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陽極接合方法、封裝件的制造方法、壓電振動(dòng)器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法

文檔序號(hào):2007080閱讀:370來源:國(guó)知局
專利名稱:陽極接合方法、封裝件的制造方法、壓電振動(dòng)器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對(duì)在一對(duì)部件間形成的接合膜施加電壓而陽極接合的陽極接合方法, 以及利用陽極接合的封裝件(package)的制造方法、壓電振動(dòng)器的制造方法、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。
背景技術(shù)
近年來,在便攜電話或便攜信息終端中,利用了水晶等的壓電振動(dòng)器被用作時(shí)刻源或控制信號(hào)等的定時(shí)源、參考信號(hào)源等。已知各式各樣的這種壓電振動(dòng)器,而表面安裝型的壓電振動(dòng)器作為其中之一而為人所知。作為這種壓電振動(dòng)器,一般為人所知的是用基底基板與蓋基板以從上下夾入形成有壓電振動(dòng)片的壓電基板的方式接合的3層構(gòu)造型的壓電振動(dòng)器。在這種情況下,壓電振動(dòng)器收納在基底基板與蓋基板之間形成的空腔(密閉室) 內(nèi)。另外,近年來,不僅是上述3層構(gòu)造型的壓電振動(dòng)器,也研發(fā)出2層構(gòu)造型的壓電振動(dòng)在這種類型的壓電振動(dòng)器中,基底基板與蓋基板直接接合從而形成封裝化的2層構(gòu)造,在兩基板之間形成的空腔內(nèi)收納壓電振動(dòng)片。該封裝化的2層構(gòu)造型的壓電振動(dòng)器與3層構(gòu)造的壓電振動(dòng)器相比,在能夠謀求薄型化等方面較優(yōu)秀,適宜使用。作為這樣的封裝化的2層構(gòu)造型的壓電振動(dòng)器之一,為人所知的是利用以貫通基底基板的方式形成的導(dǎo)電部件,使壓電振動(dòng)片與在基底基板形成的外部電極導(dǎo)通的壓電振動(dòng)器(例如,參照專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)幻。再者,作為基底基板與蓋基板直接接合的方法,提案有一種在兩基板間形成接合膜并通過在接合膜施加電壓來使兩基板接合的陽極接合方法。專利文獻(xiàn)1 日本特開2001-267190號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2007-3^941號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而,以往通常采用這樣的方法,即在制造具備基底基板與蓋基板的封裝件時(shí),在由形成多個(gè)基底基板的基底基板用圓片(wafer)、和同樣形成多個(gè)蓋基板的蓋基板用圓片構(gòu)成的一對(duì)圓片之間形成接合膜,將圓片整體陽極接合,在其后按封裝件進(jìn)行單片化。另外,如圖18、圖19所示,對(duì)于一對(duì)圓片M0、250陽極接合時(shí),在一個(gè)圓片250的周邊部的一個(gè)部位形成切口 253,在從該切口 253露出的接合膜235連接電壓施加用的電極沈3,并且在圓片250的上表面設(shè)置電極板沈1,在電極板沈1與電極263之間施加電壓,使電流在接合膜235流過,從而進(jìn)行陽極接合。另一方面,近年來,推動(dòng)圓片的大口徑化,所以通過陽極接合將面積變大的圓片整體陽極接合時(shí),需要流過大電流。然而,如果大電流從一個(gè)部位流過,則有可能產(chǎn)生接合膜的溫度上升、變色、燒焦等從而損壞。從而,存在著圓片大口徑化時(shí)在一對(duì)圓片間不能進(jìn)行陽極接合的問題。
因此,本發(fā)明有鑒于上述情況構(gòu)思而成,其目的是提供與接合對(duì)象物的大小無關(guān)、 能可靠地陽極接合的陽極接合方法、封裝件的制造方法、壓電振動(dòng)器的制造方法、振蕩器、 電子設(shè)備及電波鐘。為解決所述課題,本發(fā)明提供以下的方案。本發(fā)明涉及的陽極接合方法的特征在于,在將由絕緣體或電介質(zhì)構(gòu)成的第一基板和能夠陽極接合的第二基板層疊的狀態(tài)下,對(duì)在該基板間形成的由導(dǎo)電體構(gòu)成的接合膜施加電壓,從而將所述第一基板與所述第二基板接合,在進(jìn)行所述陽極接合時(shí),從多個(gè)部位對(duì)所述接合膜施加所述電壓。在本發(fā)明涉及的陽極接合方法中,通過從多個(gè)部位對(duì)接合膜施加電壓,能夠使平均到一個(gè)部位流過的電流值減少。從而,能防止接合膜被大電流損壞,所以能夠使第一基板與第二基板之間可靠地陽極接合。另外,通過按照陽極接合的基板的大小來設(shè)定施加電壓的部位數(shù),能夠與基板的大小無關(guān)、可靠地進(jìn)行陽極接合。而且,由于能夠防止接合膜的損壞,所以能夠提高成品率。另外,本發(fā)明涉及的陽極接合方法的特征在于,從對(duì)于所述第一基板或所述第二基板的中央部在圓周方向成等分的多個(gè)部位施加所述電壓。本發(fā)明涉及的陽極接合方法中,對(duì)于第一基板或第二基板的中央部平衡較好地施加電壓,所以能夠使在接合膜流過的電流值均勻。從而,能夠在對(duì)于基板整體大致均勻的條件下進(jìn)行陽極接合,能夠使在其后將基板單片化而得到的多個(gè)單片的質(zhì)量均勻。另外,本發(fā)明涉及的陽極接合方法的特征在于,在所述第一基板及所述第二基板的任一個(gè)的所述中央部形成貫通孔,對(duì)于在相應(yīng)于所述中央部的位置形成的所述接合膜施加所述電壓。本發(fā)明涉及的陽極接合方法中,在基板的中央部也施加電壓,所以能夠使在接合膜流過的電流值更均勻。從而,能夠在對(duì)于基板整體大致均勻的條件下進(jìn)行陽極接合,能夠使其后將基板單片化而得到的多個(gè)單片的質(zhì)量更均勻。另外,本發(fā)明涉及的陽極接合方法的特征在于,所述第一基板及所述第二基板是玻璃基板。本發(fā)明涉及的陽極接合方法中,為將玻璃基板彼此陽極接合,需要利用在接合膜直接施加電壓的結(jié)構(gòu),但是通過從多個(gè)部位對(duì)接合膜施加電壓,能夠使平均到一個(gè)部位流過的電流值降低。