專利名稱：帶密封材料層的玻璃構件的制造方法及電子器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及帶密封材料層的玻璃構件的制造方法及電子器件的制造方法。
背景技術：
有機EL顯示器(有機電致發(fā)光顯示器，Organic Electro-Luminescence Display :0ELD)、等離子體顯示屏(PDP)、液晶顯示裝置(IXD)等平板型顯示裝置(FPD)具有如下結構將形成有發(fā)光元件的元件用玻璃基板和密封用玻璃基板相向配置，用將這兩塊玻璃基板密封而得的玻璃封裝將發(fā)光元件密封(參照專利文獻1)。另外，對于染料敏化型太陽能電池之類的太陽能電池，也對采用以兩塊玻璃基板將太陽能電池元件(光電轉換元件)密封而得的玻璃封裝的技術方案進行了研究(參照專利文獻2)。作為對兩塊玻璃基板之間進行密封的密封材料，采用密封樹脂或密封玻璃。因為有機EL(OEL)元件等容易因水分而劣化，所以優(yōu)選采用耐濕性等良好的密封玻璃。采用密封玻璃時的密封溫度為400 600°C左右，因此用普通的加熱爐進行燒成的情況下，OEL元件等電子元件部的特性劣化。于是，嘗試在設置于兩塊玻璃基板的周邊部的密封區(qū)域之間配置包含激光吸收材料的密封用玻璃材料層，對其照射激光來加熱密封用玻璃材料層，使其熔融來進行密封(參照專利文獻1、2)。采用激光照射的密封(激光密封)可抑制熱量對電子元件部的影響，但存在密封時玻璃基板容易產(chǎn)生裂縫或破裂等的難點。采用激光密封的情況下，首先對包含激光吸收材料的密封用玻璃材料進行燒結而在密封用玻璃基板的密封區(qū)域形成密封用玻璃材料層。 接著，將密封用玻璃基板與元件用玻璃基板介以密封用玻璃材料層層疊后，從密封用玻璃基板側照射激光，將密封用玻璃材料層整體加熱而使其熔融，從而對玻璃基板之間進行密封。在密封用玻璃材料層內(nèi)激光吸收材料均勻地分散，因此照射激光時存在于密封用玻璃基板與密封用玻璃材料層的界面附近的激光吸收材料集中地吸收激光，界面附近部分局部地發(fā)熱。由于這樣的局部發(fā)熱，玻璃基板產(chǎn)生裂縫或破裂等。構成玻璃面板的玻璃基板采用無堿玻璃或鈉鈣玻璃，但鈉鈣玻璃的熱膨脹系數(shù)特別大，因此激光密封時容易產(chǎn)生裂縫或破裂等。專利文獻3中記載了如下的內(nèi)容為了加大密封層的厚度，在密封用玻璃基板上依次形成不含激光吸收材料的透明的第一密封用玻璃材料層和包含激光吸收材料的不透明的第二密封用玻璃材料層。在這里，經(jīng)過燒成工序形成第一密封用玻璃材料層后，在其上經(jīng)過另一燒成工序形成第二密封用玻璃材料層。該情況下，激光照射時不含激光吸收材料的第一密封用玻璃材料層與包含激光吸收材料的第二密封用玻璃材料層的界面附近部分容易局部地發(fā)熱。因此，兩層密封用玻璃材料層間的界面可能會發(fā)生剝離或者在界面附近部分產(chǎn)生裂縫或破裂等而使密封可靠性下降。專利文獻1 日本專利特表2006-5M419號公報
專利文獻2 日本專利特開2008-115057號公報專利文獻3 日本專利特開2007-200836號公報發(fā)明的揭示本發(fā)明的目的在于提供通過抑制激光密封時玻璃基板和密封用玻璃材料層的裂縫、破裂、剝離等而實現(xiàn)密封性及其可靠性的提高的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法及電子器件的制造方法。本發(fā)明的一種形態(tài)所涉及的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法的特征在于，包括準備具有密封區(qū)域的玻璃基板的工序；將含有第一密封用玻璃材料的第一密封材料用糊料和含有第二密封用玻璃材料的第二密封材料用糊料依次涂布于所述玻璃基板的密封區(qū)域的工序，所述第一密封用玻璃材料不含激光吸收材料，所述第二密封用玻璃材料包含激光吸收材料；對所述第一密封材料用糊料的涂布層和所述第二密封材料用糊料的涂布層的層疊膜進行燒成，在所述密封區(qū)域上形成具有所述第一密封用玻璃材料層和所述第二密封用玻璃材料層的疊層結構的密封材料層的工序。本發(fā)明的另一種形態(tài)所涉及的電子器件的制造方法的特征在于，包括準備第一玻璃基板的工序，所述第一玻璃基板具有具備電子元件的元件形成區(qū)域和設于所述元件形成區(qū)域的外周側的第一密封區(qū)域；準備第二玻璃基板的工序，所述第二玻璃基板具有與所述第一玻璃基板的第一密封區(qū)域?qū)牡诙芊鈪^(qū)域；將含有第一密封用玻璃材料的第一密封材料用糊料和含有第二密封用玻璃材料的第二密封材料用糊料依次涂布于所述第二玻璃基板的所述第二密封區(qū)域的工序，所述第一密封用玻璃材料不含激光吸收材料，所述第二密封用玻璃材料包含激光吸收材料；對所述第一密封材料用糊料的涂布層和所述第二密封材料用糊料的涂布層的層疊膜進行燒成，在所述第二密封區(qū)域上形成具有所述第一密封用玻璃材料層和所述第二密封用玻璃材料層的疊層結構的密封材料層的工序；在所述元件形成區(qū)域上形成間隙的同時，介以所述密封材料層層疊所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板的工序；透過所述第二玻璃基板從所述第一密封用玻璃材料層側對所述密封材料層照射激光，至少使所述第二密封用玻璃材料層熔融而形成將所述第一玻璃基板與所述第二玻璃基板之間密封的密封層的工序。如果采用本發(fā)明的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法及電子器件的制造方法， 則第一密封用玻璃材料層與第二密封用玻璃材料層的界面結構得到改善，因此激光照射時界面附近的局部發(fā)熱受到抑制。藉此，可抑制對兩塊玻璃基板之間進行激光密封時玻璃基板和密封用玻璃材料層的裂縫、破裂、剝離等。附圖的簡單說明

