專利名稱：一種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于聞喊聞招娃酸鹽玻璃生廣技術領域，涉及制備溶融態(tài)聞喊聞招硅酸鹽玻璃的裝置。
背景技術：
傳統(tǒng)的玻璃池爐生產(chǎn)，池爐采用蓄熱室，通過廢氣的熱量來加熱空氣，燃料采用天然氣、重油或煤氣和空氣的 燃燒提供的熱量熔化玻璃基料來生產(chǎn)玻璃。傳統(tǒng)的電助熔只能給玻璃熔化提供少量的熱量，電加熱手段只能作為輔助的加熱手段。通過傳統(tǒng)的池爐熔解裝置和方法會有些問題熔化溫度低，不能滿足高堿高鋁硅酸鹽玻璃生產(chǎn)需要；熱效率低，熱量浪費大；無法解決堿揮發(fā)的問題；微氣泡難以排出，玻璃質量較低，無法滿足市場的需求。因此，傳統(tǒng)的方法無法滿足高堿高鋁硅酸鹽玻璃熔化溫度高、高溫粘度大的特點，無法用傳統(tǒng)的池爐熔解及澄清裝置來生產(chǎn)熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃。
發(fā)明內容本實用新型為了解決高堿高鋁硅酸鹽玻璃熔化溫度高、高溫粘度大、熔化時堿揮發(fā)性大、氣泡難以排除等難題，設計了一種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置，采用本實用新型的裝置有效地解決了上述技術難題，能更好地滿足對玻璃熔解要求嚴格的高堿高鋁硅酸鹽玻璃生產(chǎn)。本實用新型采用的技術方案是一種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置，結構中包括帶有加熱單元的熔解池、全氧加熱澄清池、及設置在溶解池與全氧加熱澄清池之間的熔融態(tài)玻璃通道，關鍵在于所述裝置的加熱單元結構中包括均勻分布在熔解池的池底和池壁上的氧化錫電極。所述的全氧加熱澄清池的一側壁上設置有全氧燒槍，另一側壁上設置有排煙通道。本實用新型的有益效果是1、改變傳統(tǒng)的電助熔為全電熔方式，加熱單元采用電加熱裝置，而電加熱裝置采用氧化錫電極在電熔池的側壁設置氧化錫電極，可以加大玻璃液的橫向對流，有利于玻璃液橫向溫度分布，形成較穩(wěn)定的溫度場；在熔解池的池底內壁設置氧化錫電極，可以加大玻璃液的縱向對流，加速粉料的熔化，使熔融物在高溫區(qū)停留時間延長，同時也可以使化學反應產(chǎn)生的氣體能更好地排出；2、在電熔池與全氧加熱澄清池之間增加流液通道結構，可以有效地防止電熔池未熔化好的配合玻璃基料跑到全氧加熱澄清池去；3、在流液通道內壁上設置鉬金層，大大減輕了玻璃液對流液通道的沖刷，延長了流液通道的壽命，同時也避免了玻璃液沖刷流液通道所產(chǎn)生的異質物質帶入全氧加熱澄清池；4、在全氧加熱澄清池采用全氧燒槍，煙氣從另一側排煙通道排除窯外，可以使熱量在全氧加熱澄清池里均勻分布，使澄清溫度在1600°C 1700°C范圍內可調，滿足玻璃澄清溫度高的需要；5、全氧加熱澄清池的池深在25(T350mm范圍內，進行淺層澄清，加速玻璃液中微氣泡的排除，提高了玻璃澄清效率，從而能獲得更好的玻璃質量。
圖I本實用新型中裝置的縱截面結構示意圖。圖2是圖I的A-A向剖面圖。附圖中，I是全氧加熱澄清池，2是熔解池，3是流液通道，4是氧化錫電極，5是全氧燒搶，6是鉬金層，7是排煙通道 。
具體實施方式
