專利名稱：玻璃基板蝕刻方法、玻璃薄板及玻璃基板蝕刻裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過蝕刻玻璃基板來減少玻璃基板厚度的裝置，更詳細(xì)地講，涉及一種其特征是上述玻璃基板至少排列有ー個以上，在上述玻璃基板下部具備使上述玻璃基板傾斜于地面且可固定和拆卸上述玻璃基板的固定部件，且在上述玻璃基板上部具備將蝕刻劑向下噴射的噴射部件的玻璃基板蝕刻裝置和利用該裝置制成的玻璃薄板。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代社會在高度信息化，光電元件和相關(guān)零部件在顯著發(fā)展且廣泛應(yīng)用。其中，就顯示圖像的顯示裝置而言，在加速進行對于電視用或個人電腦用的監(jiān)視器設(shè)備用等的研究。由此，對于在顯示裝置上必備的基板上使用的玻璃薄板和對該玻璃薄板的制作方法的研究也在加速進行。制作輕和薄的顯示面板的現(xiàn)有技術(shù)通常包括機械拋光方法和化學(xué)濕式蝕刻方法。雖然在顯示設(shè)備的早期發(fā)展階段由于不需要極薄的薄面板而廣泛應(yīng)用機械拋光方法，但是最近開始需求超薄產(chǎn)品，從而開始使用生產(chǎn)率良好的化學(xué)濕式蝕刻方法。在上述濕式蝕刻方法中，在薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)的制作上最先使用的是浸涂法，盡管噴霧方法和射流方法比浸涂法更先進，但適用的是類似于上述浸涂法的原理，只是在宏觀上蝕刻劑的提供、反應(yīng)生成物的散播和移除原理不同而已。簡要描述ー下上述化學(xué)濕式蝕刻方法，上述濕式蝕刻方法利用的是蝕刻劑攪拌結(jié)束后的蝕刻劑主要組分即[H+]、[HF]、[HF2-]和玻璃基板的主要組分即O-Si-O (Si02)之間的化學(xué)反應(yīng)，上述化學(xué)反應(yīng)式如下Si02+4HF — SiF4+2H20使用包含HF的蝕刻劑來進行蝕刻玻璃基板的步驟可分為以下5個步驟，該5個步驟左右蝕刻的特性。該5個步驟是(I)將蝕刻劑擴散到臨近玻璃基板的擴散層；(2)蝕刻劑的成分被附著到玻璃基板的表面上；(3)蝕刻劑的成分和玻璃基板進行化學(xué)反應(yīng)；(4)化學(xué)反應(yīng)后所生成的反應(yīng)生成物脫離玻璃基板；(5)反應(yīng)生成物移除到臨近玻璃基板的擴散層之外。對利用上述化學(xué)原理的濕式蝕刻方法即浸涂法、噴霧方法和射流方法的技術(shù)觀察如下。上述浸涂法是在蝕刻槽中盛放蝕刻劑并使玻璃基板沉浸在上述蝕刻劑中后在蝕刻槽底部產(chǎn)生氣泡。因該氣泡而在玻璃基板的表面出現(xiàn)蝕刻劑的流動現(xiàn)象。此處，上述氣泡與蝕刻劑的擴散、反應(yīng)生成物的脫離以及向擴散層之外的移除相關(guān)。由于上述氣泡增加了蝕刻劑和反應(yīng)生成物的動能，因此有助于加速進行接觸、擴散、和脫離。換句話說，氣泡用來快速地為玻璃基板提供新的蝕刻劑，以及從玻璃基板表面移除生成物。就基于上述原理工作的上述浸涂法而言，由于蝕刻劑充滿了蝕刻槽，因而具有將多張玻璃基板插入盒中并一次性投入使得生產(chǎn)率較高的優(yōu)點。上述浸涂法的缺點是，由于反應(yīng)生成物依然殘留在蝕刻槽內(nèi)，因而導(dǎo)致這些反應(yīng)生成物粘在玻璃基板的表面等不良影響。基于如上所述的理由，存在不易通過增加蝕刻量來減少玻璃基板厚度且需要大量的蝕刻劑來蝕刻上述玻璃基板的缺點。為了彌補如上所述的浸涂法的缺陷而開發(fā)的就是噴霧方法。上述噴霧方法在質(zhì)量上比浸涂法先進。如圖I所示，上述噴霧方法從噴嘴11向玻璃基板13噴射蝕刻劑12?