圖1是表示本發(fā)明的實施方式的電子器件的制造工序的剖視圖。圖2是表示圖1所示的電子器件的制造工序中使用的第一玻璃基板的俯視圖。圖3是沿圖2的A-A線的剖視圖。圖4是表示圖1所示的電子器件的制造工序中使用的第二玻璃基板的俯視圖。圖5是沿圖4的A-A線的剖視圖。圖6是表示圖1所示的電子器件的制造工序中在第二玻璃基板上形成密封材料層的過程的俯視圖。實施發(fā)明的方式
以下，參照附圖對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。圖1 圖6是表示本發(fā)明的實施方式的電子器件的制造工序的圖。在這里，作為采用本發(fā)明的實施方式的制造方法的電子器件，可例舉0ELD、PDP、IXD等FPD，使用OEL元件等發(fā)光元件的照明裝置，或者染料敏化型太陽能電池之類的密封型太陽能電池。如圖1(a)所示，準備第一玻璃基板1和第二玻璃基板2。如圖2和圖3所示，第一玻璃基板1具有具備電子元件的元件形成區(qū)域la。在元件形成區(qū)域Ia形成有與電子器件相對應的電子元件，例如OELD或OEL照明時的OEL元件、PDP時的等離子體發(fā)光元件、LCD 時的液晶顯示元件或太陽能電池時的染料敏化型光電轉換部等。OEL元件等發(fā)光元件和染料敏化型光電轉換部等太陽能電池元件具備各種公知的結構。第一玻璃基板1具有設于元件形成區(qū)域Ia的外周側的第一密封區(qū)域lb。第一密封區(qū)域Ib設置成包圍元件形成區(qū)域la。另一方面，如圖4和圖5所示，第二玻璃基板2具有第二密封區(qū)域加。第二密封區(qū)域加與第一密封區(qū)域Ib對應。即，將第一玻璃基板1與第二玻璃基板2相向配置時，設定為第一密封區(qū)域Ib與第二密封區(qū)域加相對，如后所述成為密封層的形成區(qū)域(對于第二玻璃基板2為密封材料層的形成區(qū)域)。第一玻璃基板1和第二玻璃基板2由例如無堿玻璃和鈉鈣玻璃等構成。無堿玻璃具有35 40X 10_7°C左右的熱膨脹系數(shù)。鈉鈣玻璃具有85 90X 10_7°C左右的熱膨脹系數(shù)。如圖4和圖5所示，在第二玻璃基板2的密封區(qū)域加形成有二層結構的密封材料層3。密封材料層3具有不含激光吸收材料的第一密封用玻璃材料層4和包含激光吸收材料的第二密封用玻璃材料層5的疊層結構。在第二密封區(qū)域加上形成有不含激光吸收材料的第一密封用玻璃材料層4，在其上形成有包含激光吸收材料的第二密封用玻璃材料層 5。如后文所詳述，對于密封材料層3的激光照射隔著第二玻璃基板2實施。如果隔著第二玻璃基板2對密封材料層3照射激光，則由于與第二玻璃基板2形成界面的第一密封用玻璃材料層4不含激光吸收材料，因此激光透射該層而到達配置于第一玻璃基板1側的第二密封用玻璃材料層5。由于第二密封用玻璃材料層5包含激光吸收材料，因此激光被第二密封用玻璃材料層5吸收而發(fā)熱。激光被第二密封用玻璃材料層5選擇性地吸收，因此可以選擇性地加熱配置于第一玻璃基板1側的第二密封用玻璃材料層5而使其熔融。因此，第一玻璃基板1與密封材料層3的界面附近部分不會被局部地加熱而發(fā)熱，可以抑制玻璃基板2的裂縫和破裂等。由于第一密封用玻璃材料層4固著于第二玻璃基板2，因此通過至少使第二密封用玻璃材料層5熔融，可以很好地對第一玻璃基板1與第二玻璃基板2之間進行密封。密封材料層3的厚度根據(jù)第一玻璃基板1與第二玻璃基板2所要求的間隙而適當設定。該實施方式的制造工序在需要使密封材料層3的厚度在10 μ m以上的情況下特別有效。即使在對具有這樣的厚度的密封材料層3照射激光來進行密封的情況下，通過采用具有不含激光吸收材料的第一密封用玻璃材料層4和包含激光吸收材料的第二密封用玻璃材料層5的疊層結構的密封材料層3，也可以獲得良好的氣密密封性，而且抑制玻璃基板1、 2的裂縫和破裂以及密封層的剝離和破裂等所導致的缺陷產(chǎn)生。第一密封用玻璃材料是在作為主要成分的密封玻璃中摻入有低膨脹填充材料等的材料。第二密封用玻璃材料是在作為主要成分的密封玻璃中摻入有低膨脹填充材料等以及激光吸收材料的材料。作為第一密封用玻璃材料和第二密封用玻璃材料的主要成分的密封玻璃(玻璃料)采用例如錫-磷酸類玻璃、鉍類玻璃、釩類玻璃、鉛類玻璃等低熔點玻璃。 其中，考慮到對玻璃基板1、2的密封性(接合性)及其可靠性(接合可靠性和密閉性)以及對環(huán)境和人體的影響等，優(yōu)選使用由錫-磷酸類玻璃或鉍類玻璃形成的密封玻璃。錫-磷酸類玻璃(玻璃料)較好是具有20 68質(zhì)量％的Sn0、0. 5 5質(zhì)量％的 SnO2及20 40質(zhì)量％的P2O5 (將總量設為100質(zhì)量％ )的組成。SnO是用于使玻璃的熔點降低的成分。SnO的含量如果低于20質(zhì)量％，則玻璃的粘性升高，密封溫度過高，如果高于68質(zhì)量％，則無法玻璃化。SnO2是用于使玻璃穩(wěn)定化的成分。SnO2的含量如果低于0. 5質(zhì)量％，則密封操作時軟化熔融的玻璃中有SnO2分離析出，流動性受損，密封操作性下降。SnO2的含量如果高于 5質(zhì)量％，則容易從低熔點玻璃的熔融過程中析出Sn02。P2O5是用于形成玻璃骨架的成分。 P2O5的含量如果低于20質(zhì)量％，則無法玻璃化，其含量如果高于40質(zhì)量％，則可能會導致作為磷酸鹽玻璃所特有的缺點的耐候性的劣化。