從而,由于能夠防止接合膜被大電流損壞,所以能夠使由玻璃基板構(gòu)成的第一基板與第二基板之間可靠地陽極接合。另外,本發(fā)明涉及的封裝件的制造方法的特征在于,在所述第一基板及所述第二基板的至少任一個(gè)上形成凹狀的空腔,通過上述任一種所述的陽極接合方法將所述第一基板與所述第二基板接合而一體化后,將該一體化的基板單片化從而形成多個(gè)封裝件。本發(fā)明涉及的封裝件的制造方法中,通過對(duì)于接合膜從多個(gè)部位施加電壓,能夠使平均到一個(gè)部位流過的電流值降低。從而,能夠防止接合膜被大電流損壞,所以能夠制造第一基板與第二基板之間可靠地陽極接合的封裝件。另外,通過按照陽極接合的基板的大小設(shè)定施加電壓的部位數(shù),能夠制造與基板的大小無關(guān)、可靠地陽極接合的封裝件。而且, 由于能夠防止接合膜的損壞,所以能夠提高成品率。另外,本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)器的制造方法的特征在于,在所述第一基板及所述第二基板的至少任一個(gè)上形成凹狀的空腔后,在該空腔內(nèi)安裝壓電振動(dòng)片,通過上述任一種所述的陽極接合方法將所述第一基板與所述第二基板接合而一體化后,將該一體化的基板單片化從而形成多個(gè)壓電振動(dòng)器。本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)器的制造方法中,通過對(duì)于接合膜從多個(gè)部位施加電壓, 能夠使平均到一個(gè)部位流過的電流值降低。從而,能夠防止接合膜被大電流損壞,所以能夠制造第一基板與第二基板之間可靠地陽極接合的壓電振動(dòng)器。另外,通過按照進(jìn)行陽極接合的基板的大小設(shè)定施加電壓的部位數(shù),能夠制造與基板的大小無關(guān)、可靠地進(jìn)行陽極接合的壓電振動(dòng)器。而且,由于能夠防止接合膜損壞,所以能夠提高成品率。另外,本發(fā)明涉及的振蕩器的特征在于,通過上述制造方法制造的壓電振動(dòng)器,作為振子與集成電路電連接。而且,本發(fā)明涉及的電子設(shè)備的特征在于,通過上述制造方法制造的壓電振動(dòng)器與計(jì)時(shí)部電連接。再者,本發(fā)明涉及的電波鐘的特征在于,通過上述制造方法制造的壓電振動(dòng)器與濾波部電連接。本發(fā)明涉及的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘中,由于具備基底基板與蓋基板之間可靠地陽極接合、提高成品率的高質(zhì)量的壓電振動(dòng)器,所以同樣地能夠提高工作的可靠性、且圖謀高質(zhì)量化。依據(jù)本發(fā)明涉及的陽極接合方法,通過從多個(gè)部位對(duì)接合膜施加電壓,能夠使平均到一個(gè)部位流過的電流值減少。從而,能夠防止接合膜被大電流損壞,能夠使第一基板與第二基板之間可靠地陽極接合。另外,通過按照陽極接合的基板的大小設(shè)定施加電壓的部位數(shù),能夠與基板的大小無關(guān)、可靠地進(jìn)行陽極接合。而且,由于能夠防止接合膜損壞,所以能夠提高成品率。


圖1是示出本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)器的一個(gè)實(shí)施方式的外觀立體圖。圖2是圖1所示的壓電振動(dòng)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,是將蓋基板卸下的狀態(tài)下,從上方觀察壓電振動(dòng)片的圖。圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式中的壓電振動(dòng)器的剖面圖(沿著圖2的A-A線的剖面圖)。圖4是圖1所示的壓電振動(dòng)器的分解立體圖。圖5是構(gòu)成圖1所示的壓電振動(dòng)器的壓電振動(dòng)片的俯視圖。圖6是圖5所示的壓電振動(dòng)片的仰視圖。圖7是沿著圖5的B-B線的剖面圖。圖8是示出制造圖1所示的壓電振動(dòng)器時(shí)的流程的流程圖。圖9是示出沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖,是示出成為在蓋基板的原型的蓋基板用圓片形成多個(gè)凹部、切口及貫通孔的狀態(tài)的圖。圖10是示出沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖,是示出在基底基板用圓片的上表面構(gòu)圖接合膜及迂回電極的狀態(tài)的圖。圖11是圖10所示的狀態(tài)的基底基板用圓片的部分放大立體圖。
圖12是示出沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖,是示出對(duì)于一對(duì)圓片進(jìn)行陽極接合的狀態(tài)的圖。圖13是沿著圖12的C-C線的剖面圖。圖14是示出沿著圖8所示的流程圖制造壓電振動(dòng)器時(shí)的一個(gè)工序的圖,是在壓電振動(dòng)片容納在空腔內(nèi)的狀態(tài)下、使基底基板用圓片與蓋基板用圓片陽極接合的圓片體的分解立體圖。圖15是示出本發(fā)明涉及的振蕩器的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖16是示出本發(fā)明涉及的電子設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖17是示出本發(fā)明涉及的電波鐘的一個(gè)實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖。圖18是示出現(xiàn)有的壓電振動(dòng)器的制造方法中的陽極接合的方法的圖。圖19是沿著圖18的D-D線的剖面圖。