；谖g刻原理的蝕刻步驟和以上描述的浸涂法的步驟一祥。然而，上述噴霧方法使用ー個作為噴霧器的工具，將蝕刻劑垂直注射到玻璃基板上，使得蝕刻劑的動能非常大，且能更快速和均勻地提供新的蝕刻劑和移除生成物。另外，和上述浸涂法相比，噴霧方法能獲得更高的表面質(zhì)量并在同樣溫度下具有更高的蝕刻率。上述噴霧方法，由于容易移除反應(yīng)生成物且蝕刻劑不斷地在槽和蝕刻空間循環(huán)，因而可以使用ー個具有較大容量槽。另外，上述噴霧方法由于蝕刻劑通過處理反應(yīng)生成物而不斷使用，因而具有能夠以極好的狀態(tài)保持表面質(zhì)量且能夠減少蝕刻劑的使用量的優(yōu)點。然而，在根據(jù)上述噴霧方法的情況下只能一張ー張地處理玻璃基板，因而存在生產(chǎn)率顯著降低的問題。
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開發(fā)出射流方法來克服了以上提到的問題，但射流方法可以視為浸涂法和噴射方法的結(jié)合。上述射流法用蝕刻劑填滿蝕刻槽并將玻璃基板浸入蝕刻劑中后在ー側(cè)產(chǎn)生蝕刻劑的強大的流動以便起如浸涂法中的氣泡的作用。另外，將新的蝕刻劑不斷供給到蝕刻槽，溢出蝕刻槽的蝕刻劑重新回收而利用。上述射流法雖然能夠提高生產(chǎn)率，但是它有ー個初始成本很高的缺點。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)方案是為了解決如上所述的問題而提出的，本發(fā)明的目的是提供一種能夠?qū)⒉ＡП“迦菀字谱鞒筛颖〉谋“宓牟ＡЩ逦g刻裝置以及利用該裝置制作且質(zhì)量提高了的玻璃薄板，該裝置的特征是，上述玻璃基板至少排列有ー個以上，在上述玻璃基板下部具備使上述玻璃基板傾斜于地面且可固定和拆卸上述玻璃基板的固定部件，在上述玻璃基板上部具備將蝕刻劑向下噴射的噴射部件。為了達到如上所述的目的，根據(jù)本發(fā)明的玻璃基板蝕刻裝置，其特征是上述玻璃基板至少排列有ー個以上，在上述玻璃基板下部具備使上述玻璃基板傾斜于地面且可固定和拆卸上述玻璃基板的固定部件，在上述玻璃基板上部具備將蝕刻劑向下噴射的噴射部件。理想的是，以上述噴射部件形成為包括至少ー個以上的噴嘴和噴嘴頭，從上述噴嘴以霧狀噴射蝕刻劑為特征。理想的是，以上述玻璃基板與噴嘴末端之間的間距由噴嘴的配置間距和噴嘴的蝕刻劑噴射角度決定為特征。理想的是，以所述的玻璃基板和噴嘴的垂直貫通的垂直面所成的傾斜度為O度至45度為特征。理想的是，以排列在所述的固定部件上的多個玻璃基板之間的間距為5_300mm為特征。
理想的是，以還包含與上述噴射部件連接的蝕刻劑存儲槽，在上述固定部件的下端具備收集從噴嘴噴射的蝕刻劑和玻璃基板的反應(yīng)物的反應(yīng)物儲存槽，未反應(yīng)的蝕刻劑從上述反應(yīng)物儲存槽流入上述蝕刻劑存儲槽而循環(huán)為特征。理想的是，以所述的反應(yīng)物儲存槽包括用于分離上述反應(yīng)物和上述未反應(yīng)蝕刻劑的過濾部件為特征。理想的是，以所述的蝕刻劑為HF，玻璃基板的蝕刻率根據(jù)上述蝕刻劑中的H+、HF和HF2-的濃度而變化為特征。理想的是，以所述的固定部件形成有用來固定上述玻璃基板且使反應(yīng)物容易流向反應(yīng)物儲存槽的玻璃基板接觸部件為特征。另外，為了達到如上所述的目的，根據(jù)本發(fā)明的玻璃基板，其特征在干，該玻璃薄板是厚度為O. 3-lmm、面積為1000X 1200mm2到1100X 1300mm2的薄膜晶體管液晶顯示器的 玻璃薄板。如上所述，根據(jù)通過上述本發(fā)明的玻璃基板蝕刻裝置，能夠?qū)⒉ＡП“甯尤菀椎刂谱鞒杀〉谋“逡蚨商岣呱a(chǎn)率，上述玻璃基板蝕刻裝置使蝕刻劑沿著玻璃基板流動，從而提高玻璃基板表面質(zhì)量，由于具有可蝕刻厚度低于O. 3_、面積大于1000X 1200mm2的超薄板等優(yōu)點，因此，具有提高經(jīng)濟效益的效果。