由上述3種成分形成的玻璃的玻璃化溫度低，適合用作低溫用的密封材料，但也可以含有 SiA 等形成玻璃骨架的成分和 aiO、B203、A1203、W03> Mo03、Nb2O5, TiO2, ZrO2, Li2O, Na2O, K2O, Cs2O, MgO, CaO, SrO, BaO等使玻璃穩(wěn)定化的成分等作為任意成分。但是，如果任意成分的含量過多，則可能會導致玻璃變得不穩(wěn)定而發(fā)生失透，或者玻璃化溫度和軟化點升高，因此任意成分的總含量較好是在30質(zhì)量％以下。鉍類玻璃(玻璃料)較好是具有70 90質(zhì)量％的Bi203、1 20質(zhì)量％的ZnO及 2 12質(zhì)量％的氏03(將總量設為100質(zhì)量％)的組成。Bi2O3是形成玻璃的網(wǎng)絡的成分。 Bi2O3的含量如果低于70質(zhì)量％，則低熔點玻璃的軟化點升高，難以在低溫下密封。Bi2O3的含量如果高于90質(zhì)量％，則難以玻璃化，并且有熱膨脹系數(shù)過高的傾向。ZnO是降低熱膨脹系數(shù)等的成分。ZnO的含量如果低于1質(zhì)量％，則難以玻璃化。 ZnO的含量如果高于20質(zhì)量％，則低熔點玻璃成形時的穩(wěn)定性下降，容易發(fā)生失透。B2O3是形成玻璃骨架并擴大可玻璃化的范圍的成分?；?3的含量如果低于2質(zhì)量％，則難以玻璃化，如果高于12質(zhì)量％，則軟化點過高，密封時即使施加負荷也難以在低溫下密封。由上述3種成分形成的玻璃的玻璃化溫度低，適合用作低溫用的密封材料，但也可以含有 A1203、CeO2> Si02、Ag20、MoO3> Nb2O3> Ta2O5^ Ga2O3> Sb203> Li20、Na20、K2O> Cs20、CaO> Sr0、Ba0、W03、P205、Sn0x(X為1或2)等任意成分。但是，如果任意成分的含量過多，則可能會導致玻璃變得不穩(wěn)定而發(fā)生失透，或者玻璃化溫度和軟化點升高，因此任意成分的總含量較好是在30質(zhì)量％以下。第一密封用玻璃材料和第二密封用玻璃材料較好是包含低膨脹填充材料。作為低膨脹填充材料，較好是使用選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鋯、硅酸鋯、堇青石、磷酸鋯類化合物、鈉鈣玻璃、硼硅酸鹽玻璃的至少1種材料。作為磷酸鋯類化合物，可例舉(&0)2Ρ207、 AZr2 (PO4) 3 (Α 是選自 Na、K 和 Ca 的至少 1 種)、NbZr2 (PO4) 3、Zr2 (WO3) (PO4)2、它們的復合化合物。在這里，低膨脹填充材料是指具有比作為密封用玻璃材料的主要成分的密封玻璃低的熱膨脹系數(shù)的材料，使密封用玻璃材料的熱膨脹系數(shù)下降。低膨脹填充材料的含量以使得密封玻璃的熱膨脹系數(shù)接近于玻璃基板1、2的熱膨脹系數(shù)的條件適當設定。低膨脹填充材料的含量也取決于密封玻璃和玻璃基板1、2的熱膨脹系數(shù)，相對于密封用玻璃材料較好是在3 50質(zhì)量％的范圍內(nèi)。用無堿玻璃(熱膨脹系數(shù)35 40X10_7°C)形成玻璃基板1、2的情況下，優(yōu)選添加較多量(例如30 50質(zhì)量％的范圍)的低膨脹填充材料。用鈉鈣玻璃(熱膨脹系數(shù)85 90 X 10—7°C)形成玻璃基板1、2的情況下，優(yōu)選添加較少量(例如3 40質(zhì)量％的范圍)的低膨脹填充材料。第二密封用玻璃材料包含激光吸收材料。作為激光吸收材料，可使用選自Fe、Cr、 MnXo,Ni和Cu的至少1種金屬或包含所述金屬的氧化物等化合物。激光吸收材料的含量相對于密封用玻璃材料較好是在0. 1 10質(zhì)量％的范圍內(nèi)，更好是在2 6質(zhì)量％的范圍內(nèi)。激光吸收材料的含量如果低于0. 1質(zhì)量％，則可能無法使第二密封用玻璃材料層5充分熔融。激光吸收材料的含量如果高于10質(zhì)量％，則可能會在與第一密封用玻璃材料層4 的界面附近局部發(fā)熱，還可能導致第二密封用玻璃材料的熔融時的流動性劣化而使與第一玻璃基板1的粘接性下降。二層結構的密封材料層3如下所述形成。參照圖6對密封材料層3的形成工序進行說明。圖6是表示本發(fā)明的帶密封材料層的玻璃構件的實施方式的圖。首先，將第一密封用玻璃材料和第二密封用玻璃材料分別與載體(vehicle)混合來制備第一密封材料用糊料和第二密封材料用糊料。作為載體，可使用例如將甲基纖維素、乙基纖維素、羧甲基纖維素、乙氧基纖維素、 芐基纖維素、丙基纖維素、硝基纖維素等溶解于萜品醇、丁基卡必醇乙酸酯、乙基卡必醇乙酸酯等溶劑而得的載體，或者將(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸-2-羥基乙酯等丙烯酸類樹脂溶解于甲基乙基酮、萜品醇、丁基卡必醇乙酸酯、乙基卡必醇乙酸酯等溶劑而得的載體。密封材料用糊料的粘度只要與適應于將其涂布于玻璃基板2的裝置的粘度一致即可，可通過樹脂(粘合劑成分)與溶劑的比例或者密封用玻璃材料與載體的比例來調(diào)整。 密封材料用糊料中可以添加消泡劑和分散劑之類的玻璃糊料領域中公知的添加物。密封材料用糊料的制備可采用使用具備攪拌葉片的旋轉式混合機或輥式粉碎機、球磨機等的公知的方法。首先，如圖6 (a)所示，在第二玻璃基板2的密封區(qū)域加涂布含有不含激光吸收材料的第一密封用玻璃材料的第一密封材料用糊料并使其干燥，從而形成第一涂布層11。接著，如圖6(b)所示，在燒成前的第一涂布層11上涂布含有包含激光吸收材料的第二密封用玻璃材料的第二密封材料用糊料并使其干燥，從而形成第二涂布層12。由此，形成第一涂布層11和第二涂布層12的層疊膜13。在第二涂布層12內(nèi)，基于包含激光吸收材料的第二密封用玻璃材料，分散有激光吸收材料14。