專利名稱：發(fā)光管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光管的制造方法，特別涉及具有透明絕緣管封裝工藝特征的發(fā)光管的制造方法。
發(fā)光管是在石英管內(nèi)對置配置一對電極，同時封入預(yù)定的氣體和發(fā)光物質(zhì)的管。通常利用加熱在軟化狀態(tài)下封裝發(fā)光管的一部分來實施發(fā)光管的密封。作為加熱源，一般使用氧-氫燃燒器。但是，由于燃燒器難以把加熱范圍特定在小范圍，所以直至石英管預(yù)定的密封部分以外的區(qū)域都會被加熱變形。由于作為發(fā)光管放電空間的一部分的變形對使用該發(fā)光管的放電燈特性產(chǎn)生極大影響，所以成為特別的問題。而且，如果使用氧-氫燃燒器，那么火焰中包含的氫被石英玻璃吸收，存在使發(fā)光管的特性劣化的問題。
為了解決上述問題，作為加熱石英管的加熱源，提出使用激光(特開昭57-109234號公報、特開昭58-78348號公報等)。例如，在特開昭58-78348號公報中，披露了通過在石英管的管軸方向上按一定振幅一邊掃描一邊照射激光來加熱封裝石英管。
但是，在通過按一定振幅一邊掃描一邊照射激光來加熱石英管的情況下，在石英管的加熱溫度上會產(chǎn)生離散偏差。其結(jié)果，由于加工時發(fā)光管破裂，同時密封耐壓的變動增大，所以有在使用中發(fā)光管上產(chǎn)生裂紋的問題。
本發(fā)明的目的在于，在采用激光的透明絕緣管的封裝工藝中，提供可降低透明絕緣管加熱溫度的離散偏差，穩(wěn)定地制造高品質(zhì)的發(fā)光管的發(fā)光管的制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的發(fā)光管的制造方法包括對透明絕緣管的一部分照射激光的工藝和封裝所述透明絕緣管的所述激光照射部分的工藝，其特征在于，使所述激光在所述透明絕緣管的管軸方向上可擺動地進行掃描，并且，在改變所述激光的輸出和擺動振幅的至少其中一方的同時實施照射所述激光的工藝。按照這樣的結(jié)構(gòu)，可以降低透明絕緣管加熱溫度的離散偏差，可以穩(wěn)定制造高品質(zhì)的發(fā)光管。此外，由于可以有選擇地局部加熱透明絕緣管，所以按照發(fā)光管密封工藝中的各種外部條件，可容易實現(xiàn)最佳的加熱。
在所述制造方法中，為了使所述激光的位移量達到最大時的輸出小于所述激光的位移量達到最小時的輸出，最好一邊改變所述激光的輸出一邊實施所述照射所述激光的工藝。
這里，位移是與透光性絕緣管的管軸方向有關(guān)地，用距平均照射位置的距離和方向表示激光照射位置的向量值。位移量是所述位移的大小，即與距平均照射位置的距離相當。而平均照射位置，與例如照射激光的區(qū)域的中心相當。
圖7是表示在以往的采用激光的發(fā)光管封裝工藝中激光的位移與輸出隨時間的變化圖。在圖7中，實線表示激光的位移，虛線表示激光的輸出。此外，圖8是表示實施圖7所示的激光照射時的激光照射能量分布的圖。在按一定的輸出和振幅一邊擺動一邊照射激光的情況下，照射能量具有在激光位移量達到最大部分(照射區(qū)域的端部(圖8的A點和C點附近))變高，而在位移量達到最小部分(照射區(qū)域的中央部分(圖8的B點附近))變低的傾向。照射能量的不均勻成為加熱溫度的離散偏差的一個原因。
但是，按照本發(fā)明制造方法的優(yōu)選例，由于控制與位移量對應(yīng)的激光輸出，所以可以緩和上述那樣的照射能量的不均勻，可以減小透明絕緣管的加熱溫度的離散偏差。
此外，在該優(yōu)選例中，為了對應(yīng)于所述激光位移量的增加而減少，對應(yīng)于所述激光位移量的減少而增加，最好使所述激光的輸出階段性或連續(xù)性地改變。
在所述制造方法中，為了使所述激光的掃描速度達到最小時的輸出小于所述激光的掃描速度達到最大時的輸出，最好一邊改變所述激光的輸出，一邊實施照射所述激光的工藝。
如上所述，在以往的制造方法中，激光照射能量呈現(xiàn)在照射區(qū)域的端部高而在中央部分低的分布。這是由于通常按激光的位移相對時間呈三角函數(shù)變化那樣來實施激光的掃描，所以造成激光的掃描速度在照射區(qū)域的端部小，而在中央部分大。與掃描速度大的區(qū)域相比，由于掃描速度小的區(qū)域激光照射的時間變長，所以在以往制造方法那樣的激光輸出一定的情況下，與掃描速度大的區(qū)域相比，掃描速度小的區(qū)域吸收更大的能量。
