專利名稱：晶片的加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在將保護膜覆蓋于晶片的表面并對晶片的背面進行磨削后，將保護膜剝離并將晶片分割成芯片的晶片的加工方法。
背景技術(shù)：
關(guān)于在表面形成有 IC(Integrated Circuit :集成電路)、LSI (large scale integration 大規(guī)模集成電路)等器件的晶片，在通過磨削裝置磨削背面而形成為預(yù)定厚度后，通過切割裝置等分割成一個個器件，并應(yīng)用于各種電子設(shè)備等。在對晶片的背面進行磨削時，為了保護器件，在晶片的表面粘貼保護帶等保護部件。然后，在磨削裝置中，在將保護帶側(cè)保持于卡盤工作臺的狀態(tài)下對晶片的背面進行磨削，使晶片形成為例如100 μ m的厚度。在這樣對晶片的背面進行了磨削后，將晶片的背面粘貼于切割帶，并且在晶片的外周側(cè)將環(huán)狀的框架粘貼于切割帶。然后，在將保護帶從晶片的表面剝離后，將晶片在經(jīng)由切割帶支承于框架的狀態(tài)下分割成一個個器件(例如參照專利文獻1)。專利文獻1 日本特開2005-86074號公報但是，在將保護帶從背面粘貼于切割帶的晶片的表面剝離時，由于晶片通過磨削而變得很薄，因此存在晶片有可能在剝離時損傷的問題。即便使用紫外線硬化型的保護帶作為保護帶以使剝離容易，也無法完全避免晶片破損的危險。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術(shù)課題在于在對晶片的背面進行磨削后，不使晶片損傷就能夠?qū)⒕指畛梢粋€個芯片。第一發(fā)明涉及一種將在表面形成有多個器件的晶片分割成一個個器件的晶片的加工方法，其包括以下各工序。(1)保護膜覆蓋工序，在該保護膜覆蓋工序中，將通過紫外線的照射而硬化、且通過溫水而溶脹從而粘接力降低的液態(tài)樹脂涂布于晶片的表面，并對液態(tài)樹脂照射紫外線以使液態(tài)樹脂硬化，從而在晶片的表面覆蓋保護膜。(2)晶片磨削工序，在該晶片磨削工序中，將晶片的保護膜側(cè)保持于磨削裝置的卡盤工作臺，并對晶片的背面進行磨削，從而使晶片形成為預(yù)期的厚度。(3)切割帶改貼工序，在該切割帶改貼工序中，將晶片的背面粘貼于切割帶，并且將具有能夠收納晶片的開口部的環(huán)狀的框架粘貼于切割帶，從而利用框架經(jīng)由切割帶支承晶片，并且向保護膜供給溫水以使保護膜溶脹，并將保護膜從晶片的表面剝離。(4)分割工序，在該分割工序中，將由框架支承的晶片分割成一個個器件。第二發(fā)明涉及一種將在表面形成有多個器件的晶片分割成一個個器件的晶片的加工方法，其包括以下各工序。(1)保護膜覆蓋工序，在該保護膜覆蓋工序中，將通過紫外線的照射而硬化、且通過溫水而溶脹從而粘接力降低的液態(tài)樹脂涂布于晶片的表面，并對液態(tài)樹脂照射紫外線以使液態(tài)樹脂硬化，從而在晶片的表面覆蓋保護膜。(2)晶片磨削工序，在該晶片磨削工序中，將晶片的保護膜側(cè)保持于磨削裝置的卡盤工作臺，并對晶片的背面進行磨削，從而使晶片形成為預(yù)期的厚度。(3)切割帶改貼工序，在該切割帶改貼工序中，將晶片的背面粘貼于切割帶，并且將具有能夠收納晶片的開口部的環(huán)狀的框架粘貼于切割帶，從而利用框架經(jīng)由切割帶支承