具體實(shí)施例方式接下來,參照?qǐng)D1 圖17說明本發(fā)明涉及的實(shí)施方式。另外,在本實(shí)施方式中,對(duì)使基底基板與蓋基板層疊、在該基板間形成的空腔內(nèi)安裝壓電振動(dòng)片的壓電振動(dòng)器及其制造方法進(jìn)行說明。如圖1 圖4所示,本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器1是表面安裝型的壓電振動(dòng)器,其形成為由基底基板2和蓋基板3呈2層層疊的盒狀,在內(nèi)部的空腔C內(nèi)收納有壓電振動(dòng)片4。 另外,在圖4中,為易于觀察圖片而將后述的壓電振動(dòng)片4的激振電極15、引出電極19、20、 裝配電極16、17及重錘金屬膜21的圖示省略。如圖5 圖7所示,壓電振動(dòng)片4是由水晶、鉭酸鋰或鈮酸鋰等壓電材料形成的音叉型振動(dòng)片,當(dāng)被施加既定電壓時(shí)振動(dòng)。該壓電振動(dòng)片4具有平行配置的一對(duì)振動(dòng)臂部10、11 ;基部12,將該一對(duì)振動(dòng)臂部10、11的基端側(cè)固定成一體;激振電極15,由在一對(duì)振動(dòng)臂部10、11的外表面上形成的、 使一對(duì)振動(dòng)臂部10、11振動(dòng)的第一激振電極13和第二激振電極14構(gòu)成;以及裝配電極16、 17,與第一激振電極13及第二激振電極14電連接。另外,本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)片4具備槽部18,該槽部18在一對(duì)振動(dòng)臂部10、11 的兩主表面上,沿著該振動(dòng)臂部10、11的長(zhǎng)度方向分別形成。該槽部18從振動(dòng)臂部10、11 的基端側(cè)形成到大致中間附近。由第一激振電極13與第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15,是使一對(duì)振動(dòng)臂部 IOUl在互相接近或分離的方向以既定的諧振頻率振動(dòng)的電極,分別在一對(duì)振動(dòng)臂部10、 11的外表面以在電切斷的狀態(tài)構(gòu)圖而形成。具體而言,第一激振電極13主要形成在一個(gè)振動(dòng)臂部10的槽部18上和另一個(gè)振動(dòng)臂部11的兩側(cè)面上;第二激振電極14主要形成在一個(gè)振動(dòng)臂部10的兩側(cè)面上和另一個(gè)振動(dòng)臂部11的槽部18上。另外,第一激振電極13及第二激振電極14,在基部12的兩主表面上分別經(jīng)由引出電極19、20而與裝配電極16、17電連接。再者,壓電振動(dòng)片4成為經(jīng)由該裝配電極16、17 而被施加電壓。另外,上述的激振電極15、裝配電極16、17及引出電極19、20,通過覆蓋例如、鉻 (Cr)、鎳(Ni)、鋁(Al)或鈦(Ti)等導(dǎo)電性膜而形成。
另外,在一對(duì)振動(dòng)臂部10、11的前端,覆蓋有重錘金屬膜21,該重錘金屬膜21用于以在既定的頻率范圍內(nèi)振動(dòng)的方式對(duì)自身的振動(dòng)狀態(tài)進(jìn)行調(diào)整(頻率調(diào)整)。另外,該重錘金屬膜21分為對(duì)頻率進(jìn)行粗調(diào)時(shí)使用的粗調(diào)膜21a和微調(diào)時(shí)使用的微調(diào)膜21b。通過利用這些粗調(diào)膜21a及微調(diào)膜21b進(jìn)行頻率調(diào)整,能夠使一對(duì)振動(dòng)臂部10、11的頻率落在器件的標(biāo)稱頻率的范圍內(nèi)。這樣構(gòu)成的壓電振動(dòng)片4,如圖3、圖4所示,利用金等的凸點(diǎn)(bump)B與基底基板 2的上表面2a凸點(diǎn)接合。更具體而言,在基底基板2的上表面2a構(gòu)圖的后述的迂回電極 36,37上形成的2個(gè)凸點(diǎn)B上,一對(duì)裝配電極16、17分別以接觸的狀態(tài)被凸點(diǎn)接合。由此, 壓電振動(dòng)片4以從基底基板2的上表面2a浮起的狀態(tài)被支撐,并且成為裝配電極16、17與迂回電極36、37分別電連接的狀態(tài)。上述蓋基板3是由玻璃材料、例如鈉鈣玻璃構(gòu)成的能夠陽極接合的基板,如圖1、 圖3及圖4所示,大致形成為板狀。再者,在接合基底基板2的接合面一側(cè),形成有收納壓電振動(dòng)片4的矩形狀的凹部3a。該凹部3a,是在兩基板2、3疊合時(shí)成為容納壓電振動(dòng)片4的空腔C的空腔用的凹部。再者,蓋基板3以使該凹部3a與基底基板2 —側(cè)相向的狀態(tài)對(duì)于該基底基板2陽極接
I=I ο上述基底基板2是由玻璃材料、例如鈉鈣玻璃構(gòu)成的基板,如圖1 圖4所示,以可對(duì)于蓋基板3疊合的大小、大致呈板狀形成。在該基底基板2形成有貫通該基底基板2的一對(duì)通孔(貫通孔)30、31。此時(shí),一對(duì)通孔30、31以收納于空腔C內(nèi)的方式形成。更詳細(xì)地說,本實(shí)施方式的通孔30、31,在與裝配的壓電振動(dòng)片4的基部12側(cè)對(duì)應(yīng)的位置形成一個(gè)通孔30,在與振動(dòng)臂部10、11的前端側(cè)對(duì)應(yīng)的位置形成另一個(gè)通孔31。另外,在本實(shí)施方式中,從基底基板2的下表面2b向著上表面2a筆直貫通基底基板2而形成通孔30、31。另外,該通孔30、31的形狀,并不限于這種情況,直徑逐漸縮小的截面為錐(taper)狀的通孔也無妨??傊?,貫通基底基板2即可。再者,在該一對(duì)通孔30、31,形成有以填埋該通孔30、31的方式形成的一對(duì)貫通電極32、33。該貫通電極32、33如圖3所示,由通過燒結(jié)而對(duì)于通孔30、31固定成一體的銀膏(paste)形成,完全堵塞通孔30、31而維持空腔C內(nèi)的氣密,并且承擔(dān)使后述的外部電極 38,39與迂回電極36、37導(dǎo)通的作用。在基底基板2的上表面2a側(cè)(接合蓋基板3的接合面?zhèn)?,如圖1 圖4所示,利用例如鋁等導(dǎo)電性材料,構(gòu)圖有陽極接合用的接合膜35和一對(duì)迂回電極36、37。其中接合膜35以包圍在蓋基板3形成的凹部3a周圍的方式沿著基底基板2的周邊形成。另外,一對(duì)迂回電極36、37,被以如下方式構(gòu)圖一對(duì)貫通電極32、33之中,將一個(gè)貫通電極32與壓電振動(dòng)片4的一個(gè)裝配電極16電連接,并且將另一個(gè)貫通電極33與壓電振動(dòng)片4的另一個(gè)裝配電極17電連接。更詳細(xì)地說,一個(gè)迂回電極36,以位于壓電振動(dòng)片4的基部12的正下方的方式在一個(gè)貫通電極32的正上方形成。另外,另一個(gè)迂回電極37,以從與一個(gè)迂回電極36鄰接的位置沿著振動(dòng)臂部10、11迂回到該振動(dòng)臂部10、11的前端側(cè)之后、位于另一個(gè)貫通電極33 的正上方的方式形成。