圖I是表示描述了通過現(xiàn)有技術(shù)來蝕刻玻璃基板的制程的圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的玻璃基板蝕刻裝置的立體圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的玻璃蝕刻制程的圖；圖4是表示本發(fā)明的噴嘴的垂直貫通的垂直面和基板的幾何配置結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖及主視圖；圖5是對現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明的玻璃蝕刻方法進行了對比的對比圖；圖6是表示提供到玻璃基板表面的蝕刻劑的量與蝕刻率以及與表面質(zhì)量之間關(guān)系的曲線圖；圖7是表示提供到基板表面的蝕刻劑的量與基板上下的厚度差異的曲線圖；圖8是表示根據(jù)玻璃基板的間距所產(chǎn)生的蝕刻厚度差異分布實施例的圖；圖9是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的玻璃基板與噴嘴的幾何關(guān)系的圖；以及圖10是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的玻璃基板與固定部件之間的幾何關(guān)系的圖。
具體實施例方式下面根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例。在附圖中，圖I是表示描述了通過現(xiàn)有技術(shù)來蝕刻玻璃基板的制程的圖，圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的玻璃基板蝕刻裝置的立體圖，圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的蝕刻玻璃基板制程的圖。另外，圖4是表示本發(fā)明的噴嘴和玻璃基板的幾何配置結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖及主視圖，圖5是對現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明的玻璃蝕刻方法進行了對比的對比圖，圖6是表示提供到玻璃基板表面的蝕刻劑的量與蝕刻率以及與表面質(zhì)量之間關(guān)系的曲線圖。
另外，圖7是表示提供到基板表面的蝕刻劑的量與玻璃基板上下的厚度差異的曲線圖，圖8是表示根據(jù)玻璃基板的間距所產(chǎn)生的蝕刻厚度差異分布實施例的圖，圖9是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的玻璃基板與垂直貫通噴嘴的垂直面之間的幾何關(guān)系的圖。另外，圖10是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的玻璃基板與固定部件之間的幾何關(guān)系的圖。參照圖2和圖3，本發(fā)明涉及通過蝕刻上述玻璃基板300的表面使得玻璃基板300的厚度變薄的玻璃基板蝕刻裝置100。上述蝕刻裝置100包括玻璃基板300 ;向下噴射蝕刻劑的噴射部件101 ;以及固定上述玻璃基 板300的固定部件200。上述玻璃基板300至少要排列ー個以上。使若干個上述玻璃基板300裝入到上述蝕刻裝置中從而可以一次性制作若干個薄的玻璃基板。