專(zhuān)利名稱(chēng)：雙面鍍膜玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種觸摸屏用玻璃，尤其涉及一種高透射的雙面鍍膜 玻璃。
背景技術(shù)：
鍍膜玻璃如今已廣泛應(yīng)用于觸摸屏領(lǐng)域和液晶顯示領(lǐng)域，現(xiàn)有的一些 用于觸摸屏和液晶顯示屏的鍍膜玻璃可見(jiàn)光透過(guò)率低，反射率高。特別在 環(huán)境光較強(qiáng)的情況下，畫(huà)面圖像的對(duì)比度會(huì)大大降低，嚴(yán)重影響著視覺(jué)效
果。例如，目前普通ITO觸摸屏玻璃可見(jiàn)光透過(guò)率約8696，反射率8%，在 環(huán)境光較強(qiáng)的情況下，畫(huà)面對(duì)比度低，圖像看不清楚，同時(shí)，高反射率導(dǎo) 致視覺(jué)效果更差，在長(zhǎng)時(shí)間觀看時(shí)，也影響著眼睛。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題是克服現(xiàn)在技術(shù)中，觸摸屏或液晶顯示 屏用的鍍膜玻璃透光率低、反射率高而導(dǎo)致視覺(jué)效果差的技術(shù)問(wèn)題。
本實(shí)用新型提供的解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是構(gòu)建一種雙面鍍膜玻 璃，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的兩面依次重疊沉積NbA層和Si02
層至Si02層為外層，或依次重疊沉積Ti02層和Si02層至Si02層為外層，在 一面所述重疊層外再沉積半導(dǎo)體膜層。本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述玻璃基片一面的 沉積層為五層，即:歸5層或Ti02層、Si02層、歸5層或Ti02層、Si02
層、半導(dǎo)體膜層，另一面為四層，即恥205層或Ti02層、Si02層、Nb205 層或Ti02層、Si02層。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述沉積層一面厚度 依次為恥205層或Ti02層為10nm至30nm， Si02層為20nm至50nm, Nb205 層或Ti02層為20nm至50nm, Si02層為60nm至140nm，半導(dǎo)體膜層為8 至28nm，所述沉積層另一面厚度依次為Nb205層或Ti02層為5nm至30nm， SiO2層為20nm至50nm, 1^>205層或1102層為10nm至40nm， Si02層為80nm 至140跳
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述玻璃基片一面的
沉積層為七層，即歸5層或Ti。2層、Si。2層、NbA層或Ti02層、Si02 層、恥205層或Ti02層、Si02層、半導(dǎo)體膜層，另一面為六層，即Nb205 層或Ti02層、Si。2層、恥205層或1102層、Si02層、NW)5層或Ti02層、Si02 層。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述沉積層一面厚度 依次為吣205層或Ti02層為5nm至18nm， Si02層為20nm至50nm， Nb205 層或Ti02層為20nm至60nm， Si02層為5nm至20nm,恥205層或7102層 為20nm至70nm， Si02層為40nm至80nm，半導(dǎo)體膜層為8至28nm，所 述沉積層另一面厚度依次為Nb20s層或Ti02層為10nm至30nm， Si02層為20nm至50nm， NbA層或Ti02層為20nrn至50nm， Si02層為4nm至40歸， NbA層或Ti02層為20nm至80nm， Si02層為80nm至120nm。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述半導(dǎo)體膜層為慘 錫氧化銦膜層。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述鍍膜采用真空磁 控濺射方式鍍膜。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題的進(jìn)一步技術(shù)方案是所述玻璃基片為透明 的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片。
本實(shí)用新型技術(shù)方案的技術(shù)效果是通過(guò)構(gòu)建一種雙面鍍膜玻璃，包 括玻璃基片，在所述玻璃基片的兩面依次重疊沉積NbA層和Si02層至Si02
層為外層，或依次重疊沉積Ti02層和Si02層至Si02層為外層，在一面所述
重疊層外再沉積半導(dǎo)體膜層。由于沉積了多層增透減反膜層，提高了所述 鍍膜玻璃的可見(jiàn)光透過(guò)率和反射率。


圖1為本實(shí)用新型九層鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型十三層鍍膜玻璃結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行進(jìn)一步說(shuō)明
本實(shí)用新型構(gòu)建一種雙面鍍膜玻璃，本實(shí)用新型采用真空磁控濺射方式鍍膜，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的兩面依次重疊沉積恥205層和 Si02層至Si02層為外層，或依次重疊沉積Ti02層和Si02層至Si02層為外層，
在一面所述重疊層外再沉積半導(dǎo)體膜層。
如圖1所示，所述玻璃基片1一面的沉積層為五層，所述沉積層厚度