再者,在該一對(duì)迂回電極36、37上分別形成有凸點(diǎn)B,利用該凸點(diǎn)B裝配壓電振動(dòng)片4。由此,成為壓電振動(dòng)片4的一個(gè)裝配電極16經(jīng)由一個(gè)迂回電極36而與一個(gè)貫通電極 32導(dǎo)通,另一個(gè)裝配電極17經(jīng)由另一個(gè)迂回電極37而與另一個(gè)貫通電極33導(dǎo)通。另外,如圖1、圖3及圖4所示,在基底基板2的下表面2b形成有分別對(duì)于一對(duì)貫通電極32、33電連接的外部電極38、39。也就是說,一個(gè)外部電極38經(jīng)由一個(gè)貫通電極32 及一個(gè)迂回電極36,而與壓電振動(dòng)片4的第一激振電極13電連接。另外,另一個(gè)外部電極 39經(jīng)由另一個(gè)貫通電極33及另一個(gè)迂回電極37,與壓電振動(dòng)片4的第二激振電極14電連接。在使這樣構(gòu)成的壓電振動(dòng)器1工作的情況下,對(duì)在基底基板2形成的外部電極38、 39施加既定的驅(qū)動(dòng)電壓。由此,能夠使電流在壓電振動(dòng)片4的由第一激振電極13及第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15中流過,能夠使一對(duì)振動(dòng)臂部10、11在接近/分離的方向以既定的頻率振動(dòng)。再者,利用該一對(duì)振動(dòng)臂部10、11的振動(dòng),能夠用作時(shí)刻源、控制信號(hào)的定時(shí)源或參考信號(hào)源等。接下來,一邊參照?qǐng)D8所示的流程圖,一邊在下面對(duì)利用基底基板用圓片40和蓋基板用圓片50 —次制造多個(gè)上述壓電振動(dòng)器1的制造方法進(jìn)行說明。最初,進(jìn)行壓電振動(dòng)片制作工序,制作圖5 圖7所示的壓電振動(dòng)片4 (SlO)。具體而言,首先將未加工的朗伯(Lambert)水晶以既定角度切片,做成固定厚度的圓片。接著, 研磨(lapping)該圓片而進(jìn)行粗加工后,用蝕刻除去加工變質(zhì)層,其后進(jìn)行拋光(polish) 等的鏡面研磨加工,做成既定厚度的圓片。接著,對(duì)圓片施以清洗等的適當(dāng)?shù)奶幚砗?,利用光刻技術(shù),以壓電振動(dòng)片4的外形形狀對(duì)該圓片進(jìn)行構(gòu)圖,并且進(jìn)行金屬膜的成膜及構(gòu)圖, 形成激振電極15、引出電極19、20、裝配電極16、17、重錘金屬膜21。由此能夠制作多個(gè)壓電振動(dòng)片4。另外,在制作壓電振動(dòng)片4后,進(jìn)行諧振頻率的粗調(diào)。這是通過對(duì)重錘金屬膜21 的粗調(diào)膜21a照射激光使一部分蒸發(fā),使重量發(fā)生變化來進(jìn)行的。此外,關(guān)于更高精度地調(diào)整諧振頻率的微調(diào),在裝配后進(jìn)行。在后面對(duì)其進(jìn)行說明。接下來,進(jìn)行第一圓片制作工序(S20),在該工序中將以后成為蓋基板3的蓋基板用圓片50制作到即將進(jìn)行陽極接合之前的狀態(tài)。首先,將由鈉鈣玻璃構(gòu)成的蓋基板圓片 50研磨加工至既定厚度并清洗之后,如圖9所示,形成利用蝕刻等除去最表面的加工變質(zhì)層的圓片狀的蓋基板用圓片50(S21)。接下來,在蓋基板用圓片50的接合面,進(jìn)行利用蝕刻加工等方法在行列方向形成多個(gè)空腔用的凹部3a的凹部形成工序(S22)。另外,凹部3a 為確保蓋基板用圓片50的剛性,在包含蓋基板用圓片50的中央部P的大致十字狀,設(shè)有未形成凹部3a的非形成區(qū)域N。另外,在非形成區(qū)域N內(nèi)形成貫通孔51 (S23)。貫通孔51與凹部3a的形成大致同時(shí)形成。而且,在蓋基板用圓片50的圓周方向大致等間隔地在4個(gè)部位形成大致半圓形狀的切口部53 (SM)。切口部53與凹部3a及貫通孔51的形成大致同時(shí)形成。在形成凹部3a、貫通孔51及切口部53之后,為準(zhǔn)備接合工序(S60)而研磨形成有凹部3a的表面(S25)。在該時(shí)點(diǎn),第一圓片制作工序結(jié)束。接下來,以與上述工序同時(shí)或在其前后的時(shí)機(jī),進(jìn)行第二圓片制作工序(S30),在該工序中將以后成為基底基板2的基底基板用圓片40制作到即將進(jìn)行陽極接合之前的狀態(tài)。首先,將鈉鈣玻璃研磨加工至既定厚度并清洗之后,形成利用蝕刻等除去最表面的加工變質(zhì)層的圓板狀的基底基板用圓片40(S31)。接下來,進(jìn)行在基底基板用圓片40形成多個(gè)一對(duì)貫通電極32、33的貫通電極形成工序(S32)。貫通電極32、33通過以下方法形成例如在基底基板用圓片40的既定位置形成通孔30、31,在該通孔30、31內(nèi)填充例如銀膏等導(dǎo)電體之后,通過燒結(jié)而形成。此時(shí),如圖10所示,與蓋基板用圓片50同樣,為確保剛性,在包含基底基板用圓片40的中央部P的大致十字狀設(shè)有未形成貫通電極32、33的非形成區(qū)域N。接下來,進(jìn)行接合膜形成工序(S33)并且進(jìn)行迂回電極形成工序(S34),在接合膜形成工序(S33)中,在基底基板用圓片40的上表面對(duì)導(dǎo)電性材料進(jìn)行構(gòu)圖,如圖10、圖11 所示形成接合膜35;在迂回電極形成工序(S34)中,形成多個(gè)與各一對(duì)貫通電極32、33分別電連接的迂回電極36、37。另外,圖10、圖11所示的虛線M是圖示后續(xù)進(jìn)行的切斷工序中進(jìn)行切斷的切斷線。特別是,貫通電極32、33,如上所述成為對(duì)于基底基板用圓片40的上表面大致共面的狀態(tài)。因此,在基底基板用圓片40的上表面構(gòu)圖的迂回電極36、37以其間不產(chǎn)生空隙等地對(duì)于貫通電極32、33貼緊的狀態(tài)相接。由此,能夠確保一個(gè)迂回電極36與一個(gè)貫通電極32的導(dǎo)通性,以及另一個(gè)迂回電極37與另一個(gè)貫通電極33的導(dǎo)通性。在該時(shí)點(diǎn),第二圓片制作工序結(jié)束。此外,在圖8中,設(shè)為在接合膜形成工序(S33)之后,進(jìn)行迂回電極形成工序(S34) 的工序順序,但與此相反在迂回電極形成工序(S34)之后,進(jìn)行接合膜形成工序(S33)也無妨,同時(shí)進(jìn)行兩工序也無妨。