而且，上述玻璃基板300需要包含硅(Si)或者ニ氧化硅(SiO2),以便可以被蝕刻劑即HF蝕刻。但不限于此，根據(jù)上述蝕刻劑104，可另行排列上述玻璃基板300。另外，在上述玻璃基板300的下部形成有固定部件200，該固定部件能夠固定玻璃基板300，并且使玻璃基板300傾斜于地面。此時，基板無需與蝕刻劑供應(yīng)裝置準(zhǔn)確地成90度。上述固定部件200由高分子樹脂或者有機材料等制成，且應(yīng)當(dāng)在固定玻璃基板300的同時，使與玻璃基板300的接觸面積最小。這是由于蝕刻劑需要被噴射到上述玻璃基板300上且和玻璃基板無遺地反應(yīng)。然而，只要能夠固定上述玻璃基板300，上述固定部件200就并不局限于上述高分子樹脂等。另外，上述固定部件200可設(shè)置彼此隔開的凹槽來固定若干個上述玻璃基板300，上述固定部件200的寬度可以設(shè)置成與上述玻璃基板300的寬度相同以便卡入固定，且使玻璃基板300以最小的面積固定在固定部件200上。而且，上述固定部件200采用如下方式。由于若干個的玻璃基板300可以插入固定在固定部件200上，因而可以使固定部件200成為插入有玻璃基板300的一體而放入蝕刻區(qū)域內(nèi)對上述玻璃基板300進行蝕刻，然后再取出上述一體。如上所述，由于固定部件200可以很方便地放入到蝕刻區(qū)域和從蝕刻區(qū)域取出，因此，可以同時蝕刻若干個玻璃基板300。如上所述，由于根據(jù)情況可以蝕刻處理ー個玻璃基板300或者多個玻璃基板300，因而本發(fā)明是有效的。另外，由于本發(fā)明適用了噴霧法從而能夠蝕刻比浸涂法更多的玻璃基板300，因此生產(chǎn)率和經(jīng)濟效益都非常高。除此之外，由于玻璃基板300基本上不受外力影響，因此，上述固定部件200可根據(jù)情況靈活實現(xiàn)。參照圖10，上述固定部件200具備夾子202，以此來能夠固定玻璃基板300。這是由于若上述固定部件200與玻璃基板300持續(xù)接觸，則反應(yīng)生成物聚積在上述固定部件200上從而出現(xiàn)斑點等表面質(zhì)量不良之故。在本發(fā)明中由于可以根據(jù)基板的種類或エ序具備固定部件200，因而具有設(shè)計自由度很大的優(yōu)點。這是因為蝕刻劑104是從玻璃基板300的上部沿著基板表面噴射到玻璃基板上從而可以使外力的影響最小之故。設(shè)有從上述玻璃基板300的上部噴射蝕刻劑104的噴射部件101。由于設(shè)置在上述玻璃基板300上部而將蝕刻劑104從上向下供應(yīng)，因而玻璃基板300所受的外力幾乎不產(chǎn)生。這是因為，由于玻璃基板300所受外力很小，使得對支撐結(jié)構(gòu)的設(shè)計非常容易之故。因如上所述的理由，非常有利于使玻璃基板300薄到O. Imm以下，且使蝕刻面積達到第四代以上的1000X 1250mm2以上。
上述噴射部件101包括至少ー個以上的噴嘴103和噴嘴頭102，從上述噴嘴103以噴霧方式噴射蝕刻劑。上述噴嘴頭102形成ー個以上，在每ー個噴嘴頭102上包括ー個以上的噴嘴103。參照圖5，由于使用少量的蝕刻劑就可以蝕刻較大的面積且蝕刻厚度可以適當(dāng)調(diào)整，所以采用噴霧方法。由于噴射部件101形成在上述玻璃基板300上部，因而使蝕刻劑104被噴射時施加在玻璃基板300上的壓カ最小化。另外，蝕刻劑104在與玻璃基板300的上部、中部或下部接觸后，因表面張カ而一邊沿著玻璃基板300自然流下一邊蝕刻玻璃基板300表面。對比而言，現(xiàn)有的噴霧方法由于蝕刻劑12直接噴射到玻璃基板13上，因而噴射時玻璃基板13所受的壓力較大。參照圖4，上述玻璃基板300與噴嘴103的末端的間距由噴嘴103的配置間距和噴嘴103的蝕刻劑104的噴射角度決定。上述玻璃基板300與噴嘴103的末端的間距如上決定，從而防止出現(xiàn)蝕刻劑104夠不到的部分。本發(fā)明的上述玻璃基板300與噴嘴103的末端的間距即h由以下的公式I決定