曰tl· 曰曰/Τ。(4)分割工序，在該分割工序中，將由框架支承且表面被保護膜覆蓋的晶片分割成一個個器件。(5)保護膜剝離工序，在該保護膜剝離工序中，向保護膜供給溫水以使保護膜溶脹，并將保護膜從晶片的表面剝離。在第一發(fā)明中，將通過紫外線的照射而硬化、且通過溫水而溶脹從而粘接力降低的液態(tài)樹脂涂布于晶片的表面，并使該液態(tài)樹脂硬化而形成保護膜，然后保持保護膜側(cè)并對晶片的背面進行磨削，將晶片的背面粘貼于切割帶，并且向保護膜供給溫水以除去保護膜，因此，不會在剝離保護膜時使晶片損傷。在第二發(fā)明中，將通過紫外線的照射而硬化、且通過溫水而溶脹從而粘接力降低的液態(tài)樹脂涂布于晶片的表面，并使該液態(tài)樹脂硬化而形成保護膜，然后保持保護膜側(cè)并對晶片的背面進行磨削，將晶片的背面粘貼于切割帶，并在晶片的表面被保護膜保護的狀態(tài)下分割晶片，然后向保護膜供給溫水以除去保護膜，因此，不但具有不會在剝離保護膜時使晶片損傷的效果，而且還具有以下效果在分割工序中在晶片的表面覆蓋有保護膜，由此能夠防止飛濺的切屑附著于器件的表面，對于附著于保護膜的切屑，能夠通過在保護膜剝離工序中供給溫水來除去，不會使器件被切屑污染。


圖1是表示晶片和保持工作臺的立體圖。圖2是表示在晶片的表面滴下液態(tài)樹脂的狀態(tài)的立體圖。圖3是表示對液態(tài)樹脂照射紫外線來形成保護膜的狀態(tài)的立體圖。圖4是表示對晶片的背面進行磨削的狀態(tài)的立體圖。圖5是對保護膜供給溫水的狀態(tài)的立體圖。圖6是表示對晶片進行分割的狀態(tài)的立體圖。標號說明W :晶片；Wl 表面；S 分割預(yù)定線；D 器件；W2 背面；T 切割帶；F 框架；Fl 開口部；1 保持工作臺；2 液態(tài)樹脂；2a 保護膜；3 卡盤工作臺；4 磨削磨具；5 放水部； 5a:溫水；6 切削刀具。
具體實施例方式1.第一發(fā)明以下，對保護膜覆蓋工序、晶片磨削工序、切割帶改貼工序以及分割工序進行說明，其中，在保護膜覆蓋工序中，在圖1所示的晶片W的表面Wl覆蓋保護膜；在晶片磨削工
4序中，對晶片W的背面W2進行磨削，使晶片形成為預(yù)期的厚度；在切割帶改貼工序中，將磨削后的晶片W的背面W2粘貼于切割帶并利用框架進行支承，并且將保護膜從晶片的表面Wl 剝離；在分割工序中，對由框架支承的晶片進行分割。(1)保護膜覆蓋工序在晶片W的表面W1，由沿縱向和橫向形成的分割預(yù)定線S劃分開來而形成有多個器件D。關(guān)于這樣構(gòu)成的晶片W，如圖1所示，將其背面W2保持于旋轉(zhuǎn)涂布機的保持工作臺 1。然后，如圖2所示，使保持工作臺1旋轉(zhuǎn)，同時將液態(tài)樹脂2滴落至表面W1，以使液態(tài)樹脂2蔓延至整個表面Wl的方式進行涂布。此時，保持工作臺1的旋轉(zhuǎn)速度例如為1000RPM左右。滴落的液態(tài)樹脂2是通過紫外線的照射而硬化、并且通過溫水而溶脹從而粘接力降低的類型，例如可以使用株式會社7卩一# > K (公司名)提供的產(chǎn)品 “30Y-632D-3”。如圖3所示，將液態(tài)樹脂覆蓋于晶片W的整個表面Wl。然后，對液態(tài)樹脂2照射紫外線。于是，液態(tài)樹脂2硬化而成為保護膜加。該保護膜加在后面的晶片磨削工序中起到可靠地對形成于表面Wl的器件D進行保護的作用。圖3中的保護膜加是透明膜。另外， 保護膜加的覆蓋方法并不限定于旋轉(zhuǎn)涂布。