò)程中都采用束壓為600V 800V和束流為60mA 80mA的離子束進(jìn)行輔助轟擊。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述光學(xué)膜為設(shè)置在基片一側(cè)的隔紅外濾光膜以及設(shè)置在基片另一側(cè)的隔紅外-紫外濾光膜，所述隔紅外濾光膜由TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層交替構(gòu)成，所述隔紅外-紫外濾光膜由SiO2低折射率膜層和TiO2高折射率膜層交替構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層的制備均采用離子輔助，離子輔助的條件束壓為600V 800V，束流為60mA .80mA。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述TiO2高折射率膜層的制備米用Ti3O5蒸發(fā)材料,且在I X 10_2Pa 3X 10_2Pa氧氣氛中以0. 2nm/s 0. 8nm/s的速率蒸發(fā)； 所述SiO2低折射率膜層的制備采用SiO2蒸發(fā)材料，且在I X 10_2Pa 3X 10_2Pa氧氣氛中以0. 8nm/s 3. 2nm/s的速率蒸發(fā)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述隔紅外濾光膜中的TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層總共為20 28層，所述隔紅外濾光膜中的TiO2高折射率膜層厚度為75nm 95nm，所述隔紅外濾光膜中的SiO2低折射率膜層厚度為140nm 155nm ； 所述隔紅外-紫外濾光膜中的SiO2低折射率膜層和TiO2高折射率膜層總共為17 21層，所述隔紅外-紫外濾光膜中的SiO2低折射率膜層厚度為90nm 191nm，所述隔紅外-紫外濾光膜中的TiO2高折射率膜層厚度為98nm 116nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學(xué)濾波器，其特征在于，所述隔紅外濾光膜中的TiO2高折射率膜層和SiO2低折射率膜層總共為24層，靠近基片的第一層為TiO2高折射率膜層，第二層為SiO2低折射率膜層，依次交替，厚度依次為94. 4nm，154nm，81. 6nm，145nm，78. 7nm，.142. 3nm, 77. 7nm, 141. 3nm,77. 3nm,140. 9nm,77. lnm,140. 6nm,77.lnm,140.7nm,77.4nm,.140. 8nm, 77. 7nm,141. 4nm,78. 7nm,143. lnm,81. 2nm,148. 2nm,83. 4nm,153. 6nm ； 所述隔紅外-紫外濾光膜中的SiO2低折射率膜層和TiO2高折射率膜層總共為19層，靠近基片的第一層為SiO2低折射率膜層，第二層為TiO2高折射率膜層，依次交替，厚度依次為 173. 3nm,105. 4nm,188. lnm,114. 5nm,190. 6nm,115. 5nm,190. 8nm,115. 5nm,189. 8nm,.113.9nm,186. Onm,106. 7nm,167. 6nm,98. 3nm,177. 9nm,109. 5nm,180. 8nm,108. 4nm,.90. lnm。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種光學(xué)濾波器，包括基片以及設(shè)置在所述基片兩側(cè)的光學(xué)膜，所述基片為藍(lán)塑料基片，采用藍(lán)塑料基片取代藍(lán)玻璃基片，能夠降低生產(chǎn)成本、減輕產(chǎn)品重量、減小產(chǎn)品體積以及提高產(chǎn)品的成品率。在優(yōu)選的技術(shù)方案中，為了提高基片與基片兩側(cè)的光學(xué)膜之間的附著性，所述基片與光學(xué)膜之間設(shè)有HfO2過(guò)渡層。為了改善藍(lán)塑料基片的變形，所述光學(xué)膜為設(shè)置在基片一側(cè)的隔紅外濾光膜以及設(shè)置在基片另一側(cè)的隔紅外-紫外濾光膜。本發(fā)明光學(xué)濾波器成本低、重量輕、體積小，可廣泛用于圖像芯片面積較小的卡片式相機(jī)、手機(jī)攝像頭和監(jiān)控監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等，特別是目前正在快速增長(zhǎng)的智能手機(jī)。
文檔編號(hào)B32B27/06GK102759768SQ201210269188
公開(kāi)日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2012年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月31日
發(fā)明者寇立選, 張?zhí)m, 潘帥, 艾曼靈, 金波, 顧培夫 申請(qǐng)人:杭州科汀光學(xué)技術(shù)有限公司