依次為NbA層2或Ti02層2為10nm至30nm， Si02層3為20nm至50nm， 恥205層4或Ti02層4為20nm至50nm， Si02層5為60nm至140nm，半 導(dǎo)體膜層6為8至28nm。在所述基片另一面的沉積層厚度依次為Nb205 層7或Ti02層7為5nm至30nm， Si02層8為20nm至50腦，NbA層9或 Ti02層9為10nm至40nm， Si02層10為80nm至140nm。所述半導(dǎo)體膜 層6為摻錫氧化銦膜層。所述玻璃基片為透明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃 基片。
如圖2所示，所述玻璃基片l一面的沉積層為七層，所述沉積層厚度 依次為歸5層2或Ti。2層2為5nm至18nm， Si02層3為20nm至50nm， NbA層4或Ti02層4為20nm至60nm， Si02層5為5nm至20nm， Nb205 層6或Ti02層6為20nm至70nm， Si02層11為40nm至80nm，半導(dǎo)體 膜層12為8至28nm。所述基片另一面沉的積層厚度依次為恥205層7或 Ti02層7為10nm至30nm， Si02層8為20nm至50nm，恥205層9或Ti02 層9為20nm至50nm， Si02層10為4nm至40nm， NbA層13或Ti02層 13為20nm至80nm， Si02層14為80nm至120nm。所述半導(dǎo)體膜層12 為摻錫氧化銦膜層。所述玻璃基片1為透明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片l。
以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì) 說(shuō)明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說(shuō)明。對(duì)于本實(shí)用新 型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下， 還可以做出若千簡(jiǎn)單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1. 一種雙面鍍膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于在所述玻璃基片的兩面依次重疊沉積Nb2O5層和SiO2層至SiO2層為外層，或依次重疊沉積TiO2層和SiO2層至SiO2層為外層，在一面所述重疊層外再沉積半導(dǎo)體膜層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片一面 的沉積層為五層，即Nb20s層或Ti02層、Si。2層、NW)5層或Ti02層、Si02 層、半導(dǎo)體膜層，另一面為四層，即NbA層或Ti02層、Si02層、Nb205 層或Ti02層、Si02層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述沉積層一面厚 度依次為NbA層或Ti02層為10nm至30nm， Si02層為20nm至50nm, NbA層或Ti02層為20nm至50nm， Si02層為60nm至140nm，半導(dǎo)體膜 層為8至28nm，所述沉積層另一面厚度依次為他205層或Ti02層為5nm 至30nm， Si02層為20nm至50nm， NbA層或1102層為10nm至40nm， Si02層為80nm至140nm。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片一面 的沉積層為七層，即Nb20s層或Ti02層、Si02層、NbA層或Ti02層、Si02 層、吣205層或Ti02層、Si02層、半導(dǎo)體膜層，另一面為六層，即:歸5 層或Ti02層、Si02層、Nb20s層或Ti02層、Si02層、NW)5層或Ti02層、Si02 層。
5、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述沉積層一面厚 度依次為恥205層或Ti02層為5nm至18nm， Si02層為20nm至50nm， 恥205層或Ti02層為20nm至60nm， Si02層為5nm至20nm，恥205層或Ti02層為20nrn至70nm， Si02層為40nm至80nm，半導(dǎo)體膜層為8至 28nm,所述沉積層另一面厚度依次為恥205層或Ti02層為10nm至30nm， Si02層為20nm至50nm， NbA層或1102層為20證至50nm， Si02層為 4nm至40nm，恥205層或1102層為20nm至80nm, Si02層為80nm至120nm。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述半導(dǎo)體膜層為 摻錫氧化銦膜層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述鍍膜采用真空 磁控濺射方式鍍膜。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基片為透 明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型涉及一種高透射的雙面鍍膜玻璃，本實(shí)用新型構(gòu)建一種雙面鍍膜玻璃，包括玻璃基片，在所述玻璃基片的一面依次重疊沉積Nb₂O₅層和SiO₂層至SiO₂層為外層，或依次重疊沉積TiO₂層和SiO₂層至SiO₂層為外層，所述重疊層外再沉積半導(dǎo)體膜層。本實(shí)用新型由于沉積了多層增透減反膜層，提高了所述鍍膜玻璃的可見(jiàn)光透過(guò)率和反射率。
文檔編號(hào)C03C17/34GK201305551SQ20092013519
公開(kāi)日2009年9月9日 申請(qǐng)日期2009年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月11日
發(fā)明者徐日宏 申請(qǐng)人:深圳市三鑫精美特玻璃有限公司