(2)晶片磨削工序關(guān)于表面Wl被硬化后的保護膜加所覆蓋的晶片W，如圖4所示，將樹脂2側(cè)保持于磨削裝置的卡盤工作臺3，使背面W2處于露出狀態(tài)。然后，使卡盤工作臺3以例如300RPM 左右的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并且使磨削磨具4 一邊以例如6000RPM的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)一邊下降，由此，旋轉(zhuǎn)的磨削磨具4與晶片W的背面W2接觸從而磨削背面W2。然后，當通過磨削而使晶片W形成為預(yù)期厚度時，結(jié)束磨削。(3)切割帶改貼工序在晶片磨削工序結(jié)束后，如圖5所示，將晶片W的背面W2粘貼于切割帶T。在切割帶T粘貼有環(huán)狀的框架F，該框架F具有能夠收納晶片W的開口部F1，位于該開口部內(nèi)的晶片W處于經(jīng)由切割帶T被框架F支承的狀態(tài)。在這樣將晶片W的背面W2粘貼于切割帶T并利用框架F進行支承后，如圖5所示， 從放水部5向覆蓋于表面Wl的保護膜加噴出溫水fe (例如90°C )，或者將保護膜加浸入溫水中，由此使保護膜加溶脹。然后，當在該狀態(tài)下剝離保護膜加時，能夠可靠且容易地將保護膜加從晶片W的表面Wl除去而不會使晶片W破損。(4)分割工序接下來，例如如圖6所示，使支承于框架F的晶片W沿水平方向(圖6中的箭頭A 方向)移動，同時使高速旋轉(zhuǎn)的切削刀具6切入分割預(yù)定線S，對各分割預(yù)定線S進行切削， 形成貫穿晶片W的表面和背面的切削槽G。在對一個方向的所有分割預(yù)定線進行的切削完成后，使晶片W旋轉(zhuǎn)90度，然后對與完成切削的分割預(yù)定線正交的分割預(yù)定線也同樣地進行切削。于是，晶片W被分割成一個個器件D。如上所述，在對晶片W的背面W2進行磨削前，將液態(tài)樹脂2覆蓋于表面Wl，該液態(tài)樹脂2通過照射紫外線而硬化、并且通過溫水而溶脹從而粘接力降低，在使液態(tài)樹脂2硬化而形成保護膜加后，進行背面W2的磨削，然后使保護膜加溶脹以將其從背面W2剝離，并將晶片W分割成一個個器件，因此不會在剝離保護膜時使晶片損傷。2.第二發(fā)明在上述第一發(fā)明中，在切割帶改貼工序中，使保護膜加溶脹以將其剝離，在分割工序中，在保護膜加未覆蓋于晶片W的表面Wl的狀態(tài)下進行分割，但保護膜加的剝離也可以在分割工序結(jié)束后進行。即，保護膜覆蓋工序和磨削工序與第一發(fā)明同樣地進行，然后，在未進行保護膜加的溶脹和剝離的狀態(tài)下將晶片W的背面W2粘貼于切割帶T，使晶片 W處于被框架F支承的狀態(tài)(切割帶粘貼工序)。接著，在表面Wl被保護膜加覆蓋的狀態(tài)下使切削刀具6切入所有的分割預(yù)定線S，對保護帶加和晶片W沿分割預(yù)定線S進行分割 (分割工序)。最后，向整體維持了晶片W的形狀的所有的器件D噴出溫水(例如90°C )， 或者將保護膜加浸入溫水中，由此使保護膜加溶脹并將其剝離(保護膜剝離工序)。在分割工序中，雖然向切削刀具6與晶片W的接觸部分供給切削液，但切削液的溫度通常大約為22°C 23°C，因此不會通過切削液而使保護膜加溶脹。并且，在分割工序中在晶片W的表面Wl覆蓋有保護膜2a，由此能夠防止飛濺的切屑附著于器件D。雖然在保護膜加上有可能附著切屑，但通過在保護膜剝離工序中噴出溫水等，能夠?qū)⒏街诒Ｗo膜加的切屑也除去，因此能夠防止切屑附著于器件D而污染該器件D。