[公式I]h~~~~Ρ~θ …'公式 I
2 tan— 2tan —
2 2其中，參數(shù)Np為噴嘴之間間距，Hp為噴嘴頭之間間距，且Θ為噴嘴噴射角度。噴嘴103與玻璃基板300之間的間距應(yīng)當(dāng)具有同時滿足上述兩個式子的幾何特性。若將上述玻璃基板300的最外輪廓邊緣點和最靠外面的噴嘴103之間的間距設(shè)為d，則應(yīng)當(dāng)滿足以下的公式2才能防止出現(xiàn)蝕刻劑104夠不到的部分。[公式2] h…·公式 2 2另外，若將另ー側(cè)的玻璃基板300的最外輪廓邊緣點和最靠外面的噴嘴103之間的間距設(shè)為d’，則d’可以以下面的公式3表示，須滿足下面的式子。[公式3]…’公式 3
2上述玻璃基板300與噴嘴的垂直貫通的垂直面之間所成的傾斜度為O到45度之間。參照圖9，最好上述玻璃基板300與垂直貫通上述噴嘴103的垂直面之間所成的角度為O度。當(dāng)玻璃基板300與噴嘴103的垂直貫通的垂直面之間的角度傾斜成30度時，幾乎不產(chǎn)生上下厚度差異。然而，如果上述傾斜度傾斜到47度吋，由于反應(yīng)生成物不能被順利地移除，因而發(fā)生玻璃基板300的下部的厚度變厚的情況。因此，最好在上面所述的傾斜度范圍內(nèi)形成上述傾斜度。排列在上述固定部件200上的多個玻璃基板300之間的間距最好是5mm-300mm。之所以如此規(guī)定上述玻璃基板300之間的間距是為了通過同時蝕刻大量的玻璃基板300來提高生產(chǎn)率。在實踐中，在相同的空間內(nèi)以8mm間距排列玻璃基板比以40mm間距排列玻璃基板吋，生產(chǎn)率高相差5倍，因而玻璃基板之間的間距是左右生產(chǎn)率的重要因素。減少上述玻璃基板300的排列間距會提高生產(chǎn)率，但為了減少噴嘴配置間距，還需要減少設(shè)有噴嘴的噴嘴頭102之間的間距。減少上述噴嘴頭102之間的間距還需要減少管道直徑，此時，向噴嘴103供應(yīng)足夠量的蝕刻劑困難，需要使用非標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的零部件，因而發(fā)生制造成本增加的問題。另外，還發(fā)生難以維護上述噴嘴103的缺點。因此，上述玻璃基板300之間的間距最好確定在以上所述的距離范圍內(nèi)。另外，由于一次放入的基板的數(shù)量代表蝕刻エ序整個蝕刻量，因而需要考慮蝕刻裝置的規(guī)格尤其槽的容量、能夠均勻保持從噴嘴噴射的噴射壓力的管道以及泵的容量等。在上述噴射部件101裝備有蝕刻劑存儲槽，設(shè)置成該蝕刻劑存儲槽與上述反應(yīng)物儲存槽相連。在上述蝕刻劑存儲槽中盛有HF，該HF離子的濃度和量根據(jù)本發(fā)明的エ序來調(diào)整。在上述固定部件200的下端具備收集從噴嘴103噴射的蝕刻劑104和玻璃基板300的反應(yīng)物的反應(yīng)物儲存槽，未反應(yīng)的蝕刻劑從上述反應(yīng)物儲存槽流入蝕刻劑存儲槽而 循環(huán)。上述蝕刻劑104與玻璃基板300進行反應(yīng)而生成的反應(yīng)物快速流入反應(yīng)物儲存槽。上述反應(yīng)物儲存槽和蝕刻劑存儲槽相連或者共享ー個空間來使未反應(yīng)的蝕刻劑循環(huán)。使上述反應(yīng)物中的未反應(yīng)蝕刻劑再次流入蝕刻劑存儲槽從而可快速供應(yīng)新的蝕刻劑和移除生成物，從而提高表面質(zhì)量特性。