但是，按照本發(fā)明制造方法的優(yōu)選例，由于對應(yīng)于掃描速度控制激光的輸出，所以可以緩和上述那樣的因掃描速度的不同造成的照射能量的不均勻，可以減小透明絕緣管加熱溫度的離散偏差。
此外，在該優(yōu)選例中，為了對應(yīng)于所述激光掃描速度的增大而增大，對應(yīng)于所述激光掃描速度的下降而下降，最好階段性或連續(xù)性地改變所述激光的輸出。
此外，在所述制造方法中，一邊使所述透明絕緣管的未被激光照射的區(qū)域的一部分接觸冷卻介質(zhì)一邊實施照射所述激光的工藝。這種情況下，最好改變所述激光的輸出，以使在所述透明絕緣管的被所述激光照射區(qū)域內(nèi)掃描最靠近與所述冷卻介質(zhì)接觸的部分時的輸出大于在上述區(qū)域內(nèi)掃描與所述冷卻介質(zhì)接觸的部分最遠部分時的輸出。
在使透明絕緣管的一部分一邊接觸冷卻介質(zhì)一邊實施激光照射的情況下，靠近接觸冷卻介質(zhì)的部分與距接觸冷卻介質(zhì)部分遠的部分相比，由于容易被周圍奪走能量，所以有加熱溫度變低的傾向。但是，按照本優(yōu)選例，通過在掃描與冷卻介質(zhì)接觸的部分靠近的部分時增大那樣來控制激光的輸出，使照射到與接觸冷卻介質(zhì)部分靠近的部分的能量變高，可以減小透明絕緣管加熱溫度的離散偏差。
此外，在所述制造方法中，最好以所述透明絕緣管的管軸為旋轉(zhuǎn)軸一邊旋轉(zhuǎn)所述透明絕緣管一邊實施照射所述激光的工藝。這是由于可以減小透明絕緣管圓周方向上的加熱溫度的離散偏差的緣故。
此外，在所述制造方法中，作為所述激光，可以使用從二氧化碳氣體激光、受激準分子激光、YAG激光和半導體激光中選擇的其中任何一種激光。此外，作為所述透明絕緣管的材料，可以使用從石英玻璃、硼硅酸鹽玻璃和透明性氧化鋁中選擇的其中任何一種透明絕緣體。


圖1是表示本發(fā)明制造方法中使用的密封裝置結(jié)構(gòu)的模式圖。
圖2是表示按照本發(fā)明的制造方法制造獲得的發(fā)光管結(jié)構(gòu)的正面圖。
圖3是表示在本發(fā)明制造方法的第一密封工藝中適當?shù)募す廨敵鰣D形的圖。
圖4是表示用圖3所示的輸出圖形照射情況下的激光照射能量分布的圖。
圖5是表示在本發(fā)明制造方法的第二密封工藝中適當?shù)募す廨敵鰣D形的圖。
圖6是表示用圖5所示的輸出圖形照射情況下的激光照射能量分布的圖。
圖7是表示以往的制造方法中的激光輸出圖形的圖。
圖8是表示用圖7所示的輸出圖形照射情況下的激光照射能量分布的圖。
圖2是表示按照本發(fā)明的制造方法制作的發(fā)光管結(jié)構(gòu)一例的正面圖。發(fā)光管是在石英管內(nèi)對置配置一對電極體15和17，同時封入惰性氣體、汞和金屬鹵化物的管。電極體15和17是在線圈中插入電極棒構(gòu)成的電極線圈部分、由鉬箔等構(gòu)成的金屬箔和引線部分焊接形成的部分。
圖1是表示在本發(fā)明制造方法中使用的密封裝置一例的模式圖。該密封裝置配有石英管支撐機構(gòu)3和激光照射機構(gòu)。
石英管支撐機構(gòu)3配有設(shè)置在可動工作臺35上的支撐部分33和34，該支撐部分33和34通過部件32與電機31連接。此外，石英管支撐機構(gòu)3配有冷卻劑噴霧口45。而且，雖在圖中被省略，但石英管支撐機構(gòu)3配有用于封裝石英管的鉗子、磁性體等電極固定部分。
激光照射機構(gòu)包括光源21、反射鏡22和23、凹面反射鏡(拋物面鏡)24和通過遠距離操作可調(diào)整反射面傾斜角度的反射鏡(掃描鏡)25。按這種位置關(guān)系來配置光源21和各反射鏡22～25，以便用反射鏡22和23調(diào)整從光源21發(fā)射的激光的行進路徑直至將其導入拋物面鏡24，并利用拋物面鏡24將其聚焦在掃描鏡25的反射面上。
光源21例如可以使用二氧化碳氣體激光、受激準分子激光、YAG(釔鋁石榴石)激光、半導體激光等作為激光加工常用的光源。尤其是二氧化碳氣體激光的主要波長為10μm左右，可以被石英管容易地吸收。此外，雖然在圖中被省略，但光源21配有按照掃描鏡25的反射面的傾斜角度控制輸出的控制機構(gòu)。