權(quán)利要求
1.一種晶片的加工方法，其將在表面形成有多個器件的晶片分割成一個個器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包括以下工序保護膜覆蓋工序，在該保護膜覆蓋工序中，將通過紫外線的照射而硬化、且通過溫水而溶脹從而粘接力降低的液態(tài)樹脂涂布于晶片的表面，并對所述液態(tài)樹脂照射紫外線以使該液態(tài)樹脂硬化，從而在所述晶片的表面覆蓋保護膜；晶片磨削工序，在該晶片磨削工序中，將所述晶片的所述保護膜側(cè)保持于磨削裝置的卡盤工作臺，并對所述晶片的背面進行磨削，從而使所述晶片形成為預(yù)期的厚度；切割帶改貼工序，在該切割帶改貼工序中，將所述晶片的背面粘貼于切割帶，并且將具有能夠收納所述晶片的開口部的環(huán)狀的框架粘貼于切割帶，從而利用所述框架經(jīng)由所述切割帶支承所述晶片，并且向所述保護膜供給溫水以使該保護膜溶脹，并將所述保護膜從所述晶片的表面剝離；以及分割工序，在該分割工序中，將由所述框架支承的晶片分割成一個個器件。
2.一種晶片的加工方法，其將在表面形成有多個器件的晶片分割成一個個器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包括以下工序保護膜覆蓋工序，在該保護膜覆蓋工序中，將通過紫外線的照射而硬化、且通過溫水而溶脹從而粘接力降低的液態(tài)樹脂涂布于晶片的表面，并對所述液態(tài)樹脂照射紫外線以使該液態(tài)樹脂硬化，從而在所述晶片的表面覆蓋保護膜；晶片磨削工序，在該晶片磨削工序中，將所述晶片的所述保護膜側(cè)保持于磨削裝置的卡盤工作臺，并對所述晶片的背面進行磨削，從而使所述晶片形成為預(yù)期的厚度；切割帶改貼工序，在該切割帶改貼工序中，將所述晶片的背面粘貼于切割帶，并且將具有能夠收納所述晶片的開口部的環(huán)狀的框架粘貼于切割帶，從而利用所述框架經(jīng)由所述切割帶支承所述晶片；分割工序，在該分割工序中，將由所述框架支承且表面被所述保護膜覆蓋的晶片分割成一個個器件；以及保護膜剝離工序，在該保護膜剝離工序中，向所述保護膜供給溫水以使該保護膜溶脹， 并將所述保護膜從所述晶片的表面剝離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片的加工方法。當在表面被保護部件保護的狀態(tài)下對晶片的背面進行磨削后，不使晶片損傷就能夠?qū)⒈Ｗo部件從晶片的表面剝離。該加工方法中，將通過紫外線的照射而硬化、且通過溫水而溶脹從而粘接力降低的液態(tài)樹脂涂布于晶片(W)的表面(W1)，對該液態(tài)樹脂照射紫外線以使其硬化，從而在表面(W1)覆蓋保護膜，然后保持保護膜側(cè)地對晶片(W)的背面進行磨削，將晶片的背面粘貼于切割帶(T)，并且將環(huán)狀的框架(F)粘貼于切割帶(T)，從而利用框架(F)經(jīng)由切割帶(T)支承晶片(W)，向保護膜供給溫水(5a)以使保護膜溶脹，并將保護膜從晶片(W)的表面(W1)剝離，然后將由框架(F)支承的晶片(W)分割成一個個器件(D)。
文檔編號B28D5/00GK102157449SQ20111002858
公開日2011年8月17日 申請日期2011年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月27日
發(fā)明者溝本康隆 申請人:株式會社迪思科