上述反應(yīng)物儲存槽可包含過濾部件以分離上述反應(yīng)物和上述未反應(yīng)蝕刻劑104。上述蝕刻劑104是HF，玻璃基板的蝕刻率由上述蝕刻劑104中的H+、HF和HF2的濃度決定。即、蝕刻率根據(jù)上述H+、HF和HF2的濃度而變化，蝕刻率與供應(yīng)到上述玻璃基板300的表面上的蝕刻劑的量不成比例。參照圖6，只要供應(yīng)一定量的蝕刻劑104即可確保蝕刻率和表面質(zhì)量。由于上述蝕刻劑104的量與蝕刻率和表面質(zhì)量不具有比例關(guān)系，因而就蝕刻劑104而言，只要供應(yīng)必要以上的液體量即可。另外，參照圖6和圖7，若基板下部包含有必要量以上的蝕刻劑成分，則即使蝕刻劑104從上述玻璃基板300的上方供給，在玻璃基板300的上部302和下部303之間也不會存在厚度差異和質(zhì)量差異。也就是說，若必要以上的蝕刻劑一直接觸玻璃基板300的表面，則不僅能確保蝕刻率還能確保良好的表面質(zhì)量。參照圖10，本發(fā)明的上述固定部件200形成有用于固定上述玻璃基板300且使反應(yīng)物容易流向反應(yīng)物儲存槽的玻璃基板接觸部件201。玻璃基板接觸部件201是圓形構(gòu)件，由耐HF材料、PVC、聚醚醚酮(Peek)、聚四氟こ烯等構(gòu)成。該玻璃基板接觸部件201并不局限于以上提到的材質(zhì)和形狀，只要能夠更好地固定玻璃基板300且利于蝕刻劑104和反應(yīng)物流出，則不限定于此。另外，上述玻璃基板接觸部件201通過與玻璃基板300點接觸來使反應(yīng)生成物最大限度地向下暢流，且側(cè)面具有比基板的厚度大的間距。由上面所述的玻璃基板蝕刻裝置制造的玻璃基板通常的厚度范圍在O. 3-lmm之間，也能制造到比O. Imm還薄的厚度。而且，上述玻璃蝕刻裝置能夠以上述厚度制造面積范圍為1000X 1200mm2到1100X 1300mm2之間的薄膜型晶體管(TFT-LCD)玻璃薄板。下面是本發(fā)明的ー個較佳實施例，以此觀察玻璃基板300的上部和下部的厚度隨玻璃基板300排列間距的差異。另外，通過另ー實施例觀察玻璃基板300的上部和下部的厚度隨上述噴嘴103之間的間距和玻璃基板300之間的間距的差異。實施例I
為了驗證當(dāng)蝕刻劑達到一定量以上時玻璃基板上幾乎不產(chǎn)生上下厚度差異，上部噴嘴以橫豎50mm的間距排列，使玻璃間距變?yōu)闊o窮大、90mm和30mm,并改變了供給到基板表面上的蝕刻劑的量。此時所使用的噴嘴的噴出量是O. 1-2升/分鐘，蝕刻基板的面積為370 X 470mm2,且厚度為 O. 63mm。表I
權(quán)利要求
1.ー種玻璃基板蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟 a)步驟，以多個玻璃基板相對于地面傾斜45度 90度范圍內(nèi)的方式排列所述玻璃基板；以及 b)步驟，從位于比所述玻璃基板高的位置的多個地方以預(yù)定的噴霧(spray)角度對所述玻璃基板的基板表面向下噴霧(spray)蝕刻劑而蝕刻所述玻璃基板。
2.ー種玻璃基板蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟 a)步驟，將多個玻璃基板以相對于固定裝置的底面傾斜45度 90度范圍內(nèi)的方式固定在所述固定裝置上；以及 b)步驟，從配置于比所述玻璃基板高的位置的包括多個噴嘴的噴霧(spray)裝置以預(yù)定的噴霧(spray)角度對所述玻璃基板的基板表面向下噴霧(spray)蝕刻劑而蝕刻所述玻璃基板。
3.如權(quán)利要求2所述的玻璃基板蝕刻方法，其特征在于， 所述噴嘴的末端與所述玻璃基板的上端之間的間隔根據(jù)所述噴嘴之間的間距和所述噴嘴的蝕刻劑噴霧(spray)角度來調(diào)整，以使所述玻璃基板的所有部分都暴露在所述蝕刻劑的噴射范圍之內(nèi)。