一種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置，結構中包括帶有加熱單元的熔解池2、全氧加熱澄清池I、及設置在溶解池2與全氧加熱澄清池I之間的熔融態(tài)玻璃通道3，重要的是所述裝置的加熱單元結構中包括均勻分布在熔解池2的池底和池壁上的氧化錫電極4。這樣，改變傳統(tǒng)的電助熔為全電熔方式，加熱單元采用電加熱裝置，而電加熱裝置采用氧化錫電極在電熔池的側壁設置氧化錫電極，可以加大玻璃液的橫向對流，有利于玻璃液橫向溫度分布，形成較穩(wěn)定的溫度場；在熔解池的池底內壁設置氧化錫電極，可以加大玻璃液的縱向對流，加速粉料的熔化，使熔融物在高溫區(qū)停留時間延長，同時也可以使化學反應產(chǎn)生的氣體能更好地排出。所述的全氧加熱澄清池I的一側壁上設置有全氧燒槍5，另一側壁上設置有排煙通道7。通過設置全氧燒槍5改變了傳統(tǒng)的空氣燃燒提供熱量的方式，可以使熱量在全氧加熱澄清池里均勻分布，使澄清溫度在1600°C 1700°C范圍內可調，滿足玻璃澄清溫度高的需要。所述的流液通道3的內壁上設置有鉬金層6。在流液通道3內壁上設置鉬金層6，大大減輕了玻璃液對流液通道3的沖刷，延長了流液通道3的壽命，同時也避免了玻璃液沖刷流液通道3所產(chǎn)生的異質物質帶入全氧加熱澄清池I。所述的氧化錫電極4借助在熔解池2的池底和池壁上設置的預留孔嵌入、并借助密封裝置固定。具體實施時，將高堿高鋁硅酸鹽玻璃基料從熔解池的送料口加入，借助熔解池2的池底和池壁上設置的氧化錫電極4實現(xiàn)對玻璃基料的內部加熱，控制熔解池2內溫度參數(shù)為1600°C 2000°C，玻璃基料通過熔解池熔解后的形成玻璃液，玻璃液通過流液通道3流入全氧加熱澄清池1，借助控制全氧燒槍5以控制全氧加熱澄清池I內的溫度為16000C 1700°C，池內玻璃液的深度為25(T350mm，進行淺層澄清，加速玻璃液中微氣泡的排除，提高了玻璃澄清效率，從而能獲得更好的熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃，另外煙氣從另一側排煙煙道7排出窯外。
權利要求1.一種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置，結構中包括帶有加熱單元的熔解池(2)、全氧加熱澄清池(I)、及設置在溶解池(2)與全氧加熱澄清池(I)之間的熔融態(tài)玻璃通道(3)，其特征在于所述裝置的加熱單元結構中包括均勻分布在熔解池(2)的池底和池壁上的氧化錫電極(4)。
2.根據(jù)權利要求I所述的ー種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置，其特征在于所述的全氧加熱澄清池(I)的一側壁上設置有全氧燒槍(5)，另ー側壁上設置有排煙通道(7)。
3.根據(jù)權利要求I所述的ー種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置，其特征在于所述的流液通道(3)的內壁上設置有鉬金層(6)。
4.根據(jù)權利要求I所述的ー種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置，其特征在于所述的氧化錫電極(4)借助在熔解池(2)的池底和池壁上設置的預留孔嵌入、并借助密封裝置固定。
專利摘要一種制備熔融態(tài)高堿高鋁硅酸鹽玻璃的裝置，結構中包括帶有加熱單元的熔解池、全氧加熱澄清池、及設置在溶解池與全氧加熱澄清池之間的熔融態(tài)玻璃通道，關鍵在于所述裝置的加熱單元結構中包括均勻分布在熔解池的池底和池壁上的氧化錫電極。本實用新型的有益效果是1、改變傳統(tǒng)的電助熔為全電熔方式，加熱單元采用電加熱裝置，而電加熱裝置采用氧化錫電極；2、在全氧加熱澄清池采用全氧燒槍，煙氣從另一側排煙通道排除窯外，可以使熱量在全氧加熱澄清池里均勻分布，使澄清溫度在1600℃~1700℃范圍內可調，滿足玻璃澄清溫度高的需要。
文檔編號C03B5/03GK202543026SQ20122013633
公開日2012年11月21日 申請日期2012年4月1日 優(yōu)先權日2012年4月1日
發(fā)明者侯建偉, 方精祥, 李兆廷 申請人:東旭集團有限公司