第一密封材料用糊料和第二密封材料用糊料例如采用絲網(wǎng)印刷或凹版印刷等印刷法涂布于第二密封區(qū)域加上，或者采用分配器等沿第二密封區(qū)域加涂布。第一涂布層 11和第二涂布層12例如在120°C以上的溫度下干燥5分鐘以上。干燥工序是為了除去涂布層11、12內(nèi)的溶劑而實施的工序。如果涂布層11、12內(nèi)殘留有溶劑，則之后的燒成工序中可能會無法充分除去粘合劑成分。第一涂布層11和第二涂布層12的厚度可根據(jù)密封材料層3的厚度適當設定。但是，如果第二涂布層12及基于其的第二密封用玻璃材料層5的厚度過小，則對于第一玻璃基板1的接合性可能會下降，因此第二涂布層12的厚度較好是在5 μ m以上。第一涂布層11 及基于其的第一密封用玻璃材料層4的厚度根據(jù)密封材料層3的厚度和第二涂布層12的厚度適當設定。第一涂布層11和第二涂布層12的厚度較好是10 200 μ m,更好是20 80 μ m0接著，如圖6(c)所示，對第一涂布層11和第二涂布層12的層疊膜13進行燒成， 從而形成具有第一密封用玻璃材料層4和第二密封用玻璃材料層5的疊層結構的密封材料層3。層疊膜13的燒成工序如下先將層疊膜13加熱至作為密封用玻璃材料的主要成分的密封玻璃(玻璃料)的玻璃化溫度以下的溫度，將涂布層11、12內(nèi)的粘合劑成分除去后加熱至密封玻璃(玻璃料)的軟化點以上的溫度，將密封用玻璃材料熔融并使其燒結附著于玻璃基板2。燒結附著的條件根據(jù)所用的密封材料而不同，采用鉍類玻璃時，層疊膜13的燒成溫度較好是420 520°C，更好是450 470°C。采用錫-磷酸類玻璃時，層疊膜13的燒成溫度較好是400 500°C，更好是420 440°C。此外，層疊膜13的燒成時間對于鉍類玻璃、錫-磷酸類玻璃均較好是5 60分鐘，更好是8 15分鐘。上述的涂布層11、12的形成工序(糊料的涂布工序)和密封材料層3的形成工序 (層疊膜13的燒成工序)中，第二涂布層12中的激光吸收材料14的一部分在層疊膜13的階段沉降至第一涂布層11側。在第一涂布層11和第二涂布層12的層疊膜13的燒成階段， 存在于第二涂布層12中的激光吸收材料14也會擴散至第一涂布層11。因此，在將第一涂布層11和第二涂布層12的層疊膜13燒成而形成的密封材料層3中，不僅在第二密封用玻璃材料層5內(nèi)，在第一密封用玻璃材料層4內(nèi)也存在激光吸收材料14。第一密封用玻璃材料層4內(nèi)的激光吸收材料14源于來自第二密封用玻璃材料層5 的擴散，因此存在于第一密封用玻璃材料層4與第二密封用玻璃材料層5的界面附近。另一方面，第二密封用玻璃材料層5內(nèi)的激光吸收材料14的一部分介以界面擴散至第一密封用玻璃材料層4側，因此界面附近的激光吸收材料14的濃度下降。由此，可以獲得使激光吸收材料14具有了濃度梯度的疊層結構(二層結構)的密封材料層3。密封材料層3的厚度較好是6 120 μ m,更好是15 65 μ m。在這里，如果在將不含激光吸收材料的密封材料用糊料的涂布層燒成后實施包含激光吸收材料的密封材料用糊料的涂布、燒成，則無法使激光吸收材料介以層疊界面擴散， 形成不含激光吸收材料的密封用玻璃材料層(4)和包含激光吸收材料的密封用玻璃材料層( 分離的狀態(tài)。這樣的情況下，照射激光時層疊界面附近局部發(fā)熱，因此發(fā)生界面剝離，或者因兩層之間產(chǎn)生的殘留應力而變得容易產(chǎn)生剝離和裂縫。如果采用基于該實施方式的密封材料層3的形成工序，則由于介以第一密封用玻璃材料層4與第二密封用玻璃材料層5的界面使激光吸收材料14具有濃度梯度，因此可以防止對密封材料層3照射激光時的界面附近的局部發(fā)熱。藉此，兩層之間的熱應力得到緩和，因此可以抑制自界面的剝離和界面附近的開裂等。即，可以在照射激光時使密封材料層 3很好地熔融，且在熔融后的急冷過程中也不會產(chǎn)生界面剝離和裂縫等，從而獲得完整的密封層(密封材料層3的熔融固化層)。在促進介以第一密封用玻璃材料層4與第二密封用玻璃材料層5的界面的激光吸收材料14的擴散方面，第二涂布層12較好是形成于表面經(jīng)過粗糙化的第一涂布層11上。 通過在表面經(jīng)過粗糙化的第一涂布層11上涂布包含激光吸收材料14的第二密封材料用糊料，可以擴大燒成后的第一密封用玻璃材料層4與第二密封用玻璃材料層5的界面附近的激光吸收材料14的分布，由此可以增大第一密封用玻璃材料層4內(nèi)的激光吸收材料14的濃度以及密封材料層3的激光吸收材料14的濃度梯度。第一涂布層11的表面可通過采用以下的方法來實現(xiàn)粗糙化例如第一密封材料用糊料使用低沸點的溶劑、減少第一密封材料用糊料的溶劑量、將涂布第一密封材料用糊料時的目數(shù)加粗、縮短涂布第一密封材料用糊料后的整平處理(涂布糊料后使表面平滑化的處理)的時間、提高第一密封材料用糊料的干燥速度(例如提高干燥溫度、提高干燥效率)等。第二涂布層12的表面粗糙度以Ra(使用東京精密株式會社(東京精密社)制表面粗糙度測定器(寸一7 二 A ))計較好是在0.2μπι以上，更好是0. M 0.60 μ m。另外，雖然在這里將密封材料用糊料的涂布層采用二層層疊膜，但也可以采用例如具有激光吸收材料14的濃度不同的三層以上的涂布層的層疊膜。該情況下，涂布以激光吸收材料的濃度朝不含激光吸收材料的第一涂布層11降低的條件調(diào)整了激光吸收材料的含量的多種密封材料用糊料，形成包含激光吸收材料的多層涂布層(1 。通過采用這樣的涂布結構，可以使激光吸收材料14的濃度梯度進一步增大。使用上述的具有密封材料層3的第二玻璃基板2和另行制造的具有具備電子元件的元件形成區(qū)域Ia的第一玻璃基板1來制造OELD、PDP、IXD等FPD，使用OEL元件的照明裝置，染料敏化型太陽能電池之類的太陽能電池等電子器件。