使用任一種工序順序,都能夠達(dá)到相同的作用效果。因此,根據(jù)需要適宜地變更工序順序也無妨。接下來,進(jìn)行裝配工序(S40),在該工序中將制作的多個(gè)壓電振動(dòng)片4,分別隔著迂回電極36、37與基底基板用圓片40的上表面40a(參照?qǐng)D11)接合。首先,在一對(duì)迂回電極36、37上分別形成金等的凸點(diǎn)B。然后,將壓電振動(dòng)片4的基部12放置在凸點(diǎn)B上后, 一邊將凸點(diǎn)B加熱至既定溫度,一邊使壓電振動(dòng)片4壓住凸點(diǎn)B。由此,壓電振動(dòng)片4被凸點(diǎn)B機(jī)械性支撐,并且成為裝配電極16、17與迂回電極36、37電連接的狀態(tài)。由此,此時(shí)壓電振動(dòng)片4的一對(duì)激振電極15成為與一對(duì)貫通電極32、33分別導(dǎo)通的狀態(tài)。特別是,由于進(jìn)行凸點(diǎn)接合,所以壓電振動(dòng)片4是以從基底基板用圓片40的上表面40a浮起的狀態(tài)被支撐。在壓電振動(dòng)片4的裝配結(jié)束后,進(jìn)行對(duì)于基底基板用圓片40疊合蓋基板用圓片50 的疊合工序(S50)。具體而言,以未圖示的基準(zhǔn)標(biāo)記等為目標(biāo),將兩圓片40、50對(duì)準(zhǔn)到正確位置。由此,所裝配的壓電振動(dòng)片4成為在由蓋基板用圓片50形成的凹部3a和兩圓片40、 50圍起的空腔C內(nèi)收納的狀態(tài)。在疊合工序后,進(jìn)行接合工序(S60),將疊合的2塊圓片40、50放入未圖示的陽極接合裝置中,在既定的真空氣氛及溫度氣氛下,施加既定的電壓而陽極接合。具體而言,如圖12、圖13所示,將疊合的2塊圓片40、50承載到陽極裝置。此時(shí),以基底基板用圓片40 在下側(cè)、蓋基板用圓片50在上側(cè)的方式承載。接下來,在蓋基板用圓片50的上表面50a設(shè)置由導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極板61。電極板61是俯視時(shí)與蓋基板用圓片50為大致同一形狀形成的板狀部件。電極板61作為負(fù)極(minus)端子起作用。而且,經(jīng)由蓋基板用圓片50 的貫通孔51及切口 53露出的接合膜35與作為正極(plus)端子施加電壓的電極63連接。就是說,電極63在5個(gè)部位對(duì)接合膜35連接。按上述的方式設(shè)置(set)后,在與接合膜35連接的電極63和電極板61之間施加既定的電壓。于是,接合膜35與蓋基板用圓片50的界面產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng),將兩者分別牢固地緊貼而陽極接合。在本實(shí)施方式中,在接合膜35的5個(gè)部位與電極63連接的狀態(tài)下施加電壓,所以從該5個(gè)部位大致同時(shí)地開始陽極接合,并依次陽極接合。另外,通過這樣從5個(gè)部位施加電壓,能夠使平均到1個(gè)部位流過的電流值為1/5,能夠防止接合膜35被高電流損壞。通過這樣將2塊圓片40、50陽極接合,能夠?qū)弘娬駝?dòng)片4密封在保持真空狀態(tài)的空腔C內(nèi),能夠得到如圖14所示的基底基板用圓片40與蓋基板用圓片50接合的圓片體 70。另外,在圖14中為了易于觀察圖片,圖示出將圓片體70分解后的狀態(tài),并從基底基板用圓片40省略了接合膜35的圖示。另外,圖14所示的虛線M是圖示后續(xù)進(jìn)行的切斷工序中切斷的切斷線。再者,在進(jìn)行陽極接合時(shí),在基底基板用圓片40形成的通孔30、31由貫通電極32、 33完全堵塞,所以空腔C內(nèi)的氣密不會(huì)通過通孔30、31而有所損失。然后,在上述的陽極接合結(jié)束后,進(jìn)行外部電極形成工序(S70),在該工序中,將導(dǎo)電性材料構(gòu)圖于基底基板用圓片40的下表面40b,形成多個(gè)與一對(duì)貫通電極32、33分別電連接的一對(duì)外部電極38、39。通過該工序,能夠利用外部電極38、39使密封于空腔C內(nèi)的壓電振動(dòng)片4工作。特別是,在進(jìn)行該工序時(shí)也與迂回電極36、37形成時(shí)同樣,對(duì)于基底基板用圓片 40的下表面40b,貫通電極32、33成為大致共面的狀態(tài),所以構(gòu)圖的外部電極38、39以其間不產(chǎn)生空隙等的方式對(duì)于貫通電極32、33貼緊的狀態(tài)下相接。由此,能夠確保外部電極38、 39與貫通電極32、33的導(dǎo)通性。接下來,進(jìn)行微調(diào)工序(S80),在該工序中,在圓片體70的狀態(tài)下,對(duì)密封于空腔C 內(nèi)的各個(gè)壓電振動(dòng)器1的頻率進(jìn)行微調(diào),使之落在既定的范圍內(nèi)。具體地說,對(duì)在基底基板用圓片40的下表面40b形成的一對(duì)外部電極38、39施加電壓,使壓電振動(dòng)片4振動(dòng)。然后, 一邊測(cè)量頻率一邊從外部通過蓋基板用圓片50照射激光,使重錘金屬膜21的微調(diào)膜21b 蒸發(fā)。由此,一對(duì)振動(dòng)臂部10、11的前端側(cè)的重量發(fā)生變化,因此能夠微調(diào)壓電振動(dòng)片4的頻率,以使該頻率落在標(biāo)稱頻率的既定范圍內(nèi)。頻率的微調(diào)結(jié)束后,進(jìn)行沿著圖14所示的切斷線M切斷已接合的圓片體70進(jìn)行小片化的切斷工序(S90)。其結(jié)果,能夠一次制造多個(gè)壓電振動(dòng)片4密封在互相陽極接合的基底基板2與蓋基板3之間形成的空腔C內(nèi)的、圖1所示的2層構(gòu)造式表面安裝型的壓電振動(dòng)器1。再者,在進(jìn)行切斷工序(S90)將各個(gè)壓電振動(dòng)器1小片化之后,進(jìn)行微調(diào)工序 (S80)的工序順序也無妨。但是,如上所述,通過先進(jìn)行微調(diào)工序(S80),能夠在圓片體70 的狀態(tài)下進(jìn)行微調(diào),所以能夠?qū)⒍鄠€(gè)壓電振動(dòng)器1更有效率地微調(diào)。由此,能夠謀求提高生產(chǎn)率,所以是優(yōu)選的。其后,進(jìn)行內(nèi)部的電特性檢查(S100)。即,測(cè)定并檢驗(yàn)壓電振動(dòng)片4的諧振頻率、 諧振電阻值、驅(qū)動(dòng)電平特性(諧振頻率及諧振電阻值的激振電力依賴性)等。