再有，按這樣的位置關(guān)系來配置石英管支撐機構(gòu)3和激光照射機構(gòu)，以便被掃描鏡25反射的激光2可照射在石英管1的預(yù)定區(qū)域11上。此外，激光照射機構(gòu)與支撐在石英管支撐結(jié)構(gòu)3上的石英管1之間的距離是決定照射在石英管上的激光2點徑的一個因素。激光照射機構(gòu)與石英管1之間的距離可以利用可動工作臺35來調(diào)整。此外，點徑并沒有特別限定，但最好調(diào)整至石英管直徑的1～200％左右。
下面，說明上述密封裝置的工作，同時詳細說明本發(fā)明的制造方法。再有，以下的說明例示出制造圖2所示結(jié)構(gòu)的發(fā)光管的情況。
首先，制作石英管1。通過加熱軟化直管狀石英管的一部分使之成形為球管狀。由此，得到在球管12兩端有對稱設(shè)置的直管狀側(cè)管13a和13b形狀的石英管1。
接著，在石英管1的一個側(cè)管13a中插入第一電極體15后，按以下的要領(lǐng)封裝側(cè)管13a(以下把該工藝稱為‘第一密封工藝’)。再有，最好一邊對石英管1內(nèi)部進行排氣一邊實施該第一密封工藝。
首先，把插入第一電極體15的石英管1按可用支撐部分33和34支撐那樣設(shè)置在密封裝置上。此時，利用在密封裝置的電極體固定部分與電極體的金屬箔之間作用的磁力等的相互作用來限制在石英管1內(nèi)的第一電極體15的位置。在設(shè)置石英管1后，使電極31開始轉(zhuǎn)動。由此，石英管1以管軸(穿過管中心的軸)為軸開始旋轉(zhuǎn)運動。
接著，從光源21發(fā)射激光2，經(jīng)過反射鏡22、反射鏡23、拋物面鏡24和掃描鏡25的反射，照射在石英管1的預(yù)定區(qū)域11上。再有，區(qū)域11是與第一電極體15的金屬箔部分和其周邊對應(yīng)的區(qū)域。
一邊在預(yù)定范圍內(nèi)變化掃描鏡25的反射面的傾斜角度一邊實施激光的照射。因此，激光2對石英管1的預(yù)定區(qū)域11內(nèi)進行搖擺的掃描。例如按相對于時間呈三角函數(shù)變化那樣來控制掃描鏡25的反射面的傾斜角度。再有，‘傾斜角度’等于用掃描鏡25反射的激光2的行進方向與垂直于石英管1的方向所成的角度(θ)。
在這種情況下，激光2的位移如圖3的實線所示相對于時間呈三角函數(shù)地變化。就是說，激光的掃描速度不固定，位移量越大掃描速度越小，位移量越小掃描速度越大。再有，可以把這種情況下的激光位移，作為按以θ為零度時的照射位置為基準表示激光照射位置的數(shù)值。
按照掃描鏡25的反射面的傾斜角度的變化來實施激光的照射使激光的輸出變化?？煽刂萍す獾妮敵鍪怪S著θ的變化階段性地或連續(xù)地變化，隨著θ的變大，激光的位移量變大，可控制減小激光的輸出。換句話說，隨著激光的掃描速度變小，可控制激光輸出的減小。
即，控制激光的輸出，使激光位移量成為最大時的輸出比激光位移量成為最小時的輸出小。這樣來控制激光，即，使激光的位移量成為最小時的輸出為100％時，則位移量成為最大時的輸出為例如0-99％，為0-95％時較好，為10-50％時更好，為20-40％時最好。
例如，第一密封工藝可通過圖3所示的控制圖形來實施。而圖3例示出使用直徑4mm壁厚1mm的石英管時的控制圖形，實線表示激光的位移，虛線表示激光的輸出。在本實施例中，使激光的位移擺動，以使其相對時間按三角函數(shù)變化，激光擺動的頻率為20Hz，振幅規(guī)定為12mm?？刂萍す獾妮敵?，使其按照θ的變化，即激光位移量的變化階段性地變化。調(diào)整激光的輸出，使激光的位移量成為最小時為500W，位移量成為最大時為150W。按照這樣的輸出控制，如圖4的斜線部分所示，可調(diào)整激光的能量分布，使在A、B和C各點大致相等。
石英管1的區(qū)域11通過吸收激光2被加熱，隨后溫度上升。如上所述，在區(qū)域11內(nèi)，由于激光的照射能量變得大致均勻，所以可以使石英管1加熱溫度的離散偏差比較小。再有，區(qū)域11的加熱溫度沒有特別限定，只要使石英管1可以軟化至可變形程度的溫度就可以。
接著，用鉗子夾持經(jīng)激光照射軟化的區(qū)域11進行密封。
然后，把石英管1上下反轉(zhuǎn)，在從石英管1的側(cè)管13b對石英管1內(nèi)排氣后，在石英管1內(nèi)投入汞和金屬鹵化物。接著，在側(cè)管13b內(nèi)插入第二電極體后，在石英管1內(nèi)封入惰性氣體。