即，如圖1(b)所示，層疊第一玻璃基板1和第二玻璃基板2，使得具有元件形成區(qū)域Ia的面與具有密封材料層3的面相向。在第一玻璃基板1的元件形成區(qū)域Ia上基于密封材料層3的厚度而形成間隙。接著，如圖1(c)所示，透過第二玻璃基板2對密封材料層3照射激光15。激光15 沿著框狀的密封材料層3 —邊掃描一邊照射。激光15沒有限定，可使用來自半導體激光器、二氧化碳激光器、準分子激光器、YAG激光器、HeNe激光器等的激光。激光15的輸出功率根據(jù)密封材料層3的厚度等適當設定，例如較好是在2 150W的范圍內(nèi)。如果激光輸出功率低于2W，則可能會無法使密封材料層3熔融，而如果高于150W，則玻璃基板1、2容易產(chǎn)生裂縫或破裂等。激光輸出功率更好是在5 100W的范圍內(nèi)。與第二玻璃基板2形成界面的第一密封用玻璃材料層4不含激光吸收材料，因此激光15選擇性地被包含激光吸收材料的第二密封用玻璃材料層5吸收。因此，第二密封用玻璃材料層5被選擇性地加熱而熔融后，該層被急冷而與第一玻璃基板1接合。第一密封用玻璃材料層4因來自第二密封用玻璃材料層5的傳導熱和輻射熱等而被加熱?？梢曰谶@樣的加熱將第一密封用玻璃材料層4的一部分或全部熔融，或者也可以僅使第二密封用玻璃材料層5熔融。然后，通過對密封材料層3的整周照射激光15，從而如圖1(d)所示形成將第一玻璃基板1和第二玻璃基板2之間密封的密封層16。由此，制成將形成于元件形成區(qū)域Ia的電子元件以由第一玻璃基板1、第二玻璃基板2、密封層16構成的玻璃面板氣密密封而得的電子器件17。將內(nèi)部氣密密封的玻璃面板不限于電子器件17，也可應用于電子元器件的密封體(封裝)或真空雙重玻璃對之類的玻璃構件(建材等)。該實施方式的電子器件17的制造工序中，以不含激光吸收材料的第一密封用玻璃材料層4和包含激光吸收材料的第二密封用玻璃材料層5形成密封材料層3，因此不會發(fā)生照射激光15時第一玻璃基板1與密封材料層3的界面附近部分被局部地加熱而發(fā)熱的情況。另外，通過對第一涂布層11和第二涂布層12的層疊膜13進行燒成，介以第一密封用玻璃材料層4與第二密封用玻璃材料層5的界面使激光吸收材料14具有濃度梯度，因此可以防止照射激光15時的密封材料層3內(nèi)的局部發(fā)熱。由此，不僅可以抑制基于第一玻璃基板1與密封材料層3的界面附近部分的局部發(fā)熱的玻璃基板2的裂縫和破裂，而且可以抑制基于密封材料層3內(nèi)的局部發(fā)熱的自第一密封用玻璃材料層4與第二密封用玻璃材料層5的界面的剝離以及密封用玻璃材料層4、 5之間的殘留應力導致的剝離和裂縫等。因此，可以在照射激光時使密封材料層3很好地熔融，且在熔融后的急冷過程中也不會產(chǎn)生裂縫和界面剝離等，從而獲得完整的密封層16。 即，能夠以高成品率制造以氣密狀態(tài)將第一玻璃基板1和第二玻璃基板2之間密封的電子器件17。
實施例接著，對本發(fā)明的具體實施例及其評價結果進行描述。以下的說明不對本發(fā)明進行限定，能以符合本發(fā)明的技術思想的形式進行改變。(實施例1)首先，準備以下的材料以質(zhì)量比計具有Sn063. 0 %、Sn022 . 0 %、P20529. 5 %、 Zn05.0%, SiO2O. 5%的組成且平均粒徑為3μπι的錫-磷酸類玻璃料(軟化點401°C )， 作為低膨脹填充材料的平均粒徑為3μπι的磷酸鋯(GrO)2P2O7)粉末，以質(zhì)量比計具有 Fe20335%> Cr20335%, Co20320%, MnOlO%的組成且平均粒徑為2 μ m的激光吸收材料。另外，將4質(zhì)量％的作為粘合劑成分的硝基纖維素溶解于96質(zhì)量％的由丁基卡必醇乙酸酯形成的溶劑中而制成載體。將53質(zhì)量％的錫-磷酸類玻璃料和47質(zhì)量％的磷酸鋯粉末混合?；旌衔锏臒崤蛎浵禂?shù)為45X10_7°C。將80質(zhì)量％的玻璃料與低膨脹填充材料的混合物(第一密封用玻璃材料)與20質(zhì)量％的載體混合，制成第一密封材料用糊料。接著，相對于100質(zhì)量份的玻璃料與低膨脹填充材料的混合物，以4質(zhì)量份的比例(相對于密封用玻璃材料的比例為 3. 8質(zhì)量％ )混合激光吸收材料，將80質(zhì)量％的該混合物(第二密封用玻璃材料)與20質(zhì)量％的載體混合，制成第二密封材料用糊料。接著，在由無堿玻璃(熱膨脹系數(shù)38X10_7°C)形成的第二玻璃基板(尺寸 90X90X0. 7mmt)的外周區(qū)域通過絲網(wǎng)印刷法涂布不含激光吸收材料的第一密封材料用糊料(線寬1mm)。將第一涂布層放置1分鐘進行整平處理后，以130°C X 5分鐘的條件干燥。 還有，標準的整平處理的時間(至印刷痕跡消失為止的時間)為5分鐘左右。在干燥后的第一涂布層上通過絲網(wǎng)印刷法涂布包含激光吸收材料的第二密封材料用糊料。第二涂布層以130°C X 5分鐘的條件干燥。第一涂布層的干燥后的膜厚為17 μ m， 涂布第二密封材料用涂料后的涂布層的干燥后的膜厚(總膜厚)為35μπι。對這些涂布層的層疊膜以430°C X 10分鐘的條件進行燒成，從而形成膜厚為31 μ m的密封材料層。將具有上述的密封材料層的第二玻璃基板與具有元件形成區(qū)域(形成有OEL元件的區(qū)域)的由無堿玻璃(熱膨脹系數(shù)38X10_7°C)形成的第一玻璃基板層疊。接著，透過第二玻璃基板以10mm/S的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率30W的激光 (半導體激光器)，至少將第二密封用玻璃材料層熔融并急冷固化，從而將第一玻璃基板和