另外,一并檢驗(yàn)絕緣電阻特性等。然后,最后進(jìn)行壓電振動(dòng)器1的外觀檢查,最終檢驗(yàn)尺寸或質(zhì)量等。至此壓電振動(dòng)器1的制造結(jié)束。依據(jù)本實(shí)施方式,在將基底基板用圓片40與蓋基板用圓片50陽極接合時(shí),通過從多個(gè)部位對(duì)于接合膜35施加電壓,能夠使得平均到一個(gè)部位流過的電流值降低。從而,能夠防止接合膜35被大電流損壞,使基底基板用圓片40與蓋基板用圓片50之間可靠地陽極接合。就是說,能夠制造基底基板2與蓋基板3之間可靠地陽極接合的壓電振動(dòng)器1。另外, 通過按照陽極接合的圓片的大小設(shè)定施加電壓的部位數(shù),能夠制造與圓片大小無關(guān)且可靠地陽極接合的壓電振動(dòng)器1。就是說,能夠容易適應(yīng)圓片的大口徑化。而且,能夠防止接合膜35損壞,所以能夠提高成品率。另外,在進(jìn)行陽極接合時(shí),從對(duì)于兩圓片40、50的中央部P在圓周方向成等分的多個(gè)部位施加電壓,所以對(duì)于兩圓片40、50的中央部P較好平衡地施加電壓,所以能夠使從接合膜35流過的電流值均勻。從而,能夠在對(duì)于圓片整體大致均勻的條件下進(jìn)行陽極接合, 能夠使其后將圓片單片化而得到的多個(gè)壓電振動(dòng)器1的質(zhì)量均勻。另外,在蓋基板用圓片50的中央部P形成貫通孔51,經(jīng)由貫通孔51對(duì)露出的接合膜35施加電壓,所以能夠使在接合膜35流過的電流值更均勻。從而,能夠在對(duì)于圓片整體大致均勻的條件下進(jìn)行陽極接合,能夠使在其后將圓片單片化而得到的多個(gè)壓電振動(dòng)器 1的質(zhì)量更均勻。而且,用如上所述的結(jié)構(gòu),即使是兩圓片40、50是玻璃基板,也能夠用陽極接合進(jìn)行接合。(振蕩器)接著,參照?qǐng)D15對(duì)本發(fā)明涉及的振蕩器的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖15所示,本實(shí)施方式的振蕩器100以壓電振動(dòng)器1構(gòu)成為與集成電路101電連接的振子。該振蕩器100具備安裝有電容器等電子部件102的基板103。在基板103上安裝有振蕩器用的上述集成電路101,在該集成電路101附近安裝有壓電振動(dòng)器1。這些電子部件102、集成電路101及壓電振動(dòng)器1通過未圖示的布線圖案分別電連接。此外,各構(gòu)成部件利用未圖示的樹脂來進(jìn)行模制(mould)。在這種構(gòu)成的振蕩器100中,對(duì)壓電振動(dòng)器1施加電壓時(shí),該壓電振動(dòng)器1內(nèi)的壓電振動(dòng)片4振動(dòng)。利用壓電振動(dòng)片4具有的壓電特性,將該振動(dòng)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),作為電信號(hào)輸入至集成電路101。所輸入的電信號(hào)通過集成電路101進(jìn)行各種處理,作為頻率信號(hào)輸出。由此,壓電振動(dòng)器1作為振子起作用。另外,通過根據(jù)需求選擇性地將集成電路101的結(jié)構(gòu)設(shè)定為例如RTC(實(shí)時(shí)時(shí)鐘) 模塊等,除了鐘表用單功能振蕩器等之外,還能夠附加控制該設(shè)備或外部設(shè)備的工作日期或時(shí)刻,或者提供時(shí)刻或日歷等的功能。如上所述,依據(jù)本實(shí)施方式的振蕩器100,由于具備可靠地使基底基板2與蓋基板 3陽極接合、可靠地確??涨籆內(nèi)的氣密、提高成品率的高質(zhì)量的壓電振動(dòng)器1,所以振蕩器 100自身也能夠同樣穩(wěn)定地確保導(dǎo)通性,并提高工作的可靠性,從而謀求高質(zhì)量化。不僅如此,還能夠獲得長(zhǎng)期穩(wěn)定的高精度的頻率信號(hào)。(電子設(shè)備)接著,參照?qǐng)D16對(duì)本發(fā)明涉及的電子設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。此外作為電子設(shè)備,以具有上述的壓電振動(dòng)器1的便攜信息設(shè)備110為例進(jìn)行說明。
最初本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110例如是以便攜電話為代表的,是對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的手表的發(fā)展與改良。外觀類似于手表,在相當(dāng)于表盤的部分配有液晶顯示器,能夠在該畫面上顯示當(dāng)前的時(shí)刻等。另外,在作為通信機(jī)利用的情況下,從手腕取下,通過內(nèi)置于表帶的內(nèi)側(cè)部分的揚(yáng)聲器及麥克風(fēng),能進(jìn)行與現(xiàn)有技術(shù)的便攜電話相同的通信。然而,與現(xiàn)有的便攜電話相比較,顯著小型化及輕型化。接著,對(duì)本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖16所示,該便攜信息設(shè)備110具備壓電振動(dòng)器1和供電用的電源部111。電源部111例如由鋰二次電池構(gòu)成。進(jìn)行各種控制的控制部112、進(jìn)行時(shí)刻等的計(jì)數(shù)的計(jì)時(shí)部113、與外部進(jìn)行通信的通信部114、顯示各種信息的顯示部115、以及檢測(cè)各功能部的電壓的電壓檢測(cè)部116與該電源部111并聯(lián)連接。然后,通過電源部111為各功能部供電??刂撇?12控制各功能部,進(jìn)行聲音數(shù)據(jù)的發(fā)送及接收、當(dāng)前時(shí)刻的測(cè)量或顯示等的系統(tǒng)整體的動(dòng)作控制。另外,控制部112具備預(yù)先寫入程序的ROM、讀取寫入到該ROM 的程序并執(zhí)行的CPU、以及作為該CPU的工作區(qū)使用的RAM等。計(jì)時(shí)部113具備內(nèi)置有振蕩電路、寄存器電路、計(jì)數(shù)器電路及接口電路等的集成電路,以及壓電振動(dòng)器1。對(duì)壓電振動(dòng)器1施加電壓時(shí)壓電振動(dòng)片4振動(dòng),利用水晶所具有的壓電特性將該振動(dòng)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),作為電信號(hào)輸入到振蕩電路。