4.如權(quán)利要求2所述的玻璃基板蝕刻方法，其特征在于， 所述噴霧(spray)裝置具備多個噴嘴頭，所述多個噴嘴頭分別包括多個噴嘴， 所述噴嘴的末端與所述玻璃基板的上端之間的間隔根據(jù)所述噴嘴頭之間的間距和所述噴嘴的蝕刻劑噴霧(spray)角度來調(diào)整，以使所述玻璃基板的所有部分都暴露在所述蝕刻劑的噴射范圍之內(nèi)。
5.如權(quán)利要求2 4中任一項所述的玻璃基板蝕刻方法,其特征在于， 所述多個玻璃基板相對于所述固定裝置的底面傾斜60度 90度范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求2 4中任一項所述的玻璃基板蝕刻方法,其特征在于， 還包括以下步驟 在所述a)步驟之后且所述b)步驟之前，將所述固定裝置放入到所述噴霧(spray)裝置的下方的步驟；以及 在所述b)步驟之后，將所述固定裝置從所述噴霧(spray)裝置的下方的位置移開的步驟。
7.如權(quán)利要求5所述的玻璃基板蝕刻方法，其特征在于， 所述固定裝置包括用干支撐所述玻璃基板的夾子(202)和用于點接觸的部件(201)。
8.ー種玻璃薄板，使用權(quán)利要求5所述的玻璃基板蝕刻方法制造。
9.ー種玻璃基板蝕刻裝置，通過蝕刻玻璃基板而使所述玻璃基板的厚度減少，其特征在于，包括 固定裝置，該固定裝置能夠以多個玻璃基板相對于所述蝕刻裝置的底面傾斜45度 .90度的方式可分離地支撐所述玻璃基板；以及 噴霧(spray)裝置，該噴霧(spray)裝置設(shè)置在比所述玻璃基板高的上部，并用于以預(yù)定的噴霧(spray)角度對所述玻璃基板的表面向下噴霧(spray)蝕刻劑，并且包括多個噴嘴和多個噴嘴頭， 所述噴嘴的末端與所述玻璃基板之間的間距(h)與所述噴嘴之間的間距(NP)和所述噴嘴的所述蝕刻劑噴霧(spray)角度(Θ )滿足以下公式，以使所述玻璃基板的所有部分都暴露在所述蝕刻劑的噴射范圍之內(nèi)，
10.ー種玻璃基板蝕刻裝置，通過蝕刻玻璃基板而使所述玻璃基板的厚度減少，其特征在于，包括 固定裝置，該固定裝置能夠以多個玻璃基板相對于所述蝕刻裝置的底面傾斜45度 ·90度的方式可分離地支撐所述玻璃基板；以及 噴霧(spray)裝置，該噴霧(spray)裝置設(shè)置在比所述玻璃基板高的上部，并用于以預(yù)定的噴霧(spray)角度對所述玻璃基板的表面向下噴霧(spray)蝕刻劑， 所述噴嘴的末端與所述玻璃基板之間的間距(h)與所述噴嘴頭之間的間距(Hp)和所述噴嘴的所述蝕刻劑噴霧(spray)角度(Θ )滿足以下公式，以使所述玻璃基板的所有部分都暴露在所述蝕刻劑的噴射范圍之內(nèi)， ね為
全文摘要
本發(fā)明涉及一種通過蝕刻玻璃基板來減少玻璃基板的厚度的玻璃基板蝕刻裝置，更詳細(xì)地講，涉及一種其特征是上述玻璃基板至少排列有一個以上，在上述玻璃基板下部具備使上述玻璃基板傾斜于地面且可固定和拆卸上述玻璃基板的固定部件，且在上述玻璃基板上部具備將蝕刻劑向下噴射的噴射部件的玻璃基板蝕刻裝置和利用該裝置制成的玻璃薄板。上述噴射部件的特征是形成為包括至少一個以上的噴嘴和噴嘴頭，從上述噴嘴以霧狀噴射蝕刻劑，且上述玻璃基板蝕刻裝置的特征是上述玻璃基板與噴嘴末端之間的間距由噴嘴的配置間距和噴嘴的蝕刻劑噴射角度決定。
文檔編號C03C15/00GK102674700SQ20121008274
公開日2012年9月19日 申請日期2009年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月9日
發(fā)明者樸亨根, 高星宇 申請人:伊可尼股份有限公司, 樸亨根, 高星宇