專利名稱：一種用于切割太陽能級硅片的導(dǎo)輪的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種單晶硅棒切割設(shè)備，尤其是一種用于切割太陽能級硅片的 導(dǎo)輪。
背景技術(shù)：
低碳生活已成為當(dāng)今社會的時(shí)尚，對于新能源的使用越來越引起人們的關(guān)注， 這無疑為光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了機(jī)遇。硅片的切割是生產(chǎn)制作太陽能電池的基本條件， 而太陽能級硅片則是未來的發(fā)展趨勢，硅片越薄，可以提高硅材料利用率，降低生產(chǎn)成 本?，F(xiàn)在市場上用于制作太陽能電池的硅片厚度大約在200um左右，硅材料利用率低。 其生產(chǎn)方法一般是采用0.1mm或其他直徑的切割線繞在導(dǎo)輪上均勻分布的等徑槽內(nèi)，通 過導(dǎo)輪的勻速旋轉(zhuǎn)，使切割線夾帶SIC切割液對單晶硅棒進(jìn)行研磨，切割成硅片。由于 切割線在切割時(shí)存在磨損，導(dǎo)致切割出線時(shí)的線徑比進(jìn)線使的線徑變細(xì)。從而導(dǎo)致切割 出的硅片厚度不均勻，這給下游的生產(chǎn)商帶來了分揀、加工的難度，且造成材料浪費(fèi)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種用于切割太陽能級硅片的導(dǎo)輪，該導(dǎo) 輪切割出的硅片厚度均勻，材料利用率高。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是一種用于切割太陽能 級硅片的導(dǎo)輪，在導(dǎo)輪的外圓上開有導(dǎo)槽，其關(guān)鍵技術(shù)在于相鄰導(dǎo)槽的槽距自導(dǎo)輪的左 端至右端按下述公式遞減；所述槽距Dn = a-bx[(n_l)/(N-I)]，其中 N = L/a,式中，a為第一槽距，b為縮減系數(shù)，η為槽的序號，N為總槽數(shù)，L為導(dǎo)輪長 度，其中η以及N均為正整數(shù)。導(dǎo)輪的左端即其頭部，也就是進(jìn)線位置端，右端即尾部， 也就是出線位置端。上述第一槽距a由產(chǎn)品的厚度、切割金鋼線的線徑及碳化硅的粒度來確定。進(jìn)一步的改進(jìn)，上述導(dǎo)輪的外表面涂覆有聚氨酯橡膠層。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于采用本實(shí)用新型切割出的硅片厚度 在150um左右，使單位長度的單晶硅棒可以切割出更多的硅片，每公斤硅原料可以多出 7 8片，提高了硅材料利用率，降低硅片制造成本；并且能有效保證硅片的厚度，硅片 厚度均勻；采用本實(shí)用新型后，在硅片切割的過程中切割線(鋼線)運(yùn)轉(zhuǎn)平穩(wěn)，能減少對 V型槽的磨損，延長使用壽命。

圖1是本實(shí)用新型的示意圖；其中，1代表導(dǎo)輪，2代表導(dǎo)槽。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。參加附圖1，對導(dǎo)輪1進(jìn)行開槽，使其進(jìn)線位置端至出線位置端的開槽間距逐步 遞減，其槽距Dn = a-bx[(n-l)/(N-I)]，其中，a為第一槽距，b為縮減系數(shù)，η為槽的 序號，N為總槽數(shù)，N(總槽數(shù))=L(導(dǎo)輪長度)/a(第一槽距)；所述第一槽距a由產(chǎn)品 的厚度、切割金鋼線的線徑及碳化硅的粒度來確定，縮減系數(shù)b為0.012。本實(shí)用新型中 使用的切割線為IlOmm鋼線，導(dǎo)輪第一槽距為0.297mm或0.285mm，即a = 0.297mm(或 0.285mm)，縮減系數(shù)b = 0.012，導(dǎo)輪長度L = 320mm，槽深為0.22mm。本實(shí)用新型具 有切割的硅晶片的厚度值誤差小，增加產(chǎn)量的優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)一步的改進(jìn)，在導(dǎo)輪外表面涂覆聚氨酯橡膠層，聚氨酯橡膠導(dǎo)輪材料與普通 橡膠材料相比，具有較高的機(jī)械強(qiáng)度(為天然橡膠的2 3倍)；卓越的耐磨性(為天然 橡膠5 10倍)；突出的抗壓縮性；硬度范圍廣，且在高硬度下仍具有高彈性(這是其 他膠種所沒有的特性)；表面光潔度高；機(jī)械加工性能優(yōu)越；與金屬粘結(jié)性也比普通橡 膠高得多，比較適合一定線速和高壓力下使用，正是這種優(yōu)良的材料性能和加工性能它 滿足了光伏切片行業(yè)導(dǎo)輪的使用要求。
權(quán)利要求1.一種用于切割太陽能級硅片的導(dǎo)輪，在導(dǎo)輪(1)的外圓上開有導(dǎo)槽(2)，其特征在 于相鄰導(dǎo)槽(2)的槽距自導(dǎo)輪(1)的左端至右端按下述公式遞減；所述槽距 Dn = a-bx[(n_l)/(N-I)]，其中 N = L/a，式中，a為第一槽距，b為縮減系數(shù)，η為槽的序號，N為總槽數(shù)，L為導(dǎo)輪長度， 其中η以及N均為正整數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于切割太陽能級硅片的導(dǎo)輪，其特征在于在所述導(dǎo)輪 (1)的外表面涂覆有一層聚氨酯橡膠層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于切割太陽能級硅片的導(dǎo)輪，在導(dǎo)輪的外圓上開有導(dǎo)槽，其關(guān)鍵技術(shù)在于相鄰導(dǎo)槽的槽距自導(dǎo)輪的左端至右端遞減；槽距滿足公式Dn＝a-bx[(n-1)/(N-1)]，其中N＝L/a，式中，a為第一槽距，b為縮減系數(shù)，n為槽的序號，N為總槽數(shù)，L為導(dǎo)輪長度，其中n以及N均為正整數(shù)。采用本實(shí)用新型導(dǎo)輪切割出的硅片厚度均勻，且材料利用率高。
文檔編號B28D7/00GK201800138SQ20102029418
公開日2011年4月20日 申請日期2010年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月17日
發(fā)明者何京輝, 劉彬國, 菅書永, 趙峰 申請人:邢臺晶龍電子材料有限公司