11第二玻璃基板密封。由此將元件形成區(qū)域以玻璃面板密封而得的電子器件供于后述的特性評價。(實施例2)除了低膨脹填充材料采用平均粒徑為7 μ m的磷酸鋯粉末且激光吸收材料相對于 100質(zhì)量份第二密封用玻璃材料的玻璃料與低膨脹填充材料的混合物的摻合比例設為2質(zhì)量份(相對于密封用玻璃材料的比例為1. 96質(zhì)量％ )以外，與實施例1同樣地制成第一密封材料用糊料和第二密封材料用糊料。接著，在與實施例1同樣的第二玻璃基板的外周區(qū)域通過絲網(wǎng)印刷法涂布第一密封材料用糊料。對第一涂布層實施5分鐘(標準時間)的整平處理后，以150°C X 5分鐘的條件干燥。接著，與實施例1同樣地進行第二密封材料用糊料的涂布、干燥后，以430°C X 10 分鐘的條件進行燒成而形成密封材料層。第一涂布層的膜厚(干燥后)為34 μ m，涂布第二密封材料用糊料后的總膜厚(干燥后)為70μπι。將這些涂布層的層疊膜燒成而形成的密封材料層的膜厚為63 μ m。將具有密封材料層的第二玻璃基板與具有元件形成區(qū)域(形成有OEL元件的區(qū)域)的由無堿玻璃(熱膨脹系數(shù)38X10_7°C )形成的第一玻璃基板層疊。接著，透過第二玻璃基板以10mm/S的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率25W的激光(半導體激光器)，至少將第二密封用玻璃材料層熔融并急冷固化，從而將第一玻璃基板和第二玻璃基板密封。由此將元件形成區(qū)域以玻璃面板密封而得的電子器件供于后述的特性評價。(實施例3)除了使錫-磷酸類玻璃料的組成以質(zhì)量比計為Sn063. 3 Sn022 . 3 P2O5Sl. 2%, Zn03.0%, SiO2O. 2 %以外，與實施例1同樣地制成第一密封材料用糊料和第二密封材料用糊料。還有，錫-磷酸類玻璃料與磷酸鋯粉末的混合物的熱膨脹系數(shù)為 45X1(T7,C。接著，在與實施例1同樣的第二玻璃基板的外周區(qū)域通過絲網(wǎng)印刷法涂布第一密封材料用糊料。對第一涂布層實施1分鐘(標準時間)的整平處理后，以150°C X5分鐘的條件干燥。接著，與實施例1同樣地進行第二密封材料用糊料的涂布、干燥后，以430°C X 10 分鐘的條件進行燒成而形成密封材料層。第一涂布層的膜厚(干燥后)為17μπι，涂布第二密封材料用糊料后的總膜厚(干燥后)為35μπι。將這些涂布層的層疊膜燒成而形成的密封材料層的膜厚為31 μ m。將具有密封材料層的第二玻璃基板與具有元件形成區(qū)域(形成有OEL元件的區(qū)域)的由無堿玻璃(熱膨脹系數(shù)38X10_7°C )形成的第一玻璃基板層疊。接著，透過第二玻璃基板以lOmm/s的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率25W的激光(半導體激光器)，至少將第二密封用玻璃材料層熔融并急冷固化，從而將第一玻璃基板和第二玻璃基板密封。由此將元件形成區(qū)域以玻璃面板密封而得的電子器件供于后述的特性評價。(實施例4)準備以下的材料以質(zhì)量比計具有Bi20382. 0%,B2036. 5%,ZnOl 1. OAl2O3O. 5% 的組成且平均粒徑為2 μ m的鉍類玻璃料(軟化點420°C )，作為低膨脹填充材料的平均粒徑為Iym的堇青石粉末，具有與實施例1相同的組成和平均粒徑的激光吸收材料。另外， 將3質(zhì)量％的作為粘合劑成分的乙基纖維素溶解于97質(zhì)量％的萜品醇08.5%)和丁基卡必醇乙酸酯(51. 5% )的混合溶劑中而制成載體。將92質(zhì)量％的鉍類玻璃料與8質(zhì)量％的堇青石粉末混合?；旌衔锏臒崤蛎浵禂?shù)為82 X IO-V0C。將84質(zhì)量％的玻璃料與低膨脹填充材料的混合物(第一密封用玻璃材料) 與16質(zhì)量％的載體混合，制成第一密封材料用糊料。接著，相對于100質(zhì)量份的玻璃料與低膨脹填充材料的混合物，以3質(zhì)量份的比例(相對于密封用玻璃材料的比例為2. 9質(zhì)量％ ) 混合激光吸收材料，將84質(zhì)量％的該混合物(第二密封用玻璃材料)與16質(zhì)量％的載體混合，制成第二密封材料用糊料。接著，在由鈉鈣玻璃(熱膨脹系數(shù)87X10_7°C)形成的第二玻璃基板(尺寸 100X100X0. 55mmt)的外周區(qū)域通過絲網(wǎng)印刷法涂布不含激光吸收材料的第一密封材料用糊料。對第一涂布層實施1分鐘的整平處理后，以130°C X 5分鐘的條件干燥。在干燥后的第一涂布層上通過絲網(wǎng)印刷法涂布包含激光吸收材料的第二密封材料用糊料。第二涂布層以130°C X5分鐘的條件干燥。第一涂布層的膜厚(干燥后)為13μπι，涂布第二密封材料用糊料后的總膜厚(干燥后)為^^111。對這些涂布層的層疊膜以460°C X 10分鐘的條件進行燒成，從而形成膜厚為22 μ m的密封材料層。將具有密封材料層的第二玻璃基板與具有元件形成區(qū)域(形成有OEL元件的區(qū)域)的由鈉鈣玻璃(熱膨脹系數(shù)87X10_7°C )形成的第一玻璃基板層疊。接著，透過第二玻璃基板以2mm/s的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率35W的激光(半導體激光器)，至少將第二密封用玻璃材料層熔融并急冷固化，從而將第一玻璃基板和第二玻璃基板密封。由此將元件形成區(qū)域以玻璃面板密封而得的電子器件供于后述的特性評價。