接著，利用激光的照射加熱封裝石英管1的預(yù)定區(qū)域，即與插入第二電極體17的金屬箔的部分對應(yīng)的區(qū)域(以下，把該工藝稱為‘第二密封工藝’)。通常，從冷卻劑噴霧口45對石英管1的一部分噴霧液氮等冷卻劑46，一邊冷卻石英管1一邊實施該第二密封工藝。
除了激光輸出圖形不同以外，第二密封工藝可以按照與上述第一密封工藝實質(zhì)上相同的工藝來實施。
與第一密封工藝一樣控制第二密封工藝的激光的輸出，使激光位移量成為最大時的輸出比激光位移量成為最小時的輸出小。進一步控制激光，使掃描距與照射區(qū)的液氮46接觸部分近的端部時的輸出比掃描距與照射區(qū)的液氮46接觸部分遠的端部時的輸出大。
這樣來控制激光，使之在令位移量成為最小時的輸出為100％時，使掃描距與液氮46接觸部分最近部分時的輸出例如為1-99％，為5-95％時較好，為30-90％時更好，為50-70％時最好，使掃描距與液氮46接觸部分最遠部分時的輸出例如為0-98％，為0-90％時較好，為10-50時更好，為20-40％時最好。
例如，第二密封工藝可通過圖5所示的控制圖形實施。而圖5例示出使用直徑4mm，壁厚1mm的石英管時的控制圖形，實線表示激光的位移，虛線表示激光的輸出。在本實施例中，使激光按頻率20Hz，振幅12mm擺動。這樣來控制激光的輸出，使其按照θ的變化即激光位移量的變化，階段性地變化。在激光的位移量成為最大時，雖然激光的位移方向存在完全相反的兩種情況(圖5的a點和b點)，但在本實施例中，可控制激光的輸出，使在b點比在a點大。具體地說，這樣來進行調(diào)整，使在激光的位移量成為最小的點為800W，在a點為150W，在b點為500W。如圖6的斜線部分所示，能這樣地控制輸出來進行調(diào)整，使照射能量在距與液氮46接觸部分近的F點附近大，在另一端D點附近小。
照射激光的區(qū)域的石英管1因吸收激光而被加熱，隨后溫度上升。與第一密封工藝一樣，加熱溫度的峰值沒有特別限定，只要使石英管1軟化至可變形程度的溫度就可以。
如上所述，在第二密封工藝中，由于使石英管1的一部分一邊與液氮46接觸一邊實施密封，所以距與液氮46接觸的部分近的區(qū)域比距與液氮46接觸部分遠的區(qū)域溫度容易降低。例如，按圖3所示的輸出圖形實施第二密封工藝的情況下，激光的加熱溫度按D點、E點、F點的順序降低，存在D點與F點之間的照射能量差達到10倍以上的情況。
但是，如果象上述那樣控制激光的輸出，那么由于可以按靠近與液氮46接觸部分的區(qū)域變大，而在遠的區(qū)域變小那樣來調(diào)整照射能量，所以可以使照射區(qū)域內(nèi)各點上的加熱溫度的離散偏差比較小。
在用鉗子(pincher)夾持密封通過激光照射軟化的區(qū)域后，切除側(cè)管13a和13b的不需要部分，獲得發(fā)光管。
在上述說明中，雖然例示出通過使掃描鏡25的傾斜角度變化而使激光2在區(qū)域11內(nèi)擺動的形態(tài)，但在掃描鏡25的傾斜角度一定的狀態(tài)下，通過使掃描鏡25本身沿石英管1的管軸方向移動，也可以使激光2在區(qū)域11內(nèi)擺動。
此外在上述說明中，雖然例示出了通過用夾鉗夾持石英管來進行石英管的密封的形態(tài)，但也可以通過利用石英管的內(nèi)部與外部的壓力差的收縮密封來進行石英管的密封。
此外，在本發(fā)明的制造方法中，在按第一密封工藝和第二密封工藝對石英管照射激光時，也可以一邊將激光的輸出保持一定，一邊隨時間改變激光的擺動振幅。這種情況下，在各密封工藝中按獲得上述那樣的照射能量分布來控制激光的擺動振幅。
例如，在第一密封工藝中，在將激光的成為擺動基準的點固定在照射區(qū)域中的狀態(tài)下，使激光擺動的振幅與時間同時增大。通過這樣的調(diào)整，能獲得與圖4所示相同的照射能量分布，能調(diào)整得使照射在照射區(qū)內(nèi)各點(A，B和C)的激光能量大致相等。
此外，在第二密封工藝中，一邊使激光的成為擺動基準的點變化，一邊使激光擺動的振幅隨時間而增大。這時，控制激光的成為擺動基準的點使之在擺動振幅最小時比在擺動振幅最大時更靠近與液氮接觸的部分。通過這樣的控制，與圖6所示的情況相同，激光照射能量分布形成這樣的梯度，即從照射區(qū)域的一端(D點)向另一端(F點)逐漸增大。
此外，在本發(fā)明的制造方法中，在按第一密封工藝和第二密封工藝對石英管照射激光時，也可以使激光的輸出和擺動的振幅兩方面都變化。