將振蕩電路的輸出二值化,通過寄存器電路和計(jì)數(shù)器電路來計(jì)數(shù)。然后,通過接口電路,與控制部112進(jìn)行信號(hào)的發(fā)送與接收,在顯示部115顯示當(dāng)前時(shí)刻、當(dāng)前日期或者日歷信息等。通信部114具有與現(xiàn)有的便攜電話相同的功能,具備無線電部117、聲音處理部 118、切換部119、放大部120、聲音輸入/輸出部121、電話號(hào)碼輸入部122、來電音發(fā)生部 123以及呼叫控制存儲(chǔ)器部124。無線電部117通過天線125與基站進(jìn)行收發(fā)聲音數(shù)據(jù)等各種數(shù)據(jù)的交換。聲音處理部118對(duì)從無線電部117或放大部120輸入的聲音信號(hào)進(jìn)行編碼及解碼。放大部120將從聲音處理部118或聲音輸入/輸出部121輸入的信號(hào)放大到既定電平。聲音輸入/輸出部121由揚(yáng)聲器或麥克風(fēng)等構(gòu)成,擴(kuò)大來電音或接聽聲音,或者將聲音集音。另外,來電音發(fā)生部123響應(yīng)來自基站的呼叫而生成來電音。切換部119僅在來電時(shí),通過將連接在聲音處理部118的放大部120切換到來電音發(fā)生部123,在來電音發(fā)生部123中生成的來電音得以經(jīng)由放大部120輸出到聲音輸入/輸出部121。此外,呼叫控制存儲(chǔ)器部1 存放與通信的呼叫及來電控制相關(guān)的程序。另外,電話號(hào)碼輸入部122具備例如0到9的號(hào)碼鍵及其它鍵,通過按下這些號(hào)碼鍵等,輸入通話對(duì)象的電話號(hào)碼等。在通過電源部111對(duì)控制部112等的各功能部施加的電壓低于既定值的情況下, 電壓檢測(cè)部116檢測(cè)出該電壓下降并通知控制部112。此時(shí)的既定電壓值是作為使通信部 114穩(wěn)定動(dòng)作所需的最低限的電壓而預(yù)先設(shè)定的值,例如為3V左右。從電壓檢測(cè)部116收到電壓下降通知的控制部112,禁止無線電部117、聲音處理部118、切換部119及來電音發(fā)生部123的動(dòng)作。特別是必須停止耗電較大的無線電部117的動(dòng)作。進(jìn)而,在顯示部115 顯示通信部114由于電池余量不足而不能使用的提示。S卩,能夠由電壓檢測(cè)部116和控制部112禁止通信部114的動(dòng)作,并在顯示部115 顯示該提示。該顯示可以是文字消息,但作為更直觀的顯示,也可以在顯示于顯示部115的顯示面上部的電話圖標(biāo)上打“ X (叉)”標(biāo)記。此外,通過具備能有選擇地截?cái)嗯c通信部114的功能相關(guān)的部分的電源的電源截?cái)嗖?26,能夠更可靠地停止通信部114的功能。如上所述,依據(jù)本實(shí)施方式的便攜信息設(shè)備110,由于具備可靠地使基底基板2與蓋基板3陽極接合、可靠地確??涨籆內(nèi)的氣密、提高成品率的高質(zhì)量的壓電振動(dòng)器1,所以便攜信息設(shè)備自身也能夠同樣穩(wěn)定地確保導(dǎo)通性,并提高工作的可靠性,從而謀求高質(zhì)量化。不僅如此,還能夠顯示長(zhǎng)期穩(wěn)定的高精度的時(shí)鐘信息。(電波鐘)接著,參照?qǐng)D17對(duì)本發(fā)明涉及的電波鐘的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖17所示,本實(shí)施方式的電波鐘130具備電連接到濾波部131的壓電振動(dòng)器1, 是接收包含時(shí)鐘信息的標(biāo)準(zhǔn)電波、具備自動(dòng)修正為正確的時(shí)刻并顯示的功能的鐘表。在日本國(guó)內(nèi),在福島縣(40kHz)和佐賀縣(60kHz)有發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波的發(fā)送站(發(fā)送局),分別發(fā)送標(biāo)準(zhǔn)電波。40kHz或60kHz這樣的長(zhǎng)波兼有沿地表傳播的性質(zhì)以及在電離層和地表邊反射邊傳播的性質(zhì),因此傳播范圍較廣,以上述的兩個(gè)發(fā)送站整個(gè)覆蓋日本國(guó)內(nèi)。以下,對(duì)電波鐘130的功能性結(jié)構(gòu)詳細(xì)進(jìn)行說明。天線132接收40kHz或60kHz的長(zhǎng)波標(biāo)準(zhǔn)電波。長(zhǎng)波標(biāo)準(zhǔn)電波是將被稱作定時(shí)碼的時(shí)刻信息AM調(diào)制在40kHz或60kHz的載波的波。所接收的長(zhǎng)波標(biāo)準(zhǔn)電波由放大器133 放大,由具有多個(gè)壓電振動(dòng)器1的濾波部131濾波并調(diào)諧。 本實(shí)施方式中的壓電振動(dòng)器1,分別具備與上述載波頻率相同的40kHz及60kHz的諧振頻率的水晶振動(dòng)器部138、139。進(jìn)而,濾波后的既定頻率的信號(hào)通過檢波、整流電路134來檢波并解調(diào)。接著,經(jīng)由波形整形電路135抽出定時(shí)碼,用CPU136計(jì)數(shù)。在CPU136中,讀取當(dāng)前的年、累積日、星期、時(shí)刻等信息。被讀取的信息反映于RTC137,顯示出準(zhǔn)確的時(shí)刻信息。由于載波為40kHz或60kHz,所以水晶振動(dòng)器部138、139優(yōu)選為具有上述的音叉型結(jié)構(gòu)的振動(dòng)器。此外,雖然上述的說明以日本國(guó)內(nèi)的示例示出,但長(zhǎng)波的標(biāo)準(zhǔn)電波的頻率在海外是不同的。例如,在德國(guó)使用77. 5kHz的標(biāo)準(zhǔn)電波。從而,在將在海外也能對(duì)應(yīng)的電波鐘 130裝入便攜設(shè)備的情況下,還需要與日本的情況不同頻率的壓電振動(dòng)器1。如上所述,依據(jù)本實(shí)施方式的電波鐘130,由于具備可靠地使基底基板2與蓋基板 3陽極接合、可靠地確??涨籆內(nèi)的氣密、提高成品率的高質(zhì)量的壓電振動(dòng)器1,所以電波鐘自身也能夠同樣穩(wěn)定地確保導(dǎo)通性,并提高工作的可靠性,從而謀求高質(zhì)量化。