(實施例5)除了激光吸收材料相對于100質(zhì)量份第二密封用玻璃材料的玻璃料與低膨脹填充材料的混合物的添加比例設為6質(zhì)量份(材料中的比例為5. 7質(zhì)量％ )以外，與實施例 4同樣地制成第一密封材料用糊料和第二密封材料用糊料。在與實施例4同樣的第二玻璃基板的外周區(qū)域通過絲網(wǎng)印刷法涂布第一密封材料用糊料，實施5分鐘的整平處理后，以 150°C X 5分鐘的條件干燥。接著，與實施例4同樣地進行第二密封材料用糊料的涂布、干燥后，以460°C X 10分鐘的條件進行燒成而形成密封材料層。第一涂布層的膜厚(干燥后) 為13 μ m，涂布第二密封材料用糊料后的總膜厚(干燥后)為27μπι。將涂布層的層疊膜燒成而形成的密封材料層的膜厚為19 μ m。將具有密封材料層的第二玻璃基板與具有元件形成區(qū)域(形成有OEL元件的區(qū)域)的第一玻璃基板層疊。接著，透過第二玻璃基板以5mm/s的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率55W的激光(半導體激光器)，至少將第二密封用玻璃材料層熔融并急冷固化，從而將第一玻璃基板和第二玻璃基板密封。由此將元件形成區(qū)域以玻璃面板密封而得的電子器件供于后述的特性評價。(實施例6)除了低膨脹填充材料采用平均粒徑為4 μ m的堇青石粉末且激光吸收材料相對于 100質(zhì)量份第二密封用玻璃材料的玻璃料與低膨脹填充材料的混合物的添加比例設為6質(zhì)量份(相對于密封用玻璃材料的比例為5. 7質(zhì)量％ )以外，與實施例4同樣地制成第一密封材料用糊料和第二密封材料用糊料。將這些密封材料用糊料與實施例4同樣地依次涂布于第二玻璃基板的外周區(qū)域后，以460°C X 10分鐘的條件燒成而形成密封材料層。第一涂布層的膜厚(干燥后)為13 μ m，涂布第二密封材料用糊料后的總膜厚(干燥后)為27μπι。 將涂布層的層疊膜燒成而形成的密封材料層的膜厚為19 μ m。將具有密封材料層的第二玻璃基板與具有元件形成區(qū)域(形成有OEL元件的區(qū)域)的第一玻璃基板層疊。接著，透過第二玻璃基板以lOmm/s的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率80W的激光(半導體激光器)，至少將第二密封用玻璃材料層熔融并急冷固化，從而將第一玻璃基板和第二玻璃基板密封。由此將元件形成區(qū)域以玻璃面板密封而得的電子器件供于后述的特性評價。(比較例1)僅將實施例4中的第一密封材料用糊料涂布于第二玻璃基板(鈉鈣玻璃)的外周區(qū)域后，以460°C X 10分鐘的條件燒成而形成密封材料層。涂布層的干燥后的膜厚為 27 μ m0將該涂布層燒成而形成的密封材料層的膜厚為21 μ m。接著，將由鈉鈣玻璃(熱膨脹系數(shù)87X10_7°C )形成的第一玻璃基板與第二玻璃基板層疊后，透過第二玻璃基板以 5mm/s的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率55W的激光，將密封材料層熔融并急冷固化，從而對第一玻璃基板和第二玻璃基板進行密封處理。將這樣制成的電子器件用于后述的特性評價。(比較例2)除了將照射密封材料層的激光的輸出功率改為IOOW以外，與比較例1同樣地對由鈉鈣玻璃(熱膨脹系數(shù)87X10_7°C)形成的第一玻璃基板與第二玻璃基板進行密封處理。 將這樣制成的電子器件用于后述的特性評價。(比較例3)僅將實施例4中的第二密封材料用糊料(其中，激光吸收材料相對于100質(zhì)量份的玻璃料與低膨脹填充材料的混合物的添加比例為2質(zhì)量份)涂布于第二玻璃基板(鈉鈣玻璃)的外周區(qū)域后，以460°C X 10分鐘的條件燒成而形成密封材料層。涂布層的干燥后的膜厚為^^111。將該涂布層燒成而形成的密封材料層的膜厚為19μπι。接著，將由鈉鈣玻璃(熱膨脹系數(shù)87X10_7°C)形成的第一玻璃基板與第二玻璃基板層疊后，透過第二玻璃基板以lOmm/s的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率55W的激光，將密封材料層熔融并急冷固化，從而對第一玻璃基板和第二玻璃基板進行密封處理。將這樣制成的電子器件用于后述的特性評價。(比較例4)除了將照射密封材料層的激光的輸出功率改為IOOW以外，與比較例3同樣地對第一玻璃基板與第二玻璃基板進行密封。將這樣制成的電子器件用于后述的特性評價。(比較例5)首先，將實施例4中的第一密封材料用糊料涂布(涂布厚度13μπι)于第二玻璃基板(鈉鈣玻璃)的外周區(qū)域后，以460°C X 10分鐘的條件進行燒成。接著，將實施例4中的第二密封材料用糊料涂布(涂布厚度 μ m)于第一燒成層上后，以460°C X 10分鐘的條件進行燒成。經(jīng)2次燒成工序而形成的密封材料層的膜厚為20 μ m。接著，將由鈉鈣玻璃 (熱膨脹系數(shù)87X10_7°C)形成的第一玻璃基板與第二玻璃基板層疊后，透過第二玻璃基板以10mm/S的掃描速度對密封材料層照射波長940nm、輸出功率120W的激光，將密封材料層熔融并急冷固化，從而對第一玻璃基板和第二玻璃基板進行密封。將這樣制成的電子器件用于后述的特性評價。上述的實施例1 6的玻璃面板的制造工序中，對第一涂布層的表面粗糙度進行了測定，如表1所示，確認均以Ra計具有0.2μπι以上的表面粗糙度。另一方面，比較例5的玻璃面板的制造工序中，對第一燒成層的表面粗糙度進行了測定，表面粗糙度Ra為 0. 12 μ m0另外，對密封材料層內(nèi)的激光吸收材料的分布用X射線微區(qū)分析儀(EPMA)進行了確認，確認不僅在第二密封用玻璃材料層，在第一密封用玻璃材料層內(nèi)也存在激光吸收材料。確認密封材料層內(nèi)的激光吸收材料以層疊界面為中心在總膜厚的60%左右(自界面起上下各30%左右)的區(qū)域內(nèi)形成濃度梯度。另一方面，比較例5中，激光吸收材料僅分布于第二燒成層內(nèi)。接著，對于實施例1 6和比較例1 5的玻璃面板的外觀，測定、評價了基板破裂、玻璃料泡、接合部(密封部)的狀態(tài)。外觀用光學顯微鏡觀察來進行評價。另外，測定了各玻璃面板的氣密性。氣密性采用氦泄漏試驗進行評價。這些評價結果示于表1和表2。 表1和表2 —并示出玻璃面板的制造條件。[表 1]