此外，在以上的說明中，作為透明絕緣管，例示出使用石英管的情況，但本發(fā)明的制造方法不限于此。例如，作為構(gòu)成透明絕緣管的材料，除了石英玻璃外，也可以使用硼硅酸鹽玻璃或氧化鋁等透明陶瓷。
如以上說明的那樣，按照本發(fā)明的發(fā)光管的制造方法，包括對透明絕緣管的一部分照射激光，封裝所述透明絕緣管的照射所述激光的部分的工藝，由于所述激光的照射在所述透明絕緣管的管軸方向上可擺動地掃描所述激光，并且，在改變所述激光輸出和擺動振幅的至少其中一方的同時實施照射，所以可以減小透明絕緣管加熱溫度的離散偏差，可以穩(wěn)定制造高品質(zhì)的發(fā)光管。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光管的制造方法，包括對透明絕緣管的一部分照射激光的工藝和封裝所述透明絕緣管的照射所述激光的部分的工藝，其特征在于，使所述激光在所述透明絕緣管的管軸方向上可擺動地進行掃描，并且，在改變所述激光的輸出和擺動振幅的至少其中一方的同時實施照射所述激光的工藝。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光管的制造方法，為了使所述激光的位移量達到最大時的輸出小于所述激光的位移量達到最小時的輸出，一邊改變所述激光的輸出一邊實施照射所述激光的工藝。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光的位移量成為最大時的輸出是所述激光位移量成為最小時的輸出的0-99％。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光的位移量成為最大時的輸出是所述激光位移量成為最小時的輸出的0-95％。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光的位移量成為最大時的輸出是所述激光位移量成為最小時的輸出的10-50％。
6.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光位移量成為最大時的輸出是所述激光位移量成為最小時的輸出的20-40％。
7.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光管的制造方法，階段性或連續(xù)性地改變所述激光的輸出，以便對應(yīng)于所述激光位移量的增加該輸出減少，對應(yīng)于所述激光位移量的減少該輸出增加。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光管的制造方法，一邊改變所述激光的輸出一邊實施照射所述激光的工藝，以便所述激光的掃描速度達到最小時的輸出小于所述激光的掃描速度達到最大時的輸出。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光掃描速度成為最小時的輸出是所述激光掃描速度成為最大時的輸出的0-99％。
10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光掃描速度成為最小時的輸出是所述激光掃描速度成為最大時的輸出的0-95％。
11.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光掃描速度成為最小時的輸出是所述激光掃描速度成為最大時的輸出的10-50％。
12.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光掃描速度成為最小時的輸出是所述激光掃描速度成為最大時的輸出的20-40％。
13.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光管的制造方法，階段性或連續(xù)性地改變所述激光的輸出，以便該激光輸出對應(yīng)于所述激光掃描速度的增大而增大，對應(yīng)于所述激光掃描速度的下降而下降。