不僅如此, 還能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定地高精度計(jì)數(shù)時(shí)刻。另外,本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式,在不脫離本發(fā)明思想的范圍內(nèi),可施加各種變更。例如,在上述實(shí)施方式中,作為壓電振動(dòng)片4的一個(gè)示例舉出振動(dòng)臂部10、11的兩面形成槽部18的帶槽的壓電振動(dòng)片4為例進(jìn)行說明,但無槽部18的類型的壓電振動(dòng)片4 也無妨。然而,由于形成槽部18,當(dāng)一對(duì)激振電極15被施加既定的電壓時(shí),能夠提高一對(duì)激振電極15之間的電場(chǎng)效率,所以能夠進(jìn)一步抑制振動(dòng)損失,從而進(jìn)一步提高振動(dòng)特性。艮口,能夠進(jìn)一步降低CI值(晶體阻抗,Crystal Impedance),能夠謀求壓電振動(dòng)片4的進(jìn)一步的高性能化。在這一點(diǎn)上,優(yōu)選形成槽部18的方式。另外,在上述實(shí)施方式中,舉出音叉型的壓電振動(dòng)片4為例進(jìn)行說明,但并不限于音叉型。例如作為間隙滑移振動(dòng)片也無妨。另外,在上述實(shí)施方式中,壓電振動(dòng)片4凸點(diǎn)接合,但并不限定于凸點(diǎn)接合。例如, 通過導(dǎo)電性粘合劑接合壓電振動(dòng)片4也無妨。然而,通過凸點(diǎn)接合,能夠使壓電振動(dòng)片4從基底基板2的上表面浮起,能夠自然地確保振動(dòng)需要最低限的振動(dòng)間隙(gap)。因此,優(yōu)選凸點(diǎn)接合。另外,在上述實(shí)施方式中,說明了在蓋基板用圓片50形成4個(gè)部位的切口 53及一個(gè)部位的貫通孔51,從5個(gè)部位施加電壓而進(jìn)行陽極接合的情況,但施加電壓的部位數(shù)也可為此外的數(shù)量。另外,也可使接合膜35在蓋基板用圓片50形成,切口 53及貫通孔51在基底基板用圓片40形成而構(gòu)成。再者,在上述實(shí)施方式中,對(duì)壓電振動(dòng)器的制造方法進(jìn)行說明,但由于能夠適用于在一對(duì)圓片間進(jìn)行陽極接合的情況,所以并不限于壓電振動(dòng)器,也能夠被其它的封裝件制品使用。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明涉及的壓電振動(dòng)器的制造方法,能夠適用于在接合的2塊基板間形成的空腔內(nèi)封裝壓電振動(dòng)片的表面安裝型(SMD)的壓電振動(dòng)器的制造方法。附圖標(biāo)記說明L···壓電振動(dòng)器;2…基底基板(第一基板);3…蓋基板(第二基板);3a···凹部 (空腔);4…壓電振動(dòng)片;35…接合膜;51…貫通孔;P…中央部;40…基底基板用圓片; 50…蓋基板用圓片;100…振蕩器;101…振蕩器的集成電路;110…便攜信息設(shè)備(電子設(shè)備);113…電子設(shè)備的計(jì)時(shí)部;130…電波鐘;131…電波鐘的濾波部;O··空腔。
權(quán)利要求
1.一種陽極接合方法,在將由絕緣體或電介質(zhì)構(gòu)成第一基板和能夠陽極接合的第二基板層疊的狀態(tài)下,對(duì)在該基板間形成的由導(dǎo)電體構(gòu)成接合膜施加電壓,從而將所述第一基板和所述第二基板接合,其特征在于在進(jìn)行所述陽極接合時(shí),從多個(gè)部位對(duì)所述接合膜施加所述電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陽極接合方法,其特征在于,從對(duì)于所述第一基板或所述第二基板的中央部在圓周方向成等分的多個(gè)部位施加所述電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陽極接合方法,其特征在于,在位于所述第一基板及所述第二基板的任一個(gè)的所述中央部形成貫通孔,對(duì)于在相應(yīng)于所述中央部的的位置形成的所述接合膜施加所述電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的陽極接合方法,其特征在于,所述第一基板及所述第二基板是玻璃基板。
5.一種封裝件的制造方法,其特征在于在所述第一基板及所述第二基板的至少任一個(gè)上形成凹狀的空腔;通過權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的陽極接合方法將所述第一基板與所述第二基板接合而一體化后,將該一體化的基板單片化從而形成多個(gè)封裝件。
6.一種壓電振動(dòng)器的制造方法,其特征在于在所述第一基板及所述第二基板的至少任一個(gè)上形成凹狀的空腔后,在該空腔內(nèi)安裝壓電振動(dòng)片;通過權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的陽極接合方法將所述第一基板和所述第二基板接合而一體化后,將該一體化的基板單片化從而形成多個(gè)壓電振動(dòng)器。
7.一種振蕩器,其特征在于,用權(quán)利要求6所述的制造方法制造的壓電振動(dòng)器作為振子與集成電路電連接。
8.一種電子設(shè)備,其特征在于,用權(quán)利要求6所述的制造方法制造的壓電振動(dòng)器與計(jì)時(shí)部電連接。
9.一種電波鐘,其特征在于,用權(quán)利要求6所述的制造方法制造的壓電振動(dòng)器與濾波電連接。
全文摘要
本發(fā)明的陽極接合方法中,在將由絕緣體或電介質(zhì)構(gòu)成的第一基板和能夠陽極接合的第二基板層疊的狀態(tài)下,對(duì)在該基板間形成的由導(dǎo)電體構(gòu)成的接合膜施加電壓,從而將所述第一基板和所述第二基板接合,在進(jìn)行所述陽極接合時(shí),從多個(gè)部位對(duì)所述接合膜施加所述電壓。
文檔編號(hào)C03C27/02GK102334285SQ200980157869
公開日2012年1月25日 申請(qǐng)日期2009年2月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月25日
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