權利要求
1.一種帶密封材料層的玻璃構件的制造方法，其特征在于，包括 準備具有密封區(qū)域的玻璃基板的工序；將含有第一密封用玻璃材料的第一密封材料用糊料和含有第二密封用玻璃材料的第二密封材料用糊料依次涂布于所述玻璃基板的所述密封區(qū)域的工序，所述第一密封用玻璃材料不含激光吸收材料，所述第二密封用玻璃材料包含激光吸收材料；對所述第一密封材料用糊料的涂布層和所述第二密封材料用糊料的涂布層的層疊膜進行燒成，在所述密封區(qū)域上形成具有所述第一密封用玻璃材料層和所述第二密封用玻璃材料層的疊層結構的密封材料層的工序。
2.如權利要求1所述的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法，其特征在于，所述激光吸收材料由選自Fe、Cr、Mn、C0、Ni和Cu的至少1種金屬或包含所述金屬的化合物形成，且所述激光吸收材料在所述第二密封用玻璃材料中的含量在0. 1 10質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
3.如權利要求1或2所述的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法，其特征在于，所述第一密封用玻璃材料和所述第二密封用玻璃材料包含由錫-磷酸類玻璃或鉍類玻璃形成的密封玻璃作為其主要成分。
4.如權利要求1 3中的任一項所述的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法，其特征在于，所述第一密封用玻璃材料和所述第二密封用玻璃材料包含3 50質(zhì)量％的范圍內(nèi)的低膨脹填充材料。
5.如權利要求1 4中的任一項所述的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法，其特征在于，介以所述第一密封材料用糊料的涂布層與所述第二密封材料用糊料的涂布層的界面使所述激光吸收材料擴散。
6.如權利要求5所述的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法，其特征在于，在表面經(jīng)過粗糙化的所述第一密封材料用糊料的涂布層上涂布所述第二密封材料用糊料。
7.如權利要求1 6中的任一項所述的帶密封材料層的玻璃構件的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板由鈉鈣玻璃或無堿玻璃形成。
8.一種電子器件的制造方法，其特征在于，包括準備第一玻璃基板的工序，所述第一玻璃基板具有具備電子元件的元件形成區(qū)域和設于所述元件形成區(qū)域的外周側的第一密封區(qū)域；準備第二玻璃基板的工序，所述第二玻璃基板具有與所述第一玻璃基板的第一密封區(qū)域?qū)牡诙芊鈪^(qū)域；將含有第一密封用玻璃材料的第一密封材料用糊料和含有第二密封用玻璃材料的第二密封材料用糊料依次涂布于所述第二玻璃基板的所述第二密封區(qū)域的工序，所述第一密封用玻璃材料不含激光吸收材料，所述第二密封用玻璃材料包含激光吸收材料；對所述第一密封材料用糊料的涂布層和所述第二密封材料用糊料的涂布層的層疊膜進行燒成，在所述第二密封區(qū)域上形成具有所述第一密封用玻璃材料層和所述第二密封用玻璃材料層的疊層結構的密封材料層的工序；在所述元件形成區(qū)域上形成間隙的同時，介以所述密封材料層層疊所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板的工序；透過所述第二玻璃基板從所述第一密封用玻璃材料層側對所述密封材料層照射激光， 至少使所述第二密封用玻璃材料層熔融而形成將所述第一玻璃基板與所述第二玻璃基板之間密封的密封層的工序。
9.如權利要求8所述的電子器件的制造方法，其特征在于，介以所述第一密封材料用糊料的涂布層與所述第二密封材料用糊料的涂布層的界面使所述激光吸收材料擴散。
10.如權利要求8或9所述的電子器件的制造方法，其特征在于，所述電子元件為有機 EL元件或太陽能電池元件。
全文摘要
通過抑制激光密封時玻璃基板和密封材料層的裂縫、破裂、剝離等，可提高玻璃面板的激光密封性及其可靠性。將不含激光吸收材料的第一密封材料用糊料和包含激光吸收材料的第二密封材料用糊料依次涂布于玻璃基板(2)的密封區(qū)域(2a)。對第一密封材料用糊料的涂布層(11)和第二密封材料用糊料的涂布層(12)的層疊膜進行燒成，從而形成具有第一密封用玻璃材料層(4)和第二密封用玻璃材料層(5)的疊層結構的密封材料層(3)。將具有這樣的密封材料層(3)的第二玻璃基板(2)與具有元件形成區(qū)域的玻璃基板層疊后，透過第二玻璃基板(2)從第一密封用玻璃材料層(4)側對密封材料層(3)照射激光來進行密封。
文檔編號C03C27/06GK102203026SQ20098014462
公開日2011年9月28日 申請日期2009年11月12日 優(yōu)先權日2008年11月14日
發(fā)明者井出旭, 川浪壯平, 涉谷幸一 申請人:旭硝子株式會社