14.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光管的制造方法，一邊使所述透明絕緣管的未被上述激光照射區(qū)域的一部分與冷卻介質(zhì)接觸一邊實施照射所述激光的工藝。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光管的制造方法，改變所述激光的輸出，以便在所述透明絕緣管的被所述激光照射的區(qū)域內(nèi)，掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸的部分最靠近的部分時的輸出大于掃描在上述區(qū)域內(nèi)距接觸所述冷卻介質(zhì)的部分最遠的部分時的輸出。
16.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光管的制造方法，使所述激光的位移量成為最小時的輸出為100％時，在所述透光性絕緣管的照射所述激光的區(qū)域內(nèi)，掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸的部分最近的部分時的輸出是1-99％，在所述區(qū)域內(nèi)掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸部分最遠的部分時的輸出是0-98％。
17.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光管的制造方法，使所述激光的位移量成為最小時的輸出為100％時，在所述透光性絕緣管的照射所述激光的區(qū)域內(nèi)，掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸部分最近的部分時的輸出是5-95％，在所述區(qū)域內(nèi)掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸部分最遠部分時的輸出是0-99％。
18.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光管的制造方法，在所述透光性絕緣管的照射所述激光的區(qū)域內(nèi)，掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸部分最近的部分時的輸出是30-90％，在所述區(qū)域內(nèi)，掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸部最遠的部分時的輸出是10-50％。
19.如權(quán)利要求15所述的發(fā)光管的制造方法，使所述激光的位移量成為最小時的輸出為100％時，在所述透光性絕緣管的照射所述激光的區(qū)域內(nèi)，掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸部分最近部分時的輸出是50-70％，在所述區(qū)域內(nèi)，掃描距與所述冷卻介質(zhì)接觸部分最遠部分時的輸出是20-40％。
20. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光管的制造方法，一邊以所述透明絕緣管的管軸為旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)所述透明絕緣管，一邊實施照射所述激光的工藝。
21.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光管的制造方法，所述激光從由二氧化碳氣體激光、受激準分子激光、YAG激光和半導體激光組成的組中選取。
22.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光管的制造方法，所述透明絕緣管從由石英玻璃、硼硅酸鹽玻璃和透明性氧化鋁組成的組中選取。
全文摘要
在利用激光照射加熱封裝石英管的工藝中,提供可降低石英管加熱溫度離散的發(fā)光管的制造方法。在對石英管1的一部分上照射激光,封裝石英管1的被激光照射的部分11的工藝中,使激光的照射在石英管1的管軸方向上可擺動那樣進行掃描,并且,一邊控制一邊施加激光2,以便使激光2的位移量達到最大時的輸出小于激光2的位移量達到最小時的輸出。
文檔編號C03B23/09GK1274938SQ0010180
公開日2000年11月29日 申請日期2000年1月27日 優(yōu)先權(quán)日1999年1月27日
發(fā)明者目黑赳, 坂本政治, 平井健治, 佐古田素三 申